JP2000133466A - 表面改質ｉｔｏ膜、その表面処理方法およびそれを用いた電荷注入型発光素子 - Google Patents
表面改質ｉｔｏ膜、その表面処理方法およびそれを用いた電荷注入型発光素子Info
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- JP2000133466A JP2000133466A JP10319880A JP31988098A JP2000133466A JP 2000133466 A JP2000133466 A JP 2000133466A JP 10319880 A JP10319880 A JP 10319880A JP 31988098 A JP31988098 A JP 31988098A JP 2000133466 A JP2000133466 A JP 2000133466A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 面抵抗の増加を引き起こすことなくＩＴＯ膜
の仕事関数を増加させるＩＴＯ膜の表面処理方法、およ
び表面改質を行ったＩＴＯ膜を有機発光素子の陽極とし
て用いることで極めて輝度の高い電荷注入型発光素子を
得ることができる。 【解決手段】 １０〜８０ｅＶのエネルギー範囲にある
酸素イオン又は電子をＩＴＯ膜に照射して表面改質を行
うＩＴＯ膜の表面処理方法、およびその表面改質を行っ
た表面改質ＩＴＯ膜を電極として用いた電荷注入型発光
素子。
の仕事関数を増加させるＩＴＯ膜の表面処理方法、およ
び表面改質を行ったＩＴＯ膜を有機発光素子の陽極とし
て用いることで極めて輝度の高い電荷注入型発光素子を
得ることができる。 【解決手段】 １０〜８０ｅＶのエネルギー範囲にある
酸素イオン又は電子をＩＴＯ膜に照射して表面改質を行
うＩＴＯ膜の表面処理方法、およびその表面改質を行っ
た表面改質ＩＴＯ膜を電極として用いた電荷注入型発光
素子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸素イオン又は電
子を用いて低抵抗率、高仕事関数を有するＩＴＯ膜の表
面処理方法に関するものである。
子を用いて低抵抗率、高仕事関数を有するＩＴＯ膜の表
面処理方法に関するものである。
【０００２】また、本発明は発光性物質からなる発光層
を有し、電界を印加した際、電極から注入された電荷が
再結合することにより、直接光エネルギーに変換できる
電荷注入型発光素子に関するものであり、詳しくは酸素
イオン又は電子を照射して表面改質を行ったＩＴＯ膜を
電極として用いた電荷注入型発光素子関する。
を有し、電界を印加した際、電極から注入された電荷が
再結合することにより、直接光エネルギーに変換できる
電荷注入型発光素子に関するものであり、詳しくは酸素
イオン又は電子を照射して表面改質を行ったＩＴＯ膜を
電極として用いた電荷注入型発光素子関する。
【０００３】
【従来の技術】液晶あるいは有機発光素子等に使用され
るＩＴＯ膜（透明導電性膜）は、その普及に伴って高性
能化の要求が高まっており、特にＩＴＯ膜の低抵抗率
化、さらには電極としての電荷の注入性の高効率化が強
く望まれている。
るＩＴＯ膜（透明導電性膜）は、その普及に伴って高性
能化の要求が高まっており、特にＩＴＯ膜の低抵抗率
化、さらには電極としての電荷の注入性の高効率化が強
く望まれている。
【０００４】従来、ＩＴＯ膜を基板等に成膜するには、
真空蒸着あるいはスタッパリング等のドライプロセスに
よる成膜方法が一般的に行われている。しかしながら、
真空蒸着あるいはスパッタリングにより得られたＩＴＯ
膜は、ＩＴＯの結晶性が成膜時の基板温度及び成膜速度
に依存するため、物理的な表面形状（面粗さ）や結晶面
に係るＩＴＯ膜の仕事関数を大きく改善することは困難
であり、有機発光素子等の電極としての機能（電荷注入
性）を向上させることは不可能であった。
真空蒸着あるいはスタッパリング等のドライプロセスに
よる成膜方法が一般的に行われている。しかしながら、
真空蒸着あるいはスパッタリングにより得られたＩＴＯ
膜は、ＩＴＯの結晶性が成膜時の基板温度及び成膜速度
に依存するため、物理的な表面形状（面粗さ）や結晶面
に係るＩＴＯ膜の仕事関数を大きく改善することは困難
であり、有機発光素子等の電極としての機能（電荷注入
性）を向上させることは不可能であった。
【０００５】一方、有機材料の電界発光現象は１９６３
年にポープ（Ｐｏｐｅ）らによってアントラセン単結晶
で観測され（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．３８（１９６
３）２０４２）、それに続き１９６５年にヘルフリッヒ
（Ｈｅｌｆｉｎｃｈ）とシュナイダー（Ｓｃｈｎｅｉｄ
ｅｒ）は注入効率の良い溶液電極系を用いる事により比
較的強い注入型ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）の観
測に成功している（Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．１４
（１９６５）２２９）。
年にポープ（Ｐｏｐｅ）らによってアントラセン単結晶
で観測され（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．３８（１９６
３）２０４２）、それに続き１９６５年にヘルフリッヒ
（Ｈｅｌｆｉｎｃｈ）とシュナイダー（Ｓｃｈｎｅｉｄ
ｅｒ）は注入効率の良い溶液電極系を用いる事により比
較的強い注入型ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）の観
測に成功している（Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．１４
（１９６５）２２９）。
【０００６】それ以来、米国特許３，１７２，８６２
号、米国特許３，１７３，０５０号、米国特許３，７１
０，１６７号、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．４４（１９６
６）２９０２、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．５０（１９６
９）１４３６４、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．５８（１９
７３）１５４２、あるいはＣｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ
ｔ．３６（１９７５）３４５等に報告されている様に、
共役の有機ホスト物質と縮合ベンゼン環を持つ共役の有
機活性化剤とで有機発光性物質を形成する研究が行われ
た。ナフタレン、アンスラセン、フェナンスレン、テト
ラセン、ピレン、ベンゾピレン、クリセン、ピセン、カ
ルバゾール、フルオレン、ビフェニル、ターフェニル、
トリフェニレンオキサイド、ジハロビフェニル、トラン
ス−スチルベン及び１，４−ジフェニルブタジエン等が
有機ホスト物質の例として示され、アンスラセン、テト
ラセン、及びペンタセン等が活性化剤の例として挙げら
れた。しかしこれらの有機発光性物質はいずれもｌμｍ
以上をこえる厚さを持つ単一層として存在し、発光には
高電界が必要であった。この為、真空蒸着法による薄膜
素子の研究が進められた（例えばＴｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ
Ｆｉｌｍｓ ９４（１９８２）１７１、Ｐｏｌｙｍｅ
ｒ ２４（１９８３）７４８、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．２５（１９８６）Ｌ７７３）。しかし薄膜化
は駆動電圧の低減には有効ではあったが、実用レベルの
高輝度の素子を得るには至らなかった。
号、米国特許３，１７３，０５０号、米国特許３，７１
０，１６７号、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．４４（１９６
６）２９０２、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．５０（１９６
９）１４３６４、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．５８（１９
７３）１５４２、あるいはＣｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ
ｔ．３６（１９７５）３４５等に報告されている様に、
共役の有機ホスト物質と縮合ベンゼン環を持つ共役の有
機活性化剤とで有機発光性物質を形成する研究が行われ
た。ナフタレン、アンスラセン、フェナンスレン、テト
ラセン、ピレン、ベンゾピレン、クリセン、ピセン、カ
ルバゾール、フルオレン、ビフェニル、ターフェニル、
トリフェニレンオキサイド、ジハロビフェニル、トラン
ス−スチルベン及び１，４−ジフェニルブタジエン等が
有機ホスト物質の例として示され、アンスラセン、テト
ラセン、及びペンタセン等が活性化剤の例として挙げら
れた。しかしこれらの有機発光性物質はいずれもｌμｍ
以上をこえる厚さを持つ単一層として存在し、発光には
高電界が必要であった。この為、真空蒸着法による薄膜
素子の研究が進められた（例えばＴｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ
Ｆｉｌｍｓ ９４（１９８２）１７１、Ｐｏｌｙｍｅ
ｒ ２４（１９８３）７４８、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．２５（１９８６）Ｌ７７３）。しかし薄膜化
は駆動電圧の低減には有効ではあったが、実用レベルの
高輝度の素子を得るには至らなかった。
【０００７】しかし近年タン（Ｔａｎｇ）らは（Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１（１９８７）９１３ある
いは米国特許４，３５６，４２９号）、陽極と陰極との
間に２つの極めて薄い層（電荷輸送層と発光層）を真空
蒸着で積層したＥＬ素子を考案し、低い駆動電圧で高輝
度を実現した。この種の積層型有機ＥＬデバイスはその
後も活発に研究され、例えば特開昭５９−１９４３９３
号公報、米国特許４，５３９，５０７号、特開昭５９−
１９４３９３号公報、米国特許４，７２０，４３２号、
特開昭６３−２６４６９２号公報、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．Ｌｅｔｔ．５５（１９８９）１４６７、特開平３−
１６３１８８等に記載されている。
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１（１９８７）９１３ある
いは米国特許４，３５６，４２９号）、陽極と陰極との
間に２つの極めて薄い層（電荷輸送層と発光層）を真空
蒸着で積層したＥＬ素子を考案し、低い駆動電圧で高輝
度を実現した。この種の積層型有機ＥＬデバイスはその
後も活発に研究され、例えば特開昭５９−１９４３９３
号公報、米国特許４，５３９，５０７号、特開昭５９−
１９４３９３号公報、米国特許４，７２０，４３２号、
特開昭６３−２６４６９２号公報、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．Ｌｅｔｔ．５５（１９８９）１４６７、特開平３−
１６３１８８等に記載されている。
【０００８】また更にＪｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．２７（１９８８）Ｌ２６９．Ｌ７１３には、キャリ
ア輸送と発光の機能を分離した３層構造のＥＬ素子が報
告されており、発光色を決める発光層の色素の選定に際
してもキヤリヤ輸送性能の制約が緩和され選択の自由度
がかなり増し、更には中央の発光層にホールと電子（あ
るいは励起子）を有効に閉じ込めて発光の向上をはかる
可能性も示唆される。
ｓ．２７（１９８８）Ｌ２６９．Ｌ７１３には、キャリ
ア輸送と発光の機能を分離した３層構造のＥＬ素子が報
告されており、発光色を決める発光層の色素の選定に際
してもキヤリヤ輸送性能の制約が緩和され選択の自由度
がかなり増し、更には中央の発光層にホールと電子（あ
るいは励起子）を有効に閉じ込めて発光の向上をはかる
可能性も示唆される。
【０００９】積層型有機ＥＬ素子の作成には、一般に真
空蒸着法が用いられているが、キャスティング法によっ
てもかなりの明るさの素子が得られる事が報告されてい
る（例えば、第５０回応物学会学術講演会講演予稿集ｌ
００６（１９８９）及び第５０回応物学会学術講演会講
演予稿集１０４１（１９９０））。
空蒸着法が用いられているが、キャスティング法によっ
てもかなりの明るさの素子が得られる事が報告されてい
る（例えば、第５０回応物学会学術講演会講演予稿集ｌ
００６（１９８９）及び第５０回応物学会学術講演会講
演予稿集１０４１（１９９０））。
【００１０】更には、ホール輸送化合物としてポリビニ
ルカルバゾール、電子輸送化合物としてオキサジアゾー
ル誘導体及び発光体としてクマリン６を混合した溶液か
ら浸漬塗布法で形成した混合１層型ＥＬ素子でもかなり
高い発光効率が得られる事が報告されている（例えば、
第３８回応物関係連合講演会講演予稿集１０８６（１９
９１））。上述の様に有機ＥＬデバイスにおける最近の
進歩は著しく広汎な用途の可能性を示峻している。
ルカルバゾール、電子輸送化合物としてオキサジアゾー
ル誘導体及び発光体としてクマリン６を混合した溶液か
ら浸漬塗布法で形成した混合１層型ＥＬ素子でもかなり
高い発光効率が得られる事が報告されている（例えば、
第３８回応物関係連合講演会講演予稿集１０８６（１９
９１））。上述の様に有機ＥＬデバイスにおける最近の
進歩は著しく広汎な用途の可能性を示峻している。
【００１１】しかしそれらの研究の歴史はまだまだ浅
く、未だその材料研究やデバイス化への研究は十分なさ
れていない。現状では更なる高輝度の光出力や長時間の
使用による経時変化や酸素を含む雰囲気気体や湿気など
による劣化等の耐久性の面に未だ問題があった。
く、未だその材料研究やデバイス化への研究は十分なさ
れていない。現状では更なる高輝度の光出力や長時間の
使用による経時変化や酸素を含む雰囲気気体や湿気など
による劣化等の耐久性の面に未だ問題があった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、この様な従
来技術の問題点を解決するために成されたものであり、
スパッタリング法などにより得られたＩＴＯ膜の表面領
域における物理的及び電気的性質を改質し、面抵抗の増
加を引き起こすことなくＩＴＯ膜の仕事関数を増加させ
ることができる表面処理方法を提供することにある。
来技術の問題点を解決するために成されたものであり、
スパッタリング法などにより得られたＩＴＯ膜の表面領
域における物理的及び電気的性質を改質し、面抵抗の増
加を引き起こすことなくＩＴＯ膜の仕事関数を増加させ
ることができる表面処理方法を提供することにある。
【００１３】また、この様にして得られたＩＴＯ膜を電
荷注入型発光素子の電極として用いることで、従来にな
い高輝度の光出力を有する電荷注入型発光素子を提供す
ることにある。
荷注入型発光素子の電極として用いることで、従来にな
い高輝度の光出力を有する電荷注入型発光素子を提供す
ることにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明の第一の発
明は、１０〜８０ｅＶのエネルギー範囲にある酸素イオ
ン又は電子をＩＴＯ膜に照射して表面改質を施したこと
を特徴とする表面改質ＩＴＯ膜である。
明は、１０〜８０ｅＶのエネルギー範囲にある酸素イオ
ン又は電子をＩＴＯ膜に照射して表面改質を施したこと
を特徴とする表面改質ＩＴＯ膜である。
【００１５】前記表面改質ＩＴＯ膜の仕事関数が５．０
ｅＶ以上であるのが好ましい。本発明の第二の発明は、
１０〜８０ｅＶのエネルギー範囲にある酸素イオン又は
電子をＩＴＯ膜に照射して表面改質を行うことを特徴と
するＩＴＯ膜の表面処理方法である。
ｅＶ以上であるのが好ましい。本発明の第二の発明は、
１０〜８０ｅＶのエネルギー範囲にある酸素イオン又は
電子をＩＴＯ膜に照射して表面改質を行うことを特徴と
するＩＴＯ膜の表面処理方法である。
【００１６】前記酸素イオン又は電子を照射してＩＴＯ
膜の表面改質を行う場合、酸素イオンは少なくとも１ｍ
Ｗ／ｃｍ2以上１Ｗ／ｃｍ2以下、電子は少なくとも０．
１Ｗ／ｃｍ2以上１０Ｗ／ｃｍ2以下のパワーをＩＴＯ膜
表面に与えるのが好ましい。前記酸素イオン又は電子に
より、ＩＴＯ膜の深さ方向５ｎｍ以内の表面領域を改質
するのが好ましい。
膜の表面改質を行う場合、酸素イオンは少なくとも１ｍ
Ｗ／ｃｍ2以上１Ｗ／ｃｍ2以下、電子は少なくとも０．
１Ｗ／ｃｍ2以上１０Ｗ／ｃｍ2以下のパワーをＩＴＯ膜
表面に与えるのが好ましい。前記酸素イオン又は電子に
より、ＩＴＯ膜の深さ方向５ｎｍ以内の表面領域を改質
するのが好ましい。
【００１７】本発明の第三の発明は、仕事関数が５．０
ｅＶ以上の表面改質ＩＴＯ膜を電極として用いることを
特徴とする電荷注入型発光素子である。前記表面改質Ｉ
ＴＯ膜として、１０〜８０ｅＶのエネルギー範囲にある
酸素イオン又は電子をＩＴＯ膜に照射して表面改質を行
った表面改質ＩＴＯ膜を電極として用いるのが好まし
い。前記酸素イオン又は電子を照射してＩＴＯ膜の表面
改質を行う場合、酸素イオンは少なくとも１ｍＷ／ｃｍ
2以上１Ｗ／ｃｍ2以下、電子は少なくとも０．１Ｗ／ｃ
ｍ2以上１０Ｗ／ｃｍ2以下のパワーをＩＴＯ膜表面に与
えるのが好ましい。前記表面改質ＩＴＯ膜が、酸素イオ
ン又は電子によりＩＴＯ膜の深さ方向５ｎｍ以内の表面
領域を改質したＩＴＯ膜であるのが好ましい。
ｅＶ以上の表面改質ＩＴＯ膜を電極として用いることを
特徴とする電荷注入型発光素子である。前記表面改質Ｉ
ＴＯ膜として、１０〜８０ｅＶのエネルギー範囲にある
酸素イオン又は電子をＩＴＯ膜に照射して表面改質を行
った表面改質ＩＴＯ膜を電極として用いるのが好まし
い。前記酸素イオン又は電子を照射してＩＴＯ膜の表面
改質を行う場合、酸素イオンは少なくとも１ｍＷ／ｃｍ
2以上１Ｗ／ｃｍ2以下、電子は少なくとも０．１Ｗ／ｃ
ｍ2以上１０Ｗ／ｃｍ2以下のパワーをＩＴＯ膜表面に与
えるのが好ましい。前記表面改質ＩＴＯ膜が、酸素イオ
ン又は電子によりＩＴＯ膜の深さ方向５ｎｍ以内の表面
領域を改質したＩＴＯ膜であるのが好ましい。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の表面改質ＩＴＯ膜は、Ｉ
ＴＯ膜の表面処理を施したものであり、その表面処理方
法として、１０〜８０ｅＶのエネルギー範囲にある酸素
イオン又は電子をＩＴＯ膜に照射して表面改質を行うこ
とを特徴とする。その表面改質ＩＴＯ膜の仕事関数は、
５．０ｅＶ以上、好ましくは５．２ｅＶ以上であるのが
好ましい。
ＴＯ膜の表面処理を施したものであり、その表面処理方
法として、１０〜８０ｅＶのエネルギー範囲にある酸素
イオン又は電子をＩＴＯ膜に照射して表面改質を行うこ
とを特徴とする。その表面改質ＩＴＯ膜の仕事関数は、
５．０ｅＶ以上、好ましくは５．２ｅＶ以上であるのが
好ましい。
【００１９】一般にスパッタリング法等で作製されたＩ
ＴＯ膜は、面抵抗と光透過性を両立するために総膜厚は
１００〜２００ｎｍと薄く、かつ成膜時の結晶化の影響
で表面には数ｎｍ〜数十ｎｍの凹凸が存在する。
ＴＯ膜は、面抵抗と光透過性を両立するために総膜厚は
１００〜２００ｎｍと薄く、かつ成膜時の結晶化の影響
で表面には数ｎｍ〜数十ｎｍの凹凸が存在する。
【００２０】さらに、この様なＩＴＯ膜は、ＩＴＯの結
晶性が成膜時の基板温度や成膜速度に依存するため、Ｉ
ＴＯ膜の仕事関数は４．５ｅＶ前後に固定されてしま
い、仕事関数値を大きく改善することは不可能であっ
た。
晶性が成膜時の基板温度や成膜速度に依存するため、Ｉ
ＴＯ膜の仕事関数は４．５ｅＶ前後に固定されてしま
い、仕事関数値を大きく改善することは不可能であっ
た。
【００２１】したがって、本発明の表面処理方法では、
酸素イオン又は電子のエネルギーが１０〜８０ｅＶ、好
ましくは２０〜６０ｅＶであるビームを、酸素イオンの
場合は少なくとも１ｍＷ／ｃｍ2〜１Ｗ／ｃｍ2のパワー
で、また電子の場合は少なくとも１Ｗ／ｃｍ2〜１０Ｗ
／ｃｍ2のパワーでＩＴＯ膜の深さ方向５ｎｍ以内の表
面領域に照射することで、ＩＴＯ膜の面抵抗の増加を引
き起こすことなく、仕事関数を増大させ、有機発光素子
の電極としての機能（電荷注入性）を向上させることが
可能となった。
酸素イオン又は電子のエネルギーが１０〜８０ｅＶ、好
ましくは２０〜６０ｅＶであるビームを、酸素イオンの
場合は少なくとも１ｍＷ／ｃｍ2〜１Ｗ／ｃｍ2のパワー
で、また電子の場合は少なくとも１Ｗ／ｃｍ2〜１０Ｗ
／ｃｍ2のパワーでＩＴＯ膜の深さ方向５ｎｍ以内の表
面領域に照射することで、ＩＴＯ膜の面抵抗の増加を引
き起こすことなく、仕事関数を増大させ、有機発光素子
の電極としての機能（電荷注入性）を向上させることが
可能となった。
【００２２】以下、図面を参照して、本発明に係る実施
の形態について説明する。図１は、本発明に係るＩＴＯ
膜の表面処理方法を行うための一例を示す表面処理装置
である。
の形態について説明する。図１は、本発明に係るＩＴＯ
膜の表面処理方法を行うための一例を示す表面処理装置
である。
【００２３】上記表面処理装置は、チャンバー１内に石
英管４のまわりを高周波コイル３で取り巻いた放電管２
と、表面処理を行うＩＴＯ膜を有する基板（ＩＴＯ基
板）を保持する基板ホルダー６によって構成されてい
る。なお、上記ホルダー６は電流計７と直流電源８に、
上記高周波コイル３は高周波電源５とコンデンサ９に接
続されている。
英管４のまわりを高周波コイル３で取り巻いた放電管２
と、表面処理を行うＩＴＯ膜を有する基板（ＩＴＯ基
板）を保持する基板ホルダー６によって構成されてい
る。なお、上記ホルダー６は電流計７と直流電源８に、
上記高周波コイル３は高周波電源５とコンデンサ９に接
続されている。
【００２４】また、上記放電管２には、マスフローコン
トローラ（不図示）を介して酸素ガス供給装置（不図
示）に接続されたノズルが配置されている。さらに、上
記チャンバー１は、図示しない真空排気装置に接続さ
れ、所定の真空度に維持されるようになっている。上記
構成からなる表面処理装置でＩＴＯ膜を有するガラス基
板を基板ホルダー６に取り付け、チャンバー１内を約１
０−５〜１０−６Ｔｏｒｒに真空排気する。
トローラ（不図示）を介して酸素ガス供給装置（不図
示）に接続されたノズルが配置されている。さらに、上
記チャンバー１は、図示しない真空排気装置に接続さ
れ、所定の真空度に維持されるようになっている。上記
構成からなる表面処理装置でＩＴＯ膜を有するガラス基
板を基板ホルダー６に取り付け、チャンバー１内を約１
０−５〜１０−６Ｔｏｒｒに真空排気する。
【００２５】次に、放電管２内に、マスフローコントロ
ーラを介して酸素ガスを８ｃｃｍの流量で流し、２×１
０−３Ｔｏｒｒの圧力に調整し、１３．５６ＭＨｚの高
周波電源５を動作させると、管内に無電極放電によるプ
ラズマが発生する。このような状態で、基板ホルダー６
に直流電源８を用いて、任意の電圧を印加すると、プラ
ズマ中の酸素イオン又は電子が引き出され、基板ホルダ
ー６に取り付けられたＩＴＯ基板の表面に酸素イオン又
は電子が照射され、ＩＴＯ膜の表面改質が行われる。
ーラを介して酸素ガスを８ｃｃｍの流量で流し、２×１
０−３Ｔｏｒｒの圧力に調整し、１３．５６ＭＨｚの高
周波電源５を動作させると、管内に無電極放電によるプ
ラズマが発生する。このような状態で、基板ホルダー６
に直流電源８を用いて、任意の電圧を印加すると、プラ
ズマ中の酸素イオン又は電子が引き出され、基板ホルダ
ー６に取り付けられたＩＴＯ基板の表面に酸素イオン又
は電子が照射され、ＩＴＯ膜の表面改質が行われる。
【００２６】ここでは、基板ホルダー６に０〜±１００
Ｖの電圧を２０秒間印加してＩＴＯ膜の表面処理を行
い、その後、面抵抗（ρ）、仕事関数（Ｗｆ）、面粗さ
（Ｒｚ）を求めた。その結果を図２に示す。
Ｖの電圧を２０秒間印加してＩＴＯ膜の表面処理を行
い、その後、面抵抗（ρ）、仕事関数（Ｗｆ）、面粗さ
（Ｒｚ）を求めた。その結果を図２に示す。
【００２７】面粗さ（Ｒｚ）は、原子間力顕微鏡（セイ
コーインストゥルメンツ社製、ＳＰＩ−３８００）によ
り求め、仕事関数は、フェルミ準位測定装置（理研計器
社製、ＦＡＣ−１）を用いて測定した。
コーインストゥルメンツ社製、ＳＰＩ−３８００）によ
り求め、仕事関数は、フェルミ準位測定装置（理研計器
社製、ＦＡＣ−１）を用いて測定した。
【００２８】図２に示されているように、基板ホルダー
への印加電圧（酸素イオン又は電子の運動エネルギーと
同義）が、−１０Ｖ〜−８０Ｖの範囲（パワーは１ｍＷ
／ｃｍ2〜１Ｗ／ｃｍ2）では、プラスの酸素イオンやラ
ジカルによる処理が行われ、面抵抗の増加もなく仕事関
数は５．０ｅＶ以上に増大した。一方、基板ホルダーへ
の印加電圧が＋１０Ｖ〜＋８０Ｖの範囲（パワーは０．
１ｍＷ／ｃｍ2〜１０Ｗ／ｃｍ2）では電子による処理が
行われ、この場合も酸素イオンの時と同様、面抵抗の増
加もなく、仕事関数が５．０ｅＶ以上に増大した。
への印加電圧（酸素イオン又は電子の運動エネルギーと
同義）が、−１０Ｖ〜−８０Ｖの範囲（パワーは１ｍＷ
／ｃｍ2〜１Ｗ／ｃｍ2）では、プラスの酸素イオンやラ
ジカルによる処理が行われ、面抵抗の増加もなく仕事関
数は５．０ｅＶ以上に増大した。一方、基板ホルダーへ
の印加電圧が＋１０Ｖ〜＋８０Ｖの範囲（パワーは０．
１ｍＷ／ｃｍ2〜１０Ｗ／ｃｍ2）では電子による処理が
行われ、この場合も酸素イオンの時と同様、面抵抗の増
加もなく、仕事関数が５．０ｅＶ以上に増大した。
【００２９】しかしながら、基板ホルダーへの印加電圧
が−１０Ｖ〜＋１０Ｖの範囲では５．０ｅＶ以上の仕事
関数の増加が認められなかった。
が−１０Ｖ〜＋１０Ｖの範囲では５．０ｅＶ以上の仕事
関数の増加が認められなかった。
【００３０】なお、上記の基板ホルダーへの印加電圧と
酸素イオン又は電子のエネルギーとが同義であることの
意味は、印加電圧により加速された酸素イオン又は電子
の有する運動エネルギーが印加電圧とほぼ等しいと云う
理由によるものである。具体的には、酸素イオン又は電
子の１０ｅＶのエネルギーは基板ホルダーへの印加電圧
１０Ｖに該当し、８０ｅＶのエネルギーは基板ホルダー
への印加電圧８０Ｖに該当する。
酸素イオン又は電子のエネルギーとが同義であることの
意味は、印加電圧により加速された酸素イオン又は電子
の有する運動エネルギーが印加電圧とほぼ等しいと云う
理由によるものである。具体的には、酸素イオン又は電
子の１０ｅＶのエネルギーは基板ホルダーへの印加電圧
１０Ｖに該当し、８０ｅＶのエネルギーは基板ホルダー
への印加電圧８０Ｖに該当する。
【００３１】また、印加電圧が−８０Ｖ以上の場合に
は、面粗さ（Ｒｚ）と面抵抗（ρ）の増加がみられ、処
理される深さが深くなると共に、スパッタリングにより
削れていることがわかる。一方、印加電圧が＋８０Ｖ以
上の場合は、面粗さ（Ｒｚ）と面抵抗（ρ）の増加がみ
られることに加え、電子による加熱の影響から仕事関数
も低下している。
は、面粗さ（Ｒｚ）と面抵抗（ρ）の増加がみられ、処
理される深さが深くなると共に、スパッタリングにより
削れていることがわかる。一方、印加電圧が＋８０Ｖ以
上の場合は、面粗さ（Ｒｚ）と面抵抗（ρ）の増加がみ
られることに加え、電子による加熱の影響から仕事関数
も低下している。
【００３２】以上の結果より、酸素イオン又は電子のエ
ネルギーが１０〜８０ｅＶ、より好ましくは２０〜６０
ｅＶの範囲にあるビームをＩＴＯ膜に照射すれば、面抵
抗の増加を引き起こすことなく、ＩＴＯの仕事関数を
５．０ｅＶ以上にすることができる。
ネルギーが１０〜８０ｅＶ、より好ましくは２０〜６０
ｅＶの範囲にあるビームをＩＴＯ膜に照射すれば、面抵
抗の増加を引き起こすことなく、ＩＴＯの仕事関数を
５．０ｅＶ以上にすることができる。
【００３３】本発明のＩＴＯ膜の表面処理方法におい
て、酸素イオン又は電子を引き出すためのプラズマ生成
方法は、図１に示した高周波放電装置にかぎらず、圧力
勾配型プラズマガンを使用したプラズマ生成方法等を用
いてもよい。
て、酸素イオン又は電子を引き出すためのプラズマ生成
方法は、図１に示した高周波放電装置にかぎらず、圧力
勾配型プラズマガンを使用したプラズマ生成方法等を用
いてもよい。
【００３４】また、本発明のＩＴＯ膜の表面処理方法に
おいて、発生させるプラズマ密度は１０９〜１０１３ｍ
−３、好ましくは１０１０〜１０１２ｍ−３の範囲であ
ることがＩＴＯ膜にダメージを与えない酸素イオン密度
又は電子密度の照射が可能となり望ましい。
おいて、発生させるプラズマ密度は１０９〜１０１３ｍ
−３、好ましくは１０１０〜１０１２ｍ−３の範囲であ
ることがＩＴＯ膜にダメージを与えない酸素イオン密度
又は電子密度の照射が可能となり望ましい。
【００３５】さらに、本発明のＩＴＯ膜の表面処理方法
において、電子を引き出す場合のみ、発生させるプラズ
マ種は酸素ガスに限らず、アルゴンガス等の不活性ガス
などいずれのガスでもかまわない。
において、電子を引き出す場合のみ、発生させるプラズ
マ種は酸素ガスに限らず、アルゴンガス等の不活性ガス
などいずれのガスでもかまわない。
【００３６】次に、図面に沿って本発明の電荷注入型発
光素子の具体例として、有機発光素子を更に詳細に説明
する。図３は本発明の有機発光素子の一例を示す断面図
である。図３は基板１０上に陽極１１、発光層１２及び
陰極１３を順次設けた構成のものである。ここで使用す
る有機発光素子はそれ自体でホール輸送能、エレクトロ
ン輸送能及び発光性の性能を単一で有している場合や、
それぞれの特性を有する化合物を混ぜて使う場合に有用
である。
光素子の具体例として、有機発光素子を更に詳細に説明
する。図３は本発明の有機発光素子の一例を示す断面図
である。図３は基板１０上に陽極１１、発光層１２及び
陰極１３を順次設けた構成のものである。ここで使用す
る有機発光素子はそれ自体でホール輸送能、エレクトロ
ン輸送能及び発光性の性能を単一で有している場合や、
それぞれの特性を有する化合物を混ぜて使う場合に有用
である。
【００３７】図４は本発明の有機発光素子の他の例を示
す断面図である。図４は基板１０上に陽極１１、ホール
輸送層１４、電子輸送層１５及び陰極１３を順次設けた
構成のものである。この場合は発光物質はホール輸送性
かあるいは電子輸送性のいずれかあるいは両方の機能を
有している材料をそれぞれの層に用い、発光性の無い単
なるホール輸送物質あるいは電子輸送物質と組み合わせ
て用いる場合に有用である。また、この場合、発光層１
２はホール輸送層１４および電子輸送層１５からなる。
す断面図である。図４は基板１０上に陽極１１、ホール
輸送層１４、電子輸送層１５及び陰極１３を順次設けた
構成のものである。この場合は発光物質はホール輸送性
かあるいは電子輸送性のいずれかあるいは両方の機能を
有している材料をそれぞれの層に用い、発光性の無い単
なるホール輸送物質あるいは電子輸送物質と組み合わせ
て用いる場合に有用である。また、この場合、発光層１
２はホール輸送層１４および電子輸送層１５からなる。
【００３８】図５は本発明の有機発光素子の他の例を示
す断面図である。図５は基板１０上に陽極１１、ホール
輸送層１４、発光層１２、電子輸送層１５及び陰極１３
を順次設けた構成のものである。
す断面図である。図５は基板１０上に陽極１１、ホール
輸送層１４、発光層１２、電子輸送層１５及び陰極１３
を順次設けた構成のものである。
【００３９】図６は本発明の有機発光素子の他の例を示
す断面図である。図６は基板１０上に陽極１１、発光層
１２、電子輸送層１５及び陰極１３を順次設けた構成の
ものである。
す断面図である。図６は基板１０上に陽極１１、発光層
１２、電子輸送層１５及び陰極１３を順次設けた構成の
ものである。
【００４０】これらの図５および図６の有機発光素子
は、キヤリヤ輸送と発光の機能を分離したものであり、
ホール輸送性、電子輸送性、発光性の各特性を有した化
合物と適時組み合わせて用いられ極めて材料の選択の自
由度が増すとともに、発光波長を異にする種々の化合物
が使用出来る為、発光色相の多様化が可能となる。また
更に中央の発光層にホールと電子（あるいは励起子）を
有効に閉じ込めて発光効率の向上を図る事も可能にな
る。
は、キヤリヤ輸送と発光の機能を分離したものであり、
ホール輸送性、電子輸送性、発光性の各特性を有した化
合物と適時組み合わせて用いられ極めて材料の選択の自
由度が増すとともに、発光波長を異にする種々の化合物
が使用出来る為、発光色相の多様化が可能となる。また
更に中央の発光層にホールと電子（あるいは励起子）を
有効に閉じ込めて発光効率の向上を図る事も可能にな
る。
【００４１】本発明の構成の有機発光素子は、従来の有
機発光素子に比べ、極めてホール注入性及びエレクトロ
ン注入性に優れており、必要に応じて図３乃至図６のい
ずれの形態でも使用する事が可能である。
機発光素子に比べ、極めてホール注入性及びエレクトロ
ン注入性に優れており、必要に応じて図３乃至図６のい
ずれの形態でも使用する事が可能である。
【００４２】一般に、有機発光素子は電荷注入型発光素
子であり、電極からのキャリア（ホール又はエレクトロ
ン）の注入量に強く依存する。そして電極（陽極や陰
極）からのキャリア注入は、長時間にわたる使用におい
ても常に一定であることが望ましい。
子であり、電極からのキャリア（ホール又はエレクトロ
ン）の注入量に強く依存する。そして電極（陽極や陰
極）からのキャリア注入は、長時間にわたる使用におい
ても常に一定であることが望ましい。
【００４３】しかし、実際陽極として通常用いられてい
るＩＴＯ電極は、その製膜方法に起因する物理的な表面
形状や仕事関数等、電極としての電気的物理的マッチン
グの不完全さも相まって、素子を流れる電流（電極から
のキャリア注入による）が減少し、著しい光出力の低下
をもたらしていた。
るＩＴＯ電極は、その製膜方法に起因する物理的な表面
形状や仕事関数等、電極としての電気的物理的マッチン
グの不完全さも相まって、素子を流れる電流（電極から
のキャリア注入による）が減少し、著しい光出力の低下
をもたらしていた。
【００４４】しかしながら、本発明の表面処理方法を行
った表面改質ＩＴＯ膜を陽極として用いた有機発光素子
は、電極とそれに接している有機化合物からなる層の電
子的なマッチングが最適な状態にあるため、陽極からの
キャリア注入量が増大し、発光輝度が飛躍的に向上し
た。
った表面改質ＩＴＯ膜を陽極として用いた有機発光素子
は、電極とそれに接している有機化合物からなる層の電
子的なマッチングが最適な状態にあるため、陽極からの
キャリア注入量が増大し、発光輝度が飛躍的に向上し
た。
【００４５】本発明の有機発光素子においては、発光層
構成成分として、電子写真感光体分野等で研究されてい
るホール輸送性化合物やこれ迄知られているホール輸送
性発光体化合物（例えば表１〜４に示される化合物等）
あるいは電子輸送性化合物やこれ迄知られている電子輸
送性発光体化合物（例えば表５〜６に挙げられる化合
物）を必要に応じて２種類以上使用する事も出来る。
構成成分として、電子写真感光体分野等で研究されてい
るホール輸送性化合物やこれ迄知られているホール輸送
性発光体化合物（例えば表１〜４に示される化合物等）
あるいは電子輸送性化合物やこれ迄知られている電子輸
送性発光体化合物（例えば表５〜６に挙げられる化合
物）を必要に応じて２種類以上使用する事も出来る。
【００４６】
【表１】
【００４７】
【表２】
【００４８】
【表３】
【００４９】
【表４】
【００５０】
【表５】
【００５１】
【表６】
【００５２】本発明の有機発光素子において、発光層は
一般には真空蒸着あるいは適当な結着性樹脂と組み合わ
せて薄膜を形成する。上記結着剤としては広範囲な結着
性樹脂より選択でき、例えばポリビニルカルバゾール樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリア
リレート樹脂、ブチラール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポ
リビニルアセタール樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ア
クリル樹脂、メタクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキ
シ樹脂、シリコン樹脂、ポリスルホン樹脂、尿素樹脂等
が挙げられるが、これらに限定されるものではない。こ
れらは単独または共重合体ポリマーとして１種または２
種以上混合して用いても良い。
一般には真空蒸着あるいは適当な結着性樹脂と組み合わ
せて薄膜を形成する。上記結着剤としては広範囲な結着
性樹脂より選択でき、例えばポリビニルカルバゾール樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリア
リレート樹脂、ブチラール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポ
リビニルアセタール樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ア
クリル樹脂、メタクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキ
シ樹脂、シリコン樹脂、ポリスルホン樹脂、尿素樹脂等
が挙げられるが、これらに限定されるものではない。こ
れらは単独または共重合体ポリマーとして１種または２
種以上混合して用いても良い。
【００５３】一方、陰極材料としては仕事関数が小さな
銀、鉛、錫、マグネシウム、アルミニウム、カルシウ
ム、マンガン、インジウム、クロムあるいはこれらの合
金が用いられる。
銀、鉛、錫、マグネシウム、アルミニウム、カルシウ
ム、マンガン、インジウム、クロムあるいはこれらの合
金が用いられる。
【００５４】本発明の有機発光素子は、従来の白熱灯、
螢光灯あるいは発光ダイオードなどと異なり、大面積、
高分解能、薄型、軽量、高速動作、完全な固体デバイス
であり、高度な要求を満たす可能性のあるＥＬパネルに
使用することができる。
螢光灯あるいは発光ダイオードなどと異なり、大面積、
高分解能、薄型、軽量、高速動作、完全な固体デバイス
であり、高度な要求を満たす可能性のあるＥＬパネルに
使用することができる。
【００５５】
【実施例】以下本発明を実施例によって具体的に説明す
る。
る。
【００５６】実施例１〜１６および比較例１〜５ ガラス基板上にスパッタリング法により膜厚１１０ｎｍ
のＩＴＯ膜を製膜したＩＴＯ基板を図１に示す表面処理
装置の基板ホルダーに保持した。次に、表面処理装置の
チャンバー内を１×１０−６Ｔｏｒｒまで真空排気した
のち、マスフローコントローラを介して酸素ガスを８ｃ
ｃｍの流量で流し、放電管内の圧力が２×１０−３Ｔｏ
ｒｒになるように調整した。
のＩＴＯ膜を製膜したＩＴＯ基板を図１に示す表面処理
装置の基板ホルダーに保持した。次に、表面処理装置の
チャンバー内を１×１０−６Ｔｏｒｒまで真空排気した
のち、マスフローコントローラを介して酸素ガスを８ｃ
ｃｍの流量で流し、放電管内の圧力が２×１０−３Ｔｏ
ｒｒになるように調整した。
【００５７】次いで、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を
動作させ、放電管内に酸素プラズマを発生させた後、基
板ホルダーに−１０Ｖ（１０ｅＶのエネルギーに該当す
る）の電圧を２０秒間印加してＩＴＯ膜の表面処理を行
った。
動作させ、放電管内に酸素プラズマを発生させた後、基
板ホルダーに−１０Ｖ（１０ｅＶのエネルギーに該当す
る）の電圧を２０秒間印加してＩＴＯ膜の表面処理を行
った。
【００５８】処理終了後、ただちに下記の構造式（１）
で示される化合物からなるホール輸送層（膜厚３０ｎ
ｍ）、そしてＡｌｑ３ からなる発光層（膜厚５０ｎ
ｍ）、さらにＡｌからなる陰極（膜厚２００ｎｍ）を各
次順次真空蒸着により形成し、実施例１の素子を作成し
た。
で示される化合物からなるホール輸送層（膜厚３０ｎ
ｍ）、そしてＡｌｑ３ からなる発光層（膜厚５０ｎ
ｍ）、さらにＡｌからなる陰極（膜厚２００ｎｍ）を各
次順次真空蒸着により形成し、実施例１の素子を作成し
た。
【００５９】
【化１】
【００６０】また、基板ホルダーに印加する電圧を下記
の表７に示す電圧とした以外は実施例１と同様の方法で
作成した素子を、各々実施例２〜６、比較例１〜２、実
施例７〜１６、比較例３〜４の素子とした。
の表７に示す電圧とした以外は実施例１と同様の方法で
作成した素子を、各々実施例２〜６、比較例１〜２、実
施例７〜１６、比較例３〜４の素子とした。
【００６１】一方、全く処理を行わない他は実施例１と
同様の方法で作成した素子を比較例５の素子とする。
同様の方法で作成した素子を比較例５の素子とする。
【００６２】
【表７】
【００６３】このようにして作成した素子に１０Ｖの電
圧を印加して発光輝度を測定した結果を図７に示す。結
果をみて明らかなように、ＩＴＯ膜の仕事関数が５．０
ｅＶ以上になる表面処理を施した表面改質ＩＴＯを電極
として用いた発光素子の発光輝度が、飛躍的に向上して
いることがわかる。
圧を印加して発光輝度を測定した結果を図７に示す。結
果をみて明らかなように、ＩＴＯ膜の仕事関数が５．０
ｅＶ以上になる表面処理を施した表面改質ＩＴＯを電極
として用いた発光素子の発光輝度が、飛躍的に向上して
いることがわかる。
【００６４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の表面処理
方法をＩＴＯ膜に行うと、面抵抗の増加を引き起こすこ
となくＩＴＯ膜の仕事関数を増加させることができる。
また、このようにして表面改質を行った表面改質ＩＴＯ
膜を有機発光素子の陽極として用いることで、極めて輝
度の高い素子を得ることができた。
方法をＩＴＯ膜に行うと、面抵抗の増加を引き起こすこ
となくＩＴＯ膜の仕事関数を増加させることができる。
また、このようにして表面改質を行った表面改質ＩＴＯ
膜を有機発光素子の陽極として用いることで、極めて輝
度の高い素子を得ることができた。
【図１】本発明に係るＩＴＯ膜の表面処理方法を行うた
めの一例を示す表面処理装置である。
めの一例を示す表面処理装置である。
【図２】本発明に係るＩＴＯ膜の処理条件に対するＩＴ
Ｏ膜の面粗さと面抵抗と仕事関数の変化を示す図であ
る。
Ｏ膜の面粗さと面抵抗と仕事関数の変化を示す図であ
る。
【図３】本発明の有機発光素子の一例を示す断面図であ
る。
る。
【図４】本発明の有機発光素子の他の例を示す断面図で
ある。
ある。
【図５】本発明の有機発光素子の他の例を示す断面図で
ある。
ある。
【図６】本発明の有機発光素子の他の例を示す断面図で
ある。
ある。
【図７】本発明に係るＩＴＯ膜の表面処理を行った表面
改質ＩＴＯ膜を電極として用いた有機発光素子の発光輝
度とＩＴＯの仕事関数の変化を示す図である。
改質ＩＴＯ膜を電極として用いた有機発光素子の発光輝
度とＩＴＯの仕事関数の変化を示す図である。
１ チャンバー ２ 放電管 ３ 高周波コイル ４ 石英管 ５ 高周波電源 ６ 基板ホルダー ７ 電流計 ８ 直流電源 ９ コンデンサー １０ 基板 １１ 陽極 １２ 発光層 １３ 陰極 １４ ホール輸送層 １５ 電子輸送層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上野 和則 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 真下 精二 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB00 AB02 CA01 CB01 DA00 DB03 FA00 FA01 FA03 4K029 BA50 BC09 BD00 CA00 CA10 EA09 GA00 GA02
Claims (9)
- 【請求項１】 １０〜８０ｅＶのエネルギー範囲にある
酸素イオン又は電子をＩＴＯ膜に照射して表面改質を施
したことを特徴とする表面改質ＩＴＯ膜。 - 【請求項２】 前記表面改質ＩＴＯ膜の仕事関数が５．
０ｅＶ以上である請求項１記載の表面改質ＩＴＯ膜。 - 【請求項３】 １０〜８０ｅＶのエネルギー範囲にある
酸素イオン又は電子をＩＴＯ膜に照射して表面改質を行
うことを特徴とするＩＴＯ膜の表面処理方法。 - 【請求項４】 前記酸素イオン又は電子を照射してＩＴ
Ｏ膜の表面改質を行う場合、酸素イオンは少なくとも１
ｍＷ／ｃｍ2以上１Ｗ／ｃｍ2以下、電子は少なくとも
０．１Ｗ／ｃｍ2以上１０Ｗ／ｃｍ2以下のパワーをＩＴ
Ｏ膜表面に与える請求項３記載のＩＴＯ膜の表面処理方
法。 - 【請求項５】 前記酸素イオン又は電子により、ＩＴＯ
膜の深さ方向５ｎｍ以内の表面領域を改質する請求項３
または４記載のＩＴＯ膜の表面処理方法。 - 【請求項６】 仕事関数が５．０ｅＶ以上の表面改質Ｉ
ＴＯ膜を電極として用いることを特徴とする電荷注入型
発光素子。 - 【請求項７】 前記表面改質ＩＴＯ膜として、１０〜８
０ｅＶのエネルギー範囲にある酸素イオン又は電子をＩ
ＴＯ膜に照射して表面改質を行った表面改質ＩＴＯ膜を
電極として用いる請求項６記載の電荷注入型発光素子。 - 【請求項８】 前記酸素イオン又は電子を照射してＩＴ
Ｏ膜の表面改質を行う場合、酸素イオンは少なくとも１
ｍＷ／ｃｍ2以上１Ｗ／ｃｍ2以下、電子は少なくとも
０．１Ｗ／ｃｍ2以上１０Ｗ／ｃｍ2以下のパワーをＩＴ
Ｏ膜表面に与える請求項７記載の電荷注入型発光素子。 - 【請求項９】 前記表面改質ＩＴＯ膜が、酸素イオン又
は電子によりＩＴＯ膜の深さ方向５ｎｍ以内の表面領域
を改質したＩＴＯ膜である請求項７または８記載の電荷
注入型発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10319880A JP2000133466A (ja) | 1998-10-23 | 1998-10-23 | 表面改質ｉｔｏ膜、その表面処理方法およびそれを用いた電荷注入型発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10319880A JP2000133466A (ja) | 1998-10-23 | 1998-10-23 | 表面改質ｉｔｏ膜、その表面処理方法およびそれを用いた電荷注入型発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000133466A true JP2000133466A (ja) | 2000-05-12 |
Family
ID=18115276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10319880A Withdrawn JP2000133466A (ja) | 1998-10-23 | 1998-10-23 | 表面改質ｉｔｏ膜、その表面処理方法およびそれを用いた電荷注入型発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000133466A (ja) |
Cited By (7)
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|---|---|---|---|---|
| JP2003257648A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Seiko Epson Corp | 表面処理装置、有機ｅｌ装置の製造装置、有機ｅｌ装置、電子機器 |
| JP2003272837A (ja) * | 2002-03-13 | 2003-09-26 | Seiko Epson Corp | 表面処理装置、有機ｅｌ装置の製造装置及び製造方法、有機ｅｌ装置、電子機器 |
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| KR100749928B1 (ko) * | 2005-08-23 | 2007-08-16 | 연세대학교 산학협력단 | 표면이 개질된 ｉｔｏ글래스 및 그 제조방법 |
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| WO2017164211A1 (ja) | 2016-03-23 | 2017-09-28 | 三菱マテリアル株式会社 | 積層反射電極膜、積層反射電極パターン、積層反射電極パターンの製造方法 |
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-
1998
- 1998-10-23 JP JP10319880A patent/JP2000133466A/ja not_active Withdrawn
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| KR20180124855A (ko) | 2016-03-23 | 2018-11-21 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 적층 반사 전극막, 적층 반사 전극 패턴, 적층 반사 전극 패턴의 제조 방법 |
| US10971695B2 (en) | 2016-03-23 | 2021-04-06 | Mitsubishi Materials Corporation | Multilayer reflection electrode film, multilayer reflection electrode pattern, and method of forming multilayer reflection electrode pattern |
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