WO2015047053A1 - 유기전자장치의 제조 방법 - Google Patents

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WO2015047053A1
WO2015047053A1 PCT/KR2014/009238 KR2014009238W WO2015047053A1 WO 2015047053 A1 WO2015047053 A1 WO 2015047053A1 KR 2014009238 W KR2014009238 W KR 2014009238W WO 2015047053 A1 WO2015047053 A1 WO 2015047053A1
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layer
polymer layer
electronic device
organic electronic
flexible substrate
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PCT/KR2014/009238
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이상준
최준례
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주식회사 엘지화학
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Definitions

  • the present application relates to a method for manufacturing an organic electronic device, an organic electronic device produced by the same, and a use thereof.
  • An organic electronic device is a device comprising one or more layers of organic materials capable of conducting current.
  • the organic electronic device includes an organic light emitting diode (OLED), an organic solar cell, an organic photoconductor (OPC), or an organic transistor.
  • Flexible substrates can be classified into three types, mainly including thin glass substrates, metal foil substrates, and plastic substrates.
  • the fabrication process of the device using the flexible substrate is generally similar to that of the rigid device, but due to the flexibility of the substrate, a higher level of attention is required.
  • a process to which the flexible substrate is applied there is a method of attaching the flexible substrate on a rigid carrier substrate, and peeling the element from the carrier substrate after the process is performed (for example, Patent Document 1).
  • an appropriate adhesive material is mainly formed on the edge of the carrier substrate to be attached to the flexible substrate, and then a process of removing the edge portion is performed to finally peel off the flexible substrate. Therefore, according to this process, the manufacturing efficiency is lowered, and if the adhesive material is not properly removed, there is a fear that the device may be damaged during the peeling process of the substrate.
  • Patent Document 1 Korean Patent Publication No. 2013-0072651
  • the present application provides a method for manufacturing an organic electronic device, an organic electronic device manufactured according to the manufacturing method, and a use thereof.
  • one main object is to provide a method for effectively manufacturing an organic electronic device using a flexible substrate, an organic electronic device manufactured by the same, and a use thereof.
  • the method of manufacturing an organic electronic device may include forming a polymer layer on a carrier substrate and forming an organic electronic device on the substrate after placing the flexible substrate on the polymer layer.
  • the manufacturing method may further perform a process of peeling the flexible substrate from the polymer layer after the above process.
  • the carrier substrate serves to support the flexible substrate or the organic electronic device in a manufacturing process or a transport process of the organic electronic device.
  • a carrier substrate various kinds can be used without particular limitation, as long as it can serve as a support as an appropriate rigid substrate.
  • a glass substrate may be used as the substrate, but various rigid substrates may be applied without being limited thereto.
  • the polymer layer is attached to the flexible substrate so as to show an appropriate adhesive force during the manufacturing process or transport process on the carrier substrate, and may serve to easily peel off during the subsequent peeling.
  • the material of the polymer layer is not particularly limited as long as it can play such a role.
  • One exemplary such material is polyorganosiloxane.
  • the polyorganosiloxane has the advantage of being able to easily control the adhesive force with other components by controlling the curing conditions, or adjusting the form or adding an additive.
  • the specific kind of polyorganosiloxane can be selected in consideration of the purpose, and is not particularly limited.
  • the thing containing the repeating unit of following formula (1) can be used.
  • R 1 and R 2 in Formula 1 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group or an aryl group.
  • alkyl group may mean an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, 1 to 16 carbon atoms, 1 to 12 carbon atoms, 1 to 8 carbon atoms, or 1 to 4 carbon atoms.
  • the alkyl group may be linear, branched or cyclic.
  • the alkyl group may be optionally substituted with one or more substituents.
  • alkenyl group may mean an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, 2 to 16 carbon atoms, 2 to 12 carbon atoms, 2 to 8 carbon atoms, or 2 to 4 carbon atoms.
  • the alkenyl group may be linear, branched, or cyclic, and may be optionally substituted with one or more substituents.
  • aryl group is selected from a compound or a derivative thereof in which a benzene ring or two or more benzene rings are connected, or a structure containing a condensed or bonded structure sharing one or two or more carbon atoms It may mean a monovalent residue derived.
  • the range of the aryl group referred to herein may include a functional group commonly referred to as an aryl group as well as a so-called aralkyl group or an arylalkyl group.
  • the aryl group may be, for example, an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, 6 to 21 carbon atoms, 6 to 18 carbon atoms, or 6 to 12 carbon atoms.
  • aryl group examples include phenyl group, dichlorophenyl, chlorophenyl, phenylethyl group, phenylpropyl group, benzyl group, tolyl group, xylyl group or naphthyl group.
  • hydrogen atoms, alkenyl groups, and the like among the functional groups are functional groups that may be involved in the curing reaction of the polyorganosiloxane, and the desired physical properties can be secured by adjusting the degree of curing through the adjustment of the kind or ratio of such functional groups.
  • polyorganosiloxane having a skeleton represented by the above formula (1) is not particularly limited, and for example, polydialkylsiloxane or the like known in the art as polydimethylsiloxane can be used.
  • the polymer layer may be formed such that the polymer layer formed on the carrier substrate has an appropriate convex portion.
  • the polymer layer may properly maintain the flexible substrate, and the substrate may be easily removed when the substrate is removed.
  • the formation of a suitable convex portion may also eliminate the need to perform a process of removing a portion of the substrate as in the prior art when removing the substrate.
  • the contact area of the flexible substrate and the polymer layer is appropriately adjusted by the convex portion as described above, and thus the above effects can be achieved.
  • the method of forming the above uneven structure in the polymer layer is not particularly limited.
  • the polymer layer may be formed by forming a layer of the curable polymer composition on a carrier substrate and curing the layer in a state in which the layer of the curable polymer composition is in contact with a mold.
  • 1 exemplarily illustrates the above-described process, and shows a state in which the carrier substrate 101, the layer 102 of the curable polymer composition, and the mold 103 are sequentially formed.
  • the curable polymer composition that can be used in the above process is not particularly limited.
  • a material capable of curing to form a polymer layer containing polyorganosiloxane for example, addition-curable silicone-based materials, condensation or polycondensation-curable silicone-based materials, ultraviolet-curable silicone-based materials, or peroxide vulcanized silicone-based materials, etc.
  • addition-curable silicone-based materials condensation or polycondensation-curable silicone-based materials
  • ultraviolet-curable silicone-based materials ultraviolet-curable silicone-based materials
  • peroxide vulcanized silicone-based materials etc.
  • Various materials are known, and an appropriate kind may be selected in consideration of processability.
  • FIG. 2 is an exemplary view of the form of the convex portion 1022 having the concave-convex shape, that is, the portion in contact with the flexible substrate. Portions indicated by diagonal lines in the drawings may contact the substrate.
  • the above corresponds to one example of the present application, and its specific form may be variously changed.
  • the shape of the convex portion as described above may be adjusted to secure the necessary holding force after contact of the flexible substrate or the peeling force required at the time of peeling.
  • the convex portion may be adjusted such that the contact area between the polymer layer and the substrate is in the range of 10 to 95% of the total area of the polymer layer.
  • the ratio may in another example be at least about 20%, at least about 30%, at least about 40% or at least about 45%.
  • the range may be about 90% or less, about 85% or less, about 80% or less, about 75% or less, about 70% or less, about 65% or less or about 60% or less in another example.
  • the aspect ratio of the convex portion may also be adjusted for the desired effect.
  • the aspect ratio of the convex portion is the ratio (W / H) of the width W of the convex portion to the height H of the convex portion.
  • the width W and the height H are shown by way of example in FIG. 1.
  • the height of the convex portion may mean a height of a portion of the polymer layer protruding from the convex portion.
  • the aspect ratio W / H may be adjusted to fall within the range of 0.0001 to 10000.
  • aspects ratios are, in other examples, at least about 0.001, at least about 0.01, at least about 0.1, at least about 1, at least about 10, at least about 20, at least about 30, at least about 40, at least about 50, at least about 60, at least about 70, about At least 80, at least about 90, or at least about 100.
  • the aspect ratio may be about 1000 or less, about 900 or less, about 800 or less, about 700 or less, about 600 or less, about 500 or less, about 400 or less, about 300 or less, about 200 or less, or about 150 or less.
  • a range that is too low or too high compared to the above defined range there is a concern that damage to the device may occur during peeling of the substrate, or that the necessary supporting force may not be secured during the manufacturing process or transportation process of the organic electronic device.
  • a device is manufactured after placing the flexible substrate on the polymer layer.
  • FIG 3 illustrates a case where the flexible substrate 302 is positioned on the polymer layer 301 formed as described above.
  • the substrate may be one known in the art that can be used in the implementation of a flexible device.
  • Representative examples of such a substrate include a thin glass film or a polymer film.
  • the glass film a film formed of soda lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, quartz, or the like can be exemplified, and as the polymer film, PI (polyimide) ,
  • a film including polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), acrylic resin, poly (ethylene terephthatle) (PET), poly (ether sulfide) (PES), or polysulfone (PS) may be exemplified, but is not limited thereto. It doesn't happen.
  • a translucent film can be used as a board
  • the term translucent film may refer to a film having a transmittance of 50% or more, 60% or more, 70% or more, or 80% or more, for example, light in any one of the visible regions or light in the entire visible region.
  • the substrate may be a TFT substrate having a driving TFT (Thin Film Transistor).
  • the substrate may have a refractive index of at least about 1.5, at least about 1.6, at least about 1.7 or at least about 1.75.
  • refractive index is a refractive index measured for light having a wavelength of about 550 nm, unless otherwise specified.
  • the range of the refractive index of the substrate may be advantageous to increase the light efficiency of the device.
  • the upper limit of the refractive index of the substrate is not particularly limited, and may be, for example, about 2.0.
  • the thickness of the substrate is not particularly limited and may be selected in an appropriate range in consideration of desired performance, for example, flexibility, light extraction efficiency or barrier properties.
  • the thickness of the substrate may be in the range of about 10 ⁇ m to about 50 ⁇ m or in the range of about 20 ⁇ m to about 30 ⁇ m.
  • An organic electronic device may be formed on the substrate as described above. 4 illustrates an example in which an organic electronic device 401 is formed on the substrate 302. At this time, the method of forming the organic electronic device is not particularly limited, and may be performed according to a known method. For example, the manufacturing method may include forming a first electrode layer, an organic layer, and a second electrode layer on at least the substrate.
  • a step of forming an inorganic layer on the substrate may be added before forming the first electrode layer in the manufacturing method.
  • the term inorganic layer may be, for example, a layer containing 50% or more or 60% of inorganic material by weight.
  • the inorganic layer may include only an inorganic material or may include other components such as an organic material if the inorganic material is included in the above range.
  • the inorganic layer may be, for example, a barrier layer.
  • the term barrier layer may be a layer capable of blocking, inhibiting or mitigating the penetration of external factors that may adversely affect the performance of devices such as organic layers such as moisture or moisture.
  • the barrier layer may be a layer having a water vapor transmission rate (WVTR) of 10 ⁇ 4 g / m 2 / day or less. WVTR herein may be a value to be measured using a meter (eg, PERMATRAN-W3 / 31, MOCON, Inc.) at 40 C and 90% relative humidity conditions.
  • the barrier layer can be formed using a material known to be able to mitigate, prevent or inhibit the penetration of external factors such as moisture and oxygen.
  • materials include metals such as In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti, and Ni; TiO, TiO 2 , Ti 3 O 3, Al 2 O 3 , MgO, SiO, SiO 2 , GeO, NiO, CaO, BaO, Fe 2 O 3 , Y2O 3 , ZrO 2 , Nb 2 O 3 and CeO 2 and Metal oxides such as; Metal nitrides such as SiN; Metal oxynitrides such as SiON; Or metal fluorides such as MgF 2 , LiF, AlF 3, and CaF 2 , or other materials known as absorbent materials having an absorption rate of 1% or more, or moisture-proof materials having an absorption coefficient of 0.1% or less.
  • the inorganic layer may be a single layer structure or a multilayer structure.
  • the multilayer structure may include a structure in which the same or different types of inorganic layers are stacked, or a structure in which the inorganic layers and the organic layers are stacked.
  • each layer is not necessarily formed of a material having barrier properties, and if the finally formed multilayer structure can exhibit a desired barrier property, some of the multilayer structures
  • the layer of may be formed of a layer having no barrier property. It may be advantageous to have a multilayer structure of the inorganic material layer in terms of preventing the propagation of defects such as pin holes or the like, which may occur in the process of forming the inorganic material layer.
  • the barrier layer having a multilayer structure may be advantageous in forming a barrier layer having a refractive index as described later.
  • the inorganic layer is as small as possible the difference in refractive index with the base film.
  • the absolute value of the difference in refractive index between the inorganic layer and the base film may be about 1 or less, about 0.7 or less, about 0.5 or less, or about 0.3 or less. Therefore, when the base film has a high refractive index as described above, the same level of refractive index can be ensured even in the inorganic layer.
  • the refractive index of the inorganic layer may be about 1.5 or more, about 1.6 or more, about 1.7 or more, or about 1.75 or more.
  • the range of the refractive index of the base film may be advantageous to increase the light efficiency of the device.
  • the upper limit of the refractive index of the inorganic layer is not particularly limited, and may be, for example, about 2.0.
  • the inorganic layer may include, for example, a laminated structure of the first sublayer and the second sublayer.
  • the laminated structure may be repeated two or more times.
  • the first sublayer may have a first refractive index
  • the second sublayer may have a second refractive index.
  • the absolute value of the difference between the first and second refractive indices may be, for example, in the range of 0.1 to 1.2.
  • the range of each of the first and second refractive indices is not particularly limited as long as the range of the refractive indices is secured.
  • the refractive index of the first sublayer is in the range of 1.4 to 1.9
  • the refractive index of the second sublayer is 2.0 to May be in the range of 2.6.
  • the first and second sublayers may each be a metal oxide layer.
  • suitable materials for the first sublayer having the above refractive index include Al 2 O 3 and the like, and suitable materials for the second sublayer include TiO 2 and the like.
  • various materials may be applied in addition to this.
  • the thickness of the inorganic layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended use.
  • the thickness of the inorganic layer may be in the range of about 5 nm to about 60 nm or in the range of about 10 nm to about 55 nm.
  • the thickness range of each sublayer in the multilayer structure may be in the range of about 0.5 nm to about 10 nm or about 0.5 nm to about 5 nm, for example.
  • the inorganic layer has a flat surface, for example, a root mean square (RMS) of 5 nm or less, 4.5 nm or less, 4.0 nm or less, 3.5 nm or less, 3.0 nm or less, 2.5 nm or less, 2.0 It may be formed on the surface which is below nm, 1.5 nm or below, 1.0 nm or below or 0.5 nm or below.
  • RMS root mean square
  • the surface roughness may be adjusted using a material having excellent flatness in itself, or may be adjusted through a buffer layer or the like as described below.
  • Another method of securing the target performance, for example, barrier property is a method of controlling the temperature during the formation of the inorganic layer.
  • the inorganic layer may be formed using a physical or chemical vapor deposition method, in the process it can be ensured excellent barrier properties when the deposition temperature is adjusted to a high temperature, for example, 200 C or more levels.
  • the inorganic layer may be formed by physical vapor deposition (PVD) or MOCVD, such as sputtering, pulsed laser deposition, electron beam evaporation, thermal evaporation, or laser molecular beam epitaxy (L-MBE).
  • PVD physical vapor deposition
  • MOCVD metalorganic chemical vapor deposition
  • sputtering pulsed laser deposition
  • electron beam evaporation thermal evaporation
  • L-MBE laser molecular beam epitaxy
  • MOCVD Metal Organic Chemical Vapor Deposition
  • HVPE Hydride Vapor Phase Epitaxy
  • Initiated Chemical Vapor Deposition iCVD
  • PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
  • CVD Chemical Vapor Deposition
  • ALD Atomic Layer Deposition
  • the first electrode layer and the second electrode layer formed on the substrate may be a transparent electrode layer or a reflective electrode layer.
  • one of the first and second electrode layers may be formed as a transparent electrode, and the other may be formed as a reflective electrode layer.
  • the transparent and reflective electrode layers may be hole injection or electron injection electrode layers commonly used in organic electronic devices.
  • One of the transparent and reflective electrode layers may be formed of a hole injection electrode layer, and the other may be formed of an electron injection electrode layer.
  • the hole injection electrode layer may be formed using a material having a relatively high work function, for example, and may be formed using a transparent or reflective material if necessary.
  • the hole injection electrode layer may comprise a metal, alloy, electrically conductive compound, or a mixture of two or more thereof, having a work function of about 4.0 eV or more.
  • Such materials include metals such as gold, CuI, Indium Tin Oxide (ITO), Indium Zinc Oxide (IZO), Zinc Tin Oxide (ZTO), zinc oxide doped with aluminum or indium, magnesium indium oxide, nickel tungsten oxide, Oxide materials such as ZnO, SnO 2 or In 2 O 3 , metal nitrides such as gallium nitride, metal serenides such as zinc serenides, metal sulfides such as zinc sulfides, and the like.
  • the transparent hole injection electrode layer can also be formed using a laminate of a metal thin film such as Au, Ag or Cu, and a high refractive transparent material such as ZnS, TiO 2 or ITO.
  • the hole injection electrode layer may be formed by any means such as vapor deposition, sputtering, chemical vapor deposition, or electrochemical means.
  • the electrode layer formed as needed may be patterned through a process using known photolithography, shadow mask, or the like.
  • the electron injection electrode layer may be formed using, for example, a material having a relatively small work function.
  • a material having a relatively small work function For example, an appropriate transparent or reflective material may be used among materials used for forming the hole injection electrode layer. It may be formed by, but is not limited thereto.
  • the electron injection electrode layer can also be formed using, for example, a vapor deposition method or a sputtering method, and can be appropriately patterned if necessary.
  • the thickness of the electrode layer may be formed to have a thickness of, for example, about 90 nm to 200 nm, 90 nm to 180 nm, or about 90 nm to 150 nm.
  • the organic layer is formed between the transparent and reflective electrode layers.
  • the organic layer may include at least two light emitting units. In such a structure, light generated in the light emitting unit may be emitted to the transparent electrode layer through a process of being reflected by the reflective electrode layer.
  • the organic layer may include one or more light emitting units.
  • the organic layer may include two, if necessary, a first light emitting unit having a first light emitting center wavelength and a second light emitting unit having a second light emitting center wavelength, and in some cases, may also include three or more light emitting units.
  • the first emission center wavelength may be in a range different from the second emission center wavelength.
  • the first emission center wavelength may be longer than the second emission center wavelength.
  • the ratio ⁇ 1 / ⁇ 2 between the first emission center wavelength ⁇ 1 and the second emission center wavelength ⁇ 2 may be in the range of 1.1 to 2. Within this range, the desired color can be realized by mixing the light emission of each light emitting unit.
  • the ratio ⁇ 1 / ⁇ 2 may be 1.2 or more, 1.3 or more, or 1.4 or more in another example. In addition, the ratio ⁇ 1 / ⁇ 2 may be 1.9 or less or 1.85 or less in another example.
  • the distance between each light emitting unit and the reflective electrode layer may be adjusted.
  • the first light emitting unit and the reflective electrode layer for example, the reflective electrode layer
  • ratio between the interval (L 1) and wherein the distance between the second light emitting unit and the reflective electrode layer (L 2) (L 1 / L 2 ) may be in the range of about 1.5 to 20.
  • the ratio L 1 / L 2 may in another example be at least about 2 or at least about 2.5.
  • the ratio L 1 / L 2 may be about 15 or less.
  • an organic layer including each light emitting unit having the adjusted interval and each light emission center wavelength may be formed on the substrate region having the above described haze to improve light extraction efficiency of the organic electronic device.
  • the distance between the emission center wavelength of each light emitting unit and the reflective electrode layer is not particularly limited as long as it is adjusted to satisfy the above ratio.
  • the first emission center wavelength may be in the range of about 500 to 700 nm and the second emission center wavelength may be in the range of about 380 to 500 nm.
  • the distance between the first light emitting unit and the reflective electrode layer may be in the range of 150 nm to 200 nm, and the distance between the second light emitting unit and the reflective electrode layer may be in the range of 20 nm to 80 nm.
  • An intermediate electrode layer or charge generating layer may further be present between the first light emitting unit and the second light emitting unit for proper light emission. Therefore, the light emitting units may have a structure divided by an intermediate electrode layer or a charge generating layer (CGL) having charge generation characteristics.
  • CGL charge generating layer
  • the material constituting the light emitting unit is not particularly limited. Fluorescent or phosphorescent organic materials having various emission center wavelengths are known in the art, and an appropriate kind can be selected from these known materials to form the light emitting unit. Examples of the material of the light emitting unit include tris (4-methyl-8-quinolinolate) aluminum (III) (tris (4-methyl-8-quinolinolate) aluminum (III)) (Alg3), 4-MAlq3, Gaq3 and the like.
  • the light emitting unit includes the material as a host and further includes perylene, distyrylbiphenyl, DPT, quinacridone, rubrene, BTX, ABTX, DCJTB and the like. It may have a host-dopant system including a as a dopant.
  • the light emitting unit can also be formed by appropriately adopting a kind exhibiting light emission characteristics among the electron-accepting organic compound or electron donating organic compound described later.
  • the organic layer may be formed in various structures further including various other functional layers known in the art, as long as it includes a light emitting unit.
  • Examples of the layer that may be included in the organic layer may include an electron injection layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, a hole transport layer, a hole injection layer, and the like.
  • the electron injection layer or the electron transport layer can be formed using, for example, an electron accepting organic compound.
  • an electron accepting organic compound any compound known without particular limitation may be used.
  • organic compounds include polycyclic compounds such as p-terphenyl or quaterphenyl or derivatives thereof, naphthalene, tetratracene, pyrene, coronene, and coronene.
  • Polycyclic hydrocarbon compounds or derivatives thereof such as chrysene, anthracene, diphenylanthracene, naphthacene or phenanthrene, phenanthroline, vasophenanthrol Heterocyclic compounds or derivatives thereof, such as lean (bathophenanthroline), phenanthridine, acridine (acridine), quinoline (quinoline), quinoxaline or phenazine (phenazine) and the like.
  • fluoroceine perylene, phthaloperylene, naphthaloperylene, naphthaloperylene, perynone, phthaloperinone, naphtharoferinone, diphenylbutadiene ( diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, oxadiazole, ardazine, bisbenzoxazoline, bisstyryl, pyrazine, cyclopentadiene , Oxine, aminoquinoline, imine, diphenylethylene, vinylanthracene, diaminocarbazole, pyrane, thiopyrane, polymethine, mero Cyanine (merocyanine), quinacridone or rubrene, or derivatives thereof, JP-A-1988-295695, JP-A-1996-22557, JP-A-1996-81472, Japanese Patent Laid-Open Publication No.
  • Fluorescent brighteners such as a benzooxazole compound, a benzothiazole compound or a benzoimidazole compound; 1,4-bis (2-methylstyryl) benzene, 1,4-bis (3-methylstyryl) benzene, 1,4-bis (4-methylstyryl) benzene, distyrylbenzene, 1,4- Bis (2-ethylstyryl) benzyl, 1,4-bis (3-ethylstyryl) benzene, 1,4-bis (2-methylstyryl) -2-methylbenzene or 1,4-bis (2- Distyrylbenzene compounds such as methylstyryl) -2-ethylbenzene and the like; 2,5-bis (4-methylstyryl) pyrazine, 2,5-bis (4-ethylstyryl) pyrazine, 2,5-bis [2- (1-naphthyl) vinyl
  • Namin (silanamine) derivative disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 194-279322 or Japanese Patent Laid-Open No. 194-279323 Polyfunctional styryl compound, an oxadiazole derivative disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 194-107648 or Japanese Patent Application Laid-Open No. 194-092947, an anthracene compound disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 194-206865, Japanese Patent Oxynate derivative disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 194-145146, tetraphenylbutadiene compound disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1992-96990, organic trifunctional compound disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No.
  • the electron injection layer may be formed using, for example, a material such as LiF or CsF.
  • the hole blocking layer is a layer capable of preventing the injected holes from entering the electron injecting electrode layer through the light emitting unit and improving the life and efficiency of the device. If necessary, a light blocking unit and an electron It can be formed in an appropriate part between the granular electrode layers.
  • the hole injection layer or hole transport layer may comprise, for example, an electron donating organic compound.
  • the electron donating organic compound include N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl, N, N'-diphenyl-N, N'-di (3-methylphenyl) -4, 4'-diaminobiphenyl, 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane, N, N, N ', N'-tetra-p-tolyl-4,4'-diamino ratio Phenyl, bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane, N, N'-diphenyl-N, N'-di (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl, N , N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenylether
  • the hole injection layer or the hole transport layer may be formed by dispersing an organic compound in a polymer or using a polymer derived from the organic compound. Also, such as polyparaphenylenevinylene and derivatives thereof, hole transporting non-conjugated polymers such as ⁇ -conjugated polymers, poly (N-vinylcarbazole), or ⁇ -conjugated polymers of polysilane may also be used. Can be.
  • the hole injection layer is formed by using electrically conductive polymers such as metal phthalocyanine such as copper phthalocyanine, non-metal phthalocyanine, carbon film and polyaniline, or by reacting the aryl amine compound with Lewis acid as an oxidizing agent. You may.
  • electrically conductive polymers such as metal phthalocyanine such as copper phthalocyanine, non-metal phthalocyanine, carbon film and polyaniline, or by reacting the aryl amine compound with Lewis acid as an oxidizing agent. You may.
  • the specific structure of the organic layer is not particularly limited.
  • various materials for forming a hole or an electron injection electrode layer and an organic layer for example, a light emitting unit, an electron injection or transport layer, a hole injection or transport layer, and a method of forming the same are known. All of these methods can be applied.
  • the organic electronic device can be formed on the substrate by encapsulating and protecting the formed device with an appropriate encapsulation material.
  • the structure or material of the organic electronic device formed on the flexible substrate in the present application, or a method of forming the same is not limited thereto, and other well-known contents may be applied.
  • a process of peeling the flexible substrate and the organic electronic device formed thereon from the polymer layer may be further performed.
  • the flexible substrate is formed on the polymer layer whose shape is controlled as described above, and thus the substrate is easily removed from the carrier substrate without a separate process, for example, a process of removing an edge or adhesive component as in the prior art. It can peel off.
  • the present application also relates to an organic electronic device.
  • the organic electronic device of the present application can be manufactured by the above-described method, and thus, a carrier substrate; A polymer layer formed on the carrier substrate and having a convex portion and a concave portion on a surface thereof; A flexible substrate in contact with the convex portion of the polymer layer; And an organic electronic device formed on an upper portion of the flexible substrate.
  • the polymer layer may include a polyorganosiloxane, for example, a polyorganosiloxane including a repeating unit of Chemical Formula 1.
  • the contact ratio of the polymer layer and the flexible substrate, the aspect ratio of the polymer layer, etc. may also be controlled as described above.
  • the present application also relates to the use of such organic electronic devices, for example organic light emitting devices.
  • the organic light emitting device may be, for example, a backlight of a liquid crystal display (LCD), a light source, a light source such as various sensors, a printer, a copier, a vehicle instrument light source, a signal lamp, an indicator light, a display device, a planar light emitting body, and the like. It can be effectively applied to a light source, a display, a decoration or various lights.
  • the present application relates to a lighting device including the organic light emitting device.
  • the organic light emitting device When the organic light emitting device is applied to the lighting device or other uses, other components constituting the device or the like or a method of constituting the device are not particularly limited, and are known in the art as long as the organic light emitting device is used. Any material or method can be employed.
  • the present application provides a method for manufacturing an organic electronic device, an organic electronic device manufactured according to the manufacturing method, and a use thereof.
  • a method of effectively manufacturing an organic electronic device using a flexible substrate, an organic electronic device manufactured by the same, and a use thereof can be provided.
  • FIG. 1 shows an exemplary method of forming a polymer layer having convex portions on a carrier substrate.
  • 3 and 4 show an exemplary process of manufacturing an organic electronic device on the polymer layer.
  • the polymer layer containing polydimethylsiloxane was formed on the glass substrate which is a carrier substrate. Specifically, first, as shown in FIG. 1, a layer 102 of an addition-curable silicone material capable of forming the polydimethylsiloxane is coated on a carrier substrate 101, and a mold 103 according to a desired shape is formed thereon. In the state, the layer of the silicon material was cured to form a polymer layer.
  • the convex portion (1022 of FIG. 2) of the polymer layer formed by the above process has the form as shown in FIG. 2, wherein the aspect ratio (W / H) of the convex portion is in the range of about 10 to 20 on average.
  • the height (H) of the convex portion is in the range of about 100 nm on average, and the convex portion is formed such that the contact area of the flexible substrate to be attached and the polymer layer is in the range of about 30% of the area of the entire polymer layer. .
  • the preparation of the organic electronic device was carried out in a known manner.
  • the organic electronic device comprises a hole injectable transparent electrode layer, a hole transport layer, a first light emitting unit, an n-type organic semiconductor layer, and a p-type organic material using a known material on the thin film glass in a range of about 380 to 500 nm.
  • Forming a device by sequentially forming a semiconductor layer, a second light emitting unit, a hole block layer, an electron transporting layer, an electron injection layer, and an electron injection reflective electrode layer having an emission wavelength in a range of about 500 to 700 nm, and forming the device in an appropriate encapsulating material.
  • the organic electronic device was manufactured by encapsulating with. After fabrication of the organic electronic device, the thin film glass was peeled from the polymer layer. In this process, the thin film was easily peeled off, and damage of the separate device was not confirmed in the process.

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Abstract

본 발명의 일 실시예는 캐리어 기판 상에 볼록부 및 오목부가 형성되어 있는 고분자층을 형성 하는 단계; 상기 고분자층의 상기 볼록부에 접촉되도록플롁서블 기판을 상기 고분자층상에 위치시키는 단계; 및 상기 플롁서블 기판의 상부에 유기전자소자를 형성하는 단계를 포함하는 유기전자장치의 제조방법을 제공한다.

Description

유기전자장치의 제조 방법
본 출원은, 유기전자장치의 제조 방법, 그에 의해 제조된 유기전자장치 및 그 용도에 관한 것이다.
유기전자장치(OED; Organic Electronic Device)는, 전류를 전도할 수 있는 유기 재료의 층을 하나 이상 포함하는 소자이다. 유기전자장치의 종류에는 유기발광소자(OLED), 유기태양전지, 유기 감광체(OPC) 또는 유기 트랜지스터 등이 포함된다.
전통적인 유기전자장치는, 주로 유리와 같은 강성 기판 상에서 제조된다. 이러한 종류의 강성의 소자에 대하여 전통적인 유리 기판 대신에 플렉서블 기판을 갖는 플렉서블 소자에 대한 연구가 이루어지고 있다. 플렉서블 기판은 주로 박막 유리 기판, 금속 호일 기판 및 플라스틱 기판을 포함하는 3가지 형태로 분류될 수 있다.
플렉서블 기판을 사용한 소자의 제조 공정은, 상기 강성 소자의 그것과 대체로 유사하지만, 기판의 유연성으로 인해 보다 고도의 주의가 요구된다. 플렉서블 기판을 적용한 공정으로는 단단한 캐리어 기판상에 플렉서블 기판을 부착하고, 공정을 진행한 후에 상기 캐리어 기판으로부터 소자를 박리하는 방식이 있다(예를 들면, 특허문헌 1). 이러한 방식에서는 주로 플렉서블 기판과 부착되는 캐리어 기판의 테두리에 적절한 접착성 물질을 형성한 후, 최종적으로 플렉서블 기판을 박리하기 위하여 상기 테두리 부분을 제거하는 공정이 수행된다. 따라서, 이러한 공정에 의하면 제조 효율이 떨어지고, 적절하게 접착성 물질이 제거되지 못하면 기판의 박리 과정에서 소자의 손상이 일어날 우려가 있다.
[선행기술문헌]
[특허문헌]
(특허문헌 1) 한국공개특허 제2013-0072651호
본 출원은, 유기전자장치의 제조 방법, 그 제조 방법에 따라 제조된 유기전자장치 및 그 용도를 제공한다. 본 출원에서는, 예를 들어서, 플렉서블 기판을 사용하여 효과적으로 유기전자장치를 제조하는 방법과 그에 의해 제조된 유기전자장치 및 그 용도를 제공하는 것을 하나의 주요한 목적으로 한다.
본 출원의 유기전자장치의 제조 방법은, 캐리어 기판상에 고분자층을 형성하고, 그 고분자층에 플렉서블 기판을 위치시킨 후에 상기 기판상에 유기전자소자를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 제조 방법은 상기 과정에 이어서 고분자층으로부터 플렉서블 기판을 박리하는 과정을 추가로 수행할 수 있다.
상기에서 캐리어 기판은, 유기전자소자의 제조 과정 또는 운송 과정 등에서 상기 플렉서블 기판 또는 유기전자소자를 지지하는 역할을 한다. 이와 같은 캐리어 기판으로는 적절한 강성 기판으로서 상기와 같은 지지체로서의 역할을 수행할 수 있는 것이라면 특별한 제한 없이 다양한 종류가 사용될 수 있다. 예를 들면, 상기 기판으로는 유리 기판을 사용할 수 있지만, 이에 제한되지 않고 다양한 강성 기판이 적용될 수 있다.
본 출원의 제조 방법에서는 상기와 같은 캐리어 기판상에 고분자층을 형성한다. 이 고분자층은, 상기 플렉서블 기판이 상기 캐리어 기판상에 제조 공정 또는 운송 공정 중에는 적절한 접착력을 나타내도록 부착되어 있고, 추후 박리 시에는 용이하게 박리할 수 있도록 하는 역할을 할 수 있다.
고분자층의 소재는 상기와 같은 역할을 할 수 있는 것이라면 특별히 제한되는 것은 아니다. 하나의 예시적인 상기 소재로서 폴리오가노실록산을 들 수 있다. 폴리오가노실록산은 경화 조건의 조절이나, 혹은 그 형태의 조절 또는 첨가제의 첨가 등을 통해 다른 성분과의 접착력을 용이하게 제어할 수 있는 이점이 있다.
폴리오가노실록산의 구체적인 종류는 목적을 고려하여 선택할 수 있으며, 이는 특별히 제한되지 않는다.
예를 들면, 상기 폴리오가노실록산으로서는, 하기 화학식 1의 반복 단위를 포함하는 것을 사용할 수 있다.
[화학식 1]
Figure PCTKR2014009238-appb-I000001
화학식 1에서 R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알케닐기 또는 아릴기이다.
본 명세서에서 용어 알킬기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 의미할 수 있다. 상기 알킬기는 직쇄형, 분지쇄형 또는 고리형일 수 있다. 또한, 상기 알킬기는 임의적으로 하나 이상의 치환기로 치환되어 있을 수 있다.
본 명세서에서 용어 알케닐기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 2 내지 20, 탄소수 2 내지 16, 탄소수 2 내지 12, 탄소수 2 내지 8 또는 탄소수 2 내지 4의 알케닐기를 의미할 수 있다. 상기 알케닐기는 직쇄형, 분지쇄형 또는 고리형일 수 있고, 임의적으로 하나 이상의 치환기로 치환되어 있을 수 있다.
본 명세서에서 용어 아릴기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 벤젠 고리 또는 2개 이상의 벤젠 고리가 연결되어 있거나, 하나 또는 2개 이상의 탄소 원자를 공유하면서 축합 또는 결합된 구조를 포함하는 화합물 또는 그 유도체로부터 유래하는 1가 잔기를 의미할 수 있다. 본 명세서에서 말하는 아릴기의 범위에는 통상적으로 아릴기로 호칭되는 관능기는 물론 소위 아르알킬기(aralkyl group) 또는 아릴알킬기 등도 포함될 수 있다. 아릴기는, 예를 들면, 탄소수 6 내지 25, 탄소수 6 내지 21, 탄소수 6 내지 18 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기일 수 있다. 아릴기로는, 페닐기, 디클로로페닐, 클로로페닐, 페닐에틸기, 페닐프로필기, 벤질기, 톨릴기, 크실릴기(xylyl group) 또는 나프틸기 등이 예시될 수 있다.
상기와 같은 골격을 가지는 폴리오가노실록산에서 필요한 경우에 관능기(R1 및 R2 등)의 종류나 비율 등을 조절함으로써 목적하는 물성을 가지는 고분자층을 형성할 수 있다.
예를 들어 상기 관능기 중에서 수소 원자나 알케닐기 등은 폴리오가노실록산의 경화 반응에 관여할 수 있는 관능기이고, 이러한 관능기의 종류나 비율의 조절을 통해 경화도를 조절함으로써 목적하는 물성을 확보할 수도 있다.
상기 화학식 1과 같은 골격을 가지는 폴리오가노실록산의 구체적인 종류는 특별히 제한되지 않고, 예를 들면 업계에서 소위 폴리디메틸실록산 등으로 공지되어 있는 폴리디알킬실록산 등을 사용할 수 있다.
본 출원에서는 캐리어 기판상에 형성되는 상기 고분자층이 적절한 볼록부를 가지도록 상기 고분자층을 형성할 수 있다. 이를 통해 상기 고분자층이 플렉서블 기판을 적절하게 유지하는 동시에 상기 기판의 제거 시에는 기판이 용이하게 제거되도록 할 수 있다. 또한, 적절한 볼록부의 형성을 통해 상기 기판의 제거 시에 종래 기술과 같이 기판의 일부를 제거하는 과정을 수행할 필요성도 없어질 수 있다.
즉, 상기와 같은 볼록부에 의해서 플렉서블 기판과 고분자층의 접촉 면적은 적절하게 조절되고, 그에 따라 상기와 같은 효과가 달성될 수 있다.
고분자층에 상기와 같은 요철 구조를 형성하는 방식은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 상기 고분자층은, 캐리어 기판상에 경화성 고분자 조성물의 층을 형성하고, 상기 경화성 고분자 조성물의 층을 몰드에 접촉시킨 상태에서 상기 층을 경화시켜서 형성할 수 있다. 도 1은 상기와 같은 과정을 예시적으로 보여주는 것이고, 캐리어 기판(101), 상기 경화성 고분자 조성물의 층(102) 및 상기 몰드(103)가 순차 형성되어 있는 상태를 보여주고 있다. 상기 과정에서 사용할 수 있는 경화성 고분자 조성물은 특별히 제한되지 않는다. 이 분야에는 경화되어 폴리오가노실록산을 포함하는 고분자층을 형성할 수 있는 재료로서, 예를 들면, 부가 경화형 실리콘계 재료, 축합 또는 중축합 경화형 실리콘계 재료, 자외선 경화형 실리콘계 재료 또는 퍼옥시드 가황형 실리콘계 재료 등의 다양한 재료가 공지되어 있고, 공정성을 고려하여 적절한 종류가 선택될 수 있다.
상기와 같은 방식으로 형성되는 고분자층에서 볼록부의 형태는 특별히 제한되지 않고, 플렉서블 기판과의 부착력 등을 고려하여 설계될 수 있다. 도 2는, 상기 요철 형상의 볼록부(1022), 즉 상기 플렉서블 기판과 접촉하는 부분의 형태의 예시적인 도면이다. 도면에서 사선으로으로 표시된 부분이 기판과 접촉될 수 있다. 그렇지만, 상기는 본 출원의 하나의 예시에 해당하고, 그 구체적인 형태는 다양하게 변경될 수 있다.
상기와 같은 볼록부의 형태는 플렉서블 기판의 접촉 후 필요한 유지력이나 박리 시에 요구되는 박리력의 확보를 위해 조절될 수 있다. 예를 들면, 상기 볼록부는 상기 고분자층과 상기 기판의 접촉 면적이 고분자층 전체 면적 대비 10 내지 95%의 범위 내가 되도록 조절될 수 있다. 상기 비율은 다른 예시에서 약 20% 이상, 약 30% 이상, 약 40% 이상 또는 약 45% 이상일 수 있다. 또한, 상기 범위는 다른 예시에서 약 90% 이하, 약 85% 이하, 약 80% 이하, 약 75% 이하, 약 70% 이하, 약 65% 이하 또는 약 60% 이하일 수 있다. 상기 규정된 범위 대비 지나치게 낮은 범위에서는 유기전자소자의 제조 공정이나 운송 과정에서 필요한 지지력이 확보되지 않을 우려가 있고, 그를 지나치게 초과하면, 기판의 박리 과정에서 소자의 손상이 일어날 우려가 있다.
목적하는 효과를 위하여 상기 볼록부의 종횡비도 조절될 수 있다. 본 출원에서 볼록부의 종횡비는, 상기 볼록부의 높이(H)에 대한 상기 볼록부의 폭(W)의 비율(W/H)이다. 상기 폭(W)과 높이(H)는 도 1에서 예시적으로 표시되어 있다. 도 1과 같이 상기에서 볼록부의 높이는 고분자층에서 상기 볼록부가 돌출하고 있는 부분의 높이를 의미할 수 있다. 상기 종횡비(W/H)는 0.0001 내지 10000의 범위 내가 되도록 조절될 수 있다. 종횡비는 다른 예시에서 약 0.001 이상, 약 0.01 이상, 약 0.1 이상, 약 1 이상, 약 10 이상, 약 20 이상, 약 30 이상, 약 40 이상, 약 50 이상, 약 60 이상, 약 70 이상, 약 80 이상, 약 90 이상 또는 약 100 이상일 수 있다. 종횡비는 다른 예시에서 약 1000 이하, 약 900 이하, 약 800 이하, 약 700 이하, 약 600 이하, 약 500 이하, 약 400 이하, 약 300 이하, 약 200 이하 또는 약 150 이하일 수 있다. 상기 규정된 범위 대비 지나치게 낮거나 높은 범위에서는 기판의 박리 과정에서 소자의 손상이 일어나거나, 유기전자소자의 제조 공정이나 운송 과정에서 필요한 지지력이 확보되지 않을 우려가 있다.
상기와 같은 과정에 이어서 상기 고분자층에 플렉서블 기판을 위치시킨 후에 장치를 제조한다.
도 3은 상기와 같이 형성된 고분자층(301)상에 플렉서블 기판(302)이 위치된 경우를 보여주고 있다.
상기에서 적용될 수 있는 기판의 종류는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 기판으로 업계에서 통상 플렉서블 소자의 구현에 사용될 수 있는 것으로 알려져 있는 것을 사용할 수 있다. 이러한 기판의 대표적인 예로는 박막 유리 필름이나 고분자 필름 등이 있다. 유리 필름으로는, 소다석회 유리, 바륨/스트론튬 함유 유리, 납 유리, 알루미노 규산 유리, 붕규산 유리, 바륨 붕규산 유리 또는 석영 등으로 형성된 필름이 예시될 수 있고, 고분자 필름으로는, PI(polyimide), PEN(Polyethylene naphthalate), PC(polycarbonate), 아크릴 수지, PET(poly(ethylene terephthatle)), PES(poly(ether sulfide)) 또는 PS(polysulfone) 등을 포함하는 필름이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
기판으로는 투광성 필름을 사용할 수 있다. 본 명세서에서 용어 투광성 필름은, 예를 들면, 가시광 영역 중 어느 하나의 광 또는 전체 가시광 영역의 광에 대한 투과율이 50% 이상, 60% 이상, 70% 이상 또는 80% 이상인 필름을 의미할 수 있다. 기판은, 구동용 TFT(Thin Film Transistor)가 존재하는 TFT 기판일 수도 있다.
기판은, 굴절률이 약 1.5 이상, 약 1.6 이상, 약 1.7 이상 또는 약 1.75 이상일 수 있다. 본 명세서에서 용어 굴절률은, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 약 550 nm 파장의 광에 대하여 측정한 굴절률이다. 유기전자장치가 유기발광장치인 경우, 기판의 상기 굴절률의 범위는 장치의 광효율을 높이는 것에 유리할 수 있다. 기판의 굴절률의 상한은 특별히 제한되는 것은 아니며, 예를 들면, 약 2.0 정도일 수 있다.
기판의 두께는 특별히 제한되지 않으며, 목적하는 성능, 예를 들면, 가요성이나 광추출 효율 또는 배리어성을 고려하여 적정 범위에서 선택될 수 있다. 예를 들면, 기판의 두께는 약 10 ㎛ 내지 약 50 ㎛의 범위 내 또는 약 20 ㎛ 내지 약 30 ㎛의 범위 내일 수 있다.
상기와 같은 기판상에 유기전자소자를 형성할 수 있다. 도 4는 상기 기판(302)상에 유기전자소자(401)가 형성된 경우를 예시적으로 보여주고 있다. 이 때 유기전자소자를 형성하는 방식은 특별히 제한되지 않고, 공지의 방식에 따라 수행될 수 있다. 예를 들면, 상기 제조 방법은 적어도 상기 기판상에 제 1 전극층, 유기층 및 제 2 전극층을 형성하는 공정을 포함할 수 있다.
필요하다면, 특히 상기 플렉서블 기판이 고분자 필름인 경우에는 상기 제조 방법에서 상기 제 1 전극층을 형성하기 전에 상기 기판상에 무기물층을 형성하는 단계가 추가될 수 있다.
본 명세서에서 용어 무기물층은, 예를 들면, 중량을 기준으로 무기물을 50% 이상 또는 60% 포함하는 층일 수 있다. 무기물층은, 무기물만을 포함하거나, 상기 범위 내로 무기물을 포함한다면 유기물과 같은 다른 성분을 포함할 수도 있다. 무기물층은, 예를 들면, 배리어층일 수 있다. 본 명세서에서 용어 배리어층은, 수분 또는 습기와 같이 유기층 등의 소자의 성능에 나쁜 영향을 줄 수 있는 외부 인자의 침투를 차단, 억제 또는 완화할 수 있는 층일 수 있다. 예를 들어, 배리어층은, WVTR(water vapor transmission rate, WVTR)이 10-4 g/m2/day 이하인 층일 수 있다. 본 명세서에서 WVTR은, 40 C 및 90% 상대 습도 조건에서 측정기(예를 들면, PERMATRAN-W3/31, MOCON, Inc.)를 사용하여 측정될 수치일 수 있다.
배리어층은 수분 및 산소 등의 외부 인자의 침투를 완화, 방지 또는 억제할 수 있는 것으로 알려진 소재를 사용하여 형성할 수 있다. 이러한 소재로는, In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti 및 Ni 등의 금속; TiO, TiO2, Ti3O3, Al2O3, MgO, SiO, SiO2, GeO, NiO, CaO, BaO, Fe2O3, Y2O3, ZrO2, Nb2O3 및, CeO2및 등의 금속 산화물; SiN 등의 금속 질화물; SiON 등의 금속 산질화물; 또는 MgF2, LiF, AlF3 및 CaF2 등의 금속 불화물 등이나 기타 흡수율 1% 이상인 흡수성 재료나 흡수 계수 0.1% 이하인 방습성 재료 등으로 알려진 재료들이 포함될 수 있다.
무기물층은 단층 구조이거나 다층 구조일 수 있다. 다층 구조는, 동종 또는 이종의 무기물층이 적층된 구조이거나, 혹은 무기물층과 유기층이 적층된 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 무기물층을 배리어층으로서 다층 구조로 하는 경우에 각층이 모두 배리어성을 가지는 재료로 형성되어야 하는 것은 아니며, 최종적으로 형성된 다층 구조가 목적하는 배리어성을 나타낼 수 있다면, 다층 구조 중 일부의 층은 배리어성이 없는 층으로 형성될 수도 있다. 무기물층의 형성 과정에서 발생할 수 있는 핀홀(pin hole) 등과 같은 결함(defect)의 증식(propargation)을 방지하는 측면에서 무기물층을 다층 구조로 하는 것이 유리할 수 있다. 또한, 다층 구조의 배리어층은, 후술하는 굴절률이 확보되는 배리어층의 형성에도 유리할 수 있다.
무기물층은 상기 기재 필름과의 굴절률의 차이가 가능한 작은 것이 적절할 수 있다. 예를 들면, 무기물층과 기재 필름과의 굴절률의 차이의 절대값은, 약 1 이하, 약 0.7 이하, 약 0.5 이하 또는 약 0.3 이하일 수 있다. 따라서, 기재 필름이 전술한 바와 같은 높은 굴절률을 가지는 경우에는 무기물층에도 그와 동등한 수준의 굴절률이 확보될 수 있다. 예를 들면, 무기물층의 굴절률은, 약 1.5 이상, 약 1.6 이상, 약 1.7 이상 또는 약 1.75 이상일 수 있다. 유기전자장치가 유기발광장치인 경우, 기재 필름의 상기 굴절률의 범위는 장치의 광효율을 높이는 것에 유리할 수 있다. 무기물층의 굴절률의 상한은 특별히 제한되는 것은 아니며, 예를 들면, 약 2.0 정도일 수 있다.
무기물층은, 예를 들면, 제 1 서브층과 제 2 서브층의 적층 구조를 포함할 수 있다. 상기 적층 구조는 2회 이상 반복될 수 있다.
하나의 예시에서 상기 제 1 서브층은 제 1 굴절률을 가지고, 제 2 서브층은 제 2 굴절률을 가질 수 있다. 이러한 층을 적층하면, 디커플링(decoupling) 효과를 확보하면서 무기물층의 굴절률을 상기 언급한 범위로 조절하는 것에 유리할 수 있다. 상기 제 1 굴절률과 제 2 굴절률의 차이의 절대값은, 예를 들면, 0.1 내지 1.2의 범위 내에 있을 수 있다. 제 1 및 제 2 굴절률 각각의 범위는 상기 굴절률의 범위가 확보된다면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들면 제 1 서브층의 굴절률은, 1.4 내지 1.9의 범위 내이고, 제 2 서브층의 굴절률은 2.0 내지 2.6의 범위 내일 수 있다. 제 1 및 제 2 서브층은, 각각 금속 산화물층일 수 있다. 예를 들어, 상기와 같은 굴절률을 가지는 제 1 서브층의 적합한 소재로는, Al2O3 등이 있고, 제 2 서브층에 적합한 소재로는 TiO2 등이 있지만, 각각 전술한 굴절률을 가지면서, 최종적인 적층 구조가 배리어성을 가질 수 있다면, 이 외에도 다양한 소재가 적용될 수 있다.
무기물층의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 의도된 용도에 따라서 적합하게 선택될 수 있다. 예를 들면, 무기물층의 두께는 약 5 nm 내지 약 60 nm의 범위 내 또는 약 10 nm 내지 약 55 nm의 범위 내에 있을 수 있다. 다층 구조인 경우에 다층 구조 내의 각 서브층의 두께 범위는, 예를 들면 약 약 0.5 nm 내지 약 10 nm 또는 약 0.5 nm 내지 약 5 nm의 범위 내일 수 있다.
목적하는 성능, 예를 들면, 우수한 배리어성이나 굴절률의 달성을 위하여 무기물층을 형성하는 조건이 조절될 수 있다. 예를 들면, 무기물층은, 평탄면, 예를 들면, 표면 거칠기(RMS, Root Mean Square)가 5 nm 이하, 4.5 nm 이하, 4.0 nm 이하, 3.5 nm 이하, 3.0 nm 이하, 2.5 nm 이하, 2.0 nm 이하, 1.5 nm 이하, 1.0 nm 이하 또는 0.5 nm 이하인 면에 형성될 수 있다. 이러한 평탄면에 무기물층을 형성하면 형성되는 층의 막질이 보다 개선될 수 있다. 상기 표면 거칠기는, 자체적으로 평탄도가 우수한 소재를 사용하여 조절하거나, 혹은 후술하는 바와 같이 버퍼층 등을 통해 조절할 수 있다. 목적 성능, 예를 들면 배리어성을 확보하는 또 다른 방식으로는 무기물층의 형성 과정에서의 온도를 조절하는 방식이 있다. 일반적으로 무기물층은, 물리적 또는 화학적 증착 방식을 사용하여 형성할 수 있는데, 이 과정에서 증착 온도를 고온, 예를 들면, 200 C 이상의 수준으로 조절할 경우에 우수한 배리어성이 확보될 수 있다.
무기물층은, 스퍼터링(sputtering), PLD(Pulsed Laser Deposition), 전자빔 증착(Electron beam evaporation), 열증착(thermal evaporation) 또는 L-MBE(Laser Molecular Beam Epitaxy) 등과 같은 PVD(physical Vapor Deposition) 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy), iCVD(initiated chemical vapor deposition), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 또는 ALD(Atomic Layer Deposition) 등의 CVD(Chemical Vapor Deposition) 등의 방식으로 형성할 수 있다. 상기 방식 중에서 사용 소재에 따라 적절한 방식을 선택함으로써 무기물층의 성능을 극대화할 수 있다.
기판상에 형성되는 제 1 전극층과 제 2 전극층은 투명 전극층이거나, 반사 전극층일 수 있다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 전극층 중 어느 하나를 투명 전극으로 하고, 다른 하나는 반사 전극층으로 형성할 수 있다. 상기 투명 및 반사 전극층은, 유기전자장치에서 통상 사용되는 정공 주입성 또는 전자 주입성 전극층일 수 있다. 투명 및 반사 전극층 중 어느 하나는 정공 주입성 전극층으로 형성되고, 다른 하나는 전자 주입성 전극층으로 형성될 수 있다.
정공 주입성인 전극층은, 예를 들면, 상대적으로 높은 일 함수(work function)를 가지는 재료를 사용하여 형성할 수 있고, 필요한 경우에 투명 또는 반사 재료를 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 정공 주입성 전극층은, 일 함수가 약 4.0 eV 이상인 금속, 합금, 전기 전도성 화합물 또는 상기 중 2종 이상의 혼합물을 포함할 수 있다. 이러한 재료로는, 금 등의 금속, CuI, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), 알루미늄 또는 인듐이 도핑된 아연 옥사이드, 마그네슘 인듐 옥사이드, 니켈 텅스텐 옥사이드, ZnO, SnO2 또는 In2O3 등의 산화물 재료나, 갈륨 니트라이드와 같은 금속 니트라이드, 아연 세레나이드 등과 같은 금속 세레나이드, 아연 설파이드와 같은 금속 설파이드 등이 예시될 수 있다. 투명한 정공 주입성 전극층은, 또한, Au, Ag 또는 Cu 등의 금속 박막과 ZnS, TiO2 또는 ITO 등과 같은 고굴절의 투명 물질의 적층체 등을 사용하여서도 형성할 수 있다.
정공 주입성 전극층은, 증착, 스퍼터링, 화학 증착 또는 전기화학적 수단 등의 임의의 수단으로 형성될 수 있다. 또한, 필요에 따라서 형성된 전극층은 공지된 포토리소그래피나 새도우 마스크 등을 사용한 공정을 통하여 패턴화될 수도 있다.
전자 주입성 전극층은, 예를 들면, 상대적으로 작은 일 함수를 가지는 재료를 사용하여 형성할 수 있으며, 예를 들면, 상기 정공 주입성 전극층의 형성을 위해 사용되는 소재 중에서 적절한 투명 또는 반사 소재를 사용하여 형성할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 전자 주입성 전극층도, 예를 들면, 증착법 또는 스퍼터링법 등을 사용하여 형성할 수 있으며, 필요한 경우에 적절히 패터닝될 수 있다.
전극층의 두께는, 예를 들면, 약 90 nm 내지 200 nm, 90 nm 내지 180 nm 또는 약 90 nm 내지 150 nm 정도의 두께를 가지도록 형성될 수 있다.
투명 및 반사 전극층의 사이에는 유기층이 형성된다. 본 출원의 하나의 예시에서 상기 유기층은 적어도 2개의 발광 유닛을 포함할 수 있다. 이와 같은 구조에서 발광 유닛에서 발생한 광은 반사 전극층에 의해 반사되는 과정 등을 거쳐서 투명 전극층측으로 방출될 수 있다.
유기층은, 하나 이상의 발광 유닛을 포함할 수 있다. 유기층은 필요한 경우 2개, 즉 제 1 발광 중심 파장을 가지는 제 1 발광 유닛과 제 2 발광 중심 파장을 가지는 제 2 발광 유닛을 포함할 수 있으며, 경우에 따라서는 3개 이상의 발광 유닛도 포함할 수 있다. 상기에서 제 1 발광 중심 파장은 제 2 발광 중심 파장과 상이한 범위에 있을 수 있다. 예를 들면, 제 1 발광 중심 파장은 제 2 발광 중심 파장보다 장파장일 수 있다. 예를 들어, 제 1 발광 중심 파장(λ1)과 제 2 발광 중심 파장(λ2)의 비율(λ1/λ2)은 1.1 내지 2의 범위 내일 수 있다. 이러한 범위에서 각 발광 유닛의 발광의 혼합을 통해 목적하는 컬러를 구현할 수 있다. 상기 비율(λ1/λ2)은 다른 예시에서 1.2 이상, 1.3 이상 또는 1.4 이상일 수 있다. 또한, 상기 비율(λ1/λ2)은 다른 예시에서 1.9 이하 또는 1.85 이하일 수 있다. 광추출 효율을 고려하여 상기 각 발광 유닛과 반사 전극층의 간격은 조절될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 발광 유닛과 상기 반사 전극층(예를 들면, 상기 반사 전극층)간의 간격(L1)과 상기 제 2 발광 유닛과 상기 반사 전극층간의 간격(L2)의 비율(L1/L2)은 약 1.5 내지 20의 범위 내일 수 있다. 상기 비율(L1/L2)은 다른 예시에서 약 2 이상 또는 약 2.5 이상일 수 있다. 또한, 다른 예시에서 상기 비율(L1/L2)은 약 15 이하일 수 있다. 예를 들면, 이와 같이 조절된 간격과 각 발광 중심 파장을 가지는 각 발광 유닛을 포함하는 유기층이 상기 기술한 헤이즈를 가지는 기판 영역상에 형성되어 유기전자장치의 광추출 효율을 개선될 수 있다.
각 발광 유닛의 발광 중심 파장과 반사 전극층과의 간격은 상기 비율을 만족하도록 조절되는 한 구체적인 범위가 특별히 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 제 1 발광 중심 파장은, 약 500 내지 700 nm의 범위 내이고 제 2 발광 중심 파장은 약 380 내지 500 nm의 범위 내일 수 있다. 또한, 제 1 발광 유닛과 반사 전극층간의 간격은 150 nm 내지 200 nm의 범위 내이고, 제 2 발광 유닛과 반사 전극층간의 간격이 20 nm 내지 80 nm의 범위 내에 있을 수 있다.
적절한 발광을 위하여 제 1 발광 유닛과 제 2 발광 유닛의 사이에 중간 전극층 또는 전하발생층이 추가로 존재할 수 있다. 따라서 발광 유닛들은 전하 발생 특성을 가지는 중간 전극층이나 전하 발생층(CGL; Charge Generating Layer) 등에 의해 분할되어 있는 구조를 가질 수도 있다.
발광 유닛을 구성하는 재료는 특별히 제한되지 않는다. 업계에서는 다양한 발광 중심 파장을 가지는 형광 또는 인광 유기 재료가 공지되어 있으며, 이러한 공지의 재료 중에서 적절한 종류를 선택하여 상기 발광 유닛을 형성할 수 있다. 발광 유닛의 재료로는, 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀레이트)알루미늄(III)(tris(4-methyl-8-quinolinolate)aluminum(III))(Alg3), 4-MAlq3 또는 Gaq3 등의 Alq 계열의 재료, C-545T(C26H26N2O2S), DSA-아민, TBSA, BTP, PAP-NPA, 스피로-FPA, Ph3Si(PhTDAOXD), PPCP(1,2,3,4,5-pentaphenyl-1,3-cyclopentadiene) 등과 같은 시클로페나디엔(cyclopenadiene) 유도체, DPVBi(4,4'-bis(2,2'-diphenylyinyl)-1,1'-biphenyl), 디스티릴 벤젠 또는 그 유도체 또는 DCJTB(4-(Dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7,-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran), DDP, AAAP, NPAMLI, ; 또는 Firpic, m-Firpic, N-Firpic, bon2Ir(acac), (C6)2Ir(acac), bt2Ir(acac), dp2Ir(acac), bzq2Ir(acac), bo2Ir(acac), F2Ir(bpy), F2Ir(acac), op2Ir(acac), ppy2Ir(acac), tpy2Ir(acac), FIrppy(fac-tris[2-(4,5'-difluorophenyl)pyridine-C'2,N] iridium(III)) 또는 Btp2Ir(acac)(bis(2-(2'-benzo[4,5-a]thienyl)pyridinato-N,C3') iridium(acetylactonate)) 등과 같은 인광 재료 등이 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 발광 유닛은, 상기 재료를 호스트(host)로 포함하고, 또한 페릴렌(perylene), 디스티릴비페닐(distyrylbiphenyl), DPT, 퀴나크리돈(quinacridone), 루브렌(rubrene), BTX, ABTX 또는 DCJTB 등을 도펀트로 포함하는 호스트-도펀트 시스템(Host-Dopant system)을 가질 수도 있다.
발광 유닛은 또한 후술하는 전자 수용성 유기 화합물 또는 전자 공여성 유기 화합물 중에서 발광 특성을 나타내는 종류를 적절히 채용하여 형성할 수도 있다.
유기층은, 발광 유닛을 포함하는 한, 이 분야에 공지된 다른 다양한 기능성층을 추가로 포함하는 다양한 구조로 형성될 수 있다. 유기층에 포함될 수 있는 층으로는, 전자 주입층, 정공 저지층, 전자 수송층, 정공 수송층 및 정공 주입층 등이 예시될 수 있다.
전자 주입층 또는 전자 수송층은, 예를 들면, 전자 수용성 유기 화합물(electron accepting organic compound)을 사용하여 형성할 수 있다. 상기에서 전자 수용성 유기 화합물로는, 특별한 제한 없이 공지된 임의의 화합물이 사용될 수 있다. 이러한 유기 화합물로는, p-테르페닐(p-terphenyl) 또는 쿠아테르페닐(quaterphenyl) 등과 같은 다환 화합물 또는 그 유도체, 나프탈렌(naphthalene), 테트라센(tetracene), 피렌(pyrene), 코로넨(coronene), 크리센(chrysene), 안트라센(anthracene), 디페닐안트라센(diphenylanthracene), 나프타센(naphthacene) 또는 페난트렌(phenanthrene) 등과 같은 다환 탄화수소 화합물 또는 그 유도체, 페난트롤린(phenanthroline), 바소페난트롤린(bathophenanthroline), 페난트리딘(phenanthridine), 아크리딘(acridine), 퀴놀린(quinoline), 키노사린(quinoxaline) 또는 페나진(phenazine) 등의 복소환화합물 또는 그 유도체 등이 예시될 수 있다. 또한, 플루오르세인(fluoroceine), 페리렌(perylene), 프타로페리렌(phthaloperylene), 나프타로페리렌(naphthaloperylene), 페리논(perynone), 프타로페리논, 나프타로페리논, 디페닐부타디엔(diphenylbutadiene), 테트라페닐부타디엔(tetraphenylbutadiene), 옥사디아졸(oxadiazole), 아르다진(aldazine), 비스벤조옥사조린(bisbenzoxazoline), 비스스티릴(bisstyryl), 피라진(pyrazine), 사이크로펜타디엔(cyclopentadiene), 옥신(oxine), 아미노퀴놀린(aminoquinoline), 이민(imine), 디페닐에틸렌, 비닐안트라센, 디아미노카르바졸(diaminocarbazole), 피란(pyrane), 티오피란(thiopyrane), 폴리메틴(polymethine), 메로시아닌(merocyanine), 퀴나크리돈(quinacridone) 또는 루부렌(rubrene) 등이나 그 유도체, 일본특허공개 제1988-295695호, 일본특허공개 제1996-22557호, 일본특허공개 제1996-81472호, 일본특허공개 제1993-009470호 또는 일본특허공개 제1993-017764호 등의 공보에서 개시하는 금속 킬레이트 착체 화합물, 예를 들면, 금속 킬레이트화 옥사노이드화합물인 트리스(8-퀴놀리노라토)알루미늄[tris(8-quinolinolato)aluminium], 비스(8-퀴놀리노라토)마그네슘, 비스[벤조(에프)-8-퀴놀뤼노라토]아연{bis[benzo(f)-8-quinolinolato]zinc}, 비스(2-메틸-8-퀴놀리노라토)알루미늄, 트리스(8-퀴놀리노라토)인디엄[tris(8-quinolinolato)indium], 트리스(5-메틸-8-퀴놀리노라토)알루미늄, 8-퀴놀리노라토리튬, 트리스(5-클로로-8-퀴놀리노라토)갈륨, 비스(5-클로로-8-퀴놀리노라토)칼슘 등의 8-퀴놀리노라토 또는 그 유도체를 배립자로 하나 이상 가지는 금속 착체, 일본특허공개 제1993-202011호, 일본특허공개 제1995-179394호, 일본특허공개 제1995-278124호 또는 일본특허공개 제1995-228579호 등의 공보에 개시된 옥사디아졸(oxadiazole) 화합물, 일본특허공개 제1995-157473호 공보 등에 개시된 트리아진(triazine) 화합물, 일본특허공개 제1994-203963호 공보 등에 개시된 스틸벤(stilbene) 유도체나, 디스티릴아릴렌(distyrylarylene) 유도체, 일본특허공개 제1994-132080호 또는 일본특허공개 제1994-88072호 공보 등에 개시된 스티릴 유도체, 일본특허공개 제1994-100857호나 일본특허공개 제1994-207170호 공보 등에 개시된 디올레핀 유도체; 벤조옥사졸(benzooxazole) 화합물, 벤조티아졸(benzothiazole) 화합물 또는 벤조이미다졸(benzoimidazole) 화합물 등의 형광 증백제; 1,4-비스(2-메틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(3-메틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(4-메틸스티릴)벤젠, 디스티릴벤젠, 1,4-비스(2-에틸스티릴)벤질, 1,4-비스(3-에틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(2-메틸스티릴)-2-메틸벤젠 또는 1,4-비스(2-메틸스티릴)-2-에틸벤젠 등과 같은 디스티릴벤젠(distyrylbenzene) 화합물; 2,5-비스(4-메틸스티릴)피라진, 2,5-비스(4-에틸스티릴)피라진, 2,5-비스[2-(1-나프틸)비닐]피라진, 2,5-비스(4-메톡시스티릴)피라진, 2,5-비스[2-(4-비페닐)비닐]피라진 또는 2,5-비스[2-(1-피레닐)비닐]피라진 등의 디스티릴피라진(distyrylpyrazine) 화합물, 1,4-페닐렌디메틸리딘, 4,4'-페닐렌디메틸리딘, 2,5-크실렌디메틸리딘, 2,6-나프틸렌디메틸리딘, 1,4-비페닐렌디메틸리딘, 1,4-파라-테레페닐렌디메텔리딘, 9,10-안트라센디일디메틸리딘(9,10-anthracenediyldimethylidine) 또는 4,4'-(2,2-디-티-부틸페닐비닐)비페닐, 4,4'-(2,2-디페닐비닐)비페닐 등과 같은 디메틸리딘(dimethylidine) 화합물 또는 그 유도체, 일본특허공개 제1994-49079호 또는 일본특허공개 제1994-293778호 공보 등에 개시된 실라나민(silanamine) 유도체, 일본특허공개 제1994-279322호 또는 일본특허공개 제1994-279323호 공보 등에 개시된 다관능 스티릴 화합물, 일본특허공개 제1994-107648호 또는 일본특허공개 제1994-092947호 공보 등에 개시되어 있는 옥사디아졸 유도체, 일본특허공개 제1994-206865호 공보 등에 개시된 안트라센 화합물, 일본특허공개 제1994-145146호 공보 등에 개시된 옥시네이트(oxynate) 유도체, 일본특허공개 제1992-96990호 공보 등에 개시된 테트라페닐부타디엔 화합물, 일본특허공개 제1991-296595호 공보 등에 개시된 유기 삼관능 화합물, 일본특허공개 제1990-191694호 공보 등에 개시된 쿠마린(coumarin)유도체, 일본특허공개 제1990-196885호 공보 등에 개시된 페리렌(perylene) 유도체, 일본특허공개 제1990-255789호 공보 등에 개시된 나프탈렌 유도체, 일본특허공개 제1990-289676호나 일본특허공개 제1990-88689호 공보 등에 개시된 프탈로페리논(phthaloperynone) 유도체 또는 일본특허공개 제1990-250292호 공보 등에 개시된 스티릴아민 유도체 등도 저굴절층에 포함되는 전자 수용성 유기 화합물로서 사용될 수 있다. 또한, 상기에서 전자 주입층은, 예를 들면, LiF 또는 CsF 등과 같은 재료를 사용하여 형성할 수도 있다.
정공 저지층은, 주입된 정공이 발광 유닛을 지나 전자 주입성 전극층으로 진입하는 것을 방지하여 소자의 수명과 효율을 향상시킬 수 있는 층이고, 필요한 경우에 공지의 재료를 사용하여 발광 유닛과 전자 주입성 전극층의 사이에 적절한 부분에 형성될 수 있다.
정공 주입층 또는 정공 수송층은, 예를 들면, 전자 공여성 유기 화합물(electron donating organic compound)을 포함할 수 있다. 전자 공여성 유기 화합물로는, N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노페닐, N,N'-디페닐-N,N'-디(3-메틸페닐)-4,4'-디아미노비페닐, 2,2-비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)프로판, N,N,N',N'-테트라-p-톨릴-4,4'-디아미노비페닐, 비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)페닐메탄, N,N'-디페닐-N,N'-디(4-메톡시페닐)-4,4'-디아미노비페닐, N,N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-비스(디페닐아미노)쿠아드리페닐[4,4'-bis(diphenylamino)quadriphenyl], 4-N,N-디페닐아미노-(2-디페닐비닐)벤젠, 3-메톡시-4'-N,N-디페닐아미노스틸벤젠, N-페닐카르바졸, 1,1-비스(4-디-p-트리아미노페닐)시크로헥산, 1,1-비스(4-디-p-트리아미노페닐)-4-페닐시크로헥산, 비스(4-디메틸아미노-2-메틸페닐)페닐메탄, N,N,N-트리(p-톨릴)아민, 4-(디-p-톨릴아미노)-4'-[4-(디-p-톨릴아미노)스티릴]스틸벤, N,N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노비페닐 N-페닐카르바졸, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐-아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]p-테르페닐, 4,4'-비스[N-(2-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(3-아세나프테닐)-N-페닐아미노]비페닐, 1,5-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]나프탈렌, 4,4'-비스[N-(9-안트릴)-N-페닐아미노]비페닐페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(1-안트릴)-N-페닐아미노]-p-테르페닐, 4,4'-비스[N-(2-페난트릴)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(8-플루오란테닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(2-피레닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(2-페릴레닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(1-코로네닐)-N-페닐아미노]비페닐(4,4'-bis[N-(1-coronenyl)-N-phenylamino]biphenyl), 2,6-비스(디-p-톨릴아미노)나프탈렌, 2,6-비스[디-(1-나프틸)아미노]나프탈렌, 2,6-비스[N-(1-나프틸)-N-(2-나프틸)아미노]나프탈렌, 4,4'-비스[N,N-디(2-나프틸)아미노]테르페닐, 4,4'-비스{N-페닐-N-[4-(1-나프틸)페닐]아미노}비페닐, 4,4'-비스[N-페닐-N-(2-피레닐)아미노]비페닐, 2,6-비스[N,N-디-(2-나프틸)아미노]플루오렌 또는 4,4'-비스(N,N-디-p-톨릴아미노)테르페닐, 및 비스(N-1-나프틸)(N-2-나프틸)아민 등과 같은 아릴 아민 화합물이 대표적으로 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
정공 주입층이나 정공 수송층은, 유기화합물을 고분자 중에 분산시키거나, 상기 유기 화합물로부터 유래한 고분자를 사용하여 형성할 수도 있다. 또한, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체 등과 같이 소위 π-공역 고분자(π-conjugated polymers), 폴리(N-비닐카르바졸) 등의 정공 수송성 비공역 고분자 또는 폴리실란의 σ-공역 고분자 등도 사용될 수 있다.
정공 주입층은, 구리프탈로시아닌과 같은 금속 프탈로시아닌이나 비금속 프탈로시아닌, 카본막 및 폴리아닐린 등의 전기적으로 전도성인 고분자 들을 사용하여 형성하거나, 상기 아릴 아민 화합물을 산화제로 하여 루이스산(Lewis acid)과 반응시켜서 형성할 수도 있다.
유기층의 구체적인 구조는 특별히 제한되지 않는다. 이 분야에서는 정공 또는 전자 주입 전극층과 유기층, 예를 들면, 발광 유닛, 전자 주입 또는 수송층, 정공 주입 또는 수송층을 형성하기 위한 다양한 소재 및 그 형성 방법이 공지되어 있으며, 상기 유기전자장치의 제조에는 상기와 같은 방식이 모두 적용될 수 있다.
상기와 같은 제 1 및 제 2 전극층과 유기층을 적어도 형성한 후에 필요하다면, 형성된 소자를 적절한 봉지 소재로 봉지하여 보호함으로써 유기전자소자를 기판상에 형성할 수 있다.
전술한 바와 같이 본 출원에서 플렉서블 기판상에 형성되는 유기전자소자의 구조 내지는 재료, 그 형성 방법은 상기에 제한되지 않고, 공지의 다른 내용도 적용될 수 있다.
상기와 같은 공정에 이어서 필요한 경우에 상기 플렉서블 기판과 그 위에 형성된 유기전자소자를 상기 고분자층으로부터 박리하는 공정이 추가로 진행될 수 있다. 본 출원에서 상기 플렉서블 기판은 전술한 바와 같이 형태가 제어된 고분자층상에 형성되고, 이에 따라 별도의 공정, 예를 들면 종래 기술과 같은 테두리나 접착성분의 제거 공정이 없이도 기판을 캐리어 기판으로부터 용이하게 박리할 수 있다.
본 출원은 또한, 유기전자장치에 대한 것이다. 본 출원의 유기전자장치는 전술한 방법에 의해 제조될 수 있고, 따라서 캐리어 기판; 상기 캐리어 기판상에 형성되어 있고, 표면에 볼록부 및 오목부를 가지는 고분자층; 상기 고분자층의 상기 볼록부에 접촉하고 있는 플렉서블 기판; 및 상기 플렉서블 기판의 상부에 형성되어 있는 유기전자소자를 포함할 수 있다.
상기 유기전자장치에 대한 구체적인 내용은 이미 기술한 부분이 동일하게 적용될 수 있다.
따라서, 상기에서 고분자층은 폴리오가노실록산, 예를 들면 상기 화학식 1의 반복 단위를 포함하는 폴리오가노실록산을 포함할 수 있다.
또한, 상기에서 고분자층 및 플렉서블 기판의 접촉 비율이나, 상기 고분자층의 종횡비 등도 전술한 범위와 같이 제어될 수 있다.
본 출원은 또한 상기 유기전자장치, 예를 들면, 유기발광장치의 용도에 관한 것이다. 상기 유기발광장치는, 예를 들면, 액정표시장치(LCD; Liquid Crystal Display)의 백라이트, 조명, 각종 센서, 프린터, 복사기 등의 광원, 차량용 계기 광원, 신호등, 표시등, 표시장치, 면상발광체의 광원, 디스플레이, 장식 또는 각종 라이트 등에 효과적으로 적용될 수 있다. 하나의 예시에서 본 출원은, 상기 유기발광소자를 포함하는 조명 장치에 관한 것이다. 상기 조명 장치 또는 기타 다른 용도에 상기 유기발광소자가 적용될 경우에, 상기 장치 등을 구성하는 다른 부품이나 그 장치의 구성 방법은 특별히 제한되지 않고, 상기 유기발광소자가 사용되는 한, 해당 분야에 공지되어 있는 임의의 재료나 방식이 모두 채용될 수 있다.
본 출원은, 유기전자장치의 제조 방법, 그 제조 방법에 따라 제조된 유기전자장치 및 그 용도를 제공한다. 본 출원에서는, 예를 들어서, 플렉서블 기판을 사용하여 효과적으로 유기전자장치를 제조하는 방법과 그에 의해 제조된 유기전자장치 및 그 용도를 제공할 수 있다.
도 1은, 캐리어 기판상에 볼록부를 가지는 고분자층을 형성하는 예시적인 방법을 보여준다.
도 2는, 고분자층에 형성된 볼록부의 예시적인 형태를 보여준다.
도 3 및 4는 상기 고분자층상에서 유기전자장치를 제조하는 예시적인 과정을 보여준다.
이하, 본 출원에 따른 실시예를 통하여 본 출원을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 출원의 범위가 하기 제시된 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
실시예 1.
캐리어 기판인 유리 기판상에 폴리디메틸실록산을 포함하는 고분자층을 형성하였다. 구체적으로 우선 도 1과 같이 캐리어 기판(101)상에 상기 폴리디메틸실록산을 형성할 수 있는 부가 경화형 실리콘 재료의 층(102)를 코팅하고, 그 위에 목적하는 형상에 따른 몰드(103)를 형성한 상태에서 상기 실리콘 재료의 층을 경화시켜 고분자층을 형성하였다. 상기 과정에 의해서 형성된 고분자층의 볼록부(도 2의 1022)는 도 2와 같은 형태를 가졌고, 이 때 상기 볼록부의 종횡비(W/H)는 평균적으로 약 10 내지 20 정도의 범위 내에 속하고, 상기 볼록부의 높이(H)는 평균적으로 약 100 nm 정도의 범위 내에 속하면서, 부착되는 플렉서블 기판과 상기 고분자층의 접촉 면적이 전체 고분자층의 면적 대비 30 % 정도의 범위에 속하도록 상기 볼록부를 형성하였다.
그 후 상기 고분자층의 상기 볼록부에 박막 유리를 위치시키고, 유기전자소자를 제조하였다. 상기에서 유기전자소자의 제조는 공지의 방식으로 수행하였다. 유기전자소자는, 상기 박막 유리상에 공지의 소재를 사용하여 정공 주입성 투명 전극층, 정공 수송층, 발광 파장이 약 380 내지 500 nm의 범위 내에 있는 제 1 발광 유닛, n형 유기반도체층, p형 유기반도체층, 발광 파장이 약 500 내지 700 nm의 범위 내에 있는 제 2 발광 유닛, 정공블록층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 전자 주입성 반사 전극층을 순차 형성하여 소자를 형성하고 상기 소자를 적절한 봉지 물질로 봉지하여 유기전자장치를 제조하였다. 유기전자장치의 제조 후에 박막 유리를 상기 고분자층으로부터 박리하였다. 이 과정에서 박막 유리는 용이하게 박리되었으며, 그 과정에서 별도의 소자의 손상도 확인되지 않았다.
[부호의 설명]
101: 캐리어 기판
102: 경화성 고분자 조성물의 층
103: 몰드
301: 고분자층
302: 플렉서블 기판
401: 유기전자소자

Claims (16)

  1. 캐리어 기판상에 표면에 볼록부 및 오목부가 형성되어 있는 고분자층을 형성하는 단계; 상기 고분자층의 상기 볼록부에 접촉되도록 플렉서블 기판을 상기 고분자층상에 위치시키는 단계; 및 상기 플렉서블 기판의 상부에 유기전자소자를 형성하는 단계를 포함하는 유기전자장치의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 고분자층은 폴리오가노실록산을 포함하는 유기전자장치의 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 폴리오가노실록산은 하기 화학식 1의 반복 단위를 포함하는 유기전자장치의 제조 방법:
    [화학식 1]
    Figure PCTKR2014009238-appb-I000002
    화학식 1에서 R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알케닐기 또는 아릴기이다.
  4. 제 1 항에 있어서, 고분자층의 볼록부는, 플렉서블 기판과의 접촉 비율이 고분자층 전체 면적 대비 10 내지 95%의 범위 내에 속하도록 형성하는 유기전자장치의 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 고분자층의 볼록부는, 상기 볼록부의 종횡비가 0.0001 내지 10000의 범위 내에 속하도록 형성하는 유기전자장치의 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 고분자층은, 캐리어 기판상에 경화성 고분자 조성물의 층을 형성하는 단계; 상기 경화성 고분자 조성물의 층을 몰드에 접촉시키는 단계 및 상기 몰드와 접촉된 경화성 고분자 조성물의 층을 경화시키는 단계를 포함하는 유기전자장치의 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 경화성 고분자 조성물은, 부가 경화형 실리콘계 재료, 축합 또는 중축합 경화형 실리콘계 재료, 자외선 경화형 실리콘계 재료 또는 퍼옥시드 가황형 실리콘계 재료인 유기전자장치의 제조 방법
  8. 제 1 항에 있어서, 플렉서블 기판은 박막 유리인 유기전자장치의 제조 방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 플렉서블 기판은 고분자 필름인 유기전자장치의 제조 방법.
  10. 제 1 항에 있어서, 플렉서블 기판과 유기전자소자를 고분자층으로부터 박리하는 공정을 추가로 수행하는 유기전자장치의 제조 방법.
  11. 캐리어 기판; 상기 캐리어 기판상에 형성되어 있고, 표면에 볼록부 및 오목부를 가지는 고분자층; 상기 고분자층의 상기 볼록부에 접촉하고 있는 플렉서블 기판; 및 상기 플렉서블 기판의 상부에 형성되어 있는 유기전자소자를 포함하는 유기전자장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 고분자층은 폴리오가노실록산을 포함하는 유기전자장치.
  13. 제 12 항에 있어서, 폴리오가노실록산은 하기 화학식 1의 반복 단위를 포함하는 유기전자장치:
    [화학식 1]
    Figure PCTKR2014009238-appb-I000003
    화학식 1에서 R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알케닐기 또는 아릴기이다.
  14. 제 11 항에 있어서, 고분자층 및 플렉서블 기판의 접촉 비율은 고분자층 전체 면적 대비 10 내지 95%의 범위 내에 있는 유기전자장치.
  15. 제 11 항에 있어서, 고분자층의 볼록부의 종횡비가 0.0001 내지 10000의 범위 내에 있는 유기전자장치.
  16. 제 11 항의 유기전자장치를 포함하는 조명 기구.
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CN104966789A (zh) * 2015-06-30 2015-10-07 深圳市华星光电技术有限公司 一种电荷连接层及其制造方法、叠层oled器件
WO2017073438A1 (ja) * 2015-10-30 2017-05-04 株式会社村田製作所 Ｌｃ複合デバイス、プロセッサおよびｌｃ複合デバイスの製造方法
KR102103955B1 (ko) 2016-03-24 2020-04-23 주식회사 엘지화학 플렉서블 유기전자소자용 캐리어 필름
US10206131B2 (en) * 2016-09-12 2019-02-12 Nokia Technologies Oy System and method for programmable native analytics in 5G mobile networks
WO2018105901A1 (ko) * 2016-12-08 2018-06-14 주식회사 엘지화학 기판의 접착방법 및 이를 통해 제조된 디스플레이용 기판
CN107342305B (zh) * 2017-06-13 2020-04-28 上海和辉光电有限公司 一种柔性基板结构及其制备方法
JP2019012639A (ja) * 2017-06-30 2019-01-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN107993576B (zh) * 2017-11-27 2020-03-17 深圳市华星光电技术有限公司 柔性显示面板的制作方法及柔性显示装置的制作方法

Citations (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63295695A (ja) 1987-02-11 1988-12-02 イーストマン・コダック・カンパニー 有機発光媒体をもつ電場発光デバイス
JPH0288689A (ja) 1988-09-26 1990-03-28 Mitsubishi Kasei Corp 電界発光素子
JPH02191694A (ja) 1989-01-20 1990-07-27 Idemitsu Kosan Co Ltd 薄膜有機ｅｌ素子
JPH02196885A (ja) 1989-01-25 1990-08-03 Asahi Chem Ind Co Ltd 有機電界発光素子
JPH02250292A (ja) 1989-03-23 1990-10-08 Ricoh Co Ltd 電界発光素子
JPH02255789A (ja) 1989-03-29 1990-10-16 Asahi Chem Ind Co Ltd 有機電場発光素子
JPH02289676A (ja) 1989-01-13 1990-11-29 Ricoh Co Ltd 電界発光素子
JPH03296595A (ja) 1990-04-13 1991-12-27 Kao Corp 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子
JPH0496990A (ja) 1990-08-10 1992-03-30 Pioneer Electron Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH059470A (ja) 1991-02-06 1993-01-19 Pioneer Electron Corp 有機エレクトロルミネツセンス素子
JPH0517764A (ja) 1991-02-06 1993-01-26 Pioneer Electron Corp 有機エレクトロルミネツセンス素子
JPH05202011A (ja) 1992-01-27 1993-08-10 Toshiba Corp オキサジアゾール誘導体
JPH0649079A (ja) 1992-04-02 1994-02-22 Idemitsu Kosan Co Ltd シラナミン誘導体およびその製造方法並びに該シラナミン誘導体を用いたｅｌ素子
JPH0688072A (ja) 1992-09-07 1994-03-29 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH0692947A (ja) 1992-07-27 1994-04-05 Ricoh Co Ltd オキサジアゾール誘導体ならびにその製造法
JPH06100857A (ja) 1992-09-21 1994-04-12 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06107648A (ja) 1992-09-29 1994-04-19 Ricoh Co Ltd 新規なオキサジアゾール化合物
JPH06132080A (ja) 1992-10-19 1994-05-13 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06145146A (ja) 1992-11-06 1994-05-24 Chisso Corp オキシネイト誘導体
JPH06203963A (ja) 1993-01-08 1994-07-22 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06207170A (ja) 1992-11-20 1994-07-26 Idemitsu Kosan Co Ltd 白色有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06206865A (ja) 1992-10-14 1994-07-26 Chisso Corp 新規アントラセン化合物と該化合物を用いる電界発光素子
JPH06279322A (ja) 1993-03-26 1994-10-04 Idemitsu Kosan Co Ltd ４官能スチリル化合物およびその製造法
JPH06279323A (ja) 1993-03-26 1994-10-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 新規スチリル化合物，その製造法およびそれからなる有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06293778A (ja) 1993-04-05 1994-10-21 Idemitsu Kosan Co Ltd シラナミン誘導体およびその製造方法
JPH07157473A (ja) 1993-12-06 1995-06-20 Chisso Corp トリアジン誘導体、その製造法及びそれを用いた電界発光素子
JPH07179394A (ja) 1993-12-21 1995-07-18 Ricoh Co Ltd オキサジアゾール化合物およびその製造法
JPH07228579A (ja) 1993-12-21 1995-08-29 Ricoh Co Ltd オキサジアゾール化合物およびその製造法
JPH07278124A (ja) 1993-12-24 1995-10-24 Ricoh Co Ltd オキサジアゾール誘導体およびその製造方法
JPH0822557A (ja) 1994-05-24 1996-01-23 Texas Instr Inc <Ti> ユーザへビデオ画像を表示する装置及び方法
JPH0881472A (ja) 1994-09-12 1996-03-26 Motorola Inc 発光装置に使用するための有機金属錯体
KR20090036427A (ko) * 2007-10-09 2009-04-14 엘지디스플레이 주식회사 화상표시소자 전구체 및 화상표시소자
KR20110015304A (ko) * 2009-08-07 2011-02-15 주식회사 동진쎄미켐 임프린트 리소그래피용 광경화형 수지 조성물 및 이를 이용한 임프린트 몰드의 제조 방법
KR20120027632A (ko) * 2010-09-13 2012-03-22 한국과학기술원 플렉시블 소자의 제작 방법
JP2012091369A (ja) * 2010-10-26 2012-05-17 Alliance Material Co Ltd 光学基板と搭載基板を貼り合わせる方法、及び前記方法を使用したフレキシブル基板の製造方法
KR20120106659A (ko) * 2011-03-18 2012-09-26 이터널 케미칼 컴퍼니 리미티드 플렉서블 장치의 제조 방법
KR20130072651A (ko) 2011-12-22 2013-07-02 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치의 봉지방법

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6867539B1 (en) * 2000-07-12 2005-03-15 3M Innovative Properties Company Encapsulated organic electronic devices and method for making same
US6887792B2 (en) 2002-09-17 2005-05-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Embossed mask lithography
GB0326537D0 (en) 2003-11-14 2003-12-17 Koninkl Philips Electronics Nv Flexible devices
JP4650113B2 (ja) * 2005-06-09 2011-03-16 富士ゼロックス株式会社 積層構造体、ドナー基板、および積層構造体の製造方法
US7545042B2 (en) * 2005-12-22 2009-06-09 Princo Corp. Structure combining an IC integrated substrate and a carrier, and method of manufacturing such structure
KR20090031349A (ko) * 2006-04-28 2009-03-25 폴리셋 컴파니, 인코퍼레이티드 재분배층 적용을 위한 실록산 에폭시 중합체
JP5119865B2 (ja) * 2007-11-02 2013-01-16 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器
JP2010034496A (ja) 2008-06-25 2010-02-12 Hitachi Chem Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子、並びにこれを備えた表示素子、照明装置、及び表示装置
CN101923279B (zh) * 2009-06-09 2012-03-28 清华大学 纳米压印模板及其制备方法
JPWO2011024690A1 (ja) 2009-08-27 2013-01-31 旭硝子株式会社 フレキシブル基材−支持体の積層構造体、支持体付き電子デバイス用パネル、および電子デバイス用パネルの製造方法
WO2011027277A2 (en) * 2009-09-01 2011-03-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination device with power source
EP2374766A4 (en) 2009-10-09 2012-04-04 Micro Technology Co Ltd PROCESS FOR PRODUCING FLEXIBLE GLASS SUBSTRATE AND FLEXIBLE GLASS SUBSTRATE
CN103000491A (zh) * 2011-09-16 2013-03-27 元太科技工业股份有限公司 可挠性显示设备的制造方法
TWI449007B (zh) * 2011-09-16 2014-08-11 E Ink Holdings Inc 可撓性顯示裝置的製造方法
JP5898949B2 (ja) * 2011-12-27 2016-04-06 パナソニック株式会社 フレキシブルデバイスの製造方法
TWI520215B (zh) * 2012-09-19 2016-02-01 友達光電股份有限公司 元件基板及其製造方法

Patent Citations (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63295695A (ja) 1987-02-11 1988-12-02 イーストマン・コダック・カンパニー 有機発光媒体をもつ電場発光デバイス
JPH0288689A (ja) 1988-09-26 1990-03-28 Mitsubishi Kasei Corp 電界発光素子
JPH02289676A (ja) 1989-01-13 1990-11-29 Ricoh Co Ltd 電界発光素子
JPH02191694A (ja) 1989-01-20 1990-07-27 Idemitsu Kosan Co Ltd 薄膜有機ｅｌ素子
JPH02196885A (ja) 1989-01-25 1990-08-03 Asahi Chem Ind Co Ltd 有機電界発光素子
JPH02250292A (ja) 1989-03-23 1990-10-08 Ricoh Co Ltd 電界発光素子
JPH02255789A (ja) 1989-03-29 1990-10-16 Asahi Chem Ind Co Ltd 有機電場発光素子
JPH03296595A (ja) 1990-04-13 1991-12-27 Kao Corp 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子
JPH0496990A (ja) 1990-08-10 1992-03-30 Pioneer Electron Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH059470A (ja) 1991-02-06 1993-01-19 Pioneer Electron Corp 有機エレクトロルミネツセンス素子
JPH0517764A (ja) 1991-02-06 1993-01-26 Pioneer Electron Corp 有機エレクトロルミネツセンス素子
JPH05202011A (ja) 1992-01-27 1993-08-10 Toshiba Corp オキサジアゾール誘導体
JPH0649079A (ja) 1992-04-02 1994-02-22 Idemitsu Kosan Co Ltd シラナミン誘導体およびその製造方法並びに該シラナミン誘導体を用いたｅｌ素子
JPH0692947A (ja) 1992-07-27 1994-04-05 Ricoh Co Ltd オキサジアゾール誘導体ならびにその製造法
JPH0688072A (ja) 1992-09-07 1994-03-29 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06100857A (ja) 1992-09-21 1994-04-12 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06107648A (ja) 1992-09-29 1994-04-19 Ricoh Co Ltd 新規なオキサジアゾール化合物
JPH06206865A (ja) 1992-10-14 1994-07-26 Chisso Corp 新規アントラセン化合物と該化合物を用いる電界発光素子
JPH06132080A (ja) 1992-10-19 1994-05-13 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06145146A (ja) 1992-11-06 1994-05-24 Chisso Corp オキシネイト誘導体
JPH06207170A (ja) 1992-11-20 1994-07-26 Idemitsu Kosan Co Ltd 白色有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06203963A (ja) 1993-01-08 1994-07-22 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06279322A (ja) 1993-03-26 1994-10-04 Idemitsu Kosan Co Ltd ４官能スチリル化合物およびその製造法
JPH06279323A (ja) 1993-03-26 1994-10-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 新規スチリル化合物，その製造法およびそれからなる有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06293778A (ja) 1993-04-05 1994-10-21 Idemitsu Kosan Co Ltd シラナミン誘導体およびその製造方法
JPH07157473A (ja) 1993-12-06 1995-06-20 Chisso Corp トリアジン誘導体、その製造法及びそれを用いた電界発光素子
JPH07179394A (ja) 1993-12-21 1995-07-18 Ricoh Co Ltd オキサジアゾール化合物およびその製造法
JPH07228579A (ja) 1993-12-21 1995-08-29 Ricoh Co Ltd オキサジアゾール化合物およびその製造法
JPH07278124A (ja) 1993-12-24 1995-10-24 Ricoh Co Ltd オキサジアゾール誘導体およびその製造方法
JPH0822557A (ja) 1994-05-24 1996-01-23 Texas Instr Inc <Ti> ユーザへビデオ画像を表示する装置及び方法
JPH0881472A (ja) 1994-09-12 1996-03-26 Motorola Inc 発光装置に使用するための有機金属錯体
KR20090036427A (ko) * 2007-10-09 2009-04-14 엘지디스플레이 주식회사 화상표시소자 전구체 및 화상표시소자
KR20110015304A (ko) * 2009-08-07 2011-02-15 주식회사 동진쎄미켐 임프린트 리소그래피용 광경화형 수지 조성물 및 이를 이용한 임프린트 몰드의 제조 방법
KR20120027632A (ko) * 2010-09-13 2012-03-22 한국과학기술원 플렉시블 소자의 제작 방법
JP2012091369A (ja) * 2010-10-26 2012-05-17 Alliance Material Co Ltd 光学基板と搭載基板を貼り合わせる方法、及び前記方法を使用したフレキシブル基板の製造方法
KR20120106659A (ko) * 2011-03-18 2012-09-26 이터널 케미칼 컴퍼니 리미티드 플렉서블 장치의 제조 방법
KR20130072651A (ko) 2011-12-22 2013-07-02 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치의 봉지방법

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2963700A4

Also Published As

Publication number Publication date
KR101727887B1 (ko) 2017-04-18
US20180337355A1 (en) 2018-11-22
EP2963700A4 (en) 2016-10-05
KR20150037704A (ko) 2015-04-08
EP2963700B1 (en) 2019-11-06
CN105103329A (zh) 2015-11-25
JP6342487B2 (ja) 2018-06-13
US10950808B2 (en) 2021-03-16
US10079351B2 (en) 2018-09-18
JP2016524298A (ja) 2016-08-12
TWI538978B (zh) 2016-06-21
EP2963700A1 (en) 2016-01-06
CN105103329B (zh) 2018-01-09
TW201534685A (zh) 2015-09-16
US20160035988A1 (en) 2016-02-04

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