CN101901876B - 有机发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种有机发光装置，所述有机发光装置包括阳极、阴极以及布置在所述阳极和所述阴极之间的发光层，其中所述阴极具有包括第一金属层和第二金属层的结构，或者具有包括第一金属层、第二金属层以及选自由氧化物层、氮化物层和氮氧化物层构成的组中的一种的结构，且其中所述阴极具有低电阻。

Description

有机发光装置
对相关申请的交叉引用
本申请要求2009年6月1日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请10-2009-0048242的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本发明涉及一种包括阳极、阴极以及布置在所述阳极和所述阴极之间的发光层的有机发光装置，其中所述阴极包括多层金属层。
背景技术
随着21世纪的到来，已加速趋向信息社会，并且随着在任何时间、任何地点接收和传输信息的需要，常规阴极射线管(CRT)显示器正在被平板显示器取代。目前使用的最普通类型的平板显示器之一为液晶显示器(LCD)。这是因为LCD轻质且功耗低。然而，由于LCD不是自发光装置，而是接收并发光装置，所以LCD在对比度、视角和面积尺寸方面存在技术限制。因此，世界范围内正在开发能够克服此类技术限制的新平板显示器。此类新平板显示器之一为有机发光二极管(OLED)。OLED可在低功率下驱动，具有宽视角和快速响应速度，为自发光、轻质且薄的装置。因此，在日本、韩国和美国，OLED正在增加。
目前用于移动显示器的有源矩阵有机发光装置(AMOLED)的阴极由包括镁(Mg)和银(Ag)的组合物形成，但在AMOLED的尺寸为14″或更大时，要求更低的电阻。在这点上，当阴极由Mg和Ag形成时，在14″或更大的AMOLED内发生IR下降现象。
发明内容
本发明提供一种有机发光装置，包括阳极、阴极以及布置在所述阳极和所述阴极之间的发光层，其中所述阴极具有包括第一金属层和第二金属层的结构，或者具有包括第一金属层、第二金属层以及选自由氧化物层、氮化物层和氮氧化物层构成的组中的一种的结构，且其中所述阴极具有低电阻。
根据本发明的一个方面，提供一种有机发光装置，包括：阳极；阴极；以及布置在所述阳极和所述阴极之间的发光层，其中所述阴极具有包括第一金属层和第二金属层的结构，或者具有包括第一金属层、第二金属层以及选自由氧化物层、氮化物层和氮氧化物层构成的组中的覆盖层的结构。
所述第二金属层可包括电阻在0.1～10ohm/sq范围内的金属，且所述第一金属层可包括功函在约3.5～约4.5eV范围内的金属和Ag的合金。
所述第二金属层可包括电阻在0.5～3ohm/sq范围内的金属，且所述第一金属层可包括功函在约3.5～约4.0eV范围内的金属和Ag的合金。
所述第二金属层可包括Ag、Al、Cu或Cr，且所述第一金属层可包括Ag和选自由Yb、Sm、Sr、Cs、Ru、Ba、Pr、Nd、Pm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Ac、Th、Pa、U、Np、Pu、Am、Cm、Bk、Cf、Es、Fm、Md和No构成的组中的金属的合金。
所述第二金属层可包括Ag或Al，且所述第一金属层可包括金属Ag和Yb、La、Y、Sm、Ba或Sr的合金。
所述第二金属层可包括Ag，且所述第一金属层可包括Ag和Yb的合金。
所述第一金属层中所述金属与Ag的重量比可为约0.1∶1～约15∶1。
所述第一金属层中所述金属与Ag的重量比可为约4∶1～约10∶1。
所述第一金属层的厚度可为约
所述第一金属层的厚度可为约
所述第二金属层的厚度可为约
所述第二金属层的厚度可为约
所述氧化物层、所述氮化物层或所述氮氧化物层的折射率可为约1.5～约2.5。
所述氧化物层、所述氮化物层或所述氮氧化物层的折射率可为约1.7～约2.2。
所述氧化物层、所述氮化物层或所述氮氧化物层的厚度可为约
所述氧化物层、所述氮化物层或所述氮氧化物层的厚度可为约
所述氧化物层可包括选自由MoOx、Al2O3、Sb2O3、BaO、CdO、CaO、Ce2O3、CoO、Cu2O、DyO、GdO、HfO2、La2O3、Li2O、MgO、NbO、NiO、Nd2O3、PdO、Sm2O3、ScO、SiO2、SrO、Ta2O3、TiO、WO3、VO2、YbO、Y2O3、ZnO和ZrO构成的组中的至少一种，其中x为2～4。
所述氮化物层可包括选自由AlN、BN、NbN、SiN、TaN、TiN、VN、YbN和ZrN构成的组中的至少一种。
所述氮氧化物层可包括SiON或AlON。
附图说明
参照附图，本发明的以上和其他特征、优点通过详细说明其示例性实施方式将变得显而易见，其中：
图1A为说明根据本发明实施方式的有机发光装置的结构示意图；
图1B为说明根据本发明另一实施方式的有机发光装置的结构示意图；
图2为表示Mg/Ag和Yb/Ag层在的相同厚度下的透射率结果随波长变化的曲线图；
图3为表示(Mg/Ag)/Ag和(Yb/Ag)/Ag层在相同厚度下的透射率结果随波长变化的曲线图；
图4为表示第一金属层的金属比例固定为5∶1时，根据第一金属层和第二金属层的厚度的透射率结果随波长变化的曲线图；
图5为根据氧化物层、氮化物层或氮氧化物层的厚度的透射率结果随波长变化的曲线图；
图6为表示实施例5和对比例的有机发光装置的电流密度随电压变化的曲线图；和
图7为表示本发明有机发光装置制造过程的一个实施方式的流程图。
具体实施方式
以下，将参照示出本发明示例性实施方式的附图更完整地说明本发明。
根据本发明实施方式的有机发光装置(OLED)包括阳极、阴极以及布置在阳极和阴极之间的发光层，其中阴极具有包括第一金属层和第二金属层的结构，或者具有包括第一金属层、第二金属层以及选自由氧化物层、氮化物层和氮氧化物层构成的组中的一种的结构。
图1A为说明根据本发明实施方式的有机发光装置的结构示意图。
用于目前使用的移动显示器的有机发光装置的阴极通常由包括镁(Mg)和银(Ag)的组合物形成，且阴极的尺寸为2″～3″。因此，阴极不会引起IR下降且具有宽视角。然而，如果阴极用于尺寸为14″或更大的大尺寸显示器时，阴极由于它们的Mg/Ag组合物而具有较高的电阻。因此，会发生约40ohm/sq的IR下降且视角减小，由此透射率随波长增大而降低。因此，需要补偿红色视角。为了补偿红色视角，可沉积Ag形成第二层以补充第一层内的低电阻，其中阴极可具有包括由Mg和Ag形成的第一层以及由Ag形成的第二层的双层结构。在此，根据单层Mg/Ag电极中Mg与Ag的比例进行性能分析，并根据双层(Mg/Ag)/Ag电极中的双层厚度进行性能分析。然而，单层Mg/Ag电极的厚度相对小，因而加工余量和层均匀性仍很低。
参照图1A，根据本实施方式的有机发光装置包括阳极、阴极以及布置在阳极和阴极之间的发光层。阴极具有由第一金属层和第二金属层组成的结构，其中第一金属层布置在发光层上，且第二金属层布置在第一金属层上。
根据本发明的实施方式，第二金属层可由电阻在0.1～10ohm/sq范围内的金属形成，且第一金属层可由功函在约3.5～约4.5eV的金属和Ag的合金形成。
当布置在发光层上的第一金属层由功函在约3.5～约4.5eV的金属和Ag的合金形成时，因发光未受较大影响而无需红色补偿。在可见光区域内透射性良好，且由于透射率偏差低，故透射率曲线图中的曲线基本上为直线。
布置在第一金属层上的第二金属层具有在0.1～10ohm/sq范围内的低电阻，从而补充也具有低电阻的第一金属层。
根据这样的阴极结构，由于第一金属层进行发光，而第二金属层降低电阻，故该阴极具有低电阻。
当第一金属层中金属的功函超过4.5eV时，OLED的驱动电压会增加，且效率会降低。
同时，当第二金属的电阻超出10ohm/sq时，OLED的驱动电压会增加，且效率会降低。
根据本发明的实施方式，第二金属层的金属可具有在0.5～3ohm/sq范围内的电阻，且第一金属层中的金属可具有在约3.5～约4.0eV范围内的功函。
根据本发明的实施方式，第二金属层的金属可为Ag、Al、Cu或Cr；且第一金属层可由金属和Ag的合金形成，该金属选自由Yb、Sm、Sr、Cs、Ru、Ba、Pr、Nd、Pm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Ac、Th、Pa、U、Np、Pu、Am、Cm、Bk、Cf、Es、Fm、Md和No构成的组中。
根据本发明的实施方式，第二金属层的金属可为Ag或Al；且第一金属层可由金属和Ag的合金形成，其中，该金属为Yb、La、Y、Sm、Ba或Sr。
根据本发明的实施方式，第二金属层的金属可为Ag；且第一金属层可由Ag和Yb的合金形成。
根据本发明的实施方式，第一金属层中金属与Ag的重量比可为约0.1∶1～约15∶1，且可为约4∶1～约10∶1。
当第一金属层中金属与Ag的重量比大于15∶1时，透射率会降低，OLED的驱动电压会增加，且效率会降低。
根据本发明的实施方式，第一金属层的厚度可为约
当第一金属层的厚度小于时，OLED的驱动电压会增加，当第一金属层的厚度大于时，透射率会降低，从而效率会降低。
在本发明的实施方式中，第一金属层的厚度可为约
根据本发明的实施方式，第二金属层的厚度可为约
当第二金属层的厚度小于时，OLED的驱动电压会增加，当第二金属层的厚度大于时，效率会因透射率降低而降低。
根据本发明的实施方式，第二金属层的厚度可为约
图1B为说明根据本发明另一实施方式的有机发光装置的结构示意图。
参照图1B，根据本发明此实施方式的有机发光装置包括阳极、阴极以及布置在阳极和阴极之间的发光层。阴极具有由第一金属层、第二金属层以及选自由氧化物层、氮化物层和氮氧化物层构成的组中的一种所构成的结构。
所述的氧化物层、氮化物层或氮氧化物层在第二金属层上形成覆盖层，并通过确保透射率来提高有机发光装置的光学特性。
根据本发明的实施方式，所述的氧化物层、氮化物层或氮氧化物层的折射率可为约1.5～约2.5。
当所述的氧化物层、氮化物层或氮氧化物层的折射率小于1.5时，覆盖层的厚度会增加，从而透射率会降低。
根据本发明的实施方式，所述的氧化物层、氮化物层或氮氧化物层的折射率可为约1.7～约2.2。
根据本发明的实施方式，所述的氧化物层、氮化物层或氮氧化物层的厚度范围可为约
当所述的氧化物层、氮化物层或氮氧化物层的厚度小于时，透射率会降低，从而效率会降低。而当所述的氧化物层、氮化物层或氮氧化物层的厚度大于时，透射率会降低，从而效率会降低。
根据本发明的实施方式，所述的氧化物层、氮化物层或氮氧化物层的厚度可为约
根据本发明的实施方式，氧化物层可由选自由MoOx(x＝2～4)、Al2O3、Sb2O3、BaO、CdO、CaO、Ce2O3、CoO、Cu2O、DyO、GdO、HfO2、La2O3、Li2O、MgO、NbO、NiO、Nd2O3、PdO、Sm2O3、ScO、SiO2、SrO、Ta2O3、TiO、WO3、VO2、YbO、Y2O3、ZnO和ZrO构成的组中的至少一种形成。氧化物层可为MoOx(x＝2～4)、WO3、Al2O3、NbO、TiO或YbO。
根据本发明的实施方式，氮化物层可由选自由AlN、BN、NbN、SiN、TaN、TiN、VN、YbN和ZrN构成的组中的至少一种形成。
根据本发明的实施方式，氮氧化物层可由SiON或AlON形成。
现将说明根据本发明的有机发光装置的结构。
根据本发明的有机发光装置可具有多种结构。在这点上，选自由空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层构成的组中的至少一层可布置在第一电极和第二电极之间。
有机发光装置可具有包括第一电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和第二电极的结构，或者可具有包括第一电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和第二电极的结构。
现将说明制造具有上述结构的有机发光装置的方法。
首先，用沉积法或溅射法将具有高功函的用于阳极的材料沉积在基板上，且该材料用作阳极，即第一电极。这里，基板可为有机发光装置常用的基板。所述基板可为具有优异的透明度、表面光滑度、易处理性和防水性的玻璃基板或透明塑料基板。用于阳极的材料可为透明且导电性优异的氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)或氧化锌(ZnO)。
然后，将空穴注入层材料热沉积或旋涂在阳极上。空穴注入层材料的实例包括酞菁化合物，例如铜酞菁(CuPc)；星爆型胺衍生物，例如TCTA、m-MTDATA或m-MTDAPB；或可溶性导电聚合物，例如聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)或(聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PANI/PSS))，但不限于此。
然后，将空穴传输层材料真空热沉积或旋涂在空穴注入层上以形成空穴传输层。空穴传输层材料的实例包括1，3，5-三咔唑基苯、4，4′-双咔唑基联苯、聚乙烯基咔唑、间-双咔唑基苯、4，4′-双咔唑基-2，2′-二甲基联苯、4，4′，4″-三(N-咔唑基)三苯胺、1，3，5-三(2-咔唑基苯基)苯、1，3，5-三(2-咔唑基-5-甲氧基苯基)苯、双(4-咔唑基苯基)硅烷、N，N′-双(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-(1，1′-联苯基)-4，4′二胺(TPD)、N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基联苯胺(α-NPD)、N，N′-二苯基-N，N′-双(1-萘基)-(1，1′-联苯基)-4，4′-二胺(NPB)、聚(9，9-二辛基芴-共-N-(4-丁苯基)二苯胺)(TFB)和聚(9，9-二辛基芴-共-双-(4-丁苯基-双-N，N-苯基-1，4-苯二胺)(PFB)，但不限于此。
然后，将发光层布置在空穴传输层上。发光层材料无特别限制。发光层材料可包括主体和掺杂剂。主体可为4，4′-双咔唑基联苯(CBP)、TCB、TCTA、SDI-BH-18、SDI-BH-19、SDI-BH-22、SDI-BH-23、dmCBP、Liq、TPBI、Balq或BCP，且掺杂剂可为荧光掺杂剂，诸如由Idemitsu公司购得的IDE102或IDE105，或者可为磷光掺杂剂，诸如作为周知的绿色磷光掺杂剂的Ir(PPy)3或作为蓝色磷光掺杂剂的(4，6-F2ppy)2Irpic。这样的掺杂剂可与主体一起真空热沉积在空穴注入层上。
掺杂浓度无特别限制，但其范围可为0.5～12wt％。通过真空沉积法或旋涂法可在发光层上形成薄电子传输层。
同时，当发光层中包含磷光掺杂剂时，可在发光层上通过真空热沉积空穴阻挡材料另外形成空穴阻挡层以防止三线态激子或空穴扩散到电子传输层。空穴阻挡材料无特别限制，但必须具有电子传输能力以及相比发光化合物具有更高的电离势。空穴阻挡材料的实例包括Balq和BCP。
用真空沉积法或旋涂法可在发光层或空穴阻挡层上形成薄电子传输层。
电子传输层可由周知的材料Alq3形成。
可在电子传输层上形成电子注入层。电子注入层可由LiF、NaCl、CsF、Li2O或BaO形成，但不限于此。
然后，在电子注入层上形成阴极，其中该阴极具有包括第一金属层和第二金属层的结构，或者具有包括第一金属层、第二金属层以及选自由氧化物层、氮化物层和氮氧化物层构成的组中的一种的结构。
参照实施例将更详细地说明根据本发明的有机发光装置。但这些实施例仅用于示例性目的，而不是要限制本发明的范围。
实施例
实施例1(第一金属层的特性比较)
为了比较第一金属层的透射率，分别将镱(Yb)和银(Ag)以10∶1、5∶1和1∶1的重量比真空沉积在玻璃基板上形成Yb/Ag金属层。
将Mg和Ag以10∶1的重量比真空沉积在另一玻璃基板上形成厚度为的Mg/Ag层，用于与Yb/Ag层进行比较。
在的相同厚度下比较Mg/Ag和Yb/Ag层的透射率，且比较结果示于图2中。图2为表示Mg/Ag和Yb/Ag层在的相同厚度下的透射率结果随波长变化的曲线图。参照图2，在530nm波长下，当Yb∶Ag层中Yb的量从1变到10时，Mg/Ag层具有30％的透射率，重量比为5∶1的Yb/Ag层具有50％的透射率。在此，Mg/Ag层的电阻为40ohm/sq，重量比为5∶1的Yb/Ag层的电阻为12ohm/sq。
考虑到与由Mg/Ag层形成的阴极相关的最常用的技术，并通过增加缓冲层来改善Mg/Ag层的注入特性，以上比较显示出本发明的实施方式与常规技术有显著差异。
实施例2(比较阴极的透射率)
为了比较阴极的透射率，将Yb和Ag以5∶1的重量比真空沉积在玻璃基板上形成厚度为的Yb/Ag层，然后在Yb/Ag层上真空沉积Ag至的厚度，以形成具有(Yb/Ag)/Ag结构的阴极。
然后，将Mg和Ag以5∶1的重量比在另一玻璃基板上真空沉积至的厚度以形成Mg/Ag层，然后在Mg/Ag层上真空沉积Ag至的厚度，以形成具有(Mg/Ag)/Ag结构的阴极。
在相同厚度下比较(Mg/Ag)/Ag阴极和(Yb/Ag)/Ag阴极的透射率，且比较结果示于图3中。图3为表示在相同厚度下(Mg/Ag)/Ag和(Yb/Ag)/Ag阴极的透射率结果随波长变化的曲线图。参照图3，在550nm波长下，(Mg/Ag)/Ag阴极具有22％的透射率，(Yb/Ag)/Ag阴极具有34％的透射率。(Yb/Ag)/Ag阴极在整个可见光区域内的透射率变化相对较低，为8％，但(Mg/Ag)/Ag阴极在整个可见光区域内的透射率变化相对较高，为25％。Yb∶Ag/Ag阴极在透射率上的小变化表明，窄视角问题能够被克服。
实施例3(比较阴极的特性)
在将Yb/Ag层的重量比固定为5∶1时，测定随Yb/Ag层和Ag层的厚度变化而变化的透射率和电阻。
将Yb/Ag层的重量比固定为5∶1，并将Yb/Ag和Ag在玻璃基板上分别真空沉积至和的厚度以形成(Yb/Ag)/Ag阴极。
将Mg和Ag以5∶1的重量比在另一玻璃基板上真空沉积至的厚度以形成Mg/Ag阴极。
测定各(Yb/Ag)/Ag阴极和Mg/Ag阴极的透射率，且测定结果示于图4中。图4为表示将Yb/Ag层的重量比固定为5∶1时，根据(Yb/Ag)/Ag阴极层和Mg/Ag阴极层的厚度的透射率结果随波长变化的曲线图。
参照图4，随着Ag层的厚度增加，透射率降低，且当Yb/Ag层和Ag层的厚度分别为和时，(Yb/Ag)/Ag阴极的透射率在整个波长区域内均高于Mg/Ag阴极的透射率。
测定(Yb/Ag)/Ag阴极的电阻，且测定结果示于以下表1中。
表1
参照表1，在Yb/Ag层的厚度相对较低且Ag层的厚度相对较高时，电阻特性得到改善。特别是在Yb/Ag层的厚度为且Ag层的厚度为时，电阻为1.6ohm/sq。
实施例4(比较随氧化物层厚度变化的透射率)
将Yb和Ag以5∶1的比在玻璃基板上真空沉积至厚度为以形成Yb/Ag层，然后将Ag真空沉积在Yb/Ag层上分别形成和的厚度，以制备和的结构。然后，将MoOx真空沉积在和 的结构上，以形成 和的结构，其中x的范围为2～4。
将Mg和Ag以5∶1的重量比在另一玻璃基板上真空沉积至厚度为以形成Mg/Ag层，然后将MoOx真空沉积在Mg/Ag层上形成和的结构，其中x为2～4的比例。
测定 和 的各结构的透射率，且测定结果示于图5中。图5为根据上述各结构的厚度的透射率结果随波长变化的曲线图。
参照图5，当MoOx层的厚度为时，透射率变化显著，但在MoOx层的厚度为时，在整个波长区域内透射率为30～40％。
实施例5(第一金属层(Yb/Ag)/第二金属层Ag)
ITO/Ag/ITO/HIL/HTL/蓝色其中x为2～4。
通过将Corning15Ω/cm2 的ITO玻璃基板切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，分别用异丙醇和纯水进行超声波清洗各5分钟，然后用UV臭氧清洗产物30分钟制备阳极。将m-MTDATA真空沉积在ITO玻璃基板上形成厚的空穴注入层。将α-NPD真空沉积在空穴注入层上形成厚的空穴传输层。在形成空穴传输层后，将3％的作为掺杂剂的TBPe和作为主体的DSA真空沉积在空穴传输层上形成厚的发光层。然后，将Alq3真空沉积在发光层上形成厚的电子传输层。在电子传输层上真空沉积LiF至的厚度，从而形成电子注入层。
最后，将真空沉积在电子注入层上形成阴极，其中x的范围为2～4，从而完成有机发光装置的制造。
实施例6(第一金属层(Y/Ag)/第二金属层Al/覆盖层WO 3 )
用与实施例5相同的方式制作有机发光装置，区别在于用Y/Ag层代替Yb/Ag层作为第一金属层，用Al层代替Ag层作为第二金属层，且将WO3层用作覆盖层。
实施例7(第一金属层(Y/Ag)/第二金属层Cu/覆盖层WO 3 )
用与实施例5相同的方式制作有机发光装置，区别在于用Y/Ag层代替Yb/Ag层作为第一金属层，用Cu层代替Ag层作为第二金属层，且将WO3层用作覆盖层。
实施例8(第一金属层(Y/Ag)/第二金属层Cr/覆盖层WO 3 )
用与实施例5相同的方式制作有机发光装置，区别在于用Y/Ag层代替Yb/Ag层作为第一金属层，用Cr层代替Ag层作为第二金属层，且将WO3层用作覆盖层。
对比例
用与实施例5相同的方式制作有机发光装置，区别在于将 用作阴极。
比较有机发光装置的特性
测定实施例5和对比例的各有机发光装置中的电流密度随电压变化关系，且测定结果示于图6中。图6为表示实施例5和对比例的有机发光装置的电流密度随电压变化的曲线图。
参照图6，实施例5和对比例的有机发光装置具有几乎相同的电流-电压特性。实施例5的有机发光装置在50mA/cm2附近表现出与对比例的有机发光装置相类似的效率特性，实现了所需的亮度，特别是甚至在高电流密度下该有机发光装置也能够维持高效率。因此，与常规阴极相比，根据本发明实施方式的低电阻阴极具有高薄膜稳定性。
同时，根据实施例5的阴极电阻为1.8ohm/sq。
同样，根据电流随电压变化的测定结果，实施例6～8的有机发光装置与对比例的有机发光装置具有几乎相同的电流-电压特性。
根据本发明实施方式的有机发光装置的阴极具有优异的透射率和低电阻，从而在用于大面积显示器时也具有优异的视角。
尽管已参照其示例性实施方式具体示出并说明了本发明，但本领域普通技术人员应理解的是，可对其进行多种形式和细节改变而不背离权利要求书所限定的本发明的精神和范围。

Claims (13)

1.一种有机发光装置，包括：
阳极；
阴极；和
布置在所述阳极和所述阴极之间的发光层，
其中所述阴极具有包括第一金属层和第二金属层的结构，或者具有包括第一金属层、第二金属层以及覆盖层的结构，所述覆盖层选自由氧化物层、氮化物层和氮氧化物层构成的组中，
其中所述第二金属层的金属为Ag、Al、Cu或Cr，且所述第一金属层包括Ag和选自由Yb、Sm、Sr、Cs、Ru、Ba、Pr、Nd、Pm、Tb、Dy、Ho、Tm、Ac、Pa、U、Np、Pu、Am、Cm、Bk、Cf、Es、Fm、Md和No构成的组中的金属的合金，
其中所述第二金属层包括电阻在0.1～10ohm/sq范围内的金属且所述第一金属层包括功函在3.5～4.5eV的金属和Ag的合金，
其中在所述第一金属层中的所述金属与Ag的重量比为4:1～10:1，
其中所述第一金属层的厚度为
2.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第二金属层包括电阻在0.5～3ohm/sq范围内的金属，且所述第一金属层包括功函在3.5～4.0eV的金属和Ag的合金。
3.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第二金属层的金属为Ag或Al，且所述第一金属层包括Ag和金属Yb、Sm、Ba或Sr的合金。
4.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第二金属层的金属为Ag，且所述第一金属层为Ag和Yb的合金。
5.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第二金属层的厚度为
6.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第二金属层的厚度为
7.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述氧化物层、所述氮化物层或所述氮氧化物层具有的折射率为1.5～2.5。
8.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述氧化物层、所述氮化物层或所述氮氧化物层具有的折射率为1.7～2.2。
9.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述氧化物层、所述氮化物层或所述氮氧化物层具有的厚度为
10.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述氧化物层、所述氮化物层或所述氮氧化物层具有的厚度为
11.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述覆盖层包括选自由MoOx、Al2O3、Sb2O3、BaO、CdO、CaO、Ce2O3、CoO、Cu2O、DyO、GdO、HfO2、La2O3、Li2O、MgO、NbO、NiO、Nd2O3、PdO、Sm2O3、ScO、SiO2、SrO、Ta2O3、TiO、WO3、VO2、YbO、Y2O3、ZnO和ZrO构成的组中的至少一种，其中x为2～4。
12.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述覆盖层包括选自由AlN、BN、NbN、SiN、TaN、TiN、VN、YbN和ZrN构成的组中的至少一种。
13.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述覆盖层包括SiON或AlON。
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101127767B1 (ko) * 2009-12-09 2012-03-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 장치
KR101608234B1 (ko) 2010-11-09 2016-04-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR101970022B1 (ko) * 2011-04-05 2019-08-13 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 아이엔씨. 적어도 부분적으로 투명한 일면 발광 ｏｌｅｄ 조명 및 ｉｒ 감지 광전지 패널을 갖는 창을 제공하기 위한 방법 및 장치
EP2728636A4 (en) * 2011-06-30 2015-05-06 Oceans King Lighting Science FLEXIBLE ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DIODE DEVICE EMITTING UP THEREOF AND PREPARATION METHOD THEREOF
JP5901161B2 (ja) * 2011-07-06 2016-04-06 キヤノン株式会社 有機発光素子、発光装置、画像形成装置、表示装置および撮像装置
KR101846410B1 (ko) * 2011-07-29 2018-04-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
WO2013044200A1 (en) * 2011-09-23 2013-03-28 University Of Florida Research Foundation, Inc. Infrared driven oled display
US20130103123A1 (en) 2011-10-14 2013-04-25 Sazzadur Rahman Khan Light-Emitting Devices for Wound Healing
KR101918712B1 (ko) * 2012-08-02 2018-11-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 장치
KR20140101506A (ko) * 2013-02-08 2014-08-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 장치
CN104124346A (zh) * 2013-04-24 2014-10-29 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
KR102126382B1 (ko) * 2014-02-19 2020-06-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102147845B1 (ko) * 2014-03-11 2020-08-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
US9490447B2 (en) 2014-07-03 2016-11-08 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same
KR101668030B1 (ko) 2014-08-21 2016-10-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102343279B1 (ko) * 2014-10-01 2021-12-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102010401B1 (ko) * 2015-10-27 2019-08-14 주식회사 엘지화학 유기발광소자
CN108281564B (zh) * 2017-01-05 2020-07-24 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种电极及应用其的有机电致发光器件
CN108281562B (zh) * 2017-01-05 2020-06-19 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种电极及应用其的有机电致发光器件
CN107122759B (zh) 2017-05-11 2020-01-21 京东方科技集团股份有限公司 一种指纹识别器件、方法和显示装置
CN109088010B (zh) * 2018-08-24 2020-08-28 云南大学 一种银镁合金电极和一种有机发光二极管
JP6633716B1 (ja) 2018-10-26 2020-01-22 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ素子の製造方法、並びに有機ｅｌパネル、有機ｅｌパネルの製造方法、有機ｅｌ表示装置、電子機器
CN109616579A (zh) * 2018-12-14 2019-04-12 顾琼 一种无电子传输层有机半导体器件及其制备方法
CN114902805A (zh) * 2020-01-17 2022-08-12 株式会社日本有机雷特显示器 自发光元件及自发光元件的制造方法、以及自发光显示面板、自发光显示装置、电子设备
CN113258011A (zh) * 2020-06-01 2021-08-13 广东聚华印刷显示技术有限公司 电致发光二极管和显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7321196B2 (en) * 2003-10-22 2008-01-22 Hannstar Display Corporation Organic light emitting diode with transparent electrode structure having dielectric layer
CN101262043A (zh) * 2007-03-07 2008-09-10 三星Sdi株式会社 有机发光显示装置及其制造方法
CN101340749A (zh) * 2007-07-03 2009-01-07 三星Sdi株式会社 有机发光装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6025894A (en) * 1996-09-04 2000-02-15 Casio Computer Co., Ltd. Scatter control member for organic electroluminescent light source for passing light with or without scattering depending upon an incident angle
US20020036297A1 (en) * 2000-02-04 2002-03-28 Karl Pichler Low absorption sputter protection layer for OLED structure
JP4112799B2 (ja) 2000-12-05 2008-07-02 富士フイルム株式会社 発光素子及びその製造方法
JP5055674B2 (ja) * 2001-08-10 2012-10-24 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3804858B2 (ja) * 2001-08-31 2006-08-02 ソニー株式会社 有機電界発光素子およびその製造方法
US20050052118A1 (en) * 2003-09-05 2005-03-10 Shuit-Tong Lee Organic electroluminescent devices formed with rare-earth metal containing cathode
JP4133736B2 (ja) 2003-10-28 2008-08-13 シャープ株式会社 有機ｅｌ素子
US7429822B2 (en) * 2003-10-28 2008-09-30 Sharp Kabushiki Kaisha Organic electroluminescence device having a cathode with a metal layer that includes a first metal and a low work function metal
US7157156B2 (en) * 2004-03-19 2007-01-02 Eastman Kodak Company Organic light emitting device having improved stability
DE112005001923T5 (de) * 2004-08-10 2007-09-27 Cambridge Display Technology Ltd. Lichtemissionsvorrichtung
TWI293012B (en) 2004-09-22 2008-01-21 Toshiba Matsushita Display Tec Organic el display and method of manufacturing same
US7358538B2 (en) * 2004-10-28 2008-04-15 Zheng-Hong Lu Organic light-emitting devices with multiple hole injection layers containing fullerene
KR100721562B1 (ko) * 2004-12-03 2007-05-23 삼성에스디아이 주식회사 마그네슘-칼슘 막인 캐소드를 구비하는 유기전계발광소자및 그의 제조방법
KR100721428B1 (ko) * 2005-10-20 2007-05-23 학교법인 포항공과대학교 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
WO2007096538A2 (fr) 2006-02-27 2007-08-30 Commissariat A L'energie Atomique Diode organique electroluminescente a electrode transparente multi-couche.
JP5117001B2 (ja) * 2006-07-07 2013-01-09 株式会社ジャパンディスプレイイースト 有機ｅｌ表示装置
US7639414B2 (en) * 2006-08-10 2009-12-29 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Polarizer and flat panel display apparatus including the same
KR100796615B1 (ko) * 2006-12-22 2008-01-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조방법
US20080164809A1 (en) * 2006-12-22 2008-07-10 Sony Corporation Organic electroluminescent device and display apparatus
KR100864882B1 (ko) 2006-12-28 2008-10-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
US20080238297A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-02 Masuyuki Oota Organic el display and method of manufacturing the same
DE102007024152A1 (de) * 2007-04-18 2008-10-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches optoelektronisches Bauelement
JP4967952B2 (ja) * 2007-09-21 2012-07-04 セイコーエプソン株式会社 発光素子、表示装置および電子機器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7321196B2 (en) * 2003-10-22 2008-01-22 Hannstar Display Corporation Organic light emitting diode with transparent electrode structure having dielectric layer
CN101262043A (zh) * 2007-03-07 2008-09-10 三星Sdi株式会社 有机发光显示装置及其制造方法
CN101340749A (zh) * 2007-07-03 2009-01-07 三星Sdi株式会社 有机发光装置

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