JPH02291696A - 電界発光素子 - Google Patents
電界発光素子Info
- Publication number
- JPH02291696A JPH02291696A JP1142655A JP14265589A JPH02291696A JP H02291696 A JPH02291696 A JP H02291696A JP 1142655 A JP1142655 A JP 1142655A JP 14265589 A JP14265589 A JP 14265589A JP H02291696 A JPH02291696 A JP H02291696A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic compound
- luminescence
- electric field
- layer
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005684 electric field Effects 0.000 title abstract description 8
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 title abstract description 8
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 abstract 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 27
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- OAIASDHEWOTKFL-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C(C)C=CC=1)C1=CC=CC=C1 OAIASDHEWOTKFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000511976 Hoya Species 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930192419 itoside Natural products 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical class 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は発光性物質からなる発光層を有し、電界を印加
することにより電界印加工ネルギーを直接光エネルギー
に変換でき、従来の白熱灯、蛍光灯あるいは発光ダイオ
ード等とは異なり大面積の面状発光体の実現を可能にす
る電界発光素子に関する．。
することにより電界印加工ネルギーを直接光エネルギー
に変換でき、従来の白熱灯、蛍光灯あるいは発光ダイオ
ード等とは異なり大面積の面状発光体の実現を可能にす
る電界発光素子に関する．。
電界発光素子はその発光励起機構の違いから、（１）発
光層内での電子や正孔の局所的な移動により発光体を励
起し、交流電界でのみ発光する真性電界発光素子と、（
２）電極からの電子と正孔の注入とその発光層内での再
結合により発光体を励起し、直流電界で作動するキャリ
ャ注入型電界発光素子の二つに分けられる。（１）の真
性電界発光型の発光素子は一般にＺｎＳにＭｎ． Ｃｕ
等を添加した無機化合物を発光体とするものであるが、
駆動に２００ｖ以上の高い交流電界を必要とすること、
製造コストが高いこと、輝度や耐久性も不十分である等
の多くの問題点を有する。
光層内での電子や正孔の局所的な移動により発光体を励
起し、交流電界でのみ発光する真性電界発光素子と、（
２）電極からの電子と正孔の注入とその発光層内での再
結合により発光体を励起し、直流電界で作動するキャリ
ャ注入型電界発光素子の二つに分けられる。（１）の真
性電界発光型の発光素子は一般にＺｎＳにＭｎ． Ｃｕ
等を添加した無機化合物を発光体とするものであるが、
駆動に２００ｖ以上の高い交流電界を必要とすること、
製造コストが高いこと、輝度や耐久性も不十分である等
の多くの問題点を有する。
（２）のキャリャ注入型電界発光素子は発光層として薄
膜状有機化合物を用いるようになってから高輝度のもの
が得られるようになった。このような例はたとえば特開
昭５９−１９４３９３、米国特許４，７２０，４３２、
Ｊｐｎ．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ，ｖｏｌ．２７，Ｐ７１３〜７１５に開示さ
れており、これらは、通常、正孔注入層や電子注入層が
発光層の片側あるいは両側に設けられたもので、１００
■以下の直流電界下で高輝度の発光を呈する。
膜状有機化合物を用いるようになってから高輝度のもの
が得られるようになった。このような例はたとえば特開
昭５９−１９４３９３、米国特許４，７２０，４３２、
Ｊｐｎ．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ，ｖｏｌ．２７，Ｐ７１３〜７１５に開示さ
れており、これらは、通常、正孔注入層や電子注入層が
発光層の片側あるいは両側に設けられたもので、１００
■以下の直流電界下で高輝度の発光を呈する。
しかしながら，（２）のキャリャ注入型電界発光素子は
それぞれの層を形成する有機化合物が１０００人以下の
厚みで均一でピンホールの無い薄膜を形成する能力をも
っていることを必要とするため、利用できる物質に限り
があること、多層構造を真空蒸着により形成しなければ
ならないため素子製造が煩雑である等の難点を有する。
それぞれの層を形成する有機化合物が１０００人以下の
厚みで均一でピンホールの無い薄膜を形成する能力をも
っていることを必要とするため、利用できる物質に限り
があること、多層構造を真空蒸着により形成しなければ
ならないため素子製造が煩雑である等の難点を有する。
特に蛍光性有機化合物には１０００人以下の均一な薄膜
を形成する能力を有するものが少ないため、このような
発光層を用いた素子はどうしても耐久性が劣り、この点
の改善が強く望まれていた。
を形成する能力を有するものが少ないため、このような
発光層を用いた素子はどうしても耐久性が劣り、この点
の改善が強く望まれていた。
本発明は上記従来技術の実情に鑑みてなされたものであ
って、その目的はその製造が簡単であると共に高譚度発
光を呈し，しかもその発光性能が長期間に亘って持続す
る耐久性に優れた電界発光素子を提供することにある。
って、その目的はその製造が簡単であると共に高譚度発
光を呈し，しかもその発光性能が長期間に亘って持続す
る耐久性に優れた電界発光素子を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明者らは，上記目的を解決するため発光層の構成要
素について鋭意検討した結果、正孔輸送能を有する有機
化合物に電子輸送能をもつ蛍光性有機化合物を混合し、
これらの混合薄膜を発光層とした場合には高輝度で耐久
性に富み、しかもその製造が容易な電界発光素子が得ら
れることを見い出し、本発明を完成するに至った。
素について鋭意検討した結果、正孔輸送能を有する有機
化合物に電子輸送能をもつ蛍光性有機化合物を混合し、
これらの混合薄膜を発光層とした場合には高輝度で耐久
性に富み、しかもその製造が容易な電界発光素子が得ら
れることを見い出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明によれば、二つの電極間に有機物薄膜
層よりなる発光層を設けた電界発光素子において、発光
層として正孔輸送能を有する有機化合物と電子輸送能を
有する蛍光性有機化合物とからなる混合体薄膜を用いた
ことを特徴とする電界発光素子が提供される。
層よりなる発光層を設けた電界発光素子において、発光
層として正孔輸送能を有する有機化合物と電子輸送能を
有する蛍光性有機化合物とからなる混合体薄膜を用いた
ことを特徴とする電界発光素子が提供される。
以下、図面に沿って本発明を詳細に説明する。
第１図は本発明の電界発光素子の模式断面図である。１
はガラス基板ないしは合成樹脂基板であり、２は基板上
に形成された陽極である。２は金，白金、パラジウムな
どの金属の蒸着、スパッタ膜あるいはスズ、インジウム
ースズの酸化薄膜等で形成され、発光を取り出すため、
４００１以上の波長領域で透明であることが望ましい。
はガラス基板ないしは合成樹脂基板であり、２は基板上
に形成された陽極である。２は金，白金、パラジウムな
どの金属の蒸着、スパッタ膜あるいはスズ、インジウム
ースズの酸化薄膜等で形成され、発光を取り出すため、
４００１以上の波長領域で透明であることが望ましい。
３は正孔輸送を有する有機化合物と電子輸送能を蛍光性
有機化合物との混合物からなる薄膜でその厚みは２００
〜３０００人であり、好ましくは４００〜１５００人で
ある。
有機化合物との混合物からなる薄膜でその厚みは２００
〜３０００人であり、好ましくは４００〜１５００人で
ある。
正孔輸送能を有する有機化合物としては非品性固体を形
成しやすいものが好ましく、また４００ｎｍ以上の波長
域で透明な有機化合物が好ましく使用される。このよう
な有機化合物としては、トリフェニルアミン類、スチル
ベン誘導体類、オキサジアゾール類等が挙げられ、その
具体例としては、たとえば以下のようなものが例示され
る。
成しやすいものが好ましく、また４００ｎｍ以上の波長
域で透明な有機化合物が好ましく使用される。このよう
な有機化合物としては、トリフェニルアミン類、スチル
ベン誘導体類、オキサジアゾール類等が挙げられ、その
具体例としては、たとえば以下のようなものが例示され
る。
蛍光性有機化合物としては、電子輸送能を持ち，固体で
強い蛍光を発する物質であれば，特に薄膜形成能に優れ
た物質である必要はない。このような物質としてはたと
えば、ペリノン誘導体、キノリン錯体誘導体が挙げられ
るが、その具体例としては次のような物質等を挙げるこ
とができる。
強い蛍光を発する物質であれば，特に薄膜形成能に優れ
た物質である必要はない。このような物質としてはたと
えば、ペリノン誘導体、キノリン錯体誘導体が挙げられ
るが、その具体例としては次のような物質等を挙げるこ
とができる。
本発明において用いる正孔輸送能を有する有機化合物と
蛍光性有機化合物との混合組成は重量比で１０／９０か
ら９０／１０まで変えることができる。混合薄膜の形成
は，真空蒸着法、キャンティング、溶融法などにより行
うことができる。真空蒸着法の場合それぞれ独立に加熱
温度を測定し蒸着速度を制御できる二つの抵抗加熱蒸発
源からの同時蒸着により行うこともできる。また、予め
両物質の微粉体を混合したものを一つの抵抗加熱発源に
設置し、蒸着させる方法でも良好な混合薄膜を作成する
ことができる。また、独立した二つの加熱蒸着源を用い
て、二つの物質の蒸着速度を独立に変化させながら蒸着
することで膜厚方向に組成変化を持たせた混合膜を作成
することも可能である。
蛍光性有機化合物との混合組成は重量比で１０／９０か
ら９０／１０まで変えることができる。混合薄膜の形成
は，真空蒸着法、キャンティング、溶融法などにより行
うことができる。真空蒸着法の場合それぞれ独立に加熱
温度を測定し蒸着速度を制御できる二つの抵抗加熱蒸発
源からの同時蒸着により行うこともできる。また、予め
両物質の微粉体を混合したものを一つの抵抗加熱発源に
設置し、蒸着させる方法でも良好な混合薄膜を作成する
ことができる。また、独立した二つの加熱蒸着源を用い
て、二つの物質の蒸着速度を独立に変化させながら蒸着
することで膜厚方向に組成変化を持たせた混合膜を作成
することも可能である。
４は陰極であり、陰極材料としては真空蒸着可能な金属
、有機導電体が使用され得るが、特にＭｇ、Ａ１、Ａｇ
． Ｉｎなどの仕事関数が小さい金属が望ましい。
、有機導電体が使用され得るが、特にＭｇ、Ａ１、Ａｇ
． Ｉｎなどの仕事関数が小さい金属が望ましい。
本発明の電界発光素子の発光層は単一層であることを特
徴としているが，素子の耐久性の向上、発光効率を向上
させるために発光層と電極の間に一ないし数層の有機物
層を挿入してもよい．〔効果〕 本発明の電界発光素子は正孔輸送能を有する有機化合物
と蛍光性有機化合物の均一混合層を用いたことから、素
子の製造を容易にし、しかも素子の高輝度発光と耐久性
の向上を実現し得るなどの利点を有する。
徴としているが，素子の耐久性の向上、発光効率を向上
させるために発光層と電極の間に一ないし数層の有機物
層を挿入してもよい．〔効果〕 本発明の電界発光素子は正孔輸送能を有する有機化合物
と蛍光性有機化合物の均一混合層を用いたことから、素
子の製造を容易にし、しかも素子の高輝度発光と耐久性
の向上を実現し得るなどの利点を有する。
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。
実施例１
陽極として、インジウムースズ酸化物（ＩＴＯ）ガラス
（ Ｈ Ｏ Ｙ Ａ製）を中性洗剤により洗浄し、次い
でエタノール中で約１０分間超音波洗浄した。これを沸
騰したエタノール中に約１分間入れ、取り出した後、す
ぐに送風乾燥を行った。つぎに正孔輸送能を有する有機
化合物であるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−
メチルフェニル）−１．１’−ビフェニル−４，４′−
ジアミン（ＴＰＯ）と蛍光性有機化合物である下記式で
示されるペリノン誘導体をそれぞれ独立に加熱温度を設
定し、蒸着速度を制御できる二つの抵抗加熱源からガラ
ス板上に同時蒸着して発光層を形成した．すなわち、温
度コントローラによりＴＰＯを含んだタンタル製ボート
を２００℃に、ペリノン誘導体を含んだボートを２５０
℃に保ち、それぞれの蒸着速度が２人／Ｓとなるように
制御した．従って、蒸着速度は合せて４人／Ｓであり、
蒸着時の真空度は０．７Ｘ １０”” ｔｏｒｒであっ
た。基板温度は２０℃であった。
（ Ｈ Ｏ Ｙ Ａ製）を中性洗剤により洗浄し、次い
でエタノール中で約１０分間超音波洗浄した。これを沸
騰したエタノール中に約１分間入れ、取り出した後、す
ぐに送風乾燥を行った。つぎに正孔輸送能を有する有機
化合物であるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−
メチルフェニル）−１．１’−ビフェニル−４，４′−
ジアミン（ＴＰＯ）と蛍光性有機化合物である下記式で
示されるペリノン誘導体をそれぞれ独立に加熱温度を設
定し、蒸着速度を制御できる二つの抵抗加熱源からガラ
ス板上に同時蒸着して発光層を形成した．すなわち、温
度コントローラによりＴＰＯを含んだタンタル製ボート
を２００℃に、ペリノン誘導体を含んだボートを２５０
℃に保ち、それぞれの蒸着速度が２人／Ｓとなるように
制御した．従って、蒸着速度は合せて４人／Ｓであり、
蒸着時の真空度は０．７Ｘ １０”” ｔｏｒｒであっ
た。基板温度は２０℃であった。
またＩＴＯ上に生成した蒸着層の膜厚は１５００人であ
った・ つぎに蒸着層上に、０．１ｄ、厚み１５００人のＭｇ−
Ａｇ電極を蒸着した。このようにして得られた発光素子
は、ＩＴＯ側にプラスのバイアスをかけた場合に５８０
ｎｏ＋をピークとするオレンジ色の発光を呈した。
った・ つぎに蒸着層上に、０．１ｄ、厚み１５００人のＭｇ−
Ａｇ電極を蒸着した。このようにして得られた発光素子
は、ＩＴＯ側にプラスのバイアスをかけた場合に５８０
ｎｏ＋をピークとするオレンジ色の発光を呈した。
また，駆動電圧２０Ｖ、電流密度１００ｍＡ／ａＪニお
イテ、５００ｃｄ／ ｒｒ？の輝度を示した．また、こ
の発光素子は、湿度を十分に除去した状態において空気
中で作動させることが可能であった。更に、本発明の発
光素子を電流密度１ ０ｍＡ、輝度５０ｃｄ／ ｒｒ？
の条件下で遇区動したが、４０時間経過しても輝度の低
下は観測されなかった。
イテ、５００ｃｄ／ ｒｒ？の輝度を示した．また、こ
の発光素子は、湿度を十分に除去した状態において空気
中で作動させることが可能であった。更に、本発明の発
光素子を電流密度１ ０ｍＡ、輝度５０ｃｄ／ ｒｒ？
の条件下で遇区動したが、４０時間経過しても輝度の低
下は観測されなかった。
実施例２
蛍光性有機化合物として下記のキレート化合物を用い、
かつこの物質を含んだボートの温度を２７０℃に保ち，
蒸着速度を２人／Ｓ、トータルで４人／Ｓとなるように
制御した以外は実施例１と同様にして発光素子を作製し
た。ＩＴＯ上に生成した蒸着膜の膜厚は１０００人であ
った。得られた発光素子は５２０ｎｍをピークとする緑
色発光を呈した、また駆動電圧２０Ｖ、電流密度１００
ｍＡ／ｃｏ？で５００ｃｄ／ ｒｄの輝度を示した。
かつこの物質を含んだボートの温度を２７０℃に保ち，
蒸着速度を２人／Ｓ、トータルで４人／Ｓとなるように
制御した以外は実施例１と同様にして発光素子を作製し
た。ＩＴＯ上に生成した蒸着膜の膜厚は１０００人であ
った。得られた発光素子は５２０ｎｍをピークとする緑
色発光を呈した、また駆動電圧２０Ｖ、電流密度１００
ｍＡ／ｃｏ？で５００ｃｄ／ ｒｄの輝度を示した。
実施例３
正孔輸送能を有する有機化合物として下記のスチルベン
誘導体を用い、かっこの物質を含んだボートの温度を１
６０℃に保ち蒸着速度が２八八、ト一タルで４人／Ｓと
なるように制御した以外は実施例１と同様にして発光素
子を作製した６このＩＴＯ上に生成した蒸着膜厚は１０
００人であった。
誘導体を用い、かっこの物質を含んだボートの温度を１
６０℃に保ち蒸着速度が２八八、ト一タルで４人／Ｓと
なるように制御した以外は実施例１と同様にして発光素
子を作製した６このＩＴＯ上に生成した蒸着膜厚は１０
００人であった。
得られた発光素子は． ＩＴＯ側にプラスのバイアスを
かけた場合に５８０１をピークとするオレンジ色の発光
を呈した。また、駆動電圧２０Ｖ、電流密度１ ００ｍ
Ａ／ ｃｌにおいて、５００ｃｄ／イの輝度を示した。
かけた場合に５８０１をピークとするオレンジ色の発光
を呈した。また、駆動電圧２０Ｖ、電流密度１ ００ｍ
Ａ／ ｃｌにおいて、５００ｃｄ／イの輝度を示した。
実施例４
蛍光性有機化合物として下記に示す化合物（Ｐ−１）を
用い、かつこの物質を含んだボートの温度を２１０℃に
保ち、蒸着速度を２人／Ｓ、トータルで４人／Ｓとなる
ように制御した以外は実施例１と同様にして発光素子を
作製した。ＩＴＯ上に生成した蒸着膜の膜厚は１０００
人であった。
用い、かつこの物質を含んだボートの温度を２１０℃に
保ち、蒸着速度を２人／Ｓ、トータルで４人／Ｓとなる
ように制御した以外は実施例１と同様にして発光素子を
作製した。ＩＴＯ上に生成した蒸着膜の膜厚は１０００
人であった。
得られた発光素子は５５０ｎｍをピークとする黄色発光
を呈した。また赴動電圧１９Ｖ、電流密度１００＠Ａ／
ボで５０ｃｄ／ ｒｒ？の輝度を示した。
を呈した。また赴動電圧１９Ｖ、電流密度１００＠Ａ／
ボで５０ｃｄ／ ｒｒ？の輝度を示した。
比較例
ＩＴＯ上に正孔輸送能を有する有機化合物であるＴＰＯ
を５００人蒸着して正孔輸送層を形成した。ついでこの
正孔輸送層の上に蛍光物質である（Ｐ−１）を５００人
蒸着して発光層を形成した。ついでこの発光層上にＭｇ
−八ｇ電極を１５００人蒸着して比較例の発光素子を作
製した。なお、ＴＰＯのボート温度は１９０℃、Ｐ−１
のボート温度は２１０℃に保持し，蒸着速度が２人／Ｓ
となるように制御した． この発光素子は５５０ｎｍをピークとする黄色発光を呈
した。しかじがら、駆動電圧１４ｖ．電流密度１００ｍ
Ａ／ａ｛で０．５ｃｄ／ｒｒｒの輝度しか得られなかっ
た。
を５００人蒸着して正孔輸送層を形成した。ついでこの
正孔輸送層の上に蛍光物質である（Ｐ−１）を５００人
蒸着して発光層を形成した。ついでこの発光層上にＭｇ
−八ｇ電極を１５００人蒸着して比較例の発光素子を作
製した。なお、ＴＰＯのボート温度は１９０℃、Ｐ−１
のボート温度は２１０℃に保持し，蒸着速度が２人／Ｓ
となるように制御した． この発光素子は５５０ｎｍをピークとする黄色発光を呈
した。しかじがら、駆動電圧１４ｖ．電流密度１００ｍ
Ａ／ａ｛で０．５ｃｄ／ｒｒｒの輝度しか得られなかっ
た。
第１図は本発明に係る電界発光素子の一例の断面図であ
る。 ｌは基体、２は陽極、３は正孔輸送能を有する有機化合
物と蛍光性有機化合物の混合体薄膜層、４は陰極である
。 特許出願人 株式会社 リ コ
る。 ｌは基体、２は陽極、３は正孔輸送能を有する有機化合
物と蛍光性有機化合物の混合体薄膜層、４は陰極である
。 特許出願人 株式会社 リ コ
Claims (1)
- （１）二つの電極間に有機物薄膜層よりなる発光層を設
けた電界発光素子において、発光層として正孔輸送能を
有する有機化合物と電子輸送能を有する蛍光性有機化合
物とからなる混合体薄膜を用いたことを特徴とする電界
発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/457,839 US5085946A (en) | 1989-01-13 | 1989-12-27 | Electroluminescence device |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP709089 | 1989-01-13 | ||
| JP1-7090 | 1989-01-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02291696A true JPH02291696A (ja) | 1990-12-03 |
| JP2869446B2 JP2869446B2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=11656381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1142655A Expired - Lifetime JP2869446B2 (ja) | 1989-01-13 | 1989-06-05 | 電界発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2869446B2 (ja) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04372688A (ja) * | 1991-06-21 | 1992-12-25 | Nec Corp | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| JPH05190283A (ja) * | 1992-01-17 | 1993-07-30 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 有機発光素子 |
| US5281489A (en) * | 1990-03-16 | 1994-01-25 | Asashi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Electroluminescent element |
| US5540999A (en) * | 1993-09-09 | 1996-07-30 | Takakazu Yamamoto | EL element using polythiophene |
| US5792557A (en) * | 1994-02-08 | 1998-08-11 | Tdk Corporation | Organic EL element |
| JPH1121551A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-01-26 | Ricoh Co Ltd | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| JPH1126160A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-01-29 | Ricoh Co Ltd | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| JPH1126162A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-01-29 | Ricoh Co Ltd | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| JPH1126161A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-01-29 | Ricoh Co Ltd | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| JPH1131584A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-02-02 | Ricoh Co Ltd | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| JPH1154281A (ja) * | 1997-07-30 | 1999-02-26 | Ricoh Co Ltd | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| JP2000133453A (ja) * | 1998-10-22 | 2000-05-12 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| JP2000164359A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| WO2003088721A1 (fr) * | 2002-04-15 | 2003-10-23 | Sony Corporation | Dispositif organique a emission de champ et dispositif d'emission |
| EP1388903A2 (en) * | 2002-08-09 | 2004-02-11 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| WO2005072018A1 (ja) * | 2004-01-21 | 2005-08-04 | Kyoto University | 有機半導体装置、ならびにそれを用いた表示装置および撮像装置 |
| JP2008106055A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-05-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | スチルベン誘導体、およびスチルベン誘導体を用いた発光素子、発光装置、電子機器 |
| JP2009081447A (ja) * | 1996-08-19 | 2009-04-16 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子 |
| US7935854B2 (en) | 2006-10-03 | 2011-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Stilbene derivative, light-emitting element, display apparatus, and electronic appliance |
| US8664263B2 (en) | 2011-01-14 | 2014-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Stilbene compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US8911882B2 (en) | 2006-09-28 | 2014-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Stilbene derivative, light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5830758A (ja) * | 1981-08-18 | 1983-02-23 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
| JPS63264692A (ja) * | 1987-03-02 | 1988-11-01 | イーストマン・コダック・カンパニー | 改良薄膜発光帯をもつ電場発光デバイス |
| JPS63295695A (ja) * | 1987-02-11 | 1988-12-02 | イーストマン・コダック・カンパニー | 有機発光媒体をもつ電場発光デバイス |
-
1989
- 1989-06-05 JP JP1142655A patent/JP2869446B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5830758A (ja) * | 1981-08-18 | 1983-02-23 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
| JPS63295695A (ja) * | 1987-02-11 | 1988-12-02 | イーストマン・コダック・カンパニー | 有機発光媒体をもつ電場発光デバイス |
| JPS63264692A (ja) * | 1987-03-02 | 1988-11-01 | イーストマン・コダック・カンパニー | 改良薄膜発光帯をもつ電場発光デバイス |
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5281489A (en) * | 1990-03-16 | 1994-01-25 | Asashi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Electroluminescent element |
| JPH04372688A (ja) * | 1991-06-21 | 1992-12-25 | Nec Corp | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| JPH05190283A (ja) * | 1992-01-17 | 1993-07-30 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 有機発光素子 |
| US5540999A (en) * | 1993-09-09 | 1996-07-30 | Takakazu Yamamoto | EL element using polythiophene |
| US5792557A (en) * | 1994-02-08 | 1998-08-11 | Tdk Corporation | Organic EL element |
| JP2009081447A (ja) * | 1996-08-19 | 2009-04-16 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子 |
| JPH1126160A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-01-29 | Ricoh Co Ltd | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| JPH1126162A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-01-29 | Ricoh Co Ltd | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| JPH1126161A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-01-29 | Ricoh Co Ltd | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| JPH1131584A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-02-02 | Ricoh Co Ltd | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| JPH1121551A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-01-26 | Ricoh Co Ltd | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| JPH1154281A (ja) * | 1997-07-30 | 1999-02-26 | Ricoh Co Ltd | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| JP2000133453A (ja) * | 1998-10-22 | 2000-05-12 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| JP2000164359A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| WO2003088721A1 (fr) * | 2002-04-15 | 2003-10-23 | Sony Corporation | Dispositif organique a emission de champ et dispositif d'emission |
| EP1388903A2 (en) * | 2002-08-09 | 2004-02-11 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| EP1388903A3 (en) * | 2002-08-09 | 2009-08-19 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| US9650245B2 (en) | 2002-08-09 | 2017-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| WO2005072018A1 (ja) * | 2004-01-21 | 2005-08-04 | Kyoto University | 有機半導体装置、ならびにそれを用いた表示装置および撮像装置 |
| US7868319B2 (en) | 2004-01-21 | 2011-01-11 | Kyoto University | Organic semiconductor device, display using same, and imager |
| JP2008106055A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-05-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | スチルベン誘導体、およびスチルベン誘導体を用いた発光素子、発光装置、電子機器 |
| US8911882B2 (en) | 2006-09-28 | 2014-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Stilbene derivative, light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
| US7935854B2 (en) | 2006-10-03 | 2011-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Stilbene derivative, light-emitting element, display apparatus, and electronic appliance |
| US8420874B2 (en) | 2006-10-03 | 2013-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Stilbene derivative, light-emitting element, display apparatus, and electronic appliance |
| US8664263B2 (en) | 2011-01-14 | 2014-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Stilbene compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2869446B2 (ja) | 1999-03-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH02250292A (ja) | 電界発光素子 | |
| JPH02291696A (ja) | 電界発光素子 | |
| JPH02289676A (ja) | 電界発光素子 | |
| JP2651237B2 (ja) | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH0741759A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| WO2004016575A1 (ja) | オリゴアリーレン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH11162643A (ja) | 有機エレクトロルミネセント装置 | |
| JPH04137485A (ja) | 電界発光素子 | |
| JPH04212287A (ja) | 有機薄膜ｅｌ素子 | |
| JP2869447B2 (ja) | 電界発光素子 | |
| JPH1167444A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JP2007123713A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH02223188A (ja) | 電界発光素子の製造方法 | |
| JPH05159882A (ja) | 電子注入性電極の製造方法およびこの方法を用いた有機ｅｌ素子の製造方法 | |
| Itano et al. | Fabrication and performances of a double-layer organic electroluminescent device using a novel starburst molecule, 1, 3, 5-tris [N-(4-diphenylaminophenyl) phenylamino] benzene, as a hole-transport material and tris (8-quinolinolato) aluminum as an emitting material | |
| JPH03141588A (ja) | 電界発光素子 | |
| JPH1140352A (ja) | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| JP2001003044A (ja) | 有機発光素子材料及びこれを用いた有機発光素子 | |
| JPH02289675A (ja) | 電界発光素子 | |
| JP2000340365A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JPH02253593A (ja) | 発光素子 | |
| JPH02251429A (ja) | 透明導電性フィルム | |
| JPH02210790A (ja) | 電界発光素子 | |
| JPH03205479A (ja) | 電界発光素子 | |
| JPH11307255A (ja) | 有機電界発光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080108 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090108 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100108 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100108 Year of fee payment: 11 |