CN1913194A - 白色电致发光器件及其制备方法 - Google Patents
白色电致发光器件及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1913194A CN1913194A CNA2006101534675A CN200610153467A CN1913194A CN 1913194 A CN1913194 A CN 1913194A CN A2006101534675 A CNA2006101534675 A CN A2006101534675A CN 200610153467 A CN200610153467 A CN 200610153467A CN 1913194 A CN1913194 A CN 1913194A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- white
- layer
- thickness
- emitting layer
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
- C09K2211/1007—Non-condensed systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
- C09K2211/1011—Condensed systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
- C09K2211/1037—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom with sulfur
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1088—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing oxygen as the only heteroatom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开一种白色电致发光(EL)器件及其制备方法,该白色电致发光器件包括基底、第一电极、具有预定迁移单元厚度的空穴迁移单元、具有预定蓝色层厚度的蓝色发光层、具有预定绿色层厚度的绿色发光层、红色发光层和第二电极,其中所述白色EL器件能够显示色坐标为约(0.27,0.27)~(0.39,0.39)的白光。
Description
技术领域
本发明涉及一种白色电致发光器件及其制备方法。更具体地,本发明涉及一种白色电致发光器件及其制备方法,其中该白色电致发光器件具有提供改善的色纯度和白色发光效率的新结构。
背景技术
通常,电致发光(EL)器件为显示器件,其中可以将电压施加在发光层上,以使电子和空穴结合。所述电子和空穴的结合可以激发发光层中的电子,从而引起发光层发出可见光形式的光子而形成图像。EL器件具有比其它显示器件更好的特征,例如优异的可见度、重量轻、厚度薄及较低的功耗。这种EL器件可以用于移动式电话、平板显示器件、汽车的内部照明、办公室的照明等。
EL器件可以包括基底,及发光二极管,该发光二极管具有两个电极即阳极和阴极,以及在电极之间的至少一层发光层。为了显示白光,白色EL器件可以构造成具有特定发光层的构型。具体地,在白色EL器件中,发光层可以构造成具有黄色和蓝色发光层的多层结构,红色、绿色和蓝色发光层的多层结构,或者含有杂质或发光颜料的多层结构。
然而,在白色EL器件中两个电极之间的发光层的多层结构会引起谐振效应(resonance effect),谐振效应会改变所显示的白光。具体地,谐振效应可能产生不纯的白光,即其色坐标偏离纯白色色坐标的白光。
因此,为了提供产生具有改善的白色色坐标和发光效率的纯白光的器件,仍然需要改善白色EL器件的结构。
发明内容
因此,本发明涉及一种白色EL器件及其制备方法,该白色EL器件实质上克服了现有技术的一个或多个缺点。
因此,本发明实施方案的特征在于提供一种白色EL器件,其提供纯白色色坐标和改善的白色发光效率。
本发明实施方案的另一个特征在于提供一种制备白色EL器件的方法,该白色EL器件具有改善的结构,该结构提供增强的白色色纯度和发光效率。
本发明的上述和其它特征和优点中的至少一个可以通过提供白色EL器件来实现,该白色EL器件包括基底、第一电极、具有预定迁移单元厚度的空穴迁移单元、具有预定蓝色层厚度的蓝色发光层、具有预定绿色层厚度的绿色发光层、红色发光层和第二电极,使得所述白色EL器件可以显示色坐标为约(0.27,0.27)~(0.39,0.39)的纯白光。
所述预定迁移单元厚度可以为约15~40nm,预定迁移单元厚度和预定蓝色层厚度的总和可以为约30~50nm,预定迁移单元厚度、蓝色层厚度和绿色层厚度的总和可以为约40~60nm。作为选择,所述预定迁移单元厚度为约120~160nm,预定迁移单元厚度和蓝色层厚度的总和可以为约160~200nm,预定迁移单元厚度、蓝色层厚度和绿色层厚度的总和可以为约200~240nm。
第一电极可以为阳极,第二电极可以为阴极。第一电极可以为反射电极。
空穴迁移单元可以包括空穴注入层、空穴迁移层或其组合。
红色发光层可以具有约15~40nm的厚度。作为选择,红色发光层可以具有约20~50nm的厚度。
根据本发明实施方案的白色EL器件可以包括空穴阻挡层、电子注入层、电子迁移层或其组合。本发明的白色EL器件可以为白色有机发光显示器件。
根据本发明的另一个方面,提供一种白色EL器件的制备方法,该方法包括:得到基底,在基底上添加第一电极,在第一电极上沉积空穴迁移单元,在空穴迁移单元上沉积蓝色发光层,在蓝色发光层上沉积绿色发光层,在绿色发光层上沉积红色发光层,及在红色发光层上添加第二电极,使得所述蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层分别沉积为具有预定蓝色光程(opticaldistance)、预定绿色光程和预定红色光程,使得所述白色EL器件显示色坐标为约(0.27,0.27)~(0.39,0.39)的白光。
预定蓝色光程可以以约15~40nm的厚度形成,预定绿色光程可以以约30~50nm的厚度形成,预定红色光程可以以约40~60nm的厚度形成。作为选择,预定蓝色光程可以以约120~160nm的厚度形成,预定绿色光程可以以约160~200nm的厚度形成,预定红色光程可以以约200~240nm的厚度形成。
所述白色EL器件的制备方法还可以包括,制备白色有机发光器件,在第一电极上沉积反射膜,及在空穴迁移单元中包括空穴迁移层和/或空穴注入层。
附图说明
通过参照附图详述其示例性实施方案,本发明的上述及其它特征和优点对本领域的普通技术人员来说将变得更加显而易见,附图中:
图1为根据本发明实施方案的白色EL器件的示意图。
图2为根据本发明第二个实施方案的白色EL器件的示意图。
图3为根据本发明第三个实施方案的白色EL器件的示意图。
图4为根据本发明第四个实施方案的白色EL器件的示意图。
具体实施方式
于2005年8月12日向韩国知识产权局提交的发明名称为“白色有机发光器件及其制备方法”的韩国专利申请10-2005-0074523,全部引入本文中作为参考。
在下文中将参照附图更充分地描述本发明,附图中图示了本发明的示例性实施方案。然而,本发明可以以不同的形式实施且不限于在本文中所列出的实施方案。相反,提供这些实施方案,使得本公开将会充分且完整,并将向本领域的技术人员充分传达本发明的范围。
在附图中,为了说明清楚,各层和区域的尺寸可以放大。还应当理解,当某一层或元件称为“在另一层或基底上”时,它可以直接在另一层或基底上,或者也可以存在插入层。而且,应当理解,当某一层称为“在另一层下”时,它可以直接在该层下,也可以存在一层或多层插入层。另外,还应当理解,当某一层称为“在两层之间”时,它可以为两层之间唯一层,或者也可以存在一层或多层插入层。全文中相同的附图标记指的是相同的元件。
根据本发明的白色EL器件的实施方案,可以包括基底、两个电极和其间的多层结构。具体地,该多层结构可以包括空穴迁移单元和至少一层发光层,且该发光层可以包括蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层。已经发现在本发明中,调整空穴迁移单元、蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层中每一个的特定厚度,可以提供引起谐振效应的多层构型,使得蓝色、绿色和红色光的同时发光会产生具有纯白色色坐标的白光。
就本发明而言,“纯白色色坐标”、“纯白色光”、“纯白光”或类似术语是指在Commission Internationale de l′Eclairage(CIE)的比色刻度尺上,X坐标为约0.27~0.39、Y坐标为约0.27~0.39的色坐标。因此,下文中任何坐标不在纯白色色坐标范围内的色彩可以称为非白色或不是纯白的白色。
就本发明而言,“光程”或类似术语可以认为是以纳米(nm)计量的、从白色EL器件的第一电极的上表面至特定发光层的下表面的距离。具体地,“蓝色光程”指的是第一电极的上表面与蓝色发光层的下表面之间的距离。“绿色光程”指的是第一电极的上表面与绿色发光层的下表面之间的距离,即蓝色光程与该蓝色发光层的厚度之和。类似地,“红色光程”指的是第一电极的上表面与红色发光层的下表面之间的距离,即绿色光程与绿色发光层的厚度之和。
现在将参照图1至图4更详细地描述根据本发明的白色EL器件的实施方案。因此,白色EL器件可以包括基底10、第一电极20、空穴迁移单元30、发光层40和第二电极70。
空穴迁移单元30可以包括空穴注入层30a和/或空穴迁移层30b。空穴注入层30a和空穴迁移层30b可以独立地设置,即它们中仅一层存在于空穴迁移单元30中,或者空穴注入层30a和空穴迁移层30b可以层叠在一起,形成一个空穴迁移单元30。空穴迁移单元30还可以包括中间层(未示出),以改善层间粘结性和相容性。
发光层40可以包括蓝色发光层40a、绿色发光层40b和红色发光层40c,该蓝色发光层40a、绿色发光层40b和红色发光层40c可以为有机或无机发光层。根据本发明实施方案,蓝色发光层40a、绿色发光层40b和红色发光层40c可以优选为有机发光层。
不限于理论,相信调整空穴迁移单元30、蓝色发光层40a、绿色发光层40b和红色发光层40c使其各自具有特定的厚度值,可以影响本发明的白色EL器件的两个电极之间的谐振,从而控制所显示的光的色坐标。换句话说,这种厚度调整可以产生具有特定纯白色色坐标的白光,其在CIE刻度尺上具有约(0.27,0.27)~(0.39,0.39)的坐标。因此,空穴迁移单元30可以具有约15~40nm的预定迁移单元厚度,或者作为选择,具有约120~160nm的厚度。空穴迁移单元30的厚度可以称为预定迁移单元厚度或蓝色光程d1,即第一电极的上表面与蓝色发光层的下表面之间的距离。
蓝色发光层40a、绿色发光层40b和红色发光层40c的厚度可以分别取决于蓝色光程d1、绿色光程d2和红色光程d3。具体地,蓝色光程d1,即第一电极20的上表面与蓝色发光层40a的下表面之间的距离可以为约15~40nm;绿色光程d2,即第一电极20的上表面与绿色发光层40b的下表面之间的距离可以为约30~50nm;红色光程d3,即第一电极20的上表面与红色发光层40c的下表面之间的距离可以为约40~60nm。作为选择,蓝色光程d1可以为约120~160nm,绿色光程d2可以为约160~200nm,红色光程d3可以为约200~240nm。
在这方面,应该注意的是空穴迁移单元30和蓝色发光层40a的总厚度可以称为绿色光程d2。因此,蓝色发光层40a可以具有预定蓝色层厚度,其可以计算为蓝色光程d1和绿色光程d2之差。如果蓝色光程d1的厚度为约15~40nm,则绿色光程d2可以为约30~50nm。作为选择,如果蓝色光程d1的厚度为约120~160nm,则绿色光程d2可以为约160~200nm。
类似地,绿色发光层40b可以具有预定绿色层厚度,其可以计算为绿色光程d2和红色光程d3之差。如果绿色光程d2的厚度为约30~50nm,则红色光程d3可以为约40~60nm。作为选择,如果绿色光程d2为约160~200nm,则红色光程d3可以为约200~240nm。
红色发光层40c的厚度可以根据空穴迁移单元30、蓝色发光层40a和绿色发光层40b的厚度而变化。优选地,如果空穴迁移单元30、蓝色发光层40a和绿色发光层40b的总厚度,即红色光程d3为约40~60nm时,则红色发光层的厚度可以为约15~40nm。作为选择,如果红色光程d3为约200~240nm,则红色发光层的厚度可以为约20~50nm。不限于理论,相信如果红色光程d3不在本文中特定的范围内,则蓝色和绿色光程d1和d2不足以形成有利的谐振效应来形成纯白色光。因此,纯白色光的形成就会需要调整蓝色光程d1、绿色光程d2和红色光程d3。
根据本发明实施方案的白色EL器件还可以包括空穴阻挡层80、电子迁移层50、电子注入层60或其组合。如果空穴阻挡层80、电子迁移层50或电子注入层60用于本发明实施方案中,则其可以设置在发光层40和第二电极70之间。如果采用超过一层,则这些层可以顺序地设置并层叠在发光层40和第二电极70之间。另外,为了改善层间的粘合性和相容性,还可以插入至少一层中间层(未示出)。
在根据本发明实施方案的白色EL器件中,第一电极20可以为阳极,第二电极70可以为阴极。第一电极20可以为反射电极。
如图1所示,根据本发明的白色EL器件的实施方案可以包括层叠在基底10的上表面的第一电极20,以及顺序地层叠在第一电极20的上表面的空穴注入层30a、蓝色发光层40a、绿色发光层40b和红色发光层40c。本实施方案中的白色EL器件可以包括添加在红色发光层40c的上表面的第二电极70。
如图2所示,根据本发明的白色EL器件的另一个实施方案可以包括层叠在基底10的上表面的第一电极20,以及顺序地层叠在第一电极20的上表面的空穴迁移层30b、蓝色发光层40a、绿色发光层40b和红色发光层40c。本实施方案中的白色EL器件可以包括添加在红色发光层40c的上表面的第二电极70。
如图3所示,在根据本发明的白色EL器件的又一个实施方案中,第一电极20可以层叠在基底10的上表面,而空穴注入层30a、空穴迁移层30b、蓝色发光层40a、绿色发光层40b和红色发光层40c可以顺序地层叠在第一电极20的上表面。本实施方案中的白色EL器件可以包括添加在红色发光层40c的上表面的第二电极70。
如图4所示,根据本发明的白色EL器件的另一个实施方案可以包括层叠在基底10的上表面的第一电极20,顺序地层叠在第一电极20的上表面的空穴注入层30a、空穴迁移层30b、蓝色发光层40a、绿色发光层40b、红色发光层40c、电子迁移层50和电子注入层60。该白色EL器件可以包括添加在电子注入层60的上表面的第二电极70。
根据本发明的另一个方面,下面参照图4描述制备白色EL器件的示例性方法。然而,应该注意的是,参照图4仅仅是为了方便和说明,其它潜在的方法和/或实施方案并不排除在本发明的范围之外。可以提供基底10,即任何常用于EL器件的基底。基底10可以优选具有约0.3~1.1mm的厚度,其可以由玻璃或透明塑料制成,使得其会具有所需的性能如透明性、表面光滑度、易于处理和耐水性。基底10可以清洗并用紫外线(UV)辐射或臭氧处理。清洗用的材料可以包括有机溶剂如异丙醇(IPA),丙酮等。
接着,第一电极20可以形成在基底10的上表面。用于形成第一电极20的材料可以包括促进空穴注入的导电金属或它们的氧化物。具体地,用于形成第一电极20的材料可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、镍(Ni)、铂(Pt)、金(Au)、铱(Ir)或它们的混合物等材料中的任何一种。第一电极20可以为阳极,且可以构图。如果ITO用于形成第一电极20,则第一电极20和基底10可以在真空下用等离子体处理。
反射膜(未示出)可以形成在第一电极20的上表面,以增强发光。如果采用反射膜,则第一电极20可以用作反射电极。反射膜可以构图,它可以由银(Ag)或铝(Al)形成。
空穴迁移单元30可以通过真空沉积或旋涂形成在第一电极20的上表面。空穴迁移单元30可以包括空穴注入层30a和/或空穴迁移层30b。不论是包括空穴注入层30a、空穴迁移层30b,或者包括两者,空穴迁移单元30的厚度可以表示蓝色光程d1,即第一电极20的上表面与蓝色发光层40a的下表面之间的距离。具体地,不管其包括多少层,空穴迁移单元30可以具有约15~40nm的厚度,或者作为选择具有约120~160nm的厚度。
不限于理论,相信在第一电极20和发光层40之间真空沉积或旋涂空穴注入层30a,因为降低了第一电极20和发光层40之间的接触电阻,所以可以改善白色EL器件的驱动电压和发光效率,同时第一电极20相对于发光层40的空穴迁移能力也会得到提高。
空穴注入层30a可以由任何现有技术中已知的适宜材料制成。具体地,可以优选铜酞菁(CuPc)或星爆(starburst)-型胺,如TCTA(下面式1所示)、m-MTDATA(下面式2所示)、IDE406(出光株式会社(Idemistu Co,Ltd.))等。
[式1]
[式2]
空穴迁移层30b可以通过真空沉积或旋涂形成在第一电极20的上表面或者形成在空穴注入层30a的上表面。空穴迁移层30b可以由任何现有技术中已知的适宜材料制成。具体地,可以优选N,N′-双(3-甲基苯基)-N,N′-二苯基-[1,1-二苯基]-4,4′-二胺(TPD;下面式3所示);N,N′-二(萘-1-基)-N,N′-二苯基联苯胺(α-NPD;下式面4所示);IDE320(出光株式会社)等。
[式3]
[式4]
本发明的白色EL器件的制备方法还包括通过任何现有技术中已知的方法如真空沉积或旋涂,在空穴迁移单元30的顶部形成发光层40。具体地,蓝色发光层40a、绿色发光层40b和红色发光层40c可以顺序地施加在空穴迁移单元30上。
任何现有技术中已知的材料可以用于形成蓝色发光层40a。可以优选采用任何有机蓝色发光材料。具体地,可以优选采用诸如4,4-双(2,2-二苯基-乙烯基)-联苯(DPVBi)、2,2′,7,7′-四(2,2-二苯基乙烯基)螺-9,9′-二芴(螺-DPVBi)、螺-6P、二苯乙烯基苯(DSB)、二苯乙烯基亚芳基(DSA)等低分子量材料,PFO-基高分子,PPV-基高分子,及类似材料中的任何一种。类似地,任何现有技术中已知的材料可以用于形成绿色发光层40b。可以优选采用任何有机绿色发光材料。具体地,可以优选采用Alq3、10-(2-苯并噻唑基)-2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-[1]苯并吡喃并[6,7,8-ij]喹嗪-11-酮(10-(2-Benzothiazolyl)-2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7,-tetramethyl 1-1H,5H,11H-[1]benzopyrano[6,7,8-ij]quinolizin-11-one)(C545T),Irppy3,PFO-基高分子,PPV-基高分子,及类似材料中的任何一种。此外,任何现有技术中已知的材料可以用于形成红色发光层40c。可以优选采用任何有机红色发光材料。具体地,优选采用红荧烯、DCJTB和三(1-苯基异喹啉)铱等材料中的任何一种。
当蓝色光程d1为约15~40nm、绿色光程d2为约30~50nm且红色光程d3为约40~60nm时,可以由根据本发明实施方案的白色EL器件显示具有纯白色色坐标的白光。作为选择,当蓝色光程d1为约120~160nm、绿色光程d2为约160~200nm且红色光程d3为约200~240nm时,可以由根据本发明实施方案的白色EL器件显示具有纯白色色坐标的白光。
蓝色发光层40a、绿色发光层40b和红色发光层40c可以形成为具有与蓝色光程d1、绿色光程d2和红色光程d3关联的预定厚度值。具体地,蓝色发光层40a的厚度可以等于从绿色光程d2中减去蓝色光程d1得到的值,所述d1即为第一电极20的上表面与蓝色发光层40a的下表面之间的距离,所述d2即为第一电极20的上表面与绿色发光层40b的下表面之间的距离。
绿色发光层40b的厚度可以等于从红色光程d3中减去绿色光程d2得到的值,所述d2即为第一电极20的上表面与绿色发光层40b的下表面之间的距离,所述d3即为第一电极20的上表面与红色发光层40c的下表面之间的距离。
当红色光程d3为约40~60nm时,红色发光层40c的厚度可以为约15~40nm。作为选择,当红色光程d3为约200~240nm时,红色发光层40c的厚度为可以约20~50nm。
本发明的白色EL器件的制备方法还可以包括,通过真空沉积或旋涂在发光层40的上表面形成空穴阻挡层80。可以采用任何现有技术中已知的材料形成空穴阻挡层80。具体地,可以采用任何具有电子迁移能力并具有比发光化合物更高电离电位的材料。例如,可以采用Balq(下面式5所示)、BCP(下面式6所示)、TPBI(下面式7所示)等中的任何一种。空穴阻挡层80的厚度可以为约30~70埃。空穴阻挡层80的厚度低于约30埃则不会具有足够的阻挡能力,而厚度高于70埃则会不合需要地增加驱动电压。
[式5]
[式6]
[式7]
本发明的白色EL器件的制备方法还可以包括,通过真空沉积或旋涂电子迁移材料而在发光层40或空穴阻挡层80上形成电子迁移层50。可以采用任何现有技术中已知的材料形成电子迁移层。具体地,优选三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)。电子迁移层50的厚度可以为约150~600埃。电子迁移层50的厚度低于约150埃会降低电子迁移能力,而厚度高于约600埃会不合需要地增加驱动电压。
本发明的白色EL器件的制备方法还可以包括,在电子迁移层50的顶部层叠电子注入层60。可以采用任何现有技术中已知的材料形成电子注入层60。具体地,可以采用LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO、Liq(下面式8所示)和类似材料中的任何一种。电子注入层60的厚度可以为约5~50埃。电子注入层60的厚度低于约5埃不会提供足够的电子注入功能,而厚度高于约50埃会不合需要地增加驱动电压。
[式8]
本发明的白色EL器件的制备方法还可以包括,通过真空沉积在电子注入层60的上表面的顶部沉积第二电极70。第二电极70可以为阴极,且其可以由任何现有技术中已知的适宜金属如锂(Li)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或任何其它类似材料形成。
实施例
实施例1:
根据本发明实施方案的白色EL器件制备如下。得到玻璃基底并且在其上电沉积厚度为10nm的ITO层,形成阳极。在阳极的顶部沉积厚度为100nm的Ag层,形成反射膜,从而形成反射电极。接着,在10-6托的真空压力下,在第一电极的上表面沉积厚度为15nm的NPD层,形成空穴迁移层。
在空穴迁移层的上表面沉积DPVBI层,形成厚度为15nm的蓝色发光层。接着,在蓝色发光层的顶部沉积Alq3,形成厚度为20nm的绿色发光层,并在绿色发光层的顶部沉积红荧烯,形成厚度为40nm的红色发光层。随后,在10-6托的真空压力下,在红色发光层的上部沉积电子迁移材料Alq3,形成厚度为30nm的电子迁移层。在电子迁移层的上表面真空沉积0.5nm的LiF层和厚度为20nm的Mg:Ag层,形成LiF/Mg:Ag阴极,即第二电极,从而完成了根据本实施方案的白色EL器件。
实施例2:
制备实施例1的白色EL器件,所不同的是,形成厚度为15nm的空穴迁移层,并且分别形成厚度为25nm、20nm和40nm的蓝色、绿色和红色发光层。
实施例3:
根据本发明另一个实施方案的白色EL器件制备如下。得到玻璃基底并在其上电沉积厚度为10nm的ITO层,形成阳极。在阳极的顶部沉积厚度为100nm的Ag层,形成反射膜,从而形成反射电极。接着,在第一电极的上表面沉积IDE406(商业上可以从出光株式会社得到)层,形成厚度为150nm的空穴注入层,并在其上沉积NPD层,形成厚度为10nm的空穴迁移层。沉积均在10-6托的真空压力条件下进行。
在空穴迁移层的顶部利用DPVBI层形成厚度为30nm的蓝色发光层,利用Alq3:C545T形成厚度为约20nm的绿色发光层,并利用Alq3:DCJTB形成厚度为40nm的红色发光层。随后,在10-6托的真空下,在红色发光层的上部沉积厚度为30nm的电子迁移材料Alq3,形成电子迁移层,并在电子迁移层的上部顺序地真空沉积0.5nm的LiF层(电子注入层)和20nm的Mg:Ag层(阴极),形成LiF/Mg:Ag电极。
实施例4:
制备实施例3的白色EL器件,所不同的是,分别形成厚度值为130nm和20nm的空穴注入层和空穴迁移层,并且分别形成厚度值为30nm、20nm和40nm的蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层。
对比例1:
制备实施例1的白色EL器件,所不同的是,形成厚度减小为10nm的空穴迁移层,即蓝色光程,并分别形成厚度值为15nm、10nm和40nm的蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层。
对比例2:
制备实施例1的白色EL器件,所不同的是,形成厚度增加为50nm的空穴迁移层,即蓝色光程,并分别形成厚度值为15nm、10nm和40nm的蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层。
对比例3:
制备实施例3的白色EL器件,所不同的是,分别形成厚度值为80nm和20nm的空穴注入层和空穴迁移层,即蓝色光程,并分别形成厚度值为30nm、20nm和40nm的蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层。
对比例4:
制备实施例3的白色EL器件,所不同的是,分别形成厚度值为180nm和20nm的空穴注入层和空穴迁移层,即蓝色光程,并分别形成厚度值为30nm、20nm和40nm的蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层。
独立地评价根据实施例1~4以及对比例1~4制得的白色EL器件的驱动电压、效率和色坐标。
效率根据作为电压的函数的电流密度来评价。每个实施例1~4以及对比例1~4的驱动电压由238高电流源测量单元(吉时利(Keithley)公司)测量,并通过在每个白色EL器件中将DC电流以10mA的增量从10mA增加至100mA,及求出9个测量数据点的平均值,评价电流密度。
通过PR650型分光光谱测色仪(Spectra Scan Calorimeter)测量每个实施例1~4以及对比例1~4的色坐标的色度值,同时通过BM-5A(拓普康(Topcon))测量色彩的亮度。将每个实施例1~4以及对比例1~4的色度值和亮度与如上定义的在约(0.27,0.27)~(0.39,0.39)之间的纯白色色坐标进行比较。
结果列于下面表1中。
表1
驱动电压(V) | 效率(cd/v) | 色坐标(CIEx,CIEy) | |
实施例1 | 7.1 | 3.6 | 0.28,0.36 |
实施例2 | 7.4 | 3.0 | 0.31,0.39 |
实施例3 | 9.2 | 3.7 | 0.31,0.37 |
实施例4 | 9.6 | 3.2 | 0.35,0.39 |
对比例1 | 7.4 | 2.6 | 0.19,0.30 |
对比例2 | 7.9 | 3.9 | 0.50,0.41 |
对比例3 | 9.2 | 2.5 | 0.23,0.26 |
对比例4 | 9.5 | 3.3 | 0.51,0.49 |
如表1所示,实施例1~4的白色EL器件的色坐标具有纯白色色坐标,而对比例1~4的白色EL器件的色坐标与纯白色色坐标不同,即它们的颜色不是纯白色。
在本文中已经公开了本发明的示例性实施方案,尽管采用了特定术语,但是使用它们并对其做出一般性的描述并不是为了进行限制。因此,本领域的普通技术人员应当理解,在不脱离如权利要求书所定义的本发明的精神和范围下,可以对本发明做出各种形式和细节上的变化。
Claims (16)
1.一种白色电致发光(EL)器件,包括:
基底;
第一电极;
具有预定迁移单元厚度的空穴迁移单元;
具有预定蓝色层厚度的蓝色发光层;
具有预定绿色层厚度的绿色发光层;
红色发光层;及
第二电极,
其中所述白色EL器件显示色坐标为约(0.27,0.27)~(0.39,0.39)的纯白色光。
2.根据权利要求1的白色EL器件,其中所述预定迁移单元厚度为约15~40nm,预定迁移单元厚度和蓝色层厚度的总和为约30~50nm,及预定迁移单元厚度、蓝色层厚度和绿色层厚度的总和为约40~60nm。
3.根据权利要求1的白色EL器件,其中所述预定迁移单元厚度为约120~160nm,预定迁移单元厚度和蓝色层厚度的总和为约160~200nm,及预定迁移单元厚度、蓝色层厚度和绿色层厚度的总和为约200~240nm。
4.根据权利要求1的白色EL器件,其中所述第一电极为阳极,及所述第二电极为阴极。
5.根据权利要求1的白色EL器件,其中所述第一电极为反射电极。
6.根据权利要求1的白色EL器件,其中所述空穴迁移单元包括空穴注入层、空穴迁移层或其组合。
7.根据权利要求1的白色EL器件,还包括空穴阻挡层、电子注入层和电子迁移层。
8.根据权利要求1的白色EL器件,其中所述红色发光层具有约15~40nm的厚度。
9.根据权利要求1的白色EL器件,其中所述红色发光层具有约20~50nm的厚度。
10.根据权利要求1的白色EL器件,其中该白色EL器件为白色有机发光显示器件。
11.一种制备白色电致发光(EL)器件的方法,包括:
得到基底;
在基底上加接第一电极;
在第一电极上沉积空穴迁移单元;
在空穴迁移单元上沉积蓝色发光层;
在蓝色发光层上沉积绿色发光层;
在绿色发光层上沉积红色发光层;及
在红色发光层上加接第二电极,
其中所述蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层分别沉积为具有预定蓝色光程、预定绿色光程和预定红色光程,使得该白色EL器件显示色坐标为约(0.27,0.27)~(0.39,0.39)的纯白色光。
12.根据权利要求11的制备白色EL器件的方法,其中所述预定蓝色光程以约15~40nm的厚度形成,所述预定绿色光程以约30~50nm的厚度形成,及所述预定红色光程以约40~60nm的厚度形成。
13.根据权利要求11的制备白色EL器件的方法,其中所述预定蓝色光程以约120~160nm的厚度形成,所述预定绿色光程以约160~200nm的厚度形成,及所述预定红色光程以约200~240nm的厚度形成。
14.根据权利要求11的制备白色EL器件的方法,还包括在所述第一电极上沉积反射膜。
15.根据权利要求11的制备白色EL器件的方法,其中所述空穴迁移单元包括空穴注入层、空穴迁移层或其组合。
16.根据权利要求11的制备白色EL器件的方法,其中该白色EL器件为白色有机发光器件。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR74523/05 | 2005-08-12 | ||
KR1020050074523A KR20070019495A (ko) | 2005-08-12 | 2005-08-12 | 백색 유기 발광 소자 및 그의 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1913194A true CN1913194A (zh) | 2007-02-14 |
Family
ID=37137480
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNA2006101534675A Pending CN1913194A (zh) | 2005-08-12 | 2006-08-14 | 白色电致发光器件及其制备方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070035243A1 (zh) |
EP (1) | EP1753270A1 (zh) |
JP (1) | JP4744393B2 (zh) |
KR (1) | KR20070019495A (zh) |
CN (1) | CN1913194A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104659241A (zh) * | 2015-01-20 | 2015-05-27 | 北京鼎材科技有限公司 | 一种顶发射白光有机电致发光器件 |
CN111785844A (zh) * | 2020-08-27 | 2020-10-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种发光器件、显示面板和显示装置 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7663309B2 (en) * | 2006-09-28 | 2010-02-16 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent element having plurality of light emitting layers with specific thicknesses |
JP5676867B2 (ja) | 2009-09-29 | 2015-02-25 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR101108162B1 (ko) * | 2010-01-11 | 2012-01-31 | 서울대학교산학협력단 | 고해상도 유기 박막 패턴 형성 방법 |
KR20120119100A (ko) | 2011-04-20 | 2012-10-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
US9083000B2 (en) | 2011-04-29 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and lighting device |
KR101970675B1 (ko) | 2011-08-04 | 2019-04-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 조명 장치 |
WO2015132693A1 (en) | 2014-03-07 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
JP2015187982A (ja) | 2014-03-13 | 2015-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置 |
JP6656817B2 (ja) | 2014-04-25 | 2020-03-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP2016072250A (ja) | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、電子機器、及び照明装置 |
JP2016085969A (ja) | 2014-10-24 | 2016-05-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置 |
US9627650B2 (en) | 2014-10-24 | 2017-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Multiple light-emitting element device each with varying wavelength |
US10797113B2 (en) | 2016-01-25 | 2020-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device with layered electrode structures |
US9911937B2 (en) | 2016-05-12 | 2018-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
KR102419770B1 (ko) | 2016-05-20 | 2022-07-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 전자 기기 |
TWI746394B (zh) | 2016-08-17 | 2021-11-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置、電子裝置以及攜帶資訊終端 |
WO2018100458A1 (en) | 2016-11-30 | 2018-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
KR20210011411A (ko) | 2018-05-18 | 2021-02-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
US11903232B2 (en) | 2019-03-07 | 2024-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device comprising charge-generation layer between light-emitting units |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2797883B2 (ja) * | 1993-03-18 | 1998-09-17 | 株式会社日立製作所 | 多色発光素子とその基板 |
US5598059A (en) * | 1994-04-28 | 1997-01-28 | Planar Systems, Inc. | AC TFEL device having a white light emitting multilayer phosphor |
JP4477150B2 (ja) * | 1996-01-17 | 2010-06-09 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機薄膜el素子 |
JPH103990A (ja) * | 1996-06-13 | 1998-01-06 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機el発光装置 |
JP3287344B2 (ja) * | 1998-10-09 | 2002-06-04 | 株式会社デンソー | 有機el素子 |
US6828045B1 (en) * | 2003-06-13 | 2004-12-07 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence element and production method thereof |
JP2002313582A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子及び表示装置 |
JP4036682B2 (ja) * | 2001-06-06 | 2008-01-23 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子および発光材料 |
US6838193B2 (en) * | 2001-11-14 | 2005-01-04 | Academia Sinica | Organic light-emitting diode |
JP3933591B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US6720092B2 (en) * | 2002-07-08 | 2004-04-13 | Eastman Kodak Company | White organic light-emitting devices using rubrene layer |
JP3717879B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2005-11-16 | 三洋電機株式会社 | 発光素子 |
JP2004200141A (ja) * | 2002-10-24 | 2004-07-15 | Toyota Industries Corp | 有機el素子 |
AU2003289392A1 (en) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic light emitting element |
US20040140757A1 (en) * | 2003-01-17 | 2004-07-22 | Eastman Kodak Company | Microcavity OLED devices |
US20040155576A1 (en) * | 2003-01-17 | 2004-08-12 | Eastman Kodak Company | Microcavity OLED device |
US6861800B2 (en) * | 2003-02-18 | 2005-03-01 | Eastman Kodak Company | Tuned microcavity color OLED display |
US20040140758A1 (en) * | 2003-01-17 | 2004-07-22 | Eastman Kodak Company | Organic light emitting device (OLED) display with improved light emission using a metallic anode |
US6917159B2 (en) * | 2003-08-14 | 2005-07-12 | Eastman Kodak Company | Microcavity OLED device |
JP2005100921A (ja) * | 2003-08-22 | 2005-04-14 | Sony Corp | 有機el素子および表示装置 |
KR100560782B1 (ko) * | 2003-08-25 | 2006-03-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
US7074503B2 (en) * | 2004-01-30 | 2006-07-11 | Eastman Kodak Company | Organic element for electroluminescent devices |
US20070188084A1 (en) * | 2004-03-05 | 2007-08-16 | Idemitsu Kosan Co., Ltd | Organic electroluminescence element and display |
US20060008670A1 (en) * | 2004-07-06 | 2006-01-12 | Chun Lin | Organic light emitting materials and devices |
-
2005
- 2005-08-12 KR KR1020050074523A patent/KR20070019495A/ko active Search and Examination
-
2006
- 2006-08-11 JP JP2006220467A patent/JP4744393B2/ja active Active
- 2006-08-14 EP EP06254252A patent/EP1753270A1/en not_active Withdrawn
- 2006-08-14 US US11/503,127 patent/US20070035243A1/en not_active Abandoned
- 2006-08-14 CN CNA2006101534675A patent/CN1913194A/zh active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104659241A (zh) * | 2015-01-20 | 2015-05-27 | 北京鼎材科技有限公司 | 一种顶发射白光有机电致发光器件 |
CN111785844A (zh) * | 2020-08-27 | 2020-10-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种发光器件、显示面板和显示装置 |
CN111785844B (zh) * | 2020-08-27 | 2023-12-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种发光器件、显示面板和显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007053090A (ja) | 2007-03-01 |
US20070035243A1 (en) | 2007-02-15 |
EP1753270A1 (en) | 2007-02-14 |
JP4744393B2 (ja) | 2011-08-10 |
KR20070019495A (ko) | 2007-02-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1913194A (zh) | 白色电致发光器件及其制备方法 | |
CN1271464C (zh) | 可发射白色光源的有机发光装置及其制作方法 | |
CN1269232C (zh) | 在空穴传递层或电子传递层或两者中含有色中性掺杂剂的有机发光器件 | |
TWI514925B (zh) | 有機發光裝置 | |
CN1913730A (zh) | 白色电致发光器件及其制备方法 | |
EP2456617B1 (en) | Oled device with stabilized yellow light-emitting layer | |
CN1934727A (zh) | 改进稳定性的有机发光器件 | |
CN1897325A (zh) | 白色有机发光二极管 | |
CN101044641A (zh) | 具有色补偿场致发光单元的白光oled | |
CN1874626A (zh) | 有机el器件 | |
CN1773746A (zh) | 有机场致发光装置 | |
CN1905238A (zh) | 白色有机发光二极管及其制备方法 | |
CN1523941A (zh) | 显示装置和采用该显示装置的单元 | |
CN1849719A (zh) | 稳定的有机发光二极管装置 | |
JP2006157022A (ja) | 有機elダイオード及び有機elダイオードの効率改善方法 | |
CN1728902A (zh) | 有机电致发光器件 | |
CN1302302A (zh) | 有机金属配合物分子及使用该配合物分子的有机电致发光器件 | |
CN101262043A (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
JP2007011063A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
CN1778147A (zh) | 有机电致发光元件以及显示装置 | |
CN103636289A (zh) | 有机电致发光元件 | |
CN1717959A (zh) | 多色发光器件 | |
CN100346494C (zh) | 有机电致发光器件 | |
JP2004014360A (ja) | 有機el発光素子 | |
CN100546067C (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20090109 Address after: Gyeonggi Do, South Korea Applicant after: Samsung Mobile Display Co., Ltd. Address before: Gyeonggi Do, South Korea Applicant before: Samsung SDI Co., Ltd. |
|
ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG SDI CO., LTD. Effective date: 20090109 |
|
C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Open date: 20070214 |