JP5603136B2 - 有機発光素子 - Google Patents
有機発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5603136B2 JP5603136B2 JP2010114070A JP2010114070A JP5603136B2 JP 5603136 B2 JP5603136 B2 JP 5603136B2 JP 2010114070 A JP2010114070 A JP 2010114070A JP 2010114070 A JP2010114070 A JP 2010114070A JP 5603136 B2 JP5603136 B2 JP 5603136B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- metal
- light emitting
- metal layer
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 121
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 121
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 42
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 11
- -1 Sb 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- BFRGSJVXBIWTCF-UHFFFAOYSA-N niobium monoxide Inorganic materials [Nb]=O BFRGSJVXBIWTCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 claims description 4
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910017109 AlON Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910017493 Nd 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910002674 PdO Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 30
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 18
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 7
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 5
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- XHZUPQUVMGRPDC-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4-tetratert-butylperylene Chemical group C1=CC(C2=C(C(C(C)(C)C)=C(C=3C2=C2C=CC=3C(C)(C)C)C(C)(C)C)C(C)(C)C)=C3C2=CC=CC3=C1 XHZUPQUVMGRPDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IERDDDBDINUYCD-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[4-(9h-carbazol-1-yl)phenyl]phenyl]-9h-carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2NC2=C1C=CC=C2C(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1C1=C2NC3=CC=CC=C3C2=CC=C1 IERDDDBDINUYCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RKVIAZWOECXCCM-UHFFFAOYSA-N 2-carbazol-9-yl-n,n-diphenylaniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21)C1=CC=CC=C1 RKVIAZWOECXCCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052695 Americium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052685 Curium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 2
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052764 Mendelevium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052781 Neptunium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052778 Plutonium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052767 actinium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N (R)-camphor Chemical compound C1C[C@@]2(C)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N 0.000 description 1
- WECOUKMONWFOGF-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[3,5-bis[2-(9h-carbazol-1-yl)-5-methoxyphenyl]phenyl]-4-methoxyphenyl]-9h-carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2NC2=C1C=CC=C2C1=CC=C(OC)C=C1C1=CC(C=2C(=CC=C(OC)C=2)C=2C=3NC4=CC=CC=C4C=3C=CC=2)=CC(C=2C(=CC=C(OC)C=2)C=2C=3NC4=CC=CC=C4C=3C=CC=2)=C1 WECOUKMONWFOGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRUCJKSKYARXJB-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[3,5-bis[2-(9h-carbazol-1-yl)phenyl]phenyl]phenyl]-9h-carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2NC2=C1C=CC=C2C1=CC=CC=C1C1=CC(C=2C(=CC=CC=2)C=2C=3NC4=CC=CC=C4C=3C=CC=2)=CC(C=2C(=CC=CC=2)C=2C=3NC4=CC=CC=C4C=3C=CC=2)=C1 PRUCJKSKYARXJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHBDIQVWSLNELJ-UHFFFAOYSA-N 1-[3,5-bis(9h-carbazol-1-yl)phenyl]-9h-carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2NC2=C1C=CC=C2C1=CC(C=2C=3NC4=CC=CC=C4C=3C=CC=2)=CC(C2=C3NC=4C(C3=CC=C2)=CC=CC=4)=C1 AHBDIQVWSLNELJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=NC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=CC1=CC=CC=C1 AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWMNLUGPPZOPJQ-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)-3-naphthalen-1-ylaniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 MWMNLUGPPZOPJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MAGFQRLKWCCTQJ-UHFFFAOYSA-M 4-ethenylbenzenesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C1=CC=C(C=C)C=C1 MAGFQRLKWCCTQJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 241000723346 Cinnamomum camphora Species 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- YAPIJPOCONTNDY-UHFFFAOYSA-N N1C2=CC=CC=C2C2=C1C(C1=CC=C(C=C1)[SiH2]C=1C=CC(=CC=1)C=1C3=C(C4=CC=CC=C4N3)C=CC=1)=CC=C2 Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C2=C1C(C1=CC=C(C=C1)[SiH2]C=1C=CC(=CC=1)C=1C3=C(C4=CC=CC=C4N3)C=CC=1)=CC=C2 YAPIJPOCONTNDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Inorganic materials [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229960000846 camphor Drugs 0.000 description 1
- 229930008380 camphor Natural products 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- BSEKBMYVMVYRCW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[3,5-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]phenyl]-3-methyl-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 BSEKBMYVMVYRCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- ATGUVEKSASEFFO-UHFFFAOYSA-N p-aminodiphenylamine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1NC1=CC=CC=C1 ATGUVEKSASEFFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本発明は、アノード、カソード及びアノードとカソードとの間に介在する発光層を具備し、該カソードが多層の金属層の構造を含む有機発光素子に関する。
２１世紀に入り、情報化社会への動きがさらに加速化し、これによって、情報をいつ、どこででもやり取りできることが必要とされており、情報ディスプレイは、既存のＣＲＴ（ｃａｔｈｏｄｅ−ｒａｙ ｔｕｂｅ）ディスプレイから平板ディスプレイにその比重が順次移っている趨勢である。このうち、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ）は、軽く、かつ電力消耗が少ないという長所があって、平板ディスプレイとして、現在最も多用されているが、自発光素子ではなく、受発光素子であるために、明るさ、コントラスト比、視野角、大面積化などに技術的限界があって、このような短所を克服できる新しい平板ディスプレイを開発しようとする努力が全世界的に活発に展開されている。このような新しい平板ディスプレイのうちの一つが、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）であり、前記有機発光ダイオードは、低電圧駆動が可能であり、光視野角と速い応答速度とを有するだけではなく、自発光型として軽量薄型が可能であるために、最近日本や韓国そして米国でも、その実用化に拍車がかかっている。
現在、モバイルディスプレイに適用されているＡＭＯＬＥＤ（ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅ）のカソード電極は、Ｍｇ：Ａｇの形態で蒸着されているが、１４インチ以上の大型ディスプレイに用いられる場合、低抵抗が要求されるため、現在使用されているＭｇ：Ａｇの場合、ＩＲドロップ（ＩＲ ｄｒｏｐ）現象が現れ、適用し難い状況である。
本発明の一側面は、アノード、カソード及びアノードとカソードとの間に介在する発光層を具備し、前記カソードが第１金属層／第２金属層の構造、または第１金属層／第２金属層／酸化物層，窒化物層または窒酸化物層（ｎｉｔｒｉｃ ｏｘｉｄｅ ｌａｙｅｒ）の構造であり、低抵抗を有する有機発光素子を提供することである。
本発明の一側面によって、アノード、カソード及びアノードとカソードとの間に介在する発光層を具備し、前記カソードが、第１金属層／第２金属層の構造、または第１金属層／第２金属層／酸化物層，窒化物層または窒酸化物層の構造を有する有機発光素子が提供される。
本発明の一具現例によれば、前記第２金属層は、０．１ないし１０ｏｈｍ／ｓｑの抵抗を有する金属（ｂ）からなり、前記第１金属層は、仕事関数が約３．５ないし約４．５ｅＶである金属（ａ）及びＡｇの合金からなりうる。
本発明の一具現例によれば、前記第２金属層は、例えば０．５ないし３ｏｈｍ／ｓｑの抵抗を有する金属（ｂ）からなり、前記第１金属層は、仕事関数が、例えば約３．５ないし約４．０ｅＶである金属（ａ）及びＡｇの合金からなりうる。
本発明の一具現例によれば、前記第２金属層の金属（ｂ）は、Ａｇ、Ａｌ、ＣｕまたはＣｒであり、前記第１金属層は、Ｙｂ、Ｓｍ、Ｓｒ、Ｃｓ、Ｒｕ、Ｂａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ａｃ、Ｔｈ、Ｐａ、Ｕ、Ｎｐ、Ｐｕ、Ａｍ、Ｃｍ、Ｂｋ、Ｃｆ、Ｅｓ、Ｆｍ、Ｍｄ及びＮｏからなる群から選択された金属（ａ）及びＡｇの合金からなりうる。
本発明の一具現例によれば、前記第２金属層の金属（ｂ）は、例えばＡｇ、またはＡｌであり、前記第１金属層は、例えばＹｂ、Ｌａ、Ｙ、Ｓｍ、ＢａまたはＳｒの金属（ａ）及びＡｇの合金からなりうる。
本発明の一具現例によれば、前記第２金属層の金属（ｂ）は、Ａｇであり、前記第１金属層は、金属（ａ）のＹｂ及びＡｇの合金からなりうる。
本発明の一具現例によれば、前記第１金属層で、金属（ａ）：Ａｇの重量比は、０．１〜１５：１でありうる。
本発明の一具現例によれば、前記第１金属層で、金属（ａ）：Ａｇの重量比は、４〜１０：１でありうる。
本発明の一具現例によれば、前記第１金属層は、約３０Åないし約３００Åの厚さを有することができる。
本発明の一具現例によれば、前記第１金属層は、例えば約６０Åないし約１００Åの厚さを有することができる。
本発明の一具現例によれば、前記第２金属層は、約５０Åないし約５００Åの厚さを有することができる。
本発明の一具現例によれば、前記第２金属層は、例えば約１００Åないし約３００Åの厚さを有することができる。
本発明の一具現例によれば、前記酸化物層，窒化物層または窒酸化物層の屈折率が、約１．５ないし２．５の値を有することができる。
本発明の一具現例によれば、前記酸化物層，窒化物層または窒酸化物層の屈折率が、例えば約１．７ないし２．２の値を有することができる。
本発明の一具現例によれば、前記酸化物層，窒化物層または窒酸化物層は、約１００Åないし約１，５００Åの厚さを有することができる。
本発明の一具現例によれば、前記酸化物層，窒化物層または窒酸化物層は、例えば約３００Åないし約７００Åの厚さを有することができる。
本発明の一具現例によれば、前記酸化物層がＭｏＯｘ（ｘ＝２〜４）、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、ＢａＯ、ＣｄＯ、ＣａＯ、Ｃｅ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｃｕ２Ｏ、ＤｙＯ、ＧｄＯ、ＨｆＯ２、Ｌａ２Ｏ３、Ｌｉ２Ｏ、ＭｇＯ、ＮｂＯ、ＮｂＯ、ＮｉＯ、Ｎｄ２Ｏ３、ＰｄＯ、Ｓｍ２Ｏ３、ＳｃＯ、ＳｉＯ２、ＳｒＯ、Ｔａ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＷＯ３、ＶＯ２、ＹｂＯ、Ｙ２Ｏ３、ＺｎＯまたはＺｒＯからなる群から選択された一つ以上からなりうる。
本発明の一具現例によれば、前記窒化物層が、ＡｌＮ、ＢＮ、ＮｂＮ、ＳｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＮ、ＶＮ、ＹｂＮまたはＺｒＮからなる群から選択された一つ以上からなりうる。
本発明の一具現例によれば、前記窒酸化物層が、ＳｉＯＮまたはＡｌＯＮからなりうる。
本発明の一具現例による有機発光素子のカソードは、透過率、抵抗値などにすぐれ、大面積ディスプレイに適用した場合に、視野角問題などを改善できる。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の一側面によって、アノード、カソード及びアノードとカソードとの間に介在する発光層を具備し、前記カソードが、第１金属層／第２金属層の構造、または第１金属層／第２金属層／酸化物層，窒化物層若しくは窒酸化物層の構造を有する有機発光素子が提供される。
図１Ａは、本発明の一実施例による有機発光素子の構造を概略的に示した図面である。
現在適用されているディスプレイのうちでも、モバイル・ディスプレイに適用されているＯＬＥＤ（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅ）カソード電極には、Ｍｇ：Ａｇ電極が使用されており、その大きさは、現在２インチ〜３インチと小さく、ＩＲドロップや視野角などが問題視されていないが、今後１４インチ以上の大面積ディスプレイに適用される場合、現在使用されているＭｇ：Ａｇ電極の場合、抵抗が高く（約４０ｏｈｍ／ｓｑ）、ＩＲドロップや視野角などの問題が発生し、長波長になるにつれて透過度グラフが下方曲線を示すので、ｒｅｄ視野角補正が要求される。これを補正するためのアイデアとして、Ｍｇ：Ａｇ／Ａｇのように抵抗を補充するために、第２の層としてＡｇを蒸着した場合もある。この場合において、Ｍｇ：Ａｇで、２つの材料の比率変化による特性評価、及びＭｇ：Ａｇ／Ａｇで、２層の厚さ変化による特性評価をいずれも進めたが、Ｍｇ：Ａｇ層の厚さが薄すぎて、工程マージン（ｍａｒｇｉｎ）と膜均一度との問題を解決できなかった。
図１Ａを参照すれば、本発明の一実施例による有機発光素子は、アノード、カソード及びアノードとカソードとの間に介在する発光層を具備し、前記カソードは、第１金属層／第２金属層の構造を有する。
本発明の一具現例によれば、前記第２金属層は、０．１ないし１０ｏｈｍ／ｓｑの抵抗を有する金属（ｂ）からなり、前記第１金属層は、仕事関数が約３．５ないし約４．５ｅＶである金属（ａ）及びＡｇの合金からなりうる。
発光層上に位置する第１金属層が、仕事関数が約３．５ないし約４．５ｅＶである金属（ａ）及びＡｇの合金からなる場合、発光（ｅｍｉｓｓｉｏｎ）に大きな影響がなく、可視光領域で透過度が良好であり、透過グラフで、透過度の偏差が少なく、グラフ形態が一直線状に示されるので、その後の赤色補正が必要ない。
前記第１金属層上に位置する第２金属層は、０．１ないし１０ｏｈｍ／ｓｑの低抵抗を有するので、第１金属層で不足した抵抗値を補充する役割を行う。
このような構造のカソードで、第１金属層は、放出（ｅｍｉｓｓｉｏｎ）の役割を行い、第２金属層は、抵抗を下げる役割を行うことによって、全体的に低抵抗カソードになりうる。
金属（ａ）の仕事関数が４．５ｅＶを超える場合、駆動電圧が上昇し、効率が低下するという問題点がありうる。
一方、金属（ｂ）の抵抗が１０ｏｈｍ／ｓｑを超える場合、駆動電圧が上昇し、効率が低下するという問題点がありうる。
本発明の一具現例によれば、さらに具体的には、前記第２金属層は、例えば０．５ないし３ｏｈｍ／ｓｑの抵抗を有する金属（ｂ）からなり、前記第１金属層は、仕事関数が、例えば約３．５ないし約４．０ｅＶである金属（ａ）及びＡｇの合金からなりうる。
本発明の一具現例によれば、前記第２金属層の金属（ｂ）は、Ａｇ、Ａｌ、ＣｕまたはＣｒであり、前記第１金属層は、Ｙｂ、Ｓｍ、Ｓｒ、Ｃｓ、Ｒｕ、Ｂａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ａｃ、Ｔｈ、Ｐａ、Ｕ、Ｎｐ、Ｐｕ、Ａｍ、Ｃｍ、Ｂｋ、Ｃｆ、Ｅｓ、Ｆｍ、Ｍｄ及びＮｏからなる群から選択された金属（ａ）及びＡｇの合金からなりうる。
本発明の一具現例によれば、さらに具体的には、前記第２金属層の金属（ｂ）は、例えばＡｇ、またはＡｌであり、前記第１金属層は、例えばＹｂ、Ｌａ、Ｙ、Ｓｍ、ＢａまたはＳｒの金属（ａ）及びＡｇの合金からなりうる。
本発明の一具現例によれば、前記第２金属層の金属（ｂ）は、Ａｇであり、前記第１金属層は、金属（ａ）のＹｂ及びＡｇの合金からなりうる。
本発明の一具現例によれば、前記第１金属層で、金属 （ａ）：Ａｇの重量比は、０．１〜１５：１であり、さらに具体的には、例えば４〜１０：１でありうる。
第１金属層で、Ａｇに対する金属（ａ）の重量比が１５：１より大きい場合、透過度が低下して駆動電圧が上昇し、効率が低下するという問題点がありうる。
本発明の一具現例によれば、前記第１金属層は、約３０ないし約３００Åの厚さを有することができる。
第１金属層の厚さが３０Å未満である場合、駆動電圧が上昇し、３００Åを超える場合、透過度低下によって効率が低くなるという問題点がありうる。
本発明の一具現例によれば、さらに具体的には、前記第１金属層は、例えば約６０Åないし約１００Åの厚さを有することができる。
本発明の一具現例によれば、前記第２金属層は、約５０Åないし約５００Åの厚さを有することができる。
第２金属層の厚さが５０Å未満である場合、駆動電圧が上昇し、５００Åを超える場合、透過度低下によって効率が低下するという問題点がありうる。
本発明の一具現例によれば、さらに具体的には、前記第２金属層は、例えば約１００Åないし約３００Åの厚さを有することができる。
図１Ｂは、本発明の他の一実施例による有機発光素子の構造を概略的に示した図面である。
図１Ｂを参照すれば、本発明の一実施例による有機発光素子は、アノード、カソード及びアノードとカソードとの間に介在する発光層を具備し、前記カソードは、第１金属層／第２金属層／酸化物層，窒化物層または窒酸化物層の構造を有する。
前記酸化物層，窒化物層または窒酸化物層は、第２金属層上に形成されるキャッピング層であり、透過度を確保して光学的特性を向上させる。
本発明の一具現例によれば、前記酸化物層，窒化物層または窒酸化物層の屈折率が、約１．５ないし２．５の値を有することができる。
前記酸化物層，窒化物層または窒酸化物層の屈折率が１．５未満である場合、キャッピング層の厚さが増大し、透過度が低くなるという問題点がありうる。
本発明の一具現例によれば、さらに具体的には、前記酸化物層，窒化物層または窒酸化物層の屈折率が、例えば約１．７ないし２．２の値を有することができる。
本発明の一具現例によれば、前記酸化物層，窒化物層または窒酸化物層は、約１００Åないし約１，５００Åの厚さを有することができる。
前記酸化物層，窒化物層または窒酸化物層の厚さが１００Å未満である場合、透過度が低下して効率が落ちるという問題点があり、１，５００Åを超える場合も、透過度が低下して効率が落ちるという問題点がありうる。
本発明の一具現例によれば、さらに具体的には、前記酸化物層，窒化物層または窒酸化物層は、例えば約３００Åないし約７００Åの厚さを有することができる。
本発明の一具現例によれば、前記酸化物層は、ＭｏＯｘ（ｘ＝２〜４）、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、ＢａＯ、ＣｄＯ、ＣａＯ、Ｃｅ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｃｕ２Ｏ、ＤｙＯ、ＧｄＯ、ＨｆＯ２、Ｌａ２Ｏ３、Ｌｉ２Ｏ、ＭｇＯ、ＮｂＯ、ＮｉＯ、Ｎｄ２Ｏ３、ＰｄＯ、Ｓｍ２Ｏ３、ＳｃＯ、ＳｉＯ２、ＳｒＯ、Ｔａ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＷＯ３、ＶＯ２、ＹｂＯ、Ｙ２Ｏ３、ＺｎＯまたはＺｒＯからなる群から選択された一つ以上からなりうる。さらに具体的には、前記酸化物層は、例えばＭｏＯｘ（ｘ＝２〜４）、ＷＯ３、Ａｌ２Ｏ３、ＮｂＯ、ＴｉＯまたはＹｂＯでありうる。
本発明の一具現例によれば、前記窒化物層は、ＡｌＮ、ＢＮ、ＮｂＮ、ＳｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＮ、ＶＮ、ＹｂＮまたはＺｒＮからなる群から選択された一つ以上からなりうる。
本発明の一具現例によれば、前記窒酸化物層は、ＳｉＯＮまたはＡｌＯＮからなりうる。
以下、本発明で使用される一般的な有機発光素子の構造について説明する。
本発明で使用される有機発光素子の構造は、一般的なものであって非常に多様である。第１電極と第２電極との間に、有機膜として、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層及び電子注入層からなる群から選択された１層以上の層を有機膜としてさらに含むことができる。
本発明で使用される有機発光素子は、例えば、第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極の構造、または第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層／第２電極の構造を有する。
以下、前述の積層構造を有する有機発光素子の製造方法について述べる。
まず、基板上部に、大きな仕事関数を有するアノード電極用物質を蒸着法またはスパッタリングによって形成し、第１電極であるアノードとして使用する。ここで、基板としては、一般的な有機発光素子に用いる基板を使用するが、透明性、表面平滑性、取扱容易性及び防水性にすぐれた有機基板、または透明プラスチック基板が望ましい。そして、アノード電極用物質としては、透明であって伝導性にすぐれた酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などを使用する。
前記アノード電極上部に、正孔注入層物質を真空熱蒸着またはスピンコーティングする。前記正孔注入層物質としては、例えば、ＣｕＰｃ、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物；スターバースト型アミン誘導体類である（４，４−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン）（ＴＣＴＡ）、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、１，３，５−トリス［４−（３−メチルフェニルフェニルアミノ）フェニル］ベンゼン（ｍ−ＭＴＤＡＰＢ）；溶解性がある伝導性高分子であるポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸（Ｐａｎｉ／ＤＢＳＡ）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート）（ＰＡＮＩ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／カンファースルホン酸（Ｐａｎｉ／ＣＳＡ）またはポリアニリン／ポリ（４−スチレンスルホネート）（ＰＡＮＩ／ＰＳＳ）などを使用できるが、これらに限定されるものではない。
正孔注入層の上部に、正孔輸送層物質を真空熱蒸着またはスピンコーティングし、正孔輸送層を形成する。前記正孔輸送層物質は、例えば、１，３，５−トリカルバゾリルベンゼン、４，４’−ビスカルバゾリルビフェニル、ポリビニルカルバゾール、ｍ−ビスカルバゾリルフェニル、４，４’−ビスカルバゾリル−２，２’−ジメチルビフェニル、４，４’，４”−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン、１，３，５−トリ（２−カルバゾリルフェニル）ベンゼン、１，３，５−トリス（２−カルバゾリル−５−メトキシフェニル）ベンゼン、ビス（４−カルバゾリルフェニル）シラン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４’ジアミン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＮＰＢ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−ｃｏ−Ｎ−（４−ブチルフェニル）ジフェニルアミン）（ＴＦＢ）、またはポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−ｃｏ−ビス−Ｎ，Ｎ−フェニル−１，４−フェニレンジアミン（ＰＦＢ）などを含むことができるが、これらに限定されるものではない。
次に、正孔輸送層の上部に発光層が形成され、発光層材料は、特別に制限されずに、４，４’−ビスカルバゾリルビフェニル（ＣＢＰ）、テトラシアノボレート（ＴＣＢ）、ＴＣＴＡ、ＳＤＩ−ＢＨ−１８、ＳＤＩ−ＢＨ−１９、ＳＤＩ−ＢＨ−２２、ＳＤＩ−ＢＨ−２３、ｄｍＣＢＰ、Ｌｉｑ、２，２’，２”−（１，３，５−ベンゼネトリール）トリス−［１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール］（ＴＰＢＩ）、ビス−（２−メチル−８−キノリノラト）−４−（フェニルフェノラート）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）などをホストとして使用でき、ドーパントの場合、蛍光ドーパントとしては、出光社から購入可能なＩＤＥ１０２、ＩＤＥ１０５、リン光ドーパントとしては、公知の緑色リン光ドーパントであるＩｒ（ｐｐｙ）３、青色リン光ドーパントである（４，６−Ｆ２ｐｐｙ）２Ｉｒｐｉｃなどがホストとともに真空熱蒸着されうる。
ドーピング濃度は、特別に制限されるものではないが、一般的に０．５〜１２重量％のものを使用する。発光層上に、電子輸送層の薄膜が真空蒸着方法、またはスピンコーティング方法により形成されることが可能である。
一方、発光層にリン光ドーパントを共に使用する場合、三重項励起子または正孔が、電子輸送層に拡散する現象を防止するために、さらに正孔阻止物質を真空熱蒸着して正孔阻止層を形成できる。このときに使用できる正孔阻止層材料は、特別に制限されるものではないが、電子輸送能を有しつつ、発光化合物より高いイオン化ポテンシャルを有せねばならないので、代表的なものとしてＢａｌｑ、ＢＣＰなどがある。
正孔阻止層上に、電子輸送層の薄膜が真空蒸着方法またはスピンコーティング方法により形成されることが可能である。
前記電子輸送層材料は、例えば公知の材料であるトリス（８−キノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）などを利用できる。
また、電子輸送層上に、電子注入層が積層されうる。前記電子注入層の材料は、例えば、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯなどを含むことができるが、これらに限定されるものではない。
そして、電子注入層の上部に、本発明の一実施例による第１金属層／第２金属層の構造、または第１金属層／第２金属層／酸化物層，窒化物層若しくは窒酸化物層の構造のカソード電極を形成する。
以下、本発明による有機発光素子の実施例を具体的に例示するが、本発明が下記の実施例に限定されるものではない。
＜実施例＞
＜実施例１（第１金属層特性の比較）＞
第１金属層の透過率比較のために、ガラス基板にＹｂ：Ａｇを、重量比１０：１、５：１、１：１の比でそれぞれ真空蒸着する。
＜実施例１（第１金属層特性の比較）＞
第１金属層の透過率比較のために、ガラス基板にＹｂ：Ａｇを、重量比１０：１、５：１、１：１の比でそれぞれ真空蒸着する。
ガラス基板にＭｇ：Ａｇを、重量比１０：１で１７０Å厚に真空蒸着し、比較対象とする。
同じ１７０Å厚で、Ｍｇ：ＡｇとＹｂ：Ａｇとの透過度結果を比較して図２に示した。図２を参照すれば、Ｙｂ：Ａｇで、Ｙｂの含有量を１〜１０まで変化させた場合、５３０ｎｍである波長を基準として、Ｍｇ：Ａｇの場合に３０％透過率を示し、Ｙｂ：Ａｇ（５：１）の場合に５０％の結果を示した。このときの抵抗を比較してみれば、Ｍｇ：Ａｇは、４０ｏｈｍ／ｓｑであり、Ｙｂ：Ａｇは、１２ｏｈｍ／ｓｑであった。
従来技術の多くが、Ｍｇ：Ａｇ膜に関するものであり、またはＭｇ：Ａｇ膜にバッファ層（ｂｕｆｆｅｒ ｌａｙｅｒ）を追加して注入特性を向上させたものであることを勘案すれば、前記結果は、本発明の一実施例が、従来技術とは質的に異なる内容の発明であるということを立証するといえる。
＜実施例２（カソード透過率の比較）＞
カソードの透過率比較のために、ガラス基板上にＹｂ：Ａｇを、５：１の重量比で１００Å厚に真空蒸着し、続けてＡｇを１５０Å厚に真空蒸着し、Ｙｂ：Ａｇ／Ａｇ構造のカソードを製造する。
カソードの透過率比較のために、ガラス基板上にＹｂ：Ａｇを、５：１の重量比で１００Å厚に真空蒸着し、続けてＡｇを１５０Å厚に真空蒸着し、Ｙｂ：Ａｇ／Ａｇ構造のカソードを製造する。
次に、同じガラス基板上にＭｇ：Ａｇを、５：１の重量比で１００Å厚に真空蒸着し、続けてＡｇを１５０Å厚に真空蒸着し、比較対象としてＭｇ：Ａｇ／Ａｇ構造のカソードを製造する。
同じ厚さで、Ｍｇ：Ａｇ／ＡｇとＹｂ：Ａｇ／Ａｇとの透過度結果を比較し、図３に示した。図３を参照すれば、５５０ｎｍである波長を基準として、Ｍｇ：Ａｇ／Ａｇの場合に２２％透過率を示し、Ｙｂ：Ａｇ／Ａｇの場合に３４％の結果を示した。可視光前領域での透過度変化に注目すれば、Ｙｂ：Ａｇ／Ａｇの場合、８％と低い一方、Ｍｇ：Ａｇ／Ａｇの場合は、２５％と高い値を示す。かようなＹｂ：Ａｇ／Ａｇの低い透過度変化幅は、従来問題視されていた視野角問題を解決できるものと予想される。
＜実施例３（カソード特性の比較）＞
Ｙｂ：Ａｇの比率を５：１に固定した後、Ｙｂ：Ａｇ／Ａｇの２層の厚さ変化による透過度及び抵抗の変化を測定する。
Ｙｂ：Ａｇの比率を５：１に固定した後、Ｙｂ：Ａｇ／Ａｇの２層の厚さ変化による透過度及び抵抗の変化を測定する。
ガラス基板上に、Ｙｂ：Ａｇの比率を５：１に固定し、Ｙｂ：Ａｇ／Ａｇ層をそれぞれ、１１０Å／１８０Å、１１０Å／２００Å、９０Å／１８０Å、９０Å／２００Å厚に真空蒸着する。
同じガラス基板上に、Ｍｇ：Ａｇを５：１として１７０Åに真空蒸着し、比較対象とする。
それぞれのカソードに対して透過度を測定し、その結果を図４に示した。
図４を参照すれば、いずれの場合においても、Ａｇの厚さが増大するにつれて、透過度が低下する傾向にあることが示され、Ｙｂ：Ａｇ厚９０Å、Ａｇ厚１８０Åで、全波長領域でＭｇ：Ａｇ対比の透過度が高いということが分かる。
それぞれのカソードについて抵抗を測定し、その結果を下記表１に示した。
表１を参照すれば、Ｙｂ：Ａｇ厚が薄く、Ａｇ厚が厚いほど抵抗特性が良好であることが分かる。特に、Ｙｂ：Ａｇ厚が９０Å、Ａｇ厚が２００Åである場合の抵抗は１．６ｏｈｍ／ｓｑであることに注目する。
＜実施例４（酸化物層厚変化による透過度の比較）＞
ガラス基板上にＹｂ：Ａｇの比率を５：１として、６５Åに真空蒸着した後、Ａｇをそれぞれ１８０Å、２５０Å厚に真空蒸着し、Ｙｂ：Ａｇ（５：１，６５Å）／Ａｇ（１８０Å）、Ｙｂ：Ａｇ（５：１，６５Å）／Ａｇ（２５０Å）の構造を製作し、次にＭｏＯｘを真空蒸着し、Ｙｂ：Ａｇ（５：１，６５Å）／Ａｇ（１８０Å）、Ｙｂ：Ａｇ（５：１，６５Å）／Ａｇ（２５０Å）／ＭｏＯｘ（３５０Å）、Ｙｂ：Ａｇ（５：１，６５Å）／Ａｇ（１８０Å）／ＭｏＯｘ（６５０Å）の構造を完成する（ｘ＝２〜４）。
ガラス基板上にＹｂ：Ａｇの比率を５：１として、６５Åに真空蒸着した後、Ａｇをそれぞれ１８０Å、２５０Å厚に真空蒸着し、Ｙｂ：Ａｇ（５：１，６５Å）／Ａｇ（１８０Å）、Ｙｂ：Ａｇ（５：１，６５Å）／Ａｇ（２５０Å）の構造を製作し、次にＭｏＯｘを真空蒸着し、Ｙｂ：Ａｇ（５：１，６５Å）／Ａｇ（１８０Å）、Ｙｂ：Ａｇ（５：１，６５Å）／Ａｇ（２５０Å）／ＭｏＯｘ（３５０Å）、Ｙｂ：Ａｇ（５：１，６５Å）／Ａｇ（１８０Å）／ＭｏＯｘ（６５０Å）の構造を完成する（ｘ＝２〜４）。
同じガラス基板上にＭｇ：Ａｇを５：１として、１８０Åに真空蒸着し、次にＭｏＯｘを真空蒸着し、Ｍｇ：Ａｇ（５：１，１８０Å）、Ｍｇ：Ａｇ（５：１，１８０Å）／ＭｏＯｘ（６００Å）の構造を完成して比較対象とする（ｘ＝２〜４）。
Ｍｇ：Ａｇ（５：１，１８０Å）、Ｍｇ：Ａｇ（５：１，１８０Å）／ＭｏＯｘ（６００Å）、Ｙｂ：Ａｇ（５：１，６５Å）／Ａｇ（１８０Å）、Ｙｂ：Ａｇ（５：１，６５Å）／Ａｇ（２５０Å）／ＭｏＯｘ（３５０Å）、Ｙｂ：Ａｇ（５：１，６５Å）／Ａｇ（１８０Å）／ＭｏＯｘ（６５０Å）構造に対して透過度を測定し、その結果を図５に示した。
図５を参照すれば、ＭｏＯｘの厚さが３５０Åである場合、透過度の変化幅が大きい一方、６５０Åに蒸着した場合、全波長領域で３０〜４０％の透過率を示すということが分かる。
＜実施例５（第１金属層Ｙｂ：Ａｇ／第２金属層Ａｇ）＞
ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ／正孔注入層（ＨＩＬ）／正孔輸送層（ＨＴＬ）／ｂｌｕｅ発光層（ＥＭＬ）／電子輸送層（ＥＴＬ）／電子注入層（ＥＩＬ）／Ｙｂ：Ａｇ（５：１，１００Å）／Ａｇ（２００Å）／ＭｏＯｘ（５００Å）（ｘ＝２〜４）。
ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ／正孔注入層（ＨＩＬ）／正孔輸送層（ＨＴＬ）／ｂｌｕｅ発光層（ＥＭＬ）／電子輸送層（ＥＴＬ）／電子注入層（ＥＩＬ）／Ｙｂ：Ａｇ（５：１，１００Å）／Ａｇ（２００Å）／ＭｏＯｘ（５００Å）（ｘ＝２〜４）。
アノードは、コーニング（ｃｏｒｎｉｎｇ）１５Ω／ｃｍ２（１，２００Å）ＩＴＯガラス基板を、５０ｍｍｘ５０ｍｍｘ０．７ｍｍサイズに切断し、イソプロピルアルコールと純水との中で、それぞれ５分間超音波洗浄を行った後、３０分間ＵＶオゾン洗浄して使用する。前記基板上部に、ｍ−ＭＴＤＡＴＡを真空蒸着し、正孔注入層を７５０Å厚に形成する。次に、前記正孔注入層の上部に、α−ＮＰＤを１５０Å厚に真空蒸着し、正孔輸送層を形成する。正孔輸送層を形成した後、この正孔輸送層の上部に、ジスチリルアリーレン（ＤＳＡ）をホストとし、ドーパントとしてテトラ（ｔ−ブチル）ペリレン（ＴＢＰｅ）を３％使用し、これを真空蒸着し、３００Å厚に発光層を形成する。その後、前記発光層の上部に、Ａｌｑ３を真空蒸着し、２００Å厚の電子輸送層を形成する。この電子輸送層の上部に、ＬｉＦ ８０Å（電子注入層）を真空蒸着する。
次に、Ｙｂ：Ａｇ（５：１，１００Å）／Ａｇ（２００Å）／ＭｏＯｘ（５００Å）（ｘ＝２〜４）の構造を有するカソードを真空蒸着し、有機発光素子を完成する。
＜実施例６（第１金属層Ｙ：Ａｇ／第２金属層Ａｌ／キャッピング層ＷＯ３）＞
第１金属層として、Ｙｂ：Ａｇの代わりにＹ：Ａｇを使用し、第２金属層として、Ａｇの代わりにＡｌを使用し、キャッピング層として、ＷＯ３を使用したことを除いては、実施例５と同一に有機発光素子を提供する。
第１金属層として、Ｙｂ：Ａｇの代わりにＹ：Ａｇを使用し、第２金属層として、Ａｇの代わりにＡｌを使用し、キャッピング層として、ＷＯ３を使用したことを除いては、実施例５と同一に有機発光素子を提供する。
＜実施例７（第１金属層Ｙ：Ａｇ／第２金属層Ｃｕ／キャッピング層ＷＯ３）＞
第１金属層として、Ｙｂ：Ａｇの代わりに、Ｙ：Ａｇを使用し、第２金属層として、Ａｇの代わりにＣｕを使用し、キャッピング層として、ＷＯ３を使用したことを除いては、実施例５と同一に有機発光素子を提供する。
第１金属層として、Ｙｂ：Ａｇの代わりに、Ｙ：Ａｇを使用し、第２金属層として、Ａｇの代わりにＣｕを使用し、キャッピング層として、ＷＯ３を使用したことを除いては、実施例５と同一に有機発光素子を提供する。
＜実施例８（第１金属層Ｙ：Ａｇ／第２金属層Ｃｒ／キャッピング層ＷＯ３）＞
第１金属層として、Ｙｂ：Ａｇの代わりに、Ｙ：Ａｇを使用し、第２金属層として、Ａｇの代わりに、Ｃｒを使用し、キャッピング層として、ＷＯ３を使用したことを除いては、実施例５と同一に有機発光素子を提供する。
第１金属層として、Ｙｂ：Ａｇの代わりに、Ｙ：Ａｇを使用し、第２金属層として、Ａｇの代わりに、Ｃｒを使用し、キャッピング層として、ＷＯ３を使用したことを除いては、実施例５と同一に有機発光素子を提供する。
＜比較例＞
カソードとして、Ｍｇ：Ａｇ（５：１，１８０Å）／Ａｌｑ３（６００Å）を使用したことを除いては、実施例５と同一に有機発光素子を完成する。
カソードとして、Ｍｇ：Ａｇ（５：１，１８０Å）／Ａｌｑ３（６００Å）を使用したことを除いては、実施例５と同一に有機発光素子を完成する。
＜素子特性の比較＞
実施例５及び比較例の素子に対し、電流密度−電圧を測定し、その結果を図６に示した。
実施例５及び比較例の素子に対し、電流密度−電圧を測定し、その結果を図６に示した。
図６を参照すれば、実施例５及び比較例の素子は、ほぼ同じ電流−電圧特性を示すということが分かる。効率を測定した結果、要求される輝度が得られる５０ｍＡ／ｃｍ２周辺で、実施例５の素子は、比較例（Ｍｇ：Ａｇ）と類似した効率特性を示し、特に、高い電流密度下でも、高い効率を維持することを確認した。このような結果から、比較例である従来の電極構造に対し、本発明の一実施例による低抵抗カソードが高い薄膜安定性を有していることが分かる。
一方、本発明の実施例５によるカソードの抵抗は、１．８ｏｈｍ／ｓｑと測定された。
また、実施例６ないし８の素子に対し、電流密度−電圧を測定した結果、比較例の素子とほぼ同じ電流−電圧特性を示すということが確認された。
Claims (9)
- アノードと、
カソードと、
前記アノードと前記カソードとの間に介在する発光層とを具備し、
前記カソードが、第１金属層／第２金属層の構造、または第１金属層／第２金属層／酸化物層，窒化物層若しくは窒酸化物層の構造からなり、
前記酸化物層が、ＭｏＯ ｘ （ｘ＝２〜４）、Ａｌ ２ Ｏ ３ 、Ｓｂ ２ Ｏ ３ 、ＢａＯ、ＣｄＯ、ＣａＯ、Ｃｅ ２ Ｏ ３ 、ＣｏＯ、Ｃｕ ２ Ｏ、ＤｙＯ、ＧｄＯ、ＨｆＯ ２ 、Ｌａ ２ Ｏ ３ 、Ｌｉ ２ Ｏ、ＭｇＯ、ＮｂＯ、ＮｂＯ、ＮｉＯ、Ｎｄ ２ Ｏ ３ 、ＰｄＯ、Ｓｍ ２ Ｏ ３ 、ＳｃＯ、ＳｉＯ ２ 、ＳｒＯ、Ｔａ ２ Ｏ ３ 、ＴｉＯ、ＷＯ ３ 、ＶＯ ２ 、ＹｂＯ、Ｙ ２ Ｏ ３ 、ＺｎＯまたはＺｒＯからなる群から選択された一つ以上からなり、
前記窒化物層が、ＡｌＮ、ＢＮ，ＮｂＮ、ＴａＮ、ＴｉＮ、ＶＮ、ＹｂＮまたはＺｒＮからなる群から選択された一つ以上からなり、
前記窒酸化物層が、ＳｉＯＮまたはＡｌＯＮからなり、
前記第２金属層の金属（ｂ）は、Ａｇであり、
前記第１金属層は、金属（ａ）として、Ｙｂ及びＡｇの合金であり、
前記第１金属層は、６０Åないし１００Åの厚さを有することを特徴とする有機発光素子。 - 前記第１金属層は、金属（ａ）及びＡｇの合金からなり、
前記金属（ａ）：Ａｇの重量比が０．１〜１５：１であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。 - 前記第１金属層は、金属（ａ）及びＡｇの合金からなり、
前記金属（ａ）：Ａｇの重量比が、４〜１０：１であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。 - 前記第２金属層は、５０Åないし５００Åの厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
- 前記第２金属層は、１００Åないし３００Åの厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
- 前記酸化物層，窒化物層または窒酸化物層の屈折率が、１．５ないし２．５の値を有することを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
- 前記酸化物層，窒化物層または窒酸化物層の屈折率が、１．７ないし２．２の値を有することを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
- 前記酸化物層，窒化物層または窒酸化物層の厚さが、１００Åないし１，５００Åの厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
- 前記酸化物層，窒化物層または窒酸化物層の厚さが、３００Åないし７００Åの厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20090048242A KR101156429B1 (ko) | 2009-06-01 | 2009-06-01 | 유기 발광 소자 |
| KR10-2009-0048242 | 2009-06-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010278003A JP2010278003A (ja) | 2010-12-09 |
| JP5603136B2 true JP5603136B2 (ja) | 2014-10-08 |
Family
ID=42651120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010114070A Active JP5603136B2 (ja) | 2009-06-01 | 2010-05-18 | 有機発光素子 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8716928B2 (ja) |
| EP (1) | EP2259363B1 (ja) |
| JP (1) | JP5603136B2 (ja) |
| KR (1) | KR101156429B1 (ja) |
| CN (1) | CN101901876B (ja) |
| TW (1) | TWI514925B (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101127767B1 (ko) * | 2009-12-09 | 2012-03-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 장치 |
| KR101608234B1 (ko) | 2010-11-09 | 2016-04-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| US9190458B2 (en) * | 2011-04-05 | 2015-11-17 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Method and apparatus for providing a window with an at least partially transparent one side emitting OLED lighting and an IR sensitive photovoltaic panel |
| WO2013000163A1 (zh) * | 2011-06-30 | 2013-01-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 顶发射柔性有机电致发光器件及其制备方法 |
| JP5901161B2 (ja) * | 2011-07-06 | 2016-04-06 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子、発光装置、画像形成装置、表示装置および撮像装置 |
| KR101846410B1 (ko) * | 2011-07-29 | 2018-04-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| WO2013044200A1 (en) * | 2011-09-23 | 2013-03-28 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Infrared driven oled display |
| US20130103123A1 (en) | 2011-10-14 | 2013-04-25 | Sazzadur Rahman Khan | Light-Emitting Devices for Wound Healing |
| KR101918712B1 (ko) * | 2012-08-02 | 2018-11-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치 |
| KR20140101506A (ko) * | 2013-02-08 | 2014-08-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치 |
| CN104124346A (zh) * | 2013-04-24 | 2014-10-29 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
| KR102126382B1 (ko) * | 2014-02-19 | 2020-06-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102147845B1 (ko) * | 2014-03-11 | 2020-08-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| US9490447B2 (en) | 2014-07-03 | 2016-11-08 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same |
| KR101668030B1 (ko) | 2014-08-21 | 2016-10-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
| KR102343279B1 (ko) * | 2014-10-01 | 2021-12-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
| KR102010401B1 (ko) * | 2015-10-27 | 2019-08-14 | 주식회사 엘지화학 | 유기발광소자 |
| CN108281562B (zh) * | 2017-01-05 | 2020-06-19 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种电极及应用其的有机电致发光器件 |
| CN108281564B (zh) * | 2017-01-05 | 2020-07-24 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种电极及应用其的有机电致发光器件 |
| CN107122759B (zh) | 2017-05-11 | 2020-01-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种指纹识别器件、方法和显示装置 |
| CN109088010B (zh) * | 2018-08-24 | 2020-08-28 | 云南大学 | 一种银镁合金电极和一种有机发光二极管 |
| JP6633716B1 (ja) | 2018-10-26 | 2020-01-22 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ素子の製造方法、並びに有機ｅｌパネル、有機ｅｌパネルの製造方法、有機ｅｌ表示装置、電子機器 |
| CN109616579A (zh) * | 2018-12-14 | 2019-04-12 | 顾琼 | 一种无电子传输层有机半导体器件及其制备方法 |
| CN114902805A (zh) * | 2020-01-17 | 2022-08-12 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 自发光元件及自发光元件的制造方法、以及自发光显示面板、自发光显示装置、电子设备 |
| CN113258011A (zh) * | 2020-06-01 | 2021-08-13 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 电致发光二极管和显示装置 |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6025894A (en) * | 1996-09-04 | 2000-02-15 | Casio Computer Co., Ltd. | Scatter control member for organic electroluminescent light source for passing light with or without scattering depending upon an incident angle |
| WO2001057904A1 (en) | 2000-02-04 | 2001-08-09 | Emagin Corporation | Low absorption sputter protection layer for oled structure |
| JP4112799B2 (ja) | 2000-12-05 | 2008-07-02 | 富士フイルム株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
| JP5055674B2 (ja) * | 2001-08-10 | 2012-10-24 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP3804858B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2006-08-02 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
| US20050052118A1 (en) * | 2003-09-05 | 2005-03-10 | Shuit-Tong Lee | Organic electroluminescent devices formed with rare-earth metal containing cathode |
| TW200515836A (en) * | 2003-10-22 | 2005-05-01 | Hannstar Display Corp | Organic electroluminescent element |
| JP4133736B2 (ja) | 2003-10-28 | 2008-08-13 | シャープ株式会社 | 有機ｅｌ素子 |
| US7429822B2 (en) * | 2003-10-28 | 2008-09-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescence device having a cathode with a metal layer that includes a first metal and a low work function metal |
| US7157156B2 (en) * | 2004-03-19 | 2007-01-02 | Eastman Kodak Company | Organic light emitting device having improved stability |
| WO2006016153A1 (en) * | 2004-08-10 | 2006-02-16 | Cambridge Display Technology Limited | Light emissive device |
| TWI293012B (en) | 2004-09-22 | 2008-01-21 | Toshiba Matsushita Display Tec | Organic el display and method of manufacturing same |
| WO2006045199A1 (en) * | 2004-10-28 | 2006-05-04 | Zheng-Hong Lu | Organic light-emitting devices with multiple hole injection layers containing fullerene |
| KR100721562B1 (ko) * | 2004-12-03 | 2007-05-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 마그네슘-칼슘 막인 캐소드를 구비하는 유기전계발광소자및 그의 제조방법 |
| KR100721428B1 (ko) * | 2005-10-20 | 2007-05-23 | 학교법인 포항공과대학교 | 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법 |
| US8110984B2 (en) * | 2006-02-27 | 2012-02-07 | Commissariat A L'energie Atomique | Organic light-emitting diode with transparent multilayer electrode |
| JP5117001B2 (ja) | 2006-07-07 | 2013-01-09 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP4694541B2 (ja) | 2006-08-10 | 2011-06-08 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 偏光子及びそれを備える平板表示装置 |
| US20080164809A1 (en) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Sony Corporation | Organic electroluminescent device and display apparatus |
| KR100796615B1 (ko) * | 2006-12-22 | 2008-01-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그의 제조방법 |
| KR100864882B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2008-10-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| KR20080082134A (ko) | 2007-03-07 | 2008-09-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| US20080238297A1 (en) * | 2007-03-29 | 2008-10-02 | Masuyuki Oota | Organic el display and method of manufacturing the same |
| DE102007024152A1 (de) * | 2007-04-18 | 2008-10-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organisches optoelektronisches Bauelement |
| KR100838088B1 (ko) | 2007-07-03 | 2008-06-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| JP4967952B2 (ja) * | 2007-09-21 | 2012-07-04 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子、表示装置および電子機器 |
-
2009
- 2009-06-01 KR KR20090048242A patent/KR101156429B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-04-08 US US12/756,887 patent/US8716928B2/en active Active
- 2010-05-18 CN CN201010182481.4A patent/CN101901876B/zh active Active
- 2010-05-18 JP JP2010114070A patent/JP5603136B2/ja active Active
- 2010-05-19 TW TW099115921A patent/TWI514925B/zh active
- 2010-06-01 EP EP20100164583 patent/EP2259363B1/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI514925B (zh) | 2015-12-21 |
| US8716928B2 (en) | 2014-05-06 |
| EP2259363B1 (en) | 2013-10-23 |
| CN101901876B (zh) | 2016-05-04 |
| CN101901876A (zh) | 2010-12-01 |
| JP2010278003A (ja) | 2010-12-09 |
| KR20100129596A (ko) | 2010-12-09 |
| US20100301741A1 (en) | 2010-12-02 |
| EP2259363A1 (en) | 2010-12-08 |
| TW201106784A (en) | 2011-02-16 |
| KR101156429B1 (ko) | 2012-06-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5603136B2 (ja) | 有機発光素子 | |
| KR101657222B1 (ko) | 유기 발광 소자 | |
| KR101608234B1 (ko) | 유기 발광 소자 | |
| CN103460805B (zh) | 有机电致发光元件 | |
| US20070015006A1 (en) | White organic light emitting diode | |
| CN104241540A (zh) | 一种有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置 | |
| KR20150063785A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20090010761A (ko) | 백색 유기발광소자 | |
| KR102146104B1 (ko) | 유기전계발광소자 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치 | |
| TWI447982B (zh) | 有機發光裝置 | |
| US8969864B2 (en) | Organic light emitting device having a bulk layer comprising a first and second material | |
| KR20110027484A (ko) | 유기전계발광소자 | |
| TWI473315B (zh) | 有機發光裝置 | |
| JP4631600B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| KR100622229B1 (ko) | 플러렌계 탄소화합물을 이용한 발광 표시장치 및 그의 제조방법 | |
| KR20100133352A (ko) | 유기 광전 소자 | |
| JP3891435B2 (ja) | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| KR20080011623A (ko) | 전계발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR101773610B1 (ko) | 유기전계발광소자의 제조방법 | |
| KR101771253B1 (ko) | 유기전계발광소자 | |
| KR101589744B1 (ko) | 유기전계발광소자 | |
| KR102283913B1 (ko) | 유기전계발광 소자와 이를 이용한 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법. | |
| KR20130104753A (ko) | 유기발광소자 | |
| JP2011198664A (ja) | 有機電界発光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111024 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111101 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120131 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120228 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120525 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20121003 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130205 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130507 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140218 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140618 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20140625 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140722 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140821 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5603136 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |