CN103664000B - 一种ito膜导电玻璃生产方法及一种真空旋涂设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及ITO镀膜技术领域,尤其涉及一种ITO膜导电玻璃生产方法及一种真空旋涂设备。所述真空旋涂设备包括真空室,真空室内设置有旋转台,旋转台上设置有玻璃夹具;所述真空室的右侧依次设置有一级干燥室和二级干燥室,使得ITO膜的膜厚更均匀,产品穿透率和阻抗特性更理想。
Description
技术领域
本发明涉及ITO镀膜技术领域,尤其涉及一种ITO膜导电玻璃生产方法及一种真空旋涂设备。
背景技术
氧化铟锡(ITO)是一种N型半导体,常温下具有良好的导电性能,对可见光有很好的透过率,是生产液晶屏及触摸屏的关键材料之一。液晶显示器之所以能显示特定的图形,就是利用导电玻璃上的透明导电膜,经蚀刻制成特定外形的电极,上下导电玻璃制成液晶盒后,在这些电极上加适当电压信号,使具有偶极矩的液晶分子在电场作用下特定的方面排列,仅而显示出与电极波长相对应的图形。随着液晶屏及触摸屏技术的高速发展,如何使得ITO膜的膜厚更均匀,产品穿透率和阻抗特性更理想,成为函待解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的不足而提供一种ITO膜导电玻璃生产方法及一种真空旋涂设备,使得ITO膜的膜厚更均匀,产品穿透率和阻抗特性更理想。
为实现上述目的,本发明采用以下技术方案来实现。
一种ITO膜导电玻璃生产方法,它包括如下步骤:
第一步,将大片玻璃切割成玻璃基片;
第二步,对玻璃基片进行磨边和倒角,并清除所产生的微粒;
第三步,对玻璃基片的表面进行研磨抛光处理;
第四步,以高精密洗净法完全洗净玻璃基片;
第五步,配置ITO膜凝胶:将一定量的铟溶解在浓酸盐中得到InCl3溶液,取出一定量的InCl3溶液,与乙酰丙酮按1:2—1:3的摩尔比混合搅拌得到透明溶液;再按透明溶液与乙二醇甲醚的质量比为80:5的比例加入乙二醇甲醚,在室温下搅拌,得到In溶胶;按In:Sn质量比为25:2的比例加入SnCl4·5H2O,搅拌20min得到In-Sn溶胶,然后按In-Sn溶胶与聚乙二醇的质量比为80:20的比例加入聚乙二醇,静置40min得到ITO膜胶液;
第六步,将ITO膜胶液涂于玻璃基片的中心处;
第七步,将玻璃基片固定放置于真空旋涂设备的旋转台上进行旋转,旋转台位于真空旋涂设备的真空室内,旋转台转速为200rpm/min,旋转时间为80s,在玻璃基片的表面形成一层均匀的ITO凝胶;
第八步,根据ITO膜的厚度要求,重复第六步和第七步,形成多层ITO凝胶,以满足ITO膜的厚度要求;
第九步,将玻璃基片放置于真空旋涂设备的一级干燥室中,在85°C温度下干燥10~15分钟;
第十步,再将玻璃基片放置于真空旋涂设备的二级干燥室中,在150°C温度下热处理10~15分钟,使得多层ITO凝胶形成ITO膜;
第十一步,检查并记录产品的穿透率和阻抗特性,并判断产品是否为良品,良品即包装起来。
一种真空旋涂设备,它包括真空室,真空室内设置有旋转台,旋转台上设置有玻璃夹具;所述真空室的右侧依次设置有一级干燥室和二级干燥室。
进一步的,它还包括穿透率检验室,透率检验室设置于二级干燥室的右侧。
进一步的,它还包括阻抗特性检验室,阻抗特性检验室设置于透率检验室的右侧。
本发明的有益效果为:本发明所述一种ITO膜导电玻璃生产方法及一种真空旋涂设备,使得ITO膜的膜厚更均匀,产品穿透率和阻抗特性更理想。
附图说明
图1为本发明的原理框图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。
一种ITO膜导电玻璃生产方法,它包括如下步骤:
第一步,将大片玻璃切割成玻璃基片;
第二步,对玻璃基片进行磨边和倒角,并清除所产生的微粒;
第三步,对玻璃基片的表面进行研磨抛光处理;
第四步,以高精密洗净法完全洗净玻璃基片;
第五步,配置ITO膜凝胶:将一定量的铟溶解在浓酸盐中得到InCl3溶液,取出一定量的InCl3溶液,与乙酰丙酮按1:2—1:3的摩尔比混合搅拌得到透明溶液;再按透明溶液与乙二醇甲醚的质量比为80:5的比例加入乙二醇甲醚,在室温下搅拌,得到In溶胶;按In:Sn质量比为25:2的比例加入SnCl4·5H2O,搅拌20min得到In-Sn溶胶,然后按In-Sn溶胶与聚乙二醇的质量比为80:20的比例加入聚乙二醇,静置40min得到ITO膜胶液;
第六步,将ITO膜胶液涂于玻璃基片的中心处;
第七步,将玻璃基片固定放置于真空旋涂设备的旋转台10上进行旋转,旋转台10位于真空旋涂设备的真空室1内,旋转台10转速为200rpm/min,旋转时间为80s,在玻璃基片的表面形成一层均匀的ITO凝胶;
第八步,根据ITO膜的厚度要求,重复第六步和第七步,形成多层ITO凝胶,以满足ITO膜的厚度要求;
第九步,将玻璃基片放置于真空旋涂设备的一级干燥室2中,在85°C温度下干燥10~15分钟;
第十步,再将玻璃基片放置于真空旋涂设备的二级干燥室3中,在150°C温度下热处理10~15分钟,使得多层ITO凝胶形成ITO膜;
第十一步,检查并记录产品的穿透率和阻抗特性,并判断产品是否为良品,良品即包装起来。
上述一种ITO膜导电玻璃生产方法,其特制的ITO膜凝胶使得产品穿透率和阻抗特性更理想,同时采用真空环境下进行旋涂,在没有风阻和压力差的影响下,能在玻璃基片的表面形成更为均匀的ITO凝胶,使得ITO膜的膜厚更均匀,有利于提高ITO膜导电玻璃的性能。
如图1所示,本发明所述一种真空旋涂设备,它包括真空室1,真空室1内设置有旋转台10,旋转台10上设置有玻璃夹具11;所述真空室1的右侧依次设置有一级干燥室2和二级干燥室3。进一步的,它还包括穿透率检验室4,透率检验室设置于二级干燥室3的右侧。进一步的,它还包括阻抗特性检验室5,阻抗特性检验室5设置于透率检验室的右侧。工作时,将玻璃基片固定放置于真空旋涂设备的旋转台10上进行旋转,旋转台10位于真空旋涂设备的真空室1内,旋转台10转速为200rpm/min,旋转时间为80s,在玻璃基片的表面形成一层均匀的ITO凝胶;然后将玻璃基片放置于真空旋涂设备的一级干燥室2中,在85°C温度下干燥10~15分钟;然后再将玻璃基片放置于真空旋涂设备的二级干燥室3中,在150°C温度下热处理10~15分钟,使得多层ITO凝胶形成ITO膜;最后检查并记录产品的穿透率和阻抗特性,并判断产品是否为良品。该真空旋涂设备可自动完成旋涂、干燥、穿透率检验和阻抗特性检验,大大提高了生产效率,同时采用真空环境下进行旋涂,在没有风阻和压力差的影响下,能在玻璃基片的表面形成更为均匀的ITO凝胶,使得ITO膜的膜厚更均匀,有利于提高ITO膜导电玻璃的性能,产品穿透率和阻抗特性更理想。
当然,本发明还可有其他多种制作方式,在不背离本发明精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出相应的改变和变形。以上所述仅是本发明的较佳实施方式,故凡依本发明专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰,均包括于本发明专利保护范围内。
Claims (1)
1.一种ITO膜导电玻璃生产方法,其特征在于,它包括如下步骤:
第一步,将大片玻璃切割成玻璃基片;
第二步,对玻璃基片进行磨边和倒角,并清除所产生的微粒;
第三步,对玻璃基片的表面进行研磨抛光处理;
第四步,以高精密洗净法完全洗净玻璃基片;
第五步,配置ITO膜凝胶:将一定量的铟溶解在浓酸盐中得到InCl3溶液,取出一定量的InCl3溶液,与乙酰丙酮按1:2—1:3的摩尔比混合搅拌得到透明溶液;再按透明溶液与乙二醇甲醚的质量比为80:5的比例加入乙二醇甲醚,在室温下搅拌,得到In溶胶;按In:Sn质量比为25:2的比例加入SnCl4·5H2O,搅拌20min得到In-Sn溶胶,然后按In-Sn溶胶与聚乙二醇的质量比为80:20的比例加入聚乙二醇,静置40min得到ITO膜胶液;
第六步,将ITO膜胶液涂于玻璃基片的中心处;
第七步,将玻璃基片固定放置于真空旋涂设备的旋转台上进行旋转,旋转台位于真空旋涂设备的真空室内,旋转台转速为200rpm/min,旋转时间为80s,在玻璃基片的表面形成一层均匀的ITO凝胶;
第八步,根据ITO膜的厚度要求,重复第六步和第七步,形成多层ITO凝胶,以满足ITO膜的厚度要求;
第九步,将玻璃基片放置于真空旋涂设备的一级干燥室中,在85°C温度下干燥10~15分钟;
第十步,再将玻璃基片放置于真空旋涂设备的二级干燥室中,在150°C温度下热处理10~15分钟,使得多层ITO凝胶形成ITO膜;
第十一步,检查并记录产品的穿透率和阻抗特性,并判断产品是否为良品,良品即包装起来;
所述真空旋涂设备包括真空室、穿透率检验室和阻抗特性检验室,真空室内设置有旋转台,旋转台上设置有玻璃夹具;所述真空室的右侧依次设置有一级干燥室和二级干燥室;穿透率检验室设置于二级干燥室的右侧;阻抗特性检验室设置于穿透率检验室的右侧。
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溶胶-凝胶旋涂法制备ITO薄膜;陈健等;《微纳电子技术》;20070331(第3期);第133页左栏第3段至右栏第1段 * |
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