JPH02191694A - 薄膜有機ｅｌ素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

［産業上の利用分野］ 本発明は、クマリン骨格を有する化合物、特に特定の構
造からなるクマリン化合物を薄膜状の発光層として用い
た薄膜有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子に関
する。 ［従来の技術と解決すべき課題］ ＥＬ素子は。自己発光のため視認性が高く。 また完全固体素子であるため耐衝撃性に優れるという特
徴を有しており、現在、無機蛍光体であるＺｎＳ：Ｍｎ
を用いたＥＬ素子が広く使用されている。しかしながら
、このような無４１１ＥＬ素子は発光させるための印加
電圧が２００ｖ近く必要なため、駆動方法が複雑である
。 一方、薄膜布ｆｉＥＬ素子は、印加電圧を大幅に低下さ
せることができるため、各種材料を用いたものが開発さ
れつつある。その代表的なものとして、電極／正孔注入
層／発光層／電極とした積層型のものが開発され１例え
ば、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ。 、５１，９１：１（１９８７）において紹介されている
。このＡｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、　、５１，９１
３（１９８７）に記載の、８−ヒドロキシキノリンのア
ルミニウム錯体を発光層の材料とし、ジアミン系化合物
を正孔注入層の材料としたＥＬ素子は、１０ｖ以下の低
い印加電圧で１０００　ｃｄ／ｍ”以上の輝度を得られ
る優れたものでる。 しかしながら、この薄膜ＥＬ素子は、電極間の膜厚な１
５０ｎｍ以下とすることが必要であり、そのため薄膜性
の優れた材料を用いなければピンホールが生じやすく、
短絡現象を起すので歩留りが減少し４生産性の低下をま
ねくという大きな問題を有している。 さらに１発光層の材料としての８−ヒドロキシキノリン
は、高温になると分解してしまい素子性能に悪影響を与
えるため、蒸着時のボード温度を２８０℃以上とするこ
とができなかフた。このため、蒸着速度が０．１〜０．
３０鳳／Ｓと遅くなり、素子の作製に長時間を要すると
いう問題があった。 薄膜有機ＥＬ素子にクマリン系化合物を用いた点につい
て触れている文献として、欧州特許公開公報（以下Ｅ、
Ｐ、Ａ、と称す）第２８１３８１号がある。 この、Ｅ、Ｐ、Ａ、第２８１３８１号に記載されている
ＥＬ素子は、陽極、正孔注入（有機正孔注入輸送帯）１
発光帯及び陰極からなワており、発光帯をホスト物質と
蛍光性物質で形成している。そして、ホスト物質には、
正孔と電子を外部から注入てきるもの、好ましい化合物
として８−ヒドロキシキノリンを用い、蛍光物質には、
正孔と電子の再結合に応答して発光できるクマリン系化
合物を用いている。 この場合１発光帯（発光層）が持つべき注入機１＠（電
界印加により電極または正孔注入層より正孔を注入する
ことができ、かつ電極または電子注入層より電子を注入
できる機能、）、輸送ａｔ＠（正孔及び電子を電界によ
り輸送することのできる機能、）２発光機能（正孔と電
子の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能、
）のうち注入機能、輸送機能９発光機能の一部はホスト
物質が担い、蛍光物質（クマリン系化合物）は７正孔と
電子の再結合に応答して発光するという性質、すなわち
発光機能の一部のみを利用することから、ホスト物質に
微量（ｌ　ｍｏＨ程度）含有させている。 このような構成からなるＥＬ素子は、１０■程度の印加
電圧で、　　ｌ　０００ｃｄ／ｌ”程度の高輝度で緑色
より赤色領域の発光を可能としている。 しかしながら、このＥＬ素子も発光帯に８−ヒドロキシ
キノリンを用いているため、前述した＾ｐｐ１．Ｐ’ｈ
ｙｓ、Ｌｅｔｔ、　、５１，９１３（１９８７）に記載
のＥＬ素子と同様の問題点を有していた。また、クマリ
ン系化合物は、正孔と電子の再結合に応答して発光する
という性質、すなわち発光機能の一部だけを利用するた
めに、微量ホスト物質に含有させて用いているに過ぎな
い。 また、　Ｊｐｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、、２７，１
，７１３（１９８８）には、７−ダニチルアミノ−４−
メチルクマリンとクマリン１５２は、ＰＪ膜にし・た場
合、膜性が劣ってぃるのでＥＬ素子に不適切であるとの
指摘はあるものの、それ以上具体的な技術開示はなされ
ていない。 本発明は、上記事情にかんがみてなされたもので、クマ
リン化合物、特にある特定の構造からなるクマリン化合
物を発光層として用いることにより１発光層である薄膜
を蒸着で形成する際、蒸着レートを大きくできるととも
に、薄膜性に優れていながら１発光層として必要不可欠
な注入機能。 輸送機能及び発光機能をあわせ有し、しかも緑色より赤
色までの発光を高輝度にて得られる薄膜有機ＥＬ素子の
提供を目的としている。 ［課題の解決１段］ 本発明者達は、上記目的を達成するため鋭意研究を続け
てきた結果、り７リン化合物のうち、特にある特定の構
造式で表わされる化合物を薄膜状の発光層に用いると、
蒸着時に分解せずに比較的蒸着速度を大きくすることが
可能で薄膜性に優れ、ピンホールが発生しにくいことを
見出した。 しかも、注入機能、輸送機（２）及び１発光機能の発光
層であるために、必要な三つの機能とも優れているので
高輝度に゛ＣＥＬ発光が得られることを見出し１本発明
を完成するに至った。 すなわち、本発明の薄膜、＃槻ＥＬ素子に関する第一発
明は、一般式 上記式中 Ｒ’　、Ｒ２、Ｒａ　Ｒ４、Ｒ９、Ｒ６は独立にＨ原子
または炭素数１〜４のアルキル基（例えば２メチル基、
エチル基、ｎ−プロピル基。 ｉ−）′ロヒ゛ル基、ｎ−ブチＪし基、ｉミーブチル基
ンを示し　Ｒ７はＨ，Ｃ，〜Ｃ４のアルキル基（例えば
、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基。 ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基）フェニ
ル基または、シアノ基を示し、 ここで、Ｒａ、Ｒｓは別個に水素原子、メチル基、エチ
ル基、フェニル基を示す。 また、Ｒ４、ｆ＜５　、Ｒａ　、Ｒ８、Ｒｅは、互いに
結合し飽和六員環を形成してもよい。 さらに　Ｒ１、Ｒ１、Ｒ３は、互いに結合し飽和六員環
を形成してもよい。 の構造式で表わされる化合物を薄膜状の発光層として用
いた構成としである。 また第二発明は、上記発光層を、少なくとも−・力が透
明もしくは半透明の電極間に位置させた構成としである
。 さらに第三発明は、陽極、正孔注入層１発光層及び陰極
の順に積層した構成としである。 さらにまた第四発明は、陽極、正孔注入層９発光層、Ｗ
子注入層及び陰極の順に積層した構成としである。 以下３本発明の詳細な説明する。 本発明の薄膜有機ＥＬ素子は、ＡＣ（交流）駆動型及び
ＤＣ（直魔）駆動型のいずれにも用いることができるが
、以下の説明はＤＣ駆動型について行なう。 ＤＣ駆動型の場合、本発明の薄膜有機ＥＬ素子の構成パ
ターンの代表的なものとして１次のようなものがある。 ■陽極／発光層／論極 ■陽極（正孔注入電極）／正孔注入層（正孔注入輸送層
）／発光層／陰極（１子注入電極）■陽極（正孔注入電
極）／正孔注入層（正孔注入輸送層）／発光ＷＪ／電子
注入層（′ＩＬ子注入輸送層）／ｙ１極（電子注入電極
） ただし、ここで各パターンにおいて陰極または陽極は基
板に接し、各パターンのＨａｒｍは基板上に支持されて
いる必要がある。 次に、上記構成の各要素について説明する。 ■ ここで、基板は、ガラス、プラスチックあるいは、石英
等によって形成しである。 電極 また、陽極及び陰極の電極としては、金、銀。 アルミニウム、インジュウム、マグネシウム等の金属及
びこれらの合金または混合物、あるいは夏ＴＯ（インシ
ュウムチンオキサイド）、Ｓ、ｏｘ（酸化第二錫）、２
ｎ０（酸化亜鉛）等の透明。 半透明、もしくは不透明のものを用いる。この際正孔注
入電極として機能する陽極には、仕事関数の大きい金属
１合金、金属混合物または電気伝導性化合物を用い、電
子注入電極として機能する陰極には、仕事関数の小さい
金属合金、金属混合物または電気伝導性化合物を用いる
のが好ましい さらに、発光を良好に透過させるには電極の少なくとも
一方を透明もしくは半透明とすることが望ましい。 正孔注入層（正孔注入輸送Ｒ） 正孔注入層は、正孔伝達化合物からなり、電極（陽極）
より注入された正孔を発光層に伝達する４１１！能を有
したものを用いる。この暦をＥＬ＠子の陽極と薄膜発光
層の間に挟むと、低電圧でより多くの正孔が薄膜発光層
に注入され、素子の輝度は向上する。 ここで用いられる正孔注入層の正孔伝達化合物は、電場
を与えられた二個の電極間に配置されて陽極から正孔が
注入された場合、正孔を適切に陰極へ伝達することがで
きる化合物である。この正孔伝達化合物としては、１０
４〜ＩＯ＠ボルト／ｃｍの電場を与えた電極間に層が配
置された場合、少なくと６１０−’ａｍ”／Ｖ−ｇｇ。 の正孔移動係数を有する化合物を用いることが好ましい
、特に好ましいのは、容易かつ可逆的に酸化されつる芳
香族系アミン化合物である。 また、正孔伝達化合物の好ましい例には、室温で固定て
あって、かつ少なくとも一個の窒素原子が置換基でトリ
置換されたアミン化合物を含む。 この場合、トリｉｉａされたもののうち、少なくとも一
個はアリール基または置換アリール基である。 アリール基上の有用な置換基の例には、１〜５個の炭素
原子をもつアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基及びアミル基、）、ハロゲン原子
（例えば、塩素原子及びフッ秦原子、）、ならびに１〜
５個の炭素原子を有するアルコキシ基（例えば、メトキ
シ基。 エトキシ基、プロポキシ基、ブチル基及びアミル基、）
である、より具体的には特開昭５９−１９４３９３号、
同６３−２９５６９５号公報及び、Ｅ　Ｐ　Ｏ２８１３
８１に開示された化合物をあげることがてきる。 そして、好ましくは、特開昭５３−４７０３３．同５４
−５８４４５．　同５４−１４９６３４，１ｌＥｑ５４
，６４２４９　Ｊり５５−７９４５０゜ｙ！１５５−１
４４２５０．同５６−１１９１３２．同６１−２５５５
５８　、同６１−９８３５３号公報に記載されている（
１）　、（２）　、（３）　、（４）の化合物、及び米
国特許第４１２７４１２号に記載されている（５）、（
６）、（７）の化合物、及びスチリルアミン系の（８）
、（９）の化合物などである。

【以下余白】

さらに正孔注入層には、次にあげる化合物を用いること
もできる。 （ｌＯ）米国特許第３１１２ｉ９７号明細書などに記載
されているトリアゾール誘導体。 （１１）米国特許第３１．８９４４７号明細書などに記
載されているオキサジアゾール誘導体。 （１２）特公昭３７−１６０９６号公報などに記載され
ているイミダゾール誘導体。 （１３）米国特許第３６１５４０２号、同第：８１２０
９８９号、同３５４２５４４号、特公昭４５−５５５号
、同５１−１０９８３号、特開昭５１−９３２２４号、
同５５−１７１０５号、同５６−４１４８号、同５５−
１０８６６７号、同５５−１５６９５３号、同５５−３
６６５６号明細書、公報などに記載のポリアリールアル
カン銹導体。 （１４）米国特許第３１８０７２９号、同４２７５１７
４６号、特開昭５５−８８０６４号、同５５−８８０６
５号、同４９−１０５５３７号、同５５−５１０８６号
、同５６−８００５１号、同５６−８８１４１号、同５
７−４５５４５号、同５４−１１２６３７号、同５５−
７４５４６号明細書、公報などに記載されているピラゾ
リン訝導体及びピラゾロン誘導体。 （１５）米国特許第３６１５４０４号明細書、特公昭５
１−１０１０５号、特開昭５４−８３４３５号、同５４
−１１０８３６号、同５４−１１９９２５号、特公昭４
６−３７１２号、同４７−２８：１３６号明細書、公報
などに記載されているフェニレンジアミン訪導体。 （１Ｇ）米国特許３５６７４５０号、特公昭４９−３５
７０２号、西独間特許１１１０５１８号、米国特許第３
１８０７０３号、同第３２４０５９７号、同第３６５８
５２０号、同第４２３２１０３号、同ｍ　４１７５９６
１　号、同Ｍ　４０１２３７６　号、特開昭５５−１４
４２５０号、同５６−１１９１３２号、同３９−２７５
７７号、同５６−２２４３７明細書、公報などに記載さ
れているアリールアミン誘導体。 （１７）米国特許第３５２６５０１号明細書記載のアミ
ノ置換カルコン誘導体。 （１８）米国特許第３５４２５４６号明細書などに記載
のＮ、Ｉ＋−ビカルバジル誘導体。 （１９）米国特許第３２５７２０３号明細書などに記載
のオキサゾール誘導体。 （２０）特開昭５６−４６２３４号公報などに記載のス
チリルアントラセン銹導体。 （２１）特開昭５４−１１０８３７号公報などに記載さ
れてし）るフルオレノン誘導体。 （２２）米国特許第３７１７４６２号明細書、特開昭５
４−５ｇ１４３号（米国特許第４１５０９８７号に対応
）、同５５−５２０６３号、同５５−ｓｚｏａ４号、同
５５−４６７６０号、同５５−８５４９５号、同５７−
１１３５０号、同５７−１４８７４９号公報などに開示
されているヒドラゾン銹導体などがある。 （２３）特開昭６１−２１０３６３号、同６１−２２８
４５１号、同５１−１４［ｉ７２号、同６１−７２２５
５号、同６２−４７６４６号、同６２−３６６７４号、
同６２−Ｉｔ）６５２号、同６２−３０２５５号、同６
０−９３４４５号、同６０−９４４６２号、　ｌｑ　６
０−１７４７４９号、同６０−１７５０５２号などに記
載のスチルベン誘導体。 電子注入層は電子伝達化合物よりなり、陰極より注入さ
れた電子を発光層に伝達する機能を有する。この層をＥ
Ｌ素子の陰極と薄膜発光層の間に挟むと、低電圧でより
多くの電子が薄膜発光層に注入され、素子の輝度は向上
する。この電子伝達化合物の好ましい例としては、次の
ような化合物をあげることができる。 （５）　Ｊｐｎ、Ｊ、＾ｐｐ１．Ｐｈｙｓ、、２７．Ｌ
７１３（１９８８）に示されている などのニトロ置換フルオレノン誘導体。 （２）特開昭５７−１４９２５９号、同５８−５５４５
０号、同６３−１０４０６１号などに記載のアントラキ
ノジメタン誘導体。 （３）　Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ、Ｊａｐ
ａｎ　Ｖｏｌ、３７．Ｎｏ、３（１９８８）Ｐ２Ｓ５に
示されている などのジフェニルキノン誘導体。 などのペリレン窮導体。 （６）特開昭６０−６９５５７号、同１ｉｔ−１４３７
６４号、同６１−１４８１５９号などに記載のフルオレ
リデンメタン銹導体。 （７）特開昭６１−２２５１５１号、同６’ｌ−２３３
７５０号記載のアントラキノジメタン及びアントロン誘
導体。 なお、本発明のＥＬ素子において、正孔注入層、電子注
入層を有する上記ＩｆＩ或パターン■または■の場合に
は１発光性能が一段と向上する。 肛ｘ１ 薄膜状の発光層を構成するクマリン化合物としては、下
記（Ｉ　＞の構造式で表わされる化合物を用いる。 などのチオビランジオキシド誘導体。 式（Ｉ）中 Ｒ’　　Ｒ”　　Ｒ’　、Ｒ’　、Ｒ’　、Ｒ’　＆を
独立ニＨＩＫ子または炭素数１〜４のアルキル基（例え
ば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基。 ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基）を示し
　Ｒ？はＨ、Ｃｔ−Ｃ４のアルキル基（例えば、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基。 １−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基）フェニ
ル基または、シアノ基を示し、 ここで　Ｈａ、Ｒｓは別個に水素原子、メチル基、エチ
ル基、フェニル基を示す。 また　ｌ’（４、）（！　、　Ｒ１、Ｒ６、Ｒ８は、互
いに結合し飽和六員環を形成してもよい。 さらに、Ｒ１、Ｒｓ　、Ｒ３は、互いに結合し飽和六員
環を形成してもよい。 なお１発光層は電界印加時に電極または正孔注入層（正
孔注入輸送Ｍ）より正孔を注入することができかつ、電
極または電子注入層（電子注入輸送Ｍｌ）より電子を注
入することのできる注入機能及び、正孔及び電子を電界
により輸送することのできる輸送及び、正孔と電子の再
結合の場を提供しこれを発光につなげる発光機能をすべ
て持たねばならない、この三つのうち一つが欠けただけ
でもＥＬ発光を得ることはできず１発光層ということは
できない。 また、輸送機能においては正孔と電子の輸送部すなわち
、移動度の大／ＪＳが極端に異なっていてもよいが、少
なくともどちらかの電荷の輸送能が優れていることが必
要である。注入機能においても正孔と電子の注入のしや
すさに違いがあってもよいが、少なくとも、一方の電荷
の注入が優れていることが必要である。 下記の（Ｉ）の構造式で表わされる化合物は。 上記の発光層であるために必要な三機能とも優れている
。また１発光層を形成する際に蒸着法を用いる場合、蒸
着速度が０．５ｎｍ／ｓ以上速となるように蒸着ボート
またはるつぼ温度を設定しても、下記の（Ｉ）の構造式
で表わされる化合物は、分解しにくい、さらに、蒸着後
の薄膜は薄膜性に優れ、ピンホールが発生しにくい。 なお、下記のＣＩ）の構造式で表わされる化合物よりな
る発光層は、蒸着時間を選ぶことにより５ｎｍ〜５ｐｍ
の薄膜状にすることができる。 Ｒ１ 式（Ｉ）中 Ｒ１、Ｒ意、Ｒ’　、Ｒ’　、Ｒｓ　、Ｒ’は独立にＨ
原子または炭素数１〜４のアルキル基（例えば、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基。 ｉ−プロピルｕｓ　ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基）を示
し、Ｒ７はＨ，Ｃ，〜Ｃ４のアルキル基（例えば、メチ
ル基、エチル基、ｎ−プロピル基。 ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基）フェニ
ル基または、シアノ基を示し、 ここで　Ｈａ、’ｓは別個に水素原子、メチル基、エチ
ル基、フェニル基を示す。 また、Ｒ’　、Ｒ’　、Ｒ６，Ｒ’　、Ｒ’　は、　互
いに結合し飽和六員環を形成してもよい。 さらに、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、互いに結合し飽和六員環
を形成してもよい。 以下、（１）〜（２８）に発光層を構成するクマリン化
合物の他の例を示す。 Ｅ以下余白］ ２Ｈ５ ２Ｈ５ く素子作製工程〉 上記構成パターン■のＥＬ素子を作成するには、例えば
以下の如き手順にしたがえばよい。 すなわち、まず、基板上に電極を蒸着もしくはスパッタ
法にて製膜する。この際、膜状の電極の膜厚は、一般に
５０ｎｍ〜１ト曹、特に２００ｎ−以下が、発光の透過
率を高める上で好ましい９次に、この電極の上に発光層
の材料（上記の（Ｉ）の構造式で表わされる化合物）を
、薄膜状に形成する。 発光層の材料の薄膜化方法は、スピンコード。 キャスト、蒸着法等があるが、均一な膜が得やすいこと
、及びピンホールが生成しないことから、とりわけ蒸着
法が好ましい０発光層の材料の薄膜化に際して蒸着法を
採用する場合、層の材料その条件は各種状況によって変
動し、一義的には決定できないが、好ましい例は、ボー
ト加熱温度１００〜４００℃、基板温度−５０〜３００
℃。 真空度ｉｏ−’〜１Ｏ−３Ｐ、、蒸着速度０．１〜５０
　ｎｍ／ｓｅｃとして、膜厚な５ｎ厘から５ｗ麿の範囲
となるように、上記の構造式（Ｉ）の化合物の種類や蒸
着装置の種類などの各種条件により、最適な条件を選定
する。 この薄膜形成後、対向電極を蒸着法やスパッタ法にて膜
厚５０〜２００ｎｍで形成すれば、ＥＬ素子が作成され
る。 また、■の構成のＥＬ素子を作製するには、まず電極を
」−記■のＥＫ素子と同様に形成し、その後、正孔注入
層の材料（正孔伝達化合物）を電極上に蒸着法で薄膜化
して正孔注入層を形成する。 この際の蒸着条件は、前記発光層の材料の薄膜形成の蒸
着条件に準じればよい、その後は上記■のＥＬ稟子を作
製する場合と同様に、発光層の材料の８膜形成及び対向
電極の形成を行なえば、所望する」−記■の構成のＥＬ
素子が作製される。 さらに、■の構成のＥＬ素子を作製するには。 まず電極を上記■のＥＬ素子と同様に形成し、その後、
正孔注入層を上記■のＥＬ素子と同様に形成し、その上
から上記■のＥＬ素子を作製する場合と同様に１発光層
の材料の薄膜を形成する。しかる後に、電子伝達化合物
を蒸着法にて薄膜化することにより、発光層上に電子注
入層を形成し、最後に上記■のＥ■４素子を作製する場
合と同様に、対向電極を形成すれば、目的とする上記■
の構成のＥＬ素子が作製される。 なお１本発明のＥＬ素子では、正孔注入層や電子注入層
は必ずしも必要ではないが、これらの層があると、発光
性能が一段と向上する。 ［実施例］ （実施例１） 透明電極として用いる膜厚１１００ｎのＩＴＯが付いて
いるガラス基板（２５ｍｒｎＸ　７５　ｍｍ、Ｘｌ、１
ｍｍサイズ、ＨＯＹＡ社製）を透明支持基板とし、これ
をイソプロピルアルコールで３０分超ぎ被洗浄し、さら
にイソプロピルアルコールに浸漬し洗浄した。 この透明基板を乾燥窒素ガスで乾燥し、蒸着装置（日本
真空技術■製）の基板ホルダに固定しモリブデン製の抵
抗加熱ボードに３−（２’−Ｎ−メチルベンズイミダリ
リル）−７−Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノクマリン　（クマ
　リ　ン　３０　）　を２００ｍｇ入れ、真空槽をｌＸ
ｌ０−’ＰＭまで減圧した。さらに前記ボートを摂氏２
４５〜２５５度まで加熱しクマリン３０を蒸着速度１．
０〜１．５ｎｍ／ｓで透明支持基板上に蒸着し、膜厚０
．４ｇｍの発光層を得た。このとき基板温度は室温であ
った。 蒸Ｍ後、真空槽よりボートを取り出しボート内部を確か
めたとこと分解生成物はなかった。さらに発光体薄膜上
にステンレススチール製のマスクを設置し、再び基板ホ
ルダに固定しモリブテン製の抵抗加熱ボートに金２００
ｍｇを入れて、真空槽を２ＸＩＯ−’Ｐ、１まで減圧し
た。その後ボートを摂氏１４００度まて加熱し２０ｎｍ
の膜厚で金電極を発光層である薄膜上に形成し、対向電
極とした。この素子に金電極を陽極、ＩＴＯ電極を陰極
とし直！３５Ｖを印加したところ？ｌｔ！が２ｍＡ流れ
緑色発光を得た。 このときの発光極大波長は５１３ｎｍ、発光輝度は５ｃ
ｄ／ｍ”であった。 （実施例２） 透明電極として用いる膜厚１１００ｎのＩＴＯが付いて
いるガラス基板（２５ｍ　ｍ　ｘ　７５　ｍ　ｍ　ｘｌ
、１ｍｍサイズ、ＨＯＹＡ社製）を透明支持基板とし、
これをイソプロピルアルコールで３０分、超音波洗浄し
、さらにイソプロピルアルコールに浸漬し洗浄した。 この透明基板を乾燥窒素ガスで乾燥し、蒸着装置（日本
真空技術■製）の基板ホルダに固定しモリブデン製の抵
抗加熱ボードに３−（２’　−Ｎ−ペンゾチアリリル）
−７−Ｎ、Ｎ−ジエチル７ミノクマリン　（クマリ　ン
６　）　を２００ｍｇ入れ、真空槽をｌＸｌ０−’Ｐ、
まで減圧した。さらに前記ボートを摂氏２２０度まで加
熱しクマリン６を蒸着速度１．５ｎｍ／ｓで透明支持基
板上に蒸着し、膜厚０．６ｊＬｍの発光層薄膜を得た。 このとき基板温度は室温であった。 蒸着後、真空槽よりボートを取り出しボート内部を確か
めたとこと分解生成物はなかつた。さらに発光層である
薄膜上にステンレススチール製のマスクを設置し、再び
基板ホルダに固定しモリプテン製の抵抗加熱ボートに金
２００　ｍ　ｇを入れて、真空槽を２Ｘ１０−’Ｐ、ま
で減圧した。その後ボートを摂氏１４００度まで加熱し
２０ｎｍの膜厚で金電極を発光体薄膜上に形成し、対向
電極とした。この素子に金電極を陽極、ＩＴＯ電極を陰
極とし直流３０Ｖを印加したところ電流が３ｍＡ流れ橙
色発光を得た。 このときの発光極大波長は５８４　ｎ　ｍ＊発光輝度は
２０ｃｄ／ｒｎ”であった。 （実施例３） 透明電極として用いる膜厚１１００ｎのＩＴＯが付いて
いるガラス基板（２５ｒｎｍＸ　７５　ｍｍＸ１．１ｍ
ｍサイズ、ＨＯＹＡ社製）を透明支持基板とし、これを
イソプロピルアルコールで３０分、超音波洗浄し、さら
にイソプロピルアルコールに浸漬し洗浄した。 この透明基板を乾燥窒素ガスで乾燥し、蒸着装置（日本
真空技術輛製）の基板ホルダに固定しモリブデン製の抵
抗加熱ボードに３−（２“〜トインズイミダリソル）−
７−Ｎ、Ｎ−ジエチル７ミノクマリン（クマリ　ン７　
）　を２００ｍｇ入れ、真空槽を１ｘｉｏ−’ｐ、まで
減圧した。さらに前記ボートを摂氏３６０度まで加熱し
クマリン７を蒸着速度１．５ｎｍ／ｓで透明支持基板上
に蒸着し、膜厚０．７終ｍの発光層を得ただ、このとき
基板温度は室温であった。 蒸着後、真空槽よりボートを取り出しボート内部を確か
めたとこと分解生成物はなかった。さらに発光体層であ
る薄膜上にステンレススチール製のマスクを設置し、再
び基板ホルダに固定しモリブテン製の抵抗加熱ボートに
金２００ｒｙｍｇを入れて、真空槽を２ｘｌＯ−’Ｐ、
まで減圧した。その後ボートを摂氏１４００度まで加熱
し２０ｎｍの膜厚で金電極を発光体薄膜上に形成し・、
対向電極とした。この素子に金電極を陽極、ＩＴＯ電極
を陰極とし直流３６Ｖを印加したところ電流が６ｍＡ流
れ黄色発光を得た。 このときの発光極大波長は５７０　ｎ　ｍ　、発光輝度
はｌａｄ、／ｍ”であった。 （実施例４） 透明電極として用いる膜厚１１００ｎのＩＴＯが付いて
いるガラス基板（２５ｍ　ｍ　ｘ　７５　ｍ　ｍ　Ｘｌ
、１ｍｍサイズ、ＨＯＹＡ社製）を透明支持基板とし、
これをイソプロピルアルコールで３０分、超音波洗浄し
、さらにイソプロピルアルコールに浸漬し洗浄したこの
透明基板を乾燥窒素ガスで乾燥し、真空蒸着装置の基板
ホルダに固定し。 モリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ、Ｎ’−ジフェニル
−Ｎ。 Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）−ｉ、ｉ”−ピフェニ
ル−４，４°−ジアミン　　（ＴＰＯ）を２００　ｍ　
ｇ入れ、さらに別のモリブデン製の抵抗加熱ボートにク
マリン３０を２００ｍｇ入れ真空蒸着装置に取り付けた
。 この後、真空槽を２ｘｌＯ−’Ｐａまで減圧し。 ＴＰＯの入ワた前記ボートに通電し摂氏２２０度まで加
熱し、蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓで透明支持基板
上に蒸着し、！ｉ厚１１００ｎの正孔注入層（正孔注入
輸送層）とした、さらにクマリン３０の入った前記ボー
トを通電し、摂氏２３５度まで加熱し蒸着速度０．５〜
０．７ｒｘｍ／ｓで透明支持基板上の正孔注入層の上に
蒸着し膜厚１００ｒｚｎの発光層を得た。このとき基板
の温度は室温であった。 蒸着後、真空槽を開け、発光層の上にステンレス鋼製の
マスクを設置し、モリブデン製の抵抗加熱ボートのマグ
ネシウムを３００ｍｇ入れ、電子ビーム蒸着装置のるつ
ぼに銅を１００ｇ入れた。 この後、再度真空槽を３ｘｉＯ−’Ｐ、まで減圧しマグ
ネシウム入りのボートに通電し、蒸着速度４〜５　ｎ　
ｍ　／　ｓでマグネシウムを蒸着した。このとき、同時
に電子ビームにより銅を加熱し０．２〜０．３ｎｍ／ｓ
″′ｅ＃ｉを蒸着し前記マグネシウムに銅を混合し、対
向電極とした０以上によりＥＬ素子の作製を終えた。 素子作製後、クマリン３０の入ったボートを開けたが１
分解物の生成は認められなかった。 この素子のＩＴＯ電極を陽極、Ｍｇと銅の混合物よりな
る対向電極を陰極とし、直流２０Ｖを印加したところ電
流密度が８７ｍＡ／ｃｍ”の電流が流れ、緑色の発光を
得た。 このときの発光極大波長は５１０ｎｒｒｉ、発光体半値
幅は６０ｎｍ発光輝度は４４０ｃｄ／ｍ”であった。 （実施例５） 透明電極として用いる膜厚１１００ｎのＩＴＯが付いて
いるガラス基板（２５ｍｍＸ１５ｍｍＸ１．１ｍｍサイ
ズ、ＨＯＹＡ社製）を透明支持基板と１八これをイソプ
ロピルアルコールで３０分、超音波洗浄し、さらにイソ
プロピルアルコールに浸漬し洗浄したこの透明基板を乾
燥窒素ガスで乾燥し、真空蒸着装置の基板ホルダに固定
し。 モリブデン酸の抵抗加熱ボートにＭ、Ｎ’−’ｉフェニ
ルーＮ。 Ｈｏ−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェ
ニル−４，４“−ジアミン　　（ＴＰＯ）を２００ｍｇ
入れ、さらに別のモリブデン酸の抵抗加熱ボートにり７
リン６を２００ｍｇ入れ真空蒸着装置に取り付けた。 この後、哀空槽を２Ｘ１０−’Ｐ、まで減圧し２ＴＰＤ
の入った前記ボー１−に通電し摂氏２２０度まで加熱し
、蒸着速度０．１〜０．３ｎｒｎ／ｓで透明支持基板上
に蒸着し、！ｌ厚１１００ｎの正孔注入層（正孔注入輸
送層）とした、さらにクマリン６の入ワた前記ボートを
通電し、摂氏２１０度まで加熱し蒸着速度０．５〜０．
７月ｍ／ｓで透明支持基板上の正孔注入層の上に蒸着し
膜厚１０・Ｏｎｍの発光層を得た。このとき基板の温度
は室温てあった。 蒸着後、真空槽を開け５発光層の上にステンレス鋼製の
マスクを設置し、モリブデン酸の抵抗加熱ボートのマグ
ネシウムを３００　ｍｇ入れ、電子ビーム蒸Ｍ装置のる
つぼに銅を１００ｇ入れた。 この後、再度真空槽を２．４Ｘ　１０−’Ｐ、まで減圧
しマグネシウム入りのボートに通電し、蒸着速度４〜５
　ｎ　ｍ　／　ｓでマグネシウムを蒸着した。 このとき、同時に電子ビームにより銅を加熱し０．２〜
０．３月ｍ／ｓで銅を蒸着し前記マグネシウムに銅を混
合し、対向電極とした。以上によりＥＬ素子の作製を終
えた。 素子作製後、クマリン６の入ったボートを開けたが、分
解物の生成は認められなかった。 この素子のＩＴＯ電極を陽極、Ｍｇと銅の混合物よりな
る対向電極を陰極とし直流２１Ｖを印加したところ電流
相＃が１６６　ｒｎ　Ａ、　／　ｅ　ｍ　”の市原が流
れ、橙色の発光を得た。 このときの発光極大波長は５９０　ｎ　ｍ　、発光体￥
−値幅は１２７月ｍ発光輝度は２４０ｃｄ／ｍ”であっ
た。 ［発明の効果］ 以上のように本発明の薄膜有４１！ＥＬ素子によれば、
特定の構造式からなるクマリン化合物を薄膜発光層に用
いることにより、蒸着レートを太きくできるのでＥＬ素
子の生産性の向上を図れるとともに、緑色より赤色領域
までの発光を高輝度得られる効果がある。 手続補正書 平成元年６月−２日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ 式（ I ）中 Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５、Ｒ＾６は独
   立にＨ原子または炭素数１〜４のアルキル基（例えば、
   メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基
   、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基）を示し、Ｒ＾７はＨ、
   Ｃ＿１〜Ｃ＿４のアルキル基（例えば、メチル基、エチ
   ル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基
   、ｉ−ブチル基）フェニル基または、シアノ基を示し、 Ｘは　▲数式、化学式、表等があります▼　または −Ｏ−を示し、 ＹはＨ原子または、　▲数式、化学式、表等があります
   ▼　を示す。 ここで、Ｒ＾８Ｒ＾９は別個に水素原子、メチル基、エ
   チル基、フェニル基を示す。 また、Ｒ＾４、Ｒ＾５、Ｒ＾６、Ｒ＾８、Ｒ＾９は、互
   いに結合し飽和六員環を形成してもよい。 さらに、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３は、互いに結合し飽和
   六員環を形成してもよい。 上記（ I ）の構造式で表わされる化合物を、薄膜状の
   発光層として用いたことを特徴とする薄膜有機ＥＬ素子
   。 （２）　発光層を、少なくとも一方が透明もしくは半透
   明の電極間に位置させたことを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載の薄膜有機ＥＬ素子。 （３）　陽極、正孔注入層、発光層及び論極の順に積層
   したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜
   有機ＥＬ素子。 （４）　陽極、正孔注入層、発光層、電子注入層及び陰
   極の順に積層したことを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の薄膜有機ＥＬ素子。