CN104216596B - 内嵌式触摸显示装置及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供了一种内嵌式触摸显示装置及其制作方法，该显示装置包括：阵列基板、彩膜基板和位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层；所述彩膜基板包括：第一基板；位于第一基板朝向阵列基板一侧的黑色矩阵层；位于黑色矩阵层朝向阵列基板一侧的色阻层；位于色阻层朝向阵列基板一侧的触控电极层，触控电极层包括：触控电极及与触控电极电连接的电极连接线，且触控电极的制作材料中包括两性金属。由此可见，本发明实施例至少达到以下的效果之一：本发明实施例所提供的显示装置，在制作彩膜基板的过程中，先制作色阻层，再制作触控电极层，从而避免了现有技术中先制作触控电极层，再制作色阻层过程中，破膜现象的发生。
Description
技术领域
本发明涉及触摸显示技术领域，尤其涉及一种内嵌式触摸显示装置及其制作方法。
背景技术
现今，内嵌式触摸显示装置由于其体积纤薄，厚度较小的薄型的优点而越来越流行，一般，内嵌式触摸显示装置包括彩膜基板，然而实际使用中，发现在制备彩膜基板时，容易引发破膜现象，从而影响内嵌式触摸显示装置的显示或触控等性能，也降低了良率。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种内嵌式触摸显示装置及其制作方法，以解决现有技术中内嵌式触摸显示装置在所述触控电极层朝向所述阵列基板一侧制作彩膜色阻层的过程中，容易引发破膜现象的问题。
为解决上述问题，本发明实施例提供了如下技术方案：
一种内嵌式触摸显示装置，包括：相对设置的阵列基板和彩膜基板；位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层；其中，所述彩膜基板包括：
第一基板；
位于所述第一基板朝向所述阵列基板一侧的黑色矩阵层；
位于所述黑色矩阵层朝向所述阵列基板一侧的色阻层；
位于所述色阻层朝向所述阵列基板一侧的触控电极层，所述触控电极层包括：触控电极以及与所述触控电极电连接的电极连接线；
其中，所述触控电极的制作材料中包括两性金属。
优选地，所述触控电极由多个位于所述黑色矩阵区域背离所述第一基板一侧的金属网格构成。
优选地，所述触控电极与所述阵列基板中的像素电极同步驱动。
优选地，所述触控电极包括：位于所述黑色矩阵区域背离所述第一基板一侧的第一电极；位于所述第一电极背离所述色阻层的绝缘层；位于所述绝缘层背离所述第一电极一侧的第二电极。
优选地，所述第一电极为感应电极，所述第二电极为驱动电极；或所述第一电极为驱动电极，所述第二电极为感应电极；其中，所述驱动电极与所述像素电极同步驱动。
优选地，所述两性金属包括铍、铝、镓、锌、锗、铟、锡、锑、铊、铅、铋、钋。
一种内嵌式触摸显示装置制作方法，包括：
提供第一基板；
在第一基板表面制作黑色矩阵层；
在所述黑色矩阵层朝向所述阵列基板一侧制作色阻层；
在所述色阻层朝向所述阵列基板一侧制作触控电极层，所述触控电极层包括：触控电极以及与所述触控电极电连接的电极连接线；
其中，所述触控电极的制作材料中包括两性金属。
优选地，在所述色阻层朝向所述阵列基板一侧制作触控电极层的步骤包括：
在所述黑色矩阵区域背离所述第一基板一侧制作多个金属网格，构成触控电极层。
优选地，在所述色阻层朝向所述阵列基板一侧制作触控电极层的步骤包括：
在所述黑色矩阵区域背离所述第一基板一侧制作第一电极；
在所述第一电极背离所述色阻层一侧制作绝缘层；
在所述绝缘层背离所述第一电极一侧制作第二电极。
优选地，所述第一电极为感应电极，所述第二电极为驱动电极；或所述第一电极为驱动电极，所述第二电极为感应电极。
与现有技术相比，上述技术方案具有以下的优点之一：
本发明所提供的技术方案中，所述彩膜基板包括：第一玻璃基板，位于所述第一玻璃基板朝向所述阵列基板一侧的黑色矩阵层，位于所述黑色矩阵层朝向所述阵列基板一侧的色阻层，以及位于所述色阻层朝向所述阵列基板一侧的触控电极层。由此可见，本发明实施例所提供的技术方案中，所述色阻层位于所述黑色矩阵层与所述触控电极层之间，即在所述彩膜基板的制作过程中，先制作所述色阻层，再制作所述触控电极层，从而避免了现有技术中先制作触控电极层，再制作色阻层过程中，触控电极层与色阻显影液发生反应，在触控电极层中形成倒角结构，进而导致色阻层涂布过程中引发破膜现象的发生，故而提高了内嵌式触摸显示装置的触控或显示等性能，也提高了内嵌式触摸显示装置的制备良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为现有技术中内嵌式触摸显示装置中，彩膜基板的结构示意图；
图2为现有技术里彩膜基板中色阻层的俯视图；
图3-图6为现有技术中的内嵌式触摸显示装置，在制作第一色阻和第二色阻时的结构示意图；
图7为自电容触摸屏显示装置中，触控电极层的俯视图；
图8为本发明一个实施例所提供的内嵌式触摸显示装置的结构示意图
图9为本发明一个实施例所提供的内嵌式触摸显示装置中，彩膜基板的结构示意图；
图10为本发明一个实施例所提供的内嵌式触摸显示装置中，色阻层的俯视图；
图11为本发明一个实施例所提供的内嵌式触摸显示装置中，阵列基板的结构示意图；
图12为本发明另一个实施例所提供的内嵌式触摸显示装置中，彩膜基板的结构示意图；
图13为本发明一个实施例所提供的内嵌式触摸显示装置制作方法的流程图。
具体实施方式
发明人研究发现，内嵌式触摸显示装置包括：相对设置的彩膜基板和阵列基板，以及位于所述彩膜基板和阵列基板之间的液晶层。如图1所示，所述彩膜基板包括：第一玻璃基板01；位于所述第一玻璃基板01朝向所述阵列基板一侧的黑色矩阵层02，所述黑色矩阵层02由多个间隔排列的黑色矩阵区域构成；位于所述黑色矩阵层02朝向所述阵列基板一侧的触控电极层03，所述触控电极层03由多个位于所述黑色矩阵区域朝向所述阵列基板一侧的金属网格构成；位于所述触控电极层03朝向所述阵列基板一侧的彩膜色阻层04，所述彩膜色阻层04覆盖所述第一玻璃基板01、黑色矩阵层02和触控电极层03；位于所述彩膜色阻层03朝向所述阵列基板一侧的平坦层05。所述阵列基板包括：第二玻璃基板，位于所述第二玻璃基板朝向所述彩膜基板一侧的像素电极层。
但是，上述内嵌式触摸显示装置在所述触控电极层朝向所述阵列基板一侧制作彩膜色阻层的过程中，容易引发破膜现象。
发明人进一步研究发现，这是由于现有技术的内嵌式触摸显示装置中，在制作彩膜基板中的触控电极层和色阻层时，通常是先在所述黑色矩阵层背离所述第一玻璃基板的一侧形成整片金属层，然后对形成的整片金属层进行刻蚀，形成多个金属网格；然后，再在所述金属网格背离所述黑色矩阵层的一侧利用涂布轮涂布彩膜层，并利用色阻显影液对所述彩膜层进行刻蚀，形成色阻层。其中，所述金属层的常用材料为铝，所述色阻显影液为碱性溶液，且所述色阻层包括并排设置的第一色阻R、第二色阻G和第三色阻B，如图2所示。
具体的，在所述金属网格背离所述黑色矩阵层的一侧形成色阻层又包括：如图3所示，利用涂布轮06在所述金属网格031背离所述黑色矩阵层02的一侧涂布第一色阻层0410，利用第一色阻显影液对所述第一色阻层0410进行显影，形成多个间隔排列的第一色阻0411，如图4所示；如图5所示，利用涂布轮06在第一色阻0411背离所述金属网格031的一侧涂布第二色阻层0420，所述第二色阻层0420覆盖所述第一色阻0411和所述金属网格031，利用第二色阻显影液对所述第二色阻层0420进行显影，在所述金属网格031背离所述黑色矩阵层02一侧形成多个间隔排列的第二色阻0421，如图6所示；在所述第二色阻背离所述金属网格的一侧涂布第三色阻层，所述第三色阻层覆盖所述第一色阻、第二色阻和金属网格，利用第三色阻显影液对所述第三色阻层进行显影，在所述金属网格背离所述黑色矩阵层的一侧形成多个间隔排列的第三色阻。
而由于金属铝为两性金属，色阻显影液为碱性溶液，所以，色阻显影液能与金属铝发生反应，从而在利用第一色阻显影液对所述第一色阻层0410进行显影时，所述第一色阻显影液会与所述金属网格031发生反应，在所述金属网格031的边缘形成倒角结构07，如图4所示，进而在所述涂布第二色阻层0420的过程中，受所述倒角结构07的影响，在倒角结构07处容易引发破膜，使得第二色阻层0420存在破裂，进而使得形成的第二色阻0421中可能存在破裂，影响显示效果。同理，在利用第二色阻显影液对所述第二色阻层进行显影时，所述第二色阻显影液也会与所述金属网格发生反应，在所述金属网格的边缘形成倒角结构，进而在所述涂布第三色阻层的过程中，受所述倒角结构的影响，容易引发破膜，使得第三色阻层存在破裂，进而使得形成的第三色阻中可能存在破裂，影响显示效果。
而且，如图6所示，触控电极中的金属网格031通常需要通过较长的金属电极线电连接至位于所述彩膜基板边缘的触控信号检测电路，而较长金属电极线的边缘更容易引发破膜现象。
有鉴于此，本发明实施例提供了一种内嵌式触摸显示装置，包括：相对设置的阵列基板和彩膜基板；位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层；其中，所述彩膜基板包括：
第一基板；
位于所述第一基板朝向所述阵列基板一侧的黑色矩阵层；
位于所述黑色矩阵层朝向所述阵列基板一侧的色阻层；
位于所述色阻层朝向所述阵列基板一侧的触控电极层，所述触控电极层包括：触控电极以及与所述触控电极电连接的电极连接线；
其中，所述触控电极的制作材料中包括两性金属。
相应的，本发明实施例还提供了一种内嵌式触摸显示装置制作方法，包括：
提供第一基板；
在第一基板表面制作黑色矩阵层；
在所述黑色矩阵层朝向所述阵列基板一侧制作色阻层；
在所述色阻层朝向所述阵列基板一侧制作触控电极层，所述触控电极层包括：触控电极以及与所述触控电极电连接的电极连接线；
其中，所述触控电极的制作材料中包括两性金属。
由此可见，本发明实施例所提供的内嵌式触摸显示装置及其制作方法中，所述色阻层位于所述黑色矩阵层与所述触控电极层之间，即在所述彩膜基板的制作过程中，先制作所述色阻层，再制作所述触控电极层，从而避免了现有技术中先制作触控电极层，再制作色阻层过程中，由于触控电极层的制作材料包括两性金属，而色组显影液为碱性溶液，而导致的触控电极层与色阻显影液发生反应，在触控电极层中形成倒角结构，进而导致色阻层涂布过程中引发破膜现象的发生，故而提高了内嵌式触摸显示装置的触控或显示等性能，也提高了内嵌式触摸显示装置的制备良率。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
如图8所示，本发明实施例提供了一种内嵌式触摸显示装置，包括：相对设置的阵列基板2和彩膜基板1，位于所述阵列基板2与所述彩膜基板1之间的液晶层3；如图9所示，所述彩膜基板1包括：第一基板101；位于所述第一基板101朝向所述阵列基板2一侧的黑色矩阵层102；位于所述黑色矩阵层102朝向所述阵列基板2一侧的色阻层103；位于所述色阻层103朝向所述阵列基板2一侧的触控电极层104，所述触控电极层104包括：触控电极以及与所述触控电极电连接的电极连接线。其中，所述色阻层包括间隔排列的第一色阻、第二色阻和第三色阻，所述触控电极的制作材料包括两性金属。在本发明的一个具体实施例中，所述第一色阻为R色阻，所述第二色阻为G色阻，所述第三色阻为B色阻，如图10所示，但本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述彩膜基板1还包括：位于所述触控电极层104背离所述彩膜色阻层103一侧的平坦层105，所述平坦层105覆盖所述色阻层103和所述触控电极层104。
在本发明的一个实施例中，如图11所示，所述阵列基板2包括：第二玻璃基板201；多个位于所述第二玻璃基板201朝向所述彩膜基板1一侧的像素单元202，所述像素单元202包括：像素电极和与所述像素电极电连接、控制所述像素单元开启或闭合的薄膜晶体管。
优选的，所述第一基板101和第二基板201为玻璃基板，但本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
需要说明的是，两性金属是既能和酸反应又能和碱反应的金属。在本发明的一个实施例中，所述两性金属包括铍、铝、镓、锌、锗、铟、锡、锑、铊、铅、铋、钋等，优选的，在本发明的一个具体实施例中，所述两性金属为铝，即所述触控电极为铝电极，但本发明对此并不做限定，只要所述触控电极的材料具有导电性，且可以和色阻显影液发生反应即可。还需要说明的是，所述触控电极层104中与所述触控电极电连接的电极连接线的制作材料可以为两性金属，也可以为非两性金属，本发明对此并不做限定，只要其为导电材料即可。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述内嵌式触摸显示装置为内嵌式自电容触摸显示装置，在该实施例中，所述触控电极优选由多个位于所述黑色矩阵区域背离所述第一基板101一侧的金属网格构成。
在本实施例中，由于所述像素电极与所述触控电极均为导电结构，而所述像素电极与所述触控电极之间相互绝缘，从而使得在所述内嵌式触摸显示装置工作的过程中，所述像素电极与所述触控电极之间会产生寄生电容，影响所述触控电极层104的自电容检测，降低所述内嵌式触摸显示装置的性能。故，在本发明实施例的基础上，在本发明的另一个实施例中，所述触控电极与所述阵列基板中的像素电极同步驱动，即在所述内嵌式触摸显示装置的工作过程中，同时给所述触控电极与所述像素电极提供驱动信号，从而减小所述触控电极与所述像素电极之间的电压差，降低所述触控电极与所述像素电极之间的寄生电容，提高所述内嵌式触摸显示装置的性能。
优选的，所述触控电极与所述像素电极同步驱动，且所述触控电极与所述像素电极的驱动信号大小相同，从而使得所述像素电极与所述触控电极之间的电压差为零，避免所述触控电极与所述像素电极之间寄生电容的存在，最大限度的提高所述内嵌式触摸显示装置的性能。
需要说明的是，由于自电容驱动方式对于其触控电极的电阻有一定的要求，电阻越小充电越快，触控损失信号越小，故在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个优选实施例中，所述触控电极的走线宽度越大越好，以提高所述内嵌式触摸显示装置的触控灵敏度。
在本发明的另一个实施例中，所述内嵌式触摸显示装置还可以为内嵌式互电容触摸显示装置，在该实施例中，如图12所示，所述触控电极优选包括：位于所述黑色矩阵区域102背离所述第一基板101一侧的第一电极1041；位于所述第一电极1041背离所述色阻层103的绝缘层1042；位于所述绝缘层1042背离所述第一电极1041一侧的第二电极1043。本发明对此也不做限定，具体视情况而定。
在本实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述第一电极为感应电极，所述第二电极为驱动电极，在本发明的另一个实施例中，所述第一电极为驱动电极，所述第二电极为感应电极，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
同理，所述触控电极为导电结构，所述像素电极为导电结构，且所述像素电极与所述触控电极之间相互绝缘，故只要所述触控电极与所述像素电极之间存在电压差，则所述触控电极与所述像素电极之间就会产生寄生电容，影响所述内嵌式触摸显示装置的性能。而在本发明实施例中，所述触控电极包括第一电极和第二电极两个电极，为了减小所述触控电极与像素电极之间的寄生电容，在本发明的一个优选实施例中，所述触控电极与所述像素电极同步驱动，即在所述内嵌式触摸显示装置的工作过程中，同时给所述触控电极与所述像素电极提供驱动信号，从而减小所述触控电极与所述像素电极之间的电压差，降低所述触控电极与所述像素电极之间的寄生电容，提高所述内嵌式触摸显示装置的性能，也提高了内嵌式触摸显示装置的制备良率。
需要说明的是，在本发明实施例中，当所述第一电极为驱动电极时，所述像素电极与所述第一电极同步驱动，当所述第二电极为驱动电极时，所述像素电极与第二电极同步驱动，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
还需要说明的是，在上述任一实施例的基础上，在本发明的又一个实施例中，所述触控电极层104中正对薄膜晶体管位置处的触控电极及电极连接线优选为越窄越好，以减轻由于所述触控电极层104中的金属反光而导致的薄膜晶体管漏电现象。
由上可知，本发明实施例所提供的内嵌式触摸显示装置中，所述色阻层位于所述黑色矩阵层与所述触控电极层之间，即在所述彩膜基板的制作过程中，先制作所述色阻层，再制作所述触控电极层，从而避免了现有技术中先制作触控电极层，再制作色阻层过程中，由于触控电极层的制作材料包括两性金属，而色组显影液为碱性溶液，而导致的触控电极层与色阻显影液发生反应，在触控电极层中形成倒角结构，进而导致色阻层涂布过程中引发破膜现象的发生，同时，也避免了较长的电极连接线的边缘引发色阻层涂布过程中破膜现象发生的问题，故而提高了内嵌式触摸显示装置的触控或显示等性能，也提高了内嵌式触摸显示装置的制备良率。
相应的，本发明实施例还提供了一种内嵌式触摸显示装置制作方法，如图13所示，该制作方法包括：S1：提供第一基板；S2：在第一基板表面制作黑色矩阵层；S3：在所述黑色矩阵层朝向所述阵列基板一侧制作色阻层；S4：在所述色阻层朝向所述阵列基板一侧制作触控电极层，所述触控电极层包括：触控电极以及与所述触控电极电连接的电极连接线；其中，所述触控电极的制作材料中包括两性金属。
在本发明的一个实施例中，该制作方法还包括：在所述触控电极层背离所述色阻层的一侧形成平坦层，所述平坦层覆盖所述色阻层和所述触控电极层。
在本发明的另一个实施例中，该制作方法还包括：提供第二基板，在所述第二基板表面制作像素电极层，所述像素电极层包括多个像素单元，各像素单元包括像素电极和与所述像素电极电连接、控制所述像素单元开启或闭合的薄膜晶体管。
需要说明的是，两性金属是既能和酸反应又能和碱反应的金属。在本发明的一个实施例中，所述两性金属包括铍、铝、镓、锌、锗、铟、锡、锑、铊、铅、铋、钋等，优选的，在本发明的一个具体实施例中，所述两性金属为铝，即所述触控电极为铝电极，但本发明对此并不做限定，只要所述触控电极的材料具有导电性，且可以和色阻显影液发生反应即可。还需要说明的是，所述触控电极层中与所述触控电极电连接的电极连接线的制作材料可以为两性金属，也可以为非两性金属，本发明对此并不做限定，只要其为导电材料即可。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述内嵌式触摸显示装置为内嵌式自电容触摸显示装置，在该实施例中，在所述色阻层朝向所述阵列基板一侧制作触控电极层的步骤包括：在所述黑色矩阵区域背离所述第一基板一侧制作多个金属网格，构成触控电极层。
由于所述像素电极与所述触控电极均为导电结构，而所述像素电极与所述触控电极之间相互绝缘，从而使得在所述内嵌式触摸显示装置工作的过程中，所述像素电极与所述触控电极之间会产生寄生电容，影响所述触控电极层的自电容检测，降低所述内嵌式触摸显示装置的性能。故，在本发明实施例的基础上，在本发明的另一个实施例中，所述触控电极与所述阵列基板中的像素电极同步驱动，即在所述内嵌式触摸显示装置的工作过程中，同时给所述触控电极与所述像素电极提供驱动信号，从而减小所述触控电极与所述像素电极之间的电压差，降低所述触控电极与所述像素电极之间的寄生电容，提高所述内嵌式触摸显示装置的性能。
优选的，所述触控电极与所述像素电极同步驱动，且所述触控电极与所述像素电极的驱动信号大小相同，从而使得所述像素电极与所述触控电极之间的电压差为零，避免所述触控电极与所述像素电极之间寄生电容的存在，最大限度的提高所述内嵌式触摸显示装置的性能。
在本发明的另一个实施例中，所述内嵌式触摸显示装置还可以为内嵌式互电容触摸显示装置，在该实施例中，在所述色阻层朝向所述阵列基板一侧制作触控电极层的步骤包括：在所述黑色矩阵区域背离所述第一基板一侧制作第一电极；在所述第一电极背离所述色阻层一侧制作绝缘层；在所述绝缘层背离所述第一电极一侧制作第二电极。
在本实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述第一电极为感应电极，所述第二电极为驱动电极，在本发明的另一个实施例中，所述第一电极为驱动电极，所述第二电极为感应电极，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
同理，所述触控电极为导电结构，且所述像素电极与所述触控电极之间相互绝缘，故只要所述触控电极与所述像素电极之间存在电压差，则所述触控电极与所述像素电极之间就会产生寄生电容，影响所述内嵌式触摸显示装置的性能。而在本发明实施例中，所述触控电极包括第一电极和第二电极两个电极，为了减小所述触控电极与像素电极之间的寄生电容，在本发明的一个优选实施例中，所述触控电极与所述像素电极同步驱动，即在所述内嵌式触摸显示装置的工作过程中，同时给所述触控电极与所述像素电极提供驱动信号，从而减小所述触控电极与所述像素电极之间的电压差，降低所述触控电极与所述像素电极之间的寄生电容，提高所述内嵌式触摸显示装置的性能。
需要说明的是，在本发明实施例中，当所述第一电极为驱动电极时，所述像素电极与所述第一电极同步驱动，当所述第二电极为驱动电极时，所述像素电极与第二电极同步驱动，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
由上可知，本发明实施例所提供的内嵌式触摸显示装置制作方法中，在所述彩膜基板的制作过程中，先制作所述色阻层，再制作所述触控电极层，从而避免了现有技术中先制作触控电极层，再制作色阻层过程中，由于触控电极层的制作材料包括两性金属，而色组显影液为碱性溶液，而导致的触控电极层与色阻显影液发生反应，在触控电极层中形成倒角结构，进而导致色阻层涂布过程中引发破膜现象的发生，同时，也避免了较长的电极连接线的边缘引发色阻层涂布过程中破膜现象发生的问题，故而提高了内嵌式触摸显示装置的触控或显示等性能，也提高了内嵌式触摸显示装置的制备良率。
本说明书中各个部分采用递进的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (7)
1.一种内嵌式触摸显示装置，其特征在于，包括：相对设置的阵列基板和彩膜基板；位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层；其中，所述彩膜基板包括：
第一基板；
位于所述第一基板朝向所述阵列基板一侧的黑色矩阵层；
位于所述黑色矩阵层朝向所述阵列基板一侧的色阻层；
位于所述色阻层朝向所述阵列基板一侧的触控电极层，所述触控电极层包括：触控电极以及与所述触控电极电连接的电极连接线；所述触控电极由多个位于所述黑色矩阵区域背离所述第一基板一侧的金属网格构成；
其中，所述触控电极的制作材料中包括两性金属；
所述彩膜基板还包括：位于所述触控电极层背离所述色阻层一侧的平坦层，所述平坦层覆盖所述色阻层和所述触控电极层；
所述触控电极与所述阵列基板中的像素电极同步驱动。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述触控电极包括：
位于所述黑色矩阵区域背离所述第一基板一侧的第一电极；
位于所述第一电极背离所述色阻层的绝缘层；
位于所述绝缘层背离所述第一电极一侧的第二电极。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述第一电极为感应电极，所述第二电极为驱动电极；或所述第一电极为驱动电极，所述第二电极为感应电极；其中，所述驱动电极与所述像素电极同步驱动。
4.根据权利要求1-3任一项所述的显示装置，其特征在于，所述两性金属包括铍、铝、镓、锌、锗、铟、锡、锑、铊、铅、铋、钋。
5.一种内嵌式触摸显示装置制作方法，其特征在于，包括：
提供第一基板；
在第一基板表面制作黑色矩阵层；
在所述黑色矩阵层朝向阵列基板一侧制作色阻层；
在所述色阻层朝向所述阵列基板一侧制作触控电极层，所述触控电极层包括：触控电极以及与所述触控电极电连接的电极连接线；
其中，所述触控电极的制作材料中包括两性金属；
在位于所述触控电极层背离所述色阻层一侧制作平坦层，所述平坦层覆盖所述色阻层和所述触控电极层；
所述触控电极与所述阵列基板中的像素电极同步驱动；
其中，在所述色阻层朝向所述阵列基板一侧制作触控电极层的步骤包括：
在所述黑色矩阵区域背离所述第一基板一侧制作多个金属网格，构成触控电极层。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述色阻层朝向所述阵列基板一侧制作触控电极层的步骤包括：
在所述黑色矩阵区域背离所述第一基板一侧制作第一电极；
在所述第一电极背离所述色阻层一侧制作绝缘层；
在所述绝缘层背离所述第一电极一侧制作第二电极。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第一电极为感应电极，所述第二电极为驱动电极；或所述第一电极为驱动电极，所述第二电极为感应电极。
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