JPH0517764A - 有機エレクトロルミネツセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネツセンス素子Info
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- JPH0517764A JPH0517764A JP3015479A JP1547991A JPH0517764A JP H0517764 A JPH0517764 A JP H0517764A JP 3015479 A JP3015479 A JP 3015479A JP 1547991 A JP1547991 A JP 1547991A JP H0517764 A JPH0517764 A JP H0517764A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】輝度が高い有機ＥＬ素子を提供する。
【構成】蛍光体発光層が化学式１又は２
（化学式１及び２中、Ｌ1、Ｌ2及びＬ3は化学式３で示
す骨格を表わしかつ、それぞれ同じであってもよい、化
学式１、２及び３中、Ｑは置換基を有してもよいベンゼ
ン環又はナフタレン環の残基を表わし、Ｒはアルキル
基、アミノカルボニルアミノ基、アミノチオカルボニル
アミノ基、置換基を有してもよいアラルキル基又は置換
基を有してもよいフェニル基を表わし、ＭはＡｌ，Ｂ
ｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｂｉ，Ｉ
ｎ，Ｔｌ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｖ，Ｒｈ，Ｐｂ，Ｆｅ，Ａｇ，
Ｃｕ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｓｃ，Ｇａ，Ｙ又はＣｏを表わす）
で示される電界発光化合物を含む。
す骨格を表わしかつ、それぞれ同じであってもよい、化
学式１、２及び３中、Ｑは置換基を有してもよいベンゼ
ン環又はナフタレン環の残基を表わし、Ｒはアルキル
基、アミノカルボニルアミノ基、アミノチオカルボニル
アミノ基、置換基を有してもよいアラルキル基又は置換
基を有してもよいフェニル基を表わし、ＭはＡｌ，Ｂ
ｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｂｉ，Ｉ
ｎ，Ｔｌ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｖ，Ｒｈ，Ｐｂ，Ｆｅ，Ａｇ，
Ｃｕ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｓｃ，Ｇａ，Ｙ又はＣｏを表わす）
で示される電界発光化合物を含む。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は電界発光素子に関し、特に有機化
合物を発光体として構成される有機エレクトロルミネッ
センス素子（以下、有機ＥＬ素子という）に関する。
合物を発光体として構成される有機エレクトロルミネッ
センス素子（以下、有機ＥＬ素子という）に関する。
【０００２】
【背景技術】この種の有機ＥＬ素子として、図１に示す
ように、陰極である金属電極１と陽極である透明電極２
との間に有機化合物からなり互いに積層された有機蛍光
体薄膜３及び有機正孔輸送層４が配された二層構造のも
のや、図２に示すように、金属電極１と透明電極２との
間に互いに積層された有機電子輸送層５、有機蛍光体薄
膜３及び有機正孔輸送層４が配された三層構造のものが
知られている。ここで、有機正孔輸送層４は陽極から正
孔を注入させ易くする機能と電子をブロックする機能と
を有し、有機電子輸送層５は陰極から電子を注入させ易
くする機能を有している。
ように、陰極である金属電極１と陽極である透明電極２
との間に有機化合物からなり互いに積層された有機蛍光
体薄膜３及び有機正孔輸送層４が配された二層構造のも
のや、図２に示すように、金属電極１と透明電極２との
間に互いに積層された有機電子輸送層５、有機蛍光体薄
膜３及び有機正孔輸送層４が配された三層構造のものが
知られている。ここで、有機正孔輸送層４は陽極から正
孔を注入させ易くする機能と電子をブロックする機能と
を有し、有機電子輸送層５は陰極から電子を注入させ易
くする機能を有している。
【０００３】これら有機ＥＬ素子において、透明電極２
の外側にはガラス基板６が配されており、金属電極１か
ら注入された電子と透明電極２から有機蛍光体薄膜３へ
注入された正孔との再結合によって励起子が生じ、この
励起子が放射失活する過程で光を放ち、この光が透明電
極２及びガラス基板６を介して外部に放出されることに
なる。
の外側にはガラス基板６が配されており、金属電極１か
ら注入された電子と透明電極２から有機蛍光体薄膜３へ
注入された正孔との再結合によって励起子が生じ、この
励起子が放射失活する過程で光を放ち、この光が透明電
極２及びガラス基板６を介して外部に放出されることに
なる。
【０００４】さらに、蛍光体薄膜を主成分の有機質ホス
ト物質と副成分の蛍光性ゲスト物質とから形成して、安
定な発光ををなす有機ＥＬ素子も開発されている。しか
しながら、上述した構成の従来の有機ＥＬ素子におい
て、一般に低電圧で発光をなすけれども、更に高輝度で
発光する有機ＥＬ素子が望まれている。
ト物質と副成分の蛍光性ゲスト物質とから形成して、安
定な発光ををなす有機ＥＬ素子も開発されている。しか
しながら、上述した構成の従来の有機ＥＬ素子におい
て、一般に低電圧で発光をなすけれども、更に高輝度で
発光する有機ＥＬ素子が望まれている。
【０００５】
【発明の目的】本発明は、上述した要望を満たすべくな
されたものであって、長期間安定して高輝度にて発光さ
せることができる有機ＥＬ素子を提供することを目的と
する。
されたものであって、長期間安定して高輝度にて発光さ
せることができる有機ＥＬ素子を提供することを目的と
する。
【０００６】
【発明の構成】本発明による有機エレクトロルミネッセ
ンス素子においては、有機化合物からなり互いに積層さ
れた蛍光体発光層及び正孔輸送層が陰極及び陽極間に配
された有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前
記蛍光体発光層は下記化学式１又は２
ンス素子においては、有機化合物からなり互いに積層さ
れた蛍光体発光層及び正孔輸送層が陰極及び陽極間に配
された有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前
記蛍光体発光層は下記化学式１又は２
【０００７】
【化１】
【０００８】
【化２】
【０００９】（上記化学式１及び２中、Ｌ1、Ｌ2及びＬ
3は下記化学式３で示す骨格を表わしかつ、それぞれ同
じであってもよい）
3は下記化学式３で示す骨格を表わしかつ、それぞれ同
じであってもよい）
【００１０】
【化３】
【００１１】（上記化学式１、２及び３中、Ｑは置換基
を有してもよいベンゼン環又はナフタレン環の残基を表
わし、Ｒはアルキル基、アミノカルボニルアミノ基、ア
ミノチオカルボニルアミノ基、置換基を有してもよいア
ラルキル基又は置換基を有してもよいフェニル基を表わ
し、ＭはＡｌ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｃｒ，
Ｎｉ，Ｂｉ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｖ，Ｒｈ，Ｐ
ｂ，Ｆｅ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｓｃ，Ｇａ，Ｙ又
はＣｏを表わす）で示される電界発光化合物を含むこと
を特徴とする。
を有してもよいベンゼン環又はナフタレン環の残基を表
わし、Ｒはアルキル基、アミノカルボニルアミノ基、ア
ミノチオカルボニルアミノ基、置換基を有してもよいア
ラルキル基又は置換基を有してもよいフェニル基を表わ
し、ＭはＡｌ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｃｒ，
Ｎｉ，Ｂｉ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｖ，Ｒｈ，Ｐ
ｂ，Ｆｅ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｓｃ，Ｇａ，Ｙ又
はＣｏを表わす）で示される電界発光化合物を含むこと
を特徴とする。
【００１２】以下に本発明を図表を参照しつつ説明す
る。本発明の有機ＥＬ素子は、図１に示した構造の有機
ＥＬ素子と同様であって、有機化合物の蛍光体発光層３
及び正孔輸送層４を一対の電極１,２間に薄膜として積
層、成膜したものである。さらに、本発明による有機Ｅ
Ｌ素子においては、蛍光体層３を形成する上記化学式１
又は２で示される電界発光化合物の上記化学式３で示さ
れる骨格は、具体的には下記の化学式４ないし６で示さ
れる配位子である。
る。本発明の有機ＥＬ素子は、図１に示した構造の有機
ＥＬ素子と同様であって、有機化合物の蛍光体発光層３
及び正孔輸送層４を一対の電極１,２間に薄膜として積
層、成膜したものである。さらに、本発明による有機Ｅ
Ｌ素子においては、蛍光体層３を形成する上記化学式１
又は２で示される電界発光化合物の上記化学式３で示さ
れる骨格は、具体的には下記の化学式４ないし６で示さ
れる配位子である。
【００１３】
【化４】
【００１４】
【化５】
【００１５】
【化６】
【００１６】この蛍光体薄膜３を形成する上記化学式１
又は２及び上記化学式４ないし６で表わされる電界発光
化合物は、表１に示す配位子Ｌ1〜Ｌ3及び中心原子Ｍの
組み合わせを有する発光体No.ＥＬ1〜No.ＥＬ40が好ま
しい。表１に示す配位子Ｌ1〜Ｌ3のｌ1〜ｌ26は、表２
及び表３に示す上記化学式４〜６の構造及び官能基Ｒ1
〜Ｒ6の組み合わせを有する。なお、表中、符号−は配
位子又は官能基が存在しないことを示す。
又は２及び上記化学式４ないし６で表わされる電界発光
化合物は、表１に示す配位子Ｌ1〜Ｌ3及び中心原子Ｍの
組み合わせを有する発光体No.ＥＬ1〜No.ＥＬ40が好ま
しい。表１に示す配位子Ｌ1〜Ｌ3のｌ1〜ｌ26は、表２
及び表３に示す上記化学式４〜６の構造及び官能基Ｒ1
〜Ｒ6の組み合わせを有する。なお、表中、符号−は配
位子又は官能基が存在しないことを示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【表２】
【００１９】
【表３】
【００２０】陰極１には、仕事関数が小さな金属、例え
ば厚さが約100〜5000Å程度のアルミニウム、マグネシ
ウム、インジウム、銀又は各々の合金が用い得る。ま
た、陽極２には、仕事関数の大きな導電性材料、例えば
厚さが1000〜3000Å程度のインジウムすず酸化物（ＩＴ
Ｏ）又は厚さが 800〜1500Å程度の金が用い得る。な
お、金を電極材料として用いた場合には、電極は半透明
の状態となる。
ば厚さが約100〜5000Å程度のアルミニウム、マグネシ
ウム、インジウム、銀又は各々の合金が用い得る。ま
た、陽極２には、仕事関数の大きな導電性材料、例えば
厚さが1000〜3000Å程度のインジウムすず酸化物（ＩＴ
Ｏ）又は厚さが 800〜1500Å程度の金が用い得る。な
お、金を電極材料として用いた場合には、電極は半透明
の状態となる。
【００２１】また、有機正孔輸送層４には、更に下記化
学式７ないし１８のＣＴＭ（Carrier Transporting Mat
erials ）として知られる化合物を単独、もしくは混合
物として用い得る。
学式７ないし１８のＣＴＭ（Carrier Transporting Mat
erials ）として知られる化合物を単独、もしくは混合
物として用い得る。
【００２２】
【化７】
【００２３】
【化８】
【００２４】
【化９】
【００２５】
【化１０】
【００２６】
【化１１】
【００２７】
【化１２】
【００２８】
【化１３】
【００２９】
【化１４】
【００３０】
【化１５】
【００３１】
【化１６】
【００３２】
【化１７】
【００３３】
【化１８】
【００３４】また、図１においては陰極１及び陽極２間
に有機蛍光体薄膜３及び有機正孔輸送層４を配した二層
構造としたが、図２の如く陰極１及び蛍光体薄膜３間
に、例えばオキサジアゾール誘導体等からなる有機電子
輸送層５を配した三層構造の有機ＥＬ素子としても同様
の効果を奏する。さらに、図２の如き三層構造として、
蛍光体薄膜をいわゆるホスト及びゲスト物質の混合物と
して形成し、例えば主成分の有機質ホスト物質としてテ
トラフェニルブタジエン誘導体を用い、上記化学式４な
いし６で示される化合物を副成分の蛍光性ゲスト物質と
して形成してもよく同様の効果を奏する。
に有機蛍光体薄膜３及び有機正孔輸送層４を配した二層
構造としたが、図２の如く陰極１及び蛍光体薄膜３間
に、例えばオキサジアゾール誘導体等からなる有機電子
輸送層５を配した三層構造の有機ＥＬ素子としても同様
の効果を奏する。さらに、図２の如き三層構造として、
蛍光体薄膜をいわゆるホスト及びゲスト物質の混合物と
して形成し、例えば主成分の有機質ホスト物質としてテ
トラフェニルブタジエン誘導体を用い、上記化学式４な
いし６で示される化合物を副成分の蛍光性ゲスト物質と
して形成してもよく同様の効果を奏する。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による有機
ＥＬ素子においては、有機化合物からなり互いに積層さ
れた蛍光体発光層及び正孔輸送層が陰極及び陽極間に配
された構成の有機ＥＬ素子であって、蛍光体発光層が上
記化学式１又は２で示される電界発光化合物を含む蛍光
体薄膜からなるので、低電圧にて効率良く高輝度で発光
させることができる。
ＥＬ素子においては、有機化合物からなり互いに積層さ
れた蛍光体発光層及び正孔輸送層が陰極及び陽極間に配
された構成の有機ＥＬ素子であって、蛍光体発光層が上
記化学式１又は２で示される電界発光化合物を含む蛍光
体薄膜からなるので、低電圧にて効率良く高輝度で発光
させることができる。
【００３６】
［実施例（１）］
ＩＴＯガラス上に正孔輸送層としてＮ，Ｎ´−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ´−ビス（３メチルフェニル）−１，１´−
ビフェニル−４，４´−ジアミンを１．５×１０￣5Ｔo
rrの真空下で加熱し、500Åの厚さに蒸着した。次に下
記化学式１９で示される化合物を発光層として２．０×
１０￣5Ｔorrの真空下で加熱し、 500Åの厚さに蒸着し
た。次にメタルマスクを介して陰極としてマグネシウム
とアルミニウムとを各々蒸着速度１０Å／ｓｅｃと１Å
／ｓｅｃとで１．３×１０￣5Ｔorrの真空下で1000Åの
厚さに蒸着し、素子を作成した。
ル−Ｎ，Ｎ´−ビス（３メチルフェニル）−１，１´−
ビフェニル−４，４´−ジアミンを１．５×１０￣5Ｔo
rrの真空下で加熱し、500Åの厚さに蒸着した。次に下
記化学式１９で示される化合物を発光層として２．０×
１０￣5Ｔorrの真空下で加熱し、 500Åの厚さに蒸着し
た。次にメタルマスクを介して陰極としてマグネシウム
とアルミニウムとを各々蒸着速度１０Å／ｓｅｃと１Å
／ｓｅｃとで１．３×１０￣5Ｔorrの真空下で1000Åの
厚さに蒸着し、素子を作成した。
【００３７】この様にして作成した素子にＩＴＯ電極を
陽極として２０Ｖの直流電圧を印加したところ125mA/cm
2の電流密度で210cd/m2の輝度を得た。この素子の発光
スペクトルは450nmにピークをもち、青色の発光を得
た。
陽極として２０Ｖの直流電圧を印加したところ125mA/cm
2の電流密度で210cd/m2の輝度を得た。この素子の発光
スペクトルは450nmにピークをもち、青色の発光を得
た。
【００３８】
【化１９】
【００３９】［実施例（２）］
実施例（１）の発光層を成膜する迄は、同方法で成膜
し、その後電子輸送層として２−（４'−ｔ−ブチルフ
ェニル）−５−（４''−ビフェニル）−１，３，４−オ
キサジアゾールを１．２×１０￣5Ｔorrの真空下で加熱
し、300Åの厚さに蒸着した。次に、実施例（１）と同
方法で陰極を成膜し、素子を作成した。
し、その後電子輸送層として２−（４'−ｔ−ブチルフ
ェニル）−５−（４''−ビフェニル）−１，３，４−オ
キサジアゾールを１．２×１０￣5Ｔorrの真空下で加熱
し、300Åの厚さに蒸着した。次に、実施例（１）と同
方法で陰極を成膜し、素子を作成した。
【００４０】この様にして作成した素子にＩＴＯ電極を
陽極として２３Ｖの直流電圧を印加したところ、75mA／
cm2の電流密度で185cd/m2の輝度を得た。この素子の発
光スペクトルは490nmにピークをもち、青緑色の発光を
得た。 ［実施例（３）］ 正孔輸送層迄は、実施例（１）と同方法で成膜し、その
後、下記化学式２０で示されるテトラフェニルブタジエ
ン誘導体と、実施例（１）の発光層に用いた化合物とを
各々蒸着速度１０Å／secと０．１Å／ｓｅｃとで１．
０×１０￣5Ｔorrの真空下で400Åの厚さに蒸着し、発
光層とし、次に実施例（２）と同方法で電子輸送層を20
0Å成膜した後に陰極を成膜し、素子を作成した。
陽極として２３Ｖの直流電圧を印加したところ、75mA／
cm2の電流密度で185cd/m2の輝度を得た。この素子の発
光スペクトルは490nmにピークをもち、青緑色の発光を
得た。 ［実施例（３）］ 正孔輸送層迄は、実施例（１）と同方法で成膜し、その
後、下記化学式２０で示されるテトラフェニルブタジエ
ン誘導体と、実施例（１）の発光層に用いた化合物とを
各々蒸着速度１０Å／secと０．１Å／ｓｅｃとで１．
０×１０￣5Ｔorrの真空下で400Åの厚さに蒸着し、発
光層とし、次に実施例（２）と同方法で電子輸送層を20
0Å成膜した後に陰極を成膜し、素子を作成した。
【００４１】
【化２０】
【００４２】この様にして作成した素子にＩＴＯ電極を
陽極として１８.５Ｖの直流電圧を印加したところ５mA/
cm2の電流密度で１cd/m2の輝度の青色の発光を得た。 ［実施例（４）］ 発光層に、下記化学式２１で示される化合物を用いた以
外は実施例（１）と同方法で素子を作成した。
陽極として１８.５Ｖの直流電圧を印加したところ５mA/
cm2の電流密度で１cd/m2の輝度の青色の発光を得た。 ［実施例（４）］ 発光層に、下記化学式２１で示される化合物を用いた以
外は実施例（１）と同方法で素子を作成した。
【００４３】この様にして作成した素子にＩＴＯ電極を
陽極として25.2Ｖの直流電圧を印加したところ217.5mA/
cm2の電流密度で195cd/m2の輝度を得た。この素子の発
光スペクトルは465nmにピークをもち、青色の発光を得
た。
陽極として25.2Ｖの直流電圧を印加したところ217.5mA/
cm2の電流密度で195cd/m2の輝度を得た。この素子の発
光スペクトルは465nmにピークをもち、青色の発光を得
た。
【００４４】
【化２１】
【００４５】［実施例（５）］
発光層に実施例（４）の発光層に用いた化合物を用いた
以外は、実施例（２）と同方法で素子を作成した。この
様にして作成した素子にＩＴＯを陽極として29.4Ｖの直
流電圧を印加したところ270mA/cm2の電流密度で476cd/m
2の輝度を得た。この素子の発光スペクトルは465nmにピ
ークをもち、青色の発光を得た。
以外は、実施例（２）と同方法で素子を作成した。この
様にして作成した素子にＩＴＯを陽極として29.4Ｖの直
流電圧を印加したところ270mA/cm2の電流密度で476cd/m
2の輝度を得た。この素子の発光スペクトルは465nmにピ
ークをもち、青色の発光を得た。
【００４６】［実施例（６）］
実施例（３）において、発光層に用いた実施例（１）の
発光物質を実施例（４）の発光物質に替えた以外は実施
例（３）と同方法で素子を作成した。この様にして作成
した素子に、ＩＴＯ電極を陽極として27.1Ｖの直流電圧
を印加したところ275mA/cm2の電流密度で563cd/m2の輝
度を得た。この素子の発光スペクトルは、455nmにピー
クをもち、青色の発光を得た。
発光物質を実施例（４）の発光物質に替えた以外は実施
例（３）と同方法で素子を作成した。この様にして作成
した素子に、ＩＴＯ電極を陽極として27.1Ｖの直流電圧
を印加したところ275mA/cm2の電流密度で563cd/m2の輝
度を得た。この素子の発光スペクトルは、455nmにピー
クをもち、青色の発光を得た。
【００４７】［実施例（７）］
発光層に、下記化学式２２で示される化合物を用いた以
外は実施例（１）と同方法で素子を作成した。この様に
して作成した素子にＩＴＯ電極を陽極として23.7Ｖの直
流電圧を印加したところ75mA/cm2の電流密度で49cd/m2
の輝度の青色の発光を得た。
外は実施例（１）と同方法で素子を作成した。この様に
して作成した素子にＩＴＯ電極を陽極として23.7Ｖの直
流電圧を印加したところ75mA/cm2の電流密度で49cd/m2
の輝度の青色の発光を得た。
【００４８】
【化２２】
【００４９】［実施例（８）］
発光層に実施例（７）の発光層に用いた化合物を用いた
以外は、実施例（２）と同方法で素子を作成した。この
様にして作成した素子にＩＴＯ電極を陰極として29.5Ｖ
の直流電圧を印加したところ37.5mA/cm2の電流密度で38
cd/m2の輝度の青色の発光を得た。
以外は、実施例（２）と同方法で素子を作成した。この
様にして作成した素子にＩＴＯ電極を陰極として29.5Ｖ
の直流電圧を印加したところ37.5mA/cm2の電流密度で38
cd/m2の輝度の青色の発光を得た。
【００５０】［実施例（９）］
実施例（３）において、発光層に用いた実施例（１）の
発光物質を実施例（７）の発光物質に替えた以外は実施
例（３）と同方法で素子を作成した。この様にして作成
した素子に、ＩＴＯ電極を陽極として28.9Ｖの直流電圧
を印加したところ、475mA/cm2の電流密度で776cd/m2の
輝度を得た。この素子の発光スペクトルは445nmにピー
クをもち、青色の発光を得た。
発光物質を実施例（７）の発光物質に替えた以外は実施
例（３）と同方法で素子を作成した。この様にして作成
した素子に、ＩＴＯ電極を陽極として28.9Ｖの直流電圧
を印加したところ、475mA/cm2の電流密度で776cd/m2の
輝度を得た。この素子の発光スペクトルは445nmにピー
クをもち、青色の発光を得た。
【００５１】［実施例（１０）］
発光層に、下記化学式２３で示される化合物を用いた以
外は実施例（１）と同方法で素子を作成した。この様に
して作成した素子にＩＴＯ電極を陽極として23.5Ｖの直
流電圧を印加したところ87.5mA/cm2の電流密度で189cd/
m2の輝度の青色の発光を得た。
外は実施例（１）と同方法で素子を作成した。この様に
して作成した素子にＩＴＯ電極を陽極として23.5Ｖの直
流電圧を印加したところ87.5mA/cm2の電流密度で189cd/
m2の輝度の青色の発光を得た。
【００５２】
【化２３】
【００５３】［実施例（１１）］
発光層に実施例（10)の発光層に用いた化合物を用いた
以外は、実施例（２）と同方法で素子を作成した。この
様にして作成した素子で青色の発光を得た。 ［実施例（１２）］ 実施例（３）において、発光層に用いた実施例（１）の
発光物質を実施例(10)の発光物質に替えた以外は実施例
（３）と同方法で素子を作成した。
以外は、実施例（２）と同方法で素子を作成した。この
様にして作成した素子で青色の発光を得た。 ［実施例（１２）］ 実施例（３）において、発光層に用いた実施例（１）の
発光物質を実施例(10)の発光物質に替えた以外は実施例
（３）と同方法で素子を作成した。
【００５４】この様にして作成した素子に、ＩＴＯ電極
を陽極として21.9Ｖの直流電圧を印加したところ、550m
A/cm2の電流密度で65cd/m2の輝度を得た。この素子の発
光スペクトルは、465nmにピークをもち、青色の発光を
得た。 ［実施例（１３）］ 発光層に、下記化学式２４で示される化合物を用いた以
外は実施例（１）と同方法で素子を作成した。
を陽極として21.9Ｖの直流電圧を印加したところ、550m
A/cm2の電流密度で65cd/m2の輝度を得た。この素子の発
光スペクトルは、465nmにピークをもち、青色の発光を
得た。 ［実施例（１３）］ 発光層に、下記化学式２４で示される化合物を用いた以
外は実施例（１）と同方法で素子を作成した。
【００５５】この様にして作成した素子にＩＴＯ電極を
陽極として18.9Ｖの直流電圧を印加したところ75mA/cm2
の電流密度で8cd/m2の輝度の青色の発光を得た。
陽極として18.9Ｖの直流電圧を印加したところ75mA/cm2
の電流密度で8cd/m2の輝度の青色の発光を得た。
【００５６】
【化２４】
【００５７】［実施例（１４）］
発光層に実施例（１３）の発光層に用いた化合物を用い
た以外は、実施例（２）と同方法で素子を作成した。こ
の様にして作成した素子にＩＴＯ電極を陰極として25.2
Ｖの直流電圧を印加したところ10mA/cm2の電流密度で14
cd/m2の輝度の青色の発光を得た。
た以外は、実施例（２）と同方法で素子を作成した。こ
の様にして作成した素子にＩＴＯ電極を陰極として25.2
Ｖの直流電圧を印加したところ10mA/cm2の電流密度で14
cd/m2の輝度の青色の発光を得た。
【００５８】［実施例（１５）］
実施例（３）において、発光層に用いた実施例（１）の
発光物質を実施例（１３）の発光物質に替えた以外は実
施例（３）と同方法で素子を作成した。この様にして作
成した素子に、ＩＴＯ電極を陽極として22.9Ｖの直流電
圧を印加したところ、500mA/cm2の電流密度で432cd/m2
の輝度を得た。この素子の発光スペクトルは465nmにピ
ークをもち、青色の発光を得た。
発光物質を実施例（１３）の発光物質に替えた以外は実
施例（３）と同方法で素子を作成した。この様にして作
成した素子に、ＩＴＯ電極を陽極として22.9Ｖの直流電
圧を印加したところ、500mA/cm2の電流密度で432cd/m2
の輝度を得た。この素子の発光スペクトルは465nmにピ
ークをもち、青色の発光を得た。
【００５９】［実施例（１６）］
発光層に、下記化学式２５で示される化合物を用いた以
外は実施例（１）と同方法で素子を作成した。この様に
して作成した素子にＩＴＯ電極を陽極として19.9Ｖの直
流電圧を印加したところ125mA/cm2の電流密度で145cd/m
2の輝度の青色の発光を得た。
外は実施例（１）と同方法で素子を作成した。この様に
して作成した素子にＩＴＯ電極を陽極として19.9Ｖの直
流電圧を印加したところ125mA/cm2の電流密度で145cd/m
2の輝度の青色の発光を得た。
【００６０】
【化２５】
【００６１】［実施例（１７）］
発光層に実施例（１６）の発光層に用いた化合物を用い
た以外は、実施例（２）と同方法で素子を作成した。こ
の様にして作成した素子にＩＴＯ電極を陰極として22.8
Ｖの直流電圧を印加したところ85mA/cm2の電流密度で90
4cd/m2の輝度を得た。この素子の発光スペクトルは500n
mにピークをもち、青緑色の発光を得た。
た以外は、実施例（２）と同方法で素子を作成した。こ
の様にして作成した素子にＩＴＯ電極を陰極として22.8
Ｖの直流電圧を印加したところ85mA/cm2の電流密度で90
4cd/m2の輝度を得た。この素子の発光スペクトルは500n
mにピークをもち、青緑色の発光を得た。
【００６２】［実施例（１８）］
実施例（３）において、発光層に用いた実施例（１）の
発光物質を実施例（１６）の発光物質に替えた以外は実
施例（３）と同方法で素子を作成した。この様にして作
成した素子に、ＩＴＯ電極を陽極として18.6Ｖの直流電
圧を印加したところ、250mA/cm2の電流密度で258cd/m2
の輝度を得た。この素子の発光スペクトルは465nmにピ
ークをもち、青色の発光を得た。
発光物質を実施例（１６）の発光物質に替えた以外は実
施例（３）と同方法で素子を作成した。この様にして作
成した素子に、ＩＴＯ電極を陽極として18.6Ｖの直流電
圧を印加したところ、250mA/cm2の電流密度で258cd/m2
の輝度を得た。この素子の発光スペクトルは465nmにピ
ークをもち、青色の発光を得た。
【図１】二層構造の有機ＥＬ素子を示す構造図である。
【図２】三層構造の有機ＥＬ素子を示す構造図である。
１……金属電極（陰極）
２……透明電極（陽極）
３……有機蛍光体薄膜
４……有機正孔輸送層
５……有機電子輸送層
６……ガラス基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 仲田 仁
埼玉県入間郡鶴ケ島町富士見６丁目１番１
号パイオニア株式会社総合研究所内
(72)発明者 佐藤 義一
東京都北区志茂３丁目26番８号
(72)発明者 野村 正治
東京都北区志茂３丁目26番８号
Claims (3)
- 【請求項１】 有機化合物からなり互いに積層された蛍
光体発光層及び正孔輸送層が陰極及び陽極間に配された
有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記蛍光
体発光層は下記化学式１又は２ 【化１】 【化２】 （上記化学式１及び２中、Ｌ1、Ｌ2及びＬ3は下記化学
式３で示す骨格を表わしかつ、それぞれ同じであっても
よい） 【化３】 （上記化学式１、２及び３中、Ｑは置換基を有してもよ
いベンゼン環又はナフタレン環の残基を表わし、Ｒはア
ルキル基、アミノカルボニルアミノ基、アミノチオカル
ボニルアミノ基、置換基を有してもよいアラルキル基又
は置換基を有してもよいフェニル基を表わし、ＭはＡ
ｌ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｂ
ｉ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｖ，Ｒｈ，Ｐｂ，Ｆｅ，
Ａｇ，Ｃｕ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｓｃ，Ｇａ，Ｙ又はＣｏを表
わす）で示される電界発光化合物を含むことを特徴とす
る有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項２】 前記陰極及び前記蛍光体層間に有機電子
輸送層が配されたことを特徴とする請求項１記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項３】 前記蛍光体発光層は前記電界発光化合物
と異なる第２電界発光化合物を含み、前記第２電界発光
化合物の含有割合は前記電界発光化合物の含有割合より
も大であることを特徴とする請求項２記載の有機エレク
トロルミネッセンス素子。
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1991
- 1991-02-06 JP JP3015479A patent/JP2891784B2/ja not_active Expired - Fee Related
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