JPH11242994A

JPH11242994A - 発光素子およびその製造方法

Info

Publication number: JPH11242994A
Application number: JP10367914A
Authority: JP
Inventors: Yoshio Himeshima; 義夫姫島; Shigeo Fujimori; 茂雄藤森
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 1997-12-24
Filing date: 1998-12-24
Publication date: 1999-09-07

Abstract

(57)【要約】【課題】長期間、有機薄膜発光素子を安定に駆動できる
保護膜に関する。【解決手段】陽極と陰極の間に発光を司る物質が存在
し、電気エネルギーにより発光する素子であって、室温
反応性プラズマＣＶＤ法によって作製された保護膜によ
って被覆されたことを特徴とする発光素子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気エネルギーを
光に変換できる素子であって、表示素子、フラットパネ
ルディスプレイ、バックライト、照明、インテリア、標
識、看板、電子写真機などの分野に利用可能な面状発光
体用の発光素子およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】陰極から注入された電子と陽極から注入
された正孔が両極に挟まれた有機蛍光体内で再結合する
際に発光するという有機積層薄膜発光素子の研究が近年
活発に行われるようになってきた。この素子は、薄型、
低駆動電圧下での高輝度発光、蛍光材料を選ぶことによ
る多色発光が特徴である。

【０００３】有機積層薄膜素子が高輝度に発光すること
は、コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらによって初めて示
された（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１（１２）
２１，ｐ．９１３，１９８７）。コダック社の研究グル
ープが提示した有機積層薄膜発光素子の代表的な構成
は、ＩＴＯガラス基板上に正孔輸送性のジアミン化合
物、発光層であり、かつ電子輸送層でもあるトリス（８
−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム、そして陰極
としてＭｇ：Ａｇを順次設けたものであり、１０Ｖ程度
の駆動電圧で１０００ｃｄ／ｍ²の緑色発光が可能であ
った。現在は、上記の素子構成要素の他に発光層と機能
分離された電子輸送層を設けているものなど構成を変え
ているものもあるが、基本的にはコダック社の構成を踏
襲している。

【０００４】有機積層薄膜発光素子は、優れた特性を持
っているが大気中の水分や酸素によってその特性が著し
く損なわれるという問題があり、何等かの方法によって
素子を保護する必要がある。

【０００５】従来知られている保護膜または封止方法と
して、蒸着法またはスパッタリングで作製された保護膜
（特開平４−７３８８６号公報）、五酸化二燐を入れた
気密ケースを用いる方法（特開平３−２６１０９１号公
報）、有機エレクトロルミネセンス媒体と仕事関数４．
０〜４．５ｅＶの範囲内にあるヘリウムを充填した気密
ケース（特開平４−２４９０９２号公報）、光硬化樹脂
で封止する方法（特開平４−２６７０９７号公報）、低
表面張力の溶媒に高分子化合物を溶解する方法（特公平
８−２１４６９号公報）、フッ素系高分子膜により被覆
する方法（特許２５３１８５７号公報、２５５６９４号
公報１、２５９７０４７号公報）、金属硫化物による封
止（特開平４−２１２２８４号公報）、金属を含む保護
膜（特開平５−１５９８８１号公報）、陰極のヤング率
より小さなヤング率を有する保護膜（特開平６−２９５
７８８号公報）、光増感剤と被酸化性化合物を分散させ
た封止膜（特開平７−１４７１８９号公報）、封止層／
接着層／ガラスからなる加圧基板（特開平７−３２０８
６５号公報）、防湿性を有する熱可塑性高分子による封
止（特開平７−２８２９７５号公報）、液状封止材料
（特開平７−２１１４５６号公報）、気相製膜法で形成
された吸湿層／防湿層による封止（特開平７−２１１４
５５号公報）、超撥水性物質を含有する封止層（特開平
７−１９２８６７号公報）、有機物と無機物からなる封
止層（特開平７−１９２８６６号公報）、蒸着重合によ
って作られた封止層（特開平７−１６９５６９号公
報）、酸素バリア層と酸素吸収層からなる封止層（特開
平７−１６９５６７号公報）、炭素または珪素を含有す
る無機アモルファス保護膜（特開平７−１６１４７４号
公報）、熱可塑性高分子（特開平８−２２８９１号公
報）、ポリ尿素保護膜（特開平８−２２２３６８号公
報）、透明ガラス基板で封止（特開平８−２２２３６９
号公報）、ゴム状弾性を持つ封止層（特開平８−２３６
２７１号公報）、１ｐｐｍ以下の不活性液体での封止
（特開平８−７８１５９号公報）、ＳｉＺｎＯからなる
保護膜（特開平８−９６９５５号公報）、Ｓｉ層とＳｉ
層を被覆するカバー膜からなる保護膜（特開平８−９６
９６２号公報）、ＥＣＲ(Electron Cyclotron Resonanc
e)プラズマＣＶＤ法（特開平８−１１１２８６号公
報）、ポリエチレンテレフタレート保護膜（特開平８−
１２４６７９号公報）、注入口を備えた封止ガラス（特
開平８−１６２２７０号公報）、ガスバリア性高分子封
止層（特開平８−１８５９８０号公報）、不活性ガスを
封入したフィルム（特開平８−３０２３４０号公報）、
誘電体と無機層からなるハーメチック・シール（特開平
８−３０６９５５号公報）、吸着剤を含有する不活性液
体による封止（特開平９−３５８６８号公報）など数多
くの方法が考案されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来技術では
十分な遮蔽効果がなくて長時間の放置によってダークス
ポットと呼ばれる非発光部が経時的に広がったり、保護
膜を形成するのに３００℃以上に基板加熱を行うため
に、素子を構成する有機物の変質や形態変化が起こって
素子特性が低下したり破壊されたりしてしまう。また、
内部応力が残るために素子に悪影響を与えることも問題
であった。

【０００７】

【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、陽極
と陰極の間に発光を司る物質が存在し、電気エネルギー
により発光する素子であって、室温反応性プラズマＣＶ
Ｄ法によって作製された保護膜によって被覆することに
よって前記課題を解決できることを見出し本発明に至っ
た。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明において陽極は、光を取り
出すために透明であればよく、その成分としては、イン
ジウム、錫、金、銀、亜鉛、アルミニウム、クロム、ニ
ッケル、酸素、窒素、水素、アルゴン、炭素から選ばれ
る少なくとも一種類の元素からなることが多いが、ヨウ
化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリチオフェン、
ポリピロール、ポリアニリンなどの導電性ポリマーなど
特に限定されるものでない。本発明において好ましい例
としては、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫
インジウム（ＩＴＯ）があげられるが、パターニング加
工などを施すディスプレイ用途などにおいては、加工性
に優れたＩＴＯが特に好適な例としてあげることができ
るが、表面抵抗を下げたり電圧降下抑制のために少量の
銀や金などの金属が含まれていても良く、また、錫、
金、銀、亜鉛、インジウム、アルミニウム、クロム、ニ
ッケルをガイド電極として使用することも可能である。
中でもクロムはブラックマトリックスとガイド電極の両
方の機能を持たせることができることからも好適な金属
である。透明電極の抵抗は素子の発光に十分な電流が供
給できればよいので限定されないが、素子の消費電力の
観点からは低抵抗であることが望ましい。例えば３００
Ω／□以下のＩＴＯ基板であれば素子電極として機能す
るが、現在では１０Ω／□程度の基板の供給も可能にな
っていることから、低抵抗品を使用することが特に望ま
しい。ＩＴＯの厚みは抵抗値に合わせて任意に選ぶこと
ができるが、通常１００〜３００ｎｍの間で用いられる
ことが多い。また、ガラス基板はソーダライムガラス、
無アルカリガラスなどが用いられ、また厚みも機械的強
度を保つのに十分な厚みがあればよいので、０．５ｍｍ
以上あれば十分である。ガラスの材質については、ガラ
スからの溶出イオンが少ない方がよいので無アルカリガ
ラスの方が好ましいが、ＳｉＯ₂などのバリアコートを
施したソーダライムガラスも市販されているのでこれを
使用できる。ＩＴＯ膜形成方法は、電子ビーム法、スパ
ッタリング法、化学反応法など特に制限を受けるもので
はない。

【０００９】陰極は、電気伝導性があって電子の注入を
実現できるものであれば特に限定されない。具体的に
は、白金、金、銀、銅、鉄、錫、亜鉛、炭素、パラジウ
ム、クロム、アルミニウム、インジウムなどの金属、ま
たはこれら金属を用いた合金、例えばＭｇ：Ａｇ、Ａ
ｌ：Ｌｉなどが好ましい例として挙げられる。また、陰
極とそれと接する有機層の間に、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｃ
ａ、ＬｉＦ、ＬｉＯＨなどの物質を介在させてもよい。
これらの物質は組合せによって、その存在量が変化する
ので規定はできないが、比較的少量でも機能する場合が
多い。この場合、電極の材質は上記物質を単独で使用し
ても高い性能を得ることができ、電極の形成の容易さや
安定性を考慮すると銀、アルミニウム、インジウムなど
が特に好ましい例として挙げることができるが、これら
の金属を含む合金を使用することも可能である。これら
の電極の作製法も抵抗加熱、電子線、スパッタリング、
イオンプレーティング、ペーストのコーティングなど導
通を取ることができれば特に制限されない。

【００１０】発光を司る物質とは、１）正孔輸送層／発
光層、２）正孔輸送層／発光層／電子輸送層、３）発光
層／電子輸送層、４）以上の組合わせ物質を一層に混合
した形態、そして、５）発光層単独のいずれであっても
よい。即ち、素子構成としては、上記１）〜３）の多層
積層構造の他に４）５）のように発光材料単独または発
光材料と正孔輸送材料および／または電子輸送材料を含
む層を一層設けるだけでもよい。

【００１１】正孔輸送層は正孔輸送材料単独で、あるい
は正孔輸送材料と高分子結着剤により形成され、正孔輸
送材料としてはＮ，Ｎ´−ジフェニル−Ｎ，Ｎ´−ジ
（３−メチルフェニル）−４，４´−ジアミン（ＴＰ
Ｄ）、Ｎ，Ｎ´−ジフェニル−Ｎ，Ｎ´−ジ（１−ナフ
チル）−４，４´−ジアミン（α−ＮＰＤ）などのトリ
フェニルアミン類、Ｎ−アルキル（例えばＮ−メチルカ
ルバゾール、Ｎ−エチルカルバゾール）またはＮ−アリ
ルカルバゾール（Ｎ−フェニルカルバゾール、Ｎ−（３
−メチルフェニルカルバゾール）、Ｎ−ナフチルカルバ
ゾール）の多量体（特に３、６位で結合された２〜５量
体）、スチルベン系化合物、ヒドラゾン系化合物、オキ
サジアゾール誘導体やフタロシアニン誘導体に代表され
る複素環化合物、ポリマー系では前記単量体を側鎖に有
するポリカーボネートやスチレン誘導体、ポリビニルカ
ルバゾール、ポリシランなどが好ましいが特に限定され
るものではない。これらの正孔輸送材料は、積層型の素
子の場合、単独で正孔輸送層を形成してもよいし、二種
類以上を混合または積層してもよい。例えば、ＩＴＯ透
明電極に正孔輸送材料として、まずフタロシアニンを蒸
着して続いてＴＰＤを積層した正孔輸送層は素子の性能
を安定化するし、ポリビニルカルバゾール中にＴＰＤを
分散した正孔輸送層を持つ素子は、電圧耐性が向上す
る。

【００１２】発光材料は主に以前から発光体として知ら
れていたアントラセンやピレン、そして前述のトリス
（８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウムや１０−
ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリン金属錯体の他にも、例
えば、ビススチリルアントラセン誘導体、テトラフェニ
ルブタジエン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾー
ル誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ピロロピリジン
誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、
オキサジアゾール誘導体、チアジアゾロピリジン誘導
体、ポリマー系では、ポリフェニレンビニレン誘導体、
ポリパラフェニレン誘導体、そして、ポリチオフェン誘
導体などが使用できる。また発光層に添加するドーパン
トとしては、前述のルブレン、キナクリドン誘導体、ジ
アザインダセン誘導体、フェノキサゾン６６０、ＤＣＭ
１、Nile Red、ペリノン、ペリレン、クマリン誘導体な
どがそのまま使用できる。

【００１３】電子輸送材料としては、電界を与えられた
電極間において陰極からの電子を効率良く輸送すること
が必要で、電子注入効率が高く、注入された電子を効率
良く輸送することが望ましい。そのためには電子親和力
が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性に
優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に発
生しにくい物質であることが要求される。このような条
件を満たす物質としてトリス（８−ヒドロキシキノリノ
ラト）アルミニウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ
［ｈ］キノリノラト）ベリリウム、２−（４−ビフェニ
ル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−
オキサジアゾール（ｔ−ＢｕＰＢＤ）などのオキサジア
ゾール系誘導体、薄膜安定性を向上させたオキサジアゾ
ール二量体系誘導体の１，３−ビス（４−ｔ−ブチルフ
ェニル−１，３，４−オキサジゾリル）ビフェニレン
（ＯＸＤ−１）、１，３−ビス（４−ｔ−ブチルフェニ
ル−１，３，４−オキサジゾリル）フェニレン（ＯＸＤ
−７）、トリアゾール系誘導体、フェナントロリン系誘
導体などがある。

【００１４】以上の正孔輸送層、発光層、電子輸送層に
用いられる材料は単独で各層を形成することができる
が、高分子結着剤としてポリ塩化ビニル、ポリカーボネ
ート、ポリスチレン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾー
ル）、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリ
レート、ポリエステル、ポリスルフォン、ポリフェニレ
ンオキサイド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリサルフォン、ポリアミド、
エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレ
タン樹脂などの溶剤可溶性樹脂や、フェノール樹脂、キ
シレン樹脂、石油樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不
飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、
シリコーン樹脂などの硬化性樹脂などに分散させて用い
ることも可能である。

【００１５】発光を司る物質の形成方法は、抵抗加熱蒸
着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、分子積層法、コ
ーティング法など特に限定されるものではないが、通常
は、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着が特性面で好まし
い。層の厚みは、発光を司る物質の抵抗値にもよるので
限定することはできないが、経験的には１０〜１０００
ｎｍの間から選ばれる。

【００１６】電気エネルギーとは主に直流電流を指す
が、パルス電流や交流電流を用いることも可能である。
電流値および電圧値は特に制限はないが、素子の消費電
力、寿命を考慮するとできるだけ低いエネルギーで最大
の輝度が得られるようにするべきである。

【００１７】本発明において透明な電極とは、可視光の
光線透過率が３０％以上であれば使用に大きな障害はな
いが、理想的には１００％に近い方が好ましい。ＩＴＯ
電極などは８０％以上の光線透過率を示すものもある
が、表面抵抗が低いものは光線透過率が低いものが多い
ので、素子特性とのバランスを取りながら選択する必要
がある。基本的には、透明な電極は可視光全域にわたっ
てほぼ同程度の透過率を持つことが好ましい。これはあ
る特定の波長にのみ吸収のある透明電極を使用した場
合、実際の発光色が透明電極を透過することによって変
化することがあるためである。従って、通常は発光色そ
のままで使用したいので平均的な透過率が必要となる。
但し、色を変えたい場合は積極的に吸収を持たせること
も可能であるが、通常はカラーフィルターや干渉フィル
ターを用いて変色させる方が技術的には容易である。

【００１８】この様にして作製された発光素子は、室温
反応性プラズマＣＶＤ法によって保護膜を形成される。
本手法は、ＰＥ−ＣＶＤ(Plasma Enhanced Chemical Va
porDeposition)とも呼ばれるが、従来と大きく異なる点
は室温など非常に低温で成膜が出来ることである。図１
は、本発明に使用される装置の一例である。図中、基板
は二つのハウジングの間に置かれる。第１のハウジング
は、プロセスチャンバー１内に反応ガスを導入する役目
を果たす。そして、そのハウジングには、図中右側に示
されているように窒素とシランが送り込まれるチャンバ
ーが交互に配置されている。シランキャビティー１７に
は、チャンバー内のガスを均一にするためにバッフル１
８が設置されている。窒素用のキャビティー１１にもバ
ッフル１０が設置されているが、これは接地されておら
ず１９のＲＦ発生器１に繋がれている。ＲＦ発生器１
は、窒素雰囲気下プラズマを発生しこれによって保護膜
が沈着させられる。第２のハウジングには、基板を包む
ように発生させるプラズマ用に３のＲＦ発生器２に接続
された熱電子スクリーン８が装着されている。この第２
のハウジングには、沈着領域に対するフローの促進を図
るためにバッフル７が設けてある。

【００１９】この方法であると、窒素源としてアンモニ
アは必要なく高純度窒素気体が使用できる。この方法を
用いると水素の導入量が少なく、量論的な窒化珪素が作
製できる。それによって、加熱することなく、大面積で
も均一性が高く膜質の良いフィルム（保護膜）を得るこ
とが可能になる。製膜温度は特に基板を加熱する必要は
なく室温で可能である。ここで室温とは通常大気の温度
を示しており、目安として４０℃以下、更には３０℃未
満を言う。但し、必要によっては８０℃以下であれば加
熱することも可能である。

【００２０】また、同様の装置を用いて酸化硅素のフィ
ルムを作製することも可能である。

【００２１】本保護膜を形成させるに際して、下地の材
料については特に制限はない。通常素子の陰電極の上に
形成されることになるので、前記記載の陰電極材料の上
にそのまま形成することも可能である。しかし、その他
にも前述の発光材料として記載された有機物、ポリエチ
レン、ポリプロピレン、ポリブタジエン、ナイロン、ポ
リエチレンテレフタレート、テフロン、ポリ塩化ビニリ
デン、ポリフッ化ビニリデン、ポリイミド、ポリ尿素、
ポリウレタン、ポリパラキシレンなどの高分子化合物若
しくはオリゴマー、酸化硅素、酸化マグネシウム、フッ
化マグネシウム、酸化チタンなどの無機化合物などの少
なくとも一種類を介在させてから保護膜を設けることも
できるし、逆に保護膜を設けてからこれらの化合物の少
なくとも一種からなる膜を形成させてもよい。更に、上
記保護法とガラスやステンレスの様な金属を背面板とし
て素子作製基板と樹脂によって貼り合わせる手法とを組
み合わせても良い。この時の貼り合わせ樹脂としては、
熱硬化性、光硬化性樹脂などを用いることが可能であ
る。代表的な素材として、エポキシ系、アクリル系をあ
げることが出来るがこれらに限定されるものではない。

【００２２】更に、本発明において保護膜を形成する際
に下地をクリーニングすることも可能である。一例とし
て酸素プラズマ、アルゴンプラズマ、窒素プラズマはも
とより、ハロゲン若しくは三フッ化窒素処理、ＵＶ照
射、ＵＶ−オゾン洗浄が挙げられるが特に限定を受ける
ものではない。また、保護膜まで真空一貫プロセスで作
製し、表面に汚れが付着しないようにして保護膜を作製
してもよい。この様に、クリーニングプロセスは、保護
膜の密着性や膜質を高くできる場合があるが、特に行わ
なくても十分な遮蔽性が発現できれば省略することがで
きる。

【００２３】

【実施例】以下、実施例および比較例をあげて本発明を
説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるも
のではない。

【００２４】実施例１ＩＴＯガラス基板を所定の大きさに切り出し、１２ｍｍ
幅のＩＴＯ帯が残るようにエッチングした。この基板を
洗浄した後にＵＶ−オゾン処理を施してから真空蒸着機
にセットして１×１０^-4Ｐａにまで真空引きした。そし
てアルミナるつぼからＮ，Ｎ´−ジフェニル−Ｎ，Ｎ´
−ジ（３−メチルフェニル）−４，４´−ジアミンを
０．３ｎｍ／秒の速度で１３０ｎｍ蒸着し、続いてタン
タル製クヌーセンセルからトリス（８−ヒドロキシキノ
リノラト）アルミニウム（III）を同じく０．３ｎｍ／
秒の速度で１００ｎｍ蒸着した。真空中で５×５ｍｍ角
の素子ができるようにマスクをセットした後、タングス
テンボートから０．１ｎｍ／秒の速度でリチウムを１ｎ
ｍ蒸着してから、０．５ｎｍ／秒の速度でアルミニウム
を１５０ｎｍ蒸着した。続いて、本発明におけるＣＶＤ
装置中にサンプルを置き減圧にし、プラズマ発生状態に
置いてシランガスと窒素を導入して窒化ケイ素０．４μ
ｍ形成した。この時基板は特に加熱しなかった。素子を
大気中１週間放置して発光させたところ、ダークスポッ
トの発生は肉眼では見られず、直流４ｍＡ／ｃｍ²の電
流密度で発光させたところ１３２ｃｄ／ｃｍ²の発光輝
度が得られ、初期の特性と変化なかった。

【００２５】実施例２実施例１と同様にして作製した素子を６０℃、相対湿度
８０％の雰囲気に１週間放置して発光させたところ、ダ
ークスポットの発生は肉眼では見られず、直流４ｍＡ／
ｃｍ²の電流密度で発光させたところ１１２ｃｄ／ｃｍ²
の発光輝度が得られ、初期特性からの変化は僅かであっ
た。

【００２６】実施例３実施例１においてプラズマＣＶＤによって保護膜を成膜
する前に酸素プラズマによって表面洗浄を行った素子を
６０℃、相対湿度８０％の雰囲気に６日間放置して発光
させたところ、ダークスポットの発生は肉眼では見られ
ず、直流４ｍＡ／ｃｍ²の電流密度で発光させたところ
１０８ｃｄ／ｃｍ²の発光輝度が得られ、初期特性から
の変化は僅かであった。

【００２７】比較例１保護膜として２００ｎｍの酸化珪素を電子ビーム蒸着で
設けた以外は実施例と全く同様に素子を作製し、素子を
大気中１週間放置して発光させたところ、発光面積の方
が少ない程、ダークスポットが拡がり、直流４ｍＡ／ｃ
ｍ²の電流密度で発光させたところ素子面の平均値とし
て３７ｃｄ／ｃｍ²の発光輝度しか得られなかった。

【００２８】

【発明の効果】本発明は、室温で形成でき長期間安定に
有機薄膜発光素子の特性を保つことができる保護膜であ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における室温プラズマＣＶＤ装置の一例
を示す図。

【符号の説明】

１プロセスチャンバー２基板３ＲＦ発生器２４ＲＦフィードスルー５排気口６スロットルバルブ７バッフル８熱電子スクリーン９ＲＦフィードスルー１０ガスバッフル電極１１キャビティー１２ガス導入口１３シランガス導入１４ガスマニフォールド１５窒素導入口１６シランガスキャビティー導入口１７シランキャビティ１８シランガス用バッフル１９ＲＦ発生器１２０接地スクリーン２１ロードロックへ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】陽極と陰極の間に発光を司る物質が存在
し、電気エネルギーにより発光する素子であって、室温
反応性プラズマＣＶＤ法によって作製された保護膜によ
って被覆されたことを特徴とする発光素子。
【請求項２】保護膜が窒化珪素からなることを特徴とす
る請求項１記載の発光素子。
【請求項３】保護膜が酸化珪素からなることを特徴とす
る請求項１記載の発光素子。
【請求項４】陽極と陰極の間に発光を司る物質が存在
し、電気エネルギーにより発光する素子であって、保護
膜を室温反応性プラズマＣＶＤ法によって作製すること
を特徴とする発光素子の製造方法。