JPS6160777A - El素子 - Google Patents

El素子

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JPS6160777A
JPS6160777A JP59182706A JP18270684A JPS6160777A JP S6160777 A JPS6160777 A JP S6160777A JP 59182706 A JP59182706 A JP 59182706A JP 18270684 A JP18270684 A JP 18270684A JP S6160777 A JPS6160777 A JP S6160777A
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JP
Japan
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layer
film
emitting layer
substrate
luminescent
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Pending
Application number
JP59182706A
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English (en)
Inventor
Takeshi Eguchi
健 江口
Harunori Kawada
河田 春紀
Yukio Nishimura
征生 西村
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、電気的な発光、すなわちELを用いたEL素
子に関し、更に詳しくは1発光層が多層構造からなり、
各々の層が隣接する他の層に対して相対的に電気陰性度
が異なる少なくともI Mliの電気的発光性有機化合
物の薄膜からなるEL素子に関する。
(従来の技術) 従来のEL素子は、MnあるいはCuまたはRe Fl
 (Ra ;希土類イオン)等を付活剤として含むZn
Sを発光母材とする発光層からなるものであり、該発光
層の基本構造の違いにより粉末型ELと薄膜型ELに大
きく構造的に分類される。
実用化されている素子のうち、薄@ELは、一般的に粉
末型ELに比べ輝度が高いが、薄膜ELは発光母材を基
板に蒸着して発光層を形成しているため、大面蹟素子の
製造が鰻しく、また製造コストが非常に高くなる等の欠
点を右していた。
そのため、最も量産°性に富み、コスト的に薄膜型素子
の数十分の一程度ですむ有機バインダー中に発光母材、
すなわち、ZnSを分散させた粉末型ELが注目される
ようになった。一般的には、EL発光においては、発光
層の厚さが跋い程発光特性が良くなる。しかし、該粉末
型ELの場合は、発光母材が不連続の粉末であるため、
発光層を薄くすると、発光層中にピンホールが生じ易く
、層厚を薄くすることが困難であり、従って十分な輝度
特性が得られないという大きな欠点を持っている。近時
においても、該粉末型ELの発光層内にフッ化ビニリデ
ン系重合体から成る中間誘電体層を配置した改良型素子
が、特開昭58−172891号公報に示されているが
、未だ発″光輝度、消費電力等に十分な性能を得るにい
たっていない、一方、最近、有機材料の化学構造や高次
構造を制御して、新しくオプティカルおよびエレクトロ
ニクス用材料とする研究開発が活発に行なわれ、EC素
子、圧電性素子、焦電性素子、非線計光学素子、強yJ
!電性液晶等、金属、無機材料に比肩し得るか、または
それらを陵駕する有機材料が発表されている。このよう
に、無機物を凌ぐ新しい機能素材としての機能性有機材
料の開発が要望される中で1分子内に親水基と疎水基を
持つアントラ七ン誘導体やピレン誘導体の単分子層の累
積膜を電極基板上に形成したEL素子が特開昭52−3
5587号公報に提案されている。しかし、それらのE
L素子は、その輝度、消費電力等、現実のEL素子とし
て十分な性能を得るに至っておらず、更に、該有@EL
素子の場合、キャリア電子あるいはホールの密度が非常
に小さく、キャリアの再結合等による機能分子の励起確
率が非常に小さくなり、効率の良い発光が期待できない
ものである。
(発明の開示) 従って、本発明の目的は、上述のような従来技術の欠点
を解消して、低電圧駆動でも十分輝度の高い発光が得ら
れ、安価で、且つ製造が容易なEL素子を提供すること
である。
h配本発明の目的は、EL素子の発光層を、特定の材料
を組合せて、且つ特定の構成に形成することにより達成
された。
すなわち1本発明は、多層構造の発光層と、該発光層を
挟持する少なくとも1層が透明である2層の電極層およ
び背面電極層からなるEL素子において、上記の発光層
が、下記第1層と下記第2層とを交互に4W!以上繰返
して積層してなることを特徴とすると記のEL素子。
ml!:第2屑に対して相対的に電子受容性の少なくと
も1種の電気的発光性有機化合物からなる単分子膜また
はその累積膜。
第2層:第11に対して相対的に電子供与性の少なくと
も1種の電気的発光性有機化合物からなる分子堆積膜。
本発明の詳細な説明すると、本発明において使用し、主
として本発明を特徴づける電気的発光性有機化合物とは
、高い発光量子効率を有し、更に外部摂動を受は易いπ
電子系を有し、M、気的な励起が可能な化合物であり、
例えば、基本的には、綜合多環芳香族炭化水素、p−タ
ーフェニル。
2.5−ジフェニルオキサゾール、1.4−ビス(2−
メチルスチリル)−ベンゼン、キサンチン、クマリン、
アクリジン、シアニン色素、ベンゾフェノン、フタロシ
アニンおよびその全屈錯体、ポルフィリンおよびその全
屈錯体、8−ヒドロキシキノリンとその全屈錯体、有機
ルテニウム錯体、有機稀土類錯体およびこれらの化合物
の誘導体等を挙げることができる。更に上記化合物に対
して電子受容体または電子供与体となり得る化合物とし
ては、前記以外の複素環式化合物およびそれらの誘導体
、芳香族アミンおよび芳香族ポリアミン、キノン構造を
もつ化合物、テトラシアノキノジメタンおよびテトラシ
アノエチレン等ヲ挙げることができる。
本発明において、Wglの発光層を形成するために有用
な化合物は、上記の如さ電気的発光性化合物を必要に応
じて公知の方法で化学的に修飾し。
その構造中に少なくとも1個の疎水性部分と少なくとも
1個の親木性部分(これらはいずれも相対的な意味にお
いてである。)を併有させるようにした化合物であり、
例えば下記の一般式(I)で表わされる化合物およびそ
の他の化合物を包含する。
[(X −R1)、Z ]]u−φ−R,(I )E記
式中におけるXは、水麦原子、ハロゲン原子、アルコキ
シ基、フルキルエーテル基5ニトロ基;カルボキシル基
、スルホン酸基、リン酸基、ケイ醜基、第1〜37ミノ
基:これらの金属塩、1〜3級アミン塩、#塩:エステ
ル基、スルホアミド基、アミド基、イミノ基、4級アミ
ノ基およびそれらの塩、水酸基等であり;R1は炭素数
4〜30、好ましくは10〜25個のアルキル基、好ま
しくは直鎖状アルキル基であり:mはlまたは−S O
,N R,、−CO−1−COO−等の如き連結基(R
,は水素原子、アルキル基、アリール等の任意の置換基
である)であり;φは後に例示する如き電場発光性化合
物の残基であり:R2はXと同様に、水素原子またはそ
の他の任意の置換基であり;1個または複数のX、φお
よびR2のうち少なくとも1個は親木性部分であり、且
つ少なくとも1個は疎水性部分である。
また、本発明において、第2の発光層を形成するために
有用な宥機化合物は、化学的に修飾されていることを除
き、上記と同種の化合物から選択して使用する。
第1!!1の形成に有用な一般式(■)°の化合物のφ
として好ましいもの、および第2暦の形成に有用である
化合物の基本骨格、およびその他の化合物を例示すれば
、以下の通りである。(但し、以下に例示するφ(基本
骨格)は、炭素数1〜4のアルキル基、アルコキシ基、
アルキルエーテル基、ハロゲン原子、ニトロ基、第1〜
3級アミノ基、水酸基、カルボ7ミド基、スルフオアミ
ド基等の一般的な置換基を有し得る。) (以  下  余  白   ) Z=NH,0,52=CO,NHZ=CO,NH,O,
5Z=NH10,5 Z=NH,O,S            Z=NH,
O,5Z=S1 Se    228%Se     
 Z=S、Sez = NH,O,S   Z=NH,
αS   Z=NH,O,SM =Mg + Z n 
* S n t AZCZ    M =Hz i B
 e 1Mg 、Ca * CdSn、AZCZ、Yb
CI M= Er、Trrl  Smi Eu+ Tb、  
    Z=O1N虐M=A4 Ga、Ir、Ta+ 
a=3    M=Er、Sm、EuM=Zn、Cdv
Mgipb+a=2     GdtTbtDyTm、
Yb M=Ert Sm、Eu、Gd     M==Er、
Smi EuTb、 Dy、 Tm、 Yb     
  Gd、 Tb、 DyTm、Yb Z=O,S、Se O≦p≦2 以Hの如き発光性化合物は、本発明における各々の発光
層に′おいて単独でも混合物としても使用できる。なお
、これらの化合物は好ましい化合物の例示であって、同
一目的が達成される限り、他の誘導体または他の化合物
でも良いのは当然である。
本発明において、上記の如き発光性化合物をそれらの電
気的陰性度に応じて、本発明のEL素子の第1の発光層
と゛第2の発光層に分けて使用し、これらの暦を交互に
4暦以上繰返しa層して多層構造の発光層を形成するこ
とを特徴としている。
すなわち、上記の如き発光性化合物は、それぞれ電気陰
性度が異なるから、それらのなかから、相対的に電子受
容性である前記化合物を、第1の発光層を形成するため
の発光性化合物として採用し、且つそれらに対して相対
的に電子供与性である前記発光性化合物を第2の発光層
形成用化合物として選択すれば良い、このような発光性
化合物のなかで、電子供与性のものとして特に好ましい
化合物は、第1−第3級アミノ基、水酸基、アルコキシ
基、アルキルエーテル基等の電子供与性基を有するもの
、あるいは窒素へテロ環化合物が主たるものであり、ま
た電子受容性のものとしては、カルボニル基、スルホニ
ル基、ニトロ基、第4級アミノ基等の電子吸引性基を有
する化合物が主たるものである。このような発光性化合
物は本発明において、それぞれの発光層においては単独
または複数の混合物として使用することができる。
本発明のEL素子を形成する他の要素、すなわち2層の
電極層は1発光層を挟持するものであって、従来公知の
ものはいずれも使用できるが、少なくともその1暦は透
明性である必要がある。透明電極層としては、従来同様
目的の透明電極層がいずれも使用でき、好ましいものと
しては、例えばポリメチルメタクリレート、ポリエステ
ル等の透明な合成樹脂、ガラス等の如き透明性フィルム
あるいはシートの表面に酸化インジウム、酸化錫、イン
ジウム−チン−オキサイド(I To)等の透明導電材
料を全面にあるいはパターン状に被覆したものである。
一方の面に不透明な背面電極層を使用する場合は、これ
らの不透明型8i層も、従来公知のものでよく、一般的
[つ好ましいものは、厚さが約0.1〜0.3grnの
アルミニウム、銀、金等の蒸着膜である。また透明電極
層あるいは背面電極層の形状は、板状、ベルト状1円筒
状等任意の形状でよく、使用目的に応じて選択すること
ができる。また、透明電極層の厚さは、約0.01〜0
 、2 gm程度が好ましく、この範囲以下の厚さでは
、素子自体の物理的強度や電気的性質が不十分となり、
また上記範囲以上の厚さでは透明性や軽量性、小型性等
に問題が生じるおそれがある。
本発明のEL素子は、上記の如き2層の電極層の間に、
前述の如き相対的に電気陰性度の異なる電気的発光性化
合物を別々に用いて第1層および第2Ftを形成し、こ
れらの第1層と第2層とを交互に4層以上積暦して、4
層以上の多層構造の発光層を形成することにより得られ
るものであり、形成された多層構造の発光層を構成する
第1層が、第2層に対して相対的に電子受容性である化
合物からなる高秩序の分子配向性をもって配列した単分
子膜あるいはその、累積膜であり、第2居が、:i51
 iに対して相対的に電子供与性である化合物からなる
分子堆積膜であることを特徴としている。
本発明において、このような第1層の単分子膜あるいは
その累積膜を形成する方法として、特に好ましい方法は
、ラングミュア争プロジェット法(LB法)である、こ
のLB法は、分子内に親水性基と疎水性基とを有する構
造の分子において、両者のバランス(両親媒性のバラン
ス)が適度に保たれているとき、分子は水面上で、親水
性基を下に向けて単分子の層になることを利用して、単
分子膜またはその累積膜を形成する方法である。
具体的には水層上に展開した単分子膜が、水相上を自由
に拡散して広がりすぎないように、仕切板(または浮子
)を設けて展開面積を制限してH物質の集合状態を制御
し、表面圧を徐々に上昇させ、単分子膜あるいはその累
積膜の製造に適する表面圧を設定する。この表面圧を維
持しながら静かに清浄な基板を垂直に上昇または降下さ
せることにより、単分子膜が基板上に移しとられる。単
分子膜は以上で製造されるが、単分子膜の累積膜は前記
の操作を繰り返すことにより所望の累精度の累積膜とし
て形成される。
単分子膜を基板上に移すには、上述した垂直浸漬法の他
、水平付着法、回転円筒法などの方法によっても可能で
ある。水平付着法は基板を水面に水平に接触させて移し
とる方法で、回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回
転させて単分子膜を基体表面に移しとる方法である。前
述した垂直浸漬法では、表面が親水性の基板を水面を横
切る方向に水中から引きとげると分子の親木性基が基板
側に向いた単分子膜が基板上に形成される。前述のよう
に基板を上下させると、各行程ごとに1枚ずつ単分子膜
が世なっていく、成膜分子の向きが引き上げ行程と浸漬
行程で逆になるので、この方法によると各層間は分子の
親木性基と親木性基、分子の疎水性基と疎水性基が向か
い合うY型膜が形成される。それに対し、水平付着法l
±、基板を水面に水平に接着させて移しとる方法で、分
子の疎水性基が基板側に向いた単分子膜が基板上に形成
される。この方法では、単分子膜を累積しても、成膜分
子の向きの交代はなく、全ての居において、疎水性基が
基板側に向いたX型膜が形成される0反対に全ての層に
おいて親木性基が基板側に向いた累Ffl膜はZ型膜と
呼ばれる。回転円筒法は1円筒法の基体水面上を回転さ
せて単分子膜を基体表面に移しとる方法である。単分子
膜を基板上に移す方法は、これらに限定されるわけでな
く、即ち、大面積基板を用いる時には、基板ロールから
水層中に基板を押し出していく方法などもとり得る。ま
た、前述した親木性基、疎水性基の基板への向きは原則
であり、基板の衷面処Fl!等によって変えることがで
きる。
本発明において、第2の発光層を構成する分子堆積膜を
形成する方法として、特に好ましい方法は、抵抗加熱蒸
着法やCVD法であり、例えば、蒸着法では、第2の発
光層として、5ooA程度の薄膜が形成できる。
例えば、抵抗加熱蒸着法による場合は、材料を真空槽中
に置いたタングステンボードに入れ、基板から30cm
以上はなし、抵抗加熱し、昇華性のものは昇華温度に設
定し、溶融性のものは融点以Hの温度に設定して蒸着す
る。前真空度は、2×10丁art以下にし、蒸着前に
シャッターでふさぎ、ポートを加熱し2分はど空とばし
した後、シャッターを開いて蒸着する。
蒸着中の速度は、水晶振動子の膜厚モニターで測定しな
がら行なうが、好適な速度としては0゜1人/ sec
 −100A /secの間で行なう、その際の真空度
は酸化などを防ぐために、10Torr以下、好ましく
は10 Torr程度になるように保つことにより行な
う。
従来の技術の項で述べた通り、LB法によりEL素子を
形成することは公知であるが、該公知の方法では、十分
な性能のEL素子が得られず、本発明者は1種々研究の
結果、発光層を多層構造とし、第1層の発光層を、前述
の如き相対的に電子受容性である化合物を用いて単分子
膜あるいはその累積膜として形成し、且つ第2層を、第
1層に対して相対的に電子供与性である化合物から分子
堆積膜として形成することにより、従来技術のEL素子
の性能が著しく向上することを知見したものである。
本発明の1つの態様は、第1の発光層が前記発光性材料
からなる単分子膜である態様である。この態様のEL素
子は、まず最初に、第2の暦に対して相対的に電子受容
性である材料を、適当な宥機溶剤1例えばクロロホルム
、ジクロロメタン、ジクロロエタン等中に約10−10
M程度の濃度に溶解し、該溶液を、各種の金属イオンを
含有してもよい適当なpH(例えば、 PH約1〜8 
)の水相とに展開させ、溶剤を蒸発除去して単分子膜を
形成し、前述の如くのLB法で、一方の透明電極基板上
に移し取って第1層とし、十分に乾燥し、次いで、この
ように形成した第1層に対して相対的に電子供与性であ
る材料を、前記の如き分子堆積法により、堆積膜として
第2層を形成し、更にこのような工程を必要回数繰返し
て多層構造の発光層を形成し1次いで、形成された発光
層の表面に、例えばアルミニウム、銀、金等の電極材料
を、好ましくは蒸着等により蒸着させて背面電極層を形
成することによって得られる。
このようにして得られたEL素子の多層の単分子膜およ
び分子堆積膜からなる発光層の積層数は、一般的には約
4〜400が好適であり、また発光層全体の厚さは、使
用した材料の種類によって異なるが、一般的には約0.
01〜IILmの厚さが好適である。
また、別の重要な態様は、本発明のEL素子の発光層を
構成する第1層のうち少なくとも1層、好ましくは全て
の第1Rが、上記の単分子膜の累積膜である態様である
。該態様は、前記のLB法および分子堆積膜を用いるこ
とにより、上記の如き単分子膜を第1層の形成毎に種々
の方法で必要な層数まで累積することによって得られる
このようにして得られるEL素子の発光層の全体の積層
数は、約4〜400が好適であり、また各第1暦の単分
子膜の累積数は、約2〜200が好適であり、全体の厚
さは、任意に変更することができるが、本発明において
は1合計で約0.01〜1ルmが好適である。
なお、基板として使用する一方の電極層あるいは両方の
電極層と発光層との接着は、LB法および分子堆積法に
おいては十分に強固なものであり1発光層が剥離したり
剥落したりすることはないが、接着力を強化する目的で
、基板表面をあらかじめ処理しておいたり、あるいは基
板と発光層との間に適当な接着剤層を設けてもよい、更
に、LB法において、発光層の形成用材料の種類や使用
する水層のpH,イオン種、水温、単分子膜の転移速度
あるいは単分子膜の表面圧等の種々の条件をiA節によ
っても接着力を強化することができる。
以上の如くして形成されたEL素子は、そのままでは空
気中の湿気や酸素の彩テでその性能が劣化することがあ
るので、従来公知の手段で耐湿、耐酸素性の密封構造と
するのが望ましい。
以上の如き本発明のEL素子は、その発光層の構造が、
超薄膜であり、且つ各々の第1層が、EL素子の作動上
必要な高度の分子秩序性と機能を有しており、且つ、第
2層と第1F!!Iとが、種々の?I!気的相互作用を
行なうことにより、優れた発光性能を発揮するものであ
る。
更に、本発明のEL素子の発光層は、第1図に図解的に
示すように、従来技術の単一層からなる発光層とは異な
り、第2図に図解的に示すように、第1の発光層と第2
の発光層とが均一な界面を有し、且つこれらの層が複数
回端層されているので、それらの電気陰性度の異なる2
層間での各種相互作用が極めて容易であり、従来技術で
は達成しえない程度の優れた発光性箋を発揮するもので
ある。すなわち、第1の発光層と第2の発光層との電気
陰性度の差等を種々変更することによって、発光強度を
向上させたり、あるいは発光色を任意に変更でき、また
、その耐用寿命も著しく延長させることができる。
更に、従来技術では、発光性が優れているが。
r#、膜性や膜強度が不十分な材料は実質上使用できな
かったが1本発明においては、このような成膜性や膜強
度が劣るが1発光性に優れた材料でも、いずれか一方の
居に成膜性に優れた材料を使用することによって1発光
性、成膜性および膜強度のいずれもが優れた発光層を得
ることができる。
以上の本発明のEL素子は、その発光層に好適な電界等
の電気エネルギーが作用するように、電極層間に、交流
またはパルスあるいは直流電流等の電気エネルギーを印
加することにより、優れたEL発光を示すものである。
次に実施例をあげて本発明を更に具体的に説明する。な
お、文中部とあるのはff1fl基準である。
実施例1 50mm角のガラス板の表面上にスパッタリンダ法によ
り膜厚1500AのITO層を蒸着して、透明電極を形
成した。この成[基板を充分洗浄後、Jo7ce −L
oeba1社製のLangmuir −Traugh4
の4X10*olのCdC1,を含みpH6,5に調整
された水相中に浸漬した0次に、 E配化合物(A)をクロロホルムに溶かした(1−ラ Omol/Jl)後、上記水相上に展開させた。溶媒の
クロロホルムを蒸発除去後、表面圧を高めて(30dy
ne/ cm) 、上記分子を膜状に析出させた。その
後、表面圧を一定に保ちながら、該成膜基板を、水面を
横切る方向に静かに上下させ(上下速度2 cm/ s
in ) 、単分子膜を基板上に移し取り、2暦に累積
した単分子累積膜(第1層)を作成した。この累積工程
において、該基板を水槽から引きあげる都度、30分間
以上放置して基板に付若している水分を蒸発除去した。
次に、抵抗加熱蒸着装置を用いて、上記の単分子の累積
膜を設けた透明電極基板とに、アントラセン(B)を2
5OAの膜厚に蒸着させて第2層を形成した。この蒸着
は、71看槽を一度10Torrの真空度まで減圧した
後、抵抗加熱ボード(Mo)の温度を徐々に上げてゆき
、蒸着速度5A/secとなるように、アントラセンを
入れたボードに流れる電流を調節して蒸!Fll!を形
成した。
革若時の真空度は、9 X L OTarrであった。
また、基板ホルダーの温度は、20℃の水を循環させて
一定に保った。
上記の全操作を更に3回繰返すことにより、全部で8暦
構造の発光層を形成した。
最後に、上記のように形成された薄膜を蒸2?槽に入れ
て・核種を一度10Tarrの真空度まで減圧した後、
真空度10 Torrに調整して蒸着速度20A/se
cテ、1500人の膜厚でAtを該薄膜上に蒸着して背
面電極とした0作成されたEL素子を第3図に例示した
ように、シールガラスでシールしたのち、従来方法に従
って、請製および脱気、脱水されたシリコンオイルをシ
ール中に注入して、本発明のEL発光セルを形成した。
これらのEL発光セルにtOV、400)1zの交流電
圧を印加したところ、電流密度0.12山A / cば
で輝度28ft−LのEL発光を示した。
上記の木発明のEL素子は、従来例のZnSを発光母体
としたEL素子と比較し、駆動電圧が低く、発光輝度特
性の良いEL素子であった。
比較例1 実施例1において、第2層を形成しなかったことを除い
て、他は実施例1と同様にして比較用のEL素子を得、
且つ実施例1と同様に評価したところ、電波密度0.0
8A/crn’で輝度18ft−L以下であった。
実施例2 実施例1における化合物AおよびBに代えて、下記化合
物CおよびDを使用し、 C,D 他は実施例1と同様にして、本発明のEL素子を得、実
施例1と同一条件で評価したところ、1!流密度0.1
1mA/Crn’で、輝度(Ft−1,)は26であっ
た。
実施例3 実施例1において、第1層を単分子膜としたことを除き
、他は実施例1と同様にして作成したEL素子は、T1
m密度0 、11mA/ crn″テ、輝度(Ft−L
)は26であった。
実施例4 実施例1において、第1層を累積数−の単分子累積膜と
したことを除き、他は実施例1と同様にして作成したE
L素子は、電流密度0.lOmA/crn′テ、輝度(
Ft−L)は24であった。
【図面の簡単な説明】
第1図は、従来技術のLB法によるEL素子を図解的に
示したものであり、第2図は1本発明のELi子を図解
的に示したものであり、第3図は木発明のEL素子の断
面を図解的に示したものである。 1;透明電極     2;発光層 3;背面電極     4;発光性化合物5:発光性化
合物   6;発光性化合物7;シールガラス   8
;シリコン絶縁油9;ガラス板 第1図 第2図 第3図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 多層構造の発光層と、該発光層を挟持する少なくとも1
    層が透明である2層の電極層からなるEL素子において
    、上記の発光層が、下記第1層と下記第2層とを交互に
    4層以上繰返して積層してなることを特徴とする上記の
    EL素子。 第1層;第2層に対して相対的に電子受容性の少なくと
    も1種の電気的発光性有機化合物からなる単分子膜また
    はその累積膜。 第2層;第1層に対して相対的に電子供与性の少なくと
    も1種の電気的発光性有機化合物からなる分子堆積膜。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS62218441A (ja) * 1986-03-20 1987-09-25 Toray Ind Inc 熱可塑性ポリエステル樹脂組成物

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JPS62218436A (ja) * 1986-03-20 1987-09-25 Toray Ind Inc 熱可塑性ポリエステル組成物
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