JPS6144986A - El素子 - Google Patents

El素子

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Publication number
JPS6144986A
JPS6144986A JP16640184A JP16640184A JPS6144986A JP S6144986 A JPS6144986 A JP S6144986A JP 16640184 A JP16640184 A JP 16640184A JP 16640184 A JP16640184 A JP 16640184A JP S6144986 A JPS6144986 A JP S6144986A
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JP
Japan
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layer
light
film
compounds
emitting layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP16640184A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Eguchi
健 江口
Harunori Kawada
河田 春紀
Yukio Nishimura
征生 西村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP16640184A priority Critical patent/JPS6144986A/ja
Publication of JPS6144986A publication Critical patent/JPS6144986A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、電気的な発光、すなわぢELを用いたEL素
子に関し、更に詳しくは、発光層が3層構造からなり、
各々の層が隣接する他の層に対して相対的に電気陰性度
が異なる少なくとも1種の電気的発光性有機化合物の薄
膜からなるEL素子に関する。
(従来の技術) 従来のEL素子は、MnあるいはCuまたはRe F3
(Re  ;希土類イオン)等を付活剤として含むZn
Sを発光母材とする発光層からなるものであり、該発光
層の基本構造の違いにより粉末型ELと薄膜型ELに大
きく構造的に分類される。
実用化されている素子のうち、薄膜ELは、一般的に粉
末型ELに比べ輝度が高いが、薄膜ELは発光母材を基
板に蒸着して発光層を形成しているため、大面積素子の
製造が難しく、また製造コストが非常に高くなる等の欠
点を有していた。
そのため、最も量産性に富み、コスト的に薄膜型素子の
数十分の一程度ですむ有機バインダー中に発光母材、す
なわち、ZnSを分散させた粉末型ELが注目されるよ
うになった。一般的には、EL全発光おいては、発光層
の厚さが薄い程発光特性が良くなる。しかし、該粉末!
J!ELの場合”□は、発光母材が不連続の粉末である
ため、発光層を薄くすると、発光層中にピンホールが生
じ易く、層厚を薄くすることが困難であり、従って十分
な輝度特性が得られないという大きな欠点を持っている
。近時においても、該粉末型ELの発光層内にフッ化ビ
ニリデン系重合体から成る中間誘電体層を配置した改良
型素子が、特開昭58−172891号公報に示されて
いるが、未だ発光輝度、消費電力等に十分な性能を得る
にいたっていない。一方、最近、有機材料の化学構造や
高次構造を制御して、新しくオプティカルおよびエレク
トロニクス用材料とする研究開発が活発に行なわれ、E
C素子、圧電性素子、焦電性素子、非線計光学素子、強
誘電性液晶等、金属、無機材料に比肩し得るか、または
それらを凌駕する有機材料が発表されている。このよう
に、無機物を凌ぐ新しい機能素材としての機能性有機材
料の開発が要望される中で、分子内に親木基と疎水基を
持つアントラセン誘導体やピレン誘導体の単分子層の累
積膜を電極基板上に形成したEL素子が特開昭52−3
5587号公報に提案されている。しかし、それらのE
L素子は、その輝度、消費電力等、現実のEL素子とし
て十分な性能を得るに至っておらず、更に、該有機EL
素子の場合、キャリア電子あるいはホールの密度が非常
に小さく、キャリアの再結合等による機能分子の励起確
率が非常に小さくなり、効率の良い発光が期待できない
ものである。
(発明の開示) 従って、本発明の目的は、上述のような従来技術の欠点
を解消して、低電圧駆動でも十分輝度の高い発光が得ら
れ、安価で、且つ製造が容易なEL素子を提供すること
である。
上記本発明の目的は、EL素子の発光層を、特定の材料
を組合せて、且つ特定の構成に形成することにより達成
された。
すなわち、本発明は、3層積層構造の発光層と、該発光
層を挟持する少なくとも1層が透明である2層の電極層
からなるEL素子において、上記の第1の発光層が、第
2の発光層に対して相対的に電子供与性の少なくとも1
種の電気的発光性有機化合物からな盛分子堆積膜からな
り、第2の発光層が第1の発光層に対して相対的に電子
受容性であり、同時に第3層に対し相対的に電子供与性
の少なくとも1種の電気的発光性有機化合物からなる分
子堆積膜からなり、且つ第3層が第2層に対し相対的に
電子受容性である少なくとも1種の電気的発光性有機化
合物からなる分子堆積膜からなることを特徴とする上記
EL素子である。
本発明の詳細な説明すると、本発明において使用し、主
として本発明を特徴づける電気的発光性有機化合物とは
、高い発光量子効率を有し、更に外部摂動を受は易いπ
電子系を有し、電気的な励起が可能な化合物であ“す、
例えば、基本的には、縮合多環芳香族炭化水素、p−タ
ーフェニル、2.5−ジフェニルオキサゾール、1.4
−ビス(2−メチルスチリル)−ベンゼン、キサンチン
、クマリン、アクリジン、シアニン色素、ベンゾフェノ
ン、フタロシアニンおよびその金属錯体・ポルフィリン
およびその金属錯体、8−ヒドロキシキノリンとその金
属錯体、有機ルテニウム錯体、有機稀土類錯体およびこ
れらの化合物の誘導体等を挙げることができる。更に上
記化合物に対して電子受容体または電子供与体となり得
る化合物としては、前記以外の複素環式化合物およびそ
れらの誘導体、芳香族アミンおよび芳香族ポリアミン、
キノン構造をもつ化合物、テトラシアノキノジメタンお
よびテトラシアノエチレン等を挙げることができる。
本発明において、第゛l−第3の発光層を形成するため
に有用な化合物は、上記の如き電気的発光性化合物から
それらの電気的陰性度に応じて適切に選択して使用する
第1〜第3層の形成に有用である化合物の基本骨格、お
よびその他の化合物を例示すれば、以下の通りである。
(但し、以下に例示する基本骨格は、炭素数1〜4のア
ルキル基、アルコキシ基、アルキルエーテル基、ハロゲ
ン原子、ニトロ基、第1〜3級アミノ基、水酸基、カル
ボアミド基、スルフオアミド基等の一般的な置換基を有
し得る。) (以  下  余  白   ) Z−NHlo、S   Z=CO,NHZ=CO,NH
,O,5Z=NH,O,5 Z=NH,0、S            Z=NH,
Q、5Z=S、Se     Z=S、 Se    
   Z=St 5eZ=NH,OlS   Z=NH
,Q S  Z=NH,O1SM=Mg、Zn、Snx
AtCtM−=Hz、Be+Mg、CatCdSn、A
tC1,YbCI M= Er、 Trr4 Sm、 Eu、 Tb、  
  Z = 0. N”M≠A4  Gav  Irs
 Ta、a=3      M=Er、Sm、Eu止Z
n、−Cd、Mg、pb、a=2     Gd、Tb
、DyTm、Yb M−Er 、Sm IEu 、Gd   ’  M= 
Er% Sms EuTb、Dy、Tm、Yb    
   Gd、Tb、DyTm、Yb Z=O,S、Se O≦p≦2 以上の如き発光性化合物は、本発明における各々の発光
層において単独でも混合物としても使用できる。なお、
これらの化合物は好ましい化合物の例示であって、同一
目的が達成される限り、他の誘導体または他の化合物で
も良いのは当然である。
本発明においては、上記の如き発光性化合物をそれらの
電気的陰性度に応じて、本発明のEL素子の第1〜第3
の発光層に分けて使用して発光層を3層の積層構造とし
たことを特徴としている。
すなわち、上記の如き発光性化合物は、それぞれ電気陰
性度が異なるから、1種のまたは複数の晶記化合物を第
1の発光層を形成するための発光性化合物として採用し
たときには、これら採用した発光性化合物とは、その電
気的陰性度の異なる前記発光性化合物を第3の発光層形
成用化合物として選択し、且つそれら選択した化合物の
中間的な電気陰性度の化合物を、#I2の発光層形成用
化合物として選択し使用すればよい。
このような発光性化合物のなかで、電子供与性のものと
して特に好ましい化合物は、第1〜第3級アミ7基、水
酸基、アルコキシ基、アルキルエーテル基等の電子供与
性基を有するもの、あるいは窒素へテロ環化合物が主た
るものであり、また電子受容性のものとしては、カルボ
ニル基、スルホニル基、ニトロ基、第4級アミノ基等の
電子吸引性基を有する化合物が主たるものである。この
ような発光性化合物は本発明において、それぞれの発光
層においては単独または複数の混合物として使用するこ
とができる。
本発明のEL素子を形成する他の要素、すなわち2層の
電極層は1発光層を挟持するものであって、従来公知の
ものはいずれも使用できるが、少なくともその1居は透
明性である必要がある。透明電極としては、従来同様目
的の透明電極層がいずれも使用でき、好ましいものとし
ては、例えばポリメチルメタクリレート、ポリエステル
等の透明な合成樹脂、ガラス等の如き透明性フィルムあ
るいはシートの表面に酸化インジウム、酸化錫、インジ
ウム−チン−オキサイド(ITo)等の透明導電材料を
全面にあるいはパターン状に被覆したものである。一方
の面に不透明電極を使用する場合は、これらの不透明電
極も、従来公知のものでよく、一般的且つ好ましいもの
は、厚さが約0.1〜0.3JLmのアルミニウム、銀
、金等の蒸着膜である。また透明電極あるいは不透明電
極の形状は、板状、ベルト状、円筒状等任意の形状でよ
く、使用目的に応じて選択することができる。また、透
明電極の厚さは、約0.01〜0゜21Lm程度が好ま
しく、この範囲以下の厚さでは、素子自体の物理的強度
や電気的性質が不十分となり、また上記範囲以上の厚さ
では透明性や軽量性、小型性等に問題が生じるおそれが
ある。
本発明において、第1〜第3の発光層を構成する分子堆
積膜を形成する方法として、特に好ましい方法は、抵抗
加熱蒸着法やCVD法であり、例えば、蒸着法では、そ
れぞれ500A程度の薄膜が形成できる。
例えば、抵抗加熱蒸着法による場合は、材料を・真空槽
中に置いたタングステンボードに入れ、基 。
板から30cm以上はなし、抵抗加熱し、昇華性のもの
は昇華温度に設定し、溶融性のものは融点以上の温度に
設定して蒸着する。前真空度は、2X10−’ Tor
r以下にし、蒸着前にシャッターでふさぎ、ポートを加
熱し2分はど空とばしした後、シャッターを開いて蒸着
する。
蒸着中の速度は、水晶振動子の膜厚モニターで測定しな
がら行なうが、好適な速度としては061λ/sec〜
100人/5e−cの間で行なう。その際の真空度は酸
化などを防ぐために、10”−3Torr以下、好まし
くは10−3Torr程度になるように保つことにより
行なう。
本発明のEL素子は、前述の如き発光層形成用材料を好
ましくは上述の如き分子堆積膜により、前述の如き2層
の電極層の間にそれぞれ電気陰性度の異なる化合物から
、3層構造として形成することによって得られるもので
ある。従来の技術では、分子堆積法によりEL素子を形
成することは公知であるが、該公知の方法では、十分な
性能のEL素子が得られず、本発明者は、種々研究の結
果、発光層を3層構造とし、第1〜第3層を、前述の如
き電気陰性度の異なる化合物を用いて分子堆積膜として
形成することにより、従来技術のEL素子の性能が著し
く向上することを知見したものである。
本発明のEL素子は、まず最初に、中間層として形成す
べき第2層に対して相対的に電子供与性である材料を、
上記の如き分子堆積法により分子堆積膜として形成して
第1層とし、次いで、このように形成した第1層に対し
て相対的に電子受容供性であり、同時に第3層に対して
相対的に電子供与性である材料から、上記の如き分子堆
積法によって分子堆積膜を形成して第2層とし、該第2
層の表面に、同様にして、第2層に対して相対的に電子
受容性の化合物から第3層を形成し、最後に、例えばア
ルミニウム、銀、金等の電極材料を、好ましくは蒸着等
により蒸着させて背面電極層を形成することによって得
られる。 このようにして得られたEL素子薄膜からな
る発光層の厚さは、使用した材料の種類によって異なる
が、一般的には、第1層が約0.01〜0.47zmの
厚さで、第2層が約o、oi〜0.4gmの厚さで、且
つ第3層が約0.01〜0.41Lmの厚さであるのが
好適である。
なお、基板として使用する電極層と発光層との接着は、
分子堆積法においては十分に強固なものであり、発光層
が剥離したり」落したりすることはないが、接着力を強
化する目的で、基板表面をあらかじめ処理しておいたり
、あるいは、基板と発光層との間に適当な接着剤層を設
けてもよい。
以上の如くして形成されたEL素子は、そのままでは空
気中の湿気や酸素の影響でその性能が劣化することがあ
るので、従来公知の手段で耐湿、耐酸素性の密封構造と
するのが望ましい。
以上の如き本発明のEL素子は、その発光層の構造が、
超薄膜であり、優れた発光性能を有するものである。
更に、本発明のEL素子の発光層は、第1図に図解的に
示すように、従来技術の単一層からなる発光層とは異な
り、第2図に図解的に示すように、第1〜第3の発光層
とが均一な界面を有して夫々積層されているので、それ
らの電気陰性度の異なる3層間での各種相互作用が極め
て容易であり、従来技術では達成しえない程度の優れた
発光性能を発揮するものである。すなわち、第1〜第3
の発光層との電気陰性度の差等を種々変更することによ
って、発光強度を向上させたり、あるいは発光色を任意
に変更でき、また、その耐用寿命も著しく延長させるこ
とができる。
更に、従来技術では、発光性が優れているが、成膜性や
膜強度が不十分な材料は実質上使用できなかったが、本
発明においては、このような成膜性や膜強度が劣るが、
発光性に優れた材料でも、少なくとも1層に成膜性に優
れた材料を使用することによって、発光性、成膜性およ
び膜強度のいずれもが優れた発光層を得ることができる
以上の本発明のEL素子は、その発光層に好適な電界等
の電気エネルギーが作用するように、電極層間に、交流
またはパルスあるいは直流電流等の電気エネルギーを印
加することにより、優れたEL発光を示すものである。
次に実施例をあげて本発iを更に具体的に説明する。な
お、文中部とあるのは重量基準である。
実施例1 50v角のガラス板の表面上にスパッタリング法により
膜厚1500λのITO層を蒸着して、透明電極を形成
した。
次いで、抵抗加熱ボード−を用いて、上記の透明電極基
板上に、トリフェニルアミン(A)  (mp、127
℃)を250人の膜厚に蒸着させて第1層とした。この
蒸着は、蒸着槽を一度10−’ Torrの真空度まで
減圧し、抵抗加熱ボード(MO)の温度を徐々に上げて
ゆき、127℃の温度に一定に保ち、更に、排気速度を
調整して、真空度を9 X 10−’ Torrに保ち
、蒸着速度5λ/secとなるように、トリフェニルア
ミンを入れたボードに流れる電流を調節して蒸着膜を形
成した。
蒸着時の真空度は、9 X 10−’ Torrであっ
た。
また、基板ホルダーの温度は、20℃の水を循環させて
一定に保った。
次ぎに、上記と同様にして、アントラセン(B、)  
(m p 、 2’ 16℃)を550λの膜厚に蒸着
させて第2層とした。
更に、上記と同様にして、アントラキノン(D)(mp
、286℃)を250人の膜厚に蒸着させて第3層とし
た。
最後に、上記のように形成された薄膜を有する基板を蒸
着槽に入れて、鉄槽を一度10Torrの真空度まで減
圧した後、真空度10↑orrに調整して蒸着速度20
λ/secで、1500λの膜厚でAlを該薄膜上に蒸
着して背面電極とした。作成されたEL素子を図3に例
示したように、シールガラスでシールしたのち、従来方
法に従って、精製および脱気、脱水されたシリコンオイ
ルをシール中に注入して、本発明のEL発光セルを形成
した。これらのEL発光セルにtov、400 Hzf
)交流電圧を印加したところ、電流密度0.12mA 
/ c m’ テ輝度23.2ft−I4)EL発光が
観察された。
上記の本発明のEL素子は、従来例のZnSを発光母体
としたEL素子と比較し、駆動電圧が低く、発光輝度特
性の良いEL素子であった。
比較例1 実施例1において、発光性化合物として化合物Aのみを
使用し、且つ単一層にしたことを除いて、他は実施声1
と同様にして比較用のEL素子を得、且つ実施例1と同
様に評価したところ、電流密度0.lOmA/cゴで輝
度1ft−I、以下であった。
実施例2 実施例1における化合物A、BおよびCに代えて、下記
化合物り、EおよびFを使用し、D      E  
    F 他は実施例1と同様にして、本発明のEL素子(但し、
各々の累積数は7)を得、実施例1と同一条件で評価し
たところ、電流密度0.12腸A/Cゴで、輝度(Ft
−L)は23.4であった。
【図面の簡単な説明】
第1図は、従来技術の分子堆積法によるEL素子を図解
的に示したものであり、第2図は、本発明のEL素・子
を図解的に示したものであり、第3図は本発明のEL素
子の断面を図解的に示したものである。 1;透明電極     2−発光層 3:背面電極     4;発光性化合物5;発光性化
合物   6;発光°性化合物7;シールガラス   
8:シリコン絶縁油9;ガラス板

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  3層積層構造の発光層と、該発光層を挟持する少なく
    とも1層が透明である2層の電極層からなるEL素子に
    おいて、上記の第1の発光層が、第2の発光層に対して
    相対的に電子供与性の少なくとも1種の電気的発光性有
    機化合物からなる分子堆積膜からなり、第2の発光層が
    第1の発光層に対して相対的に電子受容性であり、同時
    に第3層に対し相対的に電子供与性の少なくとも1種の
    電気的発光性有機化合物からなる分子堆積膜からなり、
    且つ第3層が第2層に対し相対的に電子受容性である少
    なくとも1種の電気的発光性有機化合物からなる分子堆
    積膜からなることを特徴とする上記EL素子。
JP16640184A 1984-08-10 1984-08-10 El素子 Pending JPS6144986A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63264692A (ja) * 1987-03-02 1988-11-01 イーストマン・コダック・カンパニー 改良薄膜発光帯をもつ電場発光デバイス
EP0319881A2 (en) * 1987-12-11 1989-06-14 Idemitsu Kosan Company Limited Electroluminescence element

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