TWI514925B - 有機發光裝置 - Google Patents
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Description
本發明關於有機發光裝置，其包括陽極、陰極、配置在陽極和陰極之間的發光層，其中陰極包括多個金屬層。
隨著21世紀的到來，有著加速朝向資訊社會的趨勢，伴隨著需要在任何時間和地點來收發資訊。傳統的陰極射線管(cathode ray tube，CRT)顯示器正被平面顯示器所取代。目前使用之一種最常見的平面顯示器是液晶顯示器(liquid crystal display，LCD)。這是因為LCD重量輕並且功率消耗低。然而，由於LCD不是自我發光的裝置，而是接收光再發射光的裝置，故就對比率、觀賞角度、面積大小而言，LCD具有技術侷限。據此，全世界正在發展可以克服此種技術侷限之新的平面顯示器。一種新的平面顯示器是有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)。OLED可以在低功率驅動、具有寬廣的觀賞角度、反應速度快，並且自我發光、重量輕、薄。據此，OLED在日本、韓國、美國正不斷增加。
雖然目前用於行動顯示器之主動矩陣式有機發光裝置(active matrix organic light emitting diode，AMOLED)的陰極是由包括鎂(Mg)和銀(Ag)的組成物所形成，但是當AMOLED的尺寸為14英吋或更大時，便須要降低電阻。就此方面而言，當陰極是由Mg和
Ag所形成時，IR減弱現象便發生於14英吋或更大的AMOLED。
本發明提供有機發光裝置，其包括陽極、陰極、配置在陽極和陰極之間的發光層，其中陰極具有的結構包括第一金屬層和第二金屬層，或者該結構包括第一金屬層、第二金屬層以及選自以下所構成之群組當中的一者：氧化物層、氮化物層、氮氧化物層，以及其中陰極具有低電阻。
根據本發明的多個方面，提供的有機發光裝置包括：陽極、陰極、配置在陽極和陰極之間的發光裝置，其中陰極具有的結構包括第一金屬層和第二金屬層，或者該結構包括第一金屬層、第二金屬層以及選自以下所構成之群組當中的一者：氧化物層、氮化物層、氮氧化物層。
第二金屬層可以包括電阻範圍為每平方單位0.1到10歐姆的金屬，並且第一金屬層可以包括金屬和Ag的合金，該金屬具有的功函數範圍為大約3.5到大約4.5電子伏特。
第二金屬層可以包括電阻範圍為每平方單位0.5到3歐姆的金屬，並且第一金屬層可以包括金屬和Ag的合金，該金屬具有的功函數範圍為大約3.5到大約4.0電子伏特。
第二金屬層可以包括Ag、Al、Cu或Cr，並且第一金屬層可以包括Ag和金屬的合金，該金屬是選自以下所構成之群組：Yb、Sm、Sr、Cs、Ru、Ba、Pr、Nd、Pm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Ac、Th、Pa、U、Np、Pu、Am、Cm、Bk、Cf、Es、Fm、Md、No。
第二金屬層可以包括Ag或Al，並且第一金屬層可以包括Ag和金屬的合金，該金屬是Yb、La、Y、Sm、Ba或Sr。
第二金屬層可以包括Ag，並且第一金屬層可以包括Ag和Yb的合金。
第一金屬層中之該金屬對Ag的重量比可以是大約0.1：1到大約15：1。
第一金屬層中之該金屬對Ag的重量比可以是大約4：1到大約10：1。
第一金屬層可以具有的厚度範圍為大約30埃(Å)到大約300埃。
第一金屬層可以具有的厚度範圍為大約60埃到大約100埃。
第二金屬層可以具有的厚度範圍為大約50埃到大約500埃。
第二金屬層可以具有的厚度範圍為大約100埃到大約300埃。
氧化物層、氮化物層或氮氧化物層的折射率範圍可以為大約1.5到大約2.5。
氧化物層、氮化物層或氮氧化物層的折射率範圍可以為大約1.7到大約2.2。
氧化物層、氮化物層或氮氧化物層的厚度範圍可以為大約100埃到大約1500埃。
氧化物層、氮化物層或氮氧化物層的厚度範圍可以為大約300埃到大約700埃。
氧化物層可以包括選自以下所構成之群組當中的至少一者：MoOx、Al2O3、Sb2O3、BaO、CdO、CaO、Ce2O3、CoO、Cu2O、DyO、GdO、HfO2、La2O3、Li2O、MgO、NbO、NiO、Nd2O3、PdO、Sm2O3、ScO、SiO2、SrO、Ta2O3、TiO、WO3、VO2、YbO、Y2O3、ZnO、ZrO，其中x的範圍為2到4。
氮化層可以包括選自以下所構成之群組當中的至少一者：AlN、BN、NbN、SiN、TaN、TiN、VN、YbN、ZrN。
氮氧化物層可以包括SiON或AlON。
藉由參考所附圖式來詳細描述本發明的範例性具體態樣，本發明的上述和其他特色與優點已變得更明顯，在圖式中：圖1A是示意地解說根據本發明具體態樣的有機發光裝置之結構的圖形；圖1B是示意地解說根據本發明另一具體態樣的有機發光裝置之結構的圖形；圖2是顯示Mg/Ag和Yb/Ag層在相同170埃厚度下根據波長之透光率結果的圖形；圖3是顯示(Mg/Ag)/Ag和(Yb/Ag)/Ag層在相同厚度下根據波長之透光率結果的圖形；圖4是顯示根據第一金屬層和第二金屬層的厚度而相對於波長之透光率結果的圖形，其中第一金屬層的金屬比例是固定在5：1；圖5是顯示根據氧化物層、氮化物層或氮氧化物層的厚度而相對於波長之透光率結果的圖形；圖6是顯示範例5和比較性範例的有機發光裝置相對於電壓之電流密度的圖形；以及圖7是顯示本發明的有機發光裝置之一製程具體態樣的流程圖。
在此之後，將會參考顯示本發明之範例性具體態樣的所附圖式來更完整地描述本發明。
根據本發明具體態樣的有機發光裝置(OLED)包括陽極、陰極、配置在陽極和陰極之間的發光層，其中陰極具有的結構包括第一金
屬層和第二金屬層，或者該結構包括第一金屬層、第二金屬層以及選自以下所構成之群組當中的一者：氧化物層、氮化物層、氮氧化物層。
圖1A是示意地解說根據本發明具體態樣的有機發光裝置之結構的圖形。
用於目前可得的行動顯示器之有機發光裝置的陰極經常是由包括鎂(Mg)和銀(Ag)的組成物所形成，並且陰極的尺寸範圍為2英吋到3英吋。據此，陰極不會造成IR減弱而具有高的觀賞角度。然而，如果陰極應用於尺寸為14英吋或更大的大顯示器，則陰極由於其Mg/Ag組成而具有比較高的電阻。據此，便發生每平方單位大約40歐姆的IR減弱並且觀賞角度減少，因此透光率隨著波長增加而減少。因此，需要補償紅色的觀賞角度。為了補償紅色的觀賞角度，可以沉積Ag以形成第二層，如此以補充第一層的低電阻，其中陰極可以具有雙層結構，其包括由Mg和Ag所形成的第一層以及由Ag所形成的第二層。在此，根據單一層Mg/Ag電極中Mg對Ag的比例來進行特性分析，並且根據雙層(Mg/Ag)/Ag電極中二層的厚度來進行特性分析。然而，單一層Mg/Ag電極的厚度比較小，因此製程邊限餘裕和層均勻性仍然很低。
參見圖1A，根據本具體態樣的有機發光裝置包括陽極、陰極、配置在陽極和陰極之間的發光層。陰極具有的結構是由第一金屬層和第二金屬層所構成，其中第一金屬層是配置在發光層上，而第二金屬層是配置在第一金屬層上。
根據本發明的具體態樣，第二金屬層可以是由電阻範圍為每平方單位0.1到10歐姆的金屬所形成，並且第一金屬層可以是由金屬和Ag的合金所形成，該金屬具有的功函數範圍為大約3.5到大約
4.5電子伏特。
當配置在發光層上的第一金屬層是由金屬和Ag的合金所形成，該金屬具有的功函數範圍為大約3.5到大約4.5電子伏特，則由於發光未大受影響而不需要紅色補償。可見光區域的透光性良好，並且由於透光率的偏差很低，故透光率圖形基本上是直的。
配置在第一金屬層上的第二金屬層具有範圍為每平方單位0.1到10歐姆的低電阻，因此補充了也具有低電阻的第一金屬層。
根據此種陰極結構，由於第一金屬層執行發射而第二金屬層降低了電阻，故陰極具有低電阻。
當第一金屬層中的金屬功函數超過4.5電子伏特時，OLED的驅動電壓可能會增加而可能減少效率。
同時，當第二金屬的電阻超過每平方單位10歐姆時，OLED的驅動電壓可能會增加而可能減少效率。
根據本發明的具體態樣，第二金屬層的金屬可以具有範圍為每平方單位0.5到3歐姆的電阻，並且第一金屬層之金屬和Ag的合金可以具有的功函數範圍為大約3.5到大約4.0電子伏特。
根據本發明的具體態樣，第二金屬層的金屬可以是Ag、Al、Cu或Cr，並且第一金屬層可以是由金屬和Ag的合金所形成，其中金屬是選自以下所構成之群組：Yb、Sm、Sr、Cs、Ru、Ba、Pr、Nd、Pm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Ac、Th、Pa、U、Np、Pu、Am、Cm、Bk、Cf、Es、Fm、Md、No。
根據本發明的具體態樣，第二金屬層的金屬可以是Ag或Al，並且第一金屬層可以是由金屬和Ag的合金所形成，其中金屬是Yb、La、Y、Sm、Ba或Sr。
根據本發明的具體態樣，第二金屬層的金屬可以是Ag，並且第一
金屬層可以是由Ag和Yb的合金所形成。
根據本發明的具體態樣，第一金屬層中之該金屬對Ag的重量比可以是大約0.1：1到大約15：1，並且可以是大約4：1到大約10：1。
當第一金屬層中之該金屬對Ag的重量比是大於15：1時，透光率可以減少，OLED的驅動電壓可能會增加而可能減少效率。
根據本發明的具體態樣，第一金屬層的厚度範圍可以為大約30到大約300埃。
當第一金屬層的厚度是小於30埃時，OLED的驅動電壓可能會增加，並且當第一金屬層的厚度是大於300埃時，透光率可能會減少，因此可能會減少效率。
於本發明的具體態樣，第一金屬層的厚度範圍可以為大約60埃到大約100埃。
根據本發明的具體態樣，第二金屬層的厚度範圍可以為大約50埃到大約500埃。
當第二金屬層的厚度是小於50埃時，OLED的驅動電壓可能會增加，並且當第二金屬層的厚度是大於500埃時，由於透光率減少而可能會減少效率。
根據本發明的具體態樣，第二金屬層的厚度範圍可以為大約100埃到大約300埃。
圖1B是示意地解說根據本發明另一具體態樣的有機發光裝置之結構的圖形。
參見圖1B，根據本發明此具體態樣的有機發光裝置包括陽極、陰極、配置在陽極和陰極之間的發光層，其中陰極具有的結構是由第一金屬層、第二金屬層以及選自以下所構成之群組當中的一者
所構成：氧化物層、氮化物層、氮氧化物層。
氧化物層、氮化物層或氮氧化物層在第二金屬層上形成蓋層，其藉由確保透光率而增加有機發光裝置的光學特性。
根據本發明的具體態樣，氧化物層、氮化物層或氮氧化物層的折射率範圍可以為大約1.5到大約2.5。
當氧化物層、氮化物層或氮氧化物層的折射率小於1.5時，蓋層的厚度可能會增加，因此可能會減少透光率。
根據本發明的具體態樣，氧化物層、氮化物層或氮氧化物層的折射率範圍可以為大約1.7到大約2.2。
根據本發明的具體態樣，氧化物層、氮化物層或氮氧化物層的厚度範圍可以為大約100埃到大約1500埃。
當氧化物層、氮化物層或氮氧化物層的厚度是小於100埃時，透光率可能會減少，因此可能會減少效率。當氧化物層、氮化物層或氮氧化物層的厚度是大於1500埃時，可能會減少透光率，因此可能會減少效率。
根據本發明的具體態樣，氧化物層、氮化物層或氮氧化物層的厚度範圍可以為大約300埃到大約700埃。
根據本發明的具體態樣，氧化物層可以是由選自以下所構成之群組當中的至少一者所形成：MoOx(x=2~4)、Al2O3、Sb2O3、BaO、CdO、CaO、Ce2O3、CoO、Cu2O、DyO、GdO、HfO2、La2O3、Li2O、MgO、NbO、NiO、Nd2O3、PdO、Sm2O3、ScO、SiO2、SrO、Ta2O3、TiO、WO3、VO2、YbO、Y2O3、ZnO、ZrO。氧化物層可以是MoOx(x=2~4)、WO3、Al2O3、NbO、TiO或YbO。
根據本發明的具體態樣，氮化物層可以是由選自以下所構成之群組當中的至少一者所形成：AlN、BN、NbN、SiN、TaN、TiN、VN
、YbN、ZrN。
根據本發明的具體態樣，氮氧化物層可以是由SiON或AlON所形成。
現在將要敘述根據本發明之有機發光裝置的結構。
根據本發明的有機發光裝置可以具有各式各樣的結構。就此方面而言，選自以下所構成之群組的至少一層可以配置在第一電極和第二電極之間：電洞注射層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、發光層(EML)、電洞阻擋層(HBL)、電子傳輸層(ETL)、電子注射層(EIL)。
有機發光裝置可以具有的結構包括第一電極、電洞注射層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注射層、第二電極，或者該結構包括第一電極、電洞注射層、電洞傳輸層、發光層、電洞阻擋層、電子傳輸層、電子注射層、第二電極。
現在將要敘述製造具有上述結構之有機發光裝置的方法。
首先，用於陽極而具有高功函數的材料使用沉積法或濺鍍法而沉積在基板上，該材料使用做為陽極，亦即第一電極。在此，基板可以是通常用於有機發光裝置的基板。基板可以是玻璃基板或透明的塑膠基板，其具有優異的透明度、表面平坦度、易於搬運處理、防水。陽極的材料可以是銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化錫(SnO2)或氧化鋅(ZnO)，其係透明的並且具有優異的導電性。
然後，電洞注射層材料熱沉積或旋塗於陽極上。電洞注射層材料的範例包括酞花青化合物(例如酞花青銅(CuPc))、星爆流型胺衍生物(例如TCTA、m-MTDATA或m-MTDAPB)或可溶性導電聚合物(例如聚苯胺/月桂苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3,4-伸乙二氧噻吩)/
聚(4-苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟腦磺酸(Pani/CSA)或聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸)(Pani/PSS))，但不限於此。
然後，電洞傳輸層材料真空熱沉積或旋塗於電洞注射層上，如此以形成電洞傳輸層。電洞傳輸層材料的範例包括1,3,5-三咔唑苯、4,4'-雙咔唑聯苯、聚乙烯咔唑、m-雙咔唑苯、4,4'-雙咔唑-2,2'-二甲聯苯、4,4',4"-三(N-咔唑)三苯胺、1,3,5-三(2-咔唑苯)苯、1,3,5-參(2-咔唑-5-甲氧苯)苯、雙(4-咔唑苯)矽烷、N,N'-雙(3-甲苯)-N,N'-二苯-[1,1-聯苯]-4,4'二胺(TPD)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯聯苯胺(α-NPD)、N,N'-二苯-N,N'-雙(1-萘)-(1,1'-聯苯)-4,4'-二胺(NPB)、聚(9,9-二辛茀-共-N-(4-丁苯)二苯胺)(TFB)、聚(9,9-二辛茀-共-雙-(4-丁苯-雙-N,N-苯-1,4-苯二胺)(PFB)，但不限於此。
然後，發光層配置在電洞傳輸層上。發光層的材料並無特別限制
。發光層可以包括主體和摻雜物。主體可以是4,4'-雙咔唑聯苯(CBP)、TCB、TCTA、SDI-BH-18、SDI-BH-19、SDI-BH-22、SDI-BH-23、dmCBP、Liq、TPBI、Balq或BCP，而摻雜物可以是螢光摻雜物(例如Idemitsu所販售的IDE102或IDE105)或磷光摻雜物(例如熟知為綠色磷光摻雜物的Ir(ppy)3或熟知為藍色磷光摻雜物(4,6-F2ppy)2Irpic)。此種摻雜物可以與主體一起真空熱沉積在電洞傳輸層上。
雖然摻雜濃度並無特別限制，但是範圍可以為0.5到12重量%。薄的電子傳輸層可以經由真空沉積法或旋塗法而形成在發光層上。同時，當磷光摻雜物包含於發光層中時，可以藉由真空熱沉積電洞阻擋材料在發光層上而額外形成電洞阻擋層，以避免三個一組
的激子或電洞擴散至電子傳輸層。雖然電洞阻擋材料並無特別限制，但是必須具有電子傳輸能力以及比發光化合物還高的離子化位能。電洞阻擋材料的範例包括Balq和BCP。
薄的電子傳輸層可以使用真空沉積法或旋塗法而形成在發光層或電洞阻擋層上。
電子傳輸層可以是由Alq3所形成，其係熟知的材料。
電子注射層可以形成於電子傳輸層上。電子注射層可以是由LiF、NaCl、CsF、Li2O或BaO所形成，但不限於此。
然後，陰極形成在電子注射層上，其中陰極具有的結構包括第一金屬層和第二金屬層，或者該結構包括第一金屬層、第二金屬層以及選自以下所構成之群組當中的一者：氧化物層、氮化物層、氮氧化物層。
將參考以下範例來更詳細地描述根據本發明的有機發光裝置。然而，這些範例僅是為了示範的目的而不想限制本發明的範圍。
<範例>
範例1(比較第一金屬層的特性)
為了比較第一金屬層的透光率，鐿(Yb)和銀(Ag)分別以10：1、5：1、1：1的重量比而真空沉積在玻璃基板上以形成Yb/Ag金屬層。
Mg和Ag以10：1的重量比而真空沉積在另一玻璃基板上，以形成厚度170埃的Mg/Ag層來與Yb/Ag層比較。
Mg/Ag和Yb/Ag層的透光率在相同的厚度170埃來比較，並且比較的結果顯示於圖2。圖2是顯示Mg/Ag和Yb/Ag層在相同170埃厚度下根據波長之透光率結果的圖形。參見圖2，在波長530奈米，當Yb：Ag層的Yb量從1改變為10時，Mg/Ag層具有30%的透光率
，而重量比5：1的Yb/Ag層具有50%的透光率。在此，Mg/Ag層的電阻為每平方單位40歐姆，而重量比5：1之Yb/Ag層的電阻為每平方單位12歐姆。
考慮關於由Mg/Ag層來形成陰極之最傳統的科技，以及藉由添加緩衝層至Mg/Ag層來改良注射特性，則上面的比較顯示本發明的具體態樣在定性上乃不同於傳統科技。
範例2(比較陰極的透光率)
為了比較陰極的透光率，Yb和Ag以5：1的重量比而真空沉積在玻璃基板上，以形成厚度100埃的Yb/Ag層，然後Ag真空沉積在Yb/Ag層上達150埃的厚度，如此以形成具有(Yb/Ag)/Ag結構的陰極。
然後，Mg和Ag以5：1的重量比而真空沉積在另一玻璃基板上達100埃的厚度以形成Mg/Ag層，然後Ag真空沉積在Mg/Ag層上達150埃的厚度，如此以形成具有(Mg/Ag)/Ag結構的陰極。
(Mg/Ag)/Ag陰極和(Yb/Ag)/Ag陰極的透光率在相同厚度下來比較，並且比較的結果顯示於圖3。圖3是顯示(Mg/Ag)/Ag和(Yb/Ag)/Ag陰極在相同厚度下根據波長之透光率結果的圖形。參見圖3，在波長550奈米，(Mg/Ag)/Ag陰極具有22%的透光率，而(Yb/Ag)/Ag陰極具有34%的透光率。(Yb/Ag)/Ag陰極的透光率在整個可見光區域之變化比較低，亦即8%，但是(Mg/Ag)/Ag陰極的透光率在整個可見光區域之變化比較高，亦即25%。此種Yb：Ag/Ag陰極的透光率小變化顯示可以克服小觀賞角度的問題。
範例3(比較陰極的特性)
固定Yb/Ag層的重量比於5：1之後，根據Yb/Ag層和Ag層的厚度
來測量透光率和電阻。
Yb/Ag層的重量比固定在5：1，並且Yb/Ag和Ag真空沉積在玻璃基板上分別達110埃/180埃、110埃/200埃、90埃/180埃、90埃/200埃的厚度，如此以形成(Yb/Ag)/Ag陰極。
Mg和Ag以5：1的重量比而真空沉積在另一玻璃基板上達170埃的厚度，如此以形成Mg/Ag陰極。
測量(Yb/Ag)/Ag陰極和Mg/Ag陰極各者的透光率，並且測量的結果顯示於圖4。圖4是顯示(Yb/Ag)/Ag陰極和Mg/Ag陰極等層厚度相對於波長之透光率結果的圖形，其中Yb/Ag層的重量比固定在5：1。
參見圖4，隨著Ag層的厚度增加，透光率則減少；並且當Yb/Ag層和Ag層的厚度分別是90埃和180埃時，(Yb/Ag)/Ag陰極的透光率在整個波長區域乃高於Mg/Ag陰極的透光率。
測量(Yb/Ag)/Ag陰極的電阻，而測量的結果顯示於底下表1。
參見表1，當Yb/Ag層的厚度比較低並且Ag層的厚度比較高時，電阻特性有所改善。特定而言，當Yb/Ag層的厚度是90埃以及Ag層的厚度是200埃時，電阻為每平方單位1.6歐姆。
範例4(根據氧化物層厚度來比較透光率)
Yb和Ag以5：1的比例而真空沉積在玻璃基板上達65埃的厚度以形
成Yb/Ag層，然後Ag真空沉積在Yb/Ag層上分別達180埃和250埃的厚度，如此以製備Yb/Ag(5：1，65埃)/Ag(180埃)和Yb/Ag(5：1，65埃)/Ag(250埃)的結構。然後，MoOx真空沉積在Yb/Ag(5：1，65埃)/Ag(180埃)和Yb/Ag(5：1，65埃)/Ag(250埃)的結構上，如此以形成Yb/Ag(5：1，65埃)/Ag(180埃)、Yb/Ag(5：1，65埃)/Ag(180埃)/MoOx(350埃)、Yb/Ag(5：1，65埃)/Ag(250埃)/MoOx(650埃)的結構，其中x的範圍為2到4。
Mg和Ag以5：1的比例而真空沉積在另一玻璃基板上達180埃的厚度以形成Mg/Ag層，然後MoOx真空沉積在Mg/Ag層上，如此以形成Mg/Ag(5：1，180埃)和Mg/Ag(5：1，180埃)/MoOx(600埃)的結構，其中x是在2到4的比例。
測量Mg/Ag(5：1，180埃)、Mg/Ag(5：1，180埃)/MoOx(600埃)、Yb/Ag(5：1，65埃)/Ag(180埃)、Yb/Ag(5：1，65埃)/Ag(180埃)/MoOx(350埃)、Yb/Ag(5：1，65埃)/Ag(250埃)/MoOx(650埃)之每個結構的透光率，而測量的結果顯示於圖5。圖5是顯示上述每個結構厚度相對於波長之透光率結果的圖形。
參見圖5，當MoOx層的厚度是350埃時，透光率有顯著改變；但是當MoOx層的厚度是650埃時，整個波長區域中之透光率的範圍為30到40%。
範例5(第一金屬層(Yb/Ag)/第二金屬層Ag)
ITO/Ag/ITO/HIL/HTL/藍色EML/ETL/EIL/(Yb/Ag)(5：1，100埃)/Ag(200埃)/MoOx(500埃)，其中x的範圍為2到4。
陽極的製備是切割Corning之每平方公分15歐姆(1200埃)的ITO玻
璃基板成50毫米×50毫米×0.7毫米的尺寸，切割後的ITO玻璃基板分別於異丙醇和純水中使用超音波而各清潔5分鐘，然後使用UV臭氧來清潔所得物30分鐘。將m-MTDATA真空沉積在ITO玻璃基板上而形成厚度750埃的電洞注射層。然後，將α-NPD真空沉積在電洞注射層上達150埃的厚度而形成電洞傳輸層。形成電洞傳輸層之後，將3%的TBPe(做為摻雜物)和DSA(做為主體)真空沉積在電洞傳輸層上而形成厚度達300埃的發光層。然後，將Alq3真空沉積在發光層上而形成厚度200埃的電子傳輸層。LiF是真空沉積在電子傳輸層上達80埃的厚度，藉此形成電子注射層。
最後，將Yb/Ag(5：1，100埃)/Ag(200埃)/MoOx(500埃)真空沉積在電子注射層上而形成陰極，其中x的範圍為2到4，藉此完成有機發光裝置的製造。
範例6(第一金屬層(Y/Ag)/第二金屬層Al/蓋層WO3)
有機發光裝置以相同於範例5的方式來製備，例外的是使用Y/Ag層而非Yb/Ag層以做為第一金屬層，使用Al層而非Ag層以做為第二金屬層，以及使用WO3層做為蓋層。
範例7(第一金屬層(Y/Ag)/第二金屬層Cu/蓋層WO3)
有機發光裝置以相同於範例5的方式來製備，例外的是使用Y/Ag層而非Yb/Ag層以做為第一金屬層，使用Cu層而非Ag層以做為第二金屬層，以及使用WO3做為蓋層。
範例8(第一金屬層(Y/Ag)/第二金屬層Cr/蓋層WO3)
有機發光裝置以相同於範例5的方式來製備，例外的是使用Y/Ag層而非Yb/Ag層以做為第一金屬層，使用Cr層而非Ag層以做為第二金屬層，以及使用WO3做為蓋層。
比較性範例
有機發光裝置以相同於範例5的方式來製備，例外的是使用Mg/Ag(5：1，180埃)/Alq3(600埃)做為陰極。
比較有機發光裝置的特性
根據範例5和比較性範例之每個有機發光裝置的電壓來測量電流密度，而測量的結果顯示於圖6。圖6是顯示範例5和比較性範例之有機發光裝置相對於電壓之電流密度的圖形。
參見圖6，範例5和比較性範例的有機發光裝置具有幾乎相同的電流-電壓特性。在每平方公分50毫安培的附近(該處實現所需的亮度)，範例5的有機發光裝置顯示類似於比較性範例之有機發光裝置的效率特性，並且特定而言，有機發光裝置即使在高電流密度仍維持高效率。據此，相較於傳統的陰極，根據本發明具體態樣的低電阻陰極具有高的薄膜穩定性。
同時，根據範例5之陰極的電阻是每平方單位1.8歐姆。
同時，根據測量電流密度相對於電壓的結果，範例6到8的有機發光裝置具有與比較性範例之有機發光裝置幾乎相同的電流-電壓特性。
根據本發明具體態樣之有機發光裝置的陰極具有優異的透光率和低電阻，因此當用於廣域顯示器時具有優異的觀賞角度。
雖然本發明已經特別參考其範例性具體態樣來顯示和描述，但是熟於此技藝者將了解可以在當中的形式和細節上做出各式各樣的變化，而不偏離本發明如底下申請專利範圍所界定的精神和範圍。
Claims (12)
- 一種有機發光裝置，其包括：陽極；陰極；以及發光層，其配置在該陽極和該陰極之間，其中該陰極具有包括第一金屬層和第二金屬層的結構，或者具有包括第一金屬層、第二金屬層和蓋層的結構，該蓋層選自以下所構成之群組：氧化物層、氮化物層、氮氧化物層；其中該第二金屬層包括電阻範圍為每平方單位0.1到10歐姆的金屬；並且該第一金屬層包括Ag和金屬的合金，該第一金屬層之該金屬是選自由Yb及Y所構成之群組；其中該第二金屬層的該金屬是Ag，並且該第一金屬層是Ag和Yb的合金；其中該第一金屬層具有的厚度範圍為大約60埃到大約100埃。
- 如申請專利範圍第1項的有機發光裝置，其中該第一金屬層中之該金屬對Ag的重量比是大約0.1：1到大約15：1。
- 如申請專利範圍第1項的有機發光裝置，其中該第一金屬層中之該金屬對Ag的重量比是大約4：1到大約10：1。
- 如申請專利範圍第1項的有機發光裝置，其中該第二金屬層具有的厚度範圍為大約50埃到大約500埃。
- 如申請專利範圍第1項的有機發光裝置，其中該第二金屬層具有的厚度範圍為大約100埃到大約300埃。
- 如申請專利範圍第1項的有機發光裝置，其中氧化物層、氮化物層或氮氧化物層的折射率範圍為大約1.5到大約2.5。
- 如申請專利範圍第1項的有機發光裝置，其中氧化物層、氮化物層或氮氧化物層的折射率範圍為大約1.7到大約2.2。
- 如申請專利範圍第1項的有機發光裝置，其中氧化物層、氮化物層或氮氧化物層的厚度範圍為大約100埃到大約1500埃。
- 如申請專利範圍第1項的有機發光裝置，其中氧化物層、氮化物層或氮氧化物層的厚度範圍為大約300埃到大約700埃。
- 如申請專利範圍第1項的有機發光裝置，其中該蓋層包括選自以下所構成之群組當中的至少一者：MoOx、Al2O3、Sb2O3、BaO、CdO、CaO、Ce2O3、CoO、Cu2O、DyO、GdO、HfO2、La2O3、Li2O、MgO、NbO、NiO、Nd2O3、PdO、Sm2O3、ScO、SiO2、SrO、Ta2O3、TiO、WO3、VO2、YbO、Y2O3、ZnO、ZrO，其中x的範圍為2到4。
- 如申請專利範圍第1項的有機發光裝置，其中該蓋層包括選自以下所構成之群組當中的至少一者：AlN、BN、NbN、SiN、TaN、TiN、VN、YbN、ZrN。
- 如申請專利範圍第1項的有機發光裝置，其中該蓋層包括SiON或AlON。
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