JPS63264692A - 改良薄膜発光帯をもつ電場発光デバイス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａｌ　　本発明が利用される工業分野本発明は有機質
発光デバイスに関するものである。さらに特定的には、
本発明はアノード電極とカソード電極との間に置いた有
機層から電圧を電極間に適用するときに光を放射するデ
バイスに関するものである。

（＆）　　有機質電場発光デバイスは約２０年にわたっ
て知られているが、それらの性能の限界は多くの望まし
い応用に対する障壁を呈示、してきた。以下は白菜の従
来の状態を解説するものである。米国特許３，１７２，
８６２；３，１７３，０５０；　３，３８２゜３９４　
；　３，５３０，３２５　；　３，３５９，４４５　；
３．６２１，３２１　；　３，７７２，５５６　；　３
．９９５，２９９；３．７１０，１６０　；　４，３５
６，４２９　；および４．５３９．５０７　；カワペら
の「ドープされたアンスラセンにおける緑光領域の電場
発光」、Ｊａｐａｎ　　Ｊｏ１＆ｒｎａｌ　　ｏｆ　　
Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐｈｙｓｉｃｓ、１０巻、５２７−
５２８ページ、１９７１年；およびドレスナーの１−ア
ンスラセンにおける二重注入電場発光」、ＲＣＡ　Ｒａ
ｖｉａｗ　、　３０巻、３２２−３３４ページ。

薄い（く１μ惰）発光帯で以て有機質ＨＬデバイスを製
作する技法の発見はよりひろがった用途についての潜在
能力を示した。光出力は電流と直接に比例し、電流は電
極間の電場勾配（ボルト／ｃＩＩＬ）の関数である。よ
り厚い有機層を用いるときには、許容できる光出力水準
、例えば周辺の室光の中で容易に検出されるのに十分な
発光と調和する電場勾配を達成するために、より高い電
圧を用いねばならない。薄い発光帯をもつ有機質ＥＬデ
バイスの場合、許容できる発光は集積回路によって便利
に提供される電圧水準において達成できる。

薄膜有機質ＥＬデバイスは見込みを提供してきたが、そ
れらをよりひろく使用するには顕著な障害を残している
。一つの重要な関心事は、薄い発光帯を形成するための
利用可能の有機物質は発光波長の選択に制限を与えるも
のであるということである。例えば、全多色ディスプレ
ー（１％１１ｍ５ｌｔｉｃｏｌｏｒ　ｄｉｓｐｌａｙ）
の形成は個別有機質ＥＬデバイスの少くとも一つの三つ
組を必要とすることは容易に理解されることであり、一
つのデバイスはスペクトルの青、緑、および赤の各々に
ついて異なる発光を示すものである。その上、青または
緑のような発光の原色相（ｐｒｉｆＩ＆αデＹＡ％−）
が利用可能である場合に、発光色相（ｈｕｇ　ｏｆａｔ
ｎｉａａｉｏ％）、をより精密に選択したいという欲望
が生ずる。

薄膜有機質ＥＬデバイスによる発光色相の問題のほかに
、デバイスの安定性が関心事として残っている。実際的
応用の大部分は電圧入力あるいは光出力の変動が長時間
にわたって限られていることを必要とする。上述の米国
特許４，５３９，５０７によって用いられる芳香族三級
アミン層は有機質ＥＬデバイスにおけるきわめて魅力的
な初期光出力をもたらしたが、これらの層を含む薄膜有
機質ＥＬデバイスの限られた安定性が広範囲の用途に対
する障害として残っている。デバイスの劣化は一定電圧
を適用するときに得られる電流密度が次第に低くなるこ
とをもたらす。低電流密度は低水準の光出力をもたらす
ことになる。定電圧適用の場合、実際的なＥＬデバイス
の使用は、光放射水準が許容水準以下に洛ちるときに終
わる。光放射水準を一定に保つために適用電圧を次第に
上げる場合には、ＥＬデバイスにか＼る電場は相当して
上昇する。実際には、ＥＬデバイス駆動回路機構によつ
【便利には供給され得ない電圧が必要とされ、あるいは
電極を隔てる層の絶縁破壊強度をこえる電場勾配（ボル
ト／ｃＩｒＬ）をつくり出す電圧水準が必要とされ、そ
のＥＬデバイスの悲劇的破壊をもたらす。

（ｃｌ　　発明の目的 本発明の目的は、より低い適用電圧においてかつ可能な
波長のより広い範囲において光出力をつくり出すことが
でき、そして高い安定性水準を示すことができる電場発
光デバイスを提供することであり、アノード、有機質ホ
ール注入帯、発光帯、およびカソードから順次に成るも
のである。

（ｄ）　　発明の構成 とのＫＬデバイスは、ホ、−ルお工び電子の注入を持続
し得る有機質ホスト物質とポール・電子再結合に応答し
て光を放射することができる螢光物質とから成る厚さが
１μ惟より薄い薄膜によって電場発光帯が形成されると
いうことを特徴としている。

本発明による電場発光またはＥＬデバイス１００は図１
において模式的に描かれ又いる。方μド１０２はカソー
ド１０４から有機質発光媒体１０６によって隔てられて
いる。アノードとカソードは外部電力源１０８へ導体１
１０と１１２によってそれぞれ接続されている。電力源
は連続の直流または交流の電圧源であることができ、あ
るいは間けつ流の電圧源であることができる。いかなる
所望の切替回路機構も含めて便利な慣用的電力源はどれ
でも用いることができ、カソードに関してアノードに正
方向にバイアスをかけることができる。

アノードまたはカソードのどちらかを接地しておくこと
ができる。

ＥＬデバイスはアノードがカソードより高電位にあると
きに順方向バイアスをかけたダイオードとして見ること
ができる。これらの条件のもとでは、アノードは、１１
４において模式的に示される、ホール（正電荷キャリア
）を発光媒体中へ注入し、一方、カソードは、１１６で
模式的に示される電子を発光媒体中へ注入する。アノー
ドに接する発光媒体の部分はホール輸送帯なこのよ５に
して形成し、一方、カソードと接する発光媒体の部分は
電子輸送帯を形成する。注入されるホールと電子は各々
、反対電荷電極の方へ移行する。これは有機質発光媒体
内のホール・電子再結合をもたらす。移行電子がその伝
導電位から価電子帯へホールを満たす際に落ちるときに
エネルギーが光として放出される。従って、有機質発光
媒体は電極間で可動性電荷キャリアを各電極から受取る
発光帯を形成する。代替構造の選択に応じて、放出光は
電極を分離している１個または１個より多くの縁１１８
を通し、アノードを通し、カソードを通し、あるいは前
記の組合せのいずれかを通して放射されることができる
。

電極の逆バイアスは可動電荷移行の方向を逆転し、電荷
注入を中断し、光放射を終らせる。有機質ＥＬデバイス
を操作する最も普通の様式は順方向バイアス直流電力源
を用い、そして、光放射を調節するのに外部電流の中断
または変調に頼ることである。

本発明の有機質ＥＬデバイスにおいては、１μ％（１０
，０００オングストローム）より小さい有機質発光媒体
の合計の厚みを制限することによって電極間に比較的低
い電圧を用いながら効率的光放射と両立し得る電流＠度
を保つことができる。

１μ悔以下の厚みにおいては、２０ボルトの適用電圧は
２Ｘ１０’ボルト／αより大きい電場電位をもたらし、
これは効率的な光放射と両立し得る。

以下でより特定的に記録されるとおり、有機質発光媒体
の好捷しい厚さは０，１から０．５μ惧（１，０００か
ら５，０００オングストローム）の範囲にあって適用電
圧をさらに下げセして／あるいは電場電位を増すことを
可能とし、デバイス組立ての可能性の中に十分にあるも
のである。

有機質発光媒体はきわめて薄いので、二つの電極のうち
の一つを通して光を放射することが通常好ましい。これ
は、有機質発光媒体上かあるいは別の半透８Ａまたは透
明の支持体上のいずれかにおいて、電極を半透明または
透明の被覆として形成させることによって達成される。

この被覆の厚さは光透過（または吸光度）と電気伝導（
″または抵抗）とを釣合わせることによって決定される
。光透過性金属電極を形成する際の実際的釣合いは代表
的には導電性被覆が約５０から２５０オングストローム
の厚さの範囲にあるということである。

電極が光を透過するよう意図されない場合には、製作に
おいて便利と思われる、より大きい厚さをどれでもまた
使用できる。

図２に示す有機質ＥＬデバイス２００は本発明の一つの
好ましい実施態様を描くものである。有機質ＥＬデバイ
スの歴史的発展のゆえに、透明アノードを用いることが
慣習的である。これは、導電性の比較的高い仕事関数の
金属または金属酸化物の透明層を沈着させてアノード２
０３を形成させた透明の絶縁性支持体２０１を提供する
ことによって達成された。アノードと直ぐ接する有機質
発光媒体の部分はホール輸送帯として働（ので、有機発
光媒体はホール輸送効率について選ばれる有機物質の層
２０５をアノードの上で沈着させることによって形成さ
れるのが好ましい。示されているデバイス２００の配列
において、上部表面に接する有機質媒体の部分は電子輸
送帯を構成し、電子輸送効率について選ばれる有機物質
の層２０７で形成される。以下で述べるとおり、層２０
５と２０７を形成する物質の好ましい選択を行なう場合
、後者はまた発光が中でおこる帯域を形成する。

カソード２０９は有機発光媒体の上層の上で沈着させる
ことによって形成されるのが便利である。

図３に示す有機質ＥＬデバイス３００は本発明のもう一
つの好ましい実施態様を描くものである。

有機質ＥＬデバイスの発展の歴史的パターンと対照的に
、デバイス３００からの光放射は光透過性（例えば、透
明または実質上透明の）カソード３０９を通してである
。デバイス３００のアノードはデバイス２００と同等に
形成させることができ、それによってアノードおよびカ
ソードの両方を通して光放射を可能にするが、示されて
〜・る好ましい形においては、デバイス３００は、比較
的高い仕事関数の金属質基板のような、アノード３０１
を形成する不透明の電荷伝導性要素を使用している。ホ
ールおよび電子の輸送層３０５および３０７はデバイス
２００の相白７８２０５および２０７と同等であり、こ
れ以上の説明は必要ではない。デバイス２００と３００
の間の顕著なちがいは、後者は有機質ＥＬデバイスにお
いて慣行的に含まれる不透明カソードの代りに薄い光透
過性（例えば、透明または実質上透明の）カソードを用
いていることである。

ＥＬデバイス２００と３００を一緒にしてながめると、
本発明が正または負の分極性（ｐｏｌａｒｉ−ｔｙ）の
不透明基板のいずれかの上でデバイスるとつつける選択
の自由を提供することが明らかである。ＥＬデバイス２
００および３００の有機質発光媒体は上記において単一
の有機質ホール注入・輸送層と単一の電子注入・輸送層
とから成るものとして記述されているが、以下でさらに
特定的に記述するとおり、これらの層の各々を多層にし
ようとする努力はデバイス性能をさらに増強することに
なり得る。多重の電子注入・横送層が存在するときには
、ホールを受取る層はホール・電子再結合がおこる層で
あり、従ってデバイスの発光帯な形成する。

本発明の実際においては、発光帯はどの場合においても
ホールおよび電子の注入を持続し得る有機質ホスト物質
と、ホール・電子再結合に応答して光を放射し得る螢光
物質と、から成る薄膜（ここでは厚さが１μｍより小さ
いことを意味するように用いられる）によって形成され
る。発光帯は、その有機発光媒体全体がＩＡｍより小さ
く、好ましくは１０００オングストロームより小さい厚
さであることができるよう、５０から５０００オングス
トロームの範囲、最適には−１００から１０００オング
ストロームの範囲の厚さで維持されることが好ましい。

ホスト物質は有機質ＥＬデバイスの薄膜発光帯の活性成
分として従来用いられる物質のどれからでも便利に形成
させることができる。薄膜の形成に使用するのに適する
ホスト物質の中にはジアリールブタジェンおよびスチル
ベンであり、それらは上記引用の、タンクの米国特許４
，３５６，４２９によって開示されているようなもので
ある。

使用できるさらに他の薄膜形成ホスト物質は螢光増白剤
、特に上記引用の、ファン・スライクらの米国特許４，
５３９，５０７によって開示されるものである。有用で
ある螢光増白剤は構造式中およびｔｌｌｌを満たすもの
を含み、 び 式中、ＤＩ、　ｎｌ、Ｄ３、およびＤ’　ｔ）ａ！１ｌ
ｆｆに水素；炭素原子数が１個から１０個の飽和脂肪族
、例えば、プロピル、ｔ−ブチル、ヘプチル、など；炭
素原子数が６個から１０個の炭素原子数の了り−ル、例
えば、フェニルおよびナフチル；あるいはクロロ、フル
オロ、などのようなハロゲン；であるか、あるいは、Ｄ
ＩとＤ２、あるいはＤｓとＤ４、は−緒にいるときに、
メチル、エチル、プロピルなどのよりな１個から１０個
の炭素原子の少くとも一つつの飽和脂肪族を任意的に担
持する縮合芳香族環を完成させるのに必要である原子か
ら成るＤＳはメチル、エチル、ｎ−エイコシルなどのよ
うな１個から２０個の炭素原子の飽和脂肪族：６個から
１０個の炭素原子のアリール、例えば、フェニルおよび
ナフチル：カルボキシル；水素；シアノ：あるいは、ハ
ロゲン例えばクロロ、フロオロなど；であり、ただし、
式＋ｎ＋においてＤｌ、Ｄ４およびＤ５の少くとも二つ
が３個から１０個の炭素原子の飽和脂肪族、例えば、プ
ロピル、ブチル、ヘプチルなどであり、 Ｚは一〇−１−Ｎ（Ｄ”）−１あるいは−Ｓ−であり、 Ｙ＆ニ −ＣＨ−ＣＨ−１−ｆＣＨ向ＣＨ＋−Ｄ’÷ＣＨ−ＣＨ
−ｈ、あるい惰は０から４の整数であり、 九は６個から１０個の炭素原子のアＩＪ　　Ｌ／ン、例
えばフェニルおよびナフチレンであり、Ｄ６は水素；個
から１０個の炭素原子の脂肪族飽和置換基、例えばアル
キル置換基：６個から１０個の炭素原子のアリール、例
えばフェニルま几はす７チル：あるいは、クロロまたは
フルオロのようなハロ置換基；であり、 Ｄ７はフェニルまたＧエナフチルのような６個から１０
個の炭素原子のアリ−し／であり、２１と２　／／は独
立にＮまたはＣＨである。

ここで用いるとき、「脂肪族」とは置換脂肪族並びに非
置換脂肪族を含む。を挨脂肪族の場合の置換基は１個か
ら５個の炭素原子のアルキル、例えばメチル、エチル、
プロピルなど；６個から１０個の炭素原子のアリール、
例えば、フェニルおよびす７テル；クロロ、フルオロな
どのようなノ・ロゲン；ニトロ；および、１個から５個
の炭素原子ｖものアルコキシ、例えば、メトキシ、エト
キシ、プロポキシなど；を含む。

有用であることが期待されるさらに他の螢元増白斉り＆
フ’、Ｃｈｍｔｎｉｓｔｒｙ　　ｏｆ　　Ｓｙｎｔｈｇ
ｔｔｃ　　Ｚ）２ｇｇ＋１９７Ｌ６１８−６３７ページ
および６４０ページにおいて列挙され℃〜する。容易に
薄膜を形成することがないものを１個または両端環へ脂
肪族成分を結合させることによつ１薄膜形成性にするこ
とができる。

本発明の有機質ＥＬデバイスの発光帯を形成するための
特に好ましいホスト物質は金４キレート化オキシノイド
化合物であり、オキシ／（これはまた普通には８−キノ
リツールあるいは８−ヒドロキシキノリンとよぶ）のキ
レートを含む。そのような化合物は両方の高水準性能を
示し、薄膜の形で容易に製作される。期待されろオキシ
ノイド化合物の代表例は構造式（［［Ｄを満たすもので
あり、式中、Ｍｔは金属を表わし、 餡は１から３の整数であり、 ２２−１各の存在個所で独立に、少くとも２個の縮合芳
香族環をもつ核を完了する原子７に表わす。

前記から、金属が１価、２価、１次は３価の金属である
ことは明らかである。金属は例えば、リチウム、ナトリ
ウムまたはカリウムのようなアルカリ金属；マグネシウ
ムＩｔはカルシウムのよりなアルカリ土類金属；あるい
は硼素１几はアルミニウムのような土類金属であること
ができる。一般的には、有用キレート用金属であること
が知られているすべての１価、２価筐九は３価の金属を
用いることができる。

Ｚ！は少くとも２個の縮合芳香族環を含む複素環を完成
し、その中の一つにおいてアゾール積１７ｔはアジン環
がめる。脂肪族環および芳香族環の両方を含む追加の環
を、必要ならば、この二つの必要環と一緒に縮合させる
ことができる。機能上の改善もなく分子の嵩が付加され
ることを避けるために、環原子の数は１８個またはそれ
以下に保友れるのが好ましい。

薄膜を形成させるために使用可能である有用ホスト物質
の例としては次のものがある：ＨＭ−１　　アルミニウ
ムトリオキシン〔別名、トリス（８−キノリツー ル）アルミニウム〕 ＨＭ−２マグネシウムビスオキシン 〔別名、ビス（８−キノリツール） マグネシウム〕 ＨＭ−３ビス〔ベンゾ（１）−８−キノリツール〕亜鉛 ＨＭ−４ビス（２−メチル−８−キノリノラード）アル
ミニウムオキサイド ＨＭ−５インジウムトリオキシン 〔別名、トリス（８−キノリツー ル）インジウム〕 ＨＭ−６アルミニウムトリス（５−メチルオキシン） 〔別名、トリス（５−メチル−８ 一キノリツール）アルミニウム〕 ＨＭ−７リチウムオキシン 〔別名、８−キノリツールリチウ ム〕 １１Ｍ−８ガリウムトリオキシン 〔別名、トリス（５−クロロ−８− キノリツール）ガリウム〕 ＨＭ−９カルシウムビス（５−クロロオキシン） 〔別名、ビス（５−クロロ−８− キノリツール）カルシウム〕 ＨＭ−１０ポリ〔亜鉛（■ンービス（８−ヒドロキシ−
５−キノリニル）メタン〕 ＨＭ−１１ジリチウムエビンドリジオンＨＭ−１２１，
４−ジフェニルブタジェンＨＭ−１３１，１，４，４−
テトラフェニルブタジェン ＨＭ−１４４，４’−ビス〔５，７−ジ（１−ペンテル
ー２−ベンズオキサソリ ル〕−スチルベン ＨＭ−１５２，５−ビス〔５，７−ジ（１−ペンテルー
２−ベンズオキサシリ ル〕−チオフェン Ｈｕ−ｘ６　２．２’−（１，４−７二二レンジビニレ
ン）ビスベンゾチアゾール ＨＭ−１７４，４’−（２，２’−ビスチアゾリル）と
フェニル ＨＭ−１８２，５−ビス〔５−（α、α−ジメチルベン
ジル）−２−ベンズオ キサシリルコチオフェン ＨＭ−１９２，５−ビス〔５，７−ジ（１−ペンチル）
−２−ベンズオキ丈ゾ リル）−３，４−ジフェニルチオ 上記列挙のホスト物質はすべてホールおよび電子の注入
に応答して光を放射することが知られている。ホスト物
質と一緒にホール・′１子再結合に応答して元を放射し
得る螢光物質の少量を混合することにより、その発光帯
から放射される光の色相を変性することができる。理論
上は、ホール・電子再結合に対して正確に同じ親和度を
もつホスト物質および螢光物質を混合用に見出し得ると
すれば、各物質は発光帯中のホールおよび電子の注入時
に光を放射するはずである。放射光の感知できる色相は
両放射の肉眼的積算である。

ホスト物質と螢光物質とのその種の釣合いを取らせるこ
とはきわめて制約があるので、光放射に対して好都合な
姿を与えるよう螢光物質を選択することが好ましい。光
放射についての好ましい姿を与えるほんの小割合の螢光
物質が存在するときには、ホスト物質について代表的で
あるピーク強度波長の発光は、螢光物質に帰せられる新
しいピーク強度波長の発光に好都合であるように全く除
くことができる。この効果を達成するのに十分な螢−ｆ
ｆｉ物質の最小割合はホスト物質および螢光物質の特定
的選択によって変動するが、いかなる場合でも、ホスト
物質のモル数を基準にして約１０モルチ以上の螢光物質
を用いる必要はなく、螢光物質の１モルチ以上を用いる
ことは４とんと必要でない。一方、螢光物質が存在しな
い場合に光を放射することができるホスト物質のどれに
ついても、存在する螢光物質をきわめて少量、代表的に
をエホスト物質を基準に約１０−ｓモルチ以下へ制限す
ることは、ホスト物質の特徴的波長における発光の保持
を可能にすることになる。このように、光放射にとって
好ましい姿を与えることができる螢光物質の割合を選ぶ
ことｔＣよって、発光波長の完全なずれあるいは部分的
なずれを実現させることができる。このことは本発明の
ＥＬデバイスのスペクトル発光が選択されかつ使用する
応用に適するよう釣合わされることを可能にする。

光放射に好都合な姿を与えることができる螢光物質の選
択は螢光９１Ｊ質の性質をホスト物質の性質と関係づけ
ることを意味する。ホスト物質は注入されるホールと電
子のための捕集体として見ることができ、螢光物質は光
放射のための分子部位を提供する。ホスト物質中に存在
するときに元放射の色相を変性することができる螢光物
質を選択するための一つの重要な関係は、その二つの物
質の還元電位の比較である。光放射の波長をずらすこと
が示されている螢光物７Ｊｉｊはホスト物質よりも小さ
い負の還元電位を示した。還元電位は、エレクトロン・
ボルトで測定されるが、文献中でそれらの測定法の各種
とともに広く報告されている。望まれるのは、絶対値で
はなく還元電位の比較であるので、還元電位測定用の許
容される技法はどれでも、螢光物質とホスト物質の還元
電位の両方が同じように測定されるかぎり、使用できる
ことが明らかである。好ましい酸化還元電位測定の技法
（アカデミツク・プレス、１９７３年、１５章）によっ
て報告されている。

ホスト物質中に存在するときに光放射の色相を変えるこ
とができる螢光物質を選ぶための第二の重要な関係は、
この二つの物質のバンドギャップ電位の比較である。分
子のバンドギャップ電位はその基底状態とはじめの一重
項状態とを分離するエレクトロンボルト（−Ｖ）として
の電位差として取られる。バンドギャップ電位とそれら
の測定法は文献中に広く報告されている。ここで報告さ
れるバンドギャップ電位は、吸収ピークに対して長波長
側へ偏移しており吸収ピークの大きさの一の大きさのも
のである吸収波長においてエレクトロン・ボルト（−Ｖ
）で測定したものである。望まれるのはそれらの絶対値
でなくバンドギャップ電位の比較であるので、螢光物質
とホスト物質のバンドギャップがともに同様に測定され
るかぎり、許容されているいかなるバンドギャップ測定
技法でも使用できる。一つの例証的測定技法はＦ、ゲー
トマンおよびり、Ｅ、リオンズによる　Ｏｒｇａｔｓｉ
ａＳｇｍｉｅｅｒｓｄｓａｔｏｒ　（ワイリー、１９６
７年、５章）によって開示されている。

螢光物質が存在しない状態で自ら元を放射することがで
きるホスト物質が選ばれる場合には、ホスト物質単独の
特徴的な発光の波長における光放射の抑制、と螢光物質
について特徴的である波長における発光の増進は、ホス
ト物質と螢光物質とのスペクトル的結合が得られるとき
におこることが観察された。スペクトル的結合とはホス
ト物質単独について特徴的である発光の波長とホスト物
質の非存在下における螢光物質の光吸収の波長との間に
重なりが存在することを意味する。最適のスペクトル的
結合は、ホスト物質単独の最大発光が螢光物質単独の最
大吸収と±２５％ｆｉ以内で合致するときにおこる。実
際において、利点のあるスペクトル的結合は、ピークの
幅とそれらの短波長側および長波長側の傾斜とに応じて
、ピーク発光波長と吸収波長とが１０　Ｑ　ｓｓまでま
たはそれをこえる程度までだけ異なっている場合におこ
り得る。ホス）＃’ｉｔおよび螢光ｖＥ質の間で最適以
下のスペクトル的結合が期待される場合には、ｌｉ元物
質の短波長側偏移よりも長波長側偏移の方がより効果的
結果をもたらす。

前記の論議は、ホールおよび′電子の注入に応答して自
ら元を放射することが卸られているホスト＠責に言及す
ることによってなされてきたが、事実、ホスト物質自体
による光放射は、螢光物質による光放射が上記記述の各
種の関係のどれか一つまたに組合せに好都合である場合
に、完全にやむことができる。光放射の役割を螢光物質
へ転嫁することはホスト物質の選択のさらにより広い範
囲を可能にすることが理解される。例えば、光を放射す
るよう選ばれる物質についての一つの基本的要請事項は
、それが放射する波長の元について低い吸光係数を示し
て内部的吸収を避けねばならないということである。本
発明はホールおよび電子の注入を持続することができる
がしかし自らは効果的に光を放射することができないホ
スト物質の使用を可能とする。

有用である螢光物質はホスト物質と混合することができ
かつ本発明のＥＬデバイスの発光帯を形成する上述の厚
み範囲を満たす薄膜として製作され得る物質である。結
晶性ホスト物質は薄膜形成に通合しないが、ホスト物質
中に存在する螢光物質の限定された量は単独では薄膜形
成をなし得ない螢光物質の使用を可能にする。好ましい
螢光物質はホスト物質と一緒に共通用を形成する物質で
ある。螢光染料は好ましい種類の螢光物質を格成するが
、それは、染料がホスト物質中での分子水準分布に合致
するからである。ホスト物質中で螢光染料を分散させる
ための便利な技法はどれでも行ない得るけれども、好ま
しい螢光染料はホスト物質と一緒に蒸着させることがで
きる染料である。

前記で記述のその他の規準が満たされると仮定すると、
螢光レーザー染料が本発明の有機質ＥＬデバイスで使用
するだめの荷に有用な螢光物質であることが認識され工
いる。

螢光染料の一つの好ましい穐類は螢光クマリン染料であ
る。特に好ましい螢光クマリン染料の中には式■を満た
すものがあり、 式中、 Ｒｊは水素、カルボキシ、アルカノイル、アルコ千ジカ
ルボニル、シアノ、アリール、および複素環芳香族の基
から成る群から選ばれ、Ｒ２は水素、アルギル、ハロア
ルキル、カルボオキシ、アルカノイル、およびアルコキ
シカルボニルから成る群から選ばれ、 Ｒｊは水素とアルキルから成る群から選ばれ、Ｒ４はア
ミノ基であり、 そして、Ｒｓは水素であり、 あるいは、Ｒ１とＲ１とは一緒になって縮合炭素環を形
成し、セして／または ＢＳを形成するアミ７基はＲ４およびＢＳの少くとも一
つと一緒に縮合環を完成する。

各々の場合におけるアルキル成分＆Ｘ　１個から５個、
好ましくは１個から３個の炭素を含む。アリール成分は
好ましくはフェニル基である。縮合炭素壊状墳は好１し
くは五員環、六員環または七員環である。複素環式芳香
族基は炭素原子と、酸素、硫黄および窒素から成る群か
ら選ばれる１個または２個の複素原子と、を含む五員環
または六員環の複素環を含む。アミノ基は一級、二級、
またに三級のアミノ基であることができる。アミノ窒素
が隣接置換基と一緒に縮合環を完成するとき、その環は
好ましくは五員環ｌたは六員環でめる。例えば、Ｒｓは
窒素原子が１個の隣接置換基（Ｒ１またはＲりと単一環
を形成するときにはピラン環の形をとり、窒素原子が両
隣接置換基Ｒ１およびＲ１と一緒に環を形成するときに
はシロリジン環（クマリンの縮合ベンゾ環を含む）の形
をとることができる。

以下はレーザー染料として有用であることが知られる例
証的螢光クマリン染料である。

ＦＤ−１７−シメチルアミノー４−メチルクマリン ＦＤ−２４，６−シメチルー７−二チルアミノクマリン ＦＤ−３４−メテルウムベリフエロン ＦＤ−４３−（２’−ベンゾチアゾリル）−７−ジメチ
ルアミノクマリン ＦＤ−５３−（２’−ベンズイミダゾリル）−７−Ｎ、
Ｎ−ジメチルアミノクマリ ン ＦＤ−６７−７ミ／−３−フェニルクマリンＦＤ−７３
−（２’−Ｎ−メチルベンズイミダゾリル）−７−Ｎ、
Ｎ−エテルアミ ノクマリン ＦＤ−８７−ジエチルアミノ−４−トリフルオロメチル
クマリン ＦＤ−９２，３，５，６−１４，４ｆｆ−テトラヒドロ
−８−メチルキノ２ジノ 〔９，９α、　１−　ｇｈ）クマリン ＦＤ−１Ｏシクロペンタ〔ｃ〕シュロリシノ〔９゜１０
−３］−１１ｆｆ−ビラン１１− オン ＦＤ−１１７−アｉノー４−メチルクマリンＦＤ−１２
７−ジメチルアミノクマリンタ〔ｃ〕クマリン ＦＤ−１３７−アミノ−４−トリフルオロメチルクマリ
ン ＦＤ−１４７−ジメテルアミノー４−トリフルオロメチ
ルクマリン ＦＤ−１５１，２，４，５，３＃、６Ｈ，１０Ｈ−テト
ラヒドロ−８−トリフルオ ロ−メチル〔１〕ベンゾピラノ〔９゜ ９α、　１−　ｇｈ）−キノリジン−１０−オン ＦＤ−１６４−メチル−７−（スルホメチルアミノ）ク
マリン・ナトリウム塩 ＦＤ−１７７−エチルアミノ−６−メチル−４−トリフ
ルオロメチルクマリン ＦＤ−１８７−シメチルアミノー４−メチルクマリン ＦＤ−１９１，２，４，５，３Ｍ、６Ｈ，１０Ｈ−テト
ラヒドロ−カルベトキシ 〔１〕−ベンゾピラノ〔９，９α、ｌ −ｙｈ）−キノリジノ−１０−オン ＦＤ−２０９−アセチル−１，２，４，５，３Ｈ，６Ｈ
，１０Ｈ−テトラヒドロ− ［１）ベンゾピラノ〔９，９Ｇ、１− ｙｈ’３キノリジノ−１０−オン ＦＤ−２１９−シアノ−１、２、４、５、３Ｈ。

６Ｈ１１０Ｈ−テトラヒドロ〔ｌ〕ベ ンゾピラノ（９，９ａｅ　１−ｇＡＦ キノリジノ−１０−オン ＦＤ−２２９−（ニーブトキシカルボニル）−１，２，
４，５，３Ｂ、６Ｈ，１０ Ｈ−テトラヒドロ〔１〕ベンゾピラノ （９，９ａ　＋　１−　ｇｈ）−キノリジノ−１０−オ
ン ＦＤ−２３４−メチルピペリジノ（３、２−ｙ〕クマリ
ン ＦＤ−２４４−）リフルオロメチルピペリジノ［：３，
２−ｙ］クマリン ＦＤ−２５９−カルボキシ−１，２，４，５゜３Ｈ，６
Ｈ，１０Ｈ−テトラヒドロ 〔１〕ベンゾピラノ（９，９Ｇ、１− ｇル〕−キノリジノ−１０−オン ＦＤ−２６Ｎ−エテル−４−トリフルオロメチルピペリ
ジノ−（３，２−１７）クマ リン 螢光染料のもう一つの好ましい種類は螢光性の４−ジシ
アノメチレン−４Ｈ−ピランおよび４−ジシアノメチレ
ン−４Ｈ−チオピランであり、以後は螢光性ジシアノメ
チレンピラン染料および螢光性ジシアノメチレンチオピ
ラン染料とよぶ。この種類の好ましい螢光染料は式（Ｖ
）を満たすものであり、 （Ｖ）　　　　　　ＮＣＣＮ 式中、Ｘは酸素または硫黄を表わし、 Ｒ６は２−（４−７ミノスチリル）基を表わし、Ｒ７は
第二のＲ６基、アルキル基、あるいはアリール基を表わ
す。

Ｘは最も便利には酸素筒たは硫黄を表わすけれども、よ
り高い原子番号のカルコゲンは長波長移行型ではあるが
類似の応答を与えるはずであることが認められる。アミ
ノ基は一級、二級、またを工三級のアミノ基であること
ができる。一つの特に好ましい形においてを工、アミノ
基をニスチリルフェニル環と一緒に少くとも一つの追加
の縮合環を形成することができる。例えば、ステリルフ
ェニル環とアミノ基は一緒になってジュロリジン環な形
成することができ、あるいはアミノ基はステリルフェニ
ル環と一緒に縮合した五員環筒たは六員環を形成するこ
とができる。Ｒ６を形成するアルキル基は代表的には１
個から６個、好１しくに１個から３個の炭素原子を含む
。Ｒ＠を形成するアリール基は好ましくはフェニルであ
る。Ｒ６と８７の両者が２−（４−アミノステリル）基
を形成するときには、それらの基ヲエ同じであることが
でき、あるいはちがっていることができるが、しかし対
称性化合物がより便利に合成される。

以下は例証的な螢光性ジシアノメチレンピラン染料と螢
光性ジシアノメチレンチオピラン染料である： ＦＤ−２７４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６
−（ｐ−ジメチル−アミノ スチリル）−４Ｈ−ピラン ＦＤ−２８４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６
−（２−（９−ジュロリジ ル）エチニル〕−４Ｈ−ピラン ＦＤ−２９４−（ジシアノメチレン）−２−フェニル−
６−［２−（９−ジュロリ ジルンエテニル〕−４Ｈ−ピラン ＦＤ−３０４−（ジシアノメチレン）−２，６−（２−
（９−ジュロリジル）−エ チニル〕−４Ｈ−ピラン ｒｖ−３１４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６
−（２−（９−ジュロリジ ル）エチニルツー４Ｈ−チオピラン 有用な螢光染料はまた既知のポリメチン染料の中から選
ぶことができ、それは、シアニン、メロシアニン、複合
シアニン・メロシアニン（スなわち、三核、菌核および
多核のシアニンおよびメロシアニン）、オキサゾール、
ヘミオキソノール、ステリル、モノスチリル、およびス
トレプトシアニンを含む。

シアニン染料は、メチン結合によって結合されて、アゾ
リウム核またはアジニウム核のような２個の塩基性の複
素環状核を含み、例えば、ピリジニウム、キノリニウム
、インキノリニウム、オキサシリウム、チアゾリウム、
セレナゾリウム、イミダゾリウム、ピラゾリウム、ビロ
リリウム、インドリウム、３Ｈ−インドリウム、イミダ
ゾリウム、オキサジアゾリウム、テアジアゾリウム、ベ
ンズオキサシリウム、ベンゾチアゾリウム、ベンゾセレ
ナゾリウム、ペンゾテルラゾリウム、ベンズイミダゾリ
ウム、３Ｈ−また）Ｘ　Ｉ　Ｉ！−ベンゾインドリウム
、ナフトオキサシリウム、ナフトチアゾリウム、ナフト
セレナゾリウム、ナフトチアゾリウム、カルバゾリウム
、ピロロピリジニウム、フェナンスロチアゾリウム、お
よびアセナフトチアゾリウムの四級塩から誘導されるも
のである。

塩基性複素環状核の代表的なものは式■と■を満足する
ものである。式中において、 Ｚｌは塩基性複素環式窒素化合物から誘導される環状後
を完成するのに必要とされる要素を表わし；それらの化
合物は、オキサゾリン、オキサゾール、ベンズオキサゾ
ール、ナフトオキサゾール類（例えば、ナフト−（２，
１−ｄ）オキサゾール、ナツト（２，３−ｄ）オキサゾ
ール、およびナフ）（１，２−ｄ）オキサゾール）、オ
キサジアゾール、テアシリ／、チアゾール、ベンゾチア
ゾール、ナフトチアゾール類（例えば、ナフト（２，１
−ｄ）チアゾール）、チアゾロキノリ／類（例えば、チ
アゾロ（４，５−ｈ）キノリン）、フェナンスロチアゾ
ール、アセナフトチアゾール、チアジオキサゾール、セ
レナゾリン、セレナゾール、ベンゾセレナゾール、ナフ
トセレナゾール類（例えば、ナフト−（１，２−（りセ
レナゾール）％ペンゾテルラゾール、ナフトテルラゾー
ル類（例えば、ナツト（１，２−ｄ）テルラゾール）、
イミダシリン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ナ
フトイミダゾール類（例えば、ナフト（２，３−ｄ）イ
ミダゾール）、２−または４−ピリジン、２−または４
−キノリン、１−または３−インキノリン、ベンゾキノ
リン、３Ｈ−インドール、ｌＨ−または３Ｈ−ベンゾイ
ンドール、およびピラゾール、のようなものであり；上
記の核はその環の上で広範な種類の置換基の一つまたは
一つ以上によってｔ換されていてもよく、それらの置換
基は、ヒドロキシ、ハロゲン類（例えば、フルオロ、ク
ロロ、ブロモおよびヨード）、アルキル基または置換ア
ルキル基（例えび、メチル、エチル、プロピル、インプ
ロピル、ブチル、オクチル、ドデシル、オクタデシル、
２−ヒドロキシエチル、３−スルフオプロビル、カルボ
キシメチル、２−シアンエチル、およびトリフルオロメ
チル）、アリール基または置換アリール基（例えば、フ
ェニル、１−す７チル、２−ナフチル、４−スルフオフ
ェニル、・３−カルボキシフェニル、および４−ビフェ
ニリル）、アルアルキル基（例えハ、ベンジルと７エネ
チル）、アルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシお
よびインプロポキシ）、アリールオキシ基（例えば、フ
ェノキシと１−ナフトキシ）、アルキルチオ基（例えば
、メチルチオおよびエチルチオ）、アリールデオ基（例
えば、フェニルチオ、ｊ−）リルチオ、およびナフチル
チオ）、メチレンジオキシ、シアノ、２−チェニル、ス
テリル、アミノまたは置換アミ７基（例えば、アニリノ
、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、およびモルホリノ
）、アシル基（例えば、ホルミル、アセチル、ベンゾイ
ル、おヨヒベンゼンスルホニル）、のようなものであり
、 Ｑ’は、ピロール、インドール、カルバゾール、ベンズ
インドール、ピラゾール、インダゾール、およびピロロ
ピリジンのような塩基性複素環状窒素化合物から誘導さ
れる環状板を完成するのに必要とされる要素であり、 Ｒは、置換基（例えば、カルボキシ、ヒドロキシ、スル
ホ、アルコキシ、スルファト、チオスルファト、ホスホ
ノ、クロロ、およびプロその置換基）をもつかあるいは
もたない、アルキル基、アリール基、アルケニル基、あ
るいはアルアルキル基、を表わし、 Ｌはその各々の場合において独立に、置換または非置換
メチン基、例えば、−ＣＲ”−基を表わすように選ばれ
、ここに、Ｒ８はメチン基が直換されていないときには
水素を表わし、そして、メチン基が置換されているとき
には１個から４個の炭素原子のアルキルかあるいはフェ
ニルを表わすのが最も普通であり、 そして、ｑはｏｉたは１である。

シアニン染料は奇数個のメチン基を含むメチン連結によ
って接合される式■中で示すタイプの２個の複素環状核
を含むことができ、あるいは偶数個のメチン基を含むメ
チン連結によって接合される式■と■の谷々に従う夜素
環状核を含むことができ、この場合、それらのメチン基
は上述のとおり、−ＣＲ”−の形をとることができる。

一般的にはポリメチン染料中でそして特定的にはシアン
染料中で核を連結するメチン基の数が多いほど、染料の
吸収波長が長い。例えば、ジカルボシアニン染料（２個
の塩基性複素環状核を連結する５個のメチン基を含むシ
アン染料）はカルボシアニン染料（２個の塩基性′？！
Ｊ素環状核を連結する３個のメチン基を含むシアニン染
料）より長い吸収波長を示し、この後者はこんどは単純
シアニン染料（２個の塩基性複素環状核を連結する唯１
個のメチン基を含むシアニン染料）より長い吸収波長を
示す。

カルボシアニン染料およびジカルボシアニン染料は長波
長染料であって一方では単純シアニン染料は代表的には
黄色染料であるが、しかし、核と長波長側移行性吸収が
可能である他の成分とを適切に選ぶことによって約５５
０％ｆｉにおよぶ波長の吸収最大を示すことができる。

螢光染料として便用するための好ましいポリメチン染料
、特にシアニン染料はいわゆる不動化染料（ｒす１ｄｉ
ｚａｄ　　ｄｙｅ　）である。これらの染料は一つの核
がもう一つの核に関して動くことを制約するよう桐成さ
れる。これは励起状態エネルギーの無放射性動的放散（
ｒａｄｔａｔｉｏｎｌｇｍｓ、ｋｉｎｅｔｉｃｄｉａａ
ｉｐａｔｉｏりを回避する。染料構造を不動化（ｒｔｇ
ｉｄｉｇａ）する一つの試みは、別の架橋基を組入れて
、染料の端末核を接合するメチン鎖連結のほかに別の連
結を提供することである。架橋ポリメチン染料はブルー
カーらの米国特許２，４７８，３６７、ブルーカーの米
国特許２，４７９，１５２、ギルバートの米国特許４，
４９０，４６３、および、トレッドウェルらの”　Ｐｉ
ａｏｓｍｃｏ％ｄ　ｒｉｔｎｇ　ＲｔｒａｏｌｖａｄＦ
ｌｓｏｒｍａｃａｎｃｍ　　Ｌｉｆａｔｉｒｎｇｓ　　
ｏｆ　　ｔｈｅ　　ＰｏＬｙｒｎｇｔｈｉｔｓｍ４３巻
（１９７９年）、３０７−３１６ページ、によって解説
されている。

ポリメチン染料核を接合するメチン鎖は、染料の端末塩
基性核を接合する環状板の部分としてメチン鎖を含める
ことによって不動化させることができる。一般的にはポ
リメチン染料、特定的にはシアニン染料を不動化するこ
とおよび吸収最大を長波長側へ移行させることの両方の
ための技法の一つは、メチン連結の中にオキン炭素架橋
性核を含めることである。オキソ炭素架橋性核は式Ｙｌ
によって示される形のどれかをとることができ、ここに
、３は０，１または２の整数である。

篭 一 ↓ メロシアニン染料は上述のシアニン染料型の塩基性複素
環状核の−、つを、上述のとおりでしかもゼロ、２個あ
るいはさらに多い偶数個のメチン基を含むメチン連結を
通して酸性ケトメチレン核へ連結する。核間の連結中で
メチン基を含１ないメチン基ゼロの染料は一つの共鳴形
において核間で二重結合連結を示し、もう一つの共鳴形
において一重結合連結を示す。どちらの共鳴形において
も、核中の連結部位は各の核の一部を形成するメチン基
によって形成される。ゼロ・メチンのポリメチン染料は
黄色染料である。

代表的酸性核は式■を満たすものであり、−一＼ ｔ この場合、 Ｇ′はアルギル基または置換アルキル基、アリール基ま
たは置換アリール基、アルアルキル基、アルコキシ基、
アリールオキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、あるいは
、置換アミノ基を表わし、ここで、代表的置換基は式■
と■とに関して記録した各種の形をとることができ； Ｇ２はＧ１について列挙した基のどれか一つを表わし、
その上、シアノ基、アルキルまたはアリールスルフォニ
ル基、あるいは　−Ｃ−Ｇ’　によつて表現される基を
表わすことができ、あるいは、Ｇ２はＧｉ　と−緒にと
るとき、次のような環状酸性核を完成するのに必要とさ
れる要素を表わし、その１の環状酸性核は、２．４−オ
キサゾリジノン（例えば、３−メチル−２，４−オキサ
ゾリジンジオ７）、２．４−チアゾリジンジオン（例え
ば、３−メチル−２，４−チアゾリジンジオン）、２−
チオ−２，４−オキサゾリジンジオン（例えば、３−フ
ェニル−２−チオ−２，４−オキサゾリジンジオン）、
ローダニン例えば３−エチルローダニン、３−フェニル
ローダニン、３−（３−ジメチルアミノプロピル）ロー
ダニ／および３−カルボキシメチルローダニン、ヒダン
トイン（例えば、１．３−ジエチルヒダントイ／（例え
ば、１−エチル−３−フェニル−２−チオヒダントイン
、３−へブチル−１−フェニル−２−チオヒダントイン
、およびアリールスルフォニル−２−チオヒダントイン
）、２−ピラゾリン−５−オン例えば３−メチル−１−
フェニル−２−ピラゾリン−５−オン、３−メチル−１
−（４−カルボギシブテル）−２−ピラゾリン−５−オ
ンおよび３−メチル−２−（４−スルフオフェニル）−
２−ピラゾリン−５−オン、２−インオキサゾリン−５
−オン（例えば、３−フェニル−２−インオキサゾリン
−５−オン）、３．５−ピラゾリジンジオン（例えば、
１．２−ジエチル−３，５−ピラゾリジンジオンと１．
２−ジフェニル−３，５−ピラゾリジンジオン）、１．
３−インダンジオン、１．３−ジオキサン−４，６−ジ
オン、１，３−シクロヘキサンジオン、バービチュリン
酸（例えば、１−エチルバービテユ゛リン酸と１．３−
ジｘチルバービテユリン＃）、および、２−テオバービ
チュリン酸（例えば、ｌ、３−ジエチル−２−チオパー
ビチュリン酸と１，３−ビス（２−メトキシエチル）−
２−チオバービチェリン酸）、から誘尋されるようなも
のでおる。

有用なヘミシアニン染料は上述のメロシアニン染料と本
買上類似であり、式仄のケトメチレン基の代りに式Ｘで
次に示す基を置換えることにちがいがあるだけであり、 ここに、 Ｇ３　と６４は同じであってもよくちがっていてもよく
、式■における環置換について解説したとおり、アルキ
ル、１１換アルキル、アリール、置換アリール、あるい
はアルアルキルを表わしてよく、あるいは、Ｇ１とＧ４
　とは−緒にとるとき、ピロリジン、３−ピロリン、ピ
ペリジン、ピペラジン（例えば、４−メチルピペラジン
および４−フェニルピペラジン）、モルホリン、１，２
，３．４−テトラヒドロキノリン、３−アザビシクロ〔
３１２，２：ｌ−ノナン、インドリン、アゼチジン、お
よびヘキサヒドロアゼピン、のような環状二級アミンか
ら誘導される環系な完成する。

有用なヘミオキソノール染料を１式■において示される
とおりのケトメチレン核と、１個また４１１個より多く
の奇数のメチン基を含む前述のとおりのメチン連結によ
って接合される式Ｘの中で示されるとおりの核とを示す
。

有用なメロスチリル染料は式■において示されるとおり
のケトメチレン核と、１個または１個より多くの奇数の
メチン基を含む前述のとおりのメチン連結によって接合
される弐■において示されるとおりの核、とを示し、 この式において、 Ｃ８と０４は前記定義のとおりである。

前述の波長のより長いシアニン、メロシアニン、ヘミシ
アニン、ヘミオキンノール、およびメロスチリルの染料
は、有用なより波長ポリメチン染料のより簡単な構造に
ついての例証であるつもりである。を換基が核とメチン
連結とを接合して追加的壇状栴造を形成することが一般
的に認められている。その上、それらの染料を工３個ま
たは３個より多くの核を含むことができる。例えば、メ
ロシアニン染料をメチン連結においてシアニン染料タイ
プの第二の塩基性複素墳状核で以て置換することによっ
て、アロポーラ−（ａｌｌｏｐｏｌａｒ）シアニン染料
を形成させることができる。さらに、染料発色団の一部
を形成していない各種の置換基は希望のとおりに変えて
染料の物理的性質、特に疎水性および親水性を調製して
、用いられる特定の皮膜形成成分に適合させることがで
きる。染料の脂肪族成分としてより多くの炭素原子（例
えば、約６個から２０個の炭素原子）をもつ炭化水素基
を選ぶことによって、染料はより親油性にすることがで
き、一方、より少ない数の炭素原子（例えば１個から５
個の炭素原子）を含む炭化水素基および特に極性は換基
をもつ炭化水素基は染料をより親水性にすることができ
る。染料の芳香族成分は代表的には６個から１０個の炭
素原子を含む。

以下のものはより短かい（（５５０％ｆｆ１）波長にお
いて最大光吸収を行なうことができるポリメチン染料の
模範例である： ＦＤ−３２Ｃ１６１１３３Ｃ１− Ｆ　Ｄ　−３３Ｃ！５Ｈｒｒ　　　　　　　　Ｐ　Ｔ　
Ｓ　−ＦＤ−３４−ＣＨ２ＣＨ−ＣＨ２Ｃ１−ＰＴＳ−
ｐ−）ルエンスルフオネート Ｒｆ ＦＤ　−３７−ＣＨ２ＣＨ２ＣｔＯａ−Ｆ　Ｄ　−３８
Ｃ４１１ｇ　　　　　　　　ｃ１０４−ＦＤ−３９Ｃ５
Ｈｓｘ　　　　　　　　ＢＦ４−ＦＤ−４０ＣＨ３ ＣＥ、ＣＨ３ ＣＭ、ＣＨ。

ＦＤ−４４−ＣＨ３−ＣＨ３Ｈ ＦＤ−４５−ＣＥ５　　　　　ＣＨ３−Ｃ２Ｈ３Ｆ　Ｄ
　−４６Ｃ５Ｈ７ＣＨ３Ｈ 鴬　　　　ＲＲ’　　　　　Ｘ− ＦＤ−４８１−０Ｍ３　　　　　　Ｃ，ＨＳ　　　ＰＴ
Ｓ−ＦＤ−４９１ＣＣＨｚ）ｓｓＯｓ　　　Ｃ５Ｈｎ　
　　　　−ＦＤ−５０１ＣＣＨｚ）ａｓＯｓ　　　Ｃ５
Ｈｕ　　　　−ＦＤ−５１２ＣＣＨｚ）ｓｓＯｓ　　　
Ｃ５Ｈｓ　　　　　−ＦＤ−５２３、３’−エチレンチ
アシアニンｊ−）ルエンスルフオネート ＦＤ−５３１’、３−エチレンチア−２′−シアニンク
ロライド ＦＤ−５４１、１’−エチレン−２，２′−シアニンク
ロライド ＦＤ−５５３、３’−エチレンオキサシアニンクロライ
ド ＦＤ−５６１、１’−ジエチル−３，３′−エチレンベ
ンズイミダゾロ−シアニン、−）ル エンスル７オネート ＦＤ−５７１、１’−ジエチル−３，３１−メチレンベ
ンズイミダゾロ−シアニンクロライ ド ＦＤ−５８１、１’−エチレンシアニンクロライドＦＤ
−５９１、ｌ’−メチレンシアニンクロライドＦＤ−６
０５、５’、　６　、６’−テトラクロロ−１゜１′−
ジエチル−３，３′−二タンジイルベンズイミダゾロシ
アニンクロライド ＦＤ−６１５、５’、　６　、６’−テトラクロロ−１
゜１′−エタンジイル−３，３′−ジメチルベンズイミ
ダゾロシアニンクロライド ＦＤ−６２アンヒドロ−５、５’、　６　、６’−テト
ラクロロ−１，１′−二タンジイルー３゜３′−ビス（
３−スルフオプロビル）べＦＤ−６３２、２’−メタン
ジイルビス（５，６−ジクロロ−１−メチル−ベンズイ
ミダ ゾール ＦＤ−６４５、５’、　６　、６’−テトラクロロ−１
゜１′−ジメチル−３，３′−プロパンジイルベンズイ
ミダゾロシアニン−ｐ−） ルエンスルフオネート Ｆｌ）−６５５、５’、　６　、６’−テトラクロロ−
１゜１′−ジメチル−３，３′−メタンジイルベンズイ
ミダゾロシアニンｐ−）ルエ ンスルフオネート ＦＤ−６６５、５’、　６　、６’−テトラクロロ−１
゜１′−エタンジイル−３，３′−ビス（２゜２．２−
トリフルオロエチル）ペンズ イミタソロシアニンｐ−トルエンスル フォネート ＦＤ−６７５、５’、　６　、６’−テトラクロロ−１
゜１′−エタンジイル−３、３’、　８−　）リメテル
ベンズイミダゾロシアニンｐ− トルエンスルフォネート 多くのポリメチン染料はより長い可視（）５５０？＆ｍ
）波長における最大光吸収が可能であり、最大螢光波長
は一般的にはスペクトルの赤および近赤外部の中にある
。以下（工より長い可視波長における最大光吸収がＢＴ
能であるポリメチン染料の例示である： ｂｎｓ　　　　　　　　　　　　　　　Ｌ；ｎ３％　　
　　　　Ｒｄ　　　　　　　　Ｘ−ＦＤ−６８１ＥＦ、
− ＦＤ−６９２ＰＴＳ− ＦＤ−７０３ＢＦ、− ＦＤ−７１３÷ＣＢ　−ＣＨ＋２　　　　　ＣＬ　Ｏ４
Ｄ−７４ ｔ− Ｆ　Ｄ　−７６ＣａＢ６　　　　　ＨＣｔ−ＦＤ−７７
−Ｃ１，Ｈ３７−Ｈ−ＰＴＳ−Ｆ　Ｄ　−７８Ｃ４Ｈｇ
　　　　　ＣＨ３ＣＬ−ＦＤ−７９−Ｃ，Ｈ，、−ＣＨ
３−Ｃ１−Ｆ　Ｄ　−８０ｉ　−Ｃ５Ｈｔ　　　ＣＨｓ
　　　　　　　　　　　　ＣＬ−ＦＤ−８１Ｃ５Ｈ１（
４Ｈ５Ｃｆ ＦＤ　−８２Ｃ２Ｈ５Ｃ２Ｈ５Ｃ５ＦＩＣＯＯ″″ＦＤ
−８３ＣｘＨｓ　　　　　Ｃ＠Ｈ１ｌ＋ＣＢ−ＣＩｌｊ
；　　ＣＬ−（シクロヘキシル） ｐｌ）　−８４Ｃ，Ｈ，−Ｃ１５Ｈ３□　＋ＣＨ−ＣＨ
ｈ　　ＣＬ−−／’　　−Ｘ ｊ’　Ｄ　−９６ＣＨｔＣＨ２Ｃ６Ｈｓ　　　　Ｂ　Ｆ
４−ＦＤ−９７−ＣＨ２ＣＨ３Ｃｔ− ＲＡＲＲ’ ＦＤ−１０３−ＣＨ３−ＣＨ３− Ｆ　Ｄ−１０４ＣＨｓ　　　　　ＣＨｓ　　　　＋ＣＨ
−ＣＨ＋２Ｆ　Ｄ　−１０５ＣＨｓ　　　　　　ＣａＨ
ｓ　　　　　　　−ＦＤ−１０６−ＣＨ３−ＣＨ２− ２Ｈｓ ＦＤ−１０７２隣接　Ｒ’＝＋ｃｇ、％スナワち、スピ
ロシクロヘキシル ４に　　　　　　　　　　　　　　　　バＦＤ−１０９
Ｒ−Ｃ６Ｈ５ ＦＤ−１１ＯＲ−Ｃ１ｏＨｔ　９丁なわちα−ナフチル
Ｄ−１１１ Ｄ−１１２ Ｄ−１１３ 螢光染料のもう一つの有用な種類は４−オキソ−４Ｈ−
ベンズ−（ｄ、＃］アンスラセンであり、以後はオキソ
ベンズアンスラセン染料とよぶ。好ましい螢光オキソベ
ンズアンスラセン染料は弐■によって表現されるもので
ある。

（Ｘ［ｌ）　　　　Ｙ“、／８．ノ。

ｌ　　　　Ｉｌ この溝端において、Ｒ′１は水素、置換または非置換ア
ルキル（好ましくは１個から１２個の炭素原子のもの、
例えば、メチル、エチル、イソプロピル、ベンジル、フ
ェネチル、など）、置換または非置換ヒドロキシアルキ
ル（好１しくに１個から１２個の炭素原子のもの、例え
ば、ヒドロキシメチル、２−ヒドロキシエチル、２−ヒ
ドロキシインプロピル、など）、あるいは、ｔｉｔ侠！
たは非置換アルコキシカルボニル（好１しくは２個から
１２個の原子のもの、例えば、メトキシカルボニル、エ
トキシカルボニル、ｙ−プロピルカルボニル、など）で
ある。好１しくに％８０は水素、置換または非置換アル
キル、あるいは置換または非置換アルコキシカルボニル
であり、さらに好ましくは、置換筐たは非置換アルコキ
シカルボニルである。

Ｗは水素であるかあるいは電子引抜基であり、その用語
が白菜において理解されているとおりである（すなわち
、標準的手順によって決定されるとおりの正のハメット
・シグマ値を一般的にもつ基）。特に有用である電子引
抜基は、限定されるものではないが、ハロ（例えばフル
オロ、クロロ、ブロモ）、シアン、カルボキシ、アシル
、置ａｔたは非置換アリールスルフォニル（好ＩＬ＜は
６個から１０個の炭素原子のもの、例えば、フェニルス
ルフォニル、トリルスルフォニル、ｒｊト）、＋ｉｔ、
ｍまたは非＊ｙ＋アルキルスルフォニルＣ好−１しくに
１個から６個の炭素原子のもの、例えばメチルスルフォ
ニル、エチルスルフォニル、ナど）、ｔＩｔ侠またを工
非直挨ジアルキルホスフィニル（好マしくは、各アルキ
ル基が独ｕｌｃ１から１０個の炭素原子をもち、例えば
、メチル、エチル、ブチル、デタルなど）、および、置
換または非置換のジアルキルホスホノ（好ましくは、各
アルキル基が独立に上記定義のとおり１から１０個の炭
素原子をもつ）、を含む。好ましくはＷは水素またはハ
ロゲンである。

Ｙｌは水素であるか、あるいは不対電子または負の電荷
をもり複素原子から成る基、例えば、ヒドロキシ、メル
カプトあるいはアミン（ｙＲ／Ｉｎつである。Ｒ“およ
びＲ′′は独立に置換または非置換アルキル（好ましく
は１から１０個の炭素のもので、例えばメチル、エチル
、デシルなと）、置換または非置換アリール（好ましく
は６から１０個の炭素のものであり、例えば、フェニル
、ナフチル、など）、であり、あるいは、Ｒ“とＲ“′
とは、−緒に取られるときには、置換または非置換複素
環状環（好ましくは５から１０個の炭素原子、窒素原子
または酸素原子のもので、例えば、モルホリノ、ピロリ
ジニル、ピリジル、ピペリジノ、などの環）を完成する
のに必要な原子を表わすことができる。ｙｌはまた置換
または非置換アルコキシ（好ましくは１から１０個の炭
素原子のもので、例えば、メトキシ、エトキシ、２−ク
ロロ−１−プロポキシなど）、置換または非置換カルバ
ミルオキシ（−Ｑ　−Ｃ−ＮＲ”Ｒ“′）（式中、Ｒ“
とＲ″′は上記定義のもの）、−０−Ｍ＋、あるいは−
８−Ｍ＋（式中、Ｍ＋は１価カチオン、例えばＮ１ζに
＋、Ｌｉ”、ＨＥ、＋、など）であることができる。好
ましくは、Ｙ′はヒドロキシあるいは一〇Ｍ＋である。

ＦＤ−１１４メチル　　　　　水素　　ヒドロキシＦＤ
−１１５メチル　　　　　水素　　−〇−Ｎａ”ＦＤ−
１１６メチル　　　　　　クロロ　　ヒドロキシＦＤ−
１１７メチル　　　　　クロロ　　−Ｑ−Ｎａ十ノくミ
ルオキシ ＦＤ−１１９メチル　　　　　　水素　　　ピロリジニ
ルＦＤ−１２０ブトキシカルボニル　水素　　　ヒドロ
キシＦＤ−１２１ブトキシカルボニル　水素　　−ＯＮ
ａ十ＦＤ−１２２ブトキシカルボニル　クロロ　　−〇
　−Ｎａ　＋上記で例示したオキソベンズアンスラセン
染料は、置換基がその化合物の螢光に悪い影響を及ぼさ
ないかぎり、構造中で特定的に例示しｋもの以外に、ア
ルキル（例えば、１個から５個の炭素原子のアルキル）
、アリール（例工ばフェニル）、およびその他の基のよ
うな、１個または１個より多くの置換基をもつ。

オキソベンズアンスラセン染料は一般的には次の手順を
便ってつ（ることかできる。いくつかの製法の詳細は以
下の付録Ｉにおいて与えられている。その一般的製造手
順は、（１）コークらのＡｓ５ｔｒａｌｉａｎ　Ｊ、　
ＣＡ＃鴨、　、　１１．２３０−２３５ページ（１９５
８年）によって記述されている手順によるジヒドロフェ
ナレノンの調製（２）ジヒドロフェナレノンのリチウム
エルレートの調製、（３）このリチウムエルレートと適
切なホスホニウム・ヨーダイト反応剤との反応、および
（４）この生成物を塩化第二銅およびリチウムクロライ
ドとを反応させて塩素化または非塩素化染料な生成させ
ること、を含んでいる。

螢光染料のもう一つの有用な種類はキサンチン染料であ
る。キサンチン染料の一つの特に好ましい種類はローダ
ミン染料である。好ましい螢光ローダミン染料は式Ｘｍ
によって示されるものであり、 ↓ Ｒ” ■ この式において、 ＲＩＯとＲ１１は独立に水素、カルボキシル、スルフォ
ニル、アルカノイル、あるいはアルコキシカルボニルの
基であり、 ＲＩ！、Ｒ入Ｒ”お！　び７？’Ｇ’ｌｋ累で、６’）
、Ｒ”、Ｒ”、Ｒ”、お！びＲ１９ハアルキル基であり
、Ｘ−はアニオンであり、 あるいは、以下の置換基対、Ｒ１吃Ｒ１１、Ｒ”とＲ′
？、Ｒ”とＲ’−および、Ｒ”とＲ”　、のどれか一つ
または全部は単独複素原子として窒素を含む五員環また
は六員環を完成する。

各々の場合におけるアルキル成分は１個から５個の炭素
原子、好１しくに１個から３個の炭素原子を含む。置換
基対が縮合環を完成するときには、その環は例えば、式
の窒素原子（ｆｏｒｍ％ｌａ＊＝ｔｒｏｇｅｎ　ａｔｏ
ｍ　）を含む単一の縮合環が形成されるときにはピラン
の形を、るるいは、式の同じ窒素原子を各々が含む２個
の縮合環が形成されるとぎにはジュロリデン環（式の縮
合ベンゾ環を含む）の形を、取ることができる。

以下は有用なレーザー染料であることが知られそいるロ
ーダミン染料の例示でめる： ＦＤ−１２３（９−（ｇ−カルボキシフェニル）−６−
（ジエチルアミン）−３Ｈ− キサンチン−３−イリデン〕ジエチ ルアンモニウムクロライド 〔別名、ローダミンＢ〕 ｙｎ−１２４Ｎ−（６−（ジエチルアミノ〕−９−〔２
−エトキシカルボニル）−フ ェニル〕−３Ｈ−キサンチン−３− イリデン）−Ｎ−エチルエタンアミ ニウム／−１？−クロレート ＦＤ−１２５エチルｏ−（６−（エチルアミノ）−３−
（エテルイミノ）−２，７− ジメテルー３Ｈ−キサンテニル〕ベ ンゾエートクロライド ＦＤ−１２６エチル＆−〔６−（エテルアミノ）−３−
（エチルイミノ）−２、７− ジメテルー３Ｈ−キサンテニル〕ベ ンゾエートバークロレート ＦＤ−１２７エチルｐ−（６−（エテルアミノ）−３−
（エチルイミノ）−２，７− シメチルー３Ｈ−キサンテニル〕ペ ンツエートテトラフルオロボレート ＦＤ−１２８ｏ　−（６−（エチルアミノ）−３−（エ
チルイミノ）−２，７−シメチ ルー３Ｈ−キサンテニル〕安息香酸 ＦＤ−１２９ｏ　−（６−アミノ−３−イミノ−３Ｈ−
キサンテニル）安息香酸・ハイ ドロクロライド ）’Ｄ−１３０ｏ−［６−（メチルアミノ）−３−（メ
チルイミノ）−３Ｈ−キサンチ ン−９−イル〕安息香酸バークロレ ート ＦＤ−１３１メチル立−（６−アミノ−３′−イミノ−
３Ｈ−キサンチン−９−イル） ベンゾエート・モノハイドロクロラ イド ＦＤ−１３２８−（２，４−ジスルフォフェニル）−２
、３、５、６、ｌ　１　、　ｌ　２．１４゜１５−１＃
、４Ｈ，ｌＯＨ，１３Ｈ −オクタヒドロキノリジノ−ルー （９＠９ａｍ　１−ｂｅ：９ｅ９ａ＊　　１−Ｘ＝）−
Ｖ−サンチリウムヒドロオキサイド内部塩 ＦＤ−１３３スルフォローダミ７Ｂ ｐｎ−１３４！！−Ｃ６−Ｃジメデルアミノ）−３−（
ジメチルイミノ）−３Ｈ−キサ ／テン−９−イル〕安息香酸バーク ロレート キサンチン染料のもう一つの特定的に好ましい種類はフ
ルオレセイン染料である。好ましいフルオレセイン染料
は式ＸＩＶによって表現されるものであり、 （ＸＩＶ）　　　　　　　／？” ここに、 Ｒ１０とＲ１１は前記定義のとおりであり、Ｒ′とＲ”
は水素、アルキル、アリール、めるいを１ハロゲン置換
基である。好ましいアルキル基は１から５個、好１しく
に１から３個の炭素原子を含み、−万、フェニルは好ま
しいアリール基である。

模範的フルオレセイン染料は、 −３−オン 一３Ｈ−千ナンテンー３−オン である。

螢光染料のもう一つの有用な群はピリリウム、チアピリ
リウム、セレナピリリウム、およびテルロピリリウムの
染料である。これらの種類のうちのはじめの三つからの
染料はライトの米国特許３．６１５，４１４によって開
示されており、一方後者の染料はデツテイの米国特許４
，５８４，２５８によって開示されている。後者の二つ
の種類の染料は赤外の方へ長波長側へ移行されるので、
前二者の埋顛の染料が可視光放射の達成にとって好まし
い。

模範的な好ましいピリリウム染料およびチアピリリウム
染料は式Ｘ■によって表わされ、（ＸＶ） 式中、８２！　ｈ工水素、メチル、あるいは三級アミン
基、最適なのを工、　ＨＨ２３Ｒ２３基であり、Ｒ”は
アルキル基であり、 Ｘ−はアニオンであり、 Ｊは酸素または硫黄である。

アルキル基を工好ましくは１から５個、最適にを工ｌか
ら３個の炭素原子を含む。式ｘ■を涌足する模範的なビ
リリウムおよびチアピリリウムの螢光染料は次のもので
ある： ＦＤ−１３５４−（４−ジメテルアばノフェニル）−２
−（４−メトキシフェニル）− ６−フェニルビリリウム・バークロ レート ＦＤ−１３６４，６−ジフェニル−２−（４−エトキシ
フェニル）−チアピリリウム ｐ−トルエンスルフォネート ＦＤ−１３７２−（４−メトキシフェニル）−６−フェ
ニル−４−（Ｆ−トリル）− ピリリウム・テトラフルオロボレー ト 螢光染料のもう一つの有用な種類は螢光カルボステリル
染料である。これらの染料は２−キノリツール環または
インキノリノール環を特徴とし、しばしば他の環と縮合
される。最大螢光の波長は一般的には他の縮合環の存在
とともに増す。スペクトルの背色部分において螢光を出
す単純なカルボスチリル染料の代表的なものは次のもの
である：ＦＤ−１３８　７−アミノ−４−メチル−２−
キノリツール〔別名、７−アミノ−４− メチルカルボステリル〕 ＦＤ−１３８７−シメチルアミノー２−ヒドロキシ−４
−メチルキノリン〔別名、７ −ヅメチアミノ−４−メチルカルボ スチリル〕 ＦＤ−１４０３，３’−ビス〔Ｎ−フェニルインキノリ
ン〕 より複雑な縮合環カルボステリル染料の例は、カドヒム
およびベーターの「ペンズイミダゾロテオキサンテノイ
ソキノリンをポリエステルファイバーに置換えた合成ポ
リマーファイバー用の新しい中間体と染料」、ＪＳＤＣ
，１９７４年６月、１９９−２０１ページ、とアリエン
ドらの「イミダゾール染料ＸＸ−１，２−ナフトオキシ
レンベンズイミダゾール誘導体の着色性質」、ＪＳＤＣ
１１９６８年６月、２４６−２５１ページ、とによって
与えられる。これらのより複雑なカルボステリル染料の
例は次のものでめる： ＦＤ−１４１ベンズイミダゾＣ１，２−６）チオキサン
テノー（２＝　１　ｅ　９−　ｄ９ｇ−ｆ〕−インキノ
リン−７−オンおよ びそれの立体異性体 ベンズイミダゾ（１，２−ａ）チオ キサンテノー（２＝　１−９−　ｄｍａ−ｆ〕イソキノ
リン−７−オン 他の縮合環螢光染料の中にはジナフチレン核を特徴とす
るペリレン染料がめる。有用な螢光ペリレン染料の種類
は知られており、例えば、レードマツハ−らの「光安定
性をもつ可溶性ペリレン螢光染料」、９リュ、ル１．．
１１５巻、２９２７−２９３４．１９８２年、および、
欧州特許願５５３．３５３ＡＩ（１９８２年７月７日発
行〕、によって開示されるもの、のようたものである。

一つの好ましいペリレン染料は式ＸｖＩによって例証さ
れ、 （Ｘ■） ここに、 Ｒ″とＲｌｓはアルキル、ハロおよびハロアルキルの置
換基から成る群から独立に選ばれる。好ましいアルキル
基は１から５個の炭素原子、最適には１から３個の炭素
原子をもつ。

ペリレン染料のもう一つの好筐しい群は、３゜４．９．
１０−ペリレンビス（ジカルボキシイミド）であり、以
後はべりレンビス（ジカルボキシイミド）染料とよぶ。

この種類の好ましい染料は式ＸｖＩＩＶｃよって表現さ
れ、 （ＸＶＩＩ） ここに、 Ｒ２′１とＲ２？　　はアルキル、ハロおよびハロアル
キルの置換基から成る群から独正に選ばれる。好筐しい
アルキル基は１から５個、最適には１から３個の炭素原
子をもつ。

好ましいペリレン染料の例は次のものである：ＦＤ−１
４２　　ペリレン ＦＤ−１４３１，２−ビス（５，６−！！−フェニレン
ナフタレン） ＦＤ−１４４Ｎ、＃’−ジフェニルー３．４，９゜１０
−ペリレンビス−（ジカルボキ シイミド） ＦＤ−１４５Ｎ　、Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−３，４゜
９．１０−ペリレンビス−（ジカル ボキシイばド〕 ＦＤ−１４６Ｎ、Ｎ’−ジ（２，６−ジー互−メチル）
−３，４，９，ＩＯ−ペリレン ビス（ジカルボキシイミド） ホスト物質との組合せにおいて有用である好ましい染料
の前記列挙は、長々とあるけれども、特定的に同定され
る種類とさらに他の染料の種類との両方における既知螢
光染料の単なる例示であることが認識される。例えば、
アクリジン染料；ビス（ステリル）ベンゼン染料；ピレ
ン染料；オキサジン染料；およびとぎにはＰＯＰＯＰ染
料とよばれるフエニＶンオキサイド染料；のような既知
螢光染料の多くの他の種類が、以下のものを含むこれら
の種類からの有用で特定的の例示的染料である： ＦＤ−１４７９−アミノアクリジンｅハイドロクロライ
ド ＦＤ−１４８ｊ−ビス（０−メチルステリル）ベンゼン Ｆｊ）−１４９２、２’−ｐ−フ二二しンビス（４−メ
チル−５−フェニルオキサゾール ＦＤ−１５０５，９−ジアミノベンゾ〔α〕フエノキサ
ゾニクム・バークロレート ＦＤ−１５１５−アミノ−９−ジエチルアミノベンズＣ
，］フェノキサシニウムバーク ロレート ＦＤ−１５２３，７−ビス（ジエチルアミノ）フェノキ
サシニウムバークロレート ＦＤ−１５３３，７−ビス（エチルアミン）−２゜８−
ジメチルフェノキサジン−５− イウムバークロレート ＦＤ−１５４９−エチルアミノ−５−エチルイミノ−１
０−メチル−５Ｈ−ベンゾ〔α〕フェノキサシニウムバ
ークロレート ＦＤ−１５５８−ヒドロキシ−１，３，６−ビレンート
リスルフオ／酸Φ三ナトリウ ム塩 利用できる多くの種類の螢光染料の選択が可能であるだ
けでなく、どの与えられた種類内でも個々の染料性質に
ついて広い選択がある。個々の染料の吸収最大と還元電
位はｔ換基の選択を通して変えることができる。染料の
発色団を形成する共役が増すにつれて、染料の吸収最大
は長波長側へ偏移させることができる。

放射最大を工吸収最犬に対して赤方偏移性−（ｂａｔｈ
ｏｅｈｒｏｍｉｃ　）である。赤方偏移の度合は染料種
類の関数として変動し得るけれども、通常は最大放射の
波長は最大吸収の波長と比べて２５から１２５μ倶赤方
へ偏移される。このように、近紫外において吸収最大を
示す染料はほとんどすべての場合においてスペクトルの
青色部分において最大放射な示す。スペクトルの青色部
分において吸収最大を示す染料はスペクトルの緑色部分
において放射最大を示し、そして同様に、スペクトルの
赤色部分において吸収最大をもつ染料はスペクトルの近
赤外部において放射最大を示す傾向がある。

本発明の一つの形においては、発光帯を形成すル９１）
’Ｕ”Ｘ、ＥＬデバイスのカソードとホール注入帯との
両方の間で挿入されかつ両者と接触する一つの均質層で
あることができる。代りの溝底として、ホスト物質を含
むがしかし螢光物質を含１ない別の層を発光帯とカソー
ドとの間に挿入することができる０この追加的の間挿有
機質電子注入層は慣用的形態のどれであってもよいけれ
ども、電子注入層と発光帯形成層との両方が薄膜（〉１
μ鴇の厚さ）の形で存在することが好１しく、そして、
これらの層が発光帯について上に示した厚さよりも大き
くない組合せ厚みをもつことが最も好筐しい。

本発明のＥＬデバイスの有機発光媒体は、少くとも二つ
の有機質層、カソードから注入される電子を輸送するだ
めの帯域を形成する少くとも一つの層、および、アノー
ドから注入されるホールを輸送するための帯域を形成す
る少くとも一つの層を好１しくは含んでいる。後者の帯
域はこんどは好１しくに少くとも二つの層で形成され、
一つは、アノードと接触の状態で置かれていてホール注
入帯を提供し、残りの層は、ホール注入帯を形成する層
と電子輸送帯を提供する層との間に挿入されていてホー
ル輸送帯を提供する。以下に行なう記述は、ファン・ス
ライクらによって教示され℃いるとおりに少くとも三つ
の別々の有機質層な用いる本発明に促う有機質ＥＬデバ
イスの好ましい実施態様へ向けられているが、ホール注
入帯を形成する層またはホール輸送帯な形成する層のど
ちらかを省略することができ、残りの層が両方の機能を
果たすことができることが予想される。本発明の有機質
ＥＬデバイスのより高い紡期および持続性能水準は、下
記に述べる別々のホール注入層とホール輸送層とを組合
せて用いるときに実現される。

ポルフィリン系化合物を含む層は有機質ＥＬデバイスの
ホール注入帯を形成する。ポリフィリン系化合物は、ポ
ルフィン自身を含めて、ポルフィン構造から誘導される
かそれを含む、天然または合成の、化合物のどれであっ
てもよい。アドラーの米国特許３，９３５，０３１また
はタンクの米国特許４，３５６．４２９によって開示さ
れるポルフィリン系化合物のいずれをも使用することが
できる。

好ましいポルフィリン系化合物は構造式（Ｘ■）の化合
物であり、 ＴＩ　　　Ｔ１ ここに、Ｑは−Ｎ−’！たは　−Ｃ（Ｒ）麿　であり、
Ｍは金属、金属酸化物、あるいをエハロゲン化金属でめ
り、 Ｒは水素、アルキル、アルアルキル、アリールあるいは
アルカリールであり、そして Ｔ１およびＴ２は水素を表わすか、あるいは、−緒にと
るときには不飽和六員環を完成し、それはアルキルまた
にハロゲンのような置換基を含むことができる。好筐し
い六員ｆ１１は炭素、硫黄および窒素の環原子で形成さ
れるものである。好ましいアルキル成分Ｇ′！、ｌから
６個の炭素原子を含み、−万、フェニルは好ｌしいアリ
ール成分を構成する。

代りの好ましい形においては、ポルフィリン化合物は式
（ＩＩＸ）によって示されるとおり、２個の水素を金属
原子に置換えることによって構造式（Ｘ■）の化合物と
異なる。

滋）　　　　　　ｒ：　７′ 有用ポルフィリン系化合物の高度に好ましい例は無金属
フタロシアニンおよび金［含有フタロシアニンである。

一般的にはポルフィリン系化合物、および、特定的には
フタロシアニ／、（工いかなる金属を含むことができる
が、その金属は好１しくを工２または２より大きい正の
原子価をもつ。例示的な好ましい金属はコバルト、マグ
ネシウム、亜鉛、パラジウム、ニッケル、であり、そし
て、特に、銅、鉛および白金である。

有用なポルフィリン系化合物の模範的なものは次のもの
である： ｐｃ−ｘ　　ポルフィン ＰＣ−２１，１０，１３，２０−テトラフェニル−２１
Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン−銅 （Ｉ［） ＰＣ−３１，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１
Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン亜鉛 （川） ＰＣ−４５，１０，１５，２０−テトラキス（ヘンタフ
ルオロフェニル）　−２１Ｈ。

２３Ｈ−ポルフィン ＰＣ−５シリコン・フタロシアニンオキサイドＰＣ−６
アルミニウム・フタロシアニンクロライド ＰＣ−７７タロシアニン（無金属） ＰＣ−８ジリチウムフタロシアニン ＰＣ−９銅テトラメチルフタロシアニンＰＣ−１０鋼７
タロシアニン ＰＣ−１１クロムフタロシアニンフルオライドＰＣ−１
２亜鉛フタロシアニン ＰＣ−１３鉛フタロシアニン ＰＣ−１４チタンフタロシアニンオキサイドｐｃ−１ｓ
　　マグネシウムフタロシアニンｐｃ−１６銅オクタメ
チルフタロシアニン有機質ＥＬデバイスのホール輸送層
は少くとも一つのホール輸送芳香族三級アミンを含み、
この場合、後者は、少くとも−りが芳香族環の一員であ
る炭素原子へのみ結合している少くとも一つの３価窒素
原子を含む化合物であると理解される。

一つの形において、その芳香族三級アミンはモノアリー
ルアミン、ジアリールアミン、トリアリールアミンある
いはポリマー状了り−ルアミンのよ５　ナアリールアミ
ンである。模範的なモノマー状トリアリールアミンはク
ルラフエルらの米国特許３．１８０，７３０によって解
説されるものである。

ビニル基またはビニレン基で以て置換され、セして／″
または少くとも一つの活性水素含有基を含む他の適当な
トリアリールアミンはプラントレーらの米国特許３，５
６７，４５０および３，６５８．５２０によって開示さ
れる。

芳香族三級アミンの好ましい種類は少くとも２個の芳香
族三級アミン成分を含むものである。そのような化合物
は構造式（ＸＸ）によって表わされるものを含み、 ここに、ＱｌとＱｌは独立に芳香族三級アミン成分であ
り、 Ｇはアリーレン、シクロアルキレンあるいはアルキレン
基のような連結基、あるいは炭素・炭素結合である。

構造式（ＸＸ）を満たし２個のトリアリールアミン成分
を含むトリアリールアミンの種類の特に好ましい種類は
構造式（ＸＸＩ）を満たすものであり、轟・ ここに、 Ｒ”とＲ２ｓは各々独立に水素原子、アリール基、ある
いはアルキル基を表わすか、Ｒ２４とＲ”とは−緒にな
って環状アルキル基を完成する原子を表わし、 Ｒ′とＲ”は各々独立にアリール基を表わし、それはこ
んどは構造式（ＸＸＩ）によって示されるとおりジアリ
ール置換アミノ基で以℃置換されており、ここに、Ｒ２
８と８２″は独立に選ばれる了り−ル基である。

芳香族三級アミンのもう一つの好ましい種類はテトラア
リールジアミンである。好ましいテトラジアリールジア
ミンはアリーレン基を通して連結される、式α■）によ
って示されるような２個のジアリールアミノ基を含む。

好ましいテトラアリールジアミンは式（ＸＸＩＩＩ）に
よって表わされるものな含み、 ここに、Ａｒはアリーレン基であり、 鴨は１から４の整数であり、 Ａｒ、Ｂｋ０１Ｒ”お工びＢｕは独立に選ばれる了り−
ル基である。

前記構造式（ＸＸ）、（ＸＸＩ）、（ＸＸＩＩ）、オヨ
び（ＸＸＩＩＤの各種のアルキル、アリールおよびアリ
ーレンの成分は各々こんどは置換されることができる。

代表的な置換基はアルキル基、アルコキシ基、アリール
基、アリールオキシ基、および、フルオライド、クロラ
イドおよびブロマイドのようなハロゲンを含む。各種の
アルキル成分およびアルキレン成分は代表的には約１個
から６個の炭素原子を含む。シクロアルキル成分は３個
から約１０個の炭素原子を含むことができるが、しかし
、代表的には５．６または７個の環炭素原子を含むこと
がでキ、例えハ、シクロペンチル、シクロヘキシルおよ
びシクロヘプチルの環構造を含むことができる。

アリール成分およびアリーレン成分は好ましくはフェニ
ル成分とフェニレン成分である。

有機質電場発光媒体のホール輸送層全体を単一の芳香族
三級アミンで形成させることができるが、安定性の増大
は芳香族三級アミンの組合せによって実現させることが
できるということが、本発明のさらに一つの認識である
。特定的には、以下の実施例において示されるとおりに
、式（ＸＸＩ）を満たすトリアリールアミンのようなド
リア１ノールアミンを式（ＸＸＩｎ）によって示される
ようなテトラアリールジアミンと組合せて用いることが
有利であり得ることが観察された。トリアリールアミン
をテトラアリールアミンと組合せて用いるとき、後者は
トリアリールアミンと電子注入・輸送層との間で挿入さ
れる層として置かれる。

代表的な有用芳香族三級アミンはバーウィックらの米国
特許４，１７５，９６０とファン・スライクらの米国特
許４，５３９．５０７によって開示される。

バーウィックらはさらに有用なホール輸送化合物として
、上記開示のジアリールアミンおよびトリフ１Ｊ−ルア
ミンの環架橋ｆ種と見ることができるＮ置換カルバゾー
ルを開示している。

有用な芳香族三級アミンの例は次のものである：ＡＴＡ
−１　１　、１−ビス（４−ジー、−）リルアミノフェ
ニル）シクロヘキサン ＡＴＡ−２１、１−ビス（４−ジー、−）リルアミノフ
ェニル）−４−フェニル−シク ロヘキサン ＡＴＡ−３４、４’−ビス（ジフェニルアミノ）クオー
ドリフェニル ＡＴＡ−４ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェ
ニル）−フェニルメタン ＡＴＡ−５Ｎ、Ｎ、Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン ＡｒＡ−６４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−〔４
−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−ス チリル〕スチルベン ＡＴＡ−７Ｎ　、　Ｎ　、　Ｎ’、　Ｎ’−テトラ−ｐ
−トリル−４、４’−ジアミノビフェニル ＡＴＡ−８Ｎ　、　Ｎ　、　Ｎ’、　Ｎ’−テトラフェ
ニル−４，４′−ジアミノビフェニル ＡＴＡ−９Ｎ−フェニル力ルノくゾールＡ７’Ａ−１０
ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）慣用的の電子注入・輸
送化合物はどれでもカソードと隣接する有機発光媒体の
層を形成する際に用いることができる。この層は、アン
スラセン、ナフタレン、フェナンスレン、ピレン、クリ
センおよびペリレン、並びに、ガーニーらの米国特許３
．１７２，８６２、ガーニーの米国特許３，１７３゜０
５０、ドレスナーの「アンスラセンにおける二重注入電
場発光」、ＲＣＡ　Ｒｅｖｉｅｗ　、　３０巻、３２２
−３３４ページ、１９６９年、および、上記引用のドレ
スナーの米国特許３，７１０，１６７によって例示され
ているとおりの約８個までの縮合環を含むその他の縮合
環発光物質、のようた歴史的に教示される発光物質によ
って形成させることができる。そのような縮合環発光性
物質は薄い（〈１μ％）皮膜の形成に適合せず、従って
最高に到達し得るＥＬデバイス性能水準の達成に不向き
であるけれども、その種の発光性物質を組入れる有機質
ＥＬデバイスは本発明に従り″′Ｃ組立てるとき、そう
でない匹敵し得る従来法ＥＬデバイスと比べて性能と安
定性において改善を示す。

本発明の有機ＩＲＥＬデバイスにおいては、１μｍ（１
００００オングストローム）以下へ有機質発光媒体の合
計の厚みなり１限することによって、電極間に比較的低
い電圧を用いながら、効率的光放射と両立する電流密度
を保つことが可能である。

１μ悟以下の厚さにおいて、２０ボルトの適用電圧は２
Ｘ１０’ボルト／ｃｎＬより大きい１！場電位？もたら
し、これは効率的な光放射と両立する。有機質発光媒体
の浮さの大きさ低減の程度（０，１μｍまたは１０００
オングストロームへ）は、適用電圧をさらに減らさせセ
して／あるいは１！場電位を増させ、従って電流密度を
増させるが、デバイス構成の可能性の中に十分にある。

有機質発光媒体が果たす一つの機能は絶縁性障壁を提供
してＥＬデバイスの電気的バイアス付与時において電極
の短絡を防ぐことである。有機質発光媒体を貫通しての
びる単一のビンホールスラ短絡をおこさせるものである
。例えばアンスラセンの工うな単一の高度結晶性発光物
質を用いる慣用のＥＬデバイスとちがって、本発明のＥ
Ｌデバイスは短絡をおこさせることなく、有機質発光物
質のきわめて薄い総体的厚みにおいて製作することが可
能である。一つの理由は、三つの重ねた層の存在が配列
されている層の中のピンホール存在の機会を大いに減ら
して電極間の連続伝導路を提供するということである。

これはそれ自身、破覆時の皮膜形成にとって理想的には
適しズいない物質で以って、有機質発光媒体の層の一つ
、さらには二つを形成させ、一方では許容できるＥＬデ
バイス性能および信頼性をさらに達成させるものである
。

有機質発光媒体を形成させるのに好ましい物質は各々薄
膜の形で製作でき、すなわち、０．５μ惰または５００
０オングストローム以下の厚さをもつ連続層として製作
できる。

有機質発光媒体の層の一つまたは一つ以上を溶剤塗布す
るとき、皮膜形成性ポリマー結合剤は活性物質と一緒に
同時沈着させて、ピンホールのような構造的欠陥をもた
ない一つの連続層を確保することができる。結合剤は、
用いる場合には、もちろん、それ自体で高い絶縁強度、
好ましくは少くとも約２Ｘ１０”ボルト／ｃＩ！Ｌの強
度を示さねばならない。適当であるポリマーは広範囲の
種類の既知の溶剤流延付加ポリマーおよび縮合ポリマー
から選ぶことができる。適当である付加ポリマーの例は
、スチレン、ｔ−ブチルスチレン、Ｎ−ビニルカルバゾ
ール、ビニルトルエン、メチルメタクリレート、メチル
アクリレート、アクリロニトリル、およびビニルアセテ
ートのポリマーおよびコポリマー（ターポリマーを含む
）である。適当である縮合ポリマーの例はポリエステル
、ポリカーボネート、ポリイミド、およびポリスルホン
である。活性物質の不必賛な稀釈を避けるために、結合
剤は層を形成する物質の合計重量を基準Ｋｆ（ｔで５０
％以下へ制限するのが好ましい。

有機質発光媒体を形成する好ましい活性物質は各々皮膜
形成物質であり、真空蒸着することができる。極度に薄
い欠陥のない連続層を真空蒸着によって形成させること
ができる。特定的にいえば、満足できるＥＬデバイス性
能をなおも実現させながら、約５０オングストロームｌ
ｌどの薄い個々の層の厚さが存在することができる。真
空蒸着ポルフィリン系化合物をホール注入層として、皮
膜形成性芳香族三級アミンをホール輸送層（これはこん
どはトリアリールアミン層とテトラアリールジアミン層
とから成ることができる）として、そして、キレート化
オキシノイド化合物を電子注入・輸送層として使用して
、約５０から５０００オングストロームの範囲にある個
別層の淳さが期待され、１００から２０００オングスト
ロームの範囲の層の厚みが好ましい。有機質発光媒体の
総体的厚みが少くとも約１０００オングストロームであ
ることが一般的に好ましい。

有機質ＥＬデバイスのアノードとカソードは各々いずれ
かの便利な慣用的形態をとることができる。有機質ＥＬ
デバイスからアノードを通して光を通すことが期待され
るときには、光透過性支持体、例えば透明あるいは実質
上透明なガラス板またはプラスチック・フィルム、の上
に薄い伝導層な被覆することによって便利に達成するこ
とができる。一つの形においては、本発明の有機質ＥＬ
デバイスは、上記引用の、ガーニーらの米国特許３．１
７２．８６２；ガーニーの米国特許３，１７３゜Ｏ５０
；ドレスナーの「アンスラセンにおける二重注入電場発
光」、ＲＣＡ　Ｒａ営ｔｇｖ、　３０巻、３２２−３３
４ページ、１９６９年；および、ドレスナーの米国特許
３，７１０，１６７によって開示されるとおり、ガラス
板上で被覆された錫酸化物またはインジウム錫酸化物で
形成される光透過性アノードを含めるという歴史的慣行
に従うことができる。

支持体として光透過性ポリマーフィルムをどれでも使用
できるが、ギルソンの米国％許２，７３３゜３６７とス
ウインデルスの米国特許２，９４１，１０４はこの目的
のために特定的に選ばれるポリマー状フィルムを開示し
ている。

ここで用いるとき、用語「光透過性」とは、論議中の層
または要素がそれが受ける少くとも一つの波長の光の５
０％以上を透過しかつ好ましくは少くとも１００％惰間
隔にわたって光を透過することを単純に意味する。反射
（非散乱性）放射光および拡散（散乱性）放射光は望ま
しいデバイス出力であるので、半透明物質と、透明また
は実質上透明の物質の両方が有用である。大部分の場合
において、有機質ＥＬデバイスの光透過性の層または要
素はまた無色であるか、あるいは中性光学的濃度のもの
、すなわち、一つの波長域中での光の吸収が別の波長域
と比べて著しくは大きくはないものである。しかし、も
ちろん、光透過性電極支持体または別々の重ね合わせた
皮膜または要素は、望む場合には、放射トリミング（ｔ
ｒｉｒｐｍｉ％Ｑ）フィルターとして作用するようそれ
らの光吸収性質を調節することができる。そのような電
極構成は例えばフレミングの米国特許４，０３５，６８
６によって開示されている。電極の光透過性導電層は、
受けとる光波長あるいはそれらの倍数にほぼ等しい厚さ
でつくられるときＫは、干渉フィルターとして働くこと
ができる。

歴史的慣行と対照的に、一つの好ましい形においては、
本発明の有機質ＥＬデバイスはアノードを通してでなく
カソードを通して光を放射する。

このことはアノードが光透過性であるという要請のすべ
てからアノードを開放し、そして、事実、本発明のこの
形において光に対して好ましくは不透明である。不透明
アノードはアノード組立て用に適当に高い仕事関数をも
つ金属層たは金属組合せで形成させることができる。好
ましいアノード金属は４エレクトロン・ボルト（ｍＶ）
より大きい仕事関数をもつ。適当であるアノード金属は
以下で列挙する高い（＞４ｃＶ）仕事関数金属の中から
選ぶことができる。不透明アノードは支持体上の不透明
金属層で、あるいは別の金属箔またはシートとして形成
させることができる。

本発明の有機質ＥＬデバイスは、従来この目的に対して
有用であることが教示されている、高ま九は低仕事関数
金属を含めた任意の金属で構成されるカソードを用いる
ことができる。予想外の製作上、性能上、および安定性
上の利点が、低仕事関数金属と少くとも一つの他の金属
との組合せのカソードを形成することによって実現され
た。低仕事関数金属はここでは４ａ１／より低い仕事関
数をもつ金属として定義される。一般的には、金属の仕
事関数が低いほど、有機質発光媒体中への電子注入にと
って必要とされる電圧が低い。しかし、最低仕事関数金
属であるアルカリ金属は反応性でありすぎて単純なデバ
イス組立ておよび組立て手順で以て安定なＥＬデバイス
を達成することができず、そして本発明の好ましいカソ
ードから排除される（不純物濃度を別として〕。

利用できるカソード用低仕事関数金属の選択（アルカリ
金属以外）は元素周期表の周期により以下に列挙され、
０．５ｍＶ仕事関数群の中へ分類される。与えられてい
る仕事関数はすべてセ（Ｓｇｍ）のＰｈｙｓｉａａ　ｏ
ｆ　Ｓａｍｔｃｏ％ｄｕｅｔｏｒ　Ｄａｖｔ−ｅａａ（
Ｎ、Ｙ、のワイリー、１９６９年）３６６ページから取
られている。

２　　ベリリウム　　　　　　　３．５−４．０３　　
マグネシウム　　　　　　３．５−４．０４　　　カル
シウム　　　　　　　２．５−３．０スカンジウム　　
　　　　３．０−３．５チタン　　　　　　　　３．５
−４．０マンガン　　　　　　　　３．５−４．０ガリ
ウム　　　　　　　　３．５−４．０５　　　ストロン
チウム　　　　２．０−２．５イツトリウム　　　　　
３．０−３．５インジウム　　　　　　３．５−４．０
６　　バリウム　　　　　　　　〜２．５ランタン　　
　　　　　３．０−３．５セリウム　　　　　　　２．
５−３．０プラセオジウム　　　　２．５−３．０ネオ
ジウム　　　　　　３．０−３．５プロメジウム　　　
　　３．０−３．５サマリウム　　　　　　　３．０−
３．５ユーロピウム　　　　　２．５−３．０ガドリニ
ウム　　　　　３゜Ｏ−３，５テルビウム　　　　　　
３．０−３．５デイスプロシウム　　　　３．０−３．
５ホルミワム　　　　　　３．０−３．５エルビウム　
　　　　　３．０−３．５ツーリウム　　　　　　　３
．０−３．５イツテルビウム　　　　２．５−３．０ル
テチウム　　　　　　３．０−３．５ハフニウム　　　
　　　　〜３．５ ７　　　ラジウム　　　　　　　３．０−３．５アクチ
ニウム　　　　　　２．５−３．０トリウム　　　　　
　　　３．０−３．５ウラン　　　　　　　　３．０−
３．５前記の列挙から、利用できる低仕事関数金属は大
部分は第■α族あるいはアルカリ土類金属第■族金属（
稀土類金属、すなわちイツトリウムおよびランタニドを
含むが硼素とアルミニウムを除く）、および、アクチニ
ド族金属に属することが明らかである。アルカリ土類金
属は、それらの入手の容易さ、取扱やすさ、および最小
のエンバイロンメンタル・インパクト電位（ｆｉｉ％＠
ｔｎａＬａ　ｄ＊ｍｒａａ　ｍｎ＊ｉｒｏ＊ｇ％ａｓｔ
ａｌ　ｉｔｎｐａａｔ　ｐｏｔｅｎｔｉａｌ）の故に、
本発明のＥＬデバイスのカソードにおいて使用するため
の低仕事関数金属の好ましい穐類な構成スる。マグネシ
ウムとカルシウムが特に好ましい。顕著に高価ではある
が、含まれる第■族金属、特に稀土類金属は類似の利点
をもち、好ましい低仕事関数金属として特に期待される
。３．０から４．０ｍＶの範囲の仕事関数を示す低仕事
関数金属はより低い仕事関数を示す金Ｍ工り一般的に安
定であり、従って好まれる。

カソード組立てにおいて含まれる第二の金属は一つの主
目的としてカソードの安定性（貯蔵上および操作上の両
方）を増さねばならない。それはアルカリ金属以外の金
属のどれからでも選ぶことができる。この第二金属は自
ら低仕事関数金属であることができ、従って４ａＶ以下
の仕事関数をもつ上記列挙金属から選ぶことができ、上
記で論じた同じ選択が十分応用できる。第二金属が低仕
事関数を示すかぎりＫおいて、それはもちろん、電子注
入を容易にすることにおいて第一金属を補足することが
できる。

あるいはまた、第二金属は４−Ｖより大きい仕事関数を
もち、酸化に対してより抵抗性である元素を含み従って
金属元素として普通には製作される、各徨金属のどれか
からでも選ぶことができる。

七の第二金属が有機質ＥＬデバイス中で加工されたまま
で残留するかぎり、それはそのデバイスの安定性へ寄与
する。

カソード用の利用可能のより高い仕事関数（４−Ｖまた
はそれ以上）の金属の選択は元素周期異の周期によって
下に列記され、０．５＊Ｖ仕事関数群の中に分類される
。

２　　備素　　　　　　　　　　　　〜４．５炭素　　
　　　　　　　　　４．５　−　５．０３　　アルミニ
ウム　　　　　　　４．０　−　４．５４　　バナジウ
ム　　　　　　　　４．０　−　４．５クロム　　　　
　　　　　　４．５　−　５．０鉄　　　　　　　　　
　　　　　　４．０　−　４．５コバルト　　　　　　
　　　　　４．０　−　４．５ニツケル　　　　　　　
　　　〜４．５銅　　　　　　　　　　　　　　　４．
０　−　４．５亜鉛　　　　　　　　　　　４．０　−
　４．５ゲルマニウム　　　　　　　４．５−５．０砒
素　　　　　　　　　　　　５．０　−　５．５セレン
　　　　　　　　　　４．５　−　５．０５　　　モリ
ブデン　　　　　　　　　４．０−４．５テクネチウム
　　　　　　　４．０　−　４．５ルテニウム　　　　
　　　　４．５　−　５．０ロジウム　　　　　　　　
　　４．５　−　５．０パラジウム　　　　　　　　４
．５　−　５．０銀　　　　　　　　　　　　４．０　
−　４．５カドミウム　　　　　　　　　４．０　−　
４．５ｍ　　　　　　　　　　　　　　４．０−４．５
アンチモン　　　　　　　　４．０−４．５テルル　　
　　　　　　　　４．５−５．０６　　　タンタル　　
　　　　　　　４．０−４．５タングステン　　　　　
　　　〜４．５レニウム　　　　　　　　　　　〜５．
０オスミウム　　　　　　　　４．５−５．０イリジウ
ム　　　　　　　　５．５−６．０白金　　　　　　　
　　　　　　５．５−６．０金　　　　　　　　　　　
　　　　４．５−５．０水銀　　　　　　　　　　　　
　〜４．５鉛　　　　　　　　　　　　　　　　〜４．
０ビスマス　　　　　　　　　４．０−４．５ポロニウ
ム　　　　　　　　４．５−５．０４ｍＶまたはそれ以
上の仕事関数をもつ利用可能金属の前記列挙から、開力
のあるより高い仕事関数の金属は大部分はアルミニウム
、第１６族金属（銅、銀および金）、第■、■、および
■族の中の金属、および第８族遷移金属、特にこの族か
らの貴金属、によって占められるアルミニウム、銅、銀
、金、錫、鉛、ビスマス、テルル、およびアンチモンが
カソード中へ組入れるための特に好ましいより高い仕事
関数の第二金属である。

仕事関数あるいは酸化安定性のいずれかを基準にした第
二金属の選択を制約することがないのにはいくつかの理
由が存在する。第二金属はカソードの少量取分にすぎな
い。それの主機能の一つは第一の低仕事関数金属を安定
化することであり、そして、驚いたことには、それはそ
れ自身の仕事関数および扱酸化性と無関係にこの目的を
達成する。

第二金属が果たす第二の価値ある機能はカソードの厚み
の関数としてカソードのシート抵抗を減らすことである
。許容可能の低いシート抵抗水準（１００オーム／ｃｍ
”以下）が薄いカソードの厚さく２５０オングストロー
ム以下）において実現され得るので、高水準の光透過を
示すカソードを形成させることができる。このことは、
許容できる低い抵抗水準と高い電子注入効率とをもつ高
度に安定で薄い透明カソードがます達成されることを可
能にする。これはひいては、本発明のＭ恢質ＥＬデバイ
スが光透過性カソードで以て組立てられることを可能と
しくただし必要とするものではない）、そして、有機質
ＥＬデバイスが光透過性アノードをもっていて電極領域
を通して光放射を達成するということの必要性から開放
するものである。

第二金属が果たすことが観察されている第三の価値ある
機能は、そのＭＬデバイスの有機質発光媒体の上への第
一金属の蒸着を助けることである。

蒸着において、第二金属も沈着されるときには、より少
ない金属が真空室の壁の上で沈着され、より多くの金属
が有機質発光媒体上で沈着される。

有機質ＥＬデバイスを安定化し、薄いカソードのシート
抵抗を減らし、そして有機質発光媒体による第一金属の
受容を改善することにおける、第二金属の有効性は以下
の実施例によって示され工いる。

これらの利点を達成するのに必要とされる第二金属はほ
んの小割合で存在すればよい。カソードの合計金属原子
の僅かに約０．１％が実質的改善を得るのに第二金属に
よって占められればよい。第二金属がそれ自身低仕事関
数金属である場合には、第一および第二金属の両者が低
仕事関数金属であり、どちらが第一金属でありどちらが
第二金属であると考えるかは問題ではない。例えば、カ
ソード組成が、一つの低仕事関数金属によって占められ
ているカソード金属原子の約０．１％から、第二の低仕
事関数金属によって占められている合計金属原子の約０
．１％の範囲にあることができる。好ましくは、二つの
金属のうちの一つは存在する合計金属の少（とも１％、
最適には少（とも２％を占める。

第二金属が比較的高い（少くとも４．０ａＴ／）仕事関
数の金属であるときには、低仕事関数金属は好ましくは
カソードの合計金属原子の５０％以上を占める。これは
カソードによる電子注入効率における低下をさけるため
であり、しかし、第二金属添加の利点はその第二金属が
カソードの合計金属原子の２０％以下を占めるときに本
質的に実現されるということが観察に基いてまた予言さ
れる。

前記の論議はカソードを形成する金属の二成分組合せに
関してなされてきたが、希望する場合には、３個、４個
、さらにはそれより多い数の金属の組合せが可能であり
かつ使用できることが、もちろん予想される。上記第一
金属の割合は低仕事関数金属の便宜的組合せのいずれか
によって占められることができ、第二金属の割合は高お
よび／または低仕事関数金属の組合せのいずれかによっ
て占められることができる。

第二金属は電気伝導性を増進するよう頼りにされ得るが
、カソード合計金属のそれらの小割合は、これらの金属
が電気伝導性の形で存在することを不必要にする。第二
金属は化合物（例えば、鉛、錫、またはアンチモンのテ
ルル化物）あるいは、一つま喪は一つより多い金属酸化
物または塩の形にあるような酸化された形で、存在する
ことができる。第一の低仕事関数金属はカソード金属の
主要割合を占め、電気伝導にとって頼りＫされるので、
それらはその元素状形態で用いられるのが好ましく、た
だし、いくらかの酸化が熟成時におこってもよい。

第二金属の存在が物理的に介在し【カソードの安定性と
光透過性の増進をシート抵抗を下げながら行なわせる様
式は、図４と５を比較するととによって理解することが
できる。図４は、マグネシウムから成る蒸着させた慣用
的の従来法のカソードについての、指示尺度へ拡大した
顕微鏡写真である。そのマグネシウム被覆の厚さは２０
００オングストロームである。その被覆の不均質性は、
その電気伝導性と光を透過する能力とを損するものであ
るが、きわめて明瞭である。その不均質性のゆえに、そ
の被覆はまたより浸透性であり、それゆえ、酸化性劣化
をエリ受けやすい。

まさに対照的に、本発明を例証する図５のカソードは、
これも厚さが２０００オングストロームであって、滑ら
かで特色のないものである。このカソードはマグネシウ
ムと銀の真空蒸着によって形成され、マグネシウムと銀
は１〇二１の原子比で存在する。すなわち、銀原子は存
在する合計金属原子の９％め濃度で存在する。本発明の
カソードの感知できない低粒子性は沈着支持体の高率で
より均質の被覆の指標である。インジウム錫酸化物で以
てまず被覆し、次いでオキシンＣＣ０−１）で以て被覆
される同等のガラス支持体を、図４および５の被覆を形
成するのく使用した。

第一金属単独を支持体上ｔたけ有機質発光媒体上へ沈着
させる際、溶液からであっても、あるいは好ましくは蒸
気相からであっても、第一金属のはじめの空間的に分離
された沈着物はその後の沈着のための核を形成する。そ
の後の沈着はこれらの核を微結晶へ成長させる。その結
果は微結晶の不均尋の無作為的分布であり、不均質カソ
ードを生ずる。この核形成段階および成長段階の少くと
も一つ、そして好ましくはその両方の間で第二金属を提
供することにより、単一元素が提供する高度の対称性が
減らされる。二つの物質が正確に同じ晶癖と寸法をもつ
結晶細胞を影線することがないので、第二金属はどれで
も対称度を減らし、少くともある程度まで微結晶成長を
おくらせる。第一および第二の金属が区別できる結晶晶
癖をもつ場合には、空間的対称性はさらに減らされ、微
結晶成長はざらにお（らされる。微結晶成長をおくらせ
ることは追加的な核形成部位の形成に好都合である。こ
のようにして沈着部位の数は増加し、より均質な被覆が
達成される。

金属の特定的選択に応じて、第二金属は、支持体とより
相容性である場合には、不釣合いの数の核形成部位をつ
くり出すことができ、第一金属が次いでこれらの核形成
部位において沈着する。そのような機構は、第二金属が
存在する場合に、第一金属が支持体によって受容される
効率が著しく増進されるという観察を説明するかもしれ
ない。

例えば、第二金属が同時沈着されつつあるときには真空
室壁の上で第−金属のより少ない沈着がおこるというこ
とが観察された。

カソードの第一および第二の金属は、同時沈着される場
合には、均密にまぜ合わされる。すなわち、第一金属あ
るいは第二金属の沈着がどちらも、残りの金属の少くと
も一部が沈着される前に完了することがない。第一お工
び第二金属の同時沈着は一般的には好ましい。あるいは
また、第一および第二の金属を順次増分的に沈着させる
ことができ、これは、並流沈着に近似するかもしれない
。

必要とされるわけではないが、カソードは−たん形成さ
れると後処理を行なうことができる。例えば、カソード
は支持体の安定性限度内で還元雰囲気中で加熱してもよ
い。リード線結合あるいはデバイスの包み込みという慣
用的付随事項のようなその他の作業も実施することがで
きる。

実施例 本発明とその利点は以下に示す特定実施例によってさら
に例証される。用語「原子パーセント」は存在する金属
原子の合計数を基準にした、存在する特定金属のパーセ
ンテージを示す。換言すると、それはモル％と類似であ
るが、分子でな（原子を基準にする。用語「セル」は実
施例中で用いるときには有機ＥＬデバイスを指す。

実　施　例　１−６．　　色相改良 本発明の要請事項を満たす有機質発光媒体を含むＫＬデ
バイスを次のようにして構成した：８）インジウム錫酸
化物被覆ガラスの透明アノードな０．０５μｍのアルミ
ナ研磨剤で以て数分間研磨し、続いてインプロピルアル
コールと蒸溜水との１＝１（容積）混合物の中で超音波
洗滌した。

それをインプロピルアルコールで以てすすぎ、次いでト
ルエン蒸気中で約５分間浸漬した。

ｂ）ホール注入・輸送用のＡＴＡ−１層（７５０））を
次にアノード上で沈着させた。ＡＴＡ−１を石英ボート
からタングステン・フィラメントを使って蒸発させた。

Ｃ）発光帯を形成する電子注入・輸送層（７５０Ａ）を
次に、４？’Ａ−１層の上部に沈着させた。

ＣＯ−１をホスト物質として用い、石英ボートから蒸発
させた。ドープ剤として発光帯中で組込まれるべき螢光
物質を別の石英ボートから並流的に蒸発させ九。一つの
場合においては、螢光物質を組入れなかった。タングス
テン・フィラメントを両方の蒸発について使用した。

ｄ）発光帯の上部に１０：１の原子比のＭＱとＡｇで形
成された２ｏｏｏ、ｊのカソードを沈着させた。

異なる螢光物質の存在に帰せられる有機質ＥＬデバイス
によって放射される光の色相のずれを下の表Ｉに要約す
る。有機質ＥＬデバイスの仕事率の変換（以後は単純に
効率ともよぶ）を、放射される光の仕事率（ｐｏｗｅｒ
　ｏｆ　ｔｈｅ　ｌｉｇｈｔ　ｓｓｔ−ｔｔｍｄ）の供
給仕事率に対する比として、０．０５ｓＦ、々がの光出
力水準において、測定した。相対的効率は検査されつつ
あるＥＬデバイスの効率なドープ剤を含めない相当ＥＬ
デバイスの効率によって割ることによって決定した。

表！ 対照標準　なし　　　　　０　　　１　　　　緑実施例
Ｉ　　ＦＤ−２７３Ｘ１０−”　　１．５　　　　橙実
施例２　　ＦＤ−２８１，６Ｘ１０−”　　２　　　　
赤−橙実施例３　　ＦＤ−２９０，５Ｘ１０−”　　０
．５　　　赤−橙実施例４　　ＦＤ−３０２Ｘ１０−’
　　０．８　　　赤−橙実施例５　　ＦＤ−３１６Ｘ１
０−”　　０．６　　　赤−橙実施例６　　ＦＤ−１１
９０，３Ｘ１０−″　０．９　　　橙−線表Ｉから、す
べての場合において、ドープ剤としての螢光染料の存在
は光放射をエリ長い波長へ移行させたことは明らかであ
る。ＦＤ−２８の存在がある場合とない場合の放射光の
スペクトルを比較することにより、ピーク放射が螢光染
料の添加によって約５４０悌講から６１０％偽へずらさ
れ九ことが決定された。ＦＤ−２７とＦＤ−２８の存在
は有機質１１Ｌデバイスの仕事率変換効率を著しく増す
というもう一つの好都合な効果をもっていた。対照標準
のＥＬデバイスは５　Ｘ　１０−”　Ｗ／Ｗの絶対効率
をもっている。

一連の有機質ＥＬデバイスを、ＦＤ−３１を異なる濃度
水準において使用して、実施例１から６に記載のとおり
につくった。結果を表■にまとめる。

表　　■ ０　１．０　５３５ ２．２Ｘ１０−２　０．９　６４８ ６．２Ｘ１０−’　　０．４　６４０ １、ｌＸ１０−’　　０．８　６４５ ３．２Ｘ１０−１　０．３５　６６６ ４．５ＸＩＱ−’　　０．２７　６６５４．４　０．１
４　６９０ 表■から、発光のピーク波長が１５５μ惰の範囲にわた
ってずらされたことが明らかである。出力効率は螢光物
質の水準が増すにつれて多少低下した。しかし、６９０
μ倶において測定した出力効率はドープ剤を含まないＣ
ｏ−１を含むＦＩＬデバイスと比べるときに実際に増進
された。

実　施　例　１４．　　安定性 本発明の要請事項を満たす有機質発光媒体を含むＥＬデ
バイスを次のようにして構成した＝ａ）インジウム錫酸
化物被榎ガラスの透明アノードを０．０５μ惰のアルミ
ナ研磨剤で以て数分間研磨し、続いてイソプロピルアル
コールと蒸溜水との１：１（容積）混合物の中で超音波
洗滌した。

それをイソプロピルアルコールで以てススキ、次いでト
ルエン蒸気中で約５分間浸した。

６）ホール注入用ＰＣ−１０層（３００））をアノード
上で真空蒸着によって沈着させた。ＰＣ−１０を石英ボ
ートからタングステン・フィラメントを使って蒸発させ
た。

Ｃ）ホール輸送用ＡＴＡ−１層（３５０ｉ）を次にホー
ル注入層上で沈着させた。ＡＴＡ−１を石英ボートから
タングステン・フィラメントを使って蒸発させた。

ｄ）発光帯な形成する電子注入・輸送層（７５０））を
次にＡＴＡ−１層の上に沈着させた。Ｃ０−１をホスト
物質として用い、石英ボートから蒸発させた。ＦＤ−２
８を、別の石英ボートからの並流蒸発により、Ｃ０−１
を基準に２モル％の濃度でドープ剤として発光帯中で組
入れた。タングステン・フィラメントを両方の蒸発につ
いて用いた。

−）発光帯の上に１０＝１の原子比のＭＱとＡｇとで形
成された２０００ｉのカソードを沈着させた。

セルを２０嘱Ａ／ａｎ”の一定電流において乾燥アルコ
゛ン雰囲気中で作動させた。初期の光出力は０、４５　
ｓＷ／ｃｍ”であった。５００時間の連続運転後におい
て光出力は０．１５　ｔｈＷ／ｃがであった。

セルを上述のとおりに組立てて運転嘘だしＦＤ−２８を
省略するとき、セルの光出力は僅か２５０時間の運転後
において０．１５　惟ＷＡが以下に落ちた。

一連のＥＬデバイスを実施例１４に述べたとおりに組立
てたが、しかし異なる螢光染料を存在させた。使用して
成功した螢光染料とホスト物質Ｃ０−１との還元電位お
よびバンドギャップを表■において比較した。

表　　　■ ＧＯ−１−１，７９２，８１１，０ ＦＤ−４−１，４６２，５２，０ ＦＤ−５−１，５８２，５８２，０ ＦＤ−７−１，７７２，７５０，８ ＦＤ−１１３，３５− ＦＤ−１５−１，６９２，６３１，０ ＦＤ−１９−１，６８２，６４− ＦＤ−２０−１，５１２，６１１，４ ＦＤ−２１−１，４６２，６３１，０ ＦＤ−２２−１，７５２，６９０，８ ＦＤ−２５−１，３８２，６３− ＦＤ−２６−１，６６２，７２− ＦＤ−２７−１，３２２，１７１，５ ＦＤ−２８−１３４２，０１２，０ ＦＤ−１１９−１，３９２０，９ 各々の場合において、Ｃｏ−１層へのドープ剤として螢
光染料を含むＥＬデバイスは肉眼的に検出できる色相の
移行を示した。次の染料、ＦＤ−４、ＦＤ−５、ＦＤ−
１５、ＦＤ−２０、ＦＤ−２７およびＦＤ−２８、もま
た効率における改善をもたらした。

ホスト物質Ｃｏ−１より負の還元電位、あるいはより大
きいバンドギャップ電位、のいずれかを示す螢光染料が
置換されるときには、螢光染料の存在に帰することがで
きる有用な結果は観察されなかった。

附録Ｉ 外−ブチルリチウム（ヘキサン３，５−中の７ミリモル
）を乾燥テトラヒドロフラン中のジイソプロピルアミン
（１ｍ、７．２ミリモル）のよく攪拌された冷（−７０
℃）溶液へアルゴン雰囲気下でゆっくりと添加した。５
分間攪拌後、テトラヒドロ７ラン２〇−中の６−メドキ
シジヒドロフエナレノン１．５ｆ、７．０ミリモルの溶
液をゆっくりと添加した。

生成する暗色溶液を一７０℃で１．５時間攪拌した。溶
液を注射器を使って、マーチンらのＪ、０７ｇ。

ＣＡ＃懲、４３、４６７３−４６７６ページ、（１９７
８）によって記述されている手順に従ってつくった（２
−エトキシ−１，３−ペンタジェニル）−トリフェニル
ホスホニウム・ヨーダイトの５２（１０ミリモル）を含
む丸底フラスコへ、次に移した。生成懸濁液を室温で１
時間攪拌し、３時間還流させた。これらの段階はすべて
アルゴン下でかつ湿分を排除しながら実施した。

この懸濁液を次に室温へ冷却し、１規定塩酸の５０−を
添加し、１時間激しく攪拌した。次に５０−のエーテル
を添加し、各層を分離した。追加の３回のエーテル抽出
物を最初のものと組合わせ、そのエーテル溶液を次に飽
和炭酸す）　＋Ｊウム溶液、水、および、飽和塩化ナト
リウム溶液で以て洗滌した。エーテル溶液を乾燥し、溶
剤を蒸発させて約３２の固体残留物が得られた。残留物
を、溶離剤として１０：４５：４５の酢酸エチル、ジク
ロロメタン、シクロヘキサンの混合物を便ってシリカゲ
ル上のフラッシュ・クロマトグラフィを経て精製した。

所望生成物は長波長（３５５ｓｓ）紫外ランプで以て照
射するときに橙色バンドとして見られた。橙色螢光染料
を含むバンドが組合わされ、溶剤を蒸発させて、融点が
１３５−１３６℃でＶ＃が２７８　ＣＭ”）である４−
メトキシ−８−メチル−１０−オキソ−７，８，９，１
０−テトラヒドロベンゾ［ｄ、ｇ］アンスラセンの８６
０〜（収率４４％）が得られた。Ｃ，、Ｈ，ａＯについ
ての計算上の分析値は、Ｃ，８２，０、Ｈ，６，２であ
り、実測値はＣ、８１，７、Ｈ，６，３であった。

Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド（１５＋ｄ）中の上記同
定化合物の５３０１ｎ９（１，９ミリモル）の溶液を、
９０℃へ加熱されたＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド（３
０ｍｇ）の中の７００１１９（４１ミリモル）の塩化第
二銅・水和物と２００ｒＩＩ９（４，７１モル）の塩化
ナトリウムとの溶液へゆっくりと添加した。生成混合物
を７０分間攪拌した。氷を混合物へ添加し、生成する褐
色固体を分離し、冷水で以て数回洗滌し、３９７Ｍ９（
収率８０％）の染料１を得た。この生成物はシリカゲル
上の薄層クロマトグラフィによって純粋であることが示
されたが、酢酸エチル−エタノールから再結晶させて、
融点２８９−２９５℃でｗ′−が２６０　ＣＭ＋）であ
る物質が得られた。この染料の構造はそれのＮ−フェニ
ル−Ｎ−メチルカルバメート誘導体の分析によって確認
された。ＣゎＨｌ。ＮＯ，についての計算された分析値
はＣ、７９，４、Ｈ，４，９、＃、３．６であり、実測
値はＣ，７９，２、Ｈ，５，１、Ｎ、３．８であった。

螢光染料ＦＤ−１１６の製造 塩化第二銅・二水塩（２，４５Ｐ、１４．４ミ！Ｊモル
）と塩化リチウム（１，Ｏｒ、２２．７ミリモル）を９
０℃へ加熱した２０−のＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド
（ＤＭＦ）の中で懸濁させた。この熱混合物へ１０−の
ＤＭＦの中に溶かした実施例１のメトキシケトン中間体
の６５０■（２，３４ミリモル）の溶液を添加した。混
合物を９０℃で２４時間保ち、次に氷と水を添加するこ
とによって急冷し友。生成沈澱を水で以て数回洗滌して
乾燥した。

１：１の［１エチル／ジクロロメタンの中の１０％メタ
ノールで以てすりつぶすことによってそれを精製して、
染料３の３００１ｎ９（４４％）が得られた。このすり
つぶし段階からの生成物は意図する応用にとって十分に
純粋である。それはさらＫ。

溶離剤として１：１のジクロロメタン／シクロヘキサン
混合物の中の２０％酢酸エチルを使ってシリカゲル上の
フラッシュ・クロマトグラフィによって精製し、２３８
−２４０℃の融点をもつ物質を得ることができた。染料
３の構造はそれのメチルエーテル誘導体とそれのＮ−フ
ェニル−Ｎ−メチルカルバメート誘導体との両方の元素
分析によって確認された。

メチルエーテル誘導体ｃ、、ｇ、、ｃｔｏ、についての
分析値は、計算値：Ｃ，７３，９、Ｈ、４，２；実測値
：Ｃ，７４，０、Ｈ，４，１；であった。

カルバメート誘導体Ｃ２１ｌＨ１８ＣｔＮＯ１について
の分析値は、計算値：　Ｃ、７３，０，Ｈ，４，２、Ｎ
、３．３；実測値：Ｃ，７２−８、Ｈ，４，１，Ｎ、　
３．１　；であった。

Ｎ−フェニル−Ｎ−メチルカルノくモイルクロライド（
１，２当量）を溶剤としてのトルエンの中のピリジンお
よび実施例２の染料３の各１．２当量の混合物へ添加し
、混合物を加熱し′ＣＩ２時間還流させた。このトルエ
ン溶液を冷却し、稀釈塩酸で、次に水で、そして最後に
塩水で以て洗滌した。有機層を分離し溶剤を蒸発させた
。残留物を、溶離剤として１：１のジクロロメタン／シ
クロヘキサン中の２０％酢酸エチルを使用して、シリカ
ゲル上のフラッシュ・クロマトグラフィによって精製し
た。染料５は２３３−２３５℃の融点をもち、実施例２
におけるカルバメートについて与えられる元素分析値を
もっている。

少量のジクロロメタン中に溶かした実施例１のメトキシ
ケトン中間体（４００１＃９，１．４ミリモル）を無水
メタノールの１００−中の５−１５９．８ミリモルのピ
ロリジンへ添加し、混合物を攪拌しながら４日間還流さ
せた。混合物を冷却し溶剤を減圧下で蒸発させた。残留
物を、反応の出発時の０％から終りにおける５０％の範
囲にある酢酸エチルを含むｌ：１のジクロロメタン／シ
クロヘキサン中使い、シリカゲル上のフラッシュ・クロ
マトグラフィによって精製した。適切な画分な組合わせ
、溶剤を蒸発させた。残留物を酢酸エチルで以てすりつ
ぶして濾過し、融点２４４−２４６℃で（Ｍ＋）の１１
／ａ　３１３をもつ、収率４４％の染料６が得られた。

（１）本発明の効果 ホール・電子再結合に応答して光を放射することができ
る螢光物質が、ホール注入および電子注入の両方を持続
し得る有機質ホスト物質の薄膜の中で存在することが、
光放射の波長の広い幅の中からの選択を可能にする。螢
光物質のどれか一つあるいは組合せを特に含む本発明の
薄膜有機質ＥＬデバイスを形成する物質、カソード企画
、およびホール注入・輸送物質、を選択することによっ
て、従来実現されていたよりも安定なデバイス運転を達
成させることができる。

【図面の簡単な説明】

図１．２および３はＥＬデバイスの模式線図である。 個々の層の厚さはあまりにも薄く、かつ各種のデバイス
要素の厚み差があまりにも大きくて、尺度に応じて描く
ことができず、あるいは尺度に、比例して描くことがで
きないので、図面は必然的に模式的性質のものである。 用語解説 １００はＥＬデバイスであり、 １０２はアノードであり、 １０４はカソードであり、 １０６は発光媒体であり、 １０８は電力源であり、 １１０と１１２は導体であり、 １１４は注入されたホールを模式的に表わし、１１６は
注入されたホールを模式的に表わし、１１８は発光物質
の縁を表わし、 ２００はＥＬデバイスであり、 ２０１は支持体であり、 ２０３はアノードであり、 ２０５はホール輸送層であり、 ２０７は電子輸送層であり、 ２０９はカソードであり、 ３００はＥＬデバイスであり、 ３０１はアノードであり、 ３０５はホール輸送層であり、 ３０７は電子輸送層であり、 ３０９はカソードである。 ＦＩＧ、　Ｉ ＦＩＧ、　２ 手続補正書 昭和６３年　４月／夕日

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．順次に、アノード、有機質ホール注入・輸送帯、発
   光帯、およびカソードから成る電場発光デバイスであつ
   て、 上記発光帯が、ホールおよび電子の両方の注入を持続す
   ることができる有機質ホスト物質と、ホール・電子再結
   合に応答して光を放射することができる螢光物質と、か
   ら成る厚さが１μｍより小さい薄膜によつて形成される
   ことを特徴とする、電場発光デバイス。