JP2004103442A - 有機el素子及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 43
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 claims abstract description 29
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 58
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 29
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 20
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 17
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 12
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 claims description 4
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 15
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 15
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 3
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 3
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 3
- NUIURNJTPRWVAP-UHFFFAOYSA-N 3,3'-Dimethylbenzidine Chemical compound C1=C(N)C(C)=CC(C=2C=C(C)C(N)=CC=2)=C1 NUIURNJTPRWVAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000012691 depolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N germanium monoxide Inorganic materials [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
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Abstract
【解決手段】本発明の有機EL素子28は、基板10上に設けられた発光部24を保護するための複数の保護層を有する。保護層は、発光部24上に設けられるバッファ層26と、このバッファ層26上に設けられるバリア層27とを有する。バッファ層26は、蒸着重合によるポリ尿素膜からなる。バリア層27は、絶縁材料又は金属材料からなる。バリア層27の絶縁材料としては、SiNx、SiOx、SiON、GeO、Al2O3等を用いることができる。金属材料としては、Al、Au、Ag等を用いることができる。
【選択図】 図4
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機EL素子及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
有機EL素子は水分を嫌うデバイスであるため、有機EL素子を作製する工程において、上部電極の形成後にガラスやメタル缶で封止する方法が公知技術として知られている。
【0003】
この方法においては、デバイス作製後、不活性ガス雰囲気中で、封止ガラスや封止缶をUV硬化型樹脂でデバイスガラスと貼り合わせるようにしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このようなキャップによる方法では、▲1▼封止プロセスが複雑でコスト高である、▲2▼基板の大型化に伴い基板の反りが大きく封止圧力の調整が難しい、▲3▼不活性ガス製造装置や雰囲気制御計測器のコストが高い、▲4▼デバイスの軽量化ができない、▲5▼UV硬化型樹脂によるシールでは気密性に限界がありデシキャント(乾燥剤)が必要であるとともに、このデシキャントも水分を捕捉する限界がある。
また、従来、上部電極上へ直接保護膜を形成する方法も提案されている。
【0005】
【特許文献1】
特開平5−89959号公報
例えば、特開平5−89959号公報には、MgO、CaO等の酸化金属を形成する方法が開示されているが、この方法においては、MgOの蒸発温度が600℃と高いために蒸着粒子による熱ダメージで有機EL層が劣化したり、基板温度を200〜300℃にしないとバリア性のあるMgO膜が形成されないという問題がある。
【0006】
そして、実際の素子基板においては基板表面に凹凸が存在するため、たとえバリア性に優れた膜が作製できても蒸着やスパッタ法では段差被覆性が悪く、膜が付着しない部分から水分が優先的に進入して素子を劣化させるという問題が生じる。
【0007】
【特許文献2】
特開平5−335080号公報
また、特開平5−335080号公報には、RFプラズマCVD法による無定型シリカ膜を形成する方法が開示されているが、この方法においては、プラズマダメージを考慮しなければならないため成膜速度を上げられず、また、特ガス設備、RF電源、除害設備等が必要なため装置コストが非常に高いという問題がある。
【0008】
【特許文献3】
特開平8−222368号公報
また、特開平8−222368号公報には、保護膜としてポリ尿素単独膜を形成する方法が開示されているが、我々は数々の研究を重ねた結果、ポリ尿素単膜では有機EL素子の保護膜としてはバリア性が不十分であることがわかった。
【0009】
本発明は、このような従来の技術の課題を解決するためになされたもので、ガラス等による封止を行うことなく、水分の侵入を確実に防止して長寿命化を図ることが可能な有機EL素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するためになされた請求項1記載の発明は、基板上にアノード電極、有機材料層及びカソード電極を有する発光部が設けられた有機EL素子であって、前記発光部を保護するための複数の保護層を有し、前記保護層が、前記発光部上に設けられるバッファ層と、前記バッファ層上に設けられるバリア層とを有する有機EL素子である。
請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記バッファ層が、蒸着重合による有機材料膜からなるものである。
請求項3記載の発明は、請求項2記載の発明において、前記バッファ層が、ポリ尿素膜からなるものである。
請求項4記載の発明は、請求項1乃至3のいずれか1項記載の発明において、前記バリア層が、絶縁材料からなるものである。
請求項5記載の発明は、請求項1乃至3のいずれか1項記載の発明において、前記バリア層が、金属材料からなるものである。
請求項6記載の発明は、請求項3乃至5のいずれか1項記載の有機EL素子の製造方法であって、原料モノマーとして、ジアミンモノマーである4,4′−ジアミノジフェニルメタン(MDA)と、酸成分モノマーである4,4′−ジフェニルメタンジイソシアナート(MDI)とを用い、蒸着重合によってポリ尿素膜からなるバッファ層を形成する工程を有する有機EL素子の製造方法である。
請求項7記載の発明は、請求項6記載の発明において、前記ポリ尿素膜を形成した後、当該ポリ尿素膜に紫外線を照射して架橋させる工程を有するものである。
【0011】
本発明の場合、発光部を保護するための複数の保護層として、発光部上に設けられるバッファ層と、このバッファ層上に設けられるバリア層を有していることから、ガラス等による封止を行うことなく、水分の侵入を確実に防止して長寿命化を図ることができる。
【0012】
その結果、本発明によれば、簡素なプロセスで、軽量かつ安価の有機EL素子を提供することができる。
【0013】
また、本発明の場合、バリア層の下にバッファ層が存在することから、バッファ層を形成する際の熱やプラズマ等の影響が有機材料層に及ぶことがなく、蒸着、スパッタリング、CVD等によって高いバリア機能を有する保護層を形成することが可能になる。
【0014】
一方、蒸着重合膜はモノマー蒸気を基板上へ輸送し表面反応を利用して作製される膜で段差被覆性の優れているため(図5参照)、バッファ層を蒸着重合により形成すれば、種々の複雑な形状の素子にも対応することが可能になる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図1(a)は、本発明の有機EL素子の発光部を形成するための成膜装置の一例の概略構成を示すものである。
【0016】
図1(a)に示すように、この成膜装置1は、マルチチャンバー方式の枚葉式の装置であり、図示しない搬送ロボットが組み込まれているコア室2の周囲に、後述する基板10の出し入れを行うための仕込み取出室3と、基板10に対して前処理を行う前処理室4と、有機蒸着を行う有機蒸着室5、6と、電極を形成する電極形成室7とが配置され、これらはすべて図示しないゲートバルブを介して連結されている。
【0017】
また、これらコア室2、仕込み取出室3、前処理室4、有機蒸着室5及び6、電極形成室7は、図示しない真空ポンプ等を有する真空排気系に連結されている。そして、コア室2内に配置されるロボットによって基板10が仕込み取出室3、前処理室4、有機蒸着室5及び6、電極形成室7との間を自由に搬送できるようになっている。
【0018】
なお、本実施の形態の仕込み取出室3は、チャンバー内の真空状態を保持した状態でコア室2から取外して別の装置へ移動できるように構成されている。
【0019】
図1(b)は、本発明の有機EL素子の保護層を形成するための保護層形成装置の一例の概略構成を示すものである。
【0020】
図1(b)に示すように、この保護層形成装置11は、上記成膜装置1と同様にマルチチャンバー方式の枚葉式の装置であり、図示しない搬送ロボットが組み込まれているコア室12の周囲に、基板10を搬入するための仕込み室13と、蒸着重合を行う蒸着重合室14と、紫外線による処理を行うUV処理室15と、保護層を形成する保護層形成室16と、基板10を搬出するための取出室17とが配置され、これらはすべて図示しないゲートバルブを介して連結されている。
【0021】
また、これらコア室2、仕込み室13、蒸着重合室14、UV処理室15、保護層形成室16、取出室17は、図示しない真空ポンプ等を有する真空排気系に連結されており、さらに仕込み室13、蒸着重合室14、UV処理室15、保護層形成室16との間を基板10が自由に搬送できるようになっている。
【0022】
図2は、本実施の形態の成膜装置に用いる蒸着重合装置の概略構成を示すものである。
図2に示すように、本実施の形態においては、蒸着重合室4の上方に、2種類の原料モノマーA、Bの蒸発源40A、40Bが導入管41A、41Bを介して接続されている。
【0023】
各蒸発源40A、40Bのハウジング42A、42Bには、それぞれ蒸発用容器43A、43Bが設けられる。そして、蒸発用容器43A、43Bの内部には、ポリ尿素膜を形成するための原料モノマーA、Bとして、ジアミンモノマーと酸成分モノマーがそれぞれ注入されている。
【0024】
本発明の場合、ジアミンモノマーとしては、例えば、4,4′−ジアミノジフェニルメタン(MDA)、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル(DDE)、オルト−トリジン(OTD)等を好適に用いることができる。
【0025】
これらのうちでも、MDA、DDEは、蒸発特性及び反応性が良好である点から特に好ましいものである。
【0026】
一方、酸成分モノマーとしては、例えば4,4′−ジフェニルメタンジイソシアナート(MDI)、脂肪族系ジイソシアナート等を好適に用いることができる。
【0027】
これらのうちでも、MDIは、MDAと同様に芳香族系のモノマーであって、反応性及び蒸着特性の点から特に好ましいものである。
【0028】
各蒸発用容器43A、43Bの近傍には、各原料モノマーA、Bを加熱するためのヒーター44A、44Bが設けられている。
【0029】
一方、各導入管41A、41Bの周囲にはヒーター49が巻き付けられ、これによって原料モノマーA、Bの温度を制御できるように構成されている。また、各導入管41A、41Bの途中には、各原料モノマーA、Bの供給量を調整するためのバルブ45A、45Bが設けられ、これらを開閉することにより、蒸着重合膜の形成時に所定の膜厚を形成できるようになっている。ここで、蒸着重合膜の膜厚は、蒸着重合室4の上部に設けられた例えば半導体レーザを用いた光学モニター50によって制御される。
【0030】
図2に示すように、蒸着重合室4内の下部には加熱用のプレート46が設けられ、このホットプレート46上に基板10が支持される。そして、蒸着重合室4の上部には、混合槽47が設けられている。なお、本実施の形態の場合、混合槽47の内壁には、原料モノマーA、Bの蒸気を加熱するためのヒーター48が設けられている。
【0031】
次に、本発明に係る有機EL素子の製造方法の実施の形態を図1〜図4を参照して説明する。
【0032】
本発明において有機EL素子を製造するには、まず、パターニングされたITO電極21付きの基板10(図3(a)参照)を洗浄した後、この基板10を成膜装置1の仕込み取出室3にセットする。
【0033】
そして、基板10を前処理室4へ搬送し、ITO電極21の表面に対して例えば酸素プラズマを用いて前処理を行う。
【0034】
次いで、基板10を有機蒸着室5へ搬送し、例えば4,4′−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(以下NPBと略す)等を用いて蒸着によって所定の厚さの正孔輸送層を形成し、さらに、基板10を有機蒸着室6へ搬送し、例えば8−オキシキノリノアルミニウム錯体(以下Alq3と略す)等を用いて蒸着によって所定の厚さの発光層を形成する。
【0035】
これにより、図3(b)に示すように、ITO電極上に有機材料層22が形成された基板10を得る。
【0036】
さらに、基板10を電極形成室へ搬送し、例えばLiFを用いて例えば蒸着によって所定の厚さの陰極バッファー層を形成し、続いて例えばアルミニウムを用い蒸着によって陰極バッファー層上に所定の厚さのカソード電極23を形成する。
【0037】
これにより、図3(c)に示すように、基板10上に発光部24が形成された有機EL素子本体25を得る。
【0038】
その後、この有機EL素子本体25を仕込み取出室3へ戻した後、この仕込み取出室3を移動させて保護膜形成装置11に有機EL素子本体25を受け渡す。
【0039】
保護膜形成装置11においては、仕込み室13を介して有機EL素子本体25を蒸着重合室14へ搬送し、その発光部24上に蒸着重合によって所定の厚さのポリ尿素膜26を形成する。
【0040】
この場合、まず、上記蒸着重合室4の各バルブ45A、45Bを閉じた状態で内部の圧力を3×10−3Pa程度の高真空に設定し、ヒーター44A、44Bによって各原料モノマーA、Bを所定の温度に加熱する。
【0041】
そして、各原料モノマーA、Bが所定の温度に達して所要の蒸発量が得られた後に、各バルブ45A、45Bを開き、所定の蒸発速度で各原料モノマーA、Bを上方から有機EL素子本体25上に蒸着、堆積させる。
【0042】
なお、原料モノマーA、Bとして、MDAとMDIを用いた場合、それぞれの蒸発速度は、化学量論比で1:1〜1:1.4となるように制御することが好ましい。
【0043】
また、ホットプレート46によって有機EL素子本体25の温度を所定の温度に制御する。
【0044】
これにより、有機EL素子本体25の発光部24上に、所定の厚さのポリ尿素膜26aが全面成膜される(図4(d)参照)。
【0045】
本発明の場合、ポリ尿素膜26aの厚さは特に限定されることはないが、上記バリア膜のバッファー機能の観点からは、200nm〜3000nmとすることが好ましい。
その後、この有機EL素子本体25をUV処理室15へ搬送する。
【0046】
UV処理室15においては、所定の波長及び照度の紫外線ランプを所定時間照射して、ポリ尿素膜26aを架橋させる。これは、有機EL素子は80℃以上に加熱できないので紫外線照射によって官能基を消滅させるため、また、線状高分子に比べて解重合反応が起こりにくいことを考慮して、尿素結合とイソシアナート基を反応させて三次元的ネットワークを形成するためである。
【0047】
本発明の場合、照射する紫外線の波長、照度及び照射時間は特に限定されることはないが、184〜354nm、10〜34mW/cm2、10〜60分とすることが好ましい。
【0048】
そして、この紫外線照射により、バッファ層としてのポリ尿素膜26が形成される(図4(e)参照)。
【0049】
次に、有機EL素子本体25を保護膜形成室16へ搬送し、ポリ尿素膜26上にバリア膜(バリア層)27を形成する。
【0050】
本発明の場合、バリア膜27の材料は特に限定されることはないが、バリア能力確保の観点からは、絶縁材料又は金属材料とすることが好ましい。
【0051】
この場合、絶縁材料としては、SiNx、SiOx、SiON、GeO、Al2O3等を用いることができる。
【0052】
これらのうちでも、水蒸気バリア能力の点からは、SiNx、SiONを好適に用いることができる。
【0053】
一方、金属材料としては、Al、Au、Ag等を用いることができる。
これらのうちでも、コストの点からは、Alを好適に用いることができる。
【0054】
また、バリア膜27の形成方法は特に限定されることはないが、作製プロセスの観点からは、蒸着、スパッタリング、CVDが好ましい。
これらのうちでも、量産性の点からは、スパッタリングを好適に用いることができる。
【0055】
なお、スパッタリングの場合は、SiやAl等をターゲットとして用いる反応性スパッタリングのほか、N2ガスやO2ガスを反応ガスとして導入することも可能である。
【0056】
そして、このようなプロセスによって目的とする有機EL素子28が得られ(図4(f)参照)。なお、この有機EL素子28は、取出室17を介して取り出す。
【0057】
以上述べたように本実施の形態によれば、発光部24を保護するための複数の保護層として、発光部24上に設けられるポリ尿素膜26と、このポリ尿素膜26上に設けられるバリア膜27を有していることから、ガラス等による封止を行うことなく、水分の侵入を確実に防止して長寿命化を図ることができる。
【0058】
その結果、本実施の形態によれば、簡素なプロセスで、軽量かつ安価の有機EL素子を提供することができる。
【0059】
また、本実施の形態の場合、バリア層27の下にポリ尿素膜26が存在することから、バリア層27を形成する際の熱やプラズマ等の影響が有機材料層22に及ぶことがなく、蒸着、スパッタリング、CVD等によって高いバリア機能を有する保護層を形成することができる。
【0060】
さらに、蒸着重合膜はモノマー蒸気を基板上へ輸送し表面反応を利用して作製される膜で段差被覆性の優れているため、蒸着重合によりバッファ層を形成した本実施の形態によれば、種々の複雑な形状の素子に対応することができる。
【0061】
【実施例】
以下、本発明の実施例を比較例とともに詳細に説明する。
【0062】
<実施例1>
以下の方法により、低分子の有機EL素子を作製し、その発光部上に種々の保護膜を形成してその寿命を調べた。
【0063】
表面にITO電極が全面成膜された基板10を準備し、フォトリソグラフィ工程によりパターニングした。
【0064】
そして、パターニングされたITO電極21付きの基板10を洗浄した後、この基板10を図1(a)に示す成膜装置1の仕込み取出室3にセットした。
【0065】
そして、基板10を前処理室4へ搬送し、ITO電極21の表面に対して酸素プラズマを用いて前処理を行った。
【0066】
次いで、基板10を有機蒸着室5へ搬送し、有機材料層22として上記NPBを用いて蒸着によって厚さ500nmの正孔輸送層を形成した。
【0067】
次に、基板10を有機蒸着室6へ搬送し、有機材料層22として上記Alq3を用いて蒸着によって厚さ500nmの発光層を形成した。
【0068】
さらに、基板10を電極形成室7へ搬送し、LiFを用いて蒸着によって厚さ2mnの陰極バッファー層を形成し、続いてアルミニウムを用い蒸着によって陰極バッファー層上に厚さ300nmのカソード電極23を形成した。
【0069】
なお、有機材料層22、カソード電極23の形成はそれぞれ専用のマスクを用いて行った。
【0070】
その後、得られた有機EL素子本体25を仕込み取出室3へ戻した後、この仕込み取出室3を移動させて保護膜形成装置11に有機EL素子本体25を受け渡した。
【0071】
保護膜形成装置11においては、仕込み室13を介して有機EL素子本体25を蒸着重合室14へ搬送し、以下の蒸着重合法によって有機EL素子本体25の発光部24上にポリ尿素膜26を形成した。
【0072】
まず、各バルブ45A、45Bを閉じた状態で蒸着重合室14内の圧力を3×10−3Pa程度の高真空に設定し、ヒーター44A、44Bによって各原料モノマーA、Bを所定の温度に加熱した。
【0073】
そして、各原料モノマーA、Bが所定の温度に達して所要の蒸発量が得られた後に、各バルブ45A、45Bを開き、所定の蒸発速度で各原料モノマーA、Bを上方から有機EL素子本体25上に蒸着、堆積させる。
【0074】
本実施例においては、原料モノマーAとしてMDAを用い、原料モノマーBとしてMDIを用いた。
【0075】
この場合、MDAとMDIの蒸発速度が化学量論比で1:1〜1:1.4となるように制御することが好ましく、このため本実施例では、MDAを100℃、MDIを60℃に加熱した。
【0076】
一方、有機EL素子本体25については、その温度が40℃となるように恒温循環水で温度制御したプレート46によって制御した。
【0077】
これにより、有機EL素子本体25の発光部24上に、厚さ500nmのポリ尿素膜26aを全面成膜した。
【0078】
その後、有機EL素子本体25をUV処理室へ搬送し、波長254nm、照度20mW/cm2の紫外線をポリ尿素膜26aに10分間照射してを架橋させた。
【0079】
次に、有機EL素子本体25を保護膜形成室16へ搬送してバリア膜27を形成した。
【0080】
本実施例においては、Siターゲット(図示せず)を用い、チャンバー内にArガスとN2ガスを導入してDCマグネトロンスパッタによってSiNx膜を形成した。
【0081】
この場合、基板10の応力増加を防ぐため、チャンバー内の圧力を高圧(2.6Pa)又は低圧(0.2Pa)にして交互に成膜し、トータルの厚さが1μmの膜を成膜した。
【0082】
その後、このようにして得られた有機EL素子28を取出室13へ搬送して取り出した。
【0083】
本実施例の有機EL素子を、大気放置下で初期輝度300cd/m2の条件で連続発光させたところ、5000時間経過後もダークスポットの発生は認められなかった。
【0084】
また、この有機EL素子を、65℃、95%の高温高湿下に配置し、素子の劣化を調べた。
【0085】
500時間経過後、この有機EL素子に電流密度10mA/cm2の電圧を印加して発光状態を確認したところ、ダークスポットの発生は認められず良好な面状発光を保っていた。
【0086】
<実施例1A>
チャンバー内の圧力を低圧(0.2Pa)にして厚さ100〜300nmのSiNx膜を形成した以外は実施例1と同一の方法で有機EL素子を作製した。
【0087】
そして、本実施例の有機EL素子を実施例1と同一の条件で寿命を評価したところ、大気雰囲気下、高温高湿下のいずれにおいても良好な結果が得られた。
【0088】
<実施例2>
保護膜形成装置11の保護膜形成室16にCVDモジュールを設けCVD法によりバリア膜として厚さ1μmのSiNx膜を成膜した以外は実施例1と同一の方法で有機EL素子を作製した。
【0089】
そして、本実施例の有機EL素子を実施例1と同一の条件で寿命を評価したところ、大気雰囲気下、高温高湿下のいずれにおいても良好な結果が得られた。
【0090】
<実施例3>
保護膜形成室16にAlのスパッタモジュールを設けスパッタリング法によりバリア膜として厚さ300nmのアルミニウム膜を成膜した以外は実施例1と同一の方法で有機EL素子を作製した。
【0091】
そして、実施例1と同一の条件で寿命を評価したところ、大気雰囲気下、高温高湿下のいずれにおいても良好な結果が得られた。
【0092】
<比較例1>
有機EL素子本体25の発光部24上に実施例1と同一の条件で蒸着重合によるポリ尿素膜26のみを形成して寿命評価を行った。
【0093】
その結果、高温高湿試験では、100時間後に上部Al電極が腐食して発光させることができなかった。
【0094】
このように、ポリ尿素膜26単独では高温高湿下において水分に対するバリア性が不十分であることが確認された。
【0095】
なお、以上の説明においては、バッファ層を蒸着重合によって形成するようにしたが、他の方法によってバッファ層を形成することも可能である。
ただし、本発明は、上述した蒸着重合によってバッファ層を形成する場合に最も効果があるものである。
【0096】
なお、上記実施例では、SiNxについて記載したが、SiON膜、SiOx膜についても同様の効果が得られるものである。
【0097】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、発光部を保護するための複数の保護層として、発光部上に設けられるバッファ層と、このバッファ層上に設けられるバリア層を有していることから、ガラス等による封止を行うことなく、水分の侵入を確実に防止して長寿命化を図ることができる。
その結果、本発明によれば、簡素なプロセスで、軽量かつ安価の有機EL素子を提供することができる。
また、本発明の場合、バリア層の下にバッファ層が存在することから、バッファ層を形成する際の熱やプラズマ等の影響が有機材料層に及ぶことがなく、蒸着、スパッタリング、CVD等によって高いバリア機能を有する保護層を形成することができる。
一方、蒸着重合膜はモノマー蒸気を基板上へ輸送し表面反応を利用して作製される膜で段差被覆性の優れているため、バッファ層を蒸着重合により形成すれば、種々の複雑な形状の素子にも対応することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a):本発明の有機EL素子の発光部を形成するための成膜装置の一例を示す概略構成図
(b):本発明の有機EL素子の保護層を形成するための保護層形成装置の一例を示す概略構成図
【図2】本実施の形態の成膜装置に用いる蒸着重合装置の概略構成図
【図3】(a)〜(c):本発明に係る有機EL素子の製造方法の一例を示す断面図(その1)
【図4】(d)〜(f):本発明に係る有機EL素子の製造方法の一例を示す断面図(その2)
【図5】ポリ尿素膜の埋め込み結果を示す断面電子顕微鏡写真
【符号の説明】
1…有機EL素子製造装置 10…基板 11…保護層形成装置 21…ITO電極 22…有機材料層 23…カソード電極 24…発光部 25…有機EL素子本体 26…ポリ尿素膜(バッファ層) 27…バリア膜(バリア層) 28…有機EL素子
Claims (7)
- 基板上にアノード電極、有機材料層及びカソード電極を有する発光部が設けられた有機EL素子であって、
前記発光部を保護するための複数の保護層を有し、
前記保護層が、前記発光部上に設けられるバッファ層と、前記バッファ層上に設けられるバリア層とを有する有機EL素子。 - 前記バッファ層が、蒸着重合による有機材料膜からなる請求項1記載の有機EL素子。
- 前記バッファ層が、ポリ尿素膜からなる請求項2記載の有機EL素子。
- 前記バリア層が、絶縁材料からなる請求項1乃至3のいずれか1項記載の有機EL素子。
- 前記バリア層が、金属材料からなる請求項1乃至3のいずれか1項記載の有機EL素子。
- 請求項3乃至5のいずれか1項記載の有機EL素子の製造方法であって、
原料モノマーとして、ジアミンモノマーである4,4′−ジアミノジフェニルメタン(MDA)と、酸成分モノマーである4,4′−ジフェニルメタンジイソシアナート(MDI)とを用い、蒸着重合によってポリ尿素膜からなるバッファ層を形成する工程を有する有機EL素子の製造方法。 - 前記ポリ尿素膜を形成した後、当該ポリ尿素膜に紫外線を照射して架橋させる工程を有する請求項6記載の有機EL素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002265008A JP2004103442A (ja) | 2002-09-11 | 2002-09-11 | 有機el素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002265008A JP2004103442A (ja) | 2002-09-11 | 2002-09-11 | 有機el素子及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004103442A true JP2004103442A (ja) | 2004-04-02 |
Family
ID=32264260
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002265008A Pending JP2004103442A (ja) | 2002-09-11 | 2002-09-11 | 有機el素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2004103442A (ja) |
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