CN101794867B - 一种平面光源器件的制备方法 - Google Patents

一种平面光源器件的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种平面光源器件及其制备方法，其中，本发明制备方法由于在制备荧光粉浆料中，增加了二氧化硅微粒，如此，可以提高荧光粉与玻璃基板的粘结力，提高光源的亮度。

Description

一种平面光源器件的制备方法
【技术领域】
本发明涉及有机光电领域，特别是一种平面光源器件的制备方法。
【背景技术】
平面光源被广泛地应用于各个领域，例如，作为液晶显示器的背光源。平面光源通常由线性光源如冷阴极荧光(CCFL)管与平面(二维)光引导/扩散层一起制成，以便在一个可以散射出光的平面内散射光。
点光源，例如小型灯或者其它光源如发光二极管的二维阵列在一定程度上也被认为是平面光源，但成本较高；利用真空管内部的电子束激发荧光层的场致发射装置(FED)也可以认为是一种平面光源的显示器件，然而，对于场致发射装置而言，需要具有高电子发光效率的优良电极和高真空，故此，场致发射装置中的荧光体需要高效率地把电子轰击能量转换成可见光；由二维气体放电和荧光层组成的真实平面光源，例如采用惰性气体交叉放电，激发荧光体发光的平面介质阻挡放电的光源。现在引起较为广泛关注的有机电致发光二极管(OLED)的平面光源具有诸多优点，例如：少阴影，能耗低、工作电压低，使用与维护安全，均匀发光、不闪烁等，但因为材料发光亮度较低而没有得到广泛的商业化应用。
鉴于以上问题，实有必要针对以上技术进行改进，以利于广泛应用。
【发明内容】
本发明所要解决的技术问题是提供一种平面光源器件的制备方法，其不但发光均匀而且亮度得到提高。
为解决以上技术问题，本发明提供了一种平面光源器件的制备方法，包括以下步骤：
第一步：称取5g乙基纤维素和45g松油醇，置于干净的烧杯中，在70℃-80℃下恒温搅拌2h-3h，配制成载体后，转移到研钵中；
第二步：称取50g的CCFL荧光粉，荧光粉颗粒粒径为6.8μm，0.3g作为分散剂的BYK171，0.4g作为消泡剂的羟基二甲基硅氧烷，以及1g二氧化硅，其中，二氧化硅粒径小于1μm，放入盛有载体的研钵中共同研磨半小时，配成荧光粉浆料，备用；
第三步：取下玻璃基板，用洗洁精清洗干净吹干后，在其上用丝网印刷方法印刷第二步中配成的荧光粉浆料，从而形成荧光粉层；
第四步：A)将带有铟锡氧化物的上玻璃基板，清洗干净并吹干，将上玻璃基板的下表面封接框和印刷有荧光粉层的下玻璃基板的封接框内均匀地涂覆一层低玻粉；B)在烧结炉中370℃脱气15min；C)通入氮气保护气，在460℃保温20min，从而完成上玻璃基板和下玻璃基板的封接，待用；
第五步：在氮气氛围的手套箱中分别将聚(甲基-苯基硅烷)(PMPS)和【2，5-双(4-联苯)-1，3，4-噁二唑】(BBD)溶解于甲苯溶液中，并在40℃-50℃加热搅拌3h，从而得到搅拌均匀的聚(甲基-苯基硅烷)聚合物溶液和2，5-双(4-联苯)-1，3，4-噁二唑】聚合物溶液，以备后用；
第六步：将第四步中封接好的上玻璃基板和下玻璃基板转移到氮气氛围的手套箱中并固定在匀胶机上，用带有滤头的注射器将聚(甲基-苯基硅烷)聚合物溶液涂满整个上玻璃基板具有铟锡氧化物导电层的表面，使匀胶机以2500r/min旋转60s，然后移转到加热台上在80℃加热退火30min，从而，在铟锡氧化物导电层表面形成一层聚(甲基-苯基硅烷)薄膜，即PMPS层；
第七步：用带有滤头的注射器将【2，5-双(4-联苯)-1，3，4-噁二唑】聚合物溶液涂满整个PMPS层，使匀胶机以2000r/min旋转60s，然后，移转到加热台上在80℃加热退火30min，从而在PMPS层形成一层【2，5-双(4-联苯)-1，3，4-噁二唑】薄膜，即BBD层(6)；
第八步：将上述第七步中得到的器件转移到真空镀膜机的腔体中进行蒸镀，即得到金属阴极层。
第九步：将上玻璃基板的铟锡氧化物导电层和金属阴极层分别连接直流电源的正极和负极引线，再在氮气氛围的手套箱中，用背板将阴极和由PMPS层和BBD层组成的有机功能层用紫外固化胶，在紫外灯下照射12min封装起来，从而得到平面光源器件。
与现有技术相比，本发明平面光源器件的制备方法至少具有以下优点：由于本发明的荧光粉层中加入有氧化硅微粒，因此可以提高荧光粉与玻璃基板的粘结力和增加光散射，提高光源亮度。
【附图说明】
图1是本发明第一实施例中的平面光源器件的结构示意图；
图2是本发明第二实施例中的平面光源器件的结构示意图。
所述附图中的标号与元件的对应关系如下：
  上玻璃基板  1   下玻璃基板  2
  荧光粉层  3   ITO导电层  4
  PMPS薄膜层  5   BBD薄膜层  6
  金属阴极层  7   背板  8
【具体实施方式】
下面结合附图详细介绍本发明平面光源器件的制备方法：
实施例一，请参见图1：
第一步：称取5g乙基纤维素和45g松油醇，置于干净的烧杯中，在70℃-80℃下恒温搅拌2-3h，配制成载体后，转移到研钵中；
第二步：称取50g的CCFL荧光粉，荧光粉颗粒粒径为6.8μm，0.3g的BYK171分散剂，0.4g作为消泡剂的羟基二甲基硅氧烷，以及1g二氧化硅，其中，二氧化硅粒径小于1μm，放入盛有上述载体的研钵中共同研磨半小时，配成荧光粉浆料，备用；
第三步：将下玻璃基板2，本实施例中用的是超白玻璃，用洗洁精清洗干净并吹干后，在其上用丝网印刷方法印刷第二步中配成的10μm厚的荧光粉浆料，从而形成荧光粉层3；
第四步：A)将带有铟锡氧化物(ITO)的上玻璃基板1，在本实施例中用的是石英导电玻璃，其一个表面带有ITO导电层4，清洗干净并吹干，将上玻璃基板1的下表面封接框和印刷有荧光粉层3的下玻璃基板2的封接框内均匀地涂覆一层低玻粉9，低玻粉9的厚度在100-200μm；B)在烧结炉中370℃脱气15min；C)通入氮气保护气，在460℃保温20min，从而完成上玻璃基板1和下玻璃基板2的封接，待用；
第五步：在氮气氛围的手套箱中分别将20mg固态的聚(甲基-苯基硅烷)(PMPS)和20mg的【2，5-双(4-联苯)-1，3，4-噁二唑】(BBD)溶解于1ml甲苯溶液中，并在40℃-50℃加热搅拌3h，从而得到搅拌均匀的PMPS聚合物溶液和BBD聚合物溶液，以备后用；
第六步：将第四步中封接好的上玻璃基板和下玻璃基板转移到氮气氛围的手套箱中并固定在匀胶机上，用带有滤头的注射器将PMPS聚合物溶液涂满整个上玻璃基板1的ITO导电层4表面，使匀胶机以2500r/min旋转60s，然后移转到加热台上在80℃加热退火30min，从而，在ITO导电层4表面形成一层100nm厚的PMPS薄膜，即PMPS层5；
第七步：用带有滤头的注射器将第六步的BBD聚合物溶液涂满整个PMPS薄膜表面，使匀胶机以2000r/min旋转60s，然后，移转到加热台上在80℃加热退火30min，从而在PMPS薄膜表面形成一层60nm厚的BBD薄膜，即BBD层6；
第八步：将第七步中得到的器件转移到真空镀膜机的腔体中进行蒸镀，其中，真空镀膜机的下部放置有架在架子上的电阻丝，电阻丝上放置有金属铝，且电阻丝两端加有电压，第七步得到的器件放置于真空镀膜机的上部，当腔体中真空度在高于2*10-4Pa时，金属铝蒸发，附在BBD层表面，从而形成厚度为150nm的金属阴极层。
第九步：将ITO导电层4和金属阴极层7分别连接直流电源的正极和负极引线，再在氮气氛围的手套箱中，用背板8将金属阴极层7和由PMPS层5和BBD层6组成的有机功能层用紫外固化胶，在紫外灯下照射12min封装起来，从而得到平面光源器件。
实施例二，请参阅图2所示：
本实施例与实施例一的区别在于：荧光粉层3制备在上玻璃基板1的下表面，即将带有铟锡氧化物(ITO)的上玻璃基板1清洗干净并吹干后在上玻璃基板1没有ITO导电层的一面用丝网印刷方法印刷一层荧光粉浆料，从而，形成荧光粉层3，荧光粉层3的厚度为10μm。其他制作过程均相同，在此不做赘述。
表1为本发明光源器件和传统的光源器件的相关数据对比，其中，A1-A3为传统光源，即平面介质阻挡放电光源，B1-B3为本发明的平面光源：
表1
  序号   屏号   平均亮度(cd/m2)   亮度均匀性(％)
  1   A1   5674   82
  2   A2   5453   86
  3   A3   5362   90
  4   B1   6758   97
  5   B2   6734   98
  6   B3   6826   98
以上所述仅为本发明的一种实施方式，不是全部或唯一的实施方式，本领域普通技术人员通过阅读本发明说明书而对本发明技术方案采取的任何等效的变换，均为本发明的权利要求所涵盖。

Claims (1)

1.一种平面光源器件的制备方法，包括以下步骤：
第一步：称取5g乙基纤维素和45g松油醇，置于干净的烧杯中，在70℃-80℃下恒温搅拌2h-3h，配制成载体后，转移到研钵中；
第二步：称取50g的CCFL荧光粉，荧光粉颗粒粒径为6.8μm，0.3g作为分散剂的BYK171，0.4g作为消泡剂的羟基二甲基硅氧烷，以及1g二氧化硅，其中，二氧化硅粒径小于1μm，放入盛有载体的研钵中共同研磨半小时，配成荧光粉浆料，备用；
第三步：取下玻璃基板(2)，用洗洁精清洗干净吹干后，在其上用丝网印刷方法印刷第二步中配成的荧光粉浆料，从而形成荧光粉层(3)；
第四步：A)将带有铟锡氧化物的上玻璃基板(1)清洗干净并吹干，将上玻璃基板(1)的下表面封接框和印刷有荧光粉层(3)的下玻璃基板(2)的封接框内均匀地涂覆一层低玻粉(9)；B)在烧结炉中370℃脱气15min；C)通入氮气保护气，在460℃保温20min，从而完成上玻璃基板(1)和下玻璃基板(2)的封接，待用；
第五步：在氮气氛围的手套箱中分别将聚(甲基-苯基硅烷)和【2，5-双(4-联苯)-1，3，4-噁二唑】溶解于甲苯溶液中，并在40℃-50℃加热搅拌3h，从而得到搅拌均匀的聚(甲基-苯基硅烷)聚合物溶液和2，5-双(4-联苯)-1，3，4-噁二唑】聚合物溶液，以备后用；
第六步：将第四步中封接好的上玻璃基板和下玻璃基板转移到氮气氛围的手套箱中并固定在匀胶机上，用带有滤头的注射器将聚(甲基-苯基硅烷)聚合物溶液涂满整个上玻璃基板(1)上具有铟锡氧化物导电层的面，然后，使匀胶机以2500r/min旋转60s，然后移转到加热台上在80℃加热退火30min，从而，在铟锡氧化物导电层表面形成一层聚(甲基-苯基硅烷)薄膜，即PMPS层(5)；
第七步：用带有滤头的注射器将【2，5-双(4-联苯)-1，3，4-噁二唑】聚合物溶液涂满整个PMPS层，使匀胶机以2000r/min旋转60s，然后，移转到加热台上在80℃加热退火30min，从而在PMPS层形成一层【2，5-双(4-联苯)-1，3，4-噁二唑】薄膜，即BBD层(6)；
第八步：将上述第七步中得到的器件转移到真空镀膜机的腔体中进行蒸镀，即得到金属阴极层(7)；
第九步：将上玻璃基板的ITO导电层和金属阴极层(7)分别连接直流电源的正极和负极引线，再在氮气氛围的手套箱中，用背板(8)将阴极和由PMPS层和BBD层组成的有机功能层用紫外固化胶，在紫外灯下照射12min封装起来，从而得到平面光源器件。
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