JPH11185964A - 有機発光素子及びその製造方法 - Google Patents
有機発光素子及びその製造方法Info
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Abstract
く、安定して優れた発光効率を得ることができる有機発
光素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板上にホール注入用電極が形成されて
おり、その上に、ボロン濃度が1.0×1019乃至1.
0×1021(/cm3)であるダイヤモンド膜からなる
ホール輸送層が形成されている。また、ホール輸送層の
上には、有機発光層、電子輸送層及び電子注入用電極が
順次積層されており、更にその上には透明板が形成され
ている。
Description
晶ディスプレイ用バックライト、平面照明光源及び平面
パネルディスプレイ等に適用される有機発光素子及びそ
の製造方法に関し、特に、安定して優れた発光効率を得
ることができる有機発光素子及びその製造方法に関す
る。
ャップが5.5eVと大きいことが特徴である。また、
ダイヤモンドは絶縁破壊電圧及び飽和ドリフト速度が大
きいと共に、誘電率が小さいという優れた電気的特性を
有する。更に、ダイヤモンドは熱伝導率が室温において
種々の物質中で最高値を示し、比熱が小さいことも公知
である。
えば、マイクロ波気相化学蒸着(マイクロ波CVD)法
がある(特公昭59−27754、特公昭61−332
0等)。また、他にも、高周波プラズマCVD法、熱フ
ィラメントCVD法、直流プラズマCVD法、プラズマ
ジェット法、燃焼法及び熱CVD法等によりダイヤモン
ド膜を合成することができる。これらの気相合成法によ
ると、非ダイヤモンド材料からなる基板上に、膜状のダ
イヤモンドを低コスト及び大面積で得ることができる。
場合には、原料ガスとして、メタン等の炭化水素ガスを
水素で希釈したガスが使用され、これにより、電気的に
絶縁性のダイヤモンド膜を合成することができる。ま
た、原料ガス中に、ジボラン(B2H6)ガス等のボロン
元素(B)を含有するガスを微量添加することにより、
p型半導体のダイヤモンド膜を合成することができるこ
とは公知である。
素子として、近時、真空中でダイヤモンド膜に対向した
位置に蛍光剤が塗布された電極を配置した発光素子が提
案されている。これは、ダイヤモンド膜と電極との間に
強い電圧を印加して、ダイヤモンド膜から真空中に電子
を放出させ(電界放出)、真空中で電子を加速して蛍光
剤を励起させることにより蛍光剤を発光させるものであ
る。
おいては、真空条件が必要であるので、素子構造及び素
子の製造工程が複雑になるという問題点がある。更に、
この発光素子を使用する場合には、電子を加速するため
にダイヤモンド膜と蛍光剤との間に5乃至10kVの高
電圧を印加する必要がある。従って、この発光素子を使
用する装置全体を高電圧に対応できるものとする必要が
あり、装置のコストが高くなるという問題点もある。
有機発光素子が提案されている。これを第1の従来例と
いう。図4は従来の有機発光素子の構造を示す断面図で
ある。図4に示すように、ガラス基板11上にホール注
入用電極12が形成されており、その上には、ホール輸
送層13及びホール注入層18が順次形成されている。
また、ホール注入層18の上には、有機発光層14、電
子輸送層15が順次積層されており、更に、その上には
電子注入用電極16が形成されている。なお、ホール注
入層18及び電子輸送層15は、必ずしも形成する必要
はなく、必要に応じて省略することができる。
物としては、ジスチルアリーレン系、オキサジアゾール
系、ピラゾロキノリン系、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体
系及びアルミキレート系があり、その他に、ポリアルキ
ルチオフェン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリナフ
タレンビニレン、ポリアルキルフルオレン、ポリフェニ
レン及びポリメチルフェニルシラン等の高分子系があ
る。
TO(Indium-Tin-Oxide)等のような酸化物透明電極膜
又はAu及びNi等のような仕事関数が大きい金属膜が
使用される。電子注入用電極16としては、仕事関数が
小さいMg、Li若しくはCa系の材料膜、又はこれら
とAg若しくはAlとの合金膜が使用される。更に、ホ
ール輸送層13としては、アミン系材料膜が使用され、
ホール注入層18としては、アミン系又はフタロシアニ
ン系の有機化合物膜が使用され、電子輸送層15として
は、アルミニウム・キレート系の材料膜が使用される。
ては、ホール注入用電極12からホールが注入されると
共に、電子注入用電極16から電子が注入されると、こ
のホールと電子とが有機発光層14内において再結合し
て、ガラス基板11側から光17が放射される。このよ
うに、第1の従来例に係る有機発光素子は、低電圧で発
光を得ることができるという特徴を有しており、有機発
光層14を構成する有機化合物を選択することにより、
所望の発光色を得ることができる。
は、半導体、プラズマ及び電界放出等を利用した他の方
式の発光素子と比較して、発光輝度が低いという問題点
がある。これは、ホール輸送層13及び電子輸送層15
の材料として、有機化合物が使用されているからであ
り、特に、ホール輸送層に有機化合物が使用されている
と、輸送効率が低下して、発光輝度が低下する。一方、
発光輝度を向上させるために、電流量を増加させると、
有機発光層14の温度が100℃以上になり、有機発光
素子を構成する有機化合物からなる層が劣化するという
問題点が発生する。
な発光輝度を得ることができる発光素子が提案されてい
る(特開平6−111938号公報)。以下、これを第
2の従来例という。この発光素子の構造は、図4に示す
有機発光素子の構造と同様であるので、図4を参照して
第2の従来例に係る発光素子の構造を説明する。即ち、
図4に示すように、ガラス基板11上にホール注入用電
極12が形成されており、その上にはホール輸送層13
が形成されている。また、ホール輸送層13の上には、
有機発光層14、電子輸送層15が順次積層されてお
り、更に、その上には電子注入用電極16が形成されて
いる。なお、第2の従来例においては、ホール輸送層1
3は、ボロンをドープしたダイヤモンド層により形成さ
れている。
も、ホール注入用電極12から注入されたホールと、電
子注入用電極16から注入された電子とが有機発光層1
4内において再結合して、ガラス基板1側から光17が
放射されるが、ホール輸送層13が高い耐熱性を有する
ダイヤモンド層により形成されているので、ホール輸送
層13の熱劣化を防止することができる。また、ダイヤ
モンド膜中においては、電子及びホール等のキャリアの
移動度が大きく、例えば、ホールの場合には、移動度が
500乃至1870(cm2/V・s)である。従っ
て、ダイヤモンド膜からなるホール輸送層13により有
機発光層14に多数のホールを到達させることができ、
これにより、発光効率を向上させることができる。更
に、ダイヤモンドはバンドギャップが大きいので、電子
とホールとの再結合により励起された励起子(電子・ホ
ール対)のエネルギーよりも、ダイヤモンドの励起状態
のエネルギーの方が高くなる。従って、励起子がダイヤ
モンド膜側に移動して消滅することがないので、発光効
率を向上させることができる。
従来例に示すように、ダイヤモンド膜からなるホール輸
送層が形成されていても、そのダイヤモンド膜の形成条
件等により、発光効率を十分に向上させることができな
いことがある。また、第2の従来例においては、熱フィ
ラメント法によりホール輸送層となるダイヤモンド薄膜
が合成されているが、熱フィラメント法を使用すると、
合成されたダイヤモンド膜中にフィラメント材(W及び
Ta等)が混入することがある。そして、混入したフィ
ラメント材により結晶欠陥が発生して、発光効率が低下
する。
板上にホール注入電極としてのITO膜を蒸着し、この
ITO膜の上にホール輸送層としてのダイヤモンド膜が
合成されている。しかし、気相合成によりダイヤモンド
膜を形成する場合には、活性な水素ガス雰囲気下におい
て、基板温度を750℃以上の高温として合成されるの
で、ITO膜が劣化するか、又はガラス基板からITO
膜が剥離する。従って、ガラス基板上のITO膜の上に
ダイヤモンド膜を気相合成することは、極めて困難であ
る。また、ITO膜上にダイヤモンド膜を合成すること
ができた場合であっても、そのダイヤモンド膜は多結晶
膜となり、これにより、キャリア移動度が小さくなるの
で、発光効率を向上させる効果を十分に得ることができ
ない。
のであって、ホール輸送層の熱劣化を発生させることな
く、安定して優れた発光効率を得ることができる有機発
光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
子は、基板と、前記基板上に形成されたホール注入用電
極と、前記ホール注入用電極上に形成されたホール輸送
層と、前記ホール輸送層上に形成された有機発光層と、
前記有機発光層上に形成された電子注入用電極と、を有
する有機発光素子において、前記ホール輸送層は、1.
0×1019乃至1.0×1021(/cm3)の濃度でボ
ロンを含有するダイヤモンド膜からなることを特徴とす
る。
5μmであることが好ましい、また、前記ダイヤモンド
膜を構成するダイヤモンド結晶の(111)、(10
0)及び(110)からなる群から選択されたいずれか
1種の面が、前記ダイヤモンド膜の膜厚方向に平行な方
向に配向されていることが好ましく、これらの群から選
択された2種の面のうち、一方の面が前記ダイヤモンド
膜の膜厚方向に平行な方向に配向されており、他方の面
が前記ダイヤモンド膜の表面に平行な方向に配向されて
いることが望ましい。更に、前記ホール輸送層は単結晶
ダイヤモンド膜からなるものであり、前記単結晶ダイヤ
モンド膜を構成するダイヤモンド結晶の(111)、
(100)及び(110)からなる群から選択されたい
ずれか1種の面が、前記ダイヤモンド膜の表面に平行な
方向に配向されていると、より一層望ましい。
ダイヤモンド膜のボロン濃度よりも低いボロン濃度の低
ボロンドーピング層が1μm以下の膜厚で形成されてい
ることが好ましい。更にまた、前記ダイヤモンド膜は、
前記有機発光層に接する表面が化学的に表面修飾された
ものであることが望ましく、例えば、その表面に、水
素、酸素、ハロゲン、水酸基、シアノ基、アミノ基、カ
ルボキシル基、硫酸基、ニトロ基、アゾ基、ジアゾ基及
び高分子量化合物からなる群から選択された少なくとも
1種の原子又は原子団が結合されたものとすることがで
きる。
化シリコン、アルミナ、窒化アルミニウム及び耐熱性金
属からなる群から選択されたいずれか1種の材料、又は
耐熱性基体上に、シリコン膜、窒化シリコン膜、炭化シ
リコン膜、アルミナ膜、窒化アルミニウム膜及び耐熱性
金属膜からなる群から選択されたいずれか1種の膜が形
成されたものとすることができる。
基板上にホール注入用電極を形成する工程と、前記ホー
ル注入用電極上にダイヤモンド膜からなるホール輸送層
を形成する工程と、前記ホール輸送層上に有機発光層を
形成する工程と、前記有機発光層上に電子注入用電極を
形成する工程と、を有する有機発光素子の製造方法にお
いて、前記ホール輸送層を形成する工程は、ジボラン
(B2H6)ガスを含有する原料ガスを使用して、マイク
ロ波化学気相蒸着法によりダイヤモンド膜を合成する工
程であることを特徴とする。
度は1乃至20体積ppmであることが好ましく、これ
により、1.0×1019乃至1.0×1021(/c
m3)の濃度でボロンを含有するダイヤモンド膜を得る
ことができる。
注入されたホールはホール輸送層を介して有機発光層に
輸送されると共に、電子注入用電極から注入された電子
も有機発光層に輸送され、これらのホールと電子とが有
機発光層内において再結合して、光が放射される。この
とき、本発明においては、ホール輸送層を構成するダイ
ヤモンド膜中のボロン濃度が適切に規定されているの
で、膜中の結晶欠陥等が低減されて、ホールの輸送効率
を向上させることができ、これにより、有機発光層から
の発光効率を高めることができる。また、ホール輸送層
を構成するダイヤモンド層の膜厚又は結晶の配向性が適
切に規定されていると、更に一層優れた発光効率を得る
ことができる。
発光素子を示す断面図である。図1に示すように、基板
9上にホール注入用電極2が形成されており、その上
に、ボロン濃度が1.0×1019乃至1.0×10
21(/cm3)であるダイヤモンド膜からなるホール輸
送層3が形成されている。また、ホール輸送層3の上に
は、有機発光層4、電子輸送層5及び電子注入用電極6
が順次積層されており、更にその上には透明板8が形成
されている。
ては、ホール注入用電極2からホールが注入されると、
このホールはホール輸送層3を介して有機発光層4に輸
送される。また、電子注入用電極6から電子が注入され
ると、この電子は電子輸送層5を介して有機発光層4に
輸送される。そして、これらのホールと電子とが有機発
光層4内において再結合して、透明板8側から光7が放
射される。本実施例においては、ホール輸送層3を構成
するダイヤモンド膜中のボロン濃度が適切に規定されて
いるので、膜中の結晶欠陥等が低減されて、ホールの輸
送効率が向上している。従って、有機発光層4からの発
光効率を高めることができる。
のボロン濃度と発光素子の発光効率との関係について、
以下に詳細に説明する。ダイヤモンド膜中のボロン濃度
が、1.0×1019(/cm3)未満であると、ダイヤ
モンド層の電気抵抗値が著しく高くなるので、有機発光
層4から発光させるために高電圧を印加することが必要
となって、電力損失が増加する。一方、ダイヤモンド膜
中のボロン濃度が高くなると、ダイヤモンド膜(ホール
輸送層3)の電気抵抗が低下するが、このボロン濃度が
著しく高くなると、ダイヤモンド膜中にグラファイト及
び非晶質カーボン等の非ダイヤモンド成分が増加して、
結晶欠陥密度が増大する。特に、ボロン濃度が1.0×
1021(/cm3)を超えると、ダイヤモンドの粒径が
小さくなって結晶粒界が増加し、ダイヤモンド粒子中の
結晶欠陥が増加する。従って、ダイヤモンドの結晶性が
低下して、ダイヤモンド膜の耐熱性が低下すると共に、
キャリア移動度が小さくなり、発光効率が低下する。従
って、ホール輸送層3を構成するダイヤモンド膜中のボ
ロン濃度は、1.0×1019乃至1.0×1021(/c
m3)とする。
輸送層3となるダイヤモンド膜中のボロン濃度を規定し
ているので、優れた発光効率を有する有機発光素子を得
ることができる。なお、このダイヤモンド膜の最適な膜
厚は、ボロンのドーピング濃度に影響されるが、本願発
明者等は、ダイヤモンド膜中のボロン濃度が上述の如く
規定されている場合のダイヤモンド膜の膜厚を適切に規
定することにより、更に一層優れた発光効率を得ること
ができることを見い出した。ダイヤモンド膜の膜厚と有
機発光素子の発光効率との関係について、以下に具体的
に説明する。
と、電気抵抗が大きくなって、発熱による電力損失が生
じる。一方、ダイヤモンド膜を気相合成した場合には、
一般的に、ダイヤモンド粒子の核は基板上に107(/
cm2)以上の密度で発生して、粒子間において競合的
な成長が進み、ダイヤモンド膜の表面では粒子が大きく
なる。即ち、基板の近傍においては、ダイヤモンド膜の
表面と比較して粒界密度が高く、これが結晶欠陥とな
る。従って、ダイヤモンド膜の膜厚が0.5μm未満で
あると、粒界密度が高くなり、キャリアがトラップされ
たり、消滅する原因となるので、発光効率を向上させる
効果を十分に得ることができない。従って、ボロン濃度
を適切に規定した本発明において、ダイヤモンド膜の膜
厚は、0.5乃至5μmであることが好ましく、これに
より、ダイヤモンド膜の抵抗値を所定の値以下の低抵抗
に維持することができる。
2H6)ガスを使用して、マイクロ波化学気相蒸着法(マ
イクロ波CVD法)によりダイヤモンド膜を合成する
と、ダイヤモンド膜中への不純物の混入を防止すること
ができ、低抵抗のダイヤモンド膜を得ることができる。
と共に、キャリア移動度が大きい高品質で低抵抗のダイ
ヤモンド膜からなるホール輸送層を得るためには、ダイ
ヤモンド膜を構成する結晶の結晶方位を適切に規定する
ことが好ましい。即ち、ホール輸送層が、結晶がランダ
ムに配列された多結晶ダイヤモンド膜からなるものでは
なく、ダイヤモンド膜を構成する結晶の(111)、
(100)又は(110)面が、ダイヤモンド膜の膜厚
方向に平行な方向に配向されていると、高品質で低抵抗
のダイヤモンド膜を得ることができる。また、ダイヤモ
ンド膜を構成する結晶の(111)、(100)又は
(110)面のうち、いずれか1種の面がその膜厚方向
に平行な方向に配向されており、これを除く他の1種の
面がダイヤモンド膜の表面に平行な方向に配向されてい
ることが好ましい。更に、このダイヤモンド膜が単結晶
膜であり、この膜を構成する結晶の(111)、(10
0)又は(110)面がダイヤモンド膜の表面に平行な
方向に配向されていることがより一層望ましく、これに
より、キャリア移動度を向上させることができる。特
に、(111)結晶面はボロン原子を取り込みやすいの
で、ダイヤモンド膜を構成する結晶の(111)面がそ
の膜の表面に平行な方向に配向されていると、更に一層
低抵抗のダイヤモンド膜を得ることができる。
の発光効率を向上させるためには、電子注入用電極から
注入される電子の数及びホール注入用電極から注入され
るホールの数を適切に制御する必要があることを見い出
した。この電子数及びホール数を制御する方法として
は、ホール輸送層3を構成するダイヤモンド膜の表面
に、このダイヤモンド膜のボロン濃度よりも低いボロン
濃度を有する低ボロンドーピング層を形成して、ホール
輸送層3と有機発光層4との間に所定の抵抗を与える方
法がある。但し、低ボロンドーピング層の膜厚が1μm
を超えると、抵抗が大きくなりすぎて、電子数及びホー
ル数を適切に制御することができない。従って、ダイヤ
モンド膜の表面に低ボロンドーピング層を形成する場合
は、その膜厚を1μm以下とする。
発光層4に注入される効率をより一層向上させるために
は、ホール輸送層3となるダイヤモンド膜の表面を化学
的に表面修飾することが効果的であることを見い出し
た。このダイヤモンド膜の表面の化学修飾は、発光素子
の用途に応じて最適な方法を選択することが好ましい。
ダイヤモンド膜の表面を化学修飾する方法としては、例
えば、ダイヤモンド膜の表面を水素化、酸化又はハロゲ
ン化する方法がある。また、他の方法として、水酸基、
シアノ基、アミノ基、カルボキシル基、硫酸基、ニトロ
基、アゾ基、ジアゾ基又は高分子量の化合物をダイヤモ
ンド膜の表面に結合させる方法がある。
イヤモンド膜を合成するための基板9としては、シリコ
ン基板、窒化シリコン基板、炭化シリコン基板、アルミ
ナ基板、酸化シリコン基板、窒化アルミニウム基板及び
耐熱性金属基板のうち、いずれか1種の基板を使用する
ことができる。また、耐熱性を有する種々の基体上に、
シリコン膜、窒化シリコン膜、炭化シリコン膜、酸化シ
リコン膜、アルミナ膜、窒化アルミニウム膜及び耐熱性
金属膜のうち、少なくとも1種の膜を形成したものを基
板9をして使用すると、基体上には直接ダイヤモンド膜
を形成することができない場合であっても、高品質で低
抵抗のダイヤモンド膜を形成することができる。
モンド膜中のボロン濃度及びダイヤモンド膜の膜厚等を
最適化することにより、優れた特性を有するホール輸送
層3を形成することができ、これにより、有機発光素子
の発光効率を向上させることができる。
機発光層4と電子注入用電極6との間に、電子輸送層5
が形成されているが、本発明においては、必ずしも電子
輸送層5を形成する必要はなく、必要に応じてこれを省
略することができる。また、ホール輸送層3と有機発光
層4との間に、ホール注入層が形成されていてもよい。
また、本発明においては、ホール注入用電極2として、
例えばPtを使用することができ、Mo等の耐熱性金属
を使用することもできる。更に、有機発光層4を構成す
る有機化合物としては、ジスチルアリーレン系、オキサ
ジアゾール系、ピラゾロキノリン系、ベンゾオキサゾー
ル亜鉛錯体系及びアルミキレート系があり、その他に、
ポリアルキルチオフェン、ポリパラフェニレンビニレ
ン、ポリナフタレンビニレン、ポリアルキルフルオレ
ン、ポリフェニレン及びポリメチルフェニルシラン等の
高分子系がある。更にまた、電子輸送層5としては、ア
ルミニウム・キレート系の材料膜を使用することがで
き、電子注入用電極6としては、ITO等のような酸化
物透明電極膜を使用することができる。
からなるホール輸送層3は、基板9上に形成されるの
で、透明板8は耐熱性を有するものである必要はない。
例えば、透明板8としては、プラスティック板又はガラ
ス板等を使用することができる。また、プラスティック
板又はガラス板等を電子注入用電極6の上に接着する代
わりに、コーティングにより、電子注入用電極6の表面
にガラス膜又はプラスティック膜等を形成してもよい。
用等の個別発光素子、液晶ディスプレイ用のバックライ
ト又は平面照明光源等に適用される。また、この有機発
光素子を集積化することにより、平面パネルディスプレ
イを構成することができる。
形成した結果について説明する。
ティングされたシリコン基板、又は窒化シリコン基板を
使用し、この基板上にホール注入用電極2として、白金
(Pt)膜を蒸着した。そして、ダイヤモンド粉末を懸
濁させたアルコール溶液中において、これに3分間の超
音波処理を施すことにより、ダイヤモンドの核発生密度
を108乃至1010(/cm2)に増大させた。次いで、
マイクロ波CVD装置により、ホール注入用電極2上に
ホール輸送層3としてのp型ダイヤモンド膜を約1μm
の厚さで形成した。このとき、原料ガスとして0.3乃
至5体積%のメタンガス、0.1乃至2体積%の酸素ガ
ス及び1乃至20体積ppmのジボラン(B2H6)ガス
を含有する原料ガスを使用し、基板温度を800乃至8
50℃、ガス圧を30乃至60Torrとした。
S(二次イオン形質量分析法)により測定した結果、ダ
イヤモンド膜中のボロン原子の濃度は、1.0×1019
乃至1.0×1021(/cm3)であった。その後、ホ
ール輸送層3としてのダイヤモンド膜上に、有機発光層
4として、MDDO−PPV(poly(2-methoxy-5-dodec
yloxy-1,4-phenylene vinylene))膜をスピンコートし
た。その後、有機発光層4上に電子注入用電極6とし
て、アルミニウム薄膜を真空蒸着した後、この上に透明
板8を形成した。なお、本実施例においては、電子輸送
層5の形成を省略した。
白金膜からなるホール注入用電極2と、アルミニウム薄
膜からなる電子注入用電極6との間に電圧を印加し、発
光強度を測定した。図2は縦軸に発光強度をとり、横軸
に波長をとって、本実施例に係る有機発光素子の発光強
度を示すグラフ図である。図2に示すように、ホール注
入用電極2と電子注入用電極6との間に20V以上の電
圧を印加したときに、強い発光を得ることができた。
ンガス濃度を種々に変化させて有機発光素子を作製し、
ホール輸送層3としてのダイヤモンド膜中のボロン濃度
を測定すると共に、ホール注入用電極2と電子注入用電
極6との間に20V以上の電圧を印加したときの発光強
度を測定した。図3は縦軸に発光強度をとり、横軸に波
長をとって、ダイヤモンド膜中のボロン濃度と有機発光
素子の発光強度との関係を示すグラフ図である。図3に
示すように、ダイヤモンド膜中のボロン濃度が1.0×
1019乃至1.0×1021(/cm3)であるときに、
発光が観測された。
ンチウムからなる基板上に、スパッタ法により、ホール
注入用電極2として単結晶(111)白金膜を形成を作
製した。その後、白金膜の上にダイヤモンド膜を合成す
ることにより、表面が(111)結晶面で構成され、結
晶面が融合した単結晶状のダイヤモンド膜を得た。その
後、実施例1と同様の方法で、有機発光素子を作製し、
ホール注入用電極2と電子注入用電極6との間に電圧を
印加して、発光強度を測定した。その結果、ホール注入
用電極2と電子注入用電極6との間に5V以上の電圧を
印加したときに、図2に示す強度と同様の強い発光を得
ることができた。このように、実施例3においては、ホ
ール輸送層3を構成するダイヤモンド結晶の(111)
結晶面がダイヤモンド膜の表面に平行な方向に配向され
た単結晶であるので、実施例1と比較して発光効率を向
上させることができた。
ホール輸送層を構成するダイヤモンド膜中のボロン濃度
が適切に規定されているので、発光効率が安定して向上
した有機発光素子を得ることができる。また、ホール輸
送層を構成するダイヤモンド層の膜厚又は結晶の配向性
が適切に規定されていると、更に一層優れた発光効率を
得ることができる。更に、ダイヤモンド層の表面に、適
切な膜厚で低ボロンドーピング層が形成されているか、
又はその表面が化学的に表面修飾されたものであると、
ホール輸送層がホールを有機発光層に輸送する輸送効率
をより一層向上させることができ、これにより、発光効
率を向上させることができる。また、本発明方法によれ
ば、ホール輸送層の合成時における原料ガスを適切に規
定しているので、ダイヤモンド膜中への不純物の混入を
防止することができ、低抵抗のダイヤモンド膜を得るこ
とができる。
図である。
本実施例に係る有機発光素子の発光強度を示すグラフ図
である。
ダイヤモンド膜中のボロン濃度と有機発光素子の発光強
度との関係を示すグラフ図である。
る。
Claims (12)
- 【請求項1】 基板と、前記基板上に形成されたホール
注入用電極と、前記ホール注入用電極上に形成されたホ
ール輸送層と、前記ホール輸送層上に形成された有機発
光層と、前記有機発光層上に形成された電子注入用電極
と、を有する有機発光素子において、前記ホール輸送層
は、1.0×1019乃至1.0×1021(/cm3)の
濃度でボロンを含有するダイヤモンド膜からなることを
特徴とする有機発光素子。 - 【請求項2】 前記ダイヤモンド膜の膜厚は、0.5乃
至5μmであることを特徴とする請求項1に記載の有機
発光素子。 - 【請求項3】 前記ダイヤモンド膜を構成するダイヤモ
ンド結晶の(111)、(100)及び(110)から
なる群から選択されたいずれか1種の面が、前記ダイヤ
モンド膜の膜厚方向に平行な方向に配向されていること
を特徴とする請求項1又は2に記載の有機発光素子。 - 【請求項4】 前記ダイヤモンド膜を構成するダイヤモ
ンド結晶の(111)、(100)及び(110)から
なる群から選択された2種の面のうち、一方の面が前記
ダイヤモンド膜の膜厚方向に平行な方向に配向されてお
り、他方の面が前記ダイヤモンド膜の表面に平行な方向
に配向されていることを特徴とする請求項1又は2に記
載の有機発光素子。 - 【請求項5】 前記ホール輸送層は単結晶ダイヤモンド
膜からなるものであり、前記単結晶ダイヤモンド膜を構
成するダイヤモンド結晶の(111)、(100)及び
(110)からなる群から選択されたいずれか1種の面
が、前記ダイヤモンド膜の表面に平行な方向に配向され
ていることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機発
光素子。 - 【請求項6】 前記ダイヤモンド膜の表面に、このダイ
ヤモンド膜のボロン濃度よりも低いボロン濃度の低ボロ
ンドーピング層が1μm以下の膜厚で形成されているこ
とを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の
有機発光素子。 - 【請求項7】 前記ダイヤモンド膜は、前記有機発光層
に接する表面が化学的に表面修飾されたものであること
を特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の有
機発光素子。 - 【請求項8】 前記ダイヤモンド膜は、前記有機発光層
に接する表面に、水素、酸素、ハロゲン、水酸基、シア
ノ基、アミノ基、カルボキシル基、硫酸基、ニトロ基、
アゾ基、ジアゾ基及び高分子量化合物からなる群から選
択された少なくとも1種の原子又は原子団が結合された
ものであることを特徴とする請求項7に記載の有機発光
素子。 - 【請求項9】 前記基板は、シリコン、窒化シリコン、
炭化シリコン、アルミナ、窒化アルミニウム及び耐熱性
金属からなる群から選択されたいずれか1種の材料から
なるものであることを特徴とする請求項1乃至8のいず
れか1項に記載の有機発光素子。 - 【請求項10】 前記基板は、耐熱性基体上に、シリコ
ン膜、窒化シリコン膜、炭化シリコン膜、アルミナ膜、
窒化アルミニウム膜及び耐熱性金属膜からなる群から選
択されたいずれか1種の膜が形成されたものであること
を特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の有
機発光素子。 - 【請求項11】 基板上にホール注入用電極を形成する
工程と、前記ホール注入用電極上にダイヤモンド膜から
なるホール輸送層を形成する工程と、前記ホール輸送層
上に有機発光層を形成する工程と、前記有機発光層上に
電子注入用電極を形成する工程と、を有する有機発光素
子の製造方法において、前記ホール輸送層を形成する工
程は、ジボラン(B2H6)ガスを含有する原料ガスを使
用して、マイクロ波化学気相蒸着法によりダイヤモンド
膜を合成する工程であることを特徴とする有機発光素子
の製造方法。 - 【請求項12】 前記原料ガスに含有されるジボランガ
ス濃度は1乃至20体積ppmであり、1.0×1019
乃至1.0×1021(/cm3)の濃度でボロンを含有
するダイヤモンド膜を得ることを特徴とする請求項11
に記載の有機発光素子の製造方法。
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