JP2001297880A - 近赤外発光素子 - Google Patents
近赤外発光素子Info
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 18
- 239000000990 laser dye Substances 0.000 claims description 17
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 claims description 10
- 239000000975 dye Substances 0.000 claims description 9
- -1 polyparaphenylene vinylene Polymers 0.000 claims description 7
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 5
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 claims description 4
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 27
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 27
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 4
- 238000004040 coloring Methods 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 8
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 6
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 5
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 238000001194 electroluminescence spectrum Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 3
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical compound C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Natural products CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004427 diamine group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 作製が容易で電流注入により駆動可能な近赤
外領域の発光素子を得る。 【解決手段】 有機高分子薄膜と、該有機高分子薄膜に
正孔及び電子を注入するための二つの電極を備えた発光
素子において、前記有機高分子薄膜は、近赤外レーザ色
素を含む近赤外発光素子である。
外領域の発光素子を得る。 【解決手段】 有機高分子薄膜と、該有機高分子薄膜に
正孔及び電子を注入するための二つの電極を備えた発光
素子において、前記有機高分子薄膜は、近赤外レーザ色
素を含む近赤外発光素子である。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、近赤外発光素子に
関し、特に、作製が容易で電流駆動が可能な近赤外波長
帯(例えば、シリコンとのハイブリッド化が可能な0.
9μmより長波長帯)の新規な発光素子に適用して有効
な技術に関するものである。
関し、特に、作製が容易で電流駆動が可能な近赤外波長
帯(例えば、シリコンとのハイブリッド化が可能な0.
9μmより長波長帯)の新規な発光素子に適用して有効
な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】有機薄膜層を用いた電流駆動が可能な発
光素子としては、真空蒸着法により形成した有機低分子
材料の多層薄膜(例えば、アプライド・フィジックス・
レターズ、51巻、913ページ、1987年、参照)
やスピンコート法などの湿式プロセスにより形成した共
役高分子薄膜(例えば、ネイチャー、347巻、539
ページ、1990年、参照)から成る可視波長帯の有機
エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子と
略記する)が広く知られており、日欧米を中心に現在デ
ィスプレイヘの実用化に向けた活発な取り組みがなされ
ている。一方、最近になって、シリコン基板への微細加
工により形成された数百nmオーダの周期構造を持つシ
リコン系フォトニック結晶の応用として光導波路などの
受動素子や発光素子などの能動素子の研究が盛んになっ
ている。シリコン系フォトニック結晶に形成される数百
nmオーダの周期構造の例としては、シリコン基板に直
径数百nmの穴を数百nm間隔で二次元的に形成したも
のが挙げられる。この場合、シリコン基板に形成された
直径数百nmの特定の穴に発光材料を充填し、これに電
流を注入することにより発光素子を実現する。
光素子としては、真空蒸着法により形成した有機低分子
材料の多層薄膜(例えば、アプライド・フィジックス・
レターズ、51巻、913ページ、1987年、参照)
やスピンコート法などの湿式プロセスにより形成した共
役高分子薄膜(例えば、ネイチャー、347巻、539
ページ、1990年、参照)から成る可視波長帯の有機
エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子と
略記する)が広く知られており、日欧米を中心に現在デ
ィスプレイヘの実用化に向けた活発な取り組みがなされ
ている。一方、最近になって、シリコン基板への微細加
工により形成された数百nmオーダの周期構造を持つシ
リコン系フォトニック結晶の応用として光導波路などの
受動素子や発光素子などの能動素子の研究が盛んになっ
ている。シリコン系フォトニック結晶に形成される数百
nmオーダの周期構造の例としては、シリコン基板に直
径数百nmの穴を数百nm間隔で二次元的に形成したも
のが挙げられる。この場合、シリコン基板に形成された
直径数百nmの特定の穴に発光材料を充填し、これに電
流を注入することにより発光素子を実現する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、シリコ
ン系フォトニック結晶を用いた発光素子の実現には、シ
リコンが強い吸収を有しない0.9μmより長波長帯の
発光を示す発光材料を数百nmオーダーの大きさを有す
る特定の穴に充填してハイブリッド化し、電流注入によ
り発光させることが必要である。しかし、近赤外発光素
子として広く用いられている半導体材料をこのような微
細構造中に充填することは、極めて困難である。一方、
スピンコート法などの湿式プロセスにより充填が容易な
有機材料においては、主としてディスプレイヘの応用を
目的としているため発光波長領域が可視波長帯に限られ
ていた。本発明の目的は、作製が容易で電流注入により
駆動可能な近赤外領域の発光素子を提供することにあ
る。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴
は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにす
る。
ン系フォトニック結晶を用いた発光素子の実現には、シ
リコンが強い吸収を有しない0.9μmより長波長帯の
発光を示す発光材料を数百nmオーダーの大きさを有す
る特定の穴に充填してハイブリッド化し、電流注入によ
り発光させることが必要である。しかし、近赤外発光素
子として広く用いられている半導体材料をこのような微
細構造中に充填することは、極めて困難である。一方、
スピンコート法などの湿式プロセスにより充填が容易な
有機材料においては、主としてディスプレイヘの応用を
目的としているため発光波長領域が可視波長帯に限られ
ていた。本発明の目的は、作製が容易で電流注入により
駆動可能な近赤外領域の発光素子を提供することにあ
る。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴
は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにす
る。
【0004】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明の概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。 (1)有機高分子薄膜と、該有機高分子薄膜に正孔及び
電子を注入するための二つの電極を備えた発光素子にお
いて、前記有機高分子薄膜は、近赤外レーザ色素を含む
近赤外発光素子である。
発明の概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。 (1)有機高分子薄膜と、該有機高分子薄膜に正孔及び
電子を注入するための二つの電極を備えた発光素子にお
いて、前記有機高分子薄膜は、近赤外レーザ色素を含む
近赤外発光素子である。
【0005】(2)前記(1)の近赤外発光素子におい
て、前記近赤外レーザ色素は、シアニン系ポリメチン色
素及びスチリル系ポリメチン色素から成る群から選択さ
れる(シアニン系ポリメチン色素、スチリル系ポリメチ
ン色素のいずれかである)レーザ色素を含むものであ
る。
て、前記近赤外レーザ色素は、シアニン系ポリメチン色
素及びスチリル系ポリメチン色素から成る群から選択さ
れる(シアニン系ポリメチン色素、スチリル系ポリメチ
ン色素のいずれかである)レーザ色素を含むものであ
る。
【0006】(3)前記(1)または(2)の近赤外発
光素子において、前記有機高分子薄膜は、ポリビニルカ
ルバゾール、ポリチオフェン、ポリパラフェニレンビニ
レン、ポリシランから成る群から選択される(ポリビニ
ルカルバゾール、ポリチオフェン、ポリパラフェニレン
ビニレン、ポリシランのいずれかである)。
光素子において、前記有機高分子薄膜は、ポリビニルカ
ルバゾール、ポリチオフェン、ポリパラフェニレンビニ
レン、ポリシランから成る群から選択される(ポリビニ
ルカルバゾール、ポリチオフェン、ポリパラフェニレン
ビニレン、ポリシランのいずれかである)。
【0007】(4)前記(1)乃至(3)のいずれか1
つの近赤外発光素子において、前記有機高分子薄膜層
は、電子輸送材料をさらに含む。
つの近赤外発光素子において、前記有機高分子薄膜層
は、電子輸送材料をさらに含む。
【0008】(5)前記(4)の近赤外発光素子におい
て、前記電子輸送材料は、オキサジアゾール系低分子及
びジフェニノキノン系低分子から成る群から選択される
(オキサジアゾール系低分子及びジフェニノキノン系低
分子いずれかである)材料を含む。
て、前記電子輸送材料は、オキサジアゾール系低分子及
びジフェニノキノン系低分子から成る群から選択される
(オキサジアゾール系低分子及びジフェニノキノン系低
分子いずれかである)材料を含む。
【0009】以下に、本発明について、本発明による実
施形態(実施例)とともに図面を参照して詳細に説明す
る。
施形態(実施例)とともに図面を参照して詳細に説明す
る。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明者らは、有機材料がスピン
コート法などの湿式プロセスにより、直径数百nmオー
ダの微細構造とのハイブリッド化が容易であることに着
目し、いろいろな近赤外レーザ色素について、高分子へ
の溶解性、発光波長、電流注入による発光の可否などに
ついて鋭意検討した。その結果、いくつかのレーザ色素
において、電流注入による近赤外発光素子を実現するこ
とができた。
コート法などの湿式プロセスにより、直径数百nmオー
ダの微細構造とのハイブリッド化が容易であることに着
目し、いろいろな近赤外レーザ色素について、高分子へ
の溶解性、発光波長、電流注入による発光の可否などに
ついて鋭意検討した。その結果、いくつかのレーザ色素
において、電流注入による近赤外発光素子を実現するこ
とができた。
【0011】図1は、本発明による一実施形態の近赤外
発光素子の概略構成を示す断面図である。本実施形態の
近赤外発光素子は、図1に示すように、近赤外波長帯で
透明な基板1の上に正孔注入電極2、有機高分子薄膜
3、電子注入電極4が順に積層された構造を有してい
る。前記有機高分子薄膜3は、発光層と正孔注入層また
は電子注入層を分離させた二層以上の多層構造を有して
もよい。
発光素子の概略構成を示す断面図である。本実施形態の
近赤外発光素子は、図1に示すように、近赤外波長帯で
透明な基板1の上に正孔注入電極2、有機高分子薄膜
3、電子注入電極4が順に積層された構造を有してい
る。前記有機高分子薄膜3は、発光層と正孔注入層また
は電子注入層を分離させた二層以上の多層構造を有して
もよい。
【0012】前記透明基板1としては、近赤外光をでき
るだけ透過するものが望ましい。例えば、シリコン、ガ
ラス、石英、透明サファイア、透明プラスチックなどが
挙げられる。
るだけ透過するものが望ましい。例えば、シリコン、ガ
ラス、石英、透明サファイア、透明プラスチックなどが
挙げられる。
【0013】前記正孔注入電極2としては、仕事関数の
大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及
びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましい。前
記正孔注入電極2電極物質の具体例としては、ポロン等
をドープしたp型のシリコン、金、白金などの金属、I
TO、SnO2、ZnO、Culなどの誘電性を有した
透明材料または半透明材料が挙げられる。この正孔注入
電極2より近赤外発光を取り出す場合には、透過率を1
0%より大きくすることが望ましい。また、正孔注入電
極2の電極としてのシート抵抗は、数百Ω/□以下、好
ましくは10〜30Ω/□が望ましい。さらに、膜厚は
材料にもよるが、10〜200nmの範囲で選ばれる。
大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及
びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましい。前
記正孔注入電極2電極物質の具体例としては、ポロン等
をドープしたp型のシリコン、金、白金などの金属、I
TO、SnO2、ZnO、Culなどの誘電性を有した
透明材料または半透明材料が挙げられる。この正孔注入
電極2より近赤外発光を取り出す場合には、透過率を1
0%より大きくすることが望ましい。また、正孔注入電
極2の電極としてのシート抵抗は、数百Ω/□以下、好
ましくは10〜30Ω/□が望ましい。さらに、膜厚は
材料にもよるが、10〜200nmの範囲で選ばれる。
【0014】前記電子注入電極4としては、仕事関数の
小さい(4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物及
びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましい。電
子注入電極4の電極物質の具体例としては、砒素やリン
等をドープしたn型のシリコン、ナトリウム、カリウム
などのアルカリ金属、マグネシウム、カルシウムなどの
アルカリ土類金属、アルミニウム、インジウム、イット
リウムの他、プラセオジム、ユーロピウム、エルビウ
ム、ネオジム、イッテルビウム、サマリウムなどの希土
類金属などが挙げられる。この電子注入電極4より近赤
外発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きく
することが望ましい。また、電子注入電極4の電極とし
てのシート抵抗は数百Ω/□以下が望ましい。
小さい(4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物及
びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましい。電
子注入電極4の電極物質の具体例としては、砒素やリン
等をドープしたn型のシリコン、ナトリウム、カリウム
などのアルカリ金属、マグネシウム、カルシウムなどの
アルカリ土類金属、アルミニウム、インジウム、イット
リウムの他、プラセオジム、ユーロピウム、エルビウ
ム、ネオジム、イッテルビウム、サマリウムなどの希土
類金属などが挙げられる。この電子注入電極4より近赤
外発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きく
することが望ましい。また、電子注入電極4の電極とし
てのシート抵抗は数百Ω/□以下が望ましい。
【0015】さらに、膜厚は材料にもよるが、好ましく
は10〜200nmの範囲で選ばれる。なお、本発明の
近赤外発光素子においては、当該正孔注入電極2または
電子注入電極4のいずれか一方が、近赤外波長帯で透明
または半透明であることが、発光の効率的な透過の観点
から好都合である。
は10〜200nmの範囲で選ばれる。なお、本発明の
近赤外発光素子においては、当該正孔注入電極2または
電子注入電極4のいずれか一方が、近赤外波長帯で透明
または半透明であることが、発光の効率的な透過の観点
から好都合である。
【0016】有機高分子薄膜3は、近赤外レーザ色素を
含有していれば何でもよいが、スピンコート法などの湿
式プロセスにより数百nmオーダーの微細構造とのハイ
ブリッド化が可能な前記レーザ色素を含む高分子層から
成ることが望ましい。
含有していれば何でもよいが、スピンコート法などの湿
式プロセスにより数百nmオーダーの微細構造とのハイ
ブリッド化が可能な前記レーザ色素を含む高分子層から
成ることが望ましい。
【0017】有機高分子薄膜3としては、(1)正孔輸
送性であること、すなわち、発光材料を分散させるマト
リックス自体が正孔輸送性であるため、別個の正孔輸送
製材料を添加する必要性がないこと。 (2)近赤外レーザ色素を濃度1wt%程度で、かつ、
電子輸送性材料を濃度10wt%以上で分子分散できる
こと。 (3)近赤外波長帯、特に、0.9μmより長い波長帯
に吸収を持たず透明であること。の特性を有することが
望ましい。具体的には、ポリビニルカルバゾール、ポリ
チオフェン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリシラン
から成る群から選択される(ポリビニルカルバゾール、
ポリチオフェン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリシ
ランのいずれかである)。
送性であること、すなわち、発光材料を分散させるマト
リックス自体が正孔輸送性であるため、別個の正孔輸送
製材料を添加する必要性がないこと。 (2)近赤外レーザ色素を濃度1wt%程度で、かつ、
電子輸送性材料を濃度10wt%以上で分子分散できる
こと。 (3)近赤外波長帯、特に、0.9μmより長い波長帯
に吸収を持たず透明であること。の特性を有することが
望ましい。具体的には、ポリビニルカルバゾール、ポリ
チオフェン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリシラン
から成る群から選択される(ポリビニルカルバゾール、
ポリチオフェン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリシ
ランのいずれかである)。
【0018】また、電子の効率的な注入を実現するた
め、有機高分子薄膜の重量を基準として濃度10wt%
以上の電子輸送材料含むことが好ましい。電子輸送材料
としては、前記高分子中に分散するものであれば何でも
良いが、具体的には、2−(4−ビフェニリル)−5−
(4−夕ーシャリーブチルフェニル)−1、3、4−オ
キサジアゾール(以下、PBDと略記する)等のオキサ
ジアゾール系や3、5−ジメチル−3’、5’−ジター
シャリーブチル−4、4’−ジフェノキノン等のジフェ
ノキノン系の低分子がある。
め、有機高分子薄膜の重量を基準として濃度10wt%
以上の電子輸送材料含むことが好ましい。電子輸送材料
としては、前記高分子中に分散するものであれば何でも
良いが、具体的には、2−(4−ビフェニリル)−5−
(4−夕ーシャリーブチルフェニル)−1、3、4−オ
キサジアゾール(以下、PBDと略記する)等のオキサ
ジアゾール系や3、5−ジメチル−3’、5’−ジター
シャリーブチル−4、4’−ジフェノキノン等のジフェ
ノキノン系の低分子がある。
【0019】また、高分子層としては、ポリメチルメタ
クリレート(PMMA)やポリスチレン(PS)などの
非機能性マトリクス高分子に、近赤外レーザ色素及び電
子輸送性材料の他、正孔輸送性材料を分散させた系を用
いることも考えられる。この場合、正孔輸送性材料は、
前記高分子中に10wt%以上の濃度で分子分散される
ことが望ましい。具体的にはさまざまなジアミン群の中
から選択される。
クリレート(PMMA)やポリスチレン(PS)などの
非機能性マトリクス高分子に、近赤外レーザ色素及び電
子輸送性材料の他、正孔輸送性材料を分散させた系を用
いることも考えられる。この場合、正孔輸送性材料は、
前記高分子中に10wt%以上の濃度で分子分散される
ことが望ましい。具体的にはさまざまなジアミン群の中
から選択される。
【0020】近赤外レーザ色素は、前記高分子中に濃度
0.1〜10wt%で分散されれば何でもよいが、具体
例としては、シアニン系やスチリル系のポリメチン色素
(波長750〜1600nm用)などの多数のレーザ色
素がある(例えば、機能性有機色素、171ページ、講
談社サイエンティフィク、1992年、参照)。この有
機高分子薄膜層3は、正孔注入電極2の上に通常50〜
300nmの厚さでスピンコーティング、ドクターブレ
ードコーティング、デイップコーティングなどの方法に
より積層される。
0.1〜10wt%で分散されれば何でもよいが、具体
例としては、シアニン系やスチリル系のポリメチン色素
(波長750〜1600nm用)などの多数のレーザ色
素がある(例えば、機能性有機色素、171ページ、講
談社サイエンティフィク、1992年、参照)。この有
機高分子薄膜層3は、正孔注入電極2の上に通常50〜
300nmの厚さでスピンコーティング、ドクターブレ
ードコーティング、デイップコーティングなどの方法に
より積層される。
【0021】次に、具体的な実施例により、本発明をさ
らに詳しく説明するが、本発明は、これらの実施例によ
りなんら限定されるものではない。
らに詳しく説明するが、本発明は、これらの実施例によ
りなんら限定されるものではない。
【0022】(実施例1)アルコールやジメチルスルフ
ォキシド等の極性溶媒中で0.9μmよりも長波長域に
レーザ発振を示すレーザ色素について、高分子への溶解
性及び高分子中での吸収スペクトルを調べた。高分子と
しては、ポリメチルメタクリレート(PMMA)及びポ
リスチレン(PS)を用い、これらの高分子に対し濃度
0.l〜1wt%でクロロホルム溶液を調整し、スピン
コートまたはキャスト法により色素分散高分子膜を作製
した。その結果、表1に示した7種類のレーザ色素が分
解することなく高分子中に分散し、0.9μmより長い
波長域に発光を有することが解った。図2にその一例と
してQ−Switch5(以下、QS5と略記する)を
PMMA中に濃度1wt%で分散させた膜の吸収スペク
トルを示す。
ォキシド等の極性溶媒中で0.9μmよりも長波長域に
レーザ発振を示すレーザ色素について、高分子への溶解
性及び高分子中での吸収スペクトルを調べた。高分子と
しては、ポリメチルメタクリレート(PMMA)及びポ
リスチレン(PS)を用い、これらの高分子に対し濃度
0.l〜1wt%でクロロホルム溶液を調整し、スピン
コートまたはキャスト法により色素分散高分子膜を作製
した。その結果、表1に示した7種類のレーザ色素が分
解することなく高分子中に分散し、0.9μmより長い
波長域に発光を有することが解った。図2にその一例と
してQ−Switch5(以下、QS5と略記する)を
PMMA中に濃度1wt%で分散させた膜の吸収スペク
トルを示す。
【0023】
【表1】 ここで、有機高分子物質の蛍光スペクトルは.最も低エ
ネルギー側に位置する吸収帯と鏡像関係にあることが知
られており、吸収スペクトルの測定により蛍光スペクト
ルの位置を類推することができる。
ネルギー側に位置する吸収帯と鏡像関係にあることが知
られており、吸収スペクトルの測定により蛍光スペクト
ルの位置を類推することができる。
【0024】(実施例2)ガラス基板1の上にITOを
厚さ100nmで形成したものを正孔注入電極2とし
た。正孔注入電極2が形成された前記ガラス基板1を界
面活性剤中で10分間超音波洗浄を行い、よくイオン交
換水で洗浄した後、順にアセトン、イソプロピルアルコ
ール中でそれぞれ20分間超音波洗浄を行った。正孔注
入電極2が形成された前記ガラス基板1の上に乾燥後直
ちに、表1に記載のレーザ色素であるQS5(PVKに
対し、濃度1wt%)、電子輸送材料であるPBD(P
VKに対し、濃度30wt%)及びPVKを溶解したク
ロロホルム溶液をスピンコートし、厚さ200nmの薄
膜を作製した。このサンプルを真空蒸着装置内にいれ、
真空度4×10-6Torr、蒸着速度3nm/sでAl電
極(厚さ200nm)を作製した。このように作製した
素子を第1素子と呼ぶ。この第1素子をヘリウムガス雰
囲気の試料室に入れ、ソースメジャーユニットと光電子
増倍管を用いて電流−電圧−電界発光強度特性を、分光
器とマルチチャンネル検出器を用いてELスペクトルを
測定した。図3に前記第1素子の電流−電圧−電界発光
強度特性を示す。また、第1素子のELスペクトルは、
QS5の蛍光スペクトルと一致し、QS5は電流注入に
より0.9μmよりも長波長帯に発光することが解っ
た。
厚さ100nmで形成したものを正孔注入電極2とし
た。正孔注入電極2が形成された前記ガラス基板1を界
面活性剤中で10分間超音波洗浄を行い、よくイオン交
換水で洗浄した後、順にアセトン、イソプロピルアルコ
ール中でそれぞれ20分間超音波洗浄を行った。正孔注
入電極2が形成された前記ガラス基板1の上に乾燥後直
ちに、表1に記載のレーザ色素であるQS5(PVKに
対し、濃度1wt%)、電子輸送材料であるPBD(P
VKに対し、濃度30wt%)及びPVKを溶解したク
ロロホルム溶液をスピンコートし、厚さ200nmの薄
膜を作製した。このサンプルを真空蒸着装置内にいれ、
真空度4×10-6Torr、蒸着速度3nm/sでAl電
極(厚さ200nm)を作製した。このように作製した
素子を第1素子と呼ぶ。この第1素子をヘリウムガス雰
囲気の試料室に入れ、ソースメジャーユニットと光電子
増倍管を用いて電流−電圧−電界発光強度特性を、分光
器とマルチチャンネル検出器を用いてELスペクトルを
測定した。図3に前記第1素子の電流−電圧−電界発光
強度特性を示す。また、第1素子のELスペクトルは、
QS5の蛍光スペクトルと一致し、QS5は電流注入に
より0.9μmよりも長波長帯に発光することが解っ
た。
【0025】(実施例3)前記実施例1と同様に洗浄し
た基板上に乾燥後直ちに、表1に記載のレーザ色素であ
るNK124(PVKに対し.濃度0.3wt%)、電
子輸送材料であるPBD(PVKに対し、濃度30wt
%)及びPVKを溶解したクロロホルム溶液をスピンコ
ートし、厚さ200nmの薄膜を作製した。このサンプ
ルを真空蒸着装置内に入れ、真空度2×10- 6Torr、
蒸着速度5nm/sでAl電極(厚さ:200nm)を
作製した。このように作製した素子を第2素子と呼ぶ。
次に、前記第2素子について、前記実施例1の場合と同
様に電流−電圧−電界発光強度特性とELスペクトルを
測定した。図4に前記第2素子の電流−電圧−電界発光
強度特性を示す。ELスペクトルはNK124の蛍光ス
ペクトルと一致し、NK124は電流注入により0.9
μmよりも長波長帯に発光することが解った。
た基板上に乾燥後直ちに、表1に記載のレーザ色素であ
るNK124(PVKに対し.濃度0.3wt%)、電
子輸送材料であるPBD(PVKに対し、濃度30wt
%)及びPVKを溶解したクロロホルム溶液をスピンコ
ートし、厚さ200nmの薄膜を作製した。このサンプ
ルを真空蒸着装置内に入れ、真空度2×10- 6Torr、
蒸着速度5nm/sでAl電極(厚さ:200nm)を
作製した。このように作製した素子を第2素子と呼ぶ。
次に、前記第2素子について、前記実施例1の場合と同
様に電流−電圧−電界発光強度特性とELスペクトルを
測定した。図4に前記第2素子の電流−電圧−電界発光
強度特性を示す。ELスペクトルはNK124の蛍光ス
ペクトルと一致し、NK124は電流注入により0.9
μmよりも長波長帯に発光することが解った。
【0026】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、
前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論で
ある。
前記実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、
前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論で
ある。
【0027】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
作製が容易で電流注入により駆動可能な近赤外領域の発
光素子を得ることができる。
作製が容易で電流注入により駆動可能な近赤外領域の発
光素子を得ることができる。
【図1】本発明による一実施形態の近赤外発光素子の概
略構成を示す断面図である。
略構成を示す断面図である。
【図2】本発明による実施例1のレーザ色素QS5をP
MMA中に濃度1wt%で分散させた膜の吸収スペクト
ルの一例を示す図である。
MMA中に濃度1wt%で分散させた膜の吸収スペクト
ルの一例を示す図である。
【図3】本発明による実施例2の近赤外発光素子(第1
素子)の電流−電圧−電界発光強度特性の一例を示す図
である。
素子)の電流−電圧−電界発光強度特性の一例を示す図
である。
【図4】本発明による実施例3の近赤外発光素子(第2
素子)の電流−電圧−電界発光強度特性の一例を示す図
である。
素子)の電流−電圧−電界発光強度特性の一例を示す図
である。
1…透明基板、2…正孔注入電極、3…有機高分子薄
膜、4…電子注入電極。
膜、4…電子注入電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C09K 11/06 690 C09K 11/06 690 H05B 33/22 H05B 33/22 B
Claims (5)
- 【請求項1】 有機高分子薄膜と、該有機高分子薄膜に
正孔及び電子を注入するための二つの電極を備えた発光
素子において、前記有機高分子薄膜は、近赤外レーザ色
素を含むことを特徴とする近赤外発光素子。 - 【請求項2】 前記近赤外レーザ色素は、シアニン系ポ
リメチン色素、スチリル系ポリメチン色素のいずれかの
レーザ色素を含むことを特徴とする請求項1に記載の近
赤外発光素子。 - 【請求項3】 前記有機高分子薄膜は、ポリビニルカル
バゾール、ポリチオフェン、ポリパラフェニレンビニレ
ン、ポリシランのいずれかから成ることを特徴とする請
求項1または2に記載の近赤外発光素子。 - 【請求項4】 前記有機高分子薄膜は、電子輸送材料を
さらに含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか
1項に記載の近赤外発光素子。 - 【請求項5】 前記電子輸送材料は、オキサジアゾール
系低分子、ジフェニノキノン系低分子のいずれかから成
ることを特徴とする請求項4に記載の近赤外発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000108848A JP2001297880A (ja) | 2000-04-11 | 2000-04-11 | 近赤外発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000108848A JP2001297880A (ja) | 2000-04-11 | 2000-04-11 | 近赤外発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001297880A true JP2001297880A (ja) | 2001-10-26 |
Family
ID=18621624
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000108848A Pending JP2001297880A (ja) | 2000-04-11 | 2000-04-11 | 近赤外発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001297880A (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63264692A (ja) * | 1987-03-02 | 1988-11-01 | イーストマン・コダック・カンパニー | 改良薄膜発光帯をもつ電場発光デバイス |
JPH04212286A (ja) * | 1990-03-16 | 1992-08-03 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 分散型電界発光素子 |
JPH0529078A (ja) * | 1991-07-18 | 1993-02-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | 有機エレクトロルミネツセンス素子 |
JPH0896959A (ja) * | 1994-09-27 | 1996-04-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2001076877A (ja) * | 1999-09-01 | 2001-03-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその駆動方法 |
-
2000
- 2000-04-11 JP JP2000108848A patent/JP2001297880A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63264692A (ja) * | 1987-03-02 | 1988-11-01 | イーストマン・コダック・カンパニー | 改良薄膜発光帯をもつ電場発光デバイス |
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JPH0529078A (ja) * | 1991-07-18 | 1993-02-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | 有機エレクトロルミネツセンス素子 |
JPH0896959A (ja) * | 1994-09-27 | 1996-04-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2001076877A (ja) * | 1999-09-01 | 2001-03-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその駆動方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040302 |
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A02 | Decision of refusal |
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