JP2003303689A - トリアジン誘導体を用いた電界発光素子 - Google Patents
トリアジン誘導体を用いた電界発光素子Info
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Abstract
界発光素子を提供すること。 【解決手段】 シアヌル酸クロライドと特定のへテロ環
を有する化合物との反応により、電子輸送能、正孔阻止
能に優れ、且つフルカラーの発光も可能な新規なトリア
ジン誘導体を用いた高効率な電界発光素子より構成され
る。
Description
を用いた電界発光素子(以下、EL素子と略称する)に
関する。
EL素子の開発が盛んに行われている。例えば、タンと
バンスライク(C.W.Tang、S.A.Vanslyke)は、オキシン
錯体を用いて緑色の発光を得ている(アプライド フィ
ジックス レター、51巻、21ページ、1987年
Appl. Phys. Lett., 51(12), 21(1987))。また、安達
らは多様な積層構造を有するEL素子について報告して
いる(テレビジョン学会誌、44巻、578ページ、1
990年)。これらの報告において共通している点は、
電子および正孔の注入がEL素子に必要不可欠な事であ
る。電子を陰極から引き抜き発光層まで輸送する材料
(電子輸送材料)として、前者はオキシン錯体を、後者
はオキサジアゾール誘導体を用いている。ただし、前者
においては、オキシン錯体が発光層を兼任している。し
かしいずれも実用化するために充分な条件を備えていな
い。例えば、前者ではオキシン錯体より波長の短い発光
を得ることが難しく、さらに耐久性にも乏しい、後者で
はオキサジアゾール誘導体の耐久性が低い、などの問題
点があった。これらの課題を克服するために、特開平4
−363894号公報、特開平4−363891号公報
には複数のオキサジアゾール環を有する誘導体を用いた
電界発光素子の例が示されている。耐久性の点でかなり
改善はされているが、実用化のためにはまだ不十分であ
る上に、駆動電圧が高く発光効率が低かった。
率で耐久性の高い有機EL素子を見いだすべく鋭意検討
した結果、特定のトリアジン誘導体を用いた素子が高効
率で耐久性のある事を見いだし本発明を完成した。
び(2)の構成を有する。 (1)一般式(1)
要により正孔輸送層、正孔阻止層、電子輸送層、電子阻
止層のうちの1層以上をも含む各層より構成される電界
発光素子において、一般式(1)で表されるトリアジン
誘導体が発光材料、正孔阻止材料若しくは電子輸送材料
のうちの1種以上の材料として用いられることを特徴と
する前項に記載の電界発光素子。[ただし、一般式
(1)に於いて、A、BおよびCは、それぞれ独立し
て、式(2)
ぞれ独立に水素、フッ素、塩素、アルキル基、アルコキ
シ基、ジアルキルアミノ基、アルカノイルオキシ基、ア
ルキルオキシカルボニル基、アリール基、シアノ基、ア
ルカノイル基またはトリフルオロメチル基を示し、ある
いは、R1〜R4が隣接した位置の場合には芳香環が縮合
していても良く、R5〜R9はそれらのうち1つは結合基
を示し、他はそれぞれ独立に水素、フッ素、塩素、アル
キル基またはトリフルオロメチル基を示し、あるいは、
R5〜R9が隣接した位置の場合には芳香環が縮合してい
ても良く、XはO、SまたはNR10(R10は、水素、ア
ルキル基またはアリール基を示す)を示し、nは0、1
または2を示し、YはLi、Na、K、MgL若しくは
ZnLを示す。ただしLはCl、BrまたはIを表
す]。
る。本発明で用いられる一般式(1)で表されるトリア
ジン誘導体のうち、好ましい化合物の具体例としては、
式(5)乃至(58)
体は、以下のようにして合成できる。すなわち、式
(3)
ルの式(4)
ラン、ジエチレングリコールジメチエ−テル等のエ−テ
ル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族
系溶媒あるいはピリジン等の溶媒中で、必要によりCu
I、CuOなどのCu系、Ni(acac)2、Pd
(PPh3)4等を触媒として、反応温度−100〜25
0℃、好ましくは−10〜200℃で、1〜170時間
反応させることによって目的の化合物を得ることができ
る。
〜R4はそれぞれ独立に水素、フッ素、塩素、アルキル
基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、アルカノイル
オキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アリール基、
シアノ基、アルカノイル基またはトリフルオロメチル基
を示し、あるいは、R1〜R4が隣接した位置の場合には
芳香環が縮合していても良く、R5〜R9はそれらのうち
1つは結合基を示し(式(3)の場合)、若しくはR5
〜R9のうち1つは存在せず(式(4)の場合)、他は
それぞれ独立に水素、フッ素、塩素、アルキル基または
トリフルオロメチル基を示し、あるいは、R5〜R9が隣
接した位置の場合には芳香環が縮合していても良く、X
はO、SまたはNR10(R10は、水素、アルキル基また
はアリール基を示す)を示し、nは0、1または2を示
し、YはLi、Na、K、MgL若しくはZnLを示
す。ただしLはCl、BrまたはIを表す]。
の態様があるが、基本的には一対の電極(陽極と陰極)
間に、発光層を挟持した構成とし、これに必要に応じ
て、正孔輸送層、電子輸送層、正孔阻止層及び電子阻止
層を介在させればよい。また、前記構成の素子において
は、いずれも基板に支持されていることが好ましく、該
基板に付いては特に制限はなく、従来EL素子に慣用さ
れているもの、例えばガラス、透明プラスチック、石英
などから成るものを用いることができる。
ジン誘導体を電子輸送材料あるいは発光材料として使用
する場合、必要ならば正孔輸送層を陽極と発光層あるい
は電子輸送層の間に設けてもよいし、該化合物に正孔輸
送材料を混合させた薄膜として用いても良い。
ると、(1)陽極/発光層/陰極、(2)陽極/正孔輸
送層/発光層/陰極、(3)陽極/発光層/電子輸送層
/陰極、(4)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層
/陰極、(5)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層
/電子輸送層/陰極、(6)陽極/正孔輸送層/電子阻
止層/発光層/電子輸送層/陰極、(7)陽極/正孔輸
送層/電子阻止層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/
陰極等がある。
体は、電子輸送能に優れている。これは、トリアジン骨
格を有するためであるが、このことに加えてベンゼン環
の縮合したヘテロ5員環の導入も電子輸送能を向上させ
ている。そのため電子輸送材料としてだけでなく正孔阻
止材料としても使用することができる。
ン誘導体はそれ自身が発光性であるため、発光材料とし
ても使用することができる。従って、該トリアジン誘導
体を発光材料として用いた本発明のEL素子は、他に特
別に発光材料を添加しなくても高効率な発光が望める。
発光色は、波長の短い紫色から青色の範囲であるため、
他の発光材料をドープする事によって原理的に全ての発
光色が得られる利点を有する。
ためには、正孔および電子を電極から効率よく取り出
し、効率よく発光中心まで輸送し、さらに効率よく発光
中心に注入する必要がある。そのために、正孔を輸送
し、発光中心に注入する材料(正孔輸送材料)と電子輸
送材料を混合した有機薄膜から成る素子あるいは正孔輸
送材料の薄膜と電子輸送材料の薄膜を積層した素子が一
般的である。これらの素子において、用いられる正孔輸
送材料および電子輸送材料の性能の向上は非常に重要な
事である。正孔輸送材料については非常に多くの報告が
あるが、電子輸送材料については先に記したオキサジア
ゾール誘導体など、僅かに知られているに過ぎない。
は重要である。材料の化学構造の変化だけではなく、薄
膜として使用するため物理的な変化にも強くなければな
らない。そのために材料には高いTgが要求される。一
般式(1)で表わされるトリアジン誘導体は、Tgが高
く薄膜にしたとき良好な膜質を長期間に渡って維持でき
る。その結果、本発明の素子は非常に耐久性が高くな
る。
としては、一般式(1)で表わされるトリアジン誘導体
ばかりでなく、これまで知られている蛍光塗料、蛍光顔
料、蛍光増白剤、レーザ色素、蛍光分析試薬等の発光材
料が挙げらる。これに必要に応じて、前記正孔輸送材料
あるいは/および発光材料を加えても良い。
体は、これらEL素子の電子輸送層として有用である
が、この電子輸送層は、例えば蒸着法、塗布法等の公知
の方法によって、薄膜化する事により形成することがで
きるが、特に分子堆積膜とすることが好ましい。ここで
分子堆積膜とは、該化合物の気相状態から沈着され形成
された薄膜や、該化合物の溶液状態または液相状態から
固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆
積膜はLB法により形成された薄膜(分子累積膜)とは
区別することができる。このようにして形成された各層
の薄膜の厚みについては特に制限はなく、適宜状況に応
じて選ぶことができるが、通常2nmないし5000nmの
範囲で選定される。
関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化
合物およびこれらの混合物を電極物質とするものが好ま
しく用いられる。このような電極物質の具体例としては
Auなどの金属、CuI、ITO、SnO2、ZnOな
どの誘電性透明材料が挙げられる。該陽極は、これらの
電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄
膜を形成させることにより作製することができる。この
電極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より
大きくすることが望ましく、また、電極としてのシート
抵抗は数百Ω/mm以下が好ましい。さらに膜厚は材料に
もよるが、通常10nmないし1μm、好ましくは10〜
200nmの範囲で選ばれる。
(4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれ
らの混合物を電極物質とするものが用いられる。このよ
うな電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウ
ム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、リチウム
/アルミニウム合金、マグネシウム/銀混合物、Al/
AlO2、インジウムなどが挙げられる。該陰極は、こ
れらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法によ
り、薄膜を形成させることにより、作製することができ
る。また、電極としてのシート抵抗は数百Ω/mm以下が
好ましく、膜厚は通常10nmないし1μm、好ましくは
50〜200nmの範囲で選ばれる。
与えられた2個の電極間に配置されて陽極から正孔が注
入された場合、該正孔を適切に発光層へ伝達しうる化合
物であって、例えば、104〜106V/cmの電界印加時
に、少なくとも10-6cm2/V・秒以上の正孔移動度を
もつものが好適である。このような正孔輸送材料につい
ては、前記の好ましい性質を有する物であれば特に制限
はなく、従来、光導電材料において、正孔の電荷輸送材
として慣用されているものやEL素子の正孔輸送層に使
用される公知のものの中から任意のものを選択して用い
ることができる。
ール誘導体(米国特許第3,112,197号明細書など
に記載のもの)、オキサジアゾール誘導体(米国特許第
3,189,447号明細書などに記載のもの)、イミダ
ゾール誘導体(特公昭37−16096号公報などに記
載のもの)、ポリアリールアルカン誘導体(米国特許第
3,615,402号明細書、同3,820,989号明細
書、同3,542,544号明細書、特公昭45−555
号公報、同51−10983号公報、特開昭51−93
224号公報、同55−17105号公報、同56−4
148号公報、同55−108667号公報、同55−
156953号公報、同56−36656号公報などに
記載のもの)、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体
(米国特許第3,180,729号明細書、同4,278,
746号明細書、特開昭55−88064号公報、同5
5−88065号公報、同49−105537号公報、
同55−51086号公報、同56−80051号公
報、同56−88141号公報、同57−45545号
公報、同54−112637号公報、同55−7454
6号公報などに記載のもの)、フェニレンジアミン誘導
体(米国特許第3,615,404号明細書、特公昭51
−10105号公報、同46−3712号公報、同47
−25336号公報、特開昭54−53435号公報、
同54−110536号公報、同54−119925号
公報などに記載のもの)、アリールアミン誘導体(米国
特許第3,567,450号明細書、同3,180,703
号明細書、同3,240,597号明細書、同3,658,
520号明細書、同4,232,103号明細書、同4,
175,961号明細書、同4,012,376号明細
書、特公昭49−35702号公報、同39−2757
7号公報、特開昭55−144250号公報、同56−
119132号公報同56−22437号公報、西独特
許第1,110,518号明細書などに記載のもの)、ア
ミノ置換カルコン誘導体(米国特許第3,526,501
号明細書などに記載のもの)、オキサゾール誘導体(米
国特許第3,257,203号明細書などに記載のも
の)、スチリルアントラセン誘導体(特開昭56−46
234号公報などに記載のもの)、フルオレノン誘導体
(特開昭54−110837号公報などに記載のも
の)、ヒドラゾン誘導体(米国特許第3,717,462
号明細書、特開昭54−59143号公報、同55−5
2063号公報、同55−52064号公報、同55−
46760号公報、同55−85495号公報、同57
−11350号公報、同57−148749号公報など
に記載されているもの)、スチルベン誘導体(特開昭6
1−210363号公報、同61−228451号公
報、同61−14642号公報、同61−72255号
公報、同62−47646号公報、同62−36674
号公報、同62−10652号公報、同62−3025
5号公報、同60−93445号公報、同60−944
62号公報、同60−174749号公報、同60−1
75052号公報に記載のもの)などを挙げることがで
きる。
することができるが、次に示すポリフィリン化合物(特
開昭63−295695号公報などに記載のもの)およ
び芳香族第三級アミン化合物およびスチリルアミン化合
物(米国特許第4,127,412号明細書、特開昭53
−27033号公報、同54−58445号公報、同5
4−149634号公報、同54−64299号公報、
同55−79450号公報、同55−144250号公
報、同56−119132号公報、同61−29555
8号公報、同61−98353号公報、同63−295
695号公報などに記載のもの)、特に該芳香族第三級
アミン化合物を用いることが好ましい。
ポリフィリン;5,10,15,20−テトラフェニル
−21H,23H−ポリフィリン銅(II);5,10,
15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポリフ
ィリン亜鉛(II);5,10,15,20−テトラキス
(ペンタフルオロフェニル)−21H,23H−ポリフ
ィリン;シリコンフタロシアニンオキシド;アルミニウ
ムフタロシアニンクロリド;フタロシアニン(無金
属);ジリチウムフタロシアニン;銅テトラメチルフタ
ロシアニン;銅フタロシアニン;クロムフタロシアニ
ン;亜鉛フタロシアニン;鉛フタロシアニン;チタニウ
ムフタロシアニンオキシド;マグネシウムフタロシアニ
ン;銅オクタメチルフタロシアニンなどが挙げられる。
アミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′,−テ
トラフェニル−4,4′−ジアミノビフェニル;N,N′
−フェニル−N,N′−ジ(3−メチルフェニル)−4,
4′−ジアミノビフェニル(TPD);2,2−ビス
(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン;1,
1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロ
ヘキサン; N,N,N′,N′−テトラ−p−トリル−
4,4′−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4−ジ−
p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキ
サン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニ
ル)フェニルメタン;N,N′−ジフェニル−N,N′−
ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフ
ェニル;N,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノ
ビフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミ
ノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリ
ル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミン)−4′−
[4(ジ−p−トリルアミン)スチリル]スチルベン;
4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニ
ル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニ
ルアミノスチルベン;N−フェニルカルバゾールなどが
挙げられる。
で表わされるトリアジン誘導体と陰極、発光層あるいは
正孔輸送層の間に、さらに電子輸送層を設ける必要があ
る場合は、該化合物で構造の異なる電子輸送材料ばかり
でなく、従来公知の化合物の中から任意のものを選択し
て用いる事ができる。該電子輸送材料の好ましい例とし
ては、先に記したオキシン錯体(アプライド フィジッ
クス レター、51巻、21ページ、1987年 App
l. Phys. Lett., 51(12), 21(1987))あるいはその誘導
体ばかりでなく、式(59)及び(60)
あるいは式(63)及び(64)
昭57−149259号公報、同58−55450号公
報、同61−225151号公報、同61−23375
0号公報、同63−104061号公報などに記載のも
の)、フルオレニリデンメタン誘導体(特開昭60−6
9657号公報、同61−143764号公報、同61
−148159号公報などに記載のもの)、アントロン
誘導体(特開昭61−225151号公報、同61−2
33750号公報などに記載のもの)、オキサジアゾー
ル誘導体(日化誌、1991(11): 1540、 Jpn. J. Appl. Ph
ys.,27, L713(1988), Appl. Phys. Lett., 55, 1489(19
89)などに記載のもの)、チオフェン誘導体(特開平4
−212286号公報などに記載のもの)などを挙げる
ことができる。
中に正孔あるいは電子を閉じこめることによって発光効
率を向上させるために導入する。この様な阻止層に用い
られる材料としては、正孔または電子を発光層から受け
取り難くまた対極側に輸送しにくい材料であれば何を用
いても良い。正孔阻止層の例として、一般式(1)で表
わされるトリアジン誘導体が挙げられる。
方法の例を構成(4)の素子について説明する。まず、
適当な基板上に所望の電極物質、例えば陽極用物質から
なる薄膜を、1μm以下、好ましくは10〜200nmの
範囲の膜厚になるように、蒸着やスパッタリングなどの
方法により形成させ、陽極を作製したのち、この上に正
孔輸送材料からなる薄膜を蒸着法あるいは塗布法等によ
り形成し、正孔輸送層を設ける。
を単独で用いる場合には、塗布法あるいは蒸着法などに
よって作成する。発光材料にバインダー、正孔輸送材料
あるいは/および電子輸送材料を混合する場合には、こ
れら混合する材料と発光材料を均一に混合した溶液から
塗布法によって作成するか、混合する材料と発光材料を
共蒸着することによって作成できる。電子輸送層も同様
にして、電子輸送材料から、塗布法または蒸着法によっ
て作成できる。
1μm以下に、蒸着やスパッタリング等の方法により形
成させ、陰極を設けることにより所望のEL素子が得ら
れる。なお、このEL素子の作製において、作製順序を
逆にして、陰極、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、陽
極の順に作製することも可能である。
電圧を印加する場合には、電圧3〜40V程度を印加す
ると、発光が透明または半透明の電極側より観測でき
る。さらに、交流電圧を印加することによっても発光す
る。なお印加する交流の波形は任意でよい。
て、陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極の構
成の場合を例に上げて説明する。電極間に電圧を印加す
ると、正孔は、陽極より正孔輸送層に電界により注入さ
れる。この注入された正孔は、発光層へ輸送される。一
方、電子は、陰極から電子輸送層に電界により注入さ
れ、発光層で正孔と再結合する。この再結合が行われる
と、発光材料が励起され基底状態に戻るときに発光す
る。
明する。 実施例1 2,4,6−トリス(2−ベンゾチアゾリル)−1,3,5
−トリアジンの合成ベンゾチアゾ−ル1220mgをTH
Fに溶かし、1.6mol/lのn−ブチルリチウムのヘキ
サン溶液6mlを加え、−70℃で一時間撹拌した。この
反応によりベンゾチアゾールのリチウム化物を得た。こ
れに、シアヌル酸クロライド550mgのTHF溶液を加
えた後、室温まで戻し一晩撹拌した。析出した固体をろ
別し、純水で充分に洗浄し、さらにメタノールにて洗浄
後乾燥した。昇華法にて精製し、目的の2,4,6−トリ
ス(2−ベンゾチアゾール)−1,3,5−トリアジンを
120mg得た。構造は1Hおよび13C−NMRにて確認
した。1 H−NMR(CHCl3) δ=7.49(m,3H), 7.57(m,3H), 7.99(m,3H), 8.17(m,3H)13 C−NMR(CHCl3) δ=122.0, 124.1, 126.6, 126.9, 135.8, 153.6, 161.
5, 209.1
5−トリアジンの合成実施例1で用いたベンゾチアゾ−
ルをベンゾオキサゾールに代えて合成する。
リル}−1,3,5−トリアジンの合成 実施例1で用いたベンゾチアゾ−ルをN−メチルベンゾ
イミダゾールに代えて合成する。
リル}−1,3,5−トリアジンの合成 実施例1で用いたベンゾチアゾ−ルを5−メチルベンゾ
オキサゾールに代えて合成する。
ェニル}−1,3,5−トリアジンの合成 実施例1で用いたベンゾチアゾ−ルを2−(4−ヨード
フェニル)ベンゾオキサゾールに代えて合成する。この
ものは固体で青紫色の蛍光を発した。1 H−NMR(CHCl3) δ=7.42(m,6H), 7.67(m,3H), 7.86(m,3H), 8.52(d,6H),
8.99(d,6H)
ェニル}−1,3,5−トリアジンの合成 実施例1で用いたベンゾチアゾ−ルを2−(3−ヨード
フェニル)ベンゾオキサゾールに代えて合成する。
オキサゾリル}フェニル]−1,3,5−トリアジンの合
成 実施例1で用いたベンゾチアゾ−ルを2−(4−ヨー
ド)フェニル−5−メチルベンゾオキサゾールに代えて
合成する。
オキサゾリル}フェニル]−1,3,5−トリアジンの合
成 実施例1で用いたベンゾチアゾ−ルを2−(3−ヨー
ド)フェニル−5−メチルベンゾオキサゾールに代えて
合成する。
ゾリル)フェニル}−1,3,5−トリアジンの合成 実施例1で用いたベンゾチアゾ−ルを2−{4−(1−
ヨード−2−メチル)フェニル}ベンゾチアゾールに代
えて合成する。
ゾリル)フェニル}−1,3,5−トリアジンの合成 実施例1で用いたベンゾチアゾールを2−{4−(1−
ヨード−3−メチル)フェニル}ベンゾチアゾールに代
えて合成する。
ゾリル)フェニル}−1,3,5−トリアジンの合成 実施例1で用いたベンゾチアゾールを2−{3−(1−
ヨード−5−メチル)フェニル}ベンゾチアゾールに代
えて合成する。
着法にて50nmの厚さで製膜したもの(東京三容真空
(株)製)を透明支持基板とした。この透明支持基板を市
販のスピンナー(協栄セミコンダクター(株)製)に固定
し、ポリビニルカルバゾール50重量部と実施例1で得
られた化合物50重量部をトルエンに0.3重量部溶解
したものを6000rpmで塗布した。その後、この基板
を10-1Paの減圧下50℃にて乾燥後、市販の蒸着装
置(真空機工(株)製)の基板ホルダーに固定した。その
後真空槽を2×10-4Paまで減圧してから、グラファ
イト性のるつぼから、マグネシウムを1.2〜2.4nm/
sの蒸着速度で、同時にもう一方のるつぼから銀を0.
1〜0.2nm/sの蒸着速度で蒸着した。上記条件でマ
グネシウムと銀の混合金属電極を発光層の上に200nm
積層蒸着して対向電極とし、素子を形成した。ITO電
極を陽極、マグネシウムと銀の混合電極を陰極として、
得られた素子に、直流電圧を印加すると電流が流れ、青
色の発光を得た。
ーに固定し、真空槽を2×10-4Paまで減圧してか
ら、石英製のるつぼよりN,N′−ジフェニル−N,N′
−ジ(3−メチルフェニル)−1,1′−ビフェニル−
4,4′−ジアミン(以下、TPDと略称する)を正孔
輸送層として50nm蒸着した。蒸着速度は0.1〜0.2
nm/sであった。その後、同条件にて3−(2−ベンゾ
チアゾリル)−7−ジエチルアミノクマリン(クマリン
6)と実施例1で得られた化合物を共蒸着して発光層を
作成した。この際クマリン6の含有率が1%となるよう
にした。その後、実施例12と同様にして対向電極を蒸
着し素子を形成した。ITO電極を陽極、マグネシウム
と銀の混合電極を陰極として、得られた素子に、直流電
圧を印加すると電流が流れ、緑色の発光を得た。
ポリビニルカルバゾールを100重量部と4−(ジシア
ノメチレン)−2−メチル−6−[2−(9−ジュロリ
ジル)エテニル]−4H−ピランを2重量部をトルエン
に0.3重量部溶解したものを6000rpmで塗布した。
その後、この基板を10-1Paの減圧下50℃にて乾燥
後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した。その後、実施
例13と同条件にて実施例1で得られた化合物を蒸着し
て電子輸送層を作成した。その後、実施例12と同様に
して対向電極を蒸着し素子を形成した。ITO電極を陽
極、マグネシウムと銀の混合電極を陰極として、得られ
た素子に、直流電圧を印加すると電流が流れ、赤色の発
光を得た。
ーに固定し、真空槽を2×10-4Paまで減圧してか
ら、石英製のるつぼよりTPDを正孔輸送層として50
nm蒸着した。蒸着速度は0.1〜0.2nm/sであった。
その後、実施例13と同条件にてクマリン6と実施例1
で得られた化合物を順に蒸着して発光層と電子輸送層を
作成した。その後、実施例12と同様にして対向電極を
蒸着し素子を形成した。ITO電極を陽極、マグネシウ
ムと銀の混合電極を陰極として、得られた素子に、直流
電圧を印加すると電流が流れ、黄色の発光を得た。
ーに固定し、真空槽を2×10-4Paまで減圧してか
ら、石英製のるつぼよりTPDを正孔輸送層として50
nm蒸着した。蒸着速度は0.1〜0.2nm/sであった。
その後、実施例13と同条件にてクマリン6、実施例1
で得られた化合物とトリス(8−キノリノラト)アルミ
ニウム(III)(Alq)を順に蒸着して発光層、正孔
阻止層と電子輸送層を作成した。その後、実施例12と
同様にして対向電極を蒸着し素子を形成した。ITO電
極を陽極、マグネシウムと銀の混合電極を陰極として、
得られた素子に、直流電圧を印加すると電流が流れ、黄
色の発光を得た。
ポリビニルカルバゾールをトルエンに0.3重量部溶解
したものを6000rpmで塗布した。その後、この基板
を10-1Paの減圧下50℃にて乾燥後、蒸着装置の基
板ホルダーに固定した。真空槽を2×10-4Paまで減
圧してから、石英製のるつぼよりTPDを電子阻止層と
して10nm蒸着した。蒸着速度は0.1〜0.2nm/sで
あった。その後、実施例13と同条件にてクマリン6と
実施例1で得られた化合物を順に蒸着して、発光層と電
子輸送層を作成した。その後、実施例12と同様にして
対向電極を蒸着し素子を形成した。ITO電極を陽極、
マグネシウムと銀の混合電極を陰極として、得られた素
子に、直流電圧を印加すると電流が流れ、黄色の発光を
得た。
ポリビニルカルバゾールをトルエンに0.3重量部溶解
したものを6000rpmで塗布した。その後、この基板
を10-1Paの減圧下50℃にて乾燥後、蒸着装置の基
板ホルダーに固定した。真空槽を2×10-4Paまで減
圧してから、石英製のるつぼよりTPDを電子阻止層と
して10nm蒸着した。蒸着速度は0.1〜0.2nm/sで
あった。その後、実施例13と同条件にてクマリン6、
実施例1で得られた化合物とAlqを順に蒸着して、発
光層、正孔阻止層と電子輸送層を作成した。その後、実
施例12と同様にして対向電極を蒸着し素子を形成し
た。ITO電極を陽極、マグネシウムと銀の混合電極を
陰極として、得られた素子に、直流電圧を印加すると電
流が流れ、黄色の発光を得た。
導体は、電子輸送性に優れているのでEL素子あるいは
電子写真の電子輸送材料として適している。また、正孔
を極端に受け取りにくいのでEL素子の正孔阻止材料と
して有用である。さらに、それ自身発光性が強いため、
蛍光塗料、蛍光増白剤、EL素子あるいはレーザ等の発
光材料として使用できる。高い融点とTgを有している
ので、熱的にも安定で、これを用いた本発明の有機EL
素子は耐久性に優れている。また、電子輸送能が高いの
で、高効率な発光素子である。ディスプレーにした場
合、一般式(1)で表わされるトリアジン誘導体の発光
波長が短いことより種々の蛍光材料をドープすればフル
カラー化された発光素子が作成できる。この様に実用上
有用な化合物は既述の方法により効率的に合成すること
ができる。
Claims (2)
- 【請求項1】 一般式(1) 【化1】 で表されるトリアジン誘導体を用いた電界発光素子。
[式(1)に於いて、A、BおよびCは、それぞれ独立
して、式(2) 【化2】 で示される。ただし、式(2)に於いてR1〜R4はそれ
ぞれ独立に水素、フッ素、塩素、アルキル基、アルコキ
シ基、ジアルキルアミノ基、アルカノイルオキシ基、ア
ルキルオキシカルボニル基、アリール基、シアノ基、ア
ルカノイル基またはトリフルオロメチル基を示し、ある
いは、R1〜R4が隣接した位置の場合には芳香環が縮合
していても良く、R5〜R9はそれらのうち1つは結合基
を示し、他はそれぞれ独立に水素、フッ素、塩素、アル
キル基またはトリフルオロメチル基を示し、あるいは、
R5〜R9が隣接した位置の場合には芳香環が縮合してい
ても良く、XはO、SまたはNR10(R10は、水素、ア
ルキル基またはアリール基を示す)を示し、nは0、1
または2を示す]。 - 【請求項2】 少なくとも陽極/発光層/陰極より構成
され、必要により正孔輸送層、正孔阻止層、電子輸送
層、電子阻止層のうちの1層以上を含む各層より構成さ
れる電界発光素子において、一般式(1) 【化3】 で表されるトリアジン誘導体が発光材料、正孔阻止材料
若しくは電子輸送材料のうちの1種以上の材料として用
いられることを特徴とする請求項1に記載の電界発光素
子。[式(1)に於いて、A、BおよびCは、それぞれ
独立して、式(2) 【化4】 で示される。ただし、式(2)に於いてR1〜R4はそれ
ぞれ独立に水素、フッ素、塩素、アルキル基、アルコキ
シ基、ジアルキルアミノ基、アルカノイルオキシ基、ア
ルキルオキシカルボニル基、アリール基、シアノ基、ア
ルカノイル基またはトリフルオロメチル基を示し、ある
いは、R1〜R4が隣接した位置の場合には芳香環が縮合
していても良く、R5〜R9はそれらのうち1つは結合基
を示し、他はそれぞれ独立に水素、フッ素、塩素、アル
キル基またはトリフルオロメチル基を示し、あるいは、
R5〜R9が隣接した位置の場合には芳香環が縮合してい
ても良く、XはO、SまたはNR10(R10は、水素、ア
ルキル基またはアリール基を示す)を示し、nは0、1
または2を示す]。
Priority Applications (1)
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JP2003045402A JP3558081B2 (ja) | 2003-02-24 | 2003-02-24 | トリアジン誘導体を用いた電界発光素子 |
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