TWI473315B - 有機發光裝置 - Google Patents
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Description
多個實施例是有關於一種有機發光裝置。
陰極射線顯像管(CRT)顯示器已逐漸被作為一資訊顯示器以於任何時間、任何地點傳送或接收資訊之平面顯示器所取代。在平面顯示器中，液晶顯示器(LCD)係輕且具有低耗能，所以近來已為廣泛使用。然而，由於液晶顯示器係為一種被動發光型裝置，而非一自發光型裝置，所以液晶顯示器在亮度、對比度、視角、大尺寸方面或其他類似方面都有所限制。因此，為了克服上述問題，有不少研究主動投入於新的平面顯示器。在多種新的平面顯示器，有機發光二極體(OLED)裝置為一自發光型裝置，可用低電壓驅動，容易製造成薄的形狀，且具有廣視角及快反應速度的優點。
一實施例之一特徵是提供一種具有長使用壽命的有機發光裝置。
可藉由提出一種有機發光裝置以實現至少一上述特性與其他優點，此有機發光裝置包含一第一電極，此第一電極具有比銦錫氧化物(ITO)之功函數能階之絕對值小的功函數能階之絕對值，以及一面對第一電極之第二電極，以及一介於第一電極與第二電極之
間的有機層。
第一電極之金屬可包含銀、鋁、或是銀及鋁的合金。
有機層可包含一電洞注入層，此電洞注入層之一最低未佔據分子軌域之能階之絕對值係大於第一電極之金屬之功函數能階之絕對值。
有機層可包含一電洞注入層，此電洞注入層包含一非氧化物，此非氧化物之最低未佔據分子軌域之能階絕對值係大於第一電極之金屬之功函數能階之絕對值。
有機層可包含一電洞注入層，此電洞注入層包含一氧化物材料，此氧化物材料之最低未佔據分子軌域之能階之絕對值係大於第一電極之金屬之功函數能階之絕對值。
有機層可包含一電洞注入層，此電洞注入層包含一非氧化物材料，此非氧化物材料之最低未佔據分子軌域能階絕對值係大於第一電極之金屬之功函數能階之絕對值，且電洞注入層之厚度可介於大約50Å至大約100Å之間。
有機層可包含一電洞注入層，此電洞注入層包含一氧化物材料，此氧化物材料之一最低未佔據分子軌域之能階之絕對值係大於第一電極之金屬之功函數能階之絕對值，且電洞注入層之厚度係介於大約100Å至大約800Å之間。
有機層可包含一電洞注入層，而電洞注入層可包含1,4,5,8,9,12六氮雜(hexaaza)聯伸三苯(triphenylene)2,3,6,7,10,11六腈(hexacarhonitrile)、十六氟酞青銅
(hexadecafluorophthalocyaninatocopper)或其混合物。
電洞注入層可包含1,4,5,8,9,12六氮雜聯伸三苯2,3,6,7,10,11六腈及十六氟酞青銅之混合物。
有機層可包含一電洞注入層，此電洞注入層可包含MoOx(X介於2至6之間)、WxOy(x介於1至18之間，而y介於2至49之間)、或其混合物。
有機層可包含一電洞注入層，此電洞注入層可接觸第一電極。
有機層可包含一電洞注入層，而接觸此電洞注入層之第一電極的一部份可處於無氧化物狀態。
有機層的厚度係介於大約800Å至大約1,500Å之間。
第一電極可為一正電極，而第二電極可為一負電極。
第一電極的厚度可介於大約200Å至大約5,000Å之間。
也可提出一種有機發光二極體顯示器以實現至少一上述特徵以及其他優點，此有機發光二極體顯示器包含一具有金屬表面之正電極，此金屬表面包含銀與鋁中的至少一種；一有機層，該有機層包含一電洞注入層，其配置於鄰近正電極之金屬表面，此電洞注入層係配置以接收來自正電極的電洞，此電洞注入層包含1,4,5,8,9,12六氮雜聯伸三苯2,3,6,7,10,11六腈、十六氟酞青銅、氧化鉬(molybdenum oxide)和氧化鎢(tungsten oxide)的至少之一；以及一負電極，該有機層係位於正電極與負電極之間。
藉由參照附圖來詳細說明例示性實施例將讓此技術領域之工作者可更明白上述及其他特徵與優點。
第1圖 係繪示一般有機發光裝置之複數個電極與有機層之複數個最低未佔據分子軌道(HOMO)與複數個最高佔據分子軌域(LUMOs)之能階，以及有機發光裝置的工作原理與劣化原理之圖；第2圖 係繪示一實施例之有機發光裝置之元件的相對能階之圖；以及第3圖 係繪示本一實施例之一有機發光裝置。
韓國專利申請號10-2010-0028080，其於2010年3月29日向韓國智慧財產局提出申請，且其命名為「有機發光裝置」在此被納入本申請書的整體以供參考。
以下將參照附圖以更完整詳細描述例示性實施例。然而，此些實施例可用不同型態來實現，此處應不可理解成對上述實施例之限制。更確切地說，提供此些實施例將讓此揭露內容徹底且完整的，而將更完整表達本發明之範疇給此技術領域之工作者。
在圖式中，複數層以及區域之尺寸係為誇大表示以明晰繪示。應了解的是，當一層或一元件被稱為在另一層或基板”上”時，其可以是直接在另一層或基板上，或是也可能存在著複數個夾中間層。再者，應了解的是，當一層被稱為在另一層”下”時，其可以是直接在另一層下，或是也可能存在著一個或多個層。此外，應了解的是，當一層被稱為在兩層之間，其可以是僅一層位於兩層之間，或是也可能存在著一或多個夾層。全文中相似元件係以
相似參考數字標示。
第1圖繪示一般有機發光裝置之複數個電極與有機層之複數個最高佔據分子軌域(HOMO)與複數個最低未佔據分子軌域(LUMOs)之能階，以及有機發光裝置的工作原理與劣化原理之圖。
一般而言，頂部發光主動矩陣有機發光二極體(AMOLED)裝置的配置係可藉由在銦錫氧化物(ITO)上熱蒸鍍有機材料，此銦錫氧化物(ITO)係為一具有高功函數的正電極，接著，使用一適當方法，例如沉積法，形成一具有低功函數之金屬以作為一負電極。
參閱第1圖，當有機發光裝置被施加一電壓，從負電極注入的電子可累積在電洞傳輸層(HTL)與發光層(EML)之間的介面上，因此可能劣化有機分子，因而減少有機發光裝置的使用壽命。
再者，在正電極中，銦錫氧化物(ITO)的銦(In)可遷移至電洞注入層(HIL)或電洞傳輸層(HTL)，因此可能劣化有機分子，因而降低有機發光裝置的使用壽命。此外，如果由於較低銀(Ag)層上用以控制電阻值的不平坦而產生暗點，則亦可能降低有機發光裝置的使用壽命。此外，當用以形成正電極與有機層的製程係分開進行時，一意外的氧化層可能會在陽極上形成。此氧化層可能是有害的，而使得有機發光裝置的使用壽命縮短。
為了提供可用於例如可攜式產品及電視(TV)相關產品的之各種產品的有機發光裝置，在50mA/cm2下之半使用壽命(half life-span)達到500小時或以上是被期望的。因此，需要一種有長使用壽命、可抵抗電子造成的劣化、以及沒有銦(In)遷移現象的有機發光裝置。為了獲得這樣的有機發光裝置，會造成使用壽
命減少的正電極可能以金屬來取代。更詳細地說，ITO的陽極可如上述般地使用，此陽極可提供足夠高的功函數能階以致不造成與電洞注入有關問題。然而，若為了增加使用壽命而以具有低功函數的金屬來取代，電洞可能無法順暢地注入金屬與有機材料之間的介面。在此情況下，一個當降低電洞注入能障時可抵抗電子攻擊的電洞注入層(HIL)是可取的。
第2圖繪示一實施例之有機發光裝置之元件的相對能階之圖，而第3圖繪示一實施例之有機發光裝置。
請參閱第2圖及第3圖，一實施例之有機發光裝置可包含一第一電極、一面對第一電極的第二電極、以及設置於第一電極與第二電極之間的一有機層。參照作為對比之銦錫氧化物(ITO)的功函數能階，第一電極可為一功函數能階之絕對值係小於銦錫氧化物(ITO)之功函數能階之絕對值的金屬。此金屬之範例並無特別地限制。
根據一實施例，第一電極之金屬可為一具有反射性的金屬，例如銀(Ag)、鋁(Al)、或銀與鋁的合金。如此，可避免銦(In)遷移至有機層。
第一電極可為一正電極而第二電極可為一負電極。然而本實施例並不以此為限。
第二電極可為一具有例如4.3eV或更少之低功函數能階的金屬，或是複數個此類金屬之組合，且可為半透明。
參閱第3圖，本實施例之有機發光裝置的有機層可包含一電洞注入層(HIL)、一電洞傳輸層(HTL)、一發光層(EML)、一電子傳輸
層(ETL)、以及一電子注入層(EIL)，或者亦可只包含此些層之某些層的組合。
實施上，有機發光裝置之有機層包含電洞注入層(HIL)，而此電洞注入層之最低未佔據分子軌域(LUMO)之能階之絕對值係大於第一電極之金屬之最低未佔據分子軌域(LUMO)之能階之絕對值。
一般而言，可用於作為一電洞注入層(HIL)之佛波醇十四酸酯(tetradecanoylphorbol acetate，TPA)基化合物可有利於從ITO電洞注入，但是不利於電子攻擊，因而降低使用壽命。參閱第2圖，在本實施例之有機發光裝置中，電洞注入層(HIL)的最低未佔據分子軌域(LUMO)之能階之絕對值係大於第一電極之金屬之能階之絕對值。具有相對高的LUMO能階的電洞注入層(HIL)係捕捉沿著電洞傳輸層(HTL)傳輸的電子，因而避免電洞注入層(HIL)劣化。此外，由於電洞注入層(HIL)的偶極性質(dipole property)，電洞係容易從低功函數能階之正電極注入。
更詳細地說，當施加一電場，由於電洞注入層(HIL)之偶極性質，電洞注入層(HIL)之正電極會被充入正電，而電洞注入層(HIL)之負電極被充入負電。因電洞注入層(HIL)之LUMO是低的，所以從負電極所注入之電子容易落入電洞注入層(HIL)之LUMO。此外，電子會被電洞注入層(HIL)之正電荷所吸引，因此電子容易注入至電洞注入層(HIL)。因此，停留在電洞傳輸層(HTL)的電子容易遷移向正電極，因而避免電洞傳輸層的劣化。
根據一實施例，有機發光裝置之有機層包含電洞注入層(HIL)，此電洞注入層(HIL)可包含一氧化物材料或一非氧化物材料，其
LUMO之功函數能階之絕對值係大於第一電極之金屬之功函數能階之絕對值。
當電洞注入層(HIL)以非氧化材料形成時，此非氧化材料之例子可包含，但非為限制，1,4,5,8,9,12六氮雜-聯伸三苯-2,3,6,7,10,11-六腈(HATCN)、十六氟酞青銅或其混合物。
當電洞注入層(HIL)以非氧化物材料形成時，電洞注入層(HIL)之厚度可介於大約50Å至大約100Å之間。當電洞注入層之厚度在此範圍時，此裝置可具有極好的驅動特性與使用壽命特性。
當電洞注入層(HIL)以氧化物材料形成時，此氧化物材料之例子可包含，但非為限制，MoOx(x介於2至6之間)、WxOy(x介於1至18之間，y介於2至49之間)、或其混合物。
當電洞注入層(HIL)以氧化物材料形成時，電洞注入層(HIL)之厚度可介於大約100Å至大約800Å之間。當電洞注入層(HIL)的厚度在此範圍內時，此裝置可具有極好的驅動特性與使用壽命特性。
根據一此實施例，有機發光裝置之有機層包含電洞注入層(HIL)，此電洞注入層(HIL)係接觸第一電極。
在實施上，一實施例之有機發光裝置可在一無氧狀況下製造，例如一真空狀況。因此，第一電極接觸電洞注入層之一部分可為一無氧化物狀態。
根據一實施例，在有機發光裝置中，有機層之厚度可介於大約800Å至大約1,500Å之間，而第一電極之厚度可介於大約200Å
至大約5,000Å之間。當有機層之厚度與第一電極之厚度在這些範圍內時，此裝置可具有極好的驅動特性與使用壽命特性。
以下，將參照第3圖以說明一實施例之有機發光裝置之製造方法。第3圖係繪示一實施例之有機發光裝置。參閱第3圖，有機發光裝置包含一基板、一第一電極(正電極)、一電洞注入層(HIL)、一電洞傳輸層(HTL)、一發光層(EML)、一電子傳輸層(ETL)、一電子注入層(EIL)、以及一第二電極(負電極)。
首先，作為其功函數能階之絕對值係低於ITO之功函數能階之絕對值的金屬之第一電極材料可例如使用沉積或濺鍍方法形成於一基板上，以形成一第一電極。
隨後的各層係在無氧狀況下依序形成，例如在真空下、或是一氬氣或氮氣環境下。
第一電極可構成一陽極或一陰極。此基板可為一常用於有機發光裝置之基板，且可包含例如玻璃基板或透明塑膠基板，其具有極好的機械強度、熱穩定性、透明度、表面平坦性、處理便利性以及防水性。第一電極材料可為其功函數能階之絕對值係低於ITO功函數能階之絕對值之金屬，例如銀、鋁或其合金，而第一電極可為透明或具反射性之電極。
接著，可使用例如真空沉積法將電洞注入層(HIL)形成於第一電極上。在其他實施方式，可使用例如旋轉塗佈法、鑄造法、Langmuir-Blodgett(LB)沉積法或其他類似方法，將電洞注入層形成於第一電極上。
當使用真空沉積法來形成電洞注入層時，沉積的操作條件可根據
用於形成電洞注入層(HIL)的化合物及欲形成之電洞注入層(HIL)的結構與熱特性而有所變化。例如，沉積的操作條件可包含一介於100℃至500℃之間的沉積溫度、一介於10-8torr至10-3torr之間的真空壓力、以及一介於0.01Å/sec至100Å/sec之間的沉積速率。
當使用旋轉塗佈法來形成電洞注入層(HIL)時，塗佈的操作條件可根據用於形成電洞注入層(HIL)的化合物及欲形成之電洞注入層(HIL)的結構與熱特性而有所變化。例如，塗佈的操作條件可包含一介於大約2000rpm至大約5,000rpm的塗佈速度，以及一介於80℃至大約200℃之間的熱處理溫度，其中熱處理係為了在塗佈後移除溶劑。
用於形成電洞注入層(HIL)之材料例子可包含1,4,5,8,9,12-六氮雜-聯伸三苯-2,3,6,7,10,11-六腈、十六氟酞青銅、MoOx(x係介於2至6之範圍內)、WxOy(x介於1至18之範圍內，y介於2至大約49之範圍內)、或其混合物。
當電洞注入層(HIL)為非氧化物材料時(例如1,4,5,8,9,12-六氮雜-聯伸三苯-2,3,6,7,10,11-六腈、十六氟酞青銅或其組合)，電洞注入層(HIL)的厚度可為大約50Å至大約100Å。當電洞注入層(HIL)為氧化物材料時(例如MoOx(x介於大約2至大約6的範圍內)、WxOy(x介於1到大約18的範圍內，y介於2至49的範圍內)、或其組合)，電洞注入層(HIL)的厚度可為大約100Å至大約800Å之間。當電洞注入層(HIL)的厚度在上述範圍內時，此裝置可以有極好的驅動特性以及使用壽命特性。
接著，可使用多種方法將電洞傳輸層(HTL)形成於電洞注入層(HIL)上，例如真空沉積法、旋轉塗佈法、鑄造法、LB沉積法或其他類似的方法。當電洞傳輸層(HTL)使用真空沉積法或旋轉塗佈法形成時，雖然沉積或塗佈的操作條件係根據用以形成電洞傳輸層之材料而有所改變，但沉積或塗佈的操作條件與前述形成電洞注入層的條件可能相似。
電洞傳輸層材料之例子可包含，但非為限制，咔唑(cabazol)衍生物，例如N-苯基咔唑(N-phenylcarbazol)或聚乙烯咔唑(polyvinylcarbazol)，以及具有芳香族縮合環之胺衍生物，例如NPB、N,N’雙(3甲基苯基)N,N’二苯基[1,1聯苯]-4,4’-二胺(TPD)或N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯聯苯胺(α-NPD)。
電洞傳輸層(HTL)的可介於大約50Å至大約1,000Å之間，例如厚度100Å至大約700Å。當電洞傳輸層(HTL)的厚度在上述範圍內，不需大量增加驅動電壓，此電洞傳輸層(HTL)即可有極好的電洞傳輸特性。
接著，可使用多種方法在電洞傳輸層(HTL)上形成發光層(EML)，例如使用真空沉積法、旋轉塗佈法、或是Langmuir-Blodgett
(LB)沉積法或是其他類似方法。當發光層(EML)係使用真空沉積法或旋轉塗佈法來形成時，即使沉積或塗佈的操作條件會根據用以形成發光層(EML)的材料而有所變化，其可能與前述形成電洞注入層(HIL)的操作條件相似。
發光層(EML)可用多種發光材料來形成，例如主體(host)和摻雜體(dopant)。用於形成發光層的摻雜體可包含，例如螢光摻雜體或是磷光摻雜體。
主體之例子可包含，但非為限制，Alq3、4,4’N,N’二咔唑-聯苯(CPB)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)及二苯乙烯芳香族(distyrylarylene，DSA)。
紅色摻雜體之例子可包含，但非為限制，八乙基卟啉鉑(platinum(II)octaethylporphyrin，PtOEP)、Ir(piq)3、Btp2Ir(acac)及DCJTB。
綠色摻雜體之例子可包含，但非為限制，Ir(ppy)3(其中“ppy”係指苯吡啶((phenylpyridine)),Ir(ppy)2(acac)、Ir(mpyp)3及C545T。
藍色摻雜體之例子可包含，但非為限制，F2Irpic、(F2ppy)2Ir(tmd)、Ir(dfppz)3、三芴化合物(ter-fluorene)、4,4’-雙(4-二苯基胺基苯乙烯)聯苯(DPAVBi)及2,5,8,11-四叔丁基苝(TBP)。
基於100重量份(parts by weight)之發光層材料，其等於主體與摻雜體摻雜體的全部重量，摻雜體之含量可為大約0.1至大約20重量份，或是大約0.5至大約12重量份。當摻雜體的量在上述範圍內時，可大大地避免濃度淬熄現象。
發光層(EML)的厚度可介於介於100Å至大約1,000Å之間，例如大約200Å至大約600Å。當發光層的厚度在上述範圍內時，則不須大量增加驅動電壓，此發光層(EML)即可有極好的發光特性。
當發光層(EML)包含一磷光摻雜體時，可在發光層上形成一電洞阻隔層(HBL，未顯示於第3圖)，以避免三重態激子洞或電擴散至電子傳輸層(EML)內。在此情況下，可由一般電洞阻隔層材料來形成此電洞阻隔層(HBL)，其例子可包含，但非為限制，噁二唑(oxadiazole)衍生物、三唑(triazole)衍生物、菲囉啉(phenanthroline)衍生物、Balq及BCP。
電洞阻隔層(HBL)的厚度係介於大約50Å至大約1,000Å之間，例如大約50Å至大約100Å之間。提供厚度大約50Å或以上可協助避免電洞阻隔特性劣化。而提供厚度大約1000Å或以下可協助避免有機發光裝置的驅動電壓增加。
接著，可使用多種方法將電子傳輸層(ETL)形成於發光層(或電洞阻隔層)上，例如真空沉積法、旋轉塗佈法、鑄造法或其他類似方法。當使用真空沉積法或旋轉塗佈法來形成電子傳輸層(ETL)時，雖然沉積與塗佈的操作條件係根據用以形成電子傳輸層之材
料而改變，但沉積與塗佈的操作條件可與前述形成電洞注入層(HIL)之條件相似。
電子傳輸層(ETL)可用一般電子傳輸層材料來形成，其例子包括，但非為限制，喹啉(quinoline)衍生物，例如三(8喹啉酸)鋁(Alq3)、TAZ及Balq。
電子傳輸層(ETL)之厚度可介於大約100Å至大約1,000Å之間，例如大約100Å至大約500Å之間。當電子傳輸層之厚度在上述範圍內時，不須大量增加驅動電壓，此電子傳輸層(ETL)即可具有極好的電子傳輸特性。
此外，可在電子傳輸層(ETL)上形成一電子注入層(EIL)，其作用係促進電子從負電極注入。電子注入層可由例如氟化鋰(LiF)、氯化鈉(NaCl)、氟化銫(CsF)、氧化鋰(Li2O)、氧化鋇(BaO)、或其他相似材料來形成。雖然沉積或塗佈的操作條件係根據用以形成電子注入層(EIL)的材料而有所改變，但用於形成電子注入層(EIL)之沉積或塗佈的操作條件可與前述形成電洞注入層(HIL)時的操作條件相似。
電子注入層(EIL)的厚度可介於大約1Å至大約100Å之間，例如大約5Å至大約90Å之間。當電子注入層(EIL)的厚度在上述範圍內時，不需大量提高驅動電壓，此電子注入層(EIL)即可具有極好的電子注入特性。
最後，可使用例如真空沉積法、濺鍍法或其他相似方法，將第二電極形成於電子注入層(EIL)上。第二電極可構成為一陰極或一陽極。形成第二電極的材料可包含具有低功函數的金屬、合金或具導電性之化合物、或是其混合物。此材料之例子可包含，但非為限制，鋰(Li)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁鋰合金(Al Li)、鈣(Ca)、鎂銦合金(Mg-In)、及鎂銀合金(Mg-Ag)。此外，為了製造一頂部發光型有機發光裝置，可用由透明材料，例如銦錫氧化物
(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)，所形成透明陰極來作為第二電極。
根據此實施例之有機發光裝置可包含於多種平面類型之平面顯示裝置，例如被動矩陣有機發光顯示裝置或主動矩陣有機發光顯示裝置。特別的是，當此有機發光裝置係包含在具有薄膜電晶體之主動矩陣有機發光顯示裝置時，基板上的第一電極可作用為一像素電極，其電性連接薄膜電晶體之源極電極或汲極電極。
以下，將參照以下數個範例以詳細說明本發明之一或多個實施例。此些範例並不為限制此一或多個實施例之目的與範疇。
一陽極之製備係將一15Ω cm2(1200Å)之康寧(Corning)ITO玻璃基板裁切為50mm×50mm×0.7mm尺寸，並分別使用異丙醇與純水進行超音波清潔5分鐘，接著進行熱處理4個小時。接著，將陽極設置於真空沉積裝置。維持真空狀態下進行熱蒸鍍以連續形成接續之各層。
使用熱蒸鍍法將作為正電極之具有低功函數的鋁，於基板上形成1,500Å的厚度。
以7：3的沉積率在正電極上沉積出50Å厚度的1,4,5,8,9,12-六氮雜-聯伸三苯-2,3,6,7,10,11-六腈及十六氟酞青銅，以作為一電洞注入層(HIL)，而在電洞注入層(HIL)上沉積出450Å厚度的N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯聯苯胺(NPB)以作為一電洞傳輸層(HTL)。
一發光層(EML)係形成於電洞傳輸層(HTL)上，將主體9,10二(萘-2-基)蒽(ADN)與摻雜體4,4'(雙(9乙基3咔唑伸乙烯基)-1,1'-聯苯(BCzVBi)以4%沉積率進行摻雜，以形成厚度150Å的發光層(EML)。
接著，以雙(10-羥基苯並[h]喹啉)鈹(Bebq2)沉積出200Å厚度以作為一電子傳輸層(ETL)，在電子傳輸層(ETL)上沉積出厚度10Å的氟化鋰(LiF)以作為一電子注入層(EIL)，接著在電子注入層(EIL)上以10：1沉積率沉殿出140Å厚度的鎂銀合金(MgAg)以作為一負電極。
有機層之厚度為860Å。
形成厚度70Å的銦錫氧化物(ITO)以作為正電極。形成正電極的製程以及剩餘的製程係分別執行，且在形成正電極的製程與剩餘的製程之間係存在氧氣環境。特別地，與形成正電極之製程相分隔，在真空下形成厚度650Å的N,N’二苯基N,N’雙[4(苯基m甲苯基胺基)苯基]聯苯4,4’二胺(DNTPD)以作為一電洞注入層，由如同範例1之相同材料所形成的電洞傳輸層(HTL)係以650Å厚度形成，由如同範例1之相同材料所形成的發光層(EML)係以200Å厚度形成，由如同範例1之相同材料所形成的電子傳輸層(ETL)係以300Å厚度形成，由如同範例1之相同材料所形成的電子注入層(EIL)係以10Å厚度形成，接著如同範例1之相同材料所形成的負電極係以200Å厚度形成，以製造出有機發光裝置。
有機層之厚度係為1,810Å。
關於範例1及對照範例1所製造的有機發光裝置，對其電流-電壓特性、發光效率與使用壽命進行量測。
量測結果係顯示於下列表1。
參閱表1，範例一所製備之有機發光裝置的驅動電壓係低於對照範例一所製備之有機發光裝置的驅動電壓。此外，關於發光效率與使用壽命，範例一所製備之有機發光裝置相較於對照範例1之有機發光裝置是極好的。
一實施例之有機發光裝置可使用一金屬來作為一正電極。如此，因銦(In)不會遷移，而有機發光裝置可抵抗電子攻擊，如此可獲得一長使用壽命。有機發光裝置可包含一金屬，其係作為功函數能階之絕對值小於銦錫氧化物(ITO)之功函數能階之絕對值的第一電極。
一實施例之有機發光裝置可使用一電洞注入層(HIL)。如此，電洞可順暢地注入，而有機發光裝置可抵抗電子攻擊，因而得到一
長使用壽命。
此具有作為正電極之金屬以及電洞注入層的有機發光裝置，可用於形成一有長使用壽命且無暗點的薄膜裝置。
一實施例之有機發光裝置可用一原位製程(in-situ process)來製造，如此正電極之上半部可不被氧化，藉此可得到長的使用壽命。
在此已揭露例示性實施例，採用的具體用語係僅用以在一般與描述意義下進行解釋，並非為了限制之目的。因此，所屬領域中具有通常知識者應了解可在未脫離後附之申請專利範圍所規定之本發明之精神與範疇中，而對其進行各種形式的修改與說明。
Claims (14)
- 一種有機發光裝置，其包含：一第一電極，該第一電極的功函數能階之絕對值係低於銦錫氧化物(ITO)的功函數能階之絕對值；一面對該第一電極之第二電極；以及一介於該第一電極與該第二電極之間的有機層，其中該有機層包含由主體及摻雜體所形成之發光層，且其中基於100重量份之該發光層，其等於該主體與該摻雜體的全部重量，該摻雜體之含量為大約0.1至大約20重量份；其中該有機層包含一電洞注入層，該電洞注入層包含1,4,5,8,9,12-六氮雜-聯伸三苯-2,3,6,7,10,11-六腈及十六氟酞青銅的混合物。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該第一電極之金屬包含銀、鋁或一銀與鋁之合金。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該電洞注入層之一最低未佔據分子軌域之能階之絕對值係大於該第一電極之金屬之功函數能階之絕對值。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該電洞注入層包含一非氧化物材料，該非氧化物材料之一最低未佔據分子軌域之能階之絕對值係大於該第一電極之金屬之功函數能階之絕對值。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該電洞注入層 包含一氧化物材料，該氧化物材料之一最低未佔據分子軌域之能階之絕對值係大於該第一電極之金屬之功函數能階之絕對值。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該電洞注入層包含一非氧化物材料，該非氧化物材料之一最低未佔據分子軌域之能階之絕對值係大於該第一電極之金屬之功函數能階之絕對值，且該電洞注入層之厚度係大約50Å至大約100Å。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該電洞注入層包含一氧化物材料，該氧化物材料之一最低未佔據分子軌域之能階之絕對值係大於該第一電極之金屬之功函數能階之絕對值，且該電洞注入層之厚度係大約100Å至大約800Å。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該電洞注入層包含MoOx(x介於2至6之間)、WxOy(x介於1至18之間，y介於2至49之間)、或其混合物。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該電洞注入層係接觸該第一電極。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中接觸該電洞注入層之該第一電極的一部份係處於無氧化物狀態。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該有機層之厚度係介於大約800Å至大約1,500Å。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該第一電極係為一正電極，而該第二電極係為一負電極。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該第一電極之厚度係介於大約200Å至大約5,000Å之間。
- 一種有機發光二極體顯示器，其包含：一正電極，其具有一金屬表面，該金屬表面包含銀與鋁中的至 少一種；一有機層，該有機層包含一位於接近該正電極之該金屬表面的一電洞注入層，該電洞注入層係配置以接收來自該正電極的電洞，該電洞注入層包含1,4,5,8,9,12-六氮雜-聯伸三苯-2,3,6,7,10,11-六腈及十六氟酞青銅的混合物；以及一負電極，該有機層係位於該正電極與該負電極之間，其中該有機層包含由主體及摻雜體所形成之發光層，且其中基於100重量份之該發光層，其等於該主體與該摻雜體的全部重量，該摻雜體之含量為大約0.1至大約20重量份。
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