JPH09176630A - 高い動作安定性を有するエレクトロルミネセンスデバイス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 効率と動作安定性の改善された有機エレクト
ロルミネセンスデバイスを提供する。 【解決手段】 それは陽極と陰極と、該陽極と陰極との
間に配置された有機ＥＬ素子とからなる。有機ＥＬ素子
は２つ以上の材料の混合物を含む少なくとも一つの蛍光
放射層からなる。その混合物は化学式： 【化１】 のキナクリドン化合物を含み、ここでＲ₃ ，Ｒ₄ はそれ
ぞれアルキル、アルコキシル、アリール、縮合アリール
又はハロゲン；Ｒ₅ ，Ｒ₆ はそれぞれアルキル、アルコ
キシル、アリール、又は置換されたアリール；ｎ＝０，
１，２，又は３である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はエレクトロルミネセ
ンスデバイス（ＥＬデバイス）に関する。より詳細には
本発明は導電性有機層から光を放射し、高い動作安定性
を有するデバイスに関する。

【０００２】

【従来の技術】有機エレクトロルミネセンスデバイスが
約２０年の間知られてきた一方でそれらの性能の限界は
多くの望ましい応用の障害となって現れてきた（簡潔の
ためにエレクトロルミネセンスの一般的な頭文字である
ＥＬでしばしば置き換えられる）。

【０００３】初期の有機ＥＬデバイスの代表はＧｕｒｎ
ｅｅ等による１９６５年３月９日発行のアメリカ特許第
３１７２８６２号；Ｇｕｒｎｅｅ等による１９６５年４
月９日発行のアメリカ特許第３１７３０５０号；Ｄｒｅ
ｓｎｅｒによる１９６９年のＲＣＡ Ｒｅｖｉｅｗ、Ｖ
ｏｌ．３０，ｐｐ．３２２−３３４の「ＤｏｕｂｌｅＩ
ｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅ
ｎｃｅ ｉｎ Ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ」；Ｄｒｅｓｎｅ
ｒによる１９７３年１月９日発行のアメリカ特許第３７
１０１６７号である。有機放射材料は共役有機ホスト材
料と縮合されたベンゼン環を有する共役有機活性剤とか
ら形成される。ナフタレン、アントラセン、フェナンス
レン、ピレン、ベンゾピレン、クリセン（chrysen)、ピ
セン（picene) 、カルバゾール、フルオレン、ビフェニ
ール、テルフェイル（terpheyls)、クオルテルフェニ
ル、酸化トリフェニレン、ジハロビフェニール、トラン
スースチルベン、１，４ージフェニルブタジエンが有機
ホスト材料の例として提供されてきた。アントラセン、
テトラセン、ペンタセンが活性剤の例として挙げられて
きた。有機放射材料は１ｍｍ以上の厚さを有する単層と
して現れた。

【０００４】有機ＥＬデバイス構成の技術での最も最近
の発見は一方がホールを注入し、移動するために特に選
択され、他方は電子を注入し、移動するために特に選択
され、デバイスの有機ルミネセンス帯としてまた動作す
る陽極と陰極に分離した極度に薄い２つの層（結合され
た厚さで＜１．０μｍ）からなる有機ルミネセンス媒体
で構成されるＥＬデバイスから結果として得られた。極
度に薄い有機ルミネセンス媒体は電気的バイアスの所定
のレベルに対する最大電流密度を許容する減少された抵
抗を提供する。光放射は有機ルミネセンス媒体を通過す
る電流密度に直接関係する故に増加された電荷注入及び
移動効率に結合された薄層は許容しうる光放射レベル
（例えば環境光内で視覚的に検出されうる輝度レベル）
を電界効果トランジスタのような集積回路デバイスで代
替可能な範囲の低い印加電圧で達成されるようにする。

【０００５】例えばＴａｎｇによるアメリカ特許第４３
５６４２９号にポルフィリン化合物を含むホール注入及
び移動層とデバイスのルミネセンス帯としてまた動作す
る電子注入及び移動層とからなる有機ルミネセンス媒体
から形成されるＥＬデバイスが開示されている。このよ
うな有機ＥＬデバイスでの更なる改善はＶａｎＳｌｙｋ
ｅ等によるアメリカ国特許第４５３９５０７号により開
示される。ＶａｎＳｌｙｋｅ等はホール注入及び移動Ｔ
ａｎｇのポルフィリン化合物を芳香第三アミン層に置き
換えることにより光励起での劇的な改善が実現された。

【０００６】有機ＥＬデバイスは種々の陰極材料により
構成されてきた。早期の実験ではアルカリ金属が用いら
れた。何故ならばそれらは最低の仕事関数の金属である
からである。Ｔａｎｇ等のアメリカ国特許第４８８５２
１１号は少なくとも一つが４ｅＶ以下の仕事関数を有す
るアルカリ金属以外の複数の金属から形成される陰極か
らなるＥＬデバイスを開示する。

【０００７】Ｖａｎ Ｓｌｙｋｅ等によるアメリカ特許
第４７２０４３２号は改善された多層有機媒体を用いた
エレクトロルミネセンスデバイスが開示されている。カ
ラー、安定性、効率、製造方法のような有機ＥＬデバイ
スでの更なる改善は米国特許第５１５１６２９；５１５
０００６；５１４１６７１；５０７３４４６；５０６１
５６９；５０５９８６２；５０４７６８７；４９５０９
５０；４７６９２９２；５１０４７４０；５２２７２５
２；５２５６９４５；５０６９９７５；５１２２７１１
号に記載される。

【０００８】特にＴａｎｇ等の米国特許第４７６９２９
２号はホスト材料と少量のドーパント分子からなる有機
エミッタ層を用いることにより一般に改善される。好ま
しいホスト材料は例えばＡｌｑとして一般にまた知られ
ているトリス（８ーヒドロオキシキノリノール）アルミ
ニウムである８−ヒドロオキシキノリンのアルミニウム
錯体である。ドーパント分子は高い蛍光分子の幾つかの
クラスから選択される。好ましい例はクマリン、ローダ
ミンである。以下に示すようにＴａｎｇ等及びＭｕｒａ
ｙａｍａ等の教示により式（Ｉ）の例えばキナクリドン
顔料のような有機ＥＬデバイスでのドーパントとして有
用な分子の他のクラスは米国特許第５２２７２５２号に
開示される：

【０００９】

【化３】

【００１０】ここでＲ₁ ，Ｒ₂ はそれぞれキナクリドン
化合物の水素、メチル基又は塩素又は脱水（素）の形で
ある。Ａｌｑがホスト材料として用いられるときに緑の
放射をなす高い効率の有機ＥＬデバイスが開示されてい
る。しかしながら式（Ｉ）で記述されるようなキナクリ
ドンの有用さはＥＬ動作でのキナクリドンの不安定さ故
に制限される。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は改善さ
れた効率と動作安定性を有する有機ＥＬデバイスを提供
することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】この目的は陽極と陰極
と、該陽極と陰極との間に配置された有機ＥＬ素子とか
らなる有機ＥＬデバイスであって；有機ＥＬ素子は２つ
以上の材料の混合物を含む少なくとも一つの蛍光放射層
からなり；その混合物は化学式：

【００１３】

【化４】

【００１４】の化合物を含み、ここでＲ₃ ，Ｒ₄ はそれ
ぞれアルキル、アルコキシル、置換されたアルキル、ア
リール、縮合アリールハロゲン化物であり；Ｒ₅ ，Ｒ₆
はそれぞれアルキル、アルコキシル、置換されたアルキ
ル、アリール、又は置換されたアリールであり；ｎ＝
０，１，２，又は３であることを特徴とする有機ＥＬデ
バイスにより達成される。

【００１５】本発明により、化学式（Ｉ）に記載された
キナクリドンの有用性はＥＬ動作でのキナクリドン分子
の不安定さ故に制限されることがわかった。特に分子構
造でのＮ−Ｈ及びＣ＝Ｏ結合の存在は隣接するキナクリ
ドン分子間の水素結合の構成を引き起こす。その様な２
量体分子の形成は動作中にＥＬ効率を徐々に劣化する。
何故ならば２量体分子は一般に蛍光がなく、故にＥＬ励
起エネルギーの散逸の新たな非放射路を形成するからで
ある。斯くして増強された効率と安定性を有する有機Ｅ
Ｌデバイスを提供するアクリドン構造の変形例を作る強
い要求が存在する。

【００１６】

【発明の実施の形態】図と組み合わせて以下の詳細な説
明を参照することにより、本発明のこれらのそして他の
利点はよりよく理解されよう。本発明によるエレクトロ
ルミネセンス又はＥＬデバイス１００を図１に概略的に
示す。陽極１０２は図示された３つの重ね合わされた層
からなる有機ルミネセンス媒体１０６により陰極１０４
から分離される。陽極上に配置された層１０８は有機ル
ミネセンス媒体のホール注入帯を形成する。ホール注入
層上に配置された層１１０は有機ルミネセンス媒体のホ
ール移動帯を形成する。ホール移動層と陰極との間に介
入される層１１２は有機ルミネセンス媒体の電子注入及
び移動帯を形成する。陽極及び陰極はそれぞれ導電体１
１６、１１８により外部ＡＣ又はＤＣ電源１１４に接続
される。電源はパルス又は連続波（ＣＷ）である。

【００１７】ＥＬデバイスは陽極が陰極より高い電位で
あるときに順バイアスされたダイオードとして見ること
ができる。これらの条件下ではホール（正の電荷担体）
の注入は１２０で示されるようにより低い有機層内で生
じる一方で電子は１２２で示されるようにルミネセンス
媒体内のより高い有機層内に注入される。注入されたホ
ール及び電子はそれぞれ矢印１２４、１２６により示さ
れるように反対に帯電された電極に向かって移動する。
これはホール−電子再結合を生じる。移動する電子がホ
ールを満たすようにそれの導電性電位から原子価バンド
へ落下するときにエネルギーは光として放出される。こ
の故に有機ルミネセンス媒体は電極間で各電極から運ば
れる可動電荷を受けるルミネセンス帯を形成する。交互
の構成の選択に依存して放出された光は陽極を介して、
陰極を介して、又はそれらの組み合わせを介して電極を
分離する有機ルミネセンス媒体の１以上の端１２８を介
して有機ルミネセンス材料から放射されうる。

【００１８】有機ルミネセンス媒体は非常に薄いのでそ
れは通常２つの電極の１つを介して光を放射することが
好ましい。これは有機ルミネセンス媒体又は別の半透明
又は透明媒体上の又は別の半透明又は透明支持体上の半
透明又は透明コーティングとして電極を形成することに
より達成される。コーティングの厚さは光透過（又は減
衰）と電気導電性（又は抵抗）とのバランスにより決め
られる。

【００１９】図２に示される有機ＥＬデバイス２００は
本発明の好ましい実施例の一つである。有機ＥＬデバイ
スの歴史的な開発の故にそれは習慣的に透明の陽極を用
いている。これはそれの上に陽極２０４を形成するため
に導電性の光透過性の比較的高い仕事関数の金属又は金
属酸化物層を堆積された透明な絶縁支持体２０２を設け
ることにより達成される。有機ルミネセンス媒体２０６
と、それ故にそれの層２０８、２１０、２１２は媒体１
０６とそれの層１０８、１１０、１１２にそれぞれ対応
し、更なる説明は不用である。以下に説明する材料の好
ましい選択で有機ルミネセンス媒体を形成すると層２１
２はルミネセンスがその中で発生する帯である。陰極２
１４は有機ルミネセンス媒体の上層上に堆積により容易
に形成される。

【００２０】図３に示されている有機ＥＬデバイス３０
０は本発明の他の好ましい実施例である。斯くしてガラ
ス支持体３０２上に設けられた陽極３０４と陰極３１６
との間に挟まれた多層の有機薄膜３０６からなる有機Ｅ
Ｌデバイスが示される。陽極３０４上ではホール注入層
３１２が設けられそれに、ホール移動層３１０、ドープ
された蛍光層３１２、電子移動層３１４が続く。ドープ
された蛍光層３１２はＥＬデバイスのスペクトル特性を
主に担う。

【００２１】本発明の実施では蛍光帯は常にホール及び
電子の注入を維持しうる有機ホスト材料と、ホール／電
子再結合に応答して光を放出しうる蛍光材料とからなる
薄膜（ここでは厚さが１ミクロン以下を意味するために
用いられる）により形成される。蛍光帯は５０から５０
００オングストローム、好ましくは１００から１０００
オングストロームの範囲の厚さを維持し、それにより有
機蛍光媒体全体は厚さが１ミクロン以下、好ましくは１
０００オングストローム以下にしうることが好ましい。

【００２２】ホスト材料は有機ＥＬデバイスの薄膜蛍光
帯の反応性成分として従来用いられてきた。薄膜を形成
するのに用いるのに適切なホスト材料の中にはＴａｎｇ
による上記米国特許第４３５６４２９号に記載されるよ
うなジアリールブタジエンとスチルベンがある。本発明
のＥＬデバイスの有機蛍光媒体は２つの別の有機層を含
み、１つの層はデバイスの電子注入及び移動帯を形成
し、１つの層はホール注入及び移動帯を形成する。前者
はまた電子／ホール再結合をなし、故にＥＬ放射層であ
る。

【００２３】本発明のＥＬデバイスの他の好ましい実施
例は最低限３つの別の有機層を含み、少なくとも１つの
層はデバイスの電子注入及び移動帯を形成し、一つの層
は蛍光放出層を形成し、少なくとも１つの層はホール注
入及び移動帯を形成し、ここでは電子／ホール再結合、
故にＥＬ放射が好ましくは蛍光放出層でなされる。ポル
フィリン化合物を含む層は有機ＥＬデバイスのホール注
入帯を形成する。ポルフィリン化合物は自然の又は合成
されたいかなる化合物でも良く、これはポルフィリンそ
れ自体を含むポルフィリン構造から得られ、又はそれを
含む。Ａｄｌｅｒによる米国特許第３９３５０３１号又
はＴａｎｇによる米国特許第４３５６４２９号により開
示されたポルフィリン化合物の全てをここに参考として
引用する。

【００２４】好ましいポルフィリン化合物は以下のよう
な構造式である（ＩＩＩ）；

【００２５】

【化５】

【００２６】ここでＱは−Ｎ＝又は−Ｃ（Ｒ）＝；Ｍは
金属、金属酸化物又は金属ハロゲン化物；Ｒは水素、ア
ルキル、アラルキル（aralkyl)、アリール、又はアルカ
リル ；Ｔ１及びＴ２は水素又は不飽和化６員環
を共に完成するものを表し、これはアルキル又はハロゲ
ンのような代替物を含みうる。好ましくは６員環は炭
素、硫黄、窒素環原子で形成される。好ましくはアルキ
ル部分は１から６の炭素原子を含み、一方でフェニルは
好ましくはアリール部分である。

【００２７】代替的な好ましい形ではポルフィリン化合
物は構造式（Ｉ）のようなものと２つの水素の代わりに
金属原子が置換することにより異なり、式（ＩＶ）によ
り示される；

【００２８】

【化６】

【００２９】有用なポルフィリン化合物のより好ましい
例は金属遊離フタロシアニン及び金属含有フタロシアニ
ンである。一般的なポルフィリン化合物及び特にフタロ
シアニンはどのような金属も含みうる一方で金属は好ま
しくは２以上の正の原子価を有する。好ましい金属の例
はコバルト、マグネシウム、亜鉛、パラジウム、ニッケ
ル、及び特に銅、鉛、プラチナである。

【００３０】有用なポルフィリン化合物の例は以下の通
りである； プロフィン（prophine) １，１０，１５，２０−テトラフェニルー２１Ｈ，２３
Ｈ−ポルフィリン銅（ＩＩ） １，１０，１５，２０−テトラフェイルー２１Ｈ，２３
Ｈ−ポルフィリン亜鉛（ＩＩ） 銅フタロシアニン クロムフタロシアニンフッ化物 有機ＥＬデバイスのホール移動層は少なくとも一つのホ
ール移動芳香族第三アミンを含み、ここで後者は炭素原
子にのみ結合され、それらの少なくとも一つは芳香族環
のメンバーである少なくとも１つの３価の窒素原子を含
む化合物であると理解される。一つの形では芳香族第三
アミンはモナリルアミン、ジアリールアミン、トリアリ
ールアミン、又は重合したアリールアミンのようなアリ
ールアミンであり得る。モノマーのトリアリールアミン
の例はＫｌｕｐｆｅｌ等のアメリカ国特許第３１８０７
３０号に示されている。ビニル又はビニルラジカルで置
換された及び／又は少なくとも一つの活性水素含有基を
含む他の適切なトリアリールアミンはＢｒａｎｔｌｅｙ
等によるアメリカ国特許第３５６７４５０号及び第３６
５８５２０号に開示されている。

【００３１】好ましい芳香族第三アミンの他のクラスは
少なくとも二つの芳香族第三アミン部分を含むそれらで
ある。そのような化合物は構造式（Ｖ）により表される
それらを含む。

【００３２】

【化７】

【００３３】ここでＱ¹ 及びＱ² は独立に芳香族第三ア
ミン部分であり、Ｇは炭素対炭素の結合のアリーレン、
シクロアルキレン、又はアルキレン基のような連結基で
ある。構造式（Ｖ）を満足し、２つのトリアリールアミ
ンを含むトリアリールアミンの特に好ましいクラスは構
造式（ＶＩ）をみたすものである：

【００３４】

【化８】

【００３５】ここでＲ¹ 及びＲ² はそれぞれ独立に水素
原子、アリール基、又はアルキル基を表し、又はＲ¹ 及
びＲ² は共にシクロアルキル基と、それぞれが独立に構
造式（ＶＩＩ）により示されるようなジアリールで置換
されたアミノ基で置換されるアリール基を表すＲ³ 及び
Ｒ⁴ を完成する原子を表す：

【００３６】

【化９】

【００３７】ここでＲ⁵ 、Ｒ⁶ は独立して選択されたア
リール基である。他の好ましい芳香族第三アミンの好ま
しいクラスはテトラアリールジアミンである。好ましい
テトラアリールジアミンはアリーレン基を介して連結さ
れた式（ＶＩＩＩ）により示されるような２つのジアリ
ールアミノ基を含む。

【００３８】

【化１０】

【００３９】ここでＡｒｅはアリーレン基であり、ｎは
１から４の整数であり、Ａｒ，Ｒ⁷ ，Ｒ⁸ ，Ｒ⁹ は独立
して選択されたアリール基である。上記構造式（Ｖ），
（ＶＩ）．（ＶＩＩＩ）の種々のアルキル、アルキレ
ン、アリール、アリーレン部分は今度はそれぞれ置換さ
れうる。典型的な置換はアルキル基、アルクオキシ基、
アリール基、アリールオキシ基、及びフッ素、塩素、臭
素のようなハロゲンを含む。種々のアルキル及びアルキ
レン部分は典型的には約１から６の炭素原子を含む。シ
クロアルキル部分は３から約１０の炭素原子を含みうる
が、例えばシクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘ
プチル環状構造のような典型的には５、６、又は７の環
状炭素原子を含みうる。アリール及びアリーレン部分は
好ましくはフェニル及びフェニレン部分である。

【００４０】有用なホール移動化合物の例は以下の通り
である：

【００４１】

【化１１】

【００４２】本発明の実施では蛍光帯は常にホール及び
電子の注入を維持しうる有機ホスト材料と、ホール／電
子再結合に応答して光を放出しうる蛍光材料とからなる
薄膜（ここでは厚さが１ミクロン以下を意味するために
用いられる）により形成される。蛍光帯は５０から５０
００オングストローム、好ましくは１００から１０００
オングストロームの範囲の厚さを維持し、それにより有
機蛍光媒体全体は厚さが１ミクロン以下、好ましくは１
０００オングストローム以下にしうることが好ましい。

【００４３】ホスト材料は有機ＥＬデバイスの薄膜蛍光
帯の反応性成分として従来用いられてきた。薄膜を形成
するのに用いるのに適切なホスト材料の中にはＴａｎｇ
による上記米国特許第４３５６４２９号に記載されるよ
うなジアリールブタジエンとスチルベンがある。用いら
れ得るホスト材料を形成する他の薄膜は特に上記Ｖａｎ
Ｓｌｙｋｅ等による米国特許第４５３９５０７号に開示
されるような光学的増白剤であり、ここに参考として引
用する。有用な光学的増白剤は以下のような構造式を満
足するものを含む：

【００４４】

【化１２】

【００４５】ここで：Ｄ¹ ，Ｄ² ，Ｄ³ ，Ｄ⁴ はそれぞ
れ水素；例えばプロピル、ｔ−ブチル、ヘプチル、のよ
うな１から１０の炭素原子の飽和脂肪族；例えばフェニ
ル、ナフチルのような６から１０の炭素原子のアリー
ル；又は塩化、フッ化、のようなハロゲン置換基；又は
Ｄ¹ ，Ｄ² ，Ｄ³ ，Ｄ⁴ は共にメチル、エチル、プロピ
ルのような１から１０の炭素原子の飽和脂肪族の少なく
とも一つを選択的に負担する縮合芳香環を完成するため
に必要な原子からなる；Ｄ⁵ はメチル、エチル、ｎ−エ
イコシルのような１から２０の炭素原子の飽和脂肪族；
フェニル、ナフチルのような６から１０の炭素原子のア
リール；カルボキシル；水素；シアノ；又は塩化、フッ
化のようなハロゲン置換基；であり、式（ＩＩ）で与え
られ、少なくとも２つのＤ³ ，Ｄ⁴ ，Ｄ⁵ が例えばプロ
ピル、ブチル、ヘプチルのような３から１０の炭素原子
の飽和脂肪族である；Ｚは−Ｏ−，−Ｎ（Ｄ⁶ ）−，又
は−Ｓ−；Ｙは

【００４６】

【化１３】

【００４７】ここで：ｍは０から４の整数；ｎはフェニ
レン、ナフチレンのような６から１０の炭素原子のアリ
ーレン；Ｄ⁶ は水素；アルキル置換基のような１から１
０の炭素原子の飽和脂肪族置換基；フェニル又はナフチ
ルのような６から１０のアリール；Ｄ⁷ はフェニル又は
ナフチルのような６から１０のアリーレン；Ｚ’，Ｚ”
はそれぞれＮ又はＣＨである。

【００４８】ここで用いられるように「脂肪族」は置換
されていない脂肪族と同様に置換された脂肪族も含む。
置換された脂肪族の場合の置換基はメチル、エチル、プ
ロピルのような１から１０の炭素原子のアルキル；フェ
ニル、ナフチルのような６から１０の炭素原子のアリー
ル；塩化、フッ化のようなハロゲン置換基；ニトロ；メ
トキシ、エトキシ、プロポキシのような１から５の炭素
原子のアルコキシである。

【００４９】更に他の有用と考えられる光学的増白剤は
Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｄｙ
ｅｓ、１９７１のＶｏｌ．５，６１８−６３７，６４０
頁に掲載されている。まだ薄膜形成されていないこれら
のものは１つ又は両方の端の環に脂肪族を付加すること
によりその様にされうる。本発明の有機ＥＬデバイスの
蛍光帯を形成する特に好ましいホスト材料はオキシンの
キレートを含む金属キレートオキノイド化合物（一般に
８−キノリノール又は８−ヒドロオキシキノリンと呼ば
れる）である。その様な化合物は両方の高レベルの性能
を示し、薄膜の形ですでに製造されている。

【００５０】薄膜を形成するために用いられ得る金属化
されたオキシンを含む有用なホスト材料の例は以下の通
りである： アルミニウムトリスオキシン［ａ．ｋ．ａ．ビス（８−
キノリノール）アルミニウム］ マグネシウムビスオキシン［ａ．ｋ．ａ．ビス（８−キ
ノリノール）マグネシウム］ ビス［ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノール］亜鉛 ビス（２−メチル−８−キノリノレート）アルミニウム インジウムトリスオキシン［ａ．ｋ．ａ．トリス（８−
キノリノール）インジウム］ アルミニウムトリス（５−メチルオキシン）［ａ．ｋ．
ａ．トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニ
ウム］ リチウムオキシン［ａ．ｋ．ａ．８−キノリノール リ
チウム］ ガリウムトリス（５クロロオキシン）［ａ．ｋ．ａ．ト
リス（５ークロロ−８−キノリノール）ガリウム］ カルシウムビス（５クロロオキシン）［ａ．ｋ．ａ．ト
リス（５ークロロ−８−キノリノール）カルシウム］ ポリ［亜鉛（ＩＩ）−ビス（８ーハイドロオキシ−５−
キノリニル）メテン］ ジリチウムエピンドリジオン（epindolidione) １、４−ジフェニルブタジエン １、１、４、４−テトラフェニルブタジエン ４，４’−ビス［５，７−ジ（ｔ−ペンティル−２−ベ
ンゾクサゾリル］スチルベン ２，５−ビス［５，７−ジ（ｔ−ペンティル−２−ベン
ゾクサゾリル］チオフェン ２，２’−（１，４−フェニレンジビニレン）ビスベン
ゾチアゾル ４，４’−（２，２’−ビスチアゾリル）ビフェニール ２，５−ビス［５−（α，α−ジメチルベンジル）−２
−ベンゾクサゾリル］チオフェン ２，５−ビス［５，７−ジ（ｔ−ペンティル）−２−ベ
ンゾクサゾリル］３，４−ジフェニルチオフェン トランス−スチルベン 上記のホスト材料の全てはホールと電子注入に応答して
光を放射することが知られている。ホスト材料とホール
電子再結合に応答して光を放出する能力のある少量の蛍
光材料を混合することにより蛍光帯から放出された色の
付いた光は変化されうる。理論的にはホスト材料と蛍光
材料がホール電子再結合に対する正確に同じ親和性を有
する混合である場合に各材料は蛍光帯へのホールと電子
の注入で光を放出するはずである。光放出の知覚される
色は両方の放出の視覚的な統合である。

【００５１】ホストと蛍光材料にその様なバランスを付
与することは非常に制限される故にそれが光放出に対し
て好ましいサイトを提供するように蛍光材料を選択する
ことが好ましい。光放出に好ましいサイトを提供する蛍
光材料の少ない比率のみが存在するときにホスト材料の
典型的な放出波長のピーク強度は蛍光材料の属性である
新たな放出波長のピーク強度で好ましくは完全に除去さ
れうる。この効果を達成するために必要な蛍光物質の最
小の比率はホストと蛍光材料の特定の選択により変化す
る一方でホスト材料のモルを基準として約１０モルパー
セント以上の蛍光材料が必要とされる例はなく、蛍光材
料の１モルパーセント以上を必要とすることも希であ
る。他方で蛍光材料のない場合に光を放出しうるどのよ
うなホスト材料でもホスト材料を基にして蛍光材料の存
在を非常に少量、典型的には１０ー３モルパーセント以
下に限定することはホスト材料の波長特性での放出を得
る結果となる。このようにして光放出に対する好ましい
サイトを提供しうる蛍光材料の比率を選択することによ
り、放出波長の完全な又は部分的なシフトが実現する。
これにより本発明のＥＬデバイスのスペクトル放射は提
供する応用に適合するよう選択され、均衡化される。

【００５２】光放出用の好ましいサイトを提供しうる蛍
光材料を選択することは蛍光材料の特性をホスト材料の
それに関係づけるようにする必要がある。ホスト材料は
光放出の分子サイトを提供する蛍光材料と共に注入され
たホールと電子に対してコレクタとして観察される。ホ
スト材料が存在するときに光放出の色を変えうる蛍光材
料を選択する重要な関係の一つは２つの材料の還元電位
の比較である。光放出の波長シフトを示す蛍光材料はホ
スト材料より少ない負の還元電位を示す。電子ボルトで
測定された還元電位はそれらの測定の種々の技術に沿っ
て文献に幅広く報告されてきた。それは所望の絶対値よ
りもむしろ還元電位の比較である故に還元電位の測定用
の受容される技術のいずれも用いられ、蛍光及びホスト
材料の両方の還元電位が同様に測定される。好ましい酸
化、還元電位測定技術はＲ．Ｊ．Ｃｏｘ，Ｐｈｏｔｏｇ
ｙａｐｈｉｃ Ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ、Ａｃａｄｅｍ
ｉｃ Ｐｒｅｓｓ、１９７３年Ｃｈａｐｔｅｒ１５に記
載される。

【００５３】ホスト材料の存在するときに光放出の色を
変えられる蛍光材料を選択する第二の重要な関係は２つ
の材料のバンドギャップ電位の比較をすることである。
光放出の波長のシフトを示す蛍光材料はホスト材料のバ
ンドギャップ電位より低いバンドギャップ電位を示す。
分子のバンドギャップ電位はその基底状態と第一の一重
項（ｓｉｎｇｌｅ）状態とを分ける電子ボルト（ｅＶ）
の電位差として考えられる。バンドギャップ電位とその
測定技術は文献に幅広く記載される。ここで述べるバン
ドギャップ電位は吸収ピークに対して深色である吸収波
長での電子ボルト（ｅＶ）で測定されたものである。そ
れは所望の絶対値よりもむしろバンドギャップ電位の比
較である故にバンドギャップ測定のどのような受容され
た技術も蛍光とホスト材料の両方に提供され、同様に測
定され、用いられ得る。測定技術の一例はＦ．Ｇｕｔｍ
ａｎ，Ｌ．Ｅ．Ｌｙｏｎｓによる「Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓ
ｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ，Ｗｉｌｅｙ，１９６７年
Ｃｈａｐｔｅｒ５に記載されている。

【００５４】ホスト材料が蛍光材料の不在でそれ自体が
光を放出し得るように選択される場合にはホストと蛍光
材料のスペクトル結合が達成されるときにホスト材料の
みの放出特性の波長での光放出の抑制及び蛍光材料の波
長特性での放出の増強が発生することが観察された。ス
ペクトル結合によりホスト材料のみの放出特性の波長と
ホスト材料の不在での蛍光材料の光吸収との間にオーバ
ラップが存在することが分る。ホスト材料のみの最大放
出が実質的に蛍光材料のみの最大吸収の±２５ｎｍに適
合するときに最大スペクトル結合が生ずる。実際には好
ましいスペクトル結合はピークの幅とその浅色及び深色
の傾斜に依存して１００ｎｍ以上にわたって異なるピー
ク放射、吸収波長が発生しうる。ホストと蛍光材料との
間の最適スペクトル結合より少なくしようとする場合に
は蛍光材料の浅色変位に比較して深色はより効果的な結
果をもたらす。

【００５５】前記の検討がホールと電子の注入に応答し
て光を発生することがそれ自体知られているホスト材料
を参照してなされたがホスト材料それ自体による光放出
が蛍光材料による光放出が上記の種々の関係のいずれの
一つ又はその組合せによりよい結果をもたらす場合に全
体的に停止する。蛍光材料に対する光放出の役割をシフ
トすることはホスト材料の選択のより広い範囲をなお許
容する。例えば光放出のために選択された材料の基本的
な要求の一つはそれは内部吸収を回避するよう放出され
た波長の光に対して低い減衰係数を示さなければならな
いことである。本発明はホールと電子の注入を維持しう
るホスト材料の使用を許容するが、それ自体効率よく光
を放出し得ない。

【００５６】有用な蛍光材料はホスト材料と混合され
え、本発明のＥＬデバイスの蛍光体を形成する上記の範
囲の厚さを満たす薄膜内に製造されうる。蛍光材料が薄
膜形成に向いている必要はない一方でこれらの蛍光材料
のホスト材料内の限定された量はそれのみでは薄膜を形
成することができないこれらの蛍光材料を用いることを
許容する。好ましい蛍光材料はホスト材料と共通のフェ
ーズを形成することである。ホスト材料内に蛍光材料を
分散する従来技術のいずれもがなされうるが好ましい蛍
光材料はホスト材料に沿って真空蒸着される。

【００５７】本発明で開示されたキナクリドン化合物は
熱安定性と光への耐久性故に塗料、繊維、自動車産業で
安定な色素として広く用いられる顔料のクラスに属す
る。これらの使用、特性、調整方法のより詳細な記述は
Ｐｅｔｅｒ Ａ． Ｌｅｗｉｓにより編集されたＰｉｇ
ｍｅｎｔ Ｈａｎｄｂｏｏｋ Ｖｏｌｕｍｅ １ ６０
１頁 Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓに記載されてい
る。ＥＬデバイスでのキナクリドン化合物の使用は以前
に米国特許第５２２７２５２号に記載されている。キナ
クリドン化合物が真空蒸着によりＡｌｑのようなホスト
ＥＬ材料内に分散されるときに得られる混合物の蛍光効
率はホストＡｌｑ化合物のみより顕著に高いことが見い
だされていた。それに対応して混合物のＥＬ効率は非常
に向上する。上記の特許で開示されたキナクリドン材料
は構造式（Ｉ）の化合物を特に参照していることに注意
が必要である：

【００５８】

【化１４】

【００５９】ここでＲ₁ ，Ｒ₂ はそれぞれキナクリドン
化合物の水素、メチル基又は塩素又は脱水（素）の形で
ある。キナクリドンは色素の用途に対して高度に安定で
あることが知られており、改善された効率でＥＬ用途で
有用であり、キナクリドンが後者の用途で動作安定性も
同様に有することは自明ではない。特に分子式（Ｉ）の
キナクリドンがカルボニル又は他の基を処理する隣接分
子と不安定な水素結合を形成することを許容するＮ−Ｈ
部分を有するものである。その様な分子間配位はＥＬ動
作に対して不安定な隣接するキナクリドン分子間の２量
体又は励起された状態の２量体を形成する。

【００６０】斯くしてキナクリドン構造の変更がＥＬ動
作に対して改善された効率及び安定性の両方を提供する
ために必要であることが予想される。本発明は分子式
（ＩＩ）の置換されたキナクリドン構造を開示する：

【００６１】

【化１５】

【００６２】ここでＲ₃ ，Ｒ₄ はそれぞれアルキル、ア
ルコキシル、アリール、縮合アリール又はハロゲンであ
り、Ｒ₅ ，Ｒ₆ はそれぞれアルキル、アルコキシル、ア
リール、又は置換されたアリールであり；ｎ＝０，１，
２，又は３である。置換されたＲ₅ ，Ｒ₆ はこのキナク
リドン構造での水素結合及びそのＥＬ動作上の劣化の影
響の可能性を阻止するよう特に設計される。また発色団
を延長（ｎ＝２又は３）又は短縮（ｎ＝０）することに
よりこれらの置換されたキナクリドン化合物は異なる波
長の光を放出するＥＬデバイス用の蛍光材料として有用
であることが期待される。

【００６３】本発明の有機ＥＬの電子注入及び移動層を
形成するのに用いられる好ましい薄膜形成材料はオキシ
ン（一般に８−キノリノール又は８−ヒドロオキシキノ
リンとまた称される）それ自体のキレートを含む金属キ
レートオキシノイド化合物である。そのような化合物は
両方の高レベルの性能を示し、既に薄膜の形で製造され
ている。企画されているオキシノイド化合物の例はこれ
らの満足する構造式である（ＩＸ）。

【００６４】

【化１６】

【００６５】ここでＭｅは金属を表し；ｎは１から３の
整数であり、Ｚは各出現に独立に少なくとも２つの融合
した芳香族環を有する核を完成する原子を表す。

【００６６】上記から金属は一価、二価、三価金属であ
り得ることは明白である。金属は例えばリチウム、ナト
リウム又はカリウムのようなアルカリ金属、マグネシウ
ム、又は、カルシウムのようなアルカリ土類金属、又は
硼素、又はアルミニウムのような土類金属であり得る。
一般に有用なキレート金属として知られているどのよう
な一価、二価、又は三価の金属も用いられ得る。

【００６７】Ｚはそのうちの少なくとも一つがアゾール
又はアジンである少なくとも二つの融合された芳香族環
を含む異種環状核を完成する。脂肪族及び芳香族環の両
方を含む付加的な環は必要ならば２つの所望の環に融合
されうる。機能上の改善なしに分子のバルクを付加する
ことを回避するために環状原子の数は好ましくは１８以
下に維持される。

【００６８】有用なキレートされたオキシノイド化合物
は以下のようである： アルミニウムトリスオキシン［ａ．ｋ．ａ．ビス（８−
キノリノール）アルミニウム］ マグネシウムビスオキシン［ａ．ｋ．ａ．ビス（８−キ
ノリノール）マグネシウム］ インジウムトリスオキシン［ａ．ｋ．ａ．トリス（８−
キノリノール）インジウム］ リチウムオキシン［ａ．ｋ．ａ．８−キノリノール リ
チウム］ 本発明の有機ＥＬデバイスでは有機ルミネセンス媒体の
全体の厚さを１００００オングストローム以下に制限す
ることにより電極を横切る比較的低い電圧を用いる一方
で有効な光放射と両立する電流密度を維持することが可
能である。１ｍｍ以下の厚さで２０ボルトの印加された
電圧は２ｘ１０⁵ ボルト／ｃｍより大きな電界を生じ、
これは効果的な光放射と両立できる。印加された電圧の
更なる減少及び／又は電界及び故に電流密度の減少を許
容する有機ルミネセンス媒体の厚さの１００オングスト
ロームオーダーの強度減少は、デバイス構造の許容範囲
内に充分収まる。

【００６９】有機ルミネセンス媒体を形成するために好
ましい材料はそれぞれ薄いフィルムの形で製造可能であ
り、５０００オングストローム以下の厚さを有する連続
的な層として製造されうる。有機ルミネセンス媒体を形
成する好ましい方法は真空蒸着である。極度に薄い欠陥
のない連続な層はこ方法により形成される。特に５０オ
ングストローム程度の薄さのそれぞれの層は満足なＥＬ
デバイス性能をなお実現する一方で実現されうる。ホー
ル注入層として真空蒸着されたポルフィリン化合物を用
い、ホール移動層として芳香族第三アミン（これは今度
はトリアリールアミン層及びテトラアリールジアミン層
からなることが可能である）で形成されたフィルムを用
い、ホスト材料と蛍光化合物の混合からなる蛍光放射層
及び電子注入及び移動層としてキレートされたオキシノ
イド化合物を用いる場合には約５０から５０００オング
ストロームの範囲のそれぞれの層の厚さが計画され、１
００から２０００オングストロームの範囲の厚さの層が
好ましい。有機蛍光媒体の全体の厚さは少なくとも概略
１０００オングストロームであることが一般に好まし
い。

【００７０】有機ＥＬデバイスの陽極及び陰極はそれぞ
れどのような便利な従来技術の形でもとりうる。それが
有機ＥＬデバイスから陽極を介して光を透過するよう意
図されるところでこれは例えば透明又は実質的に透明な
ガラス板又はプラスチックフィルムのような薄い導電性
層を光透過性基板上にコーティングすることにより便利
に達成されうる。本発明の一つの形では有機ＥＬデバイ
スはＧｕｒｎｅｅ等によるアメリカ国特許第３１７２８
６２号、Ｇｕｒｎｅｅのアメリカ国特許第３１７３０５
０号、Ｄｒｅｓｎｅｒの「Ｄｏｕｂｌｅ Ｉｎｊｅｃｔ
ｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ｉ
ｎ Ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ」，ＲＣＡＲｅｖｉｅｗ、Ｖ
ｏｌｕｍｅ３０，ｐａｇｅ３２２−３３４，１９６９及
びＤｒｅｓｎｅｒのアメリカ国特許第３７１０１６７号
に開示されているガラス板上にコートされた酸化錫又は
インジウム錫酸化物で形成された光透過性陽極を含む歴
史的な実践を追従することが可能である。

【００７１】本発明の有機ＥＬデバイスはこれまでこの
目的に有用だと教示されたどのような高い又は低い仕事
関数の金属を含むどのような金属で構成された陽極をも
用いうる。予期されない製造、性能、安定性の利点は低
い仕事関数の金属と少なくとも一つの他の金属との組み
合わせの陽極を形成することにより実現されてきた。更
なる開示についてはＴａｎｇ及びＶａｎ Ｓｌｙｋｅの
アメリカ国特許第４８８５２１１号を参照し、この開示
はここに参考として引用する。

【００７２】

【実施例】本発明及びその利点は以下の特定の例により
更に示される。合成： 例１−Ｎ，Ｎ’−ジメチルキナクリドンの合成 キナクリドン（３１．２ｇ，０．１ｍｏｌ）の乾燥テト
ラヒドロフラン（ＴＨＦ）５００ｍＬ内の懸濁液に８０
％の水素化ナトリウム（２０．０ｇ，０．６７ｍｏｌ）
を窒素下でゆっくり加えた。混合物は２時間の間還流す
るために加熱され、それから沃化メチル１００ｍＬが加
えられた。反応混合物は一夜の間還流するために加熱さ
れ続けた。沃化メチルの過剰分を蒸留で除去した後にメ
タノール（３００ｍＬ）が反応混合物にゆっくり加えら
れた。生成された赤い沈殿はフィルターされメタノール
で洗浄された。乾燥後に粗製のＮ，Ｎ’−ジメチルキナ
クリドン（３３．０ｇ）が９７％の収率で得られた。純
粋なＮ，Ｎ’−ジメチルキナクリドン（セルの製造に直
接用いうる）は２８５゜Ｃ２Ｔｏｒｒで昇華により得ら
れた。

【００７３】同様の手順を用いて以下のアクリドン化合
物，

【００７４】

【化１７】

【００７５】がよい収率で得られた。ＥＬデバイス製造及び性能： 例２−製造手順 本発明の要求を満たすＥＬデバイスは以下の方法で製造
された。デバイス構造は４つの有機層堆積を有し、即ち
ホール注入層、ホール移動層、蛍光放出層、電子移動層
である。

【００７６】ａ） インジウム錫酸化物をコーティング
されたガラス基板は順に市販の界面活性剤中で超音波を
かけられ、脱イオン化水中ですすがれ、トルエン蒸気中
で脱脂され、紫外線光及びオゾンに数分間曝される。 ｂ） 次に銅フタロシアニンのホール注入層（１５０オ
ングストローム）はタンタルの舟形容器から蒸着により
ＩＴＯをコーティングされた基板の上面上に堆積され
る。

【００７７】ｃ） 銅フタロシアニン層の上にまたタン
タルの舟形容器から蒸着によりＮ，Ｎ’−ビス−（１−
ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンのホール
移動層を堆積する。 ｄ） 次にキナクリドン化合物でドープされたＡｌｑ
（４００オングストローム）の蛍光放出層はホール移動
層上に堆積される。この混合された層は別のタンタルの
舟形容器から２つの材料の共蒸着により調製される。速
度は独立に制御された。Ａｌｑの典型的な速度は秒当た
り５オングストロームであり、キナクリドンの速度は所
望の濃度により調整される。

【００７８】ｅ） Ａｌｑの電子移動層（４００オング
ストローム）は蛍光放出層上に堆積される。 ｆ） Ａｌｑ層の上にＭｇとＡｇの１０：１の原子比率
で形成された２０００の陽極が堆積される。 上記の過程によりＥＬデバイスの堆積が完成された。次
にデバイスは周囲の環境に対して保護するために乾燥し
たグローブボックス内で密封梱包される。例３−Ｎ，ＮジメチルキナクリドンをドープしたＡｌｑ
蛍光放出層を有するＥＬデバイス ＥＬデバイスは例２の過程により製造された。蛍光放出
層はＮ，Ｎ’ジメチルキナクリドンを種々の濃度でドー
プしたＡｌｑである。表１はアンペア当たりのカンデラ
の単位で測定された蛍光量子効率と、ＣＩＥ座標と、２
０ｍＡ／ｃｍ＾２の一定のバイアス電流下での蛍光出力
とを示す。

【００７９】

【表１】

【００８０】例４−Ｎ，Ｎジメチルキナクリドンをドー
プしたＡｌｑ蛍光放出層を有するＥＬデバイスの動作安
定性 ＥＬでの動作安定性は２０ｍＡ／ｃｍ² の時間平均順バ
イアス電流密度のＡＣバイアス条件でテストされた。Ａ
Ｃ波形は方形であり、周波数は１ｋＨｚであった。順バ
イアスサイクルでは一定の電流がデバイスに印加され、
逆サイクルでは一定の電圧は１４ボルトであった。

【００８１】表２は例２のＥＬデバイスの組の安定性性
能をまとめた。表は種々の期間でＥＬデバイスの相対的
蛍光レベルを示した。初期の回の絶対蛍光値は表１に示
される。

【００８２】

【表２】

【００８３】例５−置換しないキナクリドンをドープし
たＡｌｑ蛍光放出層を有するＥＬデバイス ＥＬデバイスは例２の過程により製造された。蛍光放出
層はキナクリドンを種々の濃度でドープしたＡｌｑであ
る。表３はアンペア当たりのカンデラの単位で測定され
た蛍光量子効率と、ＣＩＥ座標と、２０ｍＡ／ｃｍ² の
一定のバイアス電流下での蛍光出力とを示す。

【００８４】

【表３】

【００８５】例６−置換しないキナクリドンをドープし
たＡｌｑ蛍光放出層を有するＥＬデバイスの動作安定性 ＥＬでの動作安定性は２０ｍＡ／ｃｍ² の時間平均順バ
イアス電流密度のＡＣバイアス条件でテストされた。Ａ
Ｃ波形は方形であり、周波数は１ｋＨｚであった。順バ
イアスサイクルでは一定の電流がデバイスに印加され、
逆サイクルでは一定の電圧は１４ボルトであった。

【００８６】表４は例５のＥＬデバイスの組の安定性性
能をまとめた。表は種々の期間でＥＬデバイスの相対的
蛍光レベルを示した。初期の回の絶対蛍光値は表３に示
される。

【００８７】

【表４】

【００８８】例４と６のＮ，Ｎ’ジメチルキナクリドン
と置換しないキナクリドンの安定性データを比較する
と、Ｎ，Ｎ’ジメチルキナクリドンをドープしたＡｌｑ
蛍光放出層を有するＥＬデバイスが優れていることは明
らかである。キナクリドンをドープされたデバイスのＥ
Ｌ蛍光減衰の速度はキナクリドンドーパント濃度と共に
急激に増加し、キナクリドン材料の本質的な不安定さを
示している。他方でＮ，Ｎジメチルキナクリドンをドー
プしたデバイスに対してはこの減衰速度はドーパント濃
度に比較的独立であり、実際には低濃度レベルで幾分減
少する。この安定性の挙動はＮ，Ｎ’−ジメチルキナク
リドンがＥＬデバイスに対して効率と安定性の向上をも
たらす優れたドーパントであること示している。

【００８９】本発明はその特定の好ましい実施例を特に
参照して詳細に説明されてきたが、改良及び変形は本発
明の精神と範囲内で有効である。

【００９０】

【発明の効果】本発明の利点は有機ＥＬデバイスは従来
用いられていた利点を有するキナクリドンを用いて、上
記の問題を克服することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に用いうるＥＬデバイスの概略図であ
る。

【図２】本発明に用いうるＥＬデバイスの概略図であ
る。

【図３】本発明に用いうるＥＬデバイスの概略図であ
る。

【符号の説明】

１００、２００、３００ ＥＬデバイス １０２、２０４、３０４ 陽極 １０４、２１４、３１６ 陰極 １０６、２０６、３０６ 有機蛍光媒体 １０８、１１０、１１２、２０８、２１０、２１２、３
０８、３１０、３１２中間層 １１４ 外部電源 １１６、１１８ 導電体 １２０ 下の有機層 １２２ 上の有機層 １２４ ホール １２６ 電子 １２８ 端 ２０２、３０２ 透明電極

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 陽極と陰極と、該陽極と陰極との間に配
   置された有機ＥＬ素子とからなる有機ＥＬデバイスであ
   って；該有機ＥＬ素子は２つ以上の材料の混合物を含む
   少なくとも一つの蛍光放射層を有し；その混合物は化学
   式： 【化１】 の化合物を含み、ここでＲ₃ ，Ｒ₄ はそれぞれアルキ
   ル、アルコキシル、置換されたアルキル、アリール、縮
   合アリールハロゲン化物であり；Ｒ₅ ，Ｒ₆ はそれぞれ
   アルキル、アルコキシル、置換されたアルキル、アリー
   ル、又は置換されたアリールであり；ｎ＝０，１，２，
   又は３であることを特徴とする有機ＥＬデバイス。
2. 【請求項２】 該混合物は化学式： 【化２】 の金属錯体を含み、ここでＭｅは金属を表し；ｎは１か
   ら３の整数であり；Ｚは各発生で独立に少なくとも２つ
   の縮合芳香環を有する核を完成する原子を表す請求項１
   記載の有機ＥＬデバイス。
3. 【請求項３】 Ｒ₅ ，Ｒ₆ はメチル、エチル、又はフェ
   ニルである請求項１記載の有機ＥＬデバイス。
4. 【請求項４】 Ｒ₃ ，Ｒ₄ は水素であり、Ｒ₅ ，Ｒ₆ は
   メチル又は第３級ブチルである請求項１記載の有機ＥＬ
   デバイス。