JPH02196885A - 有機電界発光素子 - Google Patents
有機電界発光素子Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、有機エレクトロルミネセンス素子に関し、く
わしくは発光物質としてペリレン誘導体を用い、電気信
号に応じて発光する素子に関するものである。
わしくは発光物質としてペリレン誘導体を用い、電気信
号に応じて発光する素子に関するものである。
特に、本発明は、低電圧でも効率よい発光が得られ、十
分な輝度を有するエレクトロルミネセンス素子に関する
ものである。
分な輝度を有するエレクトロルミネセンス素子に関する
ものである。
有機エレクトロルミネセンス素子は、有機発光体を対向
電極で挟んで構成されており、一方の電極からは電子が
注入され、もう一方の電極からは正孔が注入される。注
入された電子と正7Lが、発光層内で再結合するときに
発光するものである。
電極で挟んで構成されており、一方の電極からは電子が
注入され、もう一方の電極からは正孔が注入される。注
入された電子と正7Lが、発光層内で再結合するときに
発光するものである。
、このような素子には、発光体としては、例えば、単結
晶アントラセンのような単結晶物質が用いられたが、単
結晶物質では製造費が高く、機械的強度の点からも問題
が多い、さらに、厚さを薄くすることが容易でなく、l
+nm程度の単結晶では発光は微弱であり、また、10
0 V以上の駆動電圧がしばしば必要であり、実用の域
に達していない。
晶アントラセンのような単結晶物質が用いられたが、単
結晶物質では製造費が高く、機械的強度の点からも問題
が多い、さらに、厚さを薄くすることが容易でなく、l
+nm程度の単結晶では発光は微弱であり、また、10
0 V以上の駆動電圧がしばしば必要であり、実用の域
に達していない。
そこで、例えばアントラセンの1μ以下のl+3を得よ
うとする試みが、原着法〔「シン・ソリッド・フィルム
スJ (Thin 5olid Fil請5)94巻1
71頁1982年発行」〕やラングミュアープロジェン
ト法〔[シン・ソリッド・フィルムス(丁hin 5o
licl FiIms)996283頁1983年発行
ノ)により試みられている。
うとする試みが、原着法〔「シン・ソリッド・フィルム
スJ (Thin 5olid Fil請5)94巻1
71頁1982年発行」〕やラングミュアープロジェン
ト法〔[シン・ソリッド・フィルムス(丁hin 5o
licl FiIms)996283頁1983年発行
ノ)により試みられている。
ところが、十分な性能を得るには、厳しく管理された製
膜条件の下で、数千オングストロームの薄膜を形成する
必要があり、さらに発光層が精度よい薄膜として形成さ
れているものの、キャリアーである正孔あるいは電子の
密度が非常に小さく、キャリアーの移動や再結合などに
よる機能分子の励起確率が低いため、効率のよい発光が
得られず、特に、消費電力や輝度の点で満足できるもの
となっていないのが現状である。
膜条件の下で、数千オングストロームの薄膜を形成する
必要があり、さらに発光層が精度よい薄膜として形成さ
れているものの、キャリアーである正孔あるいは電子の
密度が非常に小さく、キャリアーの移動や再結合などに
よる機能分子の励起確率が低いため、効率のよい発光が
得られず、特に、消費電力や輝度の点で満足できるもの
となっていないのが現状である。
さらに、陽極と発光層の間に正孔注入層を設け、キャリ
アーである正孔の密度を挙げることにより高い発光効率
が得られることが特開昭57−51781号公報、特開
昭59−194393号公報によって知られている。
アーである正孔の密度を挙げることにより高い発光効率
が得られることが特開昭57−51781号公報、特開
昭59−194393号公報によって知られている。
しかしながら、これらは発光材として電子伝達性化合物
を用いており、これには、高い発光効率と高い電子伝達
性の両方の性質を併せもった物質が必要であり、十分満
足のゆく性質をもったそのような物質は見出されておら
ず、従って輝度、消費電力の点において満足のいく性能
が得られていないのが現状である。
を用いており、これには、高い発光効率と高い電子伝達
性の両方の性質を併せもった物質が必要であり、十分満
足のゆく性質をもったそのような物質は見出されておら
ず、従って輝度、消費電力の点において満足のいく性能
が得られていないのが現状である。
本発明は、これらの課題を解決して、高効率のエレクト
ロルミネセンス素子を提供するものである。
ロルミネセンス素子を提供するものである。
すなわち、本発明は、低電圧、低電流密度でも発光効率
が良好で、十分高い輝度が得られ、安価でかつ製造が容
易な有機エレクトロルミネセンス素子を提供せんとする
ものである。
が良好で、十分高い輝度が得られ、安価でかつ製造が容
易な有機エレクトロルミネセンス素子を提供せんとする
ものである。
本発明者らは、有機蛍光材料について鋭意検討した結果
、ペリレン誘導体が高い発光効率を有することを見出し
、本発明を完成するに到った。
、ペリレン誘導体が高い発光効率を有することを見出し
、本発明を完成するに到った。
すなわち、本発明は;
陽掻上に順次正孔注入輪送層、発光層、正孔阻止層、陰
極を有し、これらの電極のうち少なくとも一方が透明で
ある有機エレクトロルミネセンス素子において、発光層
がその極大蛍光波長が400〜800n−であるペリレ
ン誘導体であることを特徴とする、有機エレクトロルミ
ネセンス素子により、前記の目的が達成できることを見
い出した。
極を有し、これらの電極のうち少なくとも一方が透明で
ある有機エレクトロルミネセンス素子において、発光層
がその極大蛍光波長が400〜800n−であるペリレ
ン誘導体であることを特徴とする、有機エレクトロルミ
ネセンス素子により、前記の目的が達成できることを見
い出した。
以下、本発明につき詳細に説明する。
本発明は、陽極上に順次正孔注入輪送層、発光層、正孔
阻止層、陰極を有する有機エレクトロルミネセンス素子
において、発光層としてペリレン誘導体を用いたときに
、高い発光効率と十分な輝度が得られるという発見に基
づいている。
阻止層、陰極を有する有機エレクトロルミネセンス素子
において、発光層としてペリレン誘導体を用いたときに
、高い発光効率と十分な輝度が得られるという発見に基
づいている。
有機エレクトロルミネセンス素子の重要な用途の一つと
して表示素子がある。従って、本発明に用いられるペリ
レン誘導体としては、その極大蛍光波長が400〜80
0nmの可視域にある必要があり、さらに高い蛍光収率
を有する必要がある。
して表示素子がある。従って、本発明に用いられるペリ
レン誘導体としては、その極大蛍光波長が400〜80
0nmの可視域にある必要があり、さらに高い蛍光収率
を有する必要がある。
本発明に用いられるペリレン誘導体は、通常のよく知ら
れた方法によって合成することができ、さらに必要によ
り精製して用いることができる。
れた方法によって合成することができ、さらに必要によ
り精製して用いることができる。
精製は、例えば濃硫酸から分別沈澱させ、容易に除去し
うる高沸点溶剤から再結晶し、または磨砕条件下で溶剤
とともに煮沸することにより各成分に分離する。あるい
は、クロマトグラフィによる分離法によって行うことも
できる。
うる高沸点溶剤から再結晶し、または磨砕条件下で溶剤
とともに煮沸することにより各成分に分離する。あるい
は、クロマトグラフィによる分離法によって行うことも
できる。
本発明に用いられるペリレン誘導体として、例えば以下
の一触式(1)及び(II)を有する化合物を挙げるこ
とができる。
の一触式(1)及び(II)を有する化合物を挙げるこ
とができる。
〔式中、R1及びR3は同一または異なっていてもよ(
、直鎖状又は分岐状のC1〜C1mのアルキル基(その
炭素鎖は1個又は2個以上の基−O−−S−又は−N−
により中断されていてもよく、あるいは水Ml、シアン
基、ハロゲン原子、CI〜C1,のアルキルカルボニル
オキシ基、C3〜C4のアルケニルカルボニルオキシ基
、C6〜C1□のシクロアルキル力ルボニルオキシ基、
又はCsへC1のシクロアルキル基により置換されてい
てもよく、さらには、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原
子、もしくはC1〜C8のアルキル基により置換されて
いてもよいフェニル基、フェノキシ基、ナフチル基、ナ
フチルオキシ基、アントリル基又はアントリルオキシ基
により置換されていてもよい)、あるいはW!、換され
ていてもよいCs”−C+++のシクロアルキル基、あ
るいはフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピリジ
ル基、ピラゾリル基、キノリル基、チアゾリル基又はオ
キサシリル基(これらは、水酸基、シアン基、ハロゲン
原子、CI〜C1のアルキル基、C1〜c+qのアルキ
ルカルボニルオキシ基、C0〜C4のアルケニルカルボ
ニルオキシ基、C6〜CIgのシクロアルキルカルボニ
ルオキシ基、又はC1〜C11のシクロアルキル基によ
り置換されていてもよく、さらにはシアノ基、ニトロ基
、ハロゲン原子、もしくはCt””’Csのアルキル基
により置換されていてもよいフェニル基、フェノキシ基
、ナフチル基、ナフチルオキシ基、アントリル基又はア
ントリルオキシ基により置換されていてもよい、)を意
味し; x1〜X1は、水素原子、塩素原子、臭素原子、基01
?’ 、基QCOR”あるいは基R3を意味し;R1は
直鎖状又は分岐状の01〜C11のアルキル基(その炭
素鎖は1個又は2個以上の基−O−−S−又は−N−に
より中断されていてもよく、あるいは水酸基、シアン基
、ハロゲン原子、C1〜CI9tのアルキルカルボニル
オキシ基、C2〜C4のアルケニルカルボニルオキシ基
、C4〜C12のシクロアルキルカルボニルオキシ基、
又はC3〜cogのシクロアルキル基により置換されて
いてもよく、さらにはシアノ基、ニトロ基、ハロゲン原
子、もしくはC6〜C1のアルキル基により置換されて
いてもよいフェニル基、フェノキシ基、ナフチル基、ナ
フチルオキシ基、アントリル基又はアントリルオキシ基
により置換されていてもよい、)、あるいは置換されて
いてもよいCs”−Ctsのシクロアルキル基、あるい
はフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピリジル基
、ピラゾリル基、キノリル基、チアゾリル基又はオキサ
シリル基(これらは、水#基、シアン基、ハロゲン原子
、C1〜Cmのアルキル基、C1〜CI9のアルキルカ
ルボニルオキシ基、Ct−C4のアルケニルカルボニル
オキシ基、C1〜C11のシクロアルキルカルボニルオ
キシ基、又はC1〜C18のシクロアルキル基により置
換されていてもよく、さらにはシアノ基、ニトロ基、ハ
ロゲン原子、もしくはC8〜C,のアルキル基により置
換されていてもよいフェニル基、フェノキシ基、ナフチ
ル基、ナフチルオキシ基、アントリル基又はアントリル
オキシ基により置換されていてもよい、)を意味する。
、直鎖状又は分岐状のC1〜C1mのアルキル基(その
炭素鎖は1個又は2個以上の基−O−−S−又は−N−
により中断されていてもよく、あるいは水Ml、シアン
基、ハロゲン原子、CI〜C1,のアルキルカルボニル
オキシ基、C3〜C4のアルケニルカルボニルオキシ基
、C6〜C1□のシクロアルキル力ルボニルオキシ基、
又はCsへC1のシクロアルキル基により置換されてい
てもよく、さらには、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原
子、もしくはC1〜C8のアルキル基により置換されて
いてもよいフェニル基、フェノキシ基、ナフチル基、ナ
フチルオキシ基、アントリル基又はアントリルオキシ基
により置換されていてもよい)、あるいはW!、換され
ていてもよいCs”−C+++のシクロアルキル基、あ
るいはフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピリジ
ル基、ピラゾリル基、キノリル基、チアゾリル基又はオ
キサシリル基(これらは、水酸基、シアン基、ハロゲン
原子、CI〜C1のアルキル基、C1〜c+qのアルキ
ルカルボニルオキシ基、C0〜C4のアルケニルカルボ
ニルオキシ基、C6〜CIgのシクロアルキルカルボニ
ルオキシ基、又はC1〜C11のシクロアルキル基によ
り置換されていてもよく、さらにはシアノ基、ニトロ基
、ハロゲン原子、もしくはCt””’Csのアルキル基
により置換されていてもよいフェニル基、フェノキシ基
、ナフチル基、ナフチルオキシ基、アントリル基又はア
ントリルオキシ基により置換されていてもよい、)を意
味し; x1〜X1は、水素原子、塩素原子、臭素原子、基01
?’ 、基QCOR”あるいは基R3を意味し;R1は
直鎖状又は分岐状の01〜C11のアルキル基(その炭
素鎖は1個又は2個以上の基−O−−S−又は−N−に
より中断されていてもよく、あるいは水酸基、シアン基
、ハロゲン原子、C1〜CI9tのアルキルカルボニル
オキシ基、C2〜C4のアルケニルカルボニルオキシ基
、C4〜C12のシクロアルキルカルボニルオキシ基、
又はC3〜cogのシクロアルキル基により置換されて
いてもよく、さらにはシアノ基、ニトロ基、ハロゲン原
子、もしくはC6〜C1のアルキル基により置換されて
いてもよいフェニル基、フェノキシ基、ナフチル基、ナ
フチルオキシ基、アントリル基又はアントリルオキシ基
により置換されていてもよい、)、あるいは置換されて
いてもよいCs”−Ctsのシクロアルキル基、あるい
はフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピリジル基
、ピラゾリル基、キノリル基、チアゾリル基又はオキサ
シリル基(これらは、水#基、シアン基、ハロゲン原子
、C1〜Cmのアルキル基、C1〜CI9のアルキルカ
ルボニルオキシ基、Ct−C4のアルケニルカルボニル
オキシ基、C1〜C11のシクロアルキルカルボニルオ
キシ基、又はC1〜C18のシクロアルキル基により置
換されていてもよく、さらにはシアノ基、ニトロ基、ハ
ロゲン原子、もしくはC8〜C,のアルキル基により置
換されていてもよいフェニル基、フェノキシ基、ナフチ
ル基、ナフチルオキシ基、アントリル基又はアントリル
オキシ基により置換されていてもよい、)を意味する。
〕;
c式中、Y1〜Y4は、同−又は異なっていてもよく、
ハロゲン原子、シアン基又はGOOR’を意味し;R4
は水素原子、直鎖状または分岐状のC3〜C0のアルキ
ル基(その炭素鎖は1個又は2個以上の基電 0−−3−又は−N−により中断されていてもよく、あ
るいは水酸基、シアン基、ハロゲン原子、C1〜CI9
のアルキルカルボニルオキシ基、02〜C4のアルケニ
ルカルボニルオキシ基、C6〜CI!のシクロアルキル
カルボニルオキシ基、又はC3〜C1fiのシクロアル
キル基により置換されていてもよく、さらにはシアノ基
、ニトロ基、ハロゲン原子、もしくはC3〜C,のアル
キル基により置換されていてもよいフェニル基、フェノ
キシ基、ナフチル基、ナフチルオキシ基、アントリル基
又はアントリルオキシ基により置換されていてもよい、
)、あるいは置換されていてもよいC3〜cpsのシク
ロアルキル基、あるいはフェニル基、ナフチル基、アン
トリル基、ピリジル基、ピラゾリル基、キノリル基、チ
アゾリル基又はオキサシリル基(これらは、水#基、シ
アン基、ハロゲン原子、C2〜C#のアルキル基、C1
〜CI9のアルキルカルボニルオキシ基、C2〜C4の
アルケニルカルボニルオキシ基、C,〜C12のシクロ
アルキルカルボニルオキシ基、又はC3〜C18のシク
ロアルキル基により置換されていてもよく、さらにはシ
アノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、もしくはC1〜C8
のアルキル基により置換されていてもよいフェニル法、
フェノキシ基、ナフチル基、ナフチルオキシ基、アント
リル基又はアントリルオキシ基により置換されていても
よい。
ハロゲン原子、シアン基又はGOOR’を意味し;R4
は水素原子、直鎖状または分岐状のC3〜C0のアルキ
ル基(その炭素鎖は1個又は2個以上の基電 0−−3−又は−N−により中断されていてもよく、あ
るいは水酸基、シアン基、ハロゲン原子、C1〜CI9
のアルキルカルボニルオキシ基、02〜C4のアルケニ
ルカルボニルオキシ基、C6〜CI!のシクロアルキル
カルボニルオキシ基、又はC3〜C1fiのシクロアル
キル基により置換されていてもよく、さらにはシアノ基
、ニトロ基、ハロゲン原子、もしくはC3〜C,のアル
キル基により置換されていてもよいフェニル基、フェノ
キシ基、ナフチル基、ナフチルオキシ基、アントリル基
又はアントリルオキシ基により置換されていてもよい、
)、あるいは置換されていてもよいC3〜cpsのシク
ロアルキル基、あるいはフェニル基、ナフチル基、アン
トリル基、ピリジル基、ピラゾリル基、キノリル基、チ
アゾリル基又はオキサシリル基(これらは、水#基、シ
アン基、ハロゲン原子、C2〜C#のアルキル基、C1
〜CI9のアルキルカルボニルオキシ基、C2〜C4の
アルケニルカルボニルオキシ基、C,〜C12のシクロ
アルキルカルボニルオキシ基、又はC3〜C18のシク
ロアルキル基により置換されていてもよく、さらにはシ
アノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、もしくはC1〜C8
のアルキル基により置換されていてもよいフェニル法、
フェノキシ基、ナフチル基、ナフチルオキシ基、アント
リル基又はアントリルオキシ基により置換されていても
よい。
)を意味し:
xl、、、xllは水素原子、塩素原子、臭素原子、基
OR3、基0COR’あるいは基Pコを意味し;R′は
直鎖状又は分岐状のC7〜cpsのアルキル基(その炭
素鎖は1個又は2個以上の基−O−−S−又は−N−に
より中断されていてもよく、あるいは水酸基、シアン基
、ハロゲン原子、CI−C+ +のアルキルカルボニル
オキシLC□〜C4のアルケニルカルボニルオキシ基、
Ch ”−Cr tのシクロアルキルカルボニルオキシ
基、又はC3〜C11のシクロアルキル基により置換さ
れていてもよく、さらにはシアノ基、ニトロ基、ハロゲ
ン原子、もしくはC3〜C1のアルキル基により置換さ
れていてもよいフェニル基、フェノキシ基、ナフチル基
、ナフチルオキシ基、アントリル基又はアントリルオキ
シ基により11aされていてもよい。)、あるいはil
lされていてもよいC2〜C111のシクロアルキル基
、あるいはフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピ
リジル基、ピラゾリル基、キノリル基、チアゾリル基又
はオキサシリル基(これらは、水酸基、シフ7Jj、ハ
ロゲン原子、CI〜C1のアルキル基、CI−C+ e
のアルキルカルボニルオキシ基、02〜C。
OR3、基0COR’あるいは基Pコを意味し;R′は
直鎖状又は分岐状のC7〜cpsのアルキル基(その炭
素鎖は1個又は2個以上の基−O−−S−又は−N−に
より中断されていてもよく、あるいは水酸基、シアン基
、ハロゲン原子、CI−C+ +のアルキルカルボニル
オキシLC□〜C4のアルケニルカルボニルオキシ基、
Ch ”−Cr tのシクロアルキルカルボニルオキシ
基、又はC3〜C11のシクロアルキル基により置換さ
れていてもよく、さらにはシアノ基、ニトロ基、ハロゲ
ン原子、もしくはC3〜C1のアルキル基により置換さ
れていてもよいフェニル基、フェノキシ基、ナフチル基
、ナフチルオキシ基、アントリル基又はアントリルオキ
シ基により11aされていてもよい。)、あるいはil
lされていてもよいC2〜C111のシクロアルキル基
、あるいはフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピ
リジル基、ピラゾリル基、キノリル基、チアゾリル基又
はオキサシリル基(これらは、水酸基、シフ7Jj、ハ
ロゲン原子、CI〜C1のアルキル基、CI−C+ e
のアルキルカルボニルオキシ基、02〜C。
のアルケニルカルボニルオキシ基、C6〜CIKのシク
ロアルキルカルボニルオキシ基、又はC2〜C1mのシ
クロアルキル基によりEloされていてもよく、さらに
はシアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、もしくはC1〜
C,のアルキル基により置換されていてもよいフェニル
基、フェノキシ基、ナフチル基、ナフチルオキシ基、ア
ントリル基又はアントリルオキシ基により置換されてい
てもよい。)を意味する。〕 さらに、より具体的に挙げるなら、特開昭62−148
571号公報に記載されている下記一般式(III)で
表される化合物; (式中、R5及びR6は、同一または異なる脂肪族、脂
環族、芳香族または複素環族の残基を意味し、χ、Y及
びZは、夫々塩素原子、臭素原子または基OR’を意味
し; R7は非置換の又は置換されたフェニル基、ナフチル基
又はアントリル基を意味する。);特開昭57−125
260号公報に記載されている下記一般式(TV)で表
される化合物; (式中、R8及びR9は夫々イソプロピル基又は塩素原
子を意味し;あるいは R8はメチル基をそしてR9はC3又はC6のアルキル
基を意味する。); あるいは、特開昭60−89485号公報に記載されて
いる下記一般式(V)で表される化合物;tn 〔式中、nは0,2.3又は4の数を示し;そしてRI
G及びR11は、互いに無関係に直鎖状又は分岐状のC
4〜C11のアルキル基(その炭素鎖は1個又は2個以
上の基−〇−又は−S−により中断されていてもよく、
そして2個の一〇−及び/又は−5−は少なくとも2個
の炭素原子により隔てられている)、あるいは水酸基、
シアン基、C8〜C1,のアルキルカルボニルオキシ基
、C2〜C4のアルケニルカルボニルオキシ基、又は0
6〜C1□のシクロアルキルカルボニルオキシ基により
置換された02〜C1、のアルキル基、あるいはC3〜
C11のシクロアルキル基により置換されたC3又はC
8のアルキル基、あるいは1〜5個のC3〜C4のアル
キル基により又は1個もしくは2個のカルボ−C,−C
4−アルコキシ基により又は1個もしくは2個のトリフ
ルオルメチル基により置換されていてもよいcs−cp
sのシクロアルキル基(このC3〜C1,のシクロアル
キル基又はC5〜CI2のシクロアルキル基は、1〜6
個の環を包含してもよい。)を意味する。);特開昭6
2−201966号公報に記載されている下記−線式(
Vl)で表される化合物; X’n (式中、ysはハロゲン原子又はシアン基であり; RI2は水素原子、直鎖状又は分岐状のC8〜C111
のアルキル基、C1〜cpsのシクロアルキル基により
置換されたC1又はC2のアルキル基又はC1〜C1の
シクロアルキル基であり、これらのンクロアルキル基は
4個までの環を含有してもよく;x9は塩素原子又は臭
素原子であり、そしてnは0.1又は2である。)など
を挙げることができる。
ロアルキルカルボニルオキシ基、又はC2〜C1mのシ
クロアルキル基によりEloされていてもよく、さらに
はシアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、もしくはC1〜
C,のアルキル基により置換されていてもよいフェニル
基、フェノキシ基、ナフチル基、ナフチルオキシ基、ア
ントリル基又はアントリルオキシ基により置換されてい
てもよい。)を意味する。〕 さらに、より具体的に挙げるなら、特開昭62−148
571号公報に記載されている下記一般式(III)で
表される化合物; (式中、R5及びR6は、同一または異なる脂肪族、脂
環族、芳香族または複素環族の残基を意味し、χ、Y及
びZは、夫々塩素原子、臭素原子または基OR’を意味
し; R7は非置換の又は置換されたフェニル基、ナフチル基
又はアントリル基を意味する。);特開昭57−125
260号公報に記載されている下記一般式(TV)で表
される化合物; (式中、R8及びR9は夫々イソプロピル基又は塩素原
子を意味し;あるいは R8はメチル基をそしてR9はC3又はC6のアルキル
基を意味する。); あるいは、特開昭60−89485号公報に記載されて
いる下記一般式(V)で表される化合物;tn 〔式中、nは0,2.3又は4の数を示し;そしてRI
G及びR11は、互いに無関係に直鎖状又は分岐状のC
4〜C11のアルキル基(その炭素鎖は1個又は2個以
上の基−〇−又は−S−により中断されていてもよく、
そして2個の一〇−及び/又は−5−は少なくとも2個
の炭素原子により隔てられている)、あるいは水酸基、
シアン基、C8〜C1,のアルキルカルボニルオキシ基
、C2〜C4のアルケニルカルボニルオキシ基、又は0
6〜C1□のシクロアルキルカルボニルオキシ基により
置換された02〜C1、のアルキル基、あるいはC3〜
C11のシクロアルキル基により置換されたC3又はC
8のアルキル基、あるいは1〜5個のC3〜C4のアル
キル基により又は1個もしくは2個のカルボ−C,−C
4−アルコキシ基により又は1個もしくは2個のトリフ
ルオルメチル基により置換されていてもよいcs−cp
sのシクロアルキル基(このC3〜C1,のシクロアル
キル基又はC5〜CI2のシクロアルキル基は、1〜6
個の環を包含してもよい。)を意味する。);特開昭6
2−201966号公報に記載されている下記−線式(
Vl)で表される化合物; X’n (式中、ysはハロゲン原子又はシアン基であり; RI2は水素原子、直鎖状又は分岐状のC8〜C111
のアルキル基、C1〜cpsのシクロアルキル基により
置換されたC1又はC2のアルキル基又はC1〜C1の
シクロアルキル基であり、これらのンクロアルキル基は
4個までの環を含有してもよく;x9は塩素原子又は臭
素原子であり、そしてnは0.1又は2である。)など
を挙げることができる。
本発明のペリレン誘導体を発光層として用いるには、正
孔注入輪送層と正孔阻止層の間に発光層を設けるが、陽
極、正孔注入輪送層、発光層、正孔阻止層、陰極の順に
設けても良いし、陰極、正孔阻止層、発光層、正孔注入
輪送層、陽極の順に設けても良い。
孔注入輪送層と正孔阻止層の間に発光層を設けるが、陽
極、正孔注入輪送層、発光層、正孔阻止層、陰極の順に
設けても良いし、陰極、正孔阻止層、発光層、正孔注入
輪送層、陽極の順に設けても良い。
陽極としては、透明絶縁性支持体上に形成された透明あ
るいは不透明な導電性物質が用いられるが、陰極が不透
明な場合には陽極は透明である必要がある。好ましい例
としては、酸化錫、酸化インジウム、酸化錫インジウム
(ITO)等の導電性酸化物あるいは金、銀、クロム等
の金属、沃化銅等の無機導電性物質、ポリチオフェン、
ポリピロール、ポリアニリン等の導電性ポリマー等を挙
げることができる。
るいは不透明な導電性物質が用いられるが、陰極が不透
明な場合には陽極は透明である必要がある。好ましい例
としては、酸化錫、酸化インジウム、酸化錫インジウム
(ITO)等の導電性酸化物あるいは金、銀、クロム等
の金属、沃化銅等の無機導電性物質、ポリチオフェン、
ポリピロール、ポリアニリン等の導電性ポリマー等を挙
げることができる。
陰極として好ましいのは、例えばインジウム、銀、錫、
アルミニウム、鉛、マグネシウム等から形成した半透明
又は不透明電極が挙げられる。
アルミニウム、鉛、マグネシウム等から形成した半透明
又は不透明電極が挙げられる。
本発明のペリレン誘導体を発光層として用いるには、蒸
着などにより形成してもよいし、必要に応じて結着剤を
用いて、あるいは用いずに塗布で形成してもよい。
着などにより形成してもよいし、必要に応じて結着剤を
用いて、あるいは用いずに塗布で形成してもよい。
結着剤としては、通常の重合体を用いることができるが
、例えばポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポ
リアクリロニトリル、ポリエステル、ポリカーボネート
、ポリスルホン、ポリフヱニレンオキサイド等が挙げら
れる。この場合の結着剤の使用量は、特に制限はないが
、ペリレン誘導体1重量部に対して100重量部以下が
好ましい。
、例えばポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポ
リアクリロニトリル、ポリエステル、ポリカーボネート
、ポリスルホン、ポリフヱニレンオキサイド等が挙げら
れる。この場合の結着剤の使用量は、特に制限はないが
、ペリレン誘導体1重量部に対して100重量部以下が
好ましい。
そして、この際の発光層の厚さは、50Å以上1μ−以
下が望ましい。
下が望ましい。
次に、正孔注入輪送層は、陽極上あるいは発光層上に設
ける。この場合、正孔注入輪送層は、陽極から正孔が注
入されやすくし、さらに注入された正孔を発光層まで輸
送する層である。核層に正孔輸送性化合物を用いること
ができるが、発光層で発生した光に対して透過性である
ことが望ましい。
ける。この場合、正孔注入輪送層は、陽極から正孔が注
入されやすくし、さらに注入された正孔を発光層まで輸
送する層である。核層に正孔輸送性化合物を用いること
ができるが、発光層で発生した光に対して透過性である
ことが望ましい。
さらに、最適な有機エレクトロルミネセンス素子を得る
には、正孔注入輪送層、発光層のエネルギーレベル(イ
オン化ポテンシャル、電子親和力など)を適切に適合さ
せる必要がある。
には、正孔注入輪送層、発光層のエネルギーレベル(イ
オン化ポテンシャル、電子親和力など)を適切に適合さ
せる必要がある。
正孔輸送性化合物とは、電子供与性化合物であり、正孔
輸送性化合物単体又はこれらを結着剤樹脂中にl3解、
分散させた形で用いられる。
輸送性化合物単体又はこれらを結着剤樹脂中にl3解、
分散させた形で用いられる。
好ましいものとして、例えば以下のような化合物を挙げ
ることができる。ポリビニルカルバゾール、2.6−シ
メトキシー9.10−ジヒドロキシアントラセンとジカ
ルボン酸から得られたポリエステル、2.6,9.10
−テトライソプロポキシアントラセンのようなアントラ
セン誘導体;2,5−ビス(4−ジエチルアミノフェニ
ル)−1,3,4−オキサジアゾールなどのオキサジア
ゾール類i N、N’−ジフェニル−N、 N’ −(
3−メチルフェニル)1.1°−ジフェニル−4,4′
−ジアミンなどのトリフェニルアミン誘導体;l−フェ
ニル−3−(p−ジエチルアミノスチリル) −5−(
p−ジエチルアミノフェニル)−2−ピラゾリンなどの
ピラゾリン誘導体;4−(ジエチルアミノ)スチリル−
2−アントラセンなどのスチリル化合物;p−ジエチル
アミノベンズアルデヒド−(ジフェニルヒドラゾン)な
どのヒドラゾン系化合物;スチルベン系化合物;金属あ
るいは熱金属フタロシアニン類;ポルフィリン系化合物
などである。
ることができる。ポリビニルカルバゾール、2.6−シ
メトキシー9.10−ジヒドロキシアントラセンとジカ
ルボン酸から得られたポリエステル、2.6,9.10
−テトライソプロポキシアントラセンのようなアントラ
セン誘導体;2,5−ビス(4−ジエチルアミノフェニ
ル)−1,3,4−オキサジアゾールなどのオキサジア
ゾール類i N、N’−ジフェニル−N、 N’ −(
3−メチルフェニル)1.1°−ジフェニル−4,4′
−ジアミンなどのトリフェニルアミン誘導体;l−フェ
ニル−3−(p−ジエチルアミノスチリル) −5−(
p−ジエチルアミノフェニル)−2−ピラゾリンなどの
ピラゾリン誘導体;4−(ジエチルアミノ)スチリル−
2−アントラセンなどのスチリル化合物;p−ジエチル
アミノベンズアルデヒド−(ジフェニルヒドラゾン)な
どのヒドラゾン系化合物;スチルベン系化合物;金属あ
るいは熱金属フタロシアニン類;ポルフィリン系化合物
などである。
また、結着剤樹脂としては、ポリ塩化ビニル、ポリカー
ボネート、ポリスチレン、ポリエステル、ポリスルホン
、ポリフェニレンオキサイド、ポリウレタン、エポキシ
樹脂等が挙げられる。
ボネート、ポリスチレン、ポリエステル、ポリスルホン
、ポリフェニレンオキサイド、ポリウレタン、エポキシ
樹脂等が挙げられる。
正孔注入輪送層は、必ずしも一層である必要はなく、必
要であれば2層以上に積層しても良い。
要であれば2層以上に積層しても良い。
厚さはピンホールを生じない程度に薄いほうが好ましく
、通常1μ以下の厚みで用いられる。
、通常1μ以下の厚みで用いられる。
正孔阻止層は、発光層と陰極の間に設けるが、正孔阻止
層を設けない場合には、発光に寄与せず、発光層内を通
過してゆく正孔を発光層内にとじ込め、発光に寄与させ
ることが可能になり、高い発光効率を得るために設ける
層である。これには、任意の電子伝達性化合物を用いる
ことができるが、正孔阻止層に用いる化合物の第一酸化
電位が発光層に用いる物質の第一酸化電位よりも0.1
v以上大きいとき、特にその効果が顕著である。
層を設けない場合には、発光に寄与せず、発光層内を通
過してゆく正孔を発光層内にとじ込め、発光に寄与させ
ることが可能になり、高い発光効率を得るために設ける
層である。これには、任意の電子伝達性化合物を用いる
ことができるが、正孔阻止層に用いる化合物の第一酸化
電位が発光層に用いる物質の第一酸化電位よりも0.1
v以上大きいとき、特にその効果が顕著である。
正孔阻止層に用いられる電子伝達性化合物としては、有
機、無機、あるいは金属錯体など任意の電子伝達性化合
物を用いることができ、電子伝達化合物単体あるいはこ
れらを結着剤樹脂中に溶解、分散させた形で用いられる
。
機、無機、あるいは金属錯体など任意の電子伝達性化合
物を用いることができ、電子伝達化合物単体あるいはこ
れらを結着剤樹脂中に溶解、分散させた形で用いられる
。
好ましいものとして、例えば以下のような化合物を挙げ
ることができる。無機化合物ではCdS。
ることができる。無機化合物ではCdS。
Cd−3e、CdTe、ZnO,ZnS、Zn5e、Z
nTe (n型)、n型の単結晶シリコンあるいはアモ
ルファスシリコンなど;有機化合物ではアミノ基または
その誘導体を有するトリフェニルメタン、ジフェニルメ
タン、キサンチン、アクリジン、アジン、チアジン、チ
アゾール、オキサジン、アゾなどの各種染料及び顔料、
フラバントロンなどのインダンスレン染料、ペリノン系
顔料、ペリレン系顔料、シアニン色素、2,4.7−ド
リニトロフルオレノン、テトラシアノキノジメタン、テ
トラシアノエチレンなどの電子受容体などがあり又金属
錯体では、環上に電子吸引性置換基を有する金属、無金
属フタロシアニン類、環上にピリジル基、キノリル基、
キノキサリル基などを有するポルフィリン類、8−ヒド
ロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体なとである
。
nTe (n型)、n型の単結晶シリコンあるいはアモ
ルファスシリコンなど;有機化合物ではアミノ基または
その誘導体を有するトリフェニルメタン、ジフェニルメ
タン、キサンチン、アクリジン、アジン、チアジン、チ
アゾール、オキサジン、アゾなどの各種染料及び顔料、
フラバントロンなどのインダンスレン染料、ペリノン系
顔料、ペリレン系顔料、シアニン色素、2,4.7−ド
リニトロフルオレノン、テトラシアノキノジメタン、テ
トラシアノエチレンなどの電子受容体などがあり又金属
錯体では、環上に電子吸引性置換基を有する金属、無金
属フタロシアニン類、環上にピリジル基、キノリル基、
キノキサリル基などを有するポルフィリン類、8−ヒド
ロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体なとである
。
正孔阻止層は、電子伝達性化合物を蒸着や電解反応など
により形成してもよいし、必要に応じて結着剤を用いで
あるいは用いずに塗布で形成してもよい。
により形成してもよいし、必要に応じて結着剤を用いで
あるいは用いずに塗布で形成してもよい。
結着剤としては、通常の重合体を用いることができるが
、例えば、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、
ポリアクリロニトリル、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド等が挙げ
られる。この場合の結着剤の使用量は特に制限はないが
、電子伝達性化合物1重量部に対し100重量部以下が
好ましい、正孔阻止層は、必ずしも一層である必要はな
く、必要であれば2層以上に積層してもよいが、その厚
さは50Å以上1μm以下が望ましい。
、例えば、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、
ポリアクリロニトリル、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド等が挙げ
られる。この場合の結着剤の使用量は特に制限はないが
、電子伝達性化合物1重量部に対し100重量部以下が
好ましい、正孔阻止層は、必ずしも一層である必要はな
く、必要であれば2層以上に積層してもよいが、その厚
さは50Å以上1μm以下が望ましい。
以下実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、こ
れらは本発明の範囲を制限するものではない。
れらは本発明の範囲を制限するものではない。
実施例I
ITOガラス(HOYA■製)上に、正孔注入輪送層と
して、N、N’−ジフェニル−N、N’−(3−メチル
フェニル)1.1’−ジフェニル−4,4°−ジアミン
を、3X10−’)−ルの真空度で150″Cに加熱し
、430人の厚さに蒸着した。
して、N、N’−ジフェニル−N、N’−(3−メチル
フェニル)1.1’−ジフェニル−4,4°−ジアミン
を、3X10−’)−ルの真空度で150″Cに加熱し
、430人の厚さに蒸着した。
次いで、発光層として、ペリレン−3,4,9,10−
テトラカルボン酸−ビス=(2°6+−ジイソプロピル
アニリド) (BASF社製)を、1.2 Xl0−”
)−ルの真空度で270°Cに加熱し、500人の厚さ
に蒸着した。
テトラカルボン酸−ビス=(2°6+−ジイソプロピル
アニリド) (BASF社製)を、1.2 Xl0−”
)−ルの真空度で270°Cに加熱し、500人の厚さ
に蒸着した。
次いで、正孔阻止層としてトリス(5,7−ジクロル−
8−ヒドロキシキノリノ)アルミニウムを2.3×10
4トールの真空度で208℃に加熱し、600人の厚さ
に蒸着した。さらに、その上に陰電極として金属インジ
ウムをシャドーマスクを介して0.1dの面積に蒸着し
、素子の面積を規定した。
8−ヒドロキシキノリノ)アルミニウムを2.3×10
4トールの真空度で208℃に加熱し、600人の厚さ
に蒸着した。さらに、その上に陰電極として金属インジ
ウムをシャドーマスクを介して0.1dの面積に蒸着し
、素子の面積を規定した。
このようにして作成した素子にITO電極を陽極として
直流電圧を印加すると、620nmのオレンジ光を発し
た。その輝度は22V 、 1hA/ ejにおいて5
5cd/ rdであった。
直流電圧を印加すると、620nmのオレンジ光を発し
た。その輝度は22V 、 1hA/ ejにおいて5
5cd/ rdであった。
実施例2
発光層としてペリレン−3,4,9,10−テトラカル
ボン酸−ビス−イソブチルイミド(BASF社製)を、
2.2 Xl0−”トールの真空度で205℃に加熱し
、450人の厚さで設けた以外は、実施例1と同様にし
て素子を作成した。
ボン酸−ビス−イソブチルイミド(BASF社製)を、
2.2 Xl0−”トールの真空度で205℃に加熱し
、450人の厚さで設けた以外は、実施例1と同様にし
て素子を作成した。
この素子の発光波長は、604n−で、25V 、 2
h^/C−のとき、36cd/ nfの輝度であった。
h^/C−のとき、36cd/ nfの輝度であった。
実施例3
発光層として1,6,7.12−テトラフェノキシ−N
。
。
N”2+6− ジイソプロピルフェニルペリレン−3,
4,910−テトラカルボン酸ジイミド(BASF社製
)を用い、3.2 Xl0−’ )−ルの真空度で21
0°Cに加熱して、480人の厚さで設けた以外は、実
施例1と同様にして素子を作成した。
4,910−テトラカルボン酸ジイミド(BASF社製
)を用い、3.2 Xl0−’ )−ルの真空度で21
0°Cに加熱して、480人の厚さで設けた以外は、実
施例1と同様にして素子を作成した。
この素子は、27V 、 27m八/へにおいて輝度が
30cd/ポで615r+−の発光を示した。
30cd/ポで615r+−の発光を示した。
実施例4
発光層として1.7−ジクロル−6,12−ジフェノキ
シN、N’−2.6−ジイツプロピルフエニルベリレン
ー3.4゜9、lO−テトラカルボン酸ジイミドを用い
、2.2×10−″トールの真空度で180°Cに加熱
して、550人の厚さで設けた以外は、実施例1と同様
にして素子を作成した。
シN、N’−2.6−ジイツプロピルフエニルベリレン
ー3.4゜9、lO−テトラカルボン酸ジイミドを用い
、2.2×10−″トールの真空度で180°Cに加熱
して、550人の厚さで設けた以外は、実施例1と同様
にして素子を作成した。
この素子は、23V 、 32−A/ cdのとき、輝
度が48cd/ rrlで605rvの発光を示した。
度が48cd/ rrlで605rvの発光を示した。
実施例5
発光層としてペリレン−3,4,9,10−テトラカル
ボン酸−ビス=(2°−メチル−6゛−イソプロピルア
ニリド)を、2.2 Xl0−’ )−ルの真空度で2
60°Cに加熱し、700人の厚さで設け、次いで、そ
の上に正孔阻止層としてフラバントロン(C,1,70
600) (Ind、イエローG、BASF社製)を3
.2 Xl0−” )−ルの真空度で380人の厚さに
蒸着して設けた以外は、実施例1と同様にして素子を作
成した。
ボン酸−ビス=(2°−メチル−6゛−イソプロピルア
ニリド)を、2.2 Xl0−’ )−ルの真空度で2
60°Cに加熱し、700人の厚さで設け、次いで、そ
の上に正孔阻止層としてフラバントロン(C,1,70
600) (Ind、イエローG、BASF社製)を3
.2 Xl0−” )−ルの真空度で380人の厚さに
蒸着して設けた以外は、実施例1と同様にして素子を作
成した。
この素子は、24V 、22+eA/ cjにおいて、
41cd/ポのオレンジ光を発した。
41cd/ポのオレンジ光を発した。
実施例6
発光層として、
を用い、2.5 Xl0−’トールの真空度で200
’Cに加熱し、600人の厚さで設け、さらにこの上に
正孔阻止層としてアゾ顔料であるc、1.ピグメント・
レッド112(C,1,12370)を4.2 Xl0
−’トー/l/(7)真空度で520人の厚さに蒸着し
、さらに、その上に実施例1と同様にインジウムを陰極
として蒸着し、素子を作成した。
’Cに加熱し、600人の厚さで設け、さらにこの上に
正孔阻止層としてアゾ顔料であるc、1.ピグメント・
レッド112(C,1,12370)を4.2 Xl0
−’トー/l/(7)真空度で520人の厚さに蒸着し
、さらに、その上に実施例1と同様にインジウムを陰極
として蒸着し、素子を作成した。
コノ素子は、38V 、 1hA/ cj17)とき、
輝度が550cd/ nfで560nmの発光を示した
。
輝度が550cd/ nfで560nmの発光を示した
。
実施例7
発光層として4.10−ジシアノペリレン−3,9−ジ
カルボン酸イソブチルエステルを、1.2 Xl0−’
トールの真空度で175℃に加熱し、680人の厚さで
設け、正孔阻止層としてトリス(5,7−ジブロモ8−
ヒドロキシキノリノ)アルミニウムを2.0×10−
’トールの真空度で268°Cに加熱し、420人の厚
さに蒸着して用いた以外は、実施例1と同様にして素子
を作成した。
カルボン酸イソブチルエステルを、1.2 Xl0−’
トールの真空度で175℃に加熱し、680人の厚さで
設け、正孔阻止層としてトリス(5,7−ジブロモ8−
ヒドロキシキノリノ)アルミニウムを2.0×10−
’トールの真空度で268°Cに加熱し、420人の厚
さに蒸着して用いた以外は、実施例1と同様にして素子
を作成した。
この素子は、28V 、 46+A/ cjにおいて7
Bcd/ rdの508nm光を発した。
Bcd/ rdの508nm光を発した。
実施例8
ITOガラス(IIOYA鱒製)上に、正孔注入輪送層
として1−フェニル−3−(p−ジエチルアミノスチリ
ル)5− (p−ジエチルアミノフェニル)−2−ピロ
ゾリンを、2X、10”h)−ルの真空度で500人の
厚さに蒸着した0次いで発光層として、ペリレン−3,
4,9,10−テトラカルボン酸−2°−(2°−ブチ
ル)−6゛−エチルアニリドを、1.2 Xl0−’ト
ールの真空度で650人の厚さに蒸着した0次いで、そ
の上に実施例6と同様に正孔阻止層と陰電極を設けた。
として1−フェニル−3−(p−ジエチルアミノスチリ
ル)5− (p−ジエチルアミノフェニル)−2−ピロ
ゾリンを、2X、10”h)−ルの真空度で500人の
厚さに蒸着した0次いで発光層として、ペリレン−3,
4,9,10−テトラカルボン酸−2°−(2°−ブチ
ル)−6゛−エチルアニリドを、1.2 Xl0−’ト
ールの真空度で650人の厚さに蒸着した0次いで、そ
の上に実施例6と同様に正孔阻止層と陰電極を設けた。
この素子は、28V 、 56n+A/ cjで125
cd/rrfのオレンジ光を発した。
cd/rrfのオレンジ光を発した。
実施例9
塩化カドミウム3.4重量部、硫黄粉末2.1重量部、
テトラ−n−プチルアンモニウムテトラフルオロボレイ
ト11.2重量部を含むジメチルスルフオキシド340
重量部の溶液を110°Cに加熱し、この中で白金電極
を陽極に、ITOガラス(IIOYA■製)を陰極とし
て3鍋^/cdの電流密度で2分間反応を行い、ITO
ガラス上にCdS 15を形成し、正孔阻止層とした。
テトラ−n−プチルアンモニウムテトラフルオロボレイ
ト11.2重量部を含むジメチルスルフオキシド340
重量部の溶液を110°Cに加熱し、この中で白金電極
を陽極に、ITOガラス(IIOYA■製)を陰極とし
て3鍋^/cdの電流密度で2分間反応を行い、ITO
ガラス上にCdS 15を形成し、正孔阻止層とした。
この上に、発光層として、L6,7.12−テトラクロ
ル−ジー〇−ブチルペリレン−3,4,9,10−テト
ラカルボン酸ジイミドを用い、2.8 Xl0−’トー
ルの真空度で650人の厚さに蒸着した。その上に、正
孔注入輪送層として4−(ジエチルアミノ)スチリル2
−アントラセンを、2XlO−’)−ルの真空度で50
0人の厚さに蒸着し、さらに、2層目の正孔注入輪送層
として無金属フタロシアニン(東洋インキ■社製)を1
.2 Xl0−’トールの真空度で150人の厚さに蒸
着して設け、次いで、その上に陽電橿として金をシャド
ーマスクを介してO,lcdの面積に蒸着し、素子の面
積を規定した。
ル−ジー〇−ブチルペリレン−3,4,9,10−テト
ラカルボン酸ジイミドを用い、2.8 Xl0−’トー
ルの真空度で650人の厚さに蒸着した。その上に、正
孔注入輪送層として4−(ジエチルアミノ)スチリル2
−アントラセンを、2XlO−’)−ルの真空度で50
0人の厚さに蒸着し、さらに、2層目の正孔注入輪送層
として無金属フタロシアニン(東洋インキ■社製)を1
.2 Xl0−’トールの真空度で150人の厚さに蒸
着して設け、次いで、その上に陽電橿として金をシャド
ーマスクを介してO,lcdの面積に蒸着し、素子の面
積を規定した。
このようにして作成した素子に金電極を陽極とし直流電
圧を印加すると、17V 、36n+A/ cjで14
5cd/rrfの輝度で551nTflの発光を示した
。
圧を印加すると、17V 、36n+A/ cjで14
5cd/rrfの輝度で551nTflの発光を示した
。
〔発明の効果]
本発明によれは、陽極、正孔注入輪送層、発光層、正孔
阻止層、陰極よりなる有機エレクトロルミネセンス素子
において、発光層に高い発光効率を有するペリレン誘導
体を用いるごとにより、発光効率が良好で十分な輝度が
得られ、安価でかつ製造容易な有機エレクトロルミネセ
ンス素子が得られる。
阻止層、陰極よりなる有機エレクトロルミネセンス素子
において、発光層に高い発光効率を有するペリレン誘導
体を用いるごとにより、発光効率が良好で十分な輝度が
得られ、安価でかつ製造容易な有機エレクトロルミネセ
ンス素子が得られる。
(ほか1名)
Claims (1)
- 陽極上に順次正孔注入輪送層、発光層、正孔阻止層、
陰極を有し、これらの電極のうち少なくとも一方が透明
である有機エレクトロルミネセンス素子において、発光
層がその極大蛍光波長が400〜800nmであるペリ
レン誘導体であることを特徴とする、有機エレクトロル
ミネセンス素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1014106A JPH02196885A (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | 有機電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1014106A JPH02196885A (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | 有機電界発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02196885A true JPH02196885A (ja) | 1990-08-03 |
Family
ID=11851867
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1014106A Pending JPH02196885A (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | 有機電界発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02196885A (ja) |
Cited By (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03791A (ja) * | 1989-02-20 | 1991-01-07 | Pioneer Electron Corp | 電界発光素子 |
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