CN103664000A - 一种ito膜导电玻璃生产方法及一种真空旋涂设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及ITO镀膜技术领域，尤其涉及一种ITO膜导电玻璃生产方法及一种真空旋涂设备。所述真空旋涂设备包括真空室，真空室内设置有旋转台，旋转台上设置有玻璃夹具；所述真空室的右侧依次设置有一级干燥室和二级干燥室，使得ITO膜的膜厚更均匀，产品穿透率和阻抗特性更理想。

Description

一种ITO膜导电玻璃生产方法及一种真空旋涂设备
技术领域
本发明涉及ITO镀膜技术领域，尤其涉及一种ITO膜导电玻璃生产方法及一种真空旋涂设备。
背景技术
氧化铟锡（ITO）是一种N型半导体，常温下具有良好的导电性能，对可见光有很好的透过率，是生产液晶屏及触摸屏的关键材料之一。液晶显示器之所以能显示特定的图形，就是利用导电玻璃上的透明导电膜，经蚀刻制成特定外形的电极，上下导电玻璃制成液晶盒后，在这些电极上加适当电压信号，使具有偶极矩的液晶分子在电场作用下特定的方面排列，仅而显示出与电极波长相对应的图形。随着液晶屏及触摸屏技术的高速发展，如何使得ITO膜的膜厚更均匀，产品穿透率和阻抗特性更理想，成为函待解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的不足而提供一种ITO膜导电玻璃生产方法及一种真空旋涂设备，使得ITO膜的膜厚更均匀，产品穿透率和阻抗特性更理想。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案来实现。
一种ITO膜导电玻璃生产方法，它包括如下步骤：
第一步，将大片玻璃切割成玻璃基片；
第二步，对玻璃基片进行磨边和倒角，并清除所产生的微粒；
第三步，对玻璃基片的表面进行研磨抛光处理；
第四步，以高精密洗净法完全洗净玻璃基片；
第五步，配置ITO膜凝胶：将一定量的铟溶解在浓酸盐中得到InCl3溶液，取出一定量的InCl3溶液，与乙酰丙酮按1:2—1:3的摩尔比混合搅拌得到透明溶液；再按透明溶液与乙二醇甲醚的质量比为80:5的比例加入乙二醇甲醚，在室温下搅拌，得到In溶胶；按In：Sn质量比为25:2的比例加入SnCl4·5H2O，搅拌20min得到In-Sn溶胶，然后按In-Sn溶胶与聚乙二醇的质量比为80:20的比例加入聚乙二醇，静置40min得到ITO膜胶液；
第六步，将ITO膜胶液涂于玻璃基片的中心处；
第七步，将玻璃基片固定放置于真空旋涂设备的旋转台上进行旋转，旋转台位于真空旋涂设备的真空室内，旋转台转速为200rpm/min，旋转时间为80s，在玻璃基片的表面形成一层均匀的ITO凝胶；
第八步，根据ITO膜的厚度要求，重复第六步和第七步，形成多层ITO凝胶，以满足ITO膜的厚度要求；
第九步，将玻璃基片放置于真空旋涂设备的一级干燥室中，在85°C温度下干燥10~15分钟；
第十步，再将玻璃基片放置于真空旋涂设备的二级干燥室中，在150°C温度下热处理10~15分钟，使得多层ITO凝胶形成ITO膜；
第十一步，检查并记录产品的穿透率和阻抗特性，并判断产品是否为良品，良品即包装起来。
一种真空旋涂设备，它包括真空室，真空室内设置有旋转台，旋转台上设置有玻璃夹具；所述真空室的右侧依次设置有一级干燥室和二级干燥室。
进一步的，它还包括穿透率检验室，透率检验室设置于二级干燥室的右侧。
进一步的，它还包括阻抗特性检验室，阻抗特性检验室设置于透率检验室的右侧。
本发明的有益效果为：本发明所述一种ITO膜导电玻璃生产方法及一种真空旋涂设备，使得ITO膜的膜厚更均匀，产品穿透率和阻抗特性更理想。
附图说明
图1为本发明的原理框图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。
一种ITO膜导电玻璃生产方法，它包括如下步骤：
第一步，将大片玻璃切割成玻璃基片；
第二步，对玻璃基片进行磨边和倒角，并清除所产生的微粒；
第三步，对玻璃基片的表面进行研磨抛光处理；
第四步，以高精密洗净法完全洗净玻璃基片；
第五步，配置ITO膜凝胶：将一定量的铟溶解在浓酸盐中得到InCl3溶液，取出一定量的InCl3溶液，与乙酰丙酮按1:2—1:3的摩尔比混合搅拌得到透明溶液；再按透明溶液与乙二醇甲醚的质量比为80:5的比例加入乙二醇甲醚，在室温下搅拌，得到In溶胶；按In：Sn质量比为25:2的比例加入SnCl4·5H2O，搅拌20min得到In-Sn溶胶，然后按In-Sn溶胶与聚乙二醇的质量比为80:20的比例加入聚乙二醇，静置40min得到ITO膜胶液；
第六步，将ITO膜胶液涂于玻璃基片的中心处；
第七步，将玻璃基片固定放置于真空旋涂设备的旋转台10上进行旋转，旋转台10位于真空旋涂设备的真空室1内，旋转台10转速为200rpm/min，旋转时间为80s，在玻璃基片的表面形成一层均匀的ITO凝胶；
第八步，根据ITO膜的厚度要求，重复第六步和第七步，形成多层ITO凝胶，以满足ITO膜的厚度要求；
第九步，将玻璃基片放置于真空旋涂设备的一级干燥室2中，在85°C温度下干燥10~15分钟；
第十步，再将玻璃基片放置于真空旋涂设备的二级干燥室3中，在150°C温度下热处理10~15分钟，使得多层ITO凝胶形成ITO膜；
第十一步，检查并记录产品的穿透率和阻抗特性，并判断产品是否为良品，良品即包装起来。
上述一种ITO膜导电玻璃生产方法，其特制的ITO膜凝胶使得产品穿透率和阻抗特性更理想，同时采用真空环境下进行旋涂，在没有风阻和压力差的影响下，能在玻璃基片的表面形成更为均匀的ITO凝胶，使得ITO膜的膜厚更均匀，有利于提高ITO膜导电玻璃的性能。
如图1所示，本发明所述一种真空旋涂设备，它包括真空室1，真空室1内设置有旋转台10，旋转台10上设置有玻璃夹具11；所述真空室1的右侧依次设置有一级干燥室2和二级干燥室3。进一步的，它还包括穿透率检验室4，透率检验室设置于二级干燥室3的右侧。进一步的，它还包括阻抗特性检验室5，阻抗特性检验室5设置于透率检验室的右侧。工作时，将玻璃基片固定放置于真空旋涂设备的旋转台10上进行旋转，旋转台10位于真空旋涂设备的真空室1内，旋转台10转速为200rpm/min，旋转时间为80s，在玻璃基片的表面形成一层均匀的ITO凝胶；然后将玻璃基片放置于真空旋涂设备的一级干燥室2中，在85°C温度下干燥10~15分钟；然后再将玻璃基片放置于真空旋涂设备的二级干燥室3中，在150°C温度下热处理10~15分钟，使得多层ITO凝胶形成ITO膜；最后检查并记录产品的穿透率和阻抗特性，并判断产品是否为良品。该真空旋涂设备可自动完成旋涂、干燥、穿透率检验和阻抗特性检验，大大提高了生产效率，同时采用真空环境下进行旋涂，在没有风阻和压力差的影响下，能在玻璃基片的表面形成更为均匀的ITO凝胶，使得ITO膜的膜厚更均匀，有利于提高ITO膜导电玻璃的性能，产品穿透率和阻抗特性更理想。
当然，本发明还可有其他多种制作方式，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出相应的改变和变形。以上所述仅是本发明的较佳实施方式，故凡依本发明专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，均包括于本发明专利保护范围内。

Claims (4)

1.一种ITO膜导电玻璃生产方法，其特征在于，它包括如下步骤：
第一步，将大片玻璃切割成玻璃基片；
第二步，对玻璃基片进行磨边和倒角，并清除所产生的微粒；
第三步，对玻璃基片的表面进行研磨抛光处理；
第四步，以高精密洗净法完全洗净玻璃基片；
第五步，配置ITO膜凝胶：将一定量的铟溶解在浓酸盐中得到InCl3溶液，取出一定量的InCl3溶液，与乙酰丙酮按1:2—1:3的摩尔比混合搅拌得到透明溶液；再按透明溶液与乙二醇甲醚的质量比为80:5的比例加入乙二醇甲醚，在室温下搅拌，得到In溶胶；按In：Sn质量比为25:2的比例加入SnCl4·5H2O，搅拌20min得到In-Sn溶胶，然后按In-Sn溶胶与聚乙二醇的质量比为80:20的比例加入聚乙二醇，静置40min得到ITO膜胶液；
第六步，将ITO膜胶液涂于玻璃基片的中心处；
第七步，将玻璃基片固定放置于真空旋涂设备的旋转台上进行旋转，旋转台位于真空旋涂设备的真空室内，旋转台转速为200rpm/min，旋转时间为80s，在玻璃基片的表面形成一层均匀的ITO凝胶；
第八步，根据ITO膜的厚度要求，重复第六步和第七步，形成多层ITO凝胶，以满足ITO膜的厚度要求；
第九步，将玻璃基片放置于真空旋涂设备的一级干燥室中，在85°C温度下干燥10~15分钟；
第十步，再将玻璃基片放置于真空旋涂设备的二级干燥室中，在150°C温度下热处理10~15分钟，使得多层ITO凝胶形成ITO膜；
第十一步，检查并记录产品的穿透率和阻抗特性，并判断产品是否为良品，良品即包装起来。
2.一种真空旋涂设备，其特征在于：它包括真空室，真空室内设置有旋转台，旋转台上设置有玻璃夹具；所述真空室的右侧依次设置有一级干燥室和二级干燥室。
3.根据权利要求2所述的一种真空旋涂设备，其特征在于：它还包括穿透率检验室，透率检验室设置于二级干燥室的右侧。
4.根据权利要求3所述的一种真空旋涂设备，其特征在于：它还包括阻抗特性检验室，阻抗特性检验室设置于透率检验室的右侧。
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