CN1988207A - 一种有机发光器件金属阳极的处理方法 - Google Patents

一种有机发光器件金属阳极的处理方法 Download PDF

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陈科
肖田
黄浩
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Abstract

一种有机发光器件金属阳极的处理方法,涉及电子显示器件技术领域;该处理方法的特征在于,将金属阳极的基板在含有氧成分的等离子中进行金属的表面氧化处理,即将基板放入充有含氧混合气体的、设有射频电场的等离子处理腔中进行表面氧化处理,使金属阳极表面产生一薄层氧化物,从而提高金属表面的功函数,增加空穴注入能力。所述金属可以是银或镍。本发明能方便得把金属阳极转变成为一个性能优异的有机发光器件的阳极,使表面设有薄层金属的氧化物的金属阳极材料的功函数能达到5电子伏特以上,使它具有很高的空穴注入性能,提高有机发光器件的亮度与效率,而且处理的方法简单,与目前的有机发光器件的制造设备兼容。

Description

一种有机发光器件金属阳极的处理方法
技术领域
本发明涉及电子显示器件技术领域,特别是涉及一种有机发光器件金属阳极的处理技术。
背景技术
目前有机发光器件的阳极通常使用氧化铟锡材料,这是因为氧化铟锡有较高的功函数,有助于空穴的注入,而且氧化铟锡是种透明的导电材料,使器件的发光可以通过它释放出来。但是对于顶发射器件,器件发光可以通过透明的阴极释放出来,不需要阳极具有透明的特性,增加了阳极的选择范围。由于氧化铟锡的导电性不是特别理想,而且价格比较贵,缺少光反射特性,不适合做顶发射器件的阳极,通常选用高功函数的金属作为顶发射器件的阳极,常用的金属有镍、金等,而镍的导电性较差,通常要使用较复杂的电子束成膜设备,而且镍膜的内部张力很大,不利于它在基板上的附着性容易从基板上脱落,而金是金黄色的,会影响显示器件的正常颜色,而且金的价格较贵,基板的附着性也很差,不是理想的材料。银是一种较好的材料,可以用简单的热蒸发成膜设备,导电性好,而且在基板上的附着比较好,但它的功函数比较低只有4.3电子伏特,而一般的阳极材料的功函数都在5电子伏特以上,单纯用银做阳极,空穴注入特性不好,导致亮度低,驱动电压高。
发明内容
针对上述现有技术中存在的缺陷,本发明所要解决的技术问题是提供一种有机发光器件金属阳极的处理方法,能克服上述金属作为阳极的缺点,使其的性能与氧化铟锡相当,甚至超过氧化铟锡的性能。
为了解决上述技术问题,本发明所提供的一种有机发光器件金属阳极的处理方法,其特征在于,将设有金属阳极的基板在含有氧成分的等离子中进行金属的表面氧化处理,即将所述基板放入充有含氧混合气体的、设有射频电场的等离子处理腔中进行表面氧化处理,使金属阳极表面产生一薄层金属的氧化物,从而提高金属表面的功函数,增加了空穴的注入能力,提高了亮度,降低了驱动电压。
所述薄层金属的氧化物的厚度为0.1-50纳米。
所述含氧混合气体中还含有氩气。
所述金属可以是银,也可以是镍。
利用本发明提供的有机发光器件金属阳极的处理方法,由于采用将附有金属阳极的基板在含有氧成分的等离子中进行金属的表面处理的技术,本发明可以方便得把银和镍等阳极转变成为一个性能优异的有机发光器件的阳极,使阳极表面产生薄层金属的氧化物,使金属阳极的表面功函数能达到5电子伏特以上,使它具有很高的空穴注入性能,提高有机发光器件的亮度与效率,而且处理的方法简单,与目前的有机发光器件的制造设备兼容。
具体实施方式
以下对本发明的实施例作进一步详细描述,但本实施例并不用于限制本发明,凡是采用本发明的相似方法及其相似变化,均应列入本发明的保护范围。
本发明实施例所提供的一种有机发光器件银阳极的处理方法是,在等离子处理腔中充入氩氧混合气,氧气的流量为10标准毫升/分钟,氩气的流量为100标准毫升/分钟,混合气的压强为6.5帕斯卡,在混合气中加射频电场,从而激发等离子,将基板放入其中进行处理。射频的频率为13.6兆赫,功率密度为1250瓦/平方米,处理时间为15秒;在经过银表面处理后,比不处理的银阳极器件在同样电压下的亮度提高一倍以上。
本发明实另一施例所提供的一种有机发光器件银阳极的处理方法是,在等离子处理腔中充入氩氧混合气,氧气的流量为20标准毫升/分钟,氩气的流量为100标准毫升/分钟,混合气的压强为6.5帕斯卡,在混合气中加射频电场,从而激发等离子,将基板放入其中进行处理。射频的频率为13.6兆赫,功率密度为1250瓦/平方米,处理时间为60秒。
本发明实施例所提供的一种有机发光器件镍阳极的处理方法是,在等离子处理腔中充入氩氧混合气,氧气的流量为10标准毫升/分钟,氩气的流量为100标准毫升/分钟,混合气的压强为6.5帕斯卡,在混合气中加射频电场,从而激发等离子,将基板放入其中进行处理。射频的频率为13.6兆赫,功率密度为1250瓦/平方米,处理时间为90秒;在经过镍表面处理后,比不处理的镍阳极器件在同样电压下的亮度提高一倍以上。
本发明实另一施例所提供的一种有机发光器件镍阳极的处理方法是,在等离子处理腔中充入氩氧混合气,氧气的流量为20标准毫升/分钟,氩气的流量为100标准毫升/分钟,混合气的压强为6.5帕斯卡,在混合气中加射频电场,从而激发等离子,将基板放入其中进行处理。射频的频率为13.6兆赫,功率密度为1250瓦/平方米,处理时间为60秒。

Claims (5)

1、一种有机发光器件金属阳极的处理方法,其特征是,即将所述基板放入充有含氧混合气体的、设有射频电场的等离子处理腔中进行表面氧化处理,使金属阳极表面产生一薄层金属的氧化物。
2、根据权利要求1所述的有机发光器件金属阳极的处理方法,其特征是,所述薄层金属的氧化物的厚度为0.5-50纳米。
3、根据权利要求1所述的有机发光器件金属阳极的处理方法,其特征是,所述含氧混合气体中含有氩气。
4、根据权利要求1、2或3所述的有机发光器件金属阳极的处理方法,其特征是,所述金属为银。
5、根据权利要求1、2或3所述的有机发光器件金属阳极的处理方法,其特征是,所述金属为镍。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102208430A (zh) * 2010-03-29 2011-10-05 三星移动显示器株式会社 有机发光装置和有机发光二极管显示器
CN102610765A (zh) * 2012-04-06 2012-07-25 复旦大学 一种提高氧化铟锡透明导电膜表面功函数的表面修饰方法
CN105895830A (zh) * 2016-04-27 2016-08-24 华南师范大学 一种有机发光二极管ito电极的制备方法
CN109411637A (zh) * 2018-11-30 2019-03-01 湖畔光电科技(江苏)有限公司 一种顶发射有机发光二极管金属阳极的处理方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102208430A (zh) * 2010-03-29 2011-10-05 三星移动显示器株式会社 有机发光装置和有机发光二极管显示器
CN102208430B (zh) * 2010-03-29 2014-05-07 三星显示有限公司 有机发光装置和有机发光二极管显示器
US9159947B2 (en) 2010-03-29 2015-10-13 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
CN102610765A (zh) * 2012-04-06 2012-07-25 复旦大学 一种提高氧化铟锡透明导电膜表面功函数的表面修饰方法
CN105895830A (zh) * 2016-04-27 2016-08-24 华南师范大学 一种有机发光二极管ito电极的制备方法
CN109411637A (zh) * 2018-11-30 2019-03-01 湖畔光电科技(江苏)有限公司 一种顶发射有机发光二极管金属阳极的处理方法

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