JPH02209988A - 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明の薄膜エレクトロルミネッセンス素子に関し、詳
しくは各種表示装置の発光体として用いられる薄膜エレ
クトロルミネッセンス素子に関する。

〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕エレク
トロルミネッセンス素子（以下ＥＬ素子という）は、自
己発光のため視認性が高く、また完全固体素子であるた
め耐衝撃性に優れるという特徴を有しており、現在、無
機、有機化合物を発光層に用いた様々なＥＬ素子が提案
され、実用化が試みられている。このうち、有機薄膜Ｅ
Ｌ素子は、印加電圧を大幅に低下させることができるた
め、各種材料が開発されつつある。

例えば、特開昭５９−１９４３９３号公報には２５Ｖ以
下の低電圧印加で高輝度を発現する有機薄膜ＥＬ素子が
開示されている。このＥＬ素子は、陽極／正孔注入層／
発光層／陰極とした積層型のものであるが、電極間の膜
厚がｌａｍ以下のものであることが必要であり、そのた
め発光層に用いる化合物によってはピンホールが生じや
すく、生産性が低いという問題があるとともに、発光層
にテトラフェニルブタジェンを用いた実施例では青色発
光における発光効率が著しく小さい。また、欧州特許公
開０２８１３８１号公報によれば、陽極／正孔注入輸送
帯／発光帯域／陰極とした積層型のものが開示されてい
る。ここで発光帯域は、ホスト物質（ｈｏｓｔ　ｍａｔ
ｅｒｉａｌ）とホスト物質内の微量の蛍光物質（ｆｌｕ
ｏｒｅｓｃｅｎｔ　ｍａｔｅｒｉａｌ）よりなる薄膜か
ら構成されたものである。しかし、ここに開示されたＥ
Ｌ素子は、緑色〜赤色領域の発光に関しては、高出力を
低電圧の印加で達成できるものの、青色発光は実現でき
ない。

さらに、米国特許第４６７２２６５号明細書。

同４７２５５３１号明細書、同４７３４３３８号明細書
、同４７４１９７６号明細書および同４７７５８２０号
明細書などには、電子受容性の電気的発光性化合物より
なる発光層と電子供与性の電気的発光性化合物よりなる
発光層の二層の積層を基本構成として含む積層構造のＥ
Ｌ素子が開示されている。ここで電気的発光性化合物は
、高い発光量子効率を有するとともに、外部摂動を受け
やすいπ電子系を有し、電気的励起が可能な化合物であ
る。

しかしこれらにおいは、発光層は２層とすることが必須
であり、この２層の界面付近における２層を形成する電
子供与性化合物と受容性化合物の励起錯体の形成に代表
される各種相互作用による発光であり、界面の状態に発
光性能は大きく依存するため、作製条件が難しく、界面
の劣化による発光の減少が著しい。

また、米国特許４６７２２６５号明細書及び同４７２５
５１３号明細書におけるＥＬ素子は、２層の発光層のう
ち少なくとも１層はＬＢ法による分子累積膜であり、こ
の分子累積膜に用いられる長鎖アルキル鎖は耐熱温度が
１００℃程度であるので、熱に弱い（高分子学会誌３６
．２６７（１９８７））、従って対向電極の蒸着時に、
上記の分子累積膜等が損傷を受は素子の分留りは悪いも
のとなる、さらにこれに関する重要な欠点は、この長鎖
アルキル鎖が電極に対してほぼ垂直の状態で並び層をな
すため、絶縁層となり電荷の動性を著しく疎外すること
であり、これにより、この素子の発光性能は充分でなく
実用性に欠ける。米国特許４７３４３３８号明細書、同
４７４１９７６号明細書、同４７７５８２０号明細書に
は、絶縁層を付加した発光層２層構成が開示されている
が、同様の電荷の移動性が疎外される理由で、発光性能
は充分でなく、実用性に欠ける。

有機薄膜ＥＬ素子にジスチルベンゼン誘導体を用いたこ
とについて触れている文献として、前述の欧州特許公開
公報第２８１３８１号がある。この文献は、ｐ−ビス−
（０−メチルスチリル）ベンゼン及びビス（スチリル）
ベンゼン系色素を蛍光物質として用い、ホスト物質の中
に微量埋めこんで使用する。この時、微量の蛍光物質が
埋めこまれている薄膜状のホスト物質は発光帯であり、
発光帯（発光層）が持つべき注入機能（電界印加により
電極または正孔注入層より正孔を注入することができ、
かつ電極または電子注入層より電子を注入できる機能）
、輸送機能（正孔及び電子を電界により輸送することの
できる機能）２発光機能（正孔と電子の再結合の場を提
供し、これを発光につなげる機能）のうち注入機能、輸
送機能。

発光機能の一部はホスト物質が担い、蛍光物質（ジスチ
ルベンゼン誘導体）は、正孔と電子の再結合に応答して
発光するという性質、すなわち発光機能の一部のみを利
用することから、ホスト物質に微量（５モル％程度）含
有させ用いているにすぎず、上記の３機能が必要な発光
層としての性能は何ら開示されていない。

さらに、米国特許第４６７２２６５号明細書間４７２５
５３１号明細書、同４７３４３３８号明細書、同４７４
１９７６号明細書及び同４７７５３２０号明細書、特開
昭６１−３７８９０号公報などには、電気的発光性化合
物の例として、１．４−ビス（２−メチルスチリル）ベ
ンゼン及びそのアルキル基、アルコキシ基、アミノ基な
どの置換体が記載されているが、これらの化合物を用い
た素子の発光性能については何の開示もない。

また前記のように発光層２層の相互作用による発光とし
ているので、発光機能を励起錯体によるものと特定化し
た発明である。この特定化された発光機能によらずに、
すなわち発光層の２層構造をとらずとも、発光層として
ジスチルベンゼン誘導体からなる薄膜が機能しうること
には何の技術開示もない。

〔課題を解決するための手段〕

そこで本発明者らは、上記従来技術の欠点を解消し、低
電圧を印加するだけで特に青色光を高輝度かつ高効率に
発光し、しかも構成が簡単で容易に製造でき、その上不
良品の発生が少なく高い歩留りで製造することができる
ＥＬ素子を開発すべく鋭意研究を重ねた。

その結果、特定の構造のジスチリルベンゼン系化合物、
特にその分子堆積膜を発光層として用いることにより、
上記課題を解決しうることを見出した６本発明はかかる
知見に基いて完成したものである。

すなわち本発明は、−綴代 〔式中、Ｒ１，、、Ｒ９はそれぞれ水素原子、水酸基。

炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ
基、炭素数１〜６のアシル基、カルボキシ（ＲＩ＠及び
Ｒ１１はそれぞれ水素原子、炭素数１〜６のアルキル基
、フェニル基あるいは置換フェニル基である。）を示す
、なお、Ｒ４，Ｒｓ及びＲ−は互いに結合して置換、無
置換の飽和５員環あるいは置換、無置換の飽和６員環を
形成してもよい。

また、Ｒ′〜Ｒ３のうちの一つが 〜Ｒ１の残部と結合して置換、無置換の飽和５員環ある
いは置換、無置換の飽和６員環を形成するか、またはＲ
Ｉ＠とＲ１が互いに結合し、置換、無置換の飽和５員環
あるいは、置換、無置換の飽和６員環を形成してもよく
、同様にＲ？〜Ｒ９のうちの一つが 〜Ｒ９の残部と結合して置換、無置換の飽和５員環ある
いは置換、無置換の飽和６員環を形成するかまたはＲ１
・とＲ１１が互いに結合し置換、無置換の飽和５員環あ
るいは置換、無置換の飽和６員環を形成してもよい。但
し、下記の■及び■の場合は除く。

■Ｒ’−Ｒ’のすべてが水素原子である場合。

■Ｒ１〜Ｒ３のうちの一つが炭素数１〜４のアルキル基
で残部が水素原子であり、Ｒ４−Ｒ６のうちの二つ以上
が水素原子で残部が炭素数１〜４のアルキル基であり、
かつＲ７−Ｒ９のうちの一つが炭素数１〜４のアルキル
基で残部が水素原子である場合、〕 で表わされるジスチリルベンゼン系化合物を発光層の材
料として用いたことを特徴とする薄膜エレクトロルミネ
ッセンス素子を提供するものである。

本発明の薄膜ＥＬ素子は、上記式（１）で表わされるジ
スチリルベンゼン系化合物よりなる発光層を用いればよ
く、その使用形態に特に制限はないが、好ましいものと
しては、このジスチリルベンゼン系化合物よりなる薄膜
状態の分子堆積膜を発光層とする。ここで分子堆積膜と
は、化合物の気相状態から沈着され形成された薄膜及び
化合物の溶液状態又は液相状態より固体化し形成された
薄膜を相称する０通常この分子堆積膜は、蒸着法。

キャスト法、スピンコード法などで形成され、ラングミ
ュア−・プロジェット（ＬＢ）法によって形成される薄
膜（分子累積膜）とは区別される。

本発明において、発光層の材料として用いる上記式（Ｉ
）のジスチリルベンゼン系化合物は、式中の置換基Ｒｔ
　、　Ｒｑの種類により各種のものがあげられる。つま
り、Ｒ１−Ｒ９はそれぞれ水素原子、水酸基、炭素数１
〜６のアルキル基（メチル基、エチル基、イソプロピル
基、　ｔｅｒｔ−７’チル基等）、炭素数１〜６のアル
コキシ基（メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブ
トキシ基等）。

炭素数１〜６のアシル基（ホルミル基、アセチル基、プ
ロピオニル基、ブチリル基など）５カルボキシル基ある
いは が大きいため最適である。しかしながら、上記■の場合
と■の場合に相当するジスチリルベンゼン系化合物は、
本発明の対象から除外される。

本発明に好適に使用されるジスチリルベンゼン系化合物
の具体例をあげれば、次のとおりである。

アミノ基（Ｒ２Ｏ，Ｒ１１はそれぞれ水素原子、炭素数
１〜６のアルキル基（メチル基、エチル基等）。

フェニル基あるいは置換フェニル基（トリル基。

キシリル基、エチルフェニル基等）である。）を示す。

また、各Ｒ’−Ｒ’は上述した如き態様で置換あるいは
無置換の飽和５員環や飽和６員環を構成してもよい。

このような本発明のジスチリルベンゼン系化合物はのう
ち、特に−綴代（１）中の真中のフェニレン基（置換フ
ェニレン基）と二つのスチリル基（置換スチリル基）と
の結合がｐ−位であり、゛かつ二重結合が全てトランス
構造のものが好ましく、とりわけこれらのうちアルキル
置換体やアルコキシ置換体が発光能力が大きく、また青
色発光能力ｒＩ％し冨 Ｈ苫Ｃ０ 本発明のＥＬ素子において、上記発光層の膜厚゛は、特
に制限はなく適宜状況に応じて選定すればよいが、通常
は５ｎｍ〜５μｍ程度とすればよい。

また、本発明のＥＬ素子の構成は各種の態様があるが、
基本的には二つの電極（陽極と陰極）に間に、上記発光
層を挟持した構成として、これに必要に応じて他層を介
在させればよい、具体的には、（１）陽極／発光層／陰
極１口）陽極／正孔注入輸送層／発光層／陰極、（３）
陽極／正孔注入輸送層／発光層／電子注入輸送層／陰極
などの構成がある。なお、これらのＥＬ素子は、支持基
板上に形成することが好ましい。

本発明のＥＬ素子における発光層は、以下の三つの機能
を併せ持つものである。即ち、■注入機能 電界印加時に、陽極又は正孔注入輸送層より正孔を注入
することができ、陰極又は電子注入輸送層より電子を注
入することができる機能 ■輸送機能 注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機
能 ■発光機能 電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげ
る機能 但し、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさに
違いがあってもよく、また正孔と電子の移動度で表わさ
れる輸送能に大小があってもよいがミどちらか一方の電
荷を移動することが好ましい。

本発明のＥＬ素子において、発光材料（発光層）として
用いる前記−綴代（１’）の化合物は、イオン化エネル
ギーが６．ＯｅＶ以下であり、適当な陽極金属または陽
極化合物を選べば、比較的正札を注入し易い、また電子
親和力は、２．８ｅＶ以上であり、適当な陰極金属また
は陰極化合物を選べば、比較的電子を注入し易い、しか
も、電子、正孔の輸送機能もすぐれている。さらに固体
状態の蛍光性が強いため、再結合時に形成された上記化
合物、その会合体または結晶等の励起状態を光に変換す
る能力が大きい。

本発明のＥＬ素子において使用できる基板は、透明性を
有するものが好ましく、一般にガラス。

透明プラスチック、石英等が充当される。また、電極（
陽極、陰極）としては、金、アルミニウム。

インジウムなどの金属２合金、混合物あるいはインジウ
ムチンオキサイド（酸化インジウムと酸化錫の混合酸化
物；　ＩＴＯ）、５ｎＯｚ、ＺｎＯ等の透明材料を用い
ることが好ましい、なお陽極には、仕事関数の大きい金
属または電気伝導性化合物が好適であり、また陰極には
、仕事関数の小さい金属または電気伝導性化合物が好適
である。これらの電極は、少なくとも一方が透明あるい
は半透明であることが好ましい。

前述した（１）陽極／発光層／陰極よりなる構成のＥＬ
素子を作成するには、例えば次の如き手順にしたがえば
よい。即ち、まず、基板上に電極を蒸着もしくはスパッ
タ法にて製膜する。この際、膜状の電極の膜厚は、一般
に１０ｎｍｘｌＩ１ｍ、特に２００ｎｍ以下が、発光の
透過率を高める上で好ましい０次に、この電極の上に発
光材料（−綴代（Ｉ）の化合物）を、薄膜状に形成して
発光層とする０発光材料の薄膜化方法は、スピンコード
。

キャスト、蒸着法等があるが、均一な膜が得やすいこと
、及びピンホールが生成しないことから、とりわけ蒸着
法が好ましい。発光材料の薄膜化に際して蒸着法を採用
する場合、その蒸着の条件は、例えばボート加熱温度５
０〜４００°Ｃ１真空度１　（ＩＳ〜１０−’Ｐａ　、
蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜＋
３００″Ｃの範囲で膜厚５ｎｍ〜５μｍとなるように選
定すればよい。この薄膜形成後、対向電極を蒸着法やス
パッタ法にて膜厚５０〜２００ｎｍで形成すれば、ＥＬ
素子が作成される。なお、発光層の形成の条件は、綴代
（１）の化合物の種類２分子堆積膜の目的とする結晶構
造、会合構造等によって異なり、様々に変動しうるが、
ボート加熱温度は一般式〔■〕の化合物が分解しない温
度にとどめることが好ましい。

また、（２）陽極／正孔注入輸送層／発光層／陰極の構
成のＥＬ素子を作成するには、まず電極を上記（１）の
ＥＬ素子と同様に形成し、その後、正孔注入材料（正孔
伝達化合物）を電極上に蒸着法で薄膜化して正孔注入輸
送層を形成する。この際の蒸着条件は、前記発光材料の
薄膜形成の蒸着条件に準じればよい、その後は上記（１
）のＥＬ素子を作成する場合と同様に、発光材料の薄膜
形成及び対向電極の形成を行えば、所望する上記（２）
の構成のＥＬ素子が作成される。なお、この（２）の構
成のＥＬ素子において、正孔注入輸送層と発光層の作製
順序を逆にし、電極２発光層、正孔注入輸送層、電極の
順に作製することも可能である。

さらに、（３）陽極／正孔注入輸送層／発光層／電子注
入輸送層／陰極の構成のＥＬ素子を作成するには、まず
電極を上記（１）のＥＬ素子と同様に形成し、その後、
正孔注入輸送層を上記（２）のＥＬ素子と同様に形成し
、その上から上記（１）のＥＬ素子を作成する場合と同
様に、発光材料の薄膜を形成する。しかる後に、電子注
入材料（電子伝達化合物）を蒸着法にて薄膜化すること
により、発光層上に電子注入輸送層を形成し、最後に上
記（１）のＥＬ素子を作成する場合と同様に、対向電極
を形成すれば、目的とする上記（３）の構成のＥＬ素子
が作成される。ここで、正孔注入輸送層／発光層／電子
注入輸送層の順序を、電子注入輸送層／発光層／正孔注
入輸送層に変えて、電極、電子注入輸送層。

発光層、正孔注入輸送層、電極の順に作製してもよい。

なお、本発明のＥＬ素子では、正孔注入輸送層や電子注
入輸送層は必ずしも必要ではないが、これらの層がある
と、発光性能が一段と向上する。

ここ−で、正孔注入輸送層（正孔注入層）は、正孔伝達
化合物（正孔注入材料）よりなり、陽極より注入された
正札を、発光層に伝達する機能を持つ。

この層をＥＬ素子の陽極と発光層間に挟むことにより低
電圧でより多くの正札が発光層に注入され、素子の輝度
は向上する。

ここで用いられる正孔注入輸送層の正孔伝達化合物は、
電場を与えられた二個の電極間に配置されて陽極から正
孔が注入された場合、正孔を適切に発光層へ伝達するこ
とができる化合物である。

正孔注入輸送層を陽極と発光層との間に挟むことにより
、より低い電界で多くの正孔が発光層に注入される。さ
らに、陰極や電子注入輸送層から発光層に注入された電
子は、発光層と正孔層の界面に存在する電子の障壁によ
り、この発光層内の界面付近に蓄積され発光効率が向上
する。ここで好ましい正孔伝達化合物は、１０４〜１０
６ボルト／Ｃ■の電場を与えられた電極間に層が配置さ
れた場合、少なくとも１０−’ｄ／ボルト・秒の正孔移
動度をもつ、従って好ましい例としては、光導電材料に
おいて正孔の電荷輸送材として用いられている各種化合
物があげられる。

このような電荷輸送材として以下のような例があげられ
る。

■米国特許第３１１２１９７号明細書等に記載されてい
るトリアゾール誘導体、 ■米国特許第３１８９４４７号明細書等に記載されてい
るオキサジアゾール誘導体、 ■特公昭３７−１６０９６号公報等に記載されているイ
ミダゾール誘導体、 ■米国特許第３６１５４０２号、同３８２０９８９号、
同３５４２５４４号明細書や特公昭４５−５５５号、同
５１−１０９８３号公報さらには特開昭５１−９３２２
４号、同５５−１７１０５号。

同５６−４１４８号、同５５−１０８６６７号。

同５５−１５６９５３号、同５６−３６６５６号公報等
に記載されているポリアリールアルカン誘導体、 ■米国特許第３１８０７２９号８同４２７８７４６号明
細書や特開昭５５−８８０６４号、同５５−８８０６５
号、同４９−１０５５３７号、同５５−５１０８６号、
同５６−８００５１号、同５６−８８１４１号、同５７
−４５５４５号、同５４−１１２６３７号、同５５−７
４５４６号公報等に記載されているピラゾリン誘導体お
よびピラゾロン誘導体、 ■米国特許第３６１５４０４号明細書や特公昭５１−１
０１０５号、同４６−３７１２号、同４７−２５３３６
号公報さらには特開昭５４＝５３４３５号、同５４−１
１０５３６号、同５４−１１９９２５号公報等に記載さ
れているフェニレンジアミン誘導体、 ■米国特許第３５６７４５０号、同３１８０７０３号、
同３２４０５９７号、同３６５８５２０号。

同４２３２１０３号、同４１７５９６１号、同４０１２
３７６号明細書や特公昭４９−３５７０２号、同３９−
２７５７７号公報さらには特開昭５５−１４４２５０号
、同５６−１１９１３２号。

同５６−２２４３７号公報、西独特許第１１１０５１８
号明細書等に記載されているアリールアミン誘導体、 ■米国特許第３５２６５０１号明細書等に記載されてい
るアミノ置換カルコン誘導体、 ■米国特許第３２５７２０３号明細書等に記載されてい
るオキサゾール誘導体、 ［相］特開昭５６−４６２３４号公報等に記載されてい
るスチリルアントラセン誘導体、 ■特開昭５４−１１０８３７号公報等に記載されている
フルオレノン誘導体、 ■米国特許第３７１７４６２号明細書や特開昭５４−５
９１４３号、同５５−５２０６３号、同５５−５２０６
４号、同５５−４６７６０号、同５５−８５４９５号、
同５７−１１３５０号、同５７−１４８７４９号公報等
に記載されているヒドラゾン誘導体、 ■特開昭６１−２１０３６３号、同６１−２２８４５１
号、同６１−１４６４２号、同６１−７２２５５号、同
６２−４７６４６号、同６２−３６６７４号、同６２−
１０６５２号、同６２−３０２５５号、同６０−９３４
４５号、同６０−９４４６２号、同６０−１７４７４９
号、同６０−１７５０５２号公報等に記載されているス
チルベン誘導体などを列挙することができる。

さらに特に好ましい例としては、特開昭６３−２９５６
９５号公報に開示されているホール輸送層としての化合
物（芳香族三級アミン）や正孔注入帯としての化合物（
ポルフィリン化合物）をあげることができる。

さらに特に正孔伝達化合物として好ましい例は、特開昭
５３−２７０３３号公報、同５４−５８４４５号公報、
同５４−１４９６３４号公報。

同５４−６４２９９号公報、同５５−７．９４５０号公
報、同５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３
２号公報、同６１−２９５５５８号公報、同６１−９８
３５３号公報及び米国特許第４１２７４１２号明細書等
に開示されているものである。それらの例を示せば次の
如くである。

一方、電子注入輸送層（電子注入層）は電子を伝達する
化合物よりなる。電子注入輸送層を形成する電子伝達化
合物（電子注入材料）の好ましい例には、 などのニトロ置換フルオレノン誘導体、■特開昭５７−
１４９２５９号、同５Ｂ−５５４５０号、同６３−１０
４０６１号公報等に記載されているアントラキノジメタ
ン誘導体、 ■Ｐｏ１ｙ＋ｓｅｒ　Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ、　Ｊａｐａ
ｎ　Ｖｏｌ、　３７＋　Ｎａ５（１９８８）　、　ｐ、
６８１等に記載されているこれらの正孔伝達化合物から
正孔注入輸送層を形成するが、この正孔注入層は一層か
らなってもよく、あるいは上記−層と別種の化合物を用
いた正孔注入輸送層を積層してもよい。

などのジフェニルキノツ誘導体、 などのチオビランシオ キシド誘導体、 ■Ｊ、　Ｊ、＾ＰＰ１．　Ｐｈｙｓ、、　２７．　Ｌ　
２６９（１９８８）等に記載されている で表わされる化合物、 ■特開昭６０−６９６５７号、同６１−１４３７６４号
、同６１−１４８１５９号公報等に記載されているフレ
オレニリデンメタン誘導体、 ■特開昭６１−２２５１５１号、同６１−２３３７５０
号公報等に記載されているアントラキノジメタン誘導体
及びアントロン誘導体などをあげることができる。

以上の構成よりなる本発明のＥＬ素子は、直流を加える
場合、陽極を＋、陰極を−の極性として、電圧５〜４０
Ｖを印加すれば発光する。逆の極性で電圧を印加しても
電流は流れず発光しない。また、交流や任意のパルス電
圧を印加することもでき、この場合陽極に＋、陰極に−
のバイアスの状態のときのみ発光する。

〔実施例〕

次に、本発明を実施例により更に詳しく説明する。

実施例１ 透明電極として用いる膜厚１１００ｎのＩＴＯが付いて
いるガラス基板（２５ａｎＸ　７５ｍａ＋Ｘ１．１ｍ、
ｔｆＯＹＡ社製）を透明支持基板とし、これをイソプロ
ピルアルコールで３０分超音波洗浄し、さらにイソプロ
ピルアルコールに浸漬して洗浄した。

次に、この透明支持基板を乾燥窒素ガスで乾燥し、市販
の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、モリブデン製
の抵抗加熱ボートにＮ、Ｎ’−ビス（３−メチルフェニ
ル）−１，１°−ビフェニル−４，４°−ジアミン（Ｔ
ＰＤ）を２００■入れ、さらに別のモリブデン製の抵抗
加熱ボートにオールトランス体である１、４−ビス−（
２−メトキシスチリル）ベンゼンを２００■入れ真空蒸
着装置に取付けた。

この後、真空槽を２　Ｘ　１０−’Ｐａまで減圧し、Ｔ
ＰＤの入った前記ボートに通電し２２０℃まで加熱し、
蒸着速度０．１〜０．３ｇｍ／秒で透明支持基板上に蒸
着し、膜厚７０ｎｍの正孔注入層（正孔注入輸送層）と
した、さらにオールトランス体である１、４−ビス−（
２−メトキシスチリル）ベンゼンの入った前記ボートを
通電し、２１５℃まで加熱して蒸着速度０．１〜０．３
ｇｍ／秒で透明支持基板上の正孔注入層の上に蒸着し、
膜厚７０ｎｍの発光層を得た。蒸着時の前記基板の温度
は室温であった。　その後、真空槽をあけ、発光層の上
にステンレス鋼製のマスクを設置し、モリブデン製の抵
抗加熱ボートにマグネシウムを１ｇ入れ、電子ビーム蒸
着装置のるつぼに銅を１００ｇ入れ、再び真空槽を３　
Ｘ　１０−’Ｐａまで減圧した。この後、マグネシウム
入りのボートに通電し、蒸着速度４〜５ｎｍ／秒でマグ
ネシウムを蒸着した。この時、同時に電子ビームにより
銅を加熱し、０．２〜０．３ｇｍ／秒で銅を蒸着し、前
記マグネシウムに銅を混合し、対向電極とした。以上に
よりＥＬ素子の作製を終えた。

この素子のＩＴＯ電極を正極、マグネシウムと銅の混合
物よりなる対向電極を負極として、直流２０Ｖを印加し
たところ電流密度が２１ｍＡ／ｃｄの電流が流れ、青色
の発光を得た。このときの発光極大波長は４５０ｎｍ、
発光のＣＩＥ色度座標はｘ＝０．１５．　　ｙ＝０．１
１．発光輝度は１３５ｃｄ／ポであった。なお発光効率
は０．１７６１ｍ／Ｗであった。

実施例２ 透明電極として用いる膜厚１１００ｎのＩＴＯが付いて
いるガラス基板（２５＋ｍＸ　７５ａｎＸ１．１ｇｗｅ
、ＨＯＹＡ社製）を透明支持基板とし、これをイソプロ
ピルアルコールで３０分超音波洗浄し、さらにイソプロ
ピルアルコールに浸漬して洗浄した。

次いで、この透明支持基板を乾燥窒素ガスで乾燥し、市
販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、モリブデン
製の抵抗加熱ボートにＴＰＤを２００■入れ、さらに別
のモリブデン製の抵抗加熱ボートにオールトランス体で
ある１、４−ビス−（３，４−ジメトキシスチリル）ベ
ンゼンを２００ｍｇ入れて真空蒸着装置に取付けた。

その後、真空槽を２　Ｘ　１　（Ｉ’Ｐａまで減圧し、
ＴＰＤの入った前記ボートに通電し、２２０°Ｃまで加
熱し、蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／秒で透明支持基板
上に蒸着し、膜厚８０ｎｍの正孔注入層（正札注入輸送
層）とした、さらにオールトランス体である１、４−ビ
ス−（３，４−ジメトキシスチリル）ベンゼンの入った
前記ボートを通電し、２１０°Ｃまで加熱して蒸着速度
０．１〜０．３ｎｍ／秒で透明支持基板上の正札注入層
の上に蒸着し、膜厚８０ｎｍの発光層を得た。蒸着時の
前記基板の温度は室温であった。

その後、真空槽をあけ、発光層の上にステンレス鋼製の
マスクを設置し、モリブデン製の抵抗加熱ボートにマグ
ネシウムを１ｇ入れ、電子ビーム蒸着装置のるつぼに銅
を１００ｇ入れ、再び真空槽を３　Ｘ　１０−’Ｐａま
で減圧した。この後、マグネシウム入れのボートに通電
し、蒸着速度４〜５ｎｍ／秒でマグネシウムを蒸着した
。このとき、同時に電子ビームにより銅を加熱し、０．
２〜０．３ｎｍ／秒で銅を蒸着し、前記マグネシウムに
銅を混合し、対向電極とした０以上によりＥＬ素子の作
製を終えた。

この素子のＩＴＯ電極を正極、マグネシウムと銅の混合
物よりなる対向電極を負極とし、直流１４Ｖを印加した
ところ、電流密度が１３ｍＡ／ｃ１ａの電流が流れ、青
色の発光を得た。このときの発光極大波長は４６７　ｎ
ｍ、発光のＣＩＥ色度座標はｘ＝０．１５．ｙ＝０．２
０、発光輝度は１００ｃｄ／ｒｔｆであった。なお、発
光効率は０．１７４４！ｍ／Ｗであった。

実施例３ 透明電極として用いる膜厚１１００ｎのＩＴＯが付いて
いるガラス基板（２５ａｉＸ　７５ａｕａＸ１．　Ｌ閣
、ＨＯＹＡ社製）を透明支持基板とし、これをイソプロ
ピルアルコールで３０分超音波洗浄し、さらにイソプロ
ピルアルコールに浸漬して洗浄した。

次いで、この透明支持基板を乾燥窒素ガスで乾燥し、市
販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、モリブデン
製の抵抗加熱ボートにＴＰＤを２００■入れ、さらに別
のモリブデン製の抵抗加熱ボートにオールトランス体で
ある１、４−ビス−（Ｎ、Ｎ’−ジエチルアミノ−４−
スチリル）ベンゼンを２００■入れて真空蒸着装置に取
付けた。

その後、真空槽を２　Ｘ　１０−’Ｐａまで減圧し、Ｔ
ＰＤの入った前記ボートに通電し２２０°Ｃまで加熱し
、蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／秒で透明支持基板上に
蒸着し、膜厚８０ｎｍの正札注入層（正孔注入輸送層）
とした、さらに１．４−ビス−（Ｎ、Ｎ’−ジエチルア
ミノ−４−スチリル）ベンゼンの入った前記ボートを通
電し、２３０〜２３５°Ｃに加熱して蒸着速度０．１ｎ
ｍ／秒で透明支持基板上の正札注入輸送層の上に蒸着し
、膜厚８０ｎｍの発光層を得た。蒸着時の前記基板の温
度は室温であった。

その後、真空槽をあけ、発光層の上にステンレス鋼製の
マスクを設置し、モリブデン製の抵抗加熱ボートにマグ
ネシウムを１ｇ入れ、電子ビーム蒸着装置のるつぼに銅
を１００ｇ入れ、再び真空槽を３　Ｘ　１０−’Ｐａま
で減圧した。この後、マグネシウム入れのボードに通電
し、蒸着速度４〜５ｎｍ／秒でマグネシウムを蒸着した
。このとき、同時に電子ビームにより銅を加熱し、０．
２〜０．３ｎｍ／秒で銅を蒸着して前記マグネシウムに
銅を混合し、対向電極とした０以上によりＥＬ素子の作
製を終えた。

この素子のＩＴＯ電極を正極、マグネシウムと銅の混合
物よりなる対向電極を負極として、直流１７Ｖを印加し
たところ電流密度が１９４　ｍＡ／−の電流が流れ、緑
色の発光を得た。このときの発光極大波長は５０８　ｎ
ｍ、発光輝度は４０ｃｄ／ポであった。

実施例４ 透明電極として用いる膜厚１１００ｎのＩＴＯが付いて
いるガラス基板（２５鵬×７５鵬×１．１鋪、ＨＯＹＡ
社製）を透明支持基板とし、これをイソプロピルアルコ
ールで３０分超音波洗浄し、さらにイソプロピルアルコ
ールに浸漬して洗浄した。

次いで、この透明支持基板を乾燥窒素ガスで乾燥し、市
販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、モリブデン
製の抵抗加熱ボートにオールトランス体である１、４−
ビス−（Ｎ、Ｎ”−ジフェニルアミノ−４−スチリル）
ベンゼンを２００■入れて真空蒸着装置に取付けた。

その後、真空槽を２　Ｘ　１０−’Ｐａまで減圧し、オ
ールトランス体であるｌ、４−ビス−（Ｎ、Ｎ”−ジフ
ェニルアミノ−４−スチリル）ベンゼンの入った前記ボ
ートに通電し、２１０〜２２０°Ｃに加熱して、蒸着速
度０．３ｎｍ／秒で透明支持基板上に蒸着し、膜厚３０
０　ｎｍの発光槽を得た。

蒸着時の前記基板の温度は室温であった。

その後、真空槽をあけ、発光層の上にステンレス鋼製の
マスクを設置し、モリブデン製の抵抗加熱ボートにマグ
ネシウムを１ｇ入れて、電子ビーム蒸着装置のるつぼに
銅を１００ｇ入れ、再び真空槽を３　Ｘ　１０−’Ｐａ
まで減圧した。この後、マグネシウム入れのボートに通
電し、蒸着速度４〜５ｎｍ／秒でマグネシウムを蒸着し
た。このとき、同時に電子ビームにより銅を加熱し、０
．２〜０．３ｎｍ／秒で銅を蒸着して前記マグネシウム
に銅を混合し、対向電極とした０以上によりＥＬ素子の
作製を終えた。

この素子のＩＴＯ電極を正極、マグネシウムと銅の混合
物よりなる対向電極を負極とし、直流１９Ｖを印加した
ところ電流密度が１８０ｍＡ／ｄの電流が流れ、緑色の
発光を得た。このときの発光極大波長は５１７ｎｍ、発
光輝度は３０ｃｄ／ポであった。

比較例１ 実施例４と同様にして発光層を１．４−ビス−（４−シ
アノスチリル）ベンゼンにしたＥＬ素子を作製した。た
だし、発光層の材料の蒸着時のボート温度は２７０℃で
あり、発光層の膜厚は６００ｎｍであった。尚、対向電
極は金を蒸着して形成した。

この素子のＩＴＯ電極を負極、金よりなる対向電極を正
極として直流１００ｖを印加したが、電流密度が１５ｎ
Ａ／ｃｊの電流しか流れず発光は生じなかった。

比較例２ 実施例４と同様にして発光層を１．４−ビス−（４−ニ
トロスチリル）ベンゼンにしたＥＬ素子を作製した。た
だし、発光層の材料の蒸着時のボート温度は２６０℃と
し、発光層の膜厚は９００ｎｍとした。尚、対向電極は
金を蒸着して形成した。

この素子のＩＴＯ電極を負極、金よりなる対向電極を正
極として直流１００Ｖを印・加したが、電流密度が１２
ｎＡ／ｄの電流しか流れず発光は生じなかった。

〔発明の効果〕

畝上の如（、本発明のＥＬ素子は低電圧を印加するだけ
で高輝度を得ることができ、その構成も簡単であり、容
易に製造することができる。また、このＥＬ素子によれ
ば、従来困難とされていた青色発光を高輝度、高効率で
達成することができる。

さらに、ピンホールなどの不良も少なく、また大面積化
も容易であり、生産性が高く、各種機器の表示用のＥＬ
素子として安価で安定した製品を提供することが可能で
ある。

手続補正書（自発） 平成２年５月１日

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）　一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＾１〜Ｒ＾９はそれぞれ水素原子、水酸基、
   炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ
   基、炭素数１〜６のアシル基、カルボキシル基あるいは
   ▲数式、化学式、表等があります▼ （Ｒ＾１＾０及びＲ＾１＾１はそれぞれ水素原子、炭素
   数１〜６のアルキル基、フェニル基あるいは置換フェニ
   ル基である。）を示す。なお、Ｒ＾４、Ｒ＾５及びＲ＾
   ６は互いに結合して置換、無置換の飽和５員環あるいは
   置換、無置換の飽和６員環を形成してもよい。 また、Ｒ＾１〜Ｒ＾３のうちの一つが ▲数式、化学式、表等があります▼であるときは、Ｒ＾
   １＾０及びＲ＾１＾１がＲ＾１＾０〜Ｒ＾３の残部と結
   合して置換、無置換の飽和５員環あるいは置換、無置換
   の飽和６員環を形成するか、またはＲ＾１＾０とＲ＾１
   ＾１が互いに結合し、置換、無置換の飽和５員環あるい
   は、置換、無置換の飽和６員環を形成してもよく、同様
   にＲ＾７〜Ｒ＾９のうちの一つが ▲数式、化学式、表等があります▼であるときは、Ｒ＾
   １＾０及びＲ＾１＾１がＲ＾７Ｒ＾９の残部と結合して
   置換、無置換の飽和５員環あるいは置換、無置換の飽和
   ６員環を形成するかまたはＲ＾１＾０とＲ＾１＾１が互
   いに結合し置換、無置換の飽和５員環あるいは置換、無
   置換の飽和６員環を形成してもよい。但し、下記の（１
   ）及び（２）の場合は除く。 （１）　Ｒ＾１〜Ｒ＾９のすべてが水素原子である場合
   。
2. （２）　Ｒ＾１〜Ｒ＾３のうちの一つが炭素数１〜４の
   アルキル基で残部が水素原子であり、Ｒ＾４〜Ｒ＾６の
   うちの二つ以上が水素原子で残部が炭素数１〜４のアル
   キル基であり、かつＲ＾７〜Ｒ＾９のうちの一つが炭素
   数１〜４のアルキル基で残部が水素原子である場合。〕 で表わされるジスチリルベンゼン系化合物を発光層の材
   料として用いたことを特徴とする薄膜エレクトロルミネ
   ッセンス素子。 （２）請求項１のジスチリルベンゼン系化合物よりなる
   分子堆積膜を薄膜状発光層として用いた薄膜エレクトロ
   ルミネッセンス素子。
3. （３）二つの電極間に、請求項１又は２の化合物からな
   る発光層を挟持したことを特徴とする薄膜エレクトロル
   ミネッセンス素子。
4. （４）陽極／正孔注入輸送層／発光層／陰極の順に積層
   してなり、かつ該発光層が請求項１又は２の化合物から
   なるなることを特徴とする薄膜エレクトロルミネッセン
   ス素子。
5. （５）陽極／正孔注入輸送層／発光層／電子注入輪送層
   ／陰極の順に積層してなり、かつ該発光層が請求項１又
   は２の化合物からなるなることを特徴とする薄膜エレク
   トロルミネッセンス素子。