JPH03165580A - 電界注入型発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、平面型デイスプレィデバイスや、次元発光デ
バイスを形成する薄膜からなる発光層を有する電界注入
型発光素子に関する。

［従来の技術］ 従来、電界注入型発光素子の発光層を形成する材料とし
て実用化されている母結晶としてはＺｎＳやＺｎ５ｅが
ある。又、発光中心材料としては、発光色に応じて希土
類、遷移金属、ハロゲン、アルカリ金属、アルカリ土類
金属等の原子あるいはこれらの原子を含む化合物等が用
いられている。

又、電界注入型の青色領域の発光素子としてはＭＩｓ構
造を利用したＧａＮ発光ダイオード、ＳｉＣ半導体のｐ
−ｎ接合を利用した発光ダイオードなどの禁制帯間遷移
発光の発光ダイオードが知られている。

一方、ダイヤモンドを発光層を形成する材料として用い
る電界注入型発光素子の報告としては、Ｊ、Ｒ，ブリオ
ールと、Ｆ、Ｃ，チャンピオンの報告（Ｐｒｏｃ、Ｐｈ
ｙｓ、Ｓｏｃ、誌、２８４９〜８５９．８０巻、１９６
２年）がある。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながらＺｎＳやＺｎ５ｅを用いる電界注入型発光
素子の中で高輝度、長寿命のものは黄橙色のＺｎＳ：Ｍ
ｎ系のみであり、青色を発するＴｍやＣｕＣ１，ＣｕＡ
ｌを発光中心とする発光素子は低輝度、短寿命という欠
点を有していた。

又、禁制帯間遷移による発光は発光効率、量子効率が低
く、低輝度、短寿命という問題がある。

前記Ｊ、Ｒ，ブリオール等の文献においては、大きさ１
ｍｍ前後の粒の天然のダイヤモンドを用いており、発光
色として可視光全域をカバーすることや所望の発光色を
得ることができず、又、輝度の揃った発光素子を量産す
ることにも不向きであり、加えて、極めて高い電圧を発
光に際し必要とし５大面積が必要とされるデイスプレィ
用等のデバイスとして実用に供することには困難があっ
た。

又、従来得られていたダイヤモンド薄膜は表面の凹凸が
数千人にもおよぶことから、これまでに電界を印加して
安定した発光が起こったという報告はない。

［課題を解決するための手段及び作用］本発明の目的は
、上述の課題の解決を計ることであり、可視光全域をカ
バーできる長寿命・高輝度の電界注入型発光素子を提供
する事である。

本発明の別の目的は青色領域における高輝度、長寿命の
電界注入型発光素子を提供することである。

上記目的を達成する本発明の発光素子は電界注入型発光
素子において、気相法により合成した平坦な表面を有す
るダイヤモンド薄膜を構成層とする発光層を有すること
を特徴とする。

本発明は、ダイヤモンド薄膜を形成するにあたって種々
の試みを行なった結果、電界注入型発光素子の発光層と
して商業的に用いることのできるダイヤモンド薄膜を得
るに至ったもので、後述する条件下における気相法によ
り作成されたダイヤモンド薄膜を発光層の構成層として
形成したことを特徴とする。

本発明者は数多くの実験結果から、従来の気相法によフ
て合成されるダイヤモンド薄膜は、単結晶ではなく、多
結晶のダイヤモンド薄膜となり、その膜表面の粗さは、
数千オングストロームの凹凸をもっていることを見い出
した。この様な凹凸を有する場合には、電極とダイヤモ
ンド薄膜との不規則かつ不安定な接触を生じ、このため
、電圧印加の際、局所的な高電界が発生することを見出
した。そこで、更なる詳細な検討と多くの実験の結果よ
り本発明者はダイヤモンド薄膜を発光層の構成層とする
電界注入型発光素子を形成するためには、表面を平滑な
状態に形成するほど良い結果が得られることを見出した
。

平滑面を有するダイヤモンド薄膜を発光層として用いる
本発明電界注入型発光素子は、実用上長期的使用におい
ても初期の優れた特性を維持することができるものであ
る。

又、本願第２発明は、電極を設けるダイヤモンド薄膜の
表面をＲＭＳ５００Å以下の平滑性を有するものとする
ことにより、電極とダイヤモンド薄膜との接触を更に向
上させ、局所的な高電圧を生じさせないようにしたもの
である。

ＲＭ５５００Å以下の平滑性の表面を有するダイヤモン
ド薄膜を得るには特定の条件下での研磨やエツチング、
または、成膜条件を制御することによって成される。

本願第２発明は、最終形成状態でのダイヤモンド薄膜の
平坦さをＲＭＳ５００Å以下にすることによって電界注
入型発光素子の発光の特性を一層良好ならしめることが
できる。

本発明の気相法によって得られた平坦な表面を有するダ
イヤモンド薄膜を発光層とする電界注入型発光素子は予
想も出来ないほど長寿命であり且つ、青色発光にも適し
た可視光全域をカバーし得る高輝度の特性を奏するもの
である。

本発明におけるダイヤモンド薄膜の電界注入型発光素子
は発光層を薄くできるため比較的低電圧の電源を用いて
も高輝度の発光を得ることが出来る。

ダイヤモンドを発光層の母結晶として用いる更なる利点
は、ダイヤモンドが５．４ｅｖ　（２２１ｎｍ）という
大きなバンドギャップを有している事である。これは発
光中心として使える原子及び化合物の数を増加させ、高
輝度で且つ青色発光をも可能にさせる。またダイヤモン
ドは絶縁耐圧がＩ　Ｍ　Ｖ　／　ｃ　ｍ以上と非常に高
く発光中心を励起する電子を充分に加速する事ができ、
従って効率よく発光中心を励起でき、高輝度が達成でき
る。

又、ダイヤモンドは化学的に安定であり、湿度や雰囲気
ガスの影響を受けにくく、経時変化に対して非常に安定
な発光層母結晶となる。又、発光色をかえるために発光
母体層に入れる発光中心としての不純物は、気相法によ
るダイヤモンドの堆積中に比較的容易に混入させる事が
でき、加えて層厚方向に上記不純物を所望の濃度に分布
させることもできる。

ここで、ダイヤモンドのバンド巾が広いという事は、他
にｐ−ｎ接合型の発光素子やカソードルミネッセンスを
用いた発光素子も青色発光用には適している事になる。

しかしながら、ダイヤモンドはｎ型ができにくく、ｐ−
ｎ接合の形成が極めてむずかしいため、ｐ−ｎ接合によ
る発光素子の実現がむずかしい。又、カソードルミネッ
センスを利用する発光素子は、電子線放出のための真空
部分が必要であり、耐久性のある電子ビームを得る事が
むずかしい。これに対し、本発明の電界注入型発光素子
の場合は真空系も不要で、特にｎ型の電気伝導型を有す
る必要はなく、商用の１００ｖの交流電源さえもそのま
ま用いる事ができる。これは、例えば１００ｖを一般的
な供給電源とする日本国内では極めて有用である。

次に具体的な平坦化の方法、発光中心としての不純物の
種類、成膜方法、発光中心のしての不純物のドーピング
方法、及び、発光中心としての不純物を含む層の構成に
ついて述べる。

発光層となるダイヤモンド薄膜の表面は平滑面であるこ
とが、長時間に亘って安定した高輝度の発光を得るため
には望ましい。

具体的には表面粗さがＲＭＳ　５００Å以下が好ましく
、より好ましくはＲＭＳ４５０Å以下、最適にはＲＭＳ
４００Å以下であることが望ましし）。

マイクロ波ＣＶＤやフィラメント法等公知のダイヤモン
ドの形成方法で堆積したダイヤモンド薄膜の平坦化は、
例えばイオンビームによるエツチング、または鉄、コバ
ルト等の金属を用いた研磨により行なう。

又、エツチングや研磨を行なわずダイヤモンド薄膜を平
坦に形成するには、成膜条件の設定または制御によって
行なう。

平坦なダイヤモンド薄膜を得るには上記のいずれかの方
法によって行なえばよい。

具体的には、イオンビームによるエツチングの場合は、
まず表面に凹凸のある形成したままのダイヤモンド薄膜
上にＳｉ、Ｎ４を好ましくは厚さ０．６〜１μｍ堆積す
る。その後Ａｒ”イオンビームや０２のプラズマビーム
によって５ｔ３Ｎ４を堆積したダイヤモンド表面をエツ
チングし平坦化を行なう。鉄、コバルト等による研磨は
、例えば鉄板を５００℃程度に加熱したものをダイヤモ
ンド表面とこすり合わせて平坦化を行なう。

成膜条件の設定または制御による平坦なダイヤモンド薄
膜の形成は、それぞれの成膜装置の形状、大きさ、励起
源によって多少異なるが、以下のように成膜条件を設定
または制御する。

まず基体温度の条件について述べると、基体温度は１０
００℃より低いことが望ましい、特に好ましくは５００
℃以上７００℃以下にするのが望ましい。５００℃より
低いとダイヤモンドが形成されず、ダイヤモンドの同素
体である媒になってしまう傾向がある。逆に基体温度が
７００℃を越えると形成される多結晶ダイヤモンド薄膜
の凹凸が大きくなる傾向があり、１０００℃以上では結
晶面のはっきりした凹凸の激しいダイヤモンド薄膜が形
成されるようになる。気相法による成膜において、基体
温度条件の設定のみによって平坦なダイヤモンドを得る
には基体温度５００℃以上７００℃以下が望ましい。

次に、成膜用のガスについて述べると、水素ガスと炭素
含有ガスを用いるが、通常はＨ２に対する炭素原子の割
合を０．００５〜０．０２位とするのに対し、平坦なダ
イヤモンド薄膜を形成するためにはＨ２に対する炭素原
子の割合を０．０３以上０．０６以下とすることが望ま
しい、０．０６より多くすると、基体上にダイヤモンド
は生成せず、密着性のない黒い媒が形成されてしまう。

又、圧力は５０Ｔｏｒｒ以上が好ましく、より好ましく
は１００Ｔｏｒｒ以上。５０Ｔｏ　ｒ　ｒより圧力を低
くすると媒が生成してくる傾向がある。

以上述べた方法で平坦化したダイヤモンド薄膜の表面粗
さは、接触式表面粗さ計（ＴＥＮＣＯＲＩｎｓｔｒｕｍ
ａｎｔｓ社製、商品名：　ａｌｈａ−ｓｔｅｐ　２００
　）で測定した。膜の一方の端から他方の端までを等間
隔に１０点に分は各点で２ｍｍの長さの表面粗さを測定
し、１０点の平均値をとってこの値をその膜の表面粗さ
とした。

次に発光中心について述べる。

可視における短波長側（紫外〜紫〜青の領域）の発光中
心原子としては、Ｂ、Ｎ、Ｔｅ、Ａｓ。

Ａｕ、Ｍｇ、Ｐ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｔａ、長波長側（橙〜赤
の領域）の発光中心原子としては、ＴＩ、Ｂａ、Ｌｉ、
Ｃｄ、Ｃｓ、Ｉｎ、Ｒａ。

Ｓ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｏ。

Ｃｒ、Ｆｅ、Ｇａ、に、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｏｓ。

Ｐｂ、　Ｒｂ、　Ｒｈ、　Ｓｃ、　Ｔｈ、　Ｖ、　Ｗ、
　Ｙ、又これら２つの中間波長領域（緑〜黄の領域）の
発光中心原子としては、Ｏ，Ａｇ、Ｂｅ、Ｂｉ。

Ｃｕ、Ｇｅ、Ｈｇ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｚｒ、ＡＩ。

Ｉｒ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｓｎを用いる。又、これら元素のハ
ロゲン化物、硫化物、酸化物を用いても良い。

更に発光中心としては、これら炭素と異なる原子や分子
ばかりでなく、ダイヤモンド結晶そのものがもつ結晶欠
陥や転移点、歪み点等の格子欠陥を利用することができ
る。

発光中心となる物質を導入する方法は、上記欠陥の種類
及び濃度を自在に制御する事よりも容易であるため実用
上好ましい。

母結晶炭素原子に対する原子、分子及び、結晶欠陥等の
発光中心の比（ＩＥ／ＩＣと略す）は５×１０−２〜ｌ
Ｘｌ０−’が望ましく、より好ましくは、ｌＸｌ０−’
〜ｌＸｌ０−’の範囲が良い。この比が５Ｘ１０−’を
超えるとダイヤモンド格子がくずれてしまい、発光中心
を励起すべき電子を充分に加速することができなくなる
ことがある。又、ＩＥ／ＩＣが１Ｏ−５以下であると、
発光強度が弱くなってしまう。又更に原子半径が比較的
大きく、共有結合性よりももイオン結合性の大きな原子
を導入する際にダイヤモンド格子をくずさないためには
、ＩＥ／ｒｃをｌＸｌ０−２以下にする事が望ましい。

又、発光の遷移確率は、一般にｄ電子系はＳやｐ電子系
と比べて１／１００程であり、ｄ電子系の発光中心や光
に対して禁制遷移となっている発光中心に対しては、Ｉ
Ｅ／ＩＣをｌＸｌ０−’以上とする事が望ましい。

ダイヤモンド薄膜の形成は、既に公知の気相法（特開昭
５８−５１１００号公報、特開昭５８−１１０４９４号
公報、特公昭６１−２６３２号公報）を用いて行なう、
ただし、ダイヤモンド薄膜の形成方法はこれらの方法に
限定されるものではなく、最終形成状態でのダイヤモン
ド薄膜が平坦であれば、どのような合成方法を用いても
かまわない。

ダイヤモンド形成に用いるガスとしては、メタン、エタ
ン、プロパン、ペンタン等の飽和鎮状炭化水素、ベンゼ
ン、ナフタレン等の不飽和炭化水素、及びこれ等の炭化
水素の一部を一０Ｈ１−Ｃ＝０、−ＣＨｏｌ−Ｃ＝Ｎ、
−ＮＨ２等の置換基で置換したものが可能である。

ダイヤモンド層への発光中心のドーピング方法は、ドー
ピング原料がガスの場合は、ダイヤモンド薄膜形成時に
発光中心元素を含むドーピングガスを用いる。ドーピン
グ原料が液体の場合はバブリング装置を用いて液体原料
をガス化する。固体材料の時は加熱昇化やスパッタによ
って導入する。電界注入型発光素子構成の例を第１図に
示す。

尚、本発明における発光素子の構成は第１図に示された
構成のみに限定されるものではない。

１は石英、透光性アルミナセラミクス等の透明基板、２
はＳｎＯ，やＩＴＯ（Ｉｎ２０．＋５ｎＯ２）等の透明
電極、３はダイヤモンド層、４は単一あるいは複数の金
属からなる電極、５は、直流、交流の電圧電源である。

ダイヤモンド薄膜からなる発光層の厚さは、絶縁破壊を
起さず且つ、比較的低電圧の電源を使用しても充分な発
光強度を得るために好ましくは０．５〜５μｍより好ま
しくは０．７〜３μｍ最適には１〜２μｍが望ましい。

本発明における発光素子においては電圧印加の際、局所
的な高電界の発生を生じず、絶縁破壊を起しにくくする
ために、ダイヤモンド薄膜からなる発光層上に設けられ
る電極は発光層との界面全面に接触するのが好ましい。

又、ダイヤモンド発光層中の発光中心原子の分布は基体
に平行な面内では実質的均一であり、層厚方向には均一
であっても不均一であってもよい。

より高い発光強度を得るためには電界によって加速され
た電子が効率よく発光中心となる元素を励起できるよう
発光中心となる元素を電極側に多く分布させることが望
ましい。

［実施例］ （実施例１） ＳｎＯ，を０，２μｍの厚さにコートした厚さ０．５ｍ
ｍの石英板を平均粒径１５μｍのダイヤモンド砥粒を拡
散させたエタノール中に入れ、２時間超音波処理を行な
った０次に、このように処理した石英基板上にマイクロ
波を用いたＣＶＤ法によってダイヤモンド薄膜を堆積し
た。

成膜ガスは、ＣＨ４，Ｈ，を用い、それぞれ５ＳＣＣＭ
、１１０００３ＣＣの流量にした。

ドーピングガスとしては、シランガス、ジエチル亜鉛、
トリメチルアルミニウムの３種類を同時に用いた。これ
らのガスの導入方法及び流量は、シランガスは水素希釈
で濃度１１０００ｐｐのものを０．５３ＣＣＭ、ジエチ
ル亜鉛は、水素希釈で、濃度０．２％のものを０．５Ｓ
ＣＣＭ、　　トリメチルアルミニウムは水素ガスをキャ
リヤーとして、濃度０．５％のものを０．４ＳＣＣＭの
流量で、それぞれ導入した。

成膜条件は、マイクロ被電力ｓｏｏｗ、基板温度８００
℃、圧力を６０Ｔｏｒｒとした。

４時間の成膜後、ダイヤモンド発光層の厚みは１゜５μ
ｍとなった。これにＳｉ３Ｎ４を７０００人蒸着レムア
ルゴンイオンビームでエツチングした。条件は加速電圧
２０ｋＶ、圧力４Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ、基体温度３基体
温度３フ０ ＲＭＳ４５０人，膜厚は１μｍであった。

又、２次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）によって、Ｓｉ
，Ｚｎ，ＡＩの濃度は５００，３００。

４００ｐｐｍであった，ＳＩＭＳによる定量分析は充分
な精度がないためこれらの値には５０％程の範囲で誤差
が含まれている。

次にこのダイヤそンド薄膜上に電極用金属としてＴｉ，
Ｃｒ，Ａｕを順番にそれぞれ５００人，５００人，１０
００人蒸着レム。Ａｕ−ＳｎＯ２間に周波高１０ＫＨｚ
の交流電場をかけると、印加電圧６０Ｖから白色の発光
が始まり、発光強度は１０５Ｖで飽和した。発光強度は
１５００ｆＬであった。

（実施例２） 実施例１と同様の基板を用いマイクロ波ＣＶＤ法により
ダイヤモンド薄膜を堆積した。

成膜ガスは、Ｃ２Ｈ，ＯＨ，Ｈ２を用い、それぞれＩＳ
ＣＣＭ，１１００ＯＳＣＣの流量にした。ドーピングガ
スとしては、ＮＨ，ガスを用い、その流量は０．５３Ｃ
ＣＭとした。

そして、マイクロ波電力４００Ｗ，基体温度７５０℃，
圧力６０Ｔｏｒｒの条件下で４時間成膜したところ、ダ
イヤモンド薄膜の厚みは２μｍとなった，Ｓｉ，Ｈ４を
蒸着し、５００℃に加熱した鉄板で、この膜を５時間研
磨した後のダイヤモンド薄膜の表面粗さはＲＭＳ４３０
人で膜厚は１．１μｍであった。Ｎの濃度はＳＩＭＳの
測定より２Ｘ１０’ｐｐｍであった。

次にこのダイヤモンド薄膜上に電極用金属としててＴｉ
，Ｃｒ，Ａｕを順番にそれぞれ５００人，５００人，１
ｏｏｏ人蒸着した，Ａｕ−ＳｎＯ２間に周波数１０ｋＨ
ｚの交流電場をかけると印加電圧７０Ｖから青色の発光
が始まり、発光強度は１２０ｖで飽和した０発光のスペ
クトルのピークは４３５ｎｍであった０発光強度は発光
強度は１７００ｆＬであった。

（実施例３） 実施例１の５ｎ０２をコートした石英基板を用いてＷ−
フィラメント法により膜厚１．５μｍのダイヤモンド薄
膜を合成した。フィラメント温度２１００℃、基板温度
８４０℃、圧力は１００Ｔｏｒｒ、ＣＨ４，Ｈ２の流量
はそれぞれ、４ＳＣＣＭ、１１００ＯＳＣＣにした。こ
の時同時に、ドーピングガスとしてトリメチルテルルを
、キャリヤーガスを水素ガスとして、濃度０．２％で、
０．５５ＣＣＭ導入した。３時間の成膜で約２μｍのダ
イヤモンド薄膜が析出した。Ｓｔ、Ｈ４を５０００人蒸
着０．０２プラズマでエツチングした。エツチング後の
膜厚は１μｍ１表面粗さはＲＭＳ４００人であった。テ
ルルの濃度はＳＩＭＳの結果より２ＸｆＯ”ｐｐｍであ
った。

次にこのダイヤモンド薄膜上に電極用金属としてＴｉ、
Ｃｒ、Ａｕを順番にそれぞれＳＯＯ人。

５００人、１０００人蒸着レム。Ａ　ｕ　−Ｓ　ｕ　Ｏ
２間に周波数５ＫＨｚの交流電場を印加すると、８０Ｖ
から発光が始まり１２０Ｖで飽和した。青色の発光を示
し、ピーク波長は４７５ｎｍであった。発光強度は１３
００ｆＬであった。

（実施例４） 実施例１と同様の基板を用いマイクロ波ＣＶＤ法により
ダイヤモンド薄膜を堆積した。

成膜ガスは、ＣＨ４とＨ７を用い、その流量を４ＳＣＣ
Ｍ、１１００５ＣＣとした。ドーピングガスとしてはト
リメチルガリウムを用い、流量はＩ　ＳＣＣＭにした。

そして、マイクロ波電力３００Ｗ、基体温度５８０℃、
圧力２００Ｔｏｒｒの条件下で３時間成膜したところ、
ダイヤモンド薄膜の厚みは１．３μｍとなった。又、表
面粗さはＲＭＳ４００人で走査顕微鏡によってダイヤモ
ンド薄膜の表面を観察すると、およそ１μｍ四方の四角
錘の結晶面がランダムに多数存在し、四角の結晶面の間
は２００〜１０００人程０細かい２次核のダイヤモンド
によって埋められていた。ガリウムの含有量はＳＩＭＳ
によれば１５０ｐｐｍであった。

次にこのダイヤモンド薄膜上に実施例３と同様にして電
極を形成した。Ａ　ｕ　−Ｓ　ｎ　Ｏ、間に周波数１０
ＫＨｚの交流電場を印加すると、８０ｖから発光が始ま
り１２０　ｔ／で飽和した０発光色は赤で、発光スペク
トルのピーク波長は６３０ｎｍであった０発光強度は９
００ｆＬであった。

（実施例５） 実施例１と同様の基板を用いマイクロ波ＣＶＤ法により
ダイヤモンド薄膜を堆積した。マイクロ波電力３００Ｗ
、基体温度６００℃、圧力Ｚｏ。

Ｔｏｒｒの条件下でガスの流し方を第１表のよう第１表 このダイヤモンド薄膜を５００℃の鉄板を用いて４０分
研磨するとダイヤモンド薄膜の表面粗さはＲＭＳ３５０
人となり、膜厚は１．０μｍであった。

この膜中のＧａ元素の分析をＳＩＭＳによって行なうと
第２図のようになった。

次にこのダイヤモンド薄膜上に実施例３と同様にして電
極を形成した。Ａ　ｕ　　Ｓ　ｎ　０２間に周波数２８
ＫＨｚの交流電場を印加すると、８５Ｖから発光が始ま
り１２５ｖで飽和した。発光は赤で発光スペクトルのピ
ーク波長は６３０ｎｍであつた。発光強度は１５００ｆ
Ｌであった。

〔発明の効果］ 本発明は電界注入型の発光素子に平坦な表面のダイヤモ
ンドＦｉｉ膜発光層を有しているので、電界が局所的に
集中せず、電気的に耐圧のある発光素子を提供し得、し
かも高輝度で可視光領域全体をカバーし、高輝度で青色
発光さえも可能であり、且つ化学的に安定な長期使用の
できる薄膜発光素子を形成できた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に用いたＥＬ発光素子の素子構成を示す
図である。 第２図は、ダイヤモンド薄膜の膜厚方向のＳＩＭＳによ
フて行なったＧａの分布を示す図である。 １・・・石英基板 ２・・・透明電極 ３・・・ダイヤモンド発光層 ４・・・上部電極 ５・・・電圧電源

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）　電界注入型発光素子において、平坦な表面を有
   するダイヤモンド薄膜を構成層とする発光層を備えたこ
   とを特徴とする電界注入型発光素子。
2. （２）　前記ダイヤモンド薄膜の表面は、ＲＭＳ５００
   Å以下の平滑性を有し、この面に電極が配設されている
   事を特徴とする請求項１記載の電界注入型発光素子。