TWI250330B - Manufacturing method of electro-optical device substrate and manufacturing method of electro-optical device - Google Patents

Description

1250330 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明乃有關光電裝置用基板之製造方法及光電裝置 之製造方法，尤其有關於具備表面凹凸形狀之樹脂層上， 具備反射層之反射基板及光電裝置之製造技術者。 【先前技術】 一般而g ’光電裝置之一種之液晶顯示裝置乃形有成 爲反射光線之反射層的情形。此反射層乃通常經由反射光 外所產生之反射光，將對應液晶之光學狀態所構成之畫 像’成爲可辨識之反射型之液晶顯示裝置而構成設置。 又，於反射層之一部分，經由設置光透過部等，形成半透 過反射層，而可實現透過型顯示和反射型顯示之雙方的半 透過反射型之液晶顯示裝置。 然而，將反射層之反射面構成爲凹凸狀，經由將反射 光適切散亂，提案有種種減低乃至防止上述照明光所造成 之幻影或背景投射的技術。經由蝕刻裝置等，將玻璃表面 摺疊構成爲玻璃狀，於此上經由設置金屬鋁薄膜等之反射 層，形成凹凸狀之反射面。 又，做爲形成上述凹凸狀之反射面的其他方法，將感 光性樹脂塗佈於玻璃基板上，將此感光性樹脂使用特定之 光罩圖案經由曝光顯像，形成具備凹凸形狀之樹脂層，或 設定成離散性之樹脂層，經由將此樹脂層一端加熱而熔 融，使某程度凹凸形狀平滑之後’更經由塗佈有機樹脂， -5 - (2) 1250330 形成較平滑之表面凹凸形狀，之後，於其上形成反射層之 方法。 【發明內容】

但是，於上述以往之方法中，於反射層之基材層形成 適切之凹凸形狀之故，需精密管理、調整基板玻璃之蝕刻 條件（例如蝕刻液之組成或蝕刻時間等），雖以使反射面之 凹凸形狀正確且再現性佳地加以獲得的同時，另需2階段 之蝕刻工程，需形成2層構造之樹脂層之故，會有製造時 間變長、製造成本增大的問題。 又，經由反射面之凹凸形狀所決定之散亂光之角度分 布有偏離時，會有無法有效利用外光於顯示，而使顯示變 暗，於特定角度亮度急遽變化，視角特性實質上變窄等之 顯示品質上的不妥。

在此，本發明乃解決上述問題點者，該課題乃提供較 以往將反射面之凹凸迅速且低成本地加以製造的光電裝置 用基板之製造方法及光電裝置之製造方法。又，經由改善 反射面之散亂特性，將光電裝置之反射型顯示之顯示品質 較以往提高者。 爲解決上述課題，本發明之光電裝置用基板之製造方 法，屬於具備將配置於基板上之感光性之樹脂，使用備有 光透過部及光遮蔽部之光罩圖案，進行曝光之曝光工程， 和顯像曝光之前述樹脂之顯像工程，和於前述樹脂上，形 成反射層之反射層形成工程的反射基板之製造方法，其特 -6 - 1250330 (3) 徵係前述曝光工程中，經由設定前述光罩圖案之前述光透 過部或前述光遮蔽部之大小，和前述光罩圖案及前述樹脂 間之曝光間隔’則述樹脂之表面上之曝光強度分布沿該表 面’成曲面狀增減變化之狀態下，進行曝光，於前述顯像 工程中，對應於前述曝光強度分布，形成具備表面凹凸形 狀之樹脂層。 根據此發明，於曝光工程中，將具有感光性之樹脂之 表面上的曝光強度分布，沿表面於曲面上增減變化地加以 構成，於該曝光強度分布進行曝光，將具備對應於曝光強 度分布的表面凹凸形狀的樹脂層，於顯像工程加以形成 地，無需形成2階段之蝕刻工程或2層構造之樹脂層，於 1階段之圖案工程中，爲可形成表面凹凸形狀，可將具備 凹凸狀之反射面之光電裝置用基板，迅速且低成本地加以 製造。 以往之技術中，經由使用微縮術之圖案，於樹脂層形 成表面凹凸形狀時，一般而言，經由圖案化所形成凹凸形 狀非常急遽之故，經由加熱使凹凸形狀緩和，於其上更形 成第2層之樹脂層。但是，於本發明中，經由各適切設定 光罩圖案之光透過部或光遮掩部之大小，和光罩圖案和感 光性樹脂間之曝光間隔，經由光罩圖案之光透過部或光遮 掩部之大小，調整光繞射角，經由曝光間隔G，經由調整 光罩圖案所造成之繞射光的擴展量，將曝光強度分布成爲 增減變化成曲面狀的狀態，將經由顯像所形成之樹脂層之 表面凹凸形狀，成爲所期望之曲面狀之凹凸形狀。如此 -7- (4) P50330 地，經由調整光透過部或光遮掩部之大小和曝光間隔，可 調整表面凹凸形狀之急峻性或緩和性之故，經由1次曝 光·顯像工程，可形成具備適切表面凹凸形狀之樹脂層。 一般而百’樹脂層之表面凹凸形狀過於急峻時，形成 於其上之反射層所成反射光之散亂角爲大之故，正反射率 會下降，畫像會變暗。相反地，樹脂層之表面凹凸形狀過 於緩和時，形成於其上之反射層所成反射光之散亂角會變 小之故，正反射率會變高，結果，畫像雖會明亮，反射面 愈接近鏡面，照明之幻影或背景之投射則會變得顯著。因 此，將樹脂層之表面凹凸形狀，經由形成呈具備適切之曲 率的曲面狀，需兼顧期望之亮度和辨視性。此時，僅調整 光罩圖案之光透過部之直徑，和曝光間隔之任一方時，難 以將曝光強度分布之增減變化對應於適度之表面凹凸形狀 者。例如，將光透過部之直徑僅於光罩圖案之凹凸周期及 開口率之限制中增減，在於曝光波長λ之繞射程度上不會 有太大變化故，基本上改變凹凸形狀之周期，調整凹凸形 狀之曲率是困難的。又，僅增減曝光間隔，難以改變凹凸 形狀之曲率，經由曝光間隔之變化使凹凸形狀之曲率過於 變大之故，因此仍然難以具備形成適度之表面凹凸形狀之 樹脂層。 然而本發明乃控制對應於光透過部或光遮蔽部之臨界 範圍的樹脂層之表面範圍之凹凸曲面形狀’包含於從該表 面範圍脫離樹脂層之一部分，形成平坦部之情形。樹脂層 之表面乃大多部分構成呈緩和之凹凸曲面形狀即可’於一 -8- 1250330 (5) 部分存在平坦部或基材曝露部時，亦可得良好之 性。 於本發明中，前述光罩圖案中，分散配置構成 數之島狀的前述光透過部分，經由將前述光透過部 成爲前述光遮蔽部，於樹脂層之表面形成對應於前 過部之凹部。此時，經由光透過部之大小和上述間 變化通過光透過部之光線的繞射程度之故，可將凹 面形狀緩和地加以構成。 於此時，令則述曝光工程之曝光波長λ爲3 0 0 之範圍內，令前述光透過部之直徑成爲約9〜12 μιη 內，令前述曝光間隔爲約150〜2 5 0 μηι之範圍內者 根據此時，經由將光透過部之直徑設定於上述範圍 將通過光透過部之光線，向適切之角度繞射的同時 將曝光間隔G設定於上述範圍，可調整繞射光之 圍之故，於感光性樹脂之表面上，形成具備適度曲 面狀之曝光強度分布。 於本發明中，前述光罩圖案中，分散配置構成 數之島狀的前述光遮蔽部分’經由將前述光遮蔽部 成爲前述光透過部’於樹脂層之表面形成對應於前 蔽部之凸部。此時’經由光罩圖案之光遮掩部，可 被遮蔽之部分的光繞射程度’可將凸部之表面形狀 加以構成。 於此時，令前述曝光工程之曝光波長人爲300 之範圍內，令前述光遮蔽部之直徑成爲約8〜12 μιη 光學特 成爲複 之周圍 述光透 隔，可 部之表 -4 5 0nm 之範圍 爲佳。 內，可 ，經由 擴散範 率之曲 成爲複 之周圍 述光遮 變化光 緩和地 -4 5 Onm 之範圍 -9- 1250330 (6) 內’令前述曝光間隔爲約60〜100 μιη 散配置島狀之光遮蔽部之光罩圖案中 光遮蔽部之光罩圖案中，光透過部之 _高之故，需經由使凸部之傾斜曝光 光。又，一般而言，對應於光罩圖案 減低曝光強度。例如，相較使用分散 之開口率約30%之光罩圖案情形，於 光遮蔽部之遮光率約30%(開口率約 時，設定前者時約一半程度的曝光強 本發明中，具有於前述反射層形 述反射層之一部分，形成透過部之透 由此，可構成具備透過部之半透過反 板。 於此時，前述透過部形成工程中 部分同時，除去該正下方之前述樹脂 此，於透過部不存在樹脂層，可防止 接著，本發明之光電裝置之製造 物質，和於該光電物質施加電場，包 電極的電場賦予構造，和與前述光電 有表面凹凸形狀之樹脂層，和於前述 映前述表面凹凸形狀之反射面的反射 方法，其特徵係做爲形成前述樹脂層 備光透過部及光遮蔽部之光罩圖案’ 脂之曝光工程，和顯像曝光之前述榜 之範圍內者爲佳。分 ，較分散配置島狀之 面積則變大，開口率 間隔變小，減低繞射 之開口率的增大，需 配置島狀之光透過部 使用分散配置島狀之 70%)之光罩圖案情形 度爲佳。 成工程之後，除去前 過部形成工程爲佳。 射型之光電裝置用基 ，與前述反射層之一 層的一部分爲佳。由 透過型顯示之著色。 方法，屬於具有光電 含控制該光學特性之 物質平面性重疊，備 表面凹凸狀上具備反 層的光電裝置之製造 之工程，具有使用具 曝光其有感光性之樹 Ϊ脂之顯像工程；前述 -10 - (7) 1250330 曝光工程中，經由設定前述光罩圖案之前述光透過部或 述光遮蔽部之大小，和前述光罩圖案及前述樹脂間之曝 間隔’前述樹脂之表面上之曝光強度分布沿該表面，成 面狀增減變化之狀態下，進行曝光，於前述顯像工程中 對應於前述曝光強度分布，形成具備表面凹凸形狀之樹 層爲特徵者。 於本發明中，其中，前述光罩圖案中，分散配置構 成爲複數之島狀的前述光透過部分，經由將前述光透過 之周圍成爲前述光遮蔽部，於樹脂層之表面形成對應於 述光透過部之凹部爲佳。此時，尤其令前述曝光工程之 光波長λ爲3 0 0〜45 0nm之範圍內，令前述光透過部之 徑成爲約9〜12 μηι之範圍內，令前述曝光間隔爲 150〜250 μηι之範圍內者爲佳。 於本發明中，前述光罩圖案中，分散配置構成成爲 數之島狀的前述光遮蔽部分，經由將前述光遮蔽部之周 成爲前述光透過部，於樹脂層之表面形成對應於前述光 蔽部之凸部爲佳。此時，令前述曝光工程之曝光波長λ 3 0 0〜4 5 〇 nm之範圍內，令前述光遮蔽部之直徑成爲 8〜1 2 μ m之範圍內’令HU述曝光間隔爲約6 0〜1 0 0 μ m 範圍內者爲佳。 於本發明中，具有除去前述反射層之一部分，形成 過部之透過部形成工程爲佳。此時’前述透過部形成工 中，與前述反射層之一邰分同時’除去該正下力之前述 脂層的一部分爲佳。 刖 光 曲 脂 成 部 前 曝 直 約 複 圍 遮 爲 約 之 透 程 樹 -11 - 1250330 (8) 如以上說明，根據本發明時，於光電裝置用基板之製 造時，可較以往迅速且低成本地製造反射面之凹凸形狀。 【實施方式】 接著’參照添加圖面，對於有關本發明之反射基板之 製造方法及光電裝置之製造方法之實施形態詳細加以說 明。 〔第1實施形態：反射基板〕 首先，做爲有關本發明之第1實施形態，對於光電裝 置用基板之反射基板之製造方法，參照圖1及圖2加以說 明。圖1乃顯示有關本發明之光電裝置用基板之反射基板 之製造方法的實施形態的工程說明圖（a)〜（d)、圖2乃顯示 同製造方法之工程說明圖（a)〜（c)。 本實施形態中，如圖1 (a)所示，首先，洗淨以玻璃或 塑膠等透明材料所構成之基板1 1 1，於基板1 1 1之表面 上，將丙烯酸樹脂爲基材之感光性樹脂1 0 1，經由塗佈等 加以配置。接著，如圖1(b)所厚，使用光罩102曝光感光 性樹脂1 〇 1。在此。光罩1 02乃於玻璃等之透明基板 102A之表面，形成以 Cr等薄膜等所構成之遮光層 102B。此光罩102乃如圖4(A)所示，於單位範圍S內， 構成呈多數島狀之光透過部被隨機分散配置。光透過部之 周圍乃遮光層102B所成光遮蔽部。即，此光透過部102x 乃經由上述遮光層102B之開口所構成。光透過部102x之 -12- (9) 1250330 形狀乃未特別限定圓形、橢圓形、長圓形、多角形等，但 是，尤以圓形或正多角形（正方形、正五角形、正六角 形、正八角形等）爲佳爲佳。如此之形狀乃不具有特定方 位之偏移等，可易於得均等之光學特性，又光罩加工會變 得容易之故。惟，於需要散亂特性之方位關連性之時，令 光透過部1 02x之形狀成爲向特定方向延伸之形狀亦可。 於此曝光工程中，將超高壓水銀燈做爲光源使用。此 燈之光線乃主要以3種波長（3 6 5 n m之i線、4 0 5 n m之h 線、43 6nm之g線）加以構成爲主。本實施形態中，做爲 感光性樹脂101之感度分布，乃對於波長3 6 5 nm之i線之 感度最高之故，於此曝露工程中，感光性樹脂1 01乃實質 上經由i線（波長3 6 5 nm)加以曝光。 接著，將上述感光性樹脂1 01經由特定顯像液加以顯 像，如圖1(〇所示，於對應於上述光罩102之光透過部 1 〇2x的範圍，和對應於光遮蔽部之範圍間，形成凹凸狀 階差。於本實施形態之情形，經由調節上述光透過部 l〇2x之直徑D及感光性樹脂101和光罩102間之曝光間 隔G，沿感光性樹脂1 〇 1之表面之曝光強度分布，尤其對 應於光透過部102x及對應於該周圍附近之表面範圍之曝 光強度則緩和增減變化地加以携成，於此狀態，進行曝 光。然後，於顯像工程中，對應於該曝光強度分布量之樹 脂爲由感光性樹脂1 0 1之表面除去。由此，如圖所示，可 得具有較緩和之表面凹凸形狀11 9a之樹脂層。此表面凹 凸形狀11 9a乃具有對應於光透過部之島狀凹部被分散配 -13- (10) 1250330 置的形態。對於此等之部分，詳述於後。 接著，於如上所述所構成之樹脂層表面上，形成鋁、 銀合金（APC合金等）、鉻等之金屬薄膜，而成爲反射層。 反射層乃於成爲該基材面之樹脂層的表面，經由形成表面 凹凸形狀119a，具備具有反映該表面凹凸形狀U9a之凹 凸形狀的反射面。因此，此反射層之反射面乃具有對應於 該表面凹凸形狀U 9a之島狀之凹部被分散配置之形態。 接著，如圖2(a)所示，於反射層112之表面上，通常 經由微縮術法，形成光阻劑等所構成之光罩1 03。光罩 1 〇 3乃於無需反射層1 1 2之範圍，設置開口 1 0 3 a者。然 後，使用該光罩103，經由進行蝕刻，如圖2(b)所示，形 成具備開口部1 1 2 a之反射層1 1 2。如此，形成半透過反 射型之反射基板11 0。 然而，於上述蝕刻工程，經由共同除去反射層1 1 2和 樹脂層1 19 ’如圖2(c)所示，形成反射層1 12之開口部 1 1 2a，和樹脂層1 1 9之開口部1 1 9b設於相互平面重疊之 位置的反射基板1 1 0，亦可。又，於樹脂層1 1 9之形成階 段，設置開口邰1 1 9 b，形成重疊於開口部1 1 9 b地設置反 射層1 1 2之開口部1 1 2 a的反射基板1 1 0，亦可。於此反射 基板110’時，於樹脂層119經由形成開口部119b，通過 反射層1 1 2之開口部丨丨2 a的透過光，不通過樹脂層1 j 9 之故，可避免樹脂層119之些微的著色或樹脂層119之袠 面凹凸形狀U 9a所造成散亂作用或折射作用造成之透過 光之影響。 -14- 1250330 (11) (實施例） 圖3 (A)乃顯示本實施形態之一實施例的曝光工程之 基板上的感光性樹脂1 0 1和光罩1 02的開係擴大部分剖面 圖。又，圖4(A)乃該光罩102中，顯示單位範圍S之光 敦形狀的平面圖，圖5乃將基板整體之各單位範圍S之排 列形態，令光罩102之遮光層102B之圖案形態重疊於基 板之狀態的平面圖。於本實施例中’感光性樹脂1 0 1之厚 度爲2.0 μιη，令光罩102之光透過部10 2x的直徑DA爲 約1 0 μιη，令感光性樹脂1 〇 1上面和光罩1 02之下面間之 距離，即曝光間隔（間隔）G a成爲1 8 0 μιη。在此，曝光裝 置之曝光量乃 80mJ/cm2，曝光波長 λ爲 3 65nm(i線）。 又，光罩102之單位範圍S內之光透過開口率爲30%，光 透過部102x乃隨機配置。圖4(A)所示光透過部102x之 平均間隔p a乃約1 4 μ m。 本實施例中，將光罩102之光透過部102x的直徑Da 和曝光間隔G A，經由設定成上述値，沿感光性樹脂1 0 1 之表面，可柿構成曲面狀增減變化之曝光強度分布，之 後，經由顯像感光性樹脂1 0 1，以圖示點線顯示，可形成 對應於上述曝光強度分布之緩和曲面狀之表面凹凸形狀。 測定如此形成之樹脂層 1 1 9之正反射率時，約爲 1.3〜30%。在此，正反射率（鏡面反射率）乃將可視光範圍 之光（例如波長λ = 65 0ηιη)以入射角40度入射，經由設置 於射出角4 0咨之方向，經由光感測器檢出而測定。又， -15- (12) 1250330 於樹脂層1 1 9之表面上，以鋁形成反射層1 1 2時’正反射 率則成爲8〜2 0 %。在此，將樹脂層之表面形成呈平坦時之 正反射率爲約8.0程度，經由上述表面凹凸形狀，反射光 之反射角被擴展（即反射光散亂），如上所述正反射率下 降。然而，於此平坦之樹脂層上，形成以鋁構成之反射層 時，可得約9 5 %之正反射率。又，本實施例中，做爲感光 性樹脂，雖以光感光部用顯像液除去的正片系爲例，但對 於光感光部用顯像液成爲不溶化的負片系樹脂亦可同樣處 理。此時，對祇於光罩之光透過部的凹凸則變成相反。 (比較例） 接著，對於與上述實施例對比之比較例之製造方法進 行說明。圖1 6及圖1 7乃比較例之製造工程之工程說明 圖。於此比較例之製造方法中，如圖16(a)所示，於基板 1 1 1上，塗佈厚1.6 um之感光性樹脂101後，如圖16(b) 所厚，經由光罩1 04進行感光性樹脂1 01之曝光。在此， 光罩104乃於透明基板104A上形成遮光層104B者，與 上述光罩102同樣地，光透過部104x則隨機配置。此等 之光透過部l〇4x乃於單位範圍S內，如圖4(B)所示地加 以配置。光透過部1 〇4x的直徑DB雖較上述實施例爲小之 7.5 um，光罩104之單位範圍S內之開口率與實施例相同 爲 30%，結果，光透過部 104x之平均間隔 PB乃約 1 1 μπι。 圖3(B)乃顯示此比較例之曝光工程的情形，圖4(B) -16- 1250330 (13) 乃顯示比較例之單位範圍S之光罩1 04之平面形狀。於此 比較例中，對於厚1 .6 μηι之感光性樹脂1 01而言，如上 所述，令光透過部的直徑D β約爲7.5 μ m，又，令曝光間 隔G將爲60 μηι而進行曝光。在此曝光波長λ或曝光強 度乃與圖3 (A)所示者相同。於此時，於圖3 (Β )以點線顯 示，於圖16(C)亦顯示，於顯像後形成之/129的表面凹凸 面乃過於急峻，正反射率低之故，實際上於使用於液晶顯 不裝置時，賦予顯不之光量爲少，無法得明売之顯不，無 法形成滿足液晶顯示特性之反射面。 在此，如圖16(d)所示，於樹脂層129，更將感光性 樹脂130塗佈1·3 μηι，之後，如圖17(a)所示，使用具有 透明基板10 5Α和遮光層105Β之光罩105，僅對於單位範 圍S以外之範圍，進行曝光，對於單位範圍S不進行曝 光，直接進行顯像。然後，經由進行樹脂層之燒成，如圖 17(b)所示，經由樹脂層129和樹脂層130之2層構造， 與上述實施例相同之緩和的表面凹凸形狀。 之後，如圖17(c)所示，於樹脂層130之表面上，經 由鋁等，形成反射層1 1 2。又，於其上形成具備開口部 l〇6a之光阻劑106，進行蝕刻。如圖17(d)所2，經由於 反射層1 12設置開口部1 12a，可得半透過反射型之光電 裝置用基板。 於此比較例中，最終雖可形成與實施例幾近同樣之凹 凸形狀的反射面，經由曝光·顯像工程，於暫時形成之樹 脂層129上，更需形成樹脂層130，無法構成具有所期望 -17- 1250330 (14) 之反射特性的反射面之故，伴隨增大製造工數，使製造時 間變長，會有增大製造成本的問題。 (曝光條件） 接著，參照圖6及圖7，對於有關本發明之實施形態 之曝光工程條件，和於該曝光後經由進行顯像形成之樹脂 層之光學特性的開係進行說明。圖6乃顯示樹脂層1 1 9之 正反射率，和曝光工程之光罩圖案之光透過部之直徑d 及曝光間隔G的關係圖。在此，令光透過部之直徑D成 爲 7.5 μιη、1〇·〇 μπα、12.0 um，令曝光間隔 G 於 1〇〇〜250 μηι之範圍變化測定正反射率。然後，光罩之開口率（單位 範圍S之開口面積之比例）乃於所有之情形下成爲3 〇%。 又’感光性樹脂之厚度乃於所有的情形下，成爲1 . 7 μιη。 光罩之光透過部之直徑 D爲小時（直徑 D = 7.5 μιη 時），於曝光間隔G爲小之範圍下，正反射率會變低，曝 光間隔G變大時，急速地增大正反射率。即，直徑d爲 小時’變化曝光間隔G時之正反射率的變化寬度則會變 大。 另一方面，直徑 D變大時（直徑 D=10 um、12 μηι 時），變化曝光間隔G時，正反射率之變化爲少，尤其曝 光間隔G爲小時，則未見直徑D愈小之正反射率的下 降。 如上所述，光透過率之直徑D變小時，經由正反射率 之變動率變大，難以將期望之反射率再現性佳，或精度佳 -18- 1250330 (15) 地獲得，直徑D乃非7 · 5 μ m之程度，爲其以上之値，例 如9 μπι以上爲佳。又，直徑D更大之時，如圖6所示， 由於正反射率的變動寬度會變小之故，正反射率的調整範 圍會變窄，直徑D乃1 2 μπι以下者爲佳。 如圖6所示，曝光間隔G爲小的範圍大，對於曝光 間隔G之增加，正反射率之增加比率爲小，或相反地， 正反射率伴隨曝光間隔G之增加的同時而減少。此乃曝 光間隔G愈小，表面凹凸形狀會變得急峻，反而使平坦 部分增大，結果，增加正反射。因此，防止照明光所造成 之幻影或背景投射的同時，爲將正反射率調節至特定範圍 (例如於本實施例中，爲1.3〜3.0%程度，反射層之正反射 率8〜2 0 %程度），可將曝光間隔G較1 5 0 μ m更大爲佳。 即，當曝光間隔G不足150 μπι時，該正反射率掉落 到適切之正反射率之範圍（上述1.3〜3.0 %程度）以下，顯示 變暗的情形。又，該正反射率進入上述範圍內時，此乃表 面凹凸邪珍狀非成爲緩和狀態之故，即成爲平坦部分和急 峻部分混合存在的凹凸形狀之故，結果，散亂光變少，而 成灰暗顯示。 然而，如圖6所示，於曝光間隔G爲大之範圍中， 根據曝光間隔G之增加，正反射率則單純地增大。此乃 曝光間隔G愈大之時，表面凹凸形狀變得緩和，表面凹 凸形狀變得愈緩和，正反射光會漸漸增加之緣故。於此範 圍中，將正反射率調整於適切範圍，可得做爲液晶顯示裝 置之反射面適切的表面凹凸形狀。 -19- (16) 1250330 然而，即使上述曝光間隔爲大之範圍下，當正反射率 變得過大時，顯示雖會變亮，上述照明光所成幻影或背景 之投射會變大之故，辨視性會下降。因此，如上所述，光 透過部之直徑D爲9〜12 μπι之範圍下，可得適度之正反 射率之故，將曝光間隔G成爲2 5 0 μιη以下之範圍爲佳。 圖7乃顯示令光透過部之直徑D爲10 μπι時之感光 性樹脂的膜厚及曝光間隔和樹脂層之正反射率的關係圖。 在此，令感光性樹脂之膜厚成爲 1.5 μιη、1.7 μπι、1.9 u m，令曝光間隔G於1 0 0〜2 5 0 μ m之範圍加以變化，測定 正反射率。然而，光罩之開口率（單位範圍S之開口面積 比例）乃於所有情形時，成爲30%。 於此圖中，將感光性樹脂之膜厚於上述範圍變化，對 於正反射率之曝光間隔G之變化的變化傾向，基本上幾 乎不變，感光性樹脂之膜厚愈薄，正反射率就整體而言會 有增加的傾向。此乃，樹脂層爲薄之時，於經由曝光形成 之凹部底部，曝露基材面，增大正反射者。對於任一之膜 厚而言，曝光間隔G由超越1 5 0 μ m處，正反射率則單純 增加。另一方面，曝光間隔G不足1 5 0 μιη之範圍下，使 曝光間隔G變小時，相反地正反射率會緩緩增加。此曝 光間隔不足1 5 Onm之範圍乃如上所述，伴隨曝光間隔的 變小，表面凹凸形狀會變得急峻，平坦範圍會增加之故， 就整體而言，增加正反射率，散亂光變少而顯示變暗。 如上述之檢討結果，做爲本實施形態，使用於曝光工 程之光罩的光透過部之直徑DA乃約9〜12 μιη之範圍內’ -20- (17) 1250330 曝露間隔GA乃約150〜2 5 0 μπι之範圍內爲佳。此等範圍 內，可抑制照明光之幻影或背景之投影的同時，可確保顯 示之亮度。β卩，做爲液晶顯示裝置之反射面，可得適切之 表面凹凸形狀。尤其，直徑DA乃9.5〜11 μηι之範圍，曝 露間隔GA乃約160〜200 μηι之範圍，更可設置良好之表 面凹凸形狀爲佳。 上述實施例之光罩之光透過部之直徑及曝光間隔之範 圍乃曝露工程之曝露波長 λ ( = 3 65 nm)爲前提而得者。但 是，一般而言，稱紫外線範圍，波長λ使用3 00〜450nm 之範圍內之光線時，可得與上述同樣之結果。即，上述實 施例之光透過部之直徑DA之範圍（9〜12 μπι)乃曝露波長 λ( = 3 65 ηηι)之25〜33倍程度之故，爲上述3 00〜450nm之波 長範圍，即使改變曝光波長，該繞射效果幾乎不會改變， 又，上述實施例之曝露間隔 GA的範圍（150〜2 50 μπι)乃曝 露波長λ之400〜700倍程度，於上述3 00〜450nm之波長 範圍中，改變曝光波長，繞射光寬廣之程度則幾近不會改 變。 又，光罩之開口率乃通常爲20〜40%程度爲佳。開口 率不足20%中，島狀之光透過部之間隔變大之故，樹脂層 之表面之平坦部之面積則增大，形成正反射之多反射面。 又，超越開口率40%時，鄰接之島狀之光透過部之間隔爲 小之故，形成於樹脂層之表面之凹部間則易於連接，結 果，平坦部之面積則增大，形成正反射之多反射面。 更且，曝光量在上述條件下，70〜9 OmJ程度者爲佳。 -21 - (18) 1250330 此曝光量乃以經由光透過部之大小和曝光間隔所決定之最 大曝光量（光透過部之中心位置的曝光量），調整成感光性 樹脂不全部除去之程度（殘膜量爲5〜20%)爲佳。經由上述 最大曝露量，於感光性樹脂全部除去之情形下，於形成於 樹脂層之凹部底，曝露出基材面，形成於此曝露基材面上 的反射面部分則成爲平坦，產生正反射。 〔第2實施形態：反射基板〕 接著，參照圖8乃至圖11，對於有關本發明之第2 實施形態加以說明。於上述第1實施形態中，於上述光罩 012，分散配置構成呈複數島狀之光透過部102x，使用於 本實施形態之光罩1 〇 6中，如圖8所示，分散配置構成呈 複數島狀之光遮蔽部l〇6x。然後，光遮蔽部106x之周圍 乃成爲光透過部。此光遮蔽部10 6x乃經由形成於與上述 第1實施形態同樣之光透過性材料的表面上的遮光層而構 成。於單位範圍S內，光遮蔽部l〇6x則以隨機且均等之 分布密度分散配置。 於此光罩106中，光遮蔽部i〇6x之直徑Dc成爲9 μπι及10 μπι，使光遮蔽部l〇6x之平均間隔 Pc =約14 μπι。此時，開口率成爲 70%，因此，透光率則成爲 3 0%。然後，令與第1實施形態同樣之感光性樹脂形成成 爲2μιη，使用上述光罩106，曝光間隔G = 70 μιη，以曝光 量3 0〜4 OmJ進行曝光。於此實施形態，光罩1〇6之開口 率爲第1實施形態之2〜2.5倍程度之故，於對應於光遮蔽 -22- (19) 1250330 部1 〇6x之樹脂層之表面部分，形成具備充妙散亂性能的 凸部，且爲令經由該凸部所形成之表面凹凸形狀充分緩 和，使曝光間隔G成爲第1實施形態之4 0〜5 0 %程度， 又，曝光量亦.成爲第1實施形態之40〜50%程度。然後， 其他之條件乃所有與第1實施形態相同，形成具有表面凹 凸形狀的樹脂層。 於本實施形態中，如上所述爲使曝光量變少，如圖9 所示，最初以光罩106曝光之後，於第2之光罩108以較 大之曝光量進行2次曝光。使用於此2次曝光的第2之光 罩108乃如上所述，將形成表面凹凸形狀的單位範圍S之 部分’經由遮光層108x完全遮光，其他部分，即於單位 範圍以外之部分中，透過光線地加以構成。因此，經由2 次曝光，單位範圍S內之曝光狀態不受影響地，僅從單位 範圍S脫離部分之樹脂層被強烈曝光。之後，經由進行顯 像處理’於單位範圍S內，形成對應上述光罩106所成曝 光狀態的表面凹凸形狀，單位範圍S以外之部分中，幾近 完全除去樹脂層。於此實施形態中，進行2次之曝光處 理’爲形成樹脂層之表面凹凸形狀之曝光處理乃與第1實 施形態同樣僅爲1次。 經由本實施形態所形成之表面凹凸形狀乃對應上述光 罩1〇6之光遮蔽部ι〇6χ的島狀凸部成爲分散配置之形 態。即’與島狀之凹部被分散配置所成第〗實施形態中所 形成之表面凹凸形狀比較，槪略凹凸則相互成相反的形 態。爲此，形成於第1實施形態之樹脂層上的反射面，和 -23- (20) 1250330 形成於第2實施形態之樹脂層上的反射面中 特性上會產生不同。 圖1 0乃顯示對於第1實施形態及第2 射面各別加以測定之散亂光強度的散亂角關 之A乃經由第1實施形態所形成之反射面的 由實施形態所形成之反射面之資料。於第1 射面中，伴隨散亂角的變大，散亂光強度 言’第2實施形態之反射面糾，散亂光強度 性會變小，散亂角即使變大，散亂光強度的 此，於更寬廣之視角範圍，可辨視明亮的顯 根據本實施形態之基本製造方法，如圖 芍於光遮蔽部l〇6x之各直徑Dc(7.5 μπι、9 調查對於樹脂層之正反射率的曝光間隔G 此，樹脂層之起姑厚度所有爲2.0 μπι，光罩 有成爲約70%。結果，光遮蔽部106χ之直卷 於正反射率之曝光間隔的關連性爲小，光遮 直徑Dc愈是增大，變化曝光間隔時之變 大。因此，就光遮蔽部l〇6x之直徑Dc而 μπι之範圍爲佳。直徑Dc下降至8 μιη時， 之故，難以經由曝光間隔調整正反射率，因 射層之反射特性之精度或再現性。 又，不論光遮蔽部1〇 6χ之直徑Dc爲何 於70 μιη以上之範圍下，對應於曝光間隔的 率會單純地增大，但於曝光間隔不足70 μπι ，在於該散亂 實施形態之反 連性圖。圖中 資料，Β乃經 實施形態之反 會大爲下降而 之散亂角關連 下降亦少。因 不 ° 1 1 1 ( a)所示， μπι、1 0 um)， 的關連性。在 之開口率乃所 g Dc愈小，對 蔽部 1 0 6 X之 化率會伴之變 言，約 8.0〜12 凸部難以形成 此難以進行反 ，曝光間隔G 增大，正反射 之範圍下，曝 -24- (21) (21)1250330 光間隔減少時，可得正反射率增大的結果。此乃與第1實 施形態相同，當曝光間隔到達某程度大小時，經由光之繞 射現象，曝光間隔愈大，樹脂層之表面凹凸形狀會變得緩 和，而使正反射率增大，但曝光間隔過小時，難以產生光 之繞射之故，難以得緩和之凹凸形狀，曝光間隔愈小時， 平坦部分和急峻部分則會增大，經由成爲兩者混合存在的 態，而使正反射率上昇。 。 本實施形態中，基本上較第1實施形態正反射率爲低 之範圍下，於散亂角大之範圍，可得大的散亂光強度之 故，正反射率低之範圍下，亦可得良好之顯示特性。因 此，由上述資料視之，做爲曝光間隔G而言，60〜100 μηι 之範菌爲佳。低於此範圍時，如上所述，表面凹凸形狀中 之平坦部和急峻部的比較會增多之故，散亂角會變少，而 成爲灰暗的顯示。相反地，高於上述範圍時，光繞射程度 會經由變大，而難以形成凸部，盲整體而言使反射面成爲 平坦地，會使正反射光所造成之不妥增加。 圖11(b)乃顯示將樹脂層之啓始厚度變化爲1.4 um、 1 .7 um、2.0 μηι時的正反射率的曝光間隔關連性圖。在 亥，光罩之光遮蔽部l〇6x之直徑Dc爲1〇 μπχ，開口率乃 成所有之70%。樹脂層之厚度即使變化了，對於正反射率 之曝光間隔的關連性雖幾乎不改變，樹脂層之啓始厚度愈 薄，正反射率乃就整體而言會上昇。此乃於樹脂層薄之 時，經由曝光形成之凸部以外之部分，使基材面曝露，增 大正反射者。又’本實施形態時，光罩之開口率爲高之 -25- (22) 1250330 故，當zs/層爲薄時，於顯像時等，易於剝離樹脂層。爲 此，本實施形態時，即分散配置島狀之光遮蔽部地構成光 罩，該開口率超過50%之時，樹脂層之厚度乃於第1實施 形態時，即分散配置島狀之光透過部，形成光罩，較該開 口率低於5 0 %之時，形成較厚爲佳（例如0.3 μπι之程度）. 又，光罩之開口率乃通常 60%〜80%爲佳。開口率超 越8 0%時，島狀之光遮蔽部之間隔爲大之故，樹脂層之表 面的平坦部面積會增大，形成正反射多之反射面。又，開 口率不足6 0 %時，鄰接之島狀之光遮蔽部之間隔會變小之 故，形成於樹脂層之表面的凸部間會變得易於連接，結 果，平坦部面積仍然會增大，形成正反射多之反射面。 更且，曝光量乃於上述條件下，30〜4 OmJ程度者爲 佳。此曝光量乃以經由光透過部之大小和曝光間隔所決定 之最大曝光量（光透過部之中心位置的曝光量），調整成感 光性樹脂不全部除去之程度（殘膜量爲5〜50%)爲佳。經由 上述最大曝露量，於感光性樹脂全部除去之情形下，於形 成於樹脂層之凹部底，曝露出基材面，形成於此曝露基材 面上的反射面部分則成爲平坦，產生正反射。 〔第3實施形態：光電裝置〕 接著，對於使用經由上述反射基板之製造方法所形成 之反射基板的光電裝置之構成及該製造方法，以圖12所 示之液晶顯示裝置200爲例加以說明。 圖12乃顯示經由有關本發明之光電裝置之製造方法 •26- (23) 1250330 之實施形態所形成之液晶顯示裝置200的外觀槪略斜視 圖，圖13(a)乃液晶顯示裝置200之模式性槪略圖，圖 13(b)乃構成液晶顯示裝置200之反射基板210之擴大部 分平面圖。然而，圖中，僅顯示具有所謂反射半透過方式 之被動矩陣型構造的液晶面板部分，於實際構成之液晶顯 示裝置中，對於圖示之部分，依需要適切安裝未圖示之背 光或前置光等之照明裝置或殻體等。 ， 如圖12所示，液晶顯示裝置200乃將玻璃板或合成 樹脂板等所成透明之第1基板211成爲基板之反射基板， 和將對向於此之同樣之第2基板22 1成爲基板之對向基 板，則藉由密封材2 3 0加以貼合，於密封材2 3 0之內側， 從注入口 23 0a注入液晶23 2之後，於封閉材231加以封 閉，構成晶胞構造。 於第1基板211之內面（對向於第2基板221之表面） 上，複數並列之條紋狀之透明電極2 1 6經由濺鍍法等加以 形成。又，上述透明電極216乃導電連接於配線21 8A， 上述透明電極222乃導電連接於配線22 8。相互正交透明 電極216和透明電極222，該交叉範圍乃構成排列成矩陣 狀之多數畫素，此等之畫素排列構成液晶顯示範圍A。 第1基板2 1 1乃具有較第2基板22 1之外形，向外側 展出而成之基板展開部21 0T，於此基板展開部210T中， 形成上述配線21 8A、藉由對於上述配線228以密封材 23 0之一部分構成之上下導通部導電連接之配線218B及 獨立形成之複數之配線圖案所成輸入端子部219。又，於 -27· (24) 1250330 基板展開部210T上，對於此等配線218A、218B及輸入 端子部2 1 9導電連接地，安裝內藏液晶驅動電路等之半導 體IC261。又，於基板展開部210T之端部，導電連接於 上述輸入端子219，安裝可撓性配線基板263。 於此液晶顯不裝置2 0 0，如圖1 3所示，於第1基板 21 1之外面，配置相位差（1/4波長板）240及偏光板241， 於第2基板221之外面，配置相位差（1/4波長板）2 5 0及偏 光板2 5 1。 <反射基板210及對向基板220之詳細構造〉 接著，參照圖13(a)及（b)，對於反射基板210及對向 基板220之詳細構造加以說明。 對於反射基板2 1 0，於基板2 1 1之表面，形成透明之 樹脂層219。又，於此樹脂層219上形成反射電極212, 於每上述畫素，設置開口部212a。此反射層212中，開 口部212a以外之部分反射實質上之光的反射部212b。於 本實施形態中，形成具有開口部2 1 2a和反射部2 1 2b的反 射層212。當然，將反射層212 —體形成於液晶顯示範圍 A整體，僅將開口部212a形成於每畫素。 上述樹脂層2 1 9及反射層2 1 2乃相當於經由上述反射 基板之製造方法所構成之樹脂層119及反射層112，經由 與上述同樣之製造方法所形成。因此，省略此部分之製造 方法的說明。然而，圖13所示反射基板210之構造乃對 應上述反射基板者。於該下層之樹脂層219，於與開 •28- 1250330 (25) 口部212a重疊之位置，設置開口部。 於反射層212之上形成著色層214，於其上，更形成 透明樹脂等所成表面保護層（外敷層）2 1 5。經由著色層2 1 4 和表面保護膜2 1 5，構成彩色濾光片。 著色層2 1 4乃通常於透明樹脂中，分散顏料或染料等 之著色材，成爲特定之色調者。做爲著色層之色調之一 例，做爲原色系彩色濾光片組合R(紅）、G(綠）、B(藍）之 3色所成者，但非限定於此，以補色系之外的種種色調加 以形成。通常，於基板表面上，塗佈含有顏料或染料等之 著色材的感光性樹脂所成著色光阻劑，經由微縮術法，除 去不要部分，形成具有特定之彩色圖面的著色層。在此， 於形成複數之色調之著色層時，重覆上述工程。 然而，做爲著色層之排列圖案，於圖13(b)所示之圖 示例，採用條紋排列，於此條紋排列之外’可採用δ排列 或斜馬賽克排列等之種種圖案形狀。又，於上述RGB之 各著色層之周圍，做爲著色層之一部分’形成爲進行畫素 間範圍之遮光的遮光膜（黑矩陣或黑光罩）。 於表面保護膜215上，ITO(銦錫氧化物）等之透明導 電體所成透明電極2 1 6則以濺鍍法等加以形成。透明電極 216乃形成呈向圖13(b)之圖示上下方向延伸之帶狀’複 數之透明電極2 1 6則相互排列構成吐條紋狀。於透明電極 2 1 6上，形成聚醯亞胺樹脂等所成配向膜2 1 7。 於本實施形態中，如圖13(b)所示，構成彩色濾光片 之著色層214，於各畫素內完全被覆反射層212之開口部 -29- 1250330 (26) 212a地平面性重疊，從與開口部212a平面重疊之範圍， 朝向周圍，於開口部2 1 2a之周圍之反射部2 1 2b上，加以 展開地一體形成。 又，著色層214非形成於各畫素整體，僅重疊於反射 層2 1 2之一部分地加以形成。即，於反射層2 1 2中，存在 與著色層2 1 4平面重疊之範圍（圖示例中，臨接開口部 212a之內周範圍），和與著色層214不平面重疊之範圍（圖 示例中，爲外周範圍）。 另一方面，於上述液晶顯示裝置2 0 0中，於與上述反 射基板210對向之對向基板220中，於玻璃等所成第2基 板2 2 1上，形成與上述同樣之透明電極2 2 2，於此上，形 成Si02或Ti〇2等所成硬質保護膜223。更且於其上，層 積與上述同樣之配向膜2 2 4。 〔第4實施形態：光電裝置〕 接著，對於具有與上述不同之構造的其他光電裝置， 參照圖1 4及圖1 5加以說明。此實施形態之光電裝置乃具 備反射基板310之主動矩陣型之液晶顯示裝置3 00。此液 晶顯示裝置3 0 0乃反射基板3 1 0，和對向此之對向基板 3 2 0則經由密封材3 3 0加以貼合，於兩基板間，封入液晶 3 3 2 〇 於反射基板3 1 0中，於基板3 1 1之內面上，如圖1 4 所示，與上述樹脂層同樣地，於具備表面凹凸形狀之樹脂 層312上，形成兼顧反射層之畫素電極315，於其上形成 -30- 1250330 (27) 配向膜3 1 6。又，於反射基板3 1 0之內面上，於圖1 5以 點線顯示之掃瞄線3 1 3，和於圖1 4及圖1 5顯示剖面之資 料線3 1 4向相正交叉或正交方向延伸之狀態下，各別複數 形成。 於畫素電極315之下層上，圖15所示構成TFT(薄膜 電晶體）310T。此TFT310T中，形成具備通道範圍310c、 源極範圍310s及汲極範圍310d的半導體層，通道範圍 3 1 0c乃藉由絕緣膜，對向配置於導電連接於上述掃瞄線 3 1 3之閘極電極3 1 0 g、源極3 1 0 s乃導電連接於上述資料 線3 1 4，源極範圍3 1 0 s乃連接於上述資料線3 1 4，汲極範 圍310d乃導電連接於上述畫素電極315。然後，TFT310T 乃非限定於具有逆堆疊構造圖示之構成，具備閘極電極配 置於通道層之上的構造即可，又，採用公知之LDD構造 者亦可。 圖1 4所示，於對向基板3 2 0，於基板 3 2 1之內面 上，形成以ITO等之透明導電體所構成之對向電極3 22， 於其上，構成與特定適切之著色層3 2 3之排列形態所形成 之第3實施形態同樣之彩色濾光片，更於其上，形成配向 膜 3 24。 如此構成之液晶顯示裝置中，經由掃瞄線液晶面板 3 1 3選擇之畫素中，經由資料線3 1 4供給之電位則供予畫 素電極3 1 5，對應於形成於此畫素電極3 1 5，和對向電極 3 2 2間之電場，變化液晶3 3 2之配向狀態，形成期望之畫 像。惟，做爲主動矩陣型之液晶顯示裝置，如上所述令 -31 - 1250330 (28) TFT不限於做爲開關元件使用，將TFD(薄膜二極體）做爲 開關元件使用時，亦同樣適用本發明。 然而，本發明之上述光電裝置乃非如圖示例之液晶顯 示裝置’於電激發光裝置、有機電激發光裝置、電漿裝 置、電泳顯示裝置、使用電子放出元件之裝置（場發射顯 示器及表面連接電子放射顯示器等）等之各種光電裝置 中，可同樣適用本發明。 【圖式簡單說明】 圖1乃有關本發明之第1實施形態之光電製置用基板 之製造方法之工程說明圖（a)〜（d)。 圖2乃同光電製置用基板之製造方法之工程說明圖 (a)〜（c)。 圖3乃顯不對於同光電裝置用基板之製造方法之曝光 工程，對比實施例（A)和比較例（B)之說明圖。 圖4乃顯示將同光電裝置用基板之製造方法之曝光工 程之單位範圍S之光罩，對比實施例（a )和比較例（B )之說 明圖。 圖5乃顯示同光電裝置用基板之製造方法之曝光工程 之光罩整體的構成槪略平面圖。 圖6乃顯示同光電裝置用基板之製造方法之曝光工程 之光罩之光透過部之直徑D及曝光間隔G，和形成之樹脂 層之正反射率（平行線反射率）之關係圖。 圖7乃顯示同光電裝置用基板之製造方法之曝光工程 -32- 1250330 (29) 之感光性樹脂之膜厚及曝光間隔G，和形成之樹脂層之正 反射率（平行線反射率）之關係圖。 圖8乃顯示使用於有關本發明之第2實施形態之光電 裝置用基板之製造方法的光罩之單位範圍S之光罩圖案的 說明圖。 圖9乃顯示重疊第2實施形態之1次曝光時之光罩及 2次曝光時之光罩的說明圖。 圖1 〇乃顯示第1實施形態及第2實施形態之反射層 之散亂光強度的散亂角關連性圖。 圖1 1乃顯示第2實施形態之光罩之光透過部之直徑 D及曝光間隔G、和形成之樹脂層之正反射率（平行線反 射率）的關係圖（a)，及顯示感光性樹脂之膜厚及曝光間隔 G、和形成之樹脂層之正反射率（平行線反射率）的關係圖 (b) ° 圖12乃顯示有關本發明之光電裝置之製造方法所形 成之第3實施形態之液晶顯示裝置之槪觀的槪略斜視圖。 圖1 3乃模式性顯示經由受光電裝置之製造方法所形 成之液晶顯不裝置之剖面構造的槪略部分剖面圖（a)及顯 示該光電裝置用基板之平面構造的槪略部分平面圖（b)。 圖1 4乃顯示第4實施形態之液晶顯示裝置之槪觀的 槪略斜視圖。 圖1 5乃第4實施形態之液晶顯示裝置之一方之基板 之擴大部分剖面圖。 圖16乃比較例之光電裝置用基板之製造方法之工程 -33- 1250330 (30) 說明圖（a)〜（d)。 圖1 7乃同比較例之光電裝置用基板之製造方法之工 程說明圖（a)〜（d)。 〔符號說明〕 1 〇 1感光性樹脂 102 光罩 102x光透過部 1 06 光罩 106x光遮蔽部 1 1 0，1 1 0 ’反射基板 1 11基板 1 1 2反射層 1 1 9樹脂層 2 0 0液晶顯不裝置 2 1 0反射基板 2 2 0對向基板 2 3 0 密封材 2 3 2液晶 2 1 1第1基板 2 1 2反射層 2 1 9樹脂層 3 0 〇液晶顯示裝置 3 1 0反射基板 -34-

Claims (1)

1. IML 3. |S5#3|(k 更年月J 拾、申請專利範圍 第921 27492號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國94年3月17 1. 一種光電裝置用基板之製造方法，屬於具備 於基板上之感光性之樹脂，使用備有光透過部及光 之光罩圖案，進行曝光之曝光工程，和顯像曝光之 脂之顯像工程，和於前述樹脂上，形成反射層之反 成工程的光電裝置用基板之製造方法，其特徵係前 工程中，經由設定前述光罩之前述光透過部或前述 部之大小，和前述光罩及前述樹脂間之曝光間隔， 脂之表面上之曝光強度分布沿該表面，成曲面狀增 之狀態下，進行曝光，於前述顯像工程中，對應於 光強度分布，形成具備表面凹凸形狀之樹脂層。 2 .如申請專利範圍第1項之光電裝置用基板之 法，其中，前述光罩中，分散配置構成成爲複數之 前述光透過部分，經由將前述光透過部之周圍成爲 遮蔽部，於樹脂層之表面形成對應於前述光透過 部。 3 .如申請專利範圍第2項之光電裝置用基板之 法，其中，令前述曝光工程之曝光波長λ爲3 00/ 之範圍內，令前述光透過部之直徑成爲約9〜12 μπι 內，令前述曝光間隔爲約150〜250 μιη之範圍內者< 4 .如申請專利範圍第1項之光電裝置用基板之 日修正 將配置 遮蔽部 前述樹 射層形 述曝光 光遮蔽 前述樹 減變化 前述曝 製造方 島狀的 前述光 部之凹 製造方 -4 5 0 n m 之範圍 製造方 (2) 1250330 法’其中’前述光罩中，分散配置構成成爲複數之島狀的 前述光遮蔽部分，經由將前述光遮蔽部之周圍成爲前述光 透過部’於樹脂層之表面形成對應於前述光遮蔽部之凸 部。 5 ·如申請專利範圍第4項之光電裝置用基板之製造方 法，其中，令前述曝光工程之曝光波長λ爲3 0 0〜45 0nm 之範圍內，令前述光遮蔽部之直徑成爲約8〜12 μιη之範圍 內，令前述曝光間隔爲約60〜100 μιη之範圍內者。 6 .如申請專利範圍第1項之光電裝置用基板之製造方 法，其中，具有於前述反射層形成工程之後，除去前述反 射層之一部分，形成透過部之透過部形成工程。 7 .如申請專利範圍第6項之光電裝置用基板之製造方 法，其中，前述透過部形成工程中，與前述反射層之一部 分同時，除去該正下方之前述樹脂層的一部分。 8 . —種光電裝置之製造方法，屬於具有液晶，和於該 液晶施加電場，包含控制該光學特性之電極的電場賦予構 造，和與前述液晶平面性重疊，備有表面凹凸形狀之樹脂 層，和於前述表面凹凸狀上具備反映前述表面凹凸形狀之 反射面的反射層的光電裝置之製造方法，其特徵係做爲形 成前述樹脂層之工程，具有使用具備光透過部及光遮蔽部 之光罩，曝光其有感光性之樹脂之曝光工程，和顯像曝光 之則述樹脂之顯像工程；前述曝光工程中，經由設定前述 光罩之前述光透過部或前述光遮蔽部之大小，和前述光罩 及前述樹脂間之曝光間隔，前述樹脂之表面上之曝光強度 -2- (3) 1250330 分布沿該表面，成曲面狀增減變化之狀態下，進行曝光， 於前述顯像工程中，對應於前述曝光強度分布，形成具備 前述表面凹凸形狀之前述樹脂層。 9 .如申請專利範圍第8項之光電裝置之製造方法，其 中，前述光罩中，分散配置構成成爲複數之島狀的前述光 透過部分，經由將前述光透過部之周圍成爲前述光遮蔽 部，於樹脂層之表面形成對應於前述光透過部之凹部。 1 0 .如申請專利範圍第9項之光電裝置之製造方法， 其中，令前述曝光工程之曝光波長人爲3〇〇〜45〇nm之範 圍內’令前述光透過部之直徑成爲約9〜12 μηι之範圍內， 令前述曝光間隔爲約1 50〜25 0 μηι之範圍內者。 1 1 .如申請專利範圍第8項之光電裝置之製造方法， 其中，前述光罩中，分散配置構成成爲複數之島狀的前述 光遮蔽部分，經由將前述光遮蔽部之周圍成爲前述光透過 部’於樹脂層之表面形成對應於前述光遮蔽部之凸部。 1 2 .如申請專利範圍第1 1項之光電裝置之製造方法， 其中，令前述曝光工程之曝光波長人爲3 00〜45〇nm之範 圍內，令前述光遮蔽部之直徑成爲約8〜12 μηι之範圍內， 令前述曝光間隔爲約60〜100 μηι之範圍內者。 1 3 .如申請專利範圍第8項之光電裝置之製造方法， 其中，具有除去前述反射層之一部分，形成透過部之透過 部形成工程。 1 4 .如申請專利範圍第1 3項之光電裝置之製造方法， 其中，前述透過部形成工程中，與前述反射層之一部分同 >3- (4) 1250330 時，除去該正下方之前述樹脂層的一部分。 1 5 ·如申請專利範圍第1項之光電裝置用基板之製造 方法，其中，前述曝光工程中，對於前述樹脂之曝光量而 言，以經由前述光透過部或前述光遮蔽部之大小，與前述 光罩和前述樹脂間之曝光間隔加以決定之最大曝光量，曝 光至不全部除去前述樹脂之程度者。 1 6。如申請專利範圍第8項之光電裝置之製造方法， 其中，前述曝光工程中，對於前述樹脂之曝光量而言，以 經由前述光透過部或前述光遮蔽部之大小，與前述光罩和 前述樹脂間之曝光間隔加以決定之最大曝光量，曝光至不 全部除去前述樹脂之程度者。