JPS6147781A - El素子 - Google Patents

El素子

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JPS6147781A
JPS6147781A JP59167893A JP16789384A JPS6147781A JP S6147781 A JPS6147781 A JP S6147781A JP 59167893 A JP59167893 A JP 59167893A JP 16789384 A JP16789384 A JP 16789384A JP S6147781 A JPS6147781 A JP S6147781A
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JP
Japan
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layer
compound
film
luminous
emitting layer
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Pending
Application number
JP59167893A
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English (en)
Inventor
Takeshi Eguchi
健 江口
Harunori Kawada
河田 春紀
Yukio Nishimura
征生 西村
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、電気的な発光、すなわちELを用いたEL素
子に関し、更に詳しくは、発光層が3層構造からなり、
各々の層が少なくとも1種の電気的発光性有機化合物の
薄膜からなるEL素子に関する。
(従来の技術) 従来のEL素子は、MnあるいはCuまたはRe F3
 (Re ;希土類イオン)等を付活剤として含むZn
Sを発光母材とする発光層からなるものであり、該発光
層の基本構造の違いにより粉末型ELと薄膜型ELに大
きく構造的に分類される。
実用化されている素子のうち、薄膜ELは、一般的に粉
末型ELに比べ輝度が高いが、薄膜ELは発光母材を基
板に蒸着して発光層を形成しているため、大面積素子の
製造が難しく、また製造コストが非常に高くなる等の欠
点を有していた。そのため、最も量産性に富み、コスト
的に薄膜型素子の数十分の一程度ですむ有機バインダー
中に発光母材、すなわち、ZnSを分散させた粉末型E
Lが注目されるようになった。一般的には、EL全発光
おいては、発光層の厚さが薄い程発光特性が良くなる。
しかし、該粉末型ELの場合は、発光母材が不連続の粉
末であるため、発光層を薄くすると、発光層中にピンホ
ールが生じ易く、層厚を薄くすることが困難であり、従
って十分な輝度特性が得られないという大きな欠点を持
っている。近時においても、該粉末型ELの発光層内に
フッ化ビニリデン系重合体から成る中間誘電体層を配置
した改良型素子が、特開昭58−172891号公報に
示されているが、未だ発光輝度、消費電力等に十分な性
能を得るにいたっていない。一方、最近、有機材料の化
学構造や高次構造を制御して、新しくオプティカルおよ
びエレクト°ロニクス用材料とする研究開発が活発に行
なわれ、EC素子、圧電性素子、焦電性素子、非線計光
学素子、強誘電性液晶等、金属、無機材料に比肩し得る
か、またはそれらを凌駕する有機材料が発表されている
。このように、無機物を凌ぐ新しい機能素材としての機
能性有機材料の開発が要望される中で、分子内に親木基
と疎水基を持つアントラセン誘導体やピレン誘導体の単
分子層の累積膜を電極基板上に形成したEL素子が特開
昭52−35587号公報に提案されている。しかし、
それらのEL素子は、その輝度、消費電力等、現実のE
L素子として十分な件部を得るに至っておらず、更に、
該有機EL素子の場合、キャリア電子あるいはホールの
密度が非常に小さく、キャリアの再結合等による機能分
子の励起確率が非常に小さくなり、効率の良い発光が期
待できないものである。
(発明の開示) 従って、本発明の目的は、上述のような従来技術の欠点
を解消して、低電圧駆動でも十分輝度の高い発光が得ら
れ、安価で、且つ製造が容易なEL素子を提供すること
である。
上記本発明の目的は、EL素子の発光層を、特定の材料
を組合せて、且つ特定の構成に形成することにより達成
された。
すなわち、本発明は、3層積層構造の発光層と、該発光
層を挟持する少なくとも1層が透明である2層の電極層
からなるEL素子において、上記の第1の発光層が、電
気的発光性有機化合物(A)と化合物(A)に対して相
対的に電子供与性の少なくとも1種の有機化合物(以下
ドナーと略称する)からなる単分子膜またはその累積膜
からなり、警2の発光層が、上記電気的発光性有機化合
物(A)または化合物(A)と同様な電気的陰性度の電
気的発光性化合物からなる単分子膜またはその累積膜か
らなり、且つ第3層が、上記電気的発光性有機化合物(
A)または化合物(A)と同様な電気的陰性度の電気的
発光性化合物と化合物(A)に対し相対的に電子受容性
である少なくとも1種の有機化合物(以下アクセプター
と略称する)からなる分子堆積膜からなることを特徴と
する上記EL素子である。
本発明の詳細な説明すると、本発明において使用し、主
として本発明を特徴づける電気的発光性有機化合物とは
、高い発光量子効率を有し、更に外部摂動を受は易いπ
電子系を有し、電気的な励起が可能な化合物であり、例
えば、基本的には、縮合多環芳香族炭化水素、p−ター
フェニル、2.5−ジフェニルオキサゾール、1.4−
ビス(2−メチルスチリル)−ベンゼン、キサンチン、
クマリン、アクリジン、シアニン色素、ベンゾフェノン
、フタロシアニンおよびその金属錯体、ポルフィリンお
よびその金属錯体、8−ヒドロキシキノリンとその金属
錯体、有機ルテニウム錯体、有機稀土類錯体およびこれ
らの化合物の誘導体等を挙げることができる。更に上記
化合物に対して電子受容体または電子供与体となり得る
化合物としては、前記以外の複素環式化合物およびそれ
らの誘導体、芳香族アミンおよび芳香族ポリ7ミ7、キ
)ン構造をもつ化合物、テトラシアノキノジメタンおよ
びテトラシアノエチレン等を挙げることができる。
本発明において、第1および第2の発光層を形成するた
めに有用な化合物は、上記の如き電気的発光性化合物を
必要に応じて公知の方法で化学的に修飾し、その構造中
に少なくとも1個の疎水性部分と少なくとも1個の親木
性部分(これらはいずれも相対的な意味においてである
。)を併有させるようにした化合物であり、例えば下記
の一般式(I)で表わされる化合物およびその他の化合
物を包含する。
[(X−R,)、Z]%−φ−R,(I)上記式中にお
けるXは、水素原子、ハロゲン原子、アルコキシ基、ア
ルキルエーテル基、ニトロ基;カルボキシル基、スルホ
ン酸基、リン酸基、ケイ酸基、第1〜3アミノ基;これ
らの金属塩、1〜3級アミン塩、酸塩:エステル基、ス
ルホアミド基、アミド基、イミノ基、4級アミノ基およ
びそれらの塩、水酸基等であり;R1は炭素数4〜30
、好ましくは10〜25個のアルキル基、好ましくは直
鎖状アルキル基であり:mは1または−S O,N R
3、−co−1−coo−等の如き連結基(R,は水素
原子、アルキル基、アリール等の任意の置換基である)
であり;φは後に例示する如き電場発光性化合物の残基
であり;R,はXと同様に、水素原子またはその他の任
意の置換基であり;1個または複数のX、φおよびR2
のうち少なくとも1個は親水性部分であり、且つ少なく
とも1個は疎水性部分である。
、また1本発明において、第3の発光層を形成するため
に有用な有機化合物は、前記の化合物または化学的に修
飾されていることを除き、上記と同種の化合物から選択
して使用する。
第1および第2層の形成に有用な一般式(I)の化合物
のφとして好門しいもの、第3層の形成に有用である化
合物の基本骨格、およびその他の化合物を例示すれば、
以下の通りである。(但し、以下に例示するφ(基本骨
格)は、炭素数1〜4のアルキル基、アルコキシ基、ア
ルキルエーテル基、ハロゲン原子、ニトロ基、第1〜3
級アミノ基、水酸基、カルボアミド基、スルフオアミド
基等の一般的な置換基を有し得る。)(以  下 余 
 白   ) Z=NH,O,S   Z=CO,NHz=co、w、
O,5Z=NH,0,5 Z=NH,0,S           Z=NH,O
%SZ= Ss Se     Z= Si Se  
     Z= SI 5eZ=冊、0、SZ−洲、Q
SZ=洲、0、SM=Mg、Zn、Sn、AlC1M 
=HzsBe、Mg、Ca、CdSn、AlC1,Yb
CI M=Er、TmSm、 Eui ”rb、    z=
o、 NaM=A4 Ga、Ir、Ta、a=3  1
’i?Er、Sm、EuWj=Zn、 Cd、 Mg、
 pb、 a=2     Gd、 Tb、 DyTm
、Yb M=Er、Smt Eu、Gd     M=Ert 
Smt EuTb、 Dy、 Tm、 Yb     
  Gd、 Tb、 DyTm、Yb Z−0、S、SeO≦p≦2 以上の如き発光性化合物は、本発明における各々の発光
層において単独でも混合物としても使用できる。なお、
これらの化合物は好ましい化合物の例示であって、同一
目的が達成される限り、他の誘導体または他の化合物で
も良いのは当然である。
本発明においては、上記の如き発光性化合物から、特定
の好ましい少なくとも1種の化合物(A)を選択し、化
合物(A)にドナーを組合わせて第1層を形成し、次い
で化合物(A)または化合物(A)と同様な電気的陰性
度の電気的発光性化合物から第2層を形成し、最後に化
合物(A)または化合物(A)と同様な電気的陰性度の
電気的発光性化合物に7クセプターを組合わせて第3層
を形成し、発光層を3層の積層構造としたことを特徴と
している。
このような発光性化合物のなかで、化合物(A)として
好ましいものは、前述の例示の化合物のなかで電気陰性
度が中位のもので、且つ発光効率の優れた化合物である
また、ドナーとして特に好ましい化合物は、第1〜第3
級アミノ基、水酸基、アルコキシ基、アルキルエーテル
基等の電子供与性基あるいは窒素へテロ原子を有する前
記発光性化合物あるいは他の有機化合物が主たるもので
あり、またドナーとしては、カルボニル基、スルホニル
基、ニトロ基、箪4級アミノ基等の電子吸引性基を有す
る前記発光性化合物あるいは他の有機化合物が主たるも
のである。
本発明のEL素子を形成する他の要素、すなわち2層の
電極層は、発光層を挟持するものであって、従来公知の
ものはいずれも使用できるが、少なくともその1層は透
明性である必要がある。透明電極としては、従来同様目
的の透明電極層がいずれも使用でき、好ましいものとし
ては、例えばポリメチルメタクリレート、ポリエステル
等の透明な合成樹脂、ガラス等の如き透明性フィルムあ
るいはシートの表面に酸化インジウム、酸化錫、インジ
ウム−チン−オキサイド(ITo)等の透明導電材料を
全面にあるいはパターン状に被覆したものである。一方
の面に不透明電極を使用する場合は、これらの不透明電
極も、従来公知のものでよく、一般的且つ好ましいもの
は、厚さが約0.1”0.31Lmのアルミニウム、銀
、金等の蒸着膜である。また透明電極あるいは不透明電
極の形状は、板状、ベルト状、円筒状等任意の形状でよ
く、使用目的に応じて選択することができる。また、透
明電極の厚さは、約o、ot−o。
2gm程度が好ましく、この範囲以下の厚さでは、素子
自体の物理的強度や電気的性質が不十分となり、また上
記範囲以上の厚さでは透明性や軽量性、小型性等に問題
が生じるおそれがある。
本発明のEL素子は、上記の如き2層の電極層の間に、
前述の如き相対的に電気陰性度の異なる3層からなる発
光層を形成することにより得られるものであり、形成さ
れた3一層構造の発光層の内、第1および第2層を構成
する分子が、それぞれ高秩序の分子配向性をもって配列
した単分子膜あるいはその累積膜であり、第3層が分子
堆積膜であることを特徴としている。
本発明において、このような単分子膜あるいはその累積
膜を形成する方法として、特に好ましい方法は、ラング
ミュア・プロジェット法(LB法)である。このLB法
は、分子内に親木性基と疎水性基とを有する構造の分子
において、両者のバランス(両親奴性のバランス)が適
度に保たれているとき、分子は水面上で、親水性基を下
に向けて単分子の層になることを利用して、単分子膜ま
たはその累積膜を形成する方法である。具体的には水層
上に展開した単分子膜が、水相上を自由に拡散して広が
りすぎないように、仕切板(または浮子)を設けて展開
面積を制限して膜物質の集合状態を制御し、表面圧を徐
々に上昇させ、単分子膜あるいはその累積膜の製造に適
する表面圧を設定する。この表面圧を維持しながら静か
に清浄な基板を垂直に上昇または降下させることにより
、単分子膜が基板上に移しとられる。単分子膜は以上で
製造されるが、単分子膜の累積膜は前記の操作を繰り返
すことにより所望の累積度の累積膜として形成される。
単分子膜を基板上に移すには、上述した垂直浸漬法の他
、水平付着法、回転円筒法などの方法によっても可能で
ある。水平付着法は基板を水面に水平に接触させて移し
とる方法で、回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回
転させて単分子膜を基体表面に移しとる方法である。前
述した垂直浸漬法では、表面が親水性の基板を水面を横
切る方向に水中から引き上げると分子の親木性基が基板
側に向いた単分子膜が基板上に形成される。前述のよう
に基板を上下させると、各行程ごとに1枚ずつ単分子膜
が重なっていく。成膜分子の向きが引き上げ行程と浸漬
行程で逆になるので、この方法によると各層間は分子の
親木性基と親木性基、分子の疎水性基と疎水性基が向か
い合うY型膜が形成される。それに対し、水平付着法は
、基板を水面に水平に接着させて移しとる方法で、分子
の疎水性基が基板側に向いた単分子膜が基板上に形成さ
れる。この方法では、単分子膜を累積しても、成膜分子
の向きの交代はなく、全ての層において、疎水性基が基
板側に向いたxyIM膜が形成される。反対に全ての層
において親水性基が基板側に向いた累積膜はZ型膜と呼
ばれる。回転円筒法は、円筒法の基体水面上を回転させ
て単分子膜を基体表面に移しとる方法である。単分子膜
を基板上に移す方法は、これらに限定されるわけでなく
、即ち、大面積基板を用いる時には、基板ロールから水
層中に基板を押し出していく方法などもとり得る。また
、前述した親水性基、疎水性基の基板への向きは原則で
あり、基板の表面処理等によって変えることができる。
本発明におl、Xで、第3の発光層を構成する分子堆積
膜を形成する方法として、特に好ましい方法は、抵抗加
熱蒸着法やC’VD法であり、例えば、蒸着法では、第
3の発光層として、500λ程度の薄膜が形成できる。
例えば、抵抗加熱蒸着法による場合は、材料を真空槽中
に置いたタングステンボードに入れ、基板から30cm
以上はなし、抵抗加熱し、昇華性のものは昇華温度に設
定し、溶融性のものは融点以上の温度に設定して蒸着す
る。前真空度は、2×10−6Torr以下にし、蒸着
前にシャッターでふさぎ、ポートを加熱し2分はど空と
ばしした後、シャッターを開いて蒸着する。
蒸着中の速度は、水晶捩勤子の膜厚モニターで測定しな
がら行なうが、好適な速度としてはO9際の真空度は酸
化などを防ぐために、I O−’ Tart以下、好ま
しくは10= Torr程度になるように保つことによ
り行なう。
本発明のEL素子は、前述の如き発光層形成用材料を好
ましくは上述の如きLB法および分子堆積膜により、前
述の如き2層の電極層の間にそれぞれ電気陰性度の異な
る3層構造として発光層を形成することによって得られ
るものである。
従来の技術の項で述べた通り、LB法によりEL素子を
形成することは公知であるが、該公知の方法では、十分
な性能のEL素子が得られず、本発明者は、種々研究の
結果、発光層を3層構造とし、第1および第2層の発光
層を前述の如き電気陰性度の異なる単分子膜あるいはそ
の累積膜として形成し、且つ第3層を分子堆積膜として
形成することにより、従来技術のEL−素子の性能が著
しく向上することを知見したものである。
本発明の1つの重要な態様は、第1および第2の発光層
が、前記発光性材料からなる単分子膜である態様である
。この態様のEL素子は、まず最初に、前述の如き少な
くとも1種の化合物(A)を選択し、化合物(A)とド
ナーとを好ましくは1 : 1/10〜1 : 1/1
00のモル比で組合わせて、適当な有機溶剤、例えばク
ロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン等中に約
1/lO〜17100重量%程度の濃度に溶解し、該溶
液を、各種の金属イオンを含有してもよい適当なpH(
例えば、pH約1〜8 )の水相上に展開させ、溶剤を
蒸発除去して単分子膜を形成し、前述の如くのLB法で
、一方の電極基板上に移し取って第1゜層とし、次いで
、化合物(A)または化合物(A)と同様な電気的陰性
度の電気的発光性化合物からなる単分子膜を、上記と同
様にして形成して第2゜層とし、該第2層の表面に、上
記の如き分子堆積法によって上記化合物(A)または化
合物(A)と同様な電気的陰性度の電気的発光性化合物
と7クセプターとを好ましくは約1:1/10〜1:l
/100のモル比で組合わせて第3層を形成し、最後に
、例えばアルミニウム、銀、金等の電極材料を、好まし
くは蒸着等により蒸着させて背面電極層を形成すること
によって得られる。なお、上記方法においては、、第1
層と第3層の形成順序を反対としても同効である。
このようにして得られたEL素子の3層の単分子膜から
なる発光層の厚さは、使用した材料の種類によって異な
るが、一般的には約0.01−1舊mの厚さが好適であ
る。
また、別の重要な態様は、本発明のEL素子の発光層を
構成する第1および第2層のうち少なくとも一層、好ま
しくは両層ともが、上記の単分子膜の累積膜である態様
である。該態様は、前記のLB法および分子堆積法を用
いることにより、上記の如き単分子膜を種々の方法で各
層毎に必要な暦数まで累積し、且つ分子堆積膜を形成す
ることによって得られる。
このようにして得られるEL素子の発光層の厚さ、すな
わち第1層および第2層の単分子膜の累積数は、任意に
変更することができるが、本発明においては、第1層が
約4〜150の累積数で。
第2層が約4〜150の累積数であり、且つ3層の合計
で約0.03〜l#Lmの厚さが好適である。なお、基
板として使用する電極層と発光層との接着は、LB法お
よび1分子堆積法においては十分に強固なものであり、
発光層が剥離したり剥落したりすることはないが、接着
力を強化する目的で、基板表面をあらかじめ処理してお
いたり、あるいは基板と発光層との間に適当な接着剤層
を設けてもよい、更に、発光層の形成用材料や使用する
水層のpn、イオン種、水温、単分子膜の転移速度ある
いは単分子膜の表面圧等の種々の条件を調節によっても
接着力を強化することができる。
以上の如くして形成されたEL素子は、そのままでは空
気中の湿気や酸素の影響でその性能が劣化することがあ
るので、従来公知の手段で耐湿。
耐酸素性の密封構造とするのが望ましい。
以上の如き本発明のEL素子は、その発光層の構造が、
超薄膜であり、且つ第1および第2層が、EL素子の作
動上必要な高度の分子秩序性と機能を有しており、優れ
た発光性能を有するものである。
更に、本発明のEL素子の発光層は、第1図に図解的に
示すように、従来技術の単一層からなる発光層とは異な
り、第2図に図解的に示すように、第1〜第3の発光層
とが均一な界面を有して夫々積層されているので、それ
らの電気陰性度の異なる3層間での各種相互作用が極め
て容易であり、従来技術では達成しえない程度の優れた
発光性能を発揮するものである。すなわち、第1〜第3
の発光層との電気陰性度の差等を種々変更することによ
って、発光強度を向上させたり、あるいは発光色を任意
に変更でき、また、その耐用寿命も著しく延長させるこ
とができる。
更に、従来技術では、発光性が優れているが、成膜性や
膜強度が不十分な材料は実質上使用できなかったが、本
発明においては、このような成膜性や膜強度が劣るが、
発光性に優れた材料でも、少なくとも1層に成膜性に優
れた材料を使用することによって、発光性、成膜性およ
び膜強度のいずれもが優れた発光層を得ることができる
以上の本発明のEL素子は、その発光一層に好適な電界
等の電気エネルギーが作用するように、電極層間に、交
流またはパルスあるいは直流電流等の電気エネルギーを
印加することにより、優れたEL発光を示すものである
次に実施例をあげて本発明を更に具体的に説明する。な
お、文中部とあるのは重量基準である。
実施例1 50諺鳳角のガラス板の表面上にスパッタリング法によ
り膜厚1500λのITO層を蒸着して、透明電極を形
成した。
この成膜基板を充分洗浄後、Joyce −Loebe
1社製のLangmuir −Trough4のpH6
、5に調整された水相中に浸漬した0次に、 A           f3          C
上記化合物A、BおよびCを5:5:1のモル比でクロ
ロホルムに溶かした( t o’−’■ol/Jl)後
、上記水相上に展開させた。溶媒のクロロホルムを蒸発
除去後、表面圧を高めて(30dyne/crrr)、
上記の混合分子を膜状に析出させた。その後、表面圧を
一定に保ちながら、該成膜基板を、水面を横切る方向に
静かに上下させ(上下速度20■/win ) 、混合
単分子膜を基板上に移し取り、混合単分子膜のみ、7層
に累積した混合単分子累積膜を作成して第1層とした。
この累積工程において、該基板を水槽から引きあげる都
度、30分間以上放置して基板に付着している水分を蒸
発除去した。
次ぎに、上記水相上に残った混合単分子膜を完全に除去
し、新たに、前記化合物AおよびBをl=1のモル比で
使用し、上記と同様な濃度および方法を使用して混合単
分子膜のみおよび8層に累積して第2層を形成した。
次いで、抵抗加熱蒸着装置を用いて、上記の混合単分子
膜およびその累積膜を設けた透明電極基板上に、アント
ラセン(D)(mp、216℃)およびインダゾール(
E)(mp、146℃)を5ooAの膜厚に蒸着させて
第3層とした。この蒸着は、蒸着槽を一度10−’ T
orrの真空度まで減圧し、抵抗加熱ボード(MO)の
温度を徐々に上げてゆき、それぞれの融点に近い温度に
一定に保ち、更に、排気速度を調整して、真空度を9×
10” Torrに保ち、インダゾールの蒸発速度が1
λ/secとなるようにインダゾールを入れたボードに
流れる電流を調節し、そして全蒸着速度5λ/secと
なるように、アントラセンを入れたボードに流れる電流
を調節して蒸着膜を形成した。蒸着膜の真空度は、9X
10Torrであった。また、基板ホルダーの温度は、
20℃の水を循環させて一定に保った。
最後に、上記のように形成された薄膜を有する基板を蒸
着槽に入れて、該槽を一度10  Tartの真空度ま
で減圧した後、真空度10  Torrに調整して蒸着
速度20A/seeで、1500A(1)膜厚でAIを
該薄膜上に蒸着して背面電極とした。作成されたEL素
子を図3に例示したように、シールガラスでシールした
のち、従来方法に従って、精製および脱気、脱水された
シリコンオイルをシール中に注入して、本発明′のEL
発光セルを形成した。これらのEL発光セルにlOv、
400Hzの交流電圧を印加したところ、第1および第
2層が単分子膜であるときは、電流密度0 、17mA
/ crr+′テ輝度2 、3 f t −L(7)E
 L発光が観察され、第1および第2層が累積膜である
ときは、電流密度0 、15mA/ crn’で輝度1
3.1ft−LのEL発光が観察された。
上記の本発明のEL素子は、従来例のZnSを発光母体
としたEL素子と比較し、駆動電圧が低く、発光輝度特
性の良いEL素子であった。
比較例1 実施例1において、発光性化合物として化合物Aのみを
使用し、且つ単一層にしたことを除いて、他は実施例1
と同様にして比較用のEL素子を得、且つ実施例1と同
様に評価したところ、電流密度0.18mA/crn”
で輝度1ft−L以下であった。
実施例2 実施例1における化合物CおよびEに代えて、下記化合
物FおよびGを使用し、 F         G 他は実施例1と同様にして1本発明のEL素子(但し、
各々の累積数は7および8)を得、実施例1と同一条件
で評価したところ、電流密度0 、08mA/ cnf
テ、輝度(Ft−L)は24.0−t’あった。
【図面の簡単な説明】
第1図は、従来技術のLB法によるEL素子を図解的に
示したものであり、第2図は、本発明のEL素子を図解
的に示したものであり、第3図は本発明のEL素子の断
面を図解的に示したもので、ある。 l:透明電極     2;発光層 3;背面電板     4;発光性化合物4′;ドナー
     5:発光性化合物6;発光性化合物   6
′;アクセプタ=7;シールガラス   8;シリコン
絶縁油9;ガラス板 第1図 第2図 4′ 第3図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 3層積層構造の発光層と、該発光層を挟持する少なくと
    も1層が透明である2層の電極層からなるEL素子にお
    いて、上記の第1の発光層が、電気的発光性有機化合物
    (A)と化合物(A)に対して相対的に電子供与性の少
    なくとも1種の有機化合物からなる単分子膜またはその
    累積膜からなり、第2の発光層が、上記電気的発光性有
    機化合物(A)または化合物(A)と同様な電気的陰性
    度の電気的発光性化合物からなる単分子膜またはその累
    積膜からなり、且つ第3層が、上記電気的発光性有機化
    合物(A)または化合物(A)と同様な電気的陰性度の
    電気的発光性化合物と化合物(A)に対し相対的に電子
    受容性である少なくとも1種の有機化合物からなる分子
    堆積膜からなることを特徴とする上記EL素子。
JP59167893A 1984-08-13 1984-08-13 El素子 Pending JPS6147781A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8601833B2 (en) 2007-10-19 2013-12-10 Air Products And Chemicals, Inc. System to cold compress an air stream using natural gas refrigeration

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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