JPS6144977A - El素子 - Google Patents

El素子

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JPS6144977A
JPS6144977A JP16561484A JP16561484A JPS6144977A JP S6144977 A JPS6144977 A JP S6144977A JP 16561484 A JP16561484 A JP 16561484A JP 16561484 A JP16561484 A JP 16561484A JP S6144977 A JPS6144977 A JP S6144977A
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JP
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layer
film
light
layers
emitting layer
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JP16561484A
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Inventor
Takeshi Eguchi
健 江口
Harunori Kawada
河田 春紀
Yukio Nishimura
征生 西村
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、電気的な発光、すなわちELを用いたEL素
子に関し、更に詳しく、は、発光層が3層構造からなり
、中間の第2層が、隣接する他の層に対して相対的に電
気陰性度が異なる少なくとも1種の電気的発光性有機化
合物を、高秩序の分子配向性をもって配列させた薄膜か
らなるEL素子に関する。
(従来の技術) 従来のEL素子は、MnあるいはCuまたはRe F3
(Re ;希土類イオン)等を付活剤として含むZnS
を発光母材とする発光層からなるものであり、該発光層
の基本構造の違いにより粉末型ELと薄膜型ELに大き
く構造的に分類される。
実用化されている素子のうち、薄[ELは、一般的に粉
末型ELに比べ輝度が高いが、薄膜ELは発光母材を基
板に蒸着して発光層を形成しているため、大面積素子の
製造が難しく、また製造コストが非常に高くなる等の欠
点を有していた。
そのため、最も量産性に富み、コスト的に薄膜型素子の
数十分の一程度ですむ有機バインダー中に発光母材、す
なわち、ZnSを分散させた粉末型ELが注目されるよ
うになった。一般的には、EL発光においては、発光層
の厚さが薄い程発光特性が良くなる。しかし、該粉末型
ELの場合は、発光母材が不連続の粉末であるため、発
光層を薄くすると、発光層中にピンホールが生じ易く、
層厚を薄くすることが困難であり、従って十分な輝度特
性が得られないという大きな欠点を持っている。近時に
おいても、該粉末型ELの発光層内にフッ化ビニリデン
系重合体から成る中間誘電体層を配置した改良型素子が
、特開昭58−172891号公報に示されているが、
未だ発光輝度、消費電力等に十分な性能を得るにいたっ
ていない。一方、最近、有機材料の化学構造や高次構造
を制御して、新しくオプティカルおよびエレクトロニク
ス用材料とする研究開発が活発に行なわれ、EC素子、
圧電性素子、焦電性素子、非線計光学素子、強誘電性液
晶等、金、属、無機材料に比肩し得るか、またはそれら
を凌駕する有機材料が発表されている。このように、無
機物を凌ぐ新しい機能素材としての機能性有機材料の開
発が要望される中で、分子内に親木基と疎水基を持つア
ントラセン誘導体やピレン誘導体の単分子層の累積膜を
電極基板上に形成したEL素子が特開昭52−3558
7号公報に提案されている。しかし、それらのEL素子
は、その輝度、消費電力等、現実のEL素子として十分
な性能を得るに至っておらず、更に、該有機EL素子の
場合、キャリア電子あるいはホールの密度が非常に小さ
く、キャリアの再結合等による機能分子の励起確率が非
常に小さくなり、効率の良い発光が期待できないもので
ある。
(発明の開示) 従って1本発明の目的は、上述のような従来技術の欠点
を解消して、低電圧駆動でも十分輝度の高い発光が得ら
れ、安価で、且つ製造が容易なEL素子を提供すること
である。
上記本発明の目的は、EL素子の発光層を、特定の材料
を組合せて、且つ特定の構成に形成することにより達成
された。
すなわち、本発明は、3層積層構造の発光層と、該発光
層を挟持する少なくとも1層が透明である2層の電極層
からなるEL素子において、上記第1および第3の発光
層が、第2の発光層に対して相対的に電子供与性の少な
くとも1種の電気的発光性有機化合物からなる分子堆積
膜からなり、且つ第2の発光層が第1および第3の発光
層に対して相対的に電子受容性の少なくとも1種の電気
的発光性有機化合物からなる単分子膜またはその累積膜
からなることを特徴とする上記EL素子である。
本発明の詳細な説明すると1本発明において使用し、主
として本発明を特徴づける電気的発光性有機化合物とは
、高い発光量子効率を有し、更に外部摂動を受は易いπ
電子系を有し、電気的な励起が可能な化合物であり、例
えば、基本的には、縮合多環芳香族炭化水素、p−ター
フェニル。
2.5−ジフェニルオキサゾール、1.4−ビス(2・
−メチルスチリル)−ベンゼン、キサンチン、クマリン
、アクリジン、シアニン色素、ベンゾフェノン、フタロ
シアニンおよびその金属錯体、ポルフィリンおよびその
金属錯体、8−ヒドロキシキノリンとその金属錯体、有
機ルテニウム錯体、有機稀土類錯体およびこれらの化合
物の誘導体等を挙げることができる。更に上記化合物に
対して電子受容体または電子供与体となり得る化合物と
しては、前記以外の複素環式化合物およびそれらの誘導
体、芳香族アミンおよび芳香族ポリアミン、キノン構造
をもつ化合物、テトラシアノキノジメタンおよびテトラ
シアノエチレン等を挙げることができる。
本発明において、第1および第3の発光層を形成するた
めに有用な化合物は、上記の如き電気的発光性化合物か
ら選択して使用する。
本発明において、第2の発光層を形成するために有用な
化合物は、上記の如き電気的発光性化合物を必要に応じ
て公知の方法で化学的に修飾し、その構造中に少なくと
も1個の疎水性部分と少なくとも1個の親水性部分(こ
れらはいずれも相対的な意味においてである。)を併有
させるようにした化合物であり、例えば下記の一般式(
I)で表わされる化合物およびその他の化合物を包含す
る。
[(X−R,猛Z]、−φ−R2(I )上記式中にお
けるXは、水素原子、ハロゲン原子、アルコキシ基、ア
ルキルエーテル基、ニトロ基:カルポキシル基、スルホ
ン酸基、リン酸基。
ケイ酸基、第1〜3アミノ基;これらの金属塩、1〜3
級アミン塩、酸塩;エステル基、スルホアミド基、アミ
ド基、イミノ基、4級アミノ基およびそれらの塩、水酸
基等であり;R導度素数4〜30、好ましくは10〜2
5個のアルキル基、好ましくは直鎖状アルキル基であり
:mは1または−S O2N R?、−co−1−co
o−等の如き連結基(R3は水素原子、アルキル基、ア
リール等の任意の置換基である)であり;φは後に例示
する如き電場発光性化合物の残基であり;R2はXと同
様に、水素原子またはその他の任意の置換基であり11
個または複数のX、φおよびR2のうち少なくとも1個
は親水性部分であり、且つ少なくとも1個は疎水性部分
である。
第1および第3層の形成に有用な化合物の基本骨格およ
び第2層の形成に有用である一般式(I’)の化合物の
φとして好ましいもの、およびその他の化合物を例示す
れば、以下の通りである。(但し、以下に例示する基本
骨格(φ)は、炭素数1〜4のアルキル基、アルコキシ
基、アルキルエーテル基、ハロゲン原子、ニトロ基、第
1〜3級アミン基、水酸基、カルボアミド基、スルフオ
アミド基等の一般的な置換基を有し得る。)(以  下
  余  白   ) Z−NHlo、S    Z=CO,NHZ=CO,N
H,O,5Z=NH10,5 Z=NH,O,S           Z=NH,O
,SZ= S、  Se     Z= S、 Se 
      Z−S、 S、eZ=NH,O,S   
Z=NH,QS  Z=NH,0、SM−Mg t Z
 n 、S n * AZCZ    M =Hz 、
Be t Mg 、Ca 、CdSn、AtC1% Y
bCI M= Er、 Tm Sm、 Eu、 Tb、    
Z= 01Nffiu M−AムGa、Ir、Ta、a=3    M=Er、
Sm、EuM=Znt Cd、 Mg、 pb、 a=
2     Gdi Tbt DyTm、Yb M=Er、Sm、Eu、Gd     M=Er、Sm
、EuTb、 Dy、 Tm、 Yb      Gd
、 Tb、 DyTm、Yb Z””Ox sl Se  05162以上の如き発光
性化合物は、本発明における各々の発光層において単独
でも混合物としても使用できる。なお、これらの化合物
は好ましい化合物の例示であって、同一目的が達成され
る限り、他の誘導体または他の化合物でも良いのは当然
である。
本発明においては、上記の如き発光性化合物をそれらの
電気的陰性度に応じて、本発明のEL素子の第1〜第3
の発光層に分けて使用して発光層を3層の積層構造とし
たことを特徴としている。
すなわち、上記の如き発光性化合物は、それぞれ電気陰
性度が異なるから、1種のまたは複数の前記化合物を第
1および第3の発光層を形成するための発光性化合物と
して採用したときには、これら採用した発光性化合物と
は、その電気的陰性度の異なる前記発光性化合物を第2
の発光層形成用化合物として選択すれば良い、このよう
な発光性化合物のなかで、電子供与性のものとして特に
好ましい化合物は、第1−第3級アミ7基、水酸基、ア
ルコキシ基、アルキルエーテル基等の電子供与性基を有
するもの、あるいは窒素へテロ環化合物が主たるもので
あり、また電子受容性のものとしては、カルボニル基、
スルホニル基、ニトロ基、第4級アミン基等の電子吸引
性基を有する化合物が主たるものである。このような発
光性化合物は本発明において、それぞれの発光層におい
ては単独または複数の混合物として使用することができ
る。
本発明のEL素子を形成する他の要素、すなわち2層の
電極層は、発光層を挟持するものであって、従来公知の
ものはいずれも使用できるが、少なくともその1層は透
明性である必要がある。透明電極としては、従来同様目
的の透明電極層がいずれも使用でき、好ましいものとし
ては、例えばポリメチルメタクリレート、ポリエステル
等の透明な合成樹脂、ガラス等の如き透明性フィルムあ
るいはシートの表面に酸化インジウム、酸化錫、インジ
ウム−チン−オキサイド(ITo)等の透明導電材料を
全面にあるいはパターン状に被覆したものである。一方
の面に不透明電極を使用する場合は、これらの不透明電
極も、従来公知のものでよく、一般的且つ好ましいもの
は、厚さが約0.1〜O゛、3JLmのアルミニウム、
銀、金等の蒸着膜である。また透明電極あるいは不透明
電極の形状は、板状、ベルト状、円筒状等任意の形状で
よく、使用目的に応じて選択することができる。また、
透明電極の厚さは、約0.01〜0゜2pm程度が好ま
しく、この範囲以下の厚さでは、素子自体の物理的強度
や電気的性質が不十分となり、また上記範囲以上の厚さ
では透明性や軽量性、小型性等に問題が生じるおそれが
ある。
本発明のEL素子は、上記の如き2層の電極層の間に、
前述の如き相対的に電気陰性度の異なる電気的発光性化
合物を別々に用いて3層からなる発光層を形成すること
により得られるものであり、形成された3層構造の発光
層の内、第1および第3層が、分子堆積膜であり、且つ
第2層が、高秩序の分子配向性をもって配列した単分子
膜あるいはその累積膜であることを特徴としている。
本発明において、第1および第3層の発光層を構成する
分子堆積膜を形成する方法として、特に好ましい方法は
、抵抗加熱蒸着法やCVD法であり、例えば、蒸着法で
は、第1および第3の発光層として、それぞれ5ooi
程度の薄膜が形成できる。
例えば、抵抗加熱蒸着法による場合は、材料を真空槽中
に置いたタングステンボードに入れ、基板から30c+
s以上はなし、抵抗加熱し、昇華性のものは昇華温度に
設定し、溶融性のものは融点以上の温度に設定して蒸着
する。前真空度は、?×10  Torr以下にし、蒸
着前にシャッターでふさぎ、ポートを加熱し2分はど空
とばしした後、シャフタ−を開いて蒸着する。
蒸着中の速度は、水晶振動子の膜厚モニターで測定しな
がら行なうが、好適な速度としては0゜I A/see
 〜100 A/seeの間で行なう。その際の真空度
は酸化などを防ぐために、10〜’ Torr以下、好
ましくは10” Tart程度になるように保つことに
より行なう。
本発明において、第2の発光層を構成する単分子膜ある
いはその累積膜を形成する方法として、特に好ましい方
法は、ラングミュア・プロジェット法(LB法)である
。このLB法は、分子内に親水性基と疎水性基とを有す
る構造の分子において、両者のバランス(両親媒性のバ
ランス)が適度に保たれているとき、分子は水面上で、
親水性基を下に向けて単分子の層になることを利用して
、単分子膜またはその累積膜を形成する方法である。具
体的には水層上に展開した単分子膜が、水相上を自由に
拡散して広がりすぎないように、仕切板(または浮子)
を設けて展開面積を制限して膜物質の集合状態を制御し
、表面圧を徐々に上昇させ、単分子膜あるいはその累積
膜の製造に適する表面圧を設定する。この表面圧を維持
しながら静かに清浄な基板を垂直に上昇または降下させ
ることにより、単分子膜が基板上に移しとられる。単分
子膜は以上で製造されるが、単分子膜の累積膜は前記の
操作を繰り返すことにより所望の累積度の累積膜として
形成される。
単分子膜を基板上に移すには、上述した垂直浸漬法の他
、水平付着法、回転円筒法などの方法によっても可能で
ある。水平付着法は基板を水面に水平に接触させて移し
とる方法で、回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回
転させて単分子膜を基体表面に移しとる方法である。前
述した垂直浸漬法では、表面が親水性の基板を水面を横
切る方向に水中から引き上げると分子の親水性基が基板
側に向いた単分子膜が基板上に形成される。前述のよう
に基板を」二下させると、各行程ごとに1枚ずつ単分子
膜が重なっていく。成膜分子の向きが引き上げ行程と浸
漬行程で逆になるので、この方法によると各層間は分子
の親水性基と親水性基、分子の疎水性基と疎水性基が向
かい合うY型膜が形成される。それに対し、水平付着法
は、基板を水面に水平に接着させて移しとる方法で、分
子の疎水性基が基板側に向いた単分子膜が基板上に形成
される。この方法では、単分子膜を累積しても、成膜分
子の向きの交代はなく、全ての層において、疎水性基が
基板側に向いたX型膜が形成される。反対に全ての層に
おいて親木性基が基板側に向いた累積膜はZ型膜と呼ば
れる。回転円筒法は、円筒法の基体水面上をi転させて
単分子膜を基体表面に移しとる方法である。単分子膜を
基板上に移す方法は、これらに限定されるわけでなく、
即ち、大面積基板を用いる時には、基板ロールから氷層
中に基板を押し出していく方法などもとり得る。また、
前述した親水性基、疎水性基の基板への向きは原則であ
り、基板の表面処理等によって変えることができる。
本発明のEL素子は、前述の如き発光層形成用材料を、
好ましくは上述の如き分子堆積膜法およびLB法により
、前述の如き2層の電極層の間に′それぞれ電気陰性度
の異なる化合物から、3層構造として形成することによ
って得られるものである。
従来の技術の項で述べた通り、LB法によりEL素子を
形成することは公知であるが、該公知の方法では、十分
な性能のEL素子が得られず、本発明者は、種々研究の
結果、発気層を3層構造とし、両性側の電極層に接触す
る第1および第3層の発光層を、前述の如き第2層に対
、シ、て電気陰性度の異なる化合、物を用いて分子樵積
膜として形成し、且つ第2層を単分子膜あるいはその累
積膜として形成することにより、従来技術のEL素子の
性能−が著しく向上することを知見したものである。
本発明の1つの重要な態様゛は、第2の発光層が、前記
発光性材料からなる単分子膜である態様である。この態
様のEL素子は、まず最初に、中間層として形成すべき
第2層に対して相対的に電子供与性である材料を、前記
の如き分子堆積膜法により、一方の一極層、好ましくは
透明電極層上に形成し、次いで、その表面に第1および
第3層′に対して相対的に電子受容性の前記化合物を、
適当な有機溶剤、例えばクロロホルム、ジクロロメタン
、ジクロロエタン等中に約l10−4−1d2程度の濃
度に溶解し、該溶液を、各種の金属イオンを含有しても
よい適当なpH(例えば、pH約1〜8 )の水相上に
展開させ、溶剤を蒸発除去して単分子膜を形成し、前述
の如くのLB法で、一方の電極基板上に移し取って第2
層とし、十分に乾燥し、次いで該第2層の表面に、上記
と同様にして第2層に対して相対的に電子供与性の化合
物から第3層を形成し、最後に1例えばアルミニウム、
銀、金等の電極材料を、好まルくは蒸着等により蒸着さ
せて背面電極層を形成することによって得られる。
このようにして得られたEL素子3層からなる発光層の
厚さは、使用した材料の種類によって異なるが、一般的
には3層の合計で約0.01pLm〜1の厚さが好適で
ある。
また、別の重要な態様は、本発明のEL素子の発光層を
構成する第2層が、上記の単分子膜の累積膜である態・
様である。該態様は、前記の分子堆積法およびLB法を
用いることにより、上記の如き分子堆積膜を形成し、且
つ単分子膜を種々の方法で必要な暦数まで累積すること
によって行なわれや・ このゝようにして得られるEL素子の発光層の第2層の
厚さ、すなわち単分子膜の累積数は、任意に変更するこ
とができるが、本発明においては、約4〜150の累積
数が好適であり、3層の全体としては、約0.02〜1
4mの厚さが好適である。
なお、基板として使用する一方の電極層あるいは両方の
電極層と発光層との接着は、分子堆積法においては十分
に強固なものであり、発光層が剥離したり剥落したりす
ることはない示、接着力を強化する目的で、基板表面を
あらかじめ処理しておいたり、あるいは基板と発光層と
の間に適当な接着剤層を設けてもよい。また、第1およ
び第3層と第2層との接着強度は、LB法における発光
層の形成用材料や使用する水層のpH、イオン種、水温
、単分子膜の転移速度あるいは単分子膜の表面圧等の種
々の条件を調節によって強化することができる。
以上の如くして形成されたEL素子は、そのままでは空
気中の湿気や酸素の影響でその性能が劣化することがあ
るので、従来公知の手段で耐湿、耐酸素性の密封構造と
するのが望ましい。
以上の如き本発明のEL素子は、その発光層の構造が、
超薄膜であり、且つ電極層に面する第2層が、EL素子
の作動上必要な高度の分子秩序性と機能を有しており、
優れた発光性能を有するものである。
更に、本発明のEL素子の発光層は、第1図に図解的に
示すように、従来技術の単一層からなる発光層とは異な
り、第2図に図解的に示すように、第1〜第3の発光層
とが均一な界面を有して夫々積層されているので、それ
らの電気陰性度の異なる3層間での各種相互作用が極め
て容易であり、従来技術では達成しえない程度の優れた
発光性能を発揮するものである。すなわち、第1〜第3
の発光層との電気陰性度の差等を種々変更することによ
って、発光強度を向上させたり、あるいは発光色を任意
に変更でき、また、その耐用寿命も著しく延長させるこ
とができる。
更に、従来技術では、発光性が優れているが、成膜性や
膜強度が不十分な材料は実質上使用できなかったが、本
発明においては、このような成膜性や膜強度が劣るが、
発光性に優れた材料でも、少なくとも1層に成膜性に優
れた材料を使用することによって、発光性、成膜性およ
び膜強度のいずれもが優れた発光層を得ることができる
以上の本発明のEL素子は、その発光層に好適な電界等
の電気エネルギーが作用するように、電極層間に、交流
またはパルスあるいは直流電流等の電気エネルギーを印
加することにより、優れたEL全発光示すものである。
次に実施例をあげて本発明を更に具体的に説明する。な
お、文中部とあるのは重量基準である。
実施例1 50mm角のガラス板の表面上にスパッタリング法によ
り膜厚1500λのITO層を蒸着して、透明電極を形
成した。
次に、抵抗加熱蒸着装置を用いて、上記透明電極基板上
に、カルバゾール(A)(mP、245℃)およびイミ
ダゾール(、B)  (mp 、 146)を500人
の膜厚に蒸着させて第1層とした。この蒸着は、蒸着槽
を一度10”” Torrの真空度まで減圧し、抵抗加
熱ボード(Mo)の温度を徐々に上げてゆき、それぞれ
245℃、146℃の温度に一定に保ち、更に、排気速
度を調整して、真空度を9X 10 ’ Torrに保
ち、蒸着速度5λ/SeCとなるように、それぞれのボ
ードに流れる電流を調節して蒸着膜を形成した。蒸着時
の真空度は、9 X 10−’ T orrであった。
また、・基板ホルダーの温度は、20℃の水を循環させ
て一定に保った。
次ぎに、 CD を1:1のモル比で溶解したクロロホルム溶液(10−
3mol 7文)を、pH6−5に調整されたJoyc
e −Loebe1社製ノLangmuir −Tro
ugh 4の水相上に展開させた。溶媒のクロロホルム
を蒸発除去後、表面圧を高めて(30dyne/ c 
rn’) 、上記の混合分子を膜状に析出させた。その
後、表面圧を一定に保ちながら、上記で化合物Aを既に
蒸着させである基板を、水面を横切る方向に静かに上下
させ(上下速度2 cts/ min ) 、混合単分
子膜を基板上に移し取り、混合単分子膜のみ、8層に累
積した混合単分子累積膜を作成して第2層とした。
この累積行程において、該基板を水槽から引きあげる都
度、30分間以上放置して基板に付着している水分を蒸
発除去した。
次に、上記第1層の形成と同様にして、上記で形成した
第2層上に、カルバゾールおよびイミダゾールを膜厚5
00人に蒸着して第3層を形成した。
最後に、上記のように形成された薄膜を有する基板を蒸
着槽に入れて、核種を一度10’−’ Torrの真空
度まで減圧した後、真空度LO−”Torrに調整して
蒸着速度20λ/secで、1500人の膜厚でAIを
該薄膜上に蒸着して背面電極とした。作成されたEL素
子を図3に例示したように、シールガラスでシールした
のち、従来方法に従って、精製および脱気、脱水された
シリコンオイルをシール中に注入して、本i、1.明の
2個のEL発光セルを形成した。これらのEL発光セル
に20V、50Hzの交流電圧を印加したところ、第2
層が単分子膜であるときは、電流密度0 、17mA/
 crn”で輝度1.8ft−LのEL全発光観察され
、第2層が累積膜であるときは、電流密度0.13aA
/CrrI′テ輝度22.7ft−LのEL全発光観察
された。
上記の本発明のEL素子は、従来例のZnSを発光母体
としたEL素子と比較し、駆動電圧が低く、発光輝度特
性の良いEL素子であった。
比較例1 実施例1において、発光性化合物として化合物Cのみを
使用し、且つ単一層にしたことを除いて、他は実施例1
と同様にして比較用のEL素子を得、且つ実施例1と同
様に評価したところ、電流密度0 、08 m A /
 Cm″で輝度1ft−L以下であった・ 実施例2 実施例1における化合物AおよびCに代えて、下記化合
物EおよびFを使用し、 E        F 他は実施例1と同様にして、本発明のEL素、子(但し
、第2層の累積数は8)を得、実施例1と同一条件で評
価したところ、電流密度0.08璽A/crn’で、輝
度(Ft−L)は24.0であった。
【図面の簡単な説明】
第1図は、従来技術のLB法によるEL素子を図解的に
示したものであり、第2図は、本発明のEL素子を図解
的に示したものであり、第3図は本発明のEL素子の断
面を図解的に示したものである。 1;透明電極     2:発光層 3:背面電極     4;発光性化合物5;発光性化
合物   6;発光性化合物     □7;シールガ
ラス   8;シリコン絶縁油9、;ガラス板

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 3層積層構造の発光層と、該発光層を挟持する少なくと
    も1層が透明である2層の電極層からなるEL素子にお
    いて、上記の第1および第3の発光層が、第2の発光層
    に対して相対的に電子供与性の少なくとも1種の電気的
    発光性有機化合物からなる分子堆積膜からなり、且つ第
    2の発光層が第1および第3の発光層に対して相対的に
    電子受容性の少なくとも1種の電気的発光性有機化合物
    からなる単分子膜またはその累積膜からなることを特徴
    とする上記EL素子。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63264692A (ja) * 1987-03-02 1988-11-01 イーストマン・コダック・カンパニー 改良薄膜発光帯をもつ電場発光デバイス
US6901031B2 (en) 2001-10-15 2005-05-31 Hamamatsu Photonics K.K. Stroke information measuring instrument and stroke information measuring method
US7447336B2 (en) 2001-05-30 2008-11-04 Hamamatsu Photonics K.K. Stroke information measuring apparatus and stroke information measuring method

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