JPH0158839B2 - - Google Patents
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、ケイ素を含む非晶質半導体薄膜を用
いた電場発光型の発光素子に関する。
いた電場発光型の発光素子に関する。
最近、極めて薄い半導体薄膜の形成技術が、分
子線エピタキシー（MBE）法等を用いることに
より発展してきた。例えば、極薄のGaAs／
GaAlAsを多数積層した量子ウエル構造をもつ素
子が試作され始めている。このような構造の素子
は従来のバルク材料あるいは単一薄膜を用いた素
子とは異なる電子的、光学的特性を示す。しかし
ながら、MBE法等により得られる結晶薄膜の積
層においては、格子不整の存在のため半導体材料
の選択に制約がある。またMBE装置は超高真空
が必要なためきわめて大掛りであり、しかも結晶
を成長させるために高温を必要とする。これらの
理由で結晶薄膜の積層構造の素子が高価なものと
なる。
子線エピタキシー（MBE）法等を用いることに
より発展してきた。例えば、極薄のGaAs／
GaAlAsを多数積層した量子ウエル構造をもつ素
子が試作され始めている。このような構造の素子
は従来のバルク材料あるいは単一薄膜を用いた素
子とは異なる電子的、光学的特性を示す。しかし
ながら、MBE法等により得られる結晶薄膜の積
層においては、格子不整の存在のため半導体材料
の選択に制約がある。またMBE装置は超高真空
が必要なためきわめて大掛りであり、しかも結晶
を成長させるために高温を必要とする。これらの
理由で結晶薄膜の積層構造の素子が高価なものと
なる。
一方最近、ガス原料のグロー放電分解等により
得られる非晶質の水素化ケイ素（ａ−Si：Ｈ）膜
が半導体特性を有することを利用して、種々の素
子への応用が試みられている。例えばａ−Si：Ｈ
薄膜を用いた発光素子としてpin構造のものが試
作されている。しかしこの発光素子は、発光効率
が極めて低く、しかも77〓という低温で赤〜赤外
領域の発光が観測されているのみであり、実用的
には程遠いものである。
得られる非晶質の水素化ケイ素（ａ−Si：Ｈ）膜
が半導体特性を有することを利用して、種々の素
子への応用が試みられている。例えばａ−Si：Ｈ
薄膜を用いた発光素子としてpin構造のものが試
作されている。しかしこの発光素子は、発光効率
が極めて低く、しかも77〓という低温で赤〜赤外
領域の発光が観測されているのみであり、実用的
には程遠いものである。
本発明は上記の点に鑑みなされたもので、ケイ
素を含む非晶質半導体薄膜を用いて低電圧駆動で
高輝度特性が得られる構造とした発光素子を提供
することを目的とする。
素を含む非晶質半導体薄膜を用いて低電圧駆動で
高輝度特性が得られる構造とした発光素子を提供
することを目的とする。
本発明は、禁制帯幅の異なるケイ素を含む非晶
質半導体薄膜を交互に種層して量子ウエルを形成
した発光層を用いる。即ち、第１の電極が形成さ
れた基板上に、禁制帯幅E1なるケイ素を含む第
１の非晶質半導体薄膜で禁制帯幅E2（ただしE1＞
E2）なるケイ素を含む第２の非晶質半導体薄膜
を挾んだ構造を単位発光層としてこれを一層以上
積層し、この発光層表面に第２の電極を設けて発
光素子を構成する。
質半導体薄膜を交互に種層して量子ウエルを形成
した発光層を用いる。即ち、第１の電極が形成さ
れた基板上に、禁制帯幅E1なるケイ素を含む第
１の非晶質半導体薄膜で禁制帯幅E2（ただしE1＞
E2）なるケイ素を含む第２の非晶質半導体薄膜
を挾んだ構造を単位発光層としてこれを一層以上
積層し、この発光層表面に第２の電極を設けて発
光素子を構成する。
本発明によれば、結晶薄膜の場合と異なり異種
薄膜の積層構造の形成に際して格子不整を考慮す
る必要がなく、接合界面の特性が良好な発光層を
得ることができる。例えば量子ウエルとなる第２
の非晶質半導体薄膜として水素を含む非晶質ケイ
素（ａ−Si：Ｈ）、バリア部となる第１の非晶質
半導体薄膜として水素を含む非晶質炭化ケイ素
（ａ−SiC：Ｈ）を用い、これらをグロー放電分
解法により交互に積層して発光層を形成する。こ
の場合、低温で膜形成が可能であるため相互拡散
が小さく、放電のオンオフにより膜の堆積を切れ
よく制御することができるため、量子ウエルとバ
リアの遷移領域幅を10Å程度とすることが容易で
ある。そして、量子ウエル部となるａ−Si：Ｈ膜
を10〜100Å、バリア部となるａ−SiC：Ｈ膜を
100〜1000Åとすると、優れた量子効果が得られ
る。即ち、量子ウエル部の禁制帯幅はE2＝1.8〜
2.0eV、バリア部の禁制帯幅はE1＝2.8〜3.2eVと
なつてその遷移領域での電界強度は４〜７×
106V／cmにも達し、伝導帯を走行するキヤリア
が強く加速されて電子なだれ増倍効果が強調され
る結果、外部印加電圧を低くしても常温で発光す
る高い発光効率が得られる。このことは、発光素
子と他のデバイスとの整合性がとり易くなること
を意味し、また平均的な内部電界が小さくて済む
ため発光素子の安定性向上が図られる。また量子
効果によつて、発光層の平均的な禁制帯幅が見か
け上量子ウエル部のそれより広くなる結果、可視
領域の発光も可能となる。
薄膜の積層構造の形成に際して格子不整を考慮す
る必要がなく、接合界面の特性が良好な発光層を
得ることができる。例えば量子ウエルとなる第２
の非晶質半導体薄膜として水素を含む非晶質ケイ
素（ａ−Si：Ｈ）、バリア部となる第１の非晶質
半導体薄膜として水素を含む非晶質炭化ケイ素
（ａ−SiC：Ｈ）を用い、これらをグロー放電分
解法により交互に積層して発光層を形成する。こ
の場合、低温で膜形成が可能であるため相互拡散
が小さく、放電のオンオフにより膜の堆積を切れ
よく制御することができるため、量子ウエルとバ
リアの遷移領域幅を10Å程度とすることが容易で
ある。そして、量子ウエル部となるａ−Si：Ｈ膜
を10〜100Å、バリア部となるａ−SiC：Ｈ膜を
100〜1000Åとすると、優れた量子効果が得られ
る。即ち、量子ウエル部の禁制帯幅はE2＝1.8〜
2.0eV、バリア部の禁制帯幅はE1＝2.8〜3.2eVと
なつてその遷移領域での電界強度は４〜７×
106V／cmにも達し、伝導帯を走行するキヤリア
が強く加速されて電子なだれ増倍効果が強調され
る結果、外部印加電圧を低くしても常温で発光す
る高い発光効率が得られる。このことは、発光素
子と他のデバイスとの整合性がとり易くなること
を意味し、また平均的な内部電界が小さくて済む
ため発光素子の安定性向上が図られる。また量子
効果によつて、発光層の平均的な禁制帯幅が見か
け上量子ウエル部のそれより広くなる結果、可視
領域の発光も可能となる。
以下本発明の実施例を説明する。第１図は一実
施例の発光素子の断面構造を示している。１１は
ガラス等の透明絶縁基板であり、この上に第１の
電極として透明導電膜（SnO2、In2O3、In2O3・
SnO2等）を用いた透明電極１２が形成され、こ
の上にY2O3等の透明絶縁膜１３を介してケイ素
を含む非晶質半導体膜の積層構造からなる発光層
１４が形成されている。発光層１４の表面には
Y2O3等の絶縁膜１５を介して第２の電極である
金属電極１６が形成されている。
施例の発光素子の断面構造を示している。１１は
ガラス等の透明絶縁基板であり、この上に第１の
電極として透明導電膜（SnO2、In2O3、In2O3・
SnO2等）を用いた透明電極１２が形成され、こ
の上にY2O3等の透明絶縁膜１３を介してケイ素
を含む非晶質半導体膜の積層構造からなる発光層
１４が形成されている。発光層１４の表面には
Y2O3等の絶縁膜１５を介して第２の電極である
金属電極１６が形成されている。
なおこの構造は、基板側を光の出射側とする場
合である。基板に不透明な金属等を用いた場合に
は、上面の第２の電極および絶縁膜を透明材料で
形成すればよい。
合である。基板に不透明な金属等を用いた場合に
は、上面の第２の電極および絶縁膜を透明材料で
形成すればよい。
発光層１４は第１の半導体薄膜としてａ−
SiC：Ｈ、第２の半導体薄膜としてａ−Si：Ｈを
用いた積層構造であつて、第２図ａに示すとおり
である。即ち、基板側にまず、ａ−SiC：Ｈ膜１
４a1を500〜2000Å形成し、この上にａ−Si：Ｈ
膜１４b1をd1＝10〜100Åの厚さに、続いてａ−
SiC：Ｈ膜１４a2をd2＝100〜1000Åの厚さに形成
し、以下同様の繰返しでａ−Si：Ｈ／ａ−SiC：
Ｈの積層構造を得る。最上層のａ−SiC：Ｈ膜１
４aoは最下層と同様に500〜2000Åとする。
SiC：Ｈ、第２の半導体薄膜としてａ−Si：Ｈを
用いた積層構造であつて、第２図ａに示すとおり
である。即ち、基板側にまず、ａ−SiC：Ｈ膜１
４a1を500〜2000Å形成し、この上にａ−Si：Ｈ
膜１４b1をd1＝10〜100Åの厚さに、続いてａ−
SiC：Ｈ膜１４a2をd2＝100〜1000Åの厚さに形成
し、以下同様の繰返しでａ−Si：Ｈ／ａ−SiC：
Ｈの積層構造を得る。最上層のａ−SiC：Ｈ膜１
４aoは最下層と同様に500〜2000Åとする。
こうして得られる発光層１４のエネルギーバン
ド図は第２図ｂに示すようになる。
ド図は第２図ｂに示すようになる。
このような発光層１４のグロー放電分解による
形成方法を第３図を参照して説明する。原料ガス
Ａはａ−SiC：Ｈ膜形成用のHeをキヤリアとする
テトラメチルシランであり、原料ガスＢはａ−
Si：Ｈ膜形成用のHeをキヤリアとするシランで
ある。それぞれ質量流量計によつて供給量が制御
され、バルブ２１の操作により交互に切換えられ
て反応チヤンバ２２に供給されるようになつてい
る。
形成方法を第３図を参照して説明する。原料ガス
Ａはａ−SiC：Ｈ膜形成用のHeをキヤリアとする
テトラメチルシランであり、原料ガスＢはａ−
Si：Ｈ膜形成用のHeをキヤリアとするシランで
ある。それぞれ質量流量計によつて供給量が制御
され、バルブ２１の操作により交互に切換えられ
て反応チヤンバ２２に供給されるようになつてい
る。
まず反応チヤンバ２２内の基板ホルダ２３に基
板２４をセツトする。この基板２４は既に述べた
ように第１の電極が形成され、その上に絶縁膜が
形成されたものである。本実施例ではガラス基板
上にITO膜とY2O3膜をEB蒸着によりそれぞれ
3000Å形成したものを用いた。この後、排気系２
５を用いてチヤンバ２２内を真空に排出する。
10-6Torr以下の真空に達した後、基板２４をヒ
ータ２６により所定温度に加熱、原料Ａをチヤン
バ２２内に流す。このときチヤンバ２２内の圧力
を１〜5Torrの範囲に、基板温度を室温〜約350
℃に、また原料ガスＡの流入量をテトラメチルシ
ランの量として１〜10c.c.／分に保つ。本実施例で
は圧力4Torr、基板温度300℃、テトラメチルシ
ラン流量８c.c.／分とした。
板２４をセツトする。この基板２４は既に述べた
ように第１の電極が形成され、その上に絶縁膜が
形成されたものである。本実施例ではガラス基板
上にITO膜とY2O3膜をEB蒸着によりそれぞれ
3000Å形成したものを用いた。この後、排気系２
５を用いてチヤンバ２２内を真空に排出する。
10-6Torr以下の真空に達した後、基板２４をヒ
ータ２６により所定温度に加熱、原料Ａをチヤン
バ２２内に流す。このときチヤンバ２２内の圧力
を１〜5Torrの範囲に、基板温度を室温〜約350
℃に、また原料ガスＡの流入量をテトラメチルシ
ランの量として１〜10c.c.／分に保つ。本実施例で
は圧力4Torr、基板温度300℃、テトラメチルシ
ラン流量８c.c.／分とした。
チヤンバ２２内が定常状態になつた後、高周波
電源２７から電力を印加すると、テトラメチルシ
ランがグロー放電により分解し、基板２４上にａ
−SiC：Ｈ膜が堆積し始める。このとき高周波電
力の密度は0.02〜0.3W/cm2が望ましく、本実施例
では0.1W/cm2とし、第１層のａ−SiC：Ｈ膜を
1000Å形成した。
電源２７から電力を印加すると、テトラメチルシ
ランがグロー放電により分解し、基板２４上にａ
−SiC：Ｈ膜が堆積し始める。このとき高周波電
力の密度は0.02〜0.3W/cm2が望ましく、本実施例
では0.1W/cm2とし、第１層のａ−SiC：Ｈ膜を
1000Å形成した。
この後、放電を停止し、原料ガスＡの供給も停
止して再びチヤンバ２２内を十分に排気する。そ
して原料ガスＢを反応チヤンバ２２内に供給し、
チヤンバ２２内圧力１〜5Torr、シランガス流量
５〜20c.c.／分となるように調整する。本実施例で
はガス圧力4Torr、シラン流量15c.c.／分とした。
この後放電をおこして、印加電力を0.05W/cm2と
し、量子ウエル部となるａ−Si：Ｈ膜を10〜100
Å堆積する。本実施例では30Åの厚さとした。
止して再びチヤンバ２２内を十分に排気する。そ
して原料ガスＢを反応チヤンバ２２内に供給し、
チヤンバ２２内圧力１〜5Torr、シランガス流量
５〜20c.c.／分となるように調整する。本実施例で
はガス圧力4Torr、シラン流量15c.c.／分とした。
この後放電をおこして、印加電力を0.05W/cm2と
し、量子ウエル部となるａ−Si：Ｈ膜を10〜100
Å堆積する。本実施例では30Åの厚さとした。
次に再び放電停止、バルブ操作を行つた後、原
料ガスＡを用いて前記と同様の条件でａ−SiC：
Ｈ膜を100〜1000Å堆積する。本実施例では100Å
とした。
料ガスＡを用いて前記と同様の条件でａ−SiC：
Ｈ膜を100〜1000Å堆積する。本実施例では100Å
とした。
以下同様の操作を繰返して、10層のａ−Si：Ｈ
膜（厚さ30Å）と11層のａ−SiC：Ｈ膜（最下層
および最上層が1000Å、それ以外は100Å）を交
互に積層した発光層を得た。
膜（厚さ30Å）と11層のａ−SiC：Ｈ膜（最下層
および最上層が1000Å、それ以外は100Å）を交
互に積層した発光層を得た。
発光層上部の絶縁膜１５、第２の電極１６とし
て本実施例では、EB蒸着による3000ÅのY2O3
膜、真空蒸着による2μmのAl膜をそれぞれ形成
した。
て本実施例では、EB蒸着による3000ÅのY2O3
膜、真空蒸着による2μmのAl膜をそれぞれ形成
した。
こうして得られた発光素子は、交流電界の印加
により従来より高輝度の発光特性を示す。即ち、
発光層の両端にかかる電位差をＶ、発光層の厚み
をｌとすると、発光層には平均電界Ｖ／ｌがかか
り、これにより伝導帯の電子は加速される。一方
本実施例の素子では、この平均電界の他に第４図
に示すエネルギーバンド図から明らかなように、
SiC：Ｈ膜とSi：Ｈ膜の遷移領域（〜10Å）のバ
ンドエツジの差により局所的かつ周期的に４〜７
×106V／cmの強電界が形成される。この結果、
電子なだれ増倍が強調され、従来よりも低い印加
電圧で、しかも常温で発光を生ずる。また従来と
同程度の発光強度を得るには印加電圧が従来より
低くてよく、しかも多数の薄膜の積層構造である
ためピンホールによる短絡事故もなく、従つて発
光素子の破壊が防止される。
により従来より高輝度の発光特性を示す。即ち、
発光層の両端にかかる電位差をＶ、発光層の厚み
をｌとすると、発光層には平均電界Ｖ／ｌがかか
り、これにより伝導帯の電子は加速される。一方
本実施例の素子では、この平均電界の他に第４図
に示すエネルギーバンド図から明らかなように、
SiC：Ｈ膜とSi：Ｈ膜の遷移領域（〜10Å）のバ
ンドエツジの差により局所的かつ周期的に４〜７
×106V／cmの強電界が形成される。この結果、
電子なだれ増倍が強調され、従来よりも低い印加
電圧で、しかも常温で発光を生ずる。また従来と
同程度の発光強度を得るには印加電圧が従来より
低くてよく、しかも多数の薄膜の積層構造である
ためピンホールによる短絡事故もなく、従つて発
光素子の破壊が防止される。
より具体的に説明すれば、従来のａ−Si：Ｈを
用いたEL素子では発光層3000Åに対して106V／
cmの電界ではじめて発光が観測されるのに対し、
積層構造の発光層3200Åの本実施例の場合、これ
より１桁低い電界で発光が認められた。
用いたEL素子では発光層3000Åに対して106V／
cmの電界ではじめて発光が観測されるのに対し、
積層構造の発光層3200Åの本実施例の場合、これ
より１桁低い電界で発光が認められた。
しかも本実施例では量子的効果により従来より
短波長の発光が認められた。
短波長の発光が認められた。
以上の実施例は、発光層の両面に絶縁膜を介し
て電極を設けたAC駆動型の場合であるが、本発
明はDC駆動型にも適用できる。その実施例を次
に説明する。
て電極を設けたAC駆動型の場合であるが、本発
明はDC駆動型にも適用できる。その実施例を次
に説明する。
発光層の両面にはｐ型層、ｎ型層をそれぞれ設
ける。ｐ型層を得る場合にはドーパントとして
Ｂ、Al等の族元素を、ｎ型層を得る場合には
ドーパントとしてＰ、Sb、As等のＶ族元素をそ
れぞれ用いる。例えば、第１のSiC：Ｈ膜の形成
には予め混合したシランとメタンの混合ガス（混
合比１対１〜１対10）を原料ガスとし、ドーパン
トとして上記した族又はＶ族元素のガス状化合
物を用いる。ドーパントガスと混合ガスとのモル
比は１〜５対100程度とする。このｐ型層、ｎ型
層の形成は、第３図に示す装置にドーパントガス
供給系を付加することで行うことができる。
ける。ｐ型層を得る場合にはドーパントとして
Ｂ、Al等の族元素を、ｎ型層を得る場合には
ドーパントとしてＰ、Sb、As等のＶ族元素をそ
れぞれ用いる。例えば、第１のSiC：Ｈ膜の形成
には予め混合したシランとメタンの混合ガス（混
合比１対１〜１対10）を原料ガスとし、ドーパン
トとして上記した族又はＶ族元素のガス状化合
物を用いる。ドーパントガスと混合ガスとのモル
比は１〜５対100程度とする。このｐ型層、ｎ型
層の形成は、第３図に示す装置にドーパントガス
供給系を付加することで行うことができる。
具体的な実施例を説明すると、ガラス基板上に
ITO膜をEB蒸着により3000Å形成した基板をチ
ヤンバ内にセツトする。シランとメタンの混合ガ
ス（シラン対メタン＝１対５）をシラン流量５
c.c.／分に設定してチヤンバ内に供給し、同時にド
ーパントガスB2H6を上記混合ガスに対して２モ
ル％の割合で供給する。そしてチヤンバ内圧力
2.0Torr、基板温度250℃、印加高周波電力0.05
Ｗ／cm2の条件で150Åのｐ型ａ−SiC：Ｈ膜を形成
した。この後、先の実施例と同様に、ａ−Si：Ｈ
膜とａ−SiC：Ｈ膜の積層構造を形成する。即
ち、ａ−SiC：Ｈ膜は上記したシランとメタンの
混合ガスを上記と同じ条件で供給して高周波電力
0.2W/cm2の印加により、又ａ−Si：Ｈ膜の形成に
はシランのみを２c.c.／分で供給し、高周波電力
0.2W/cm2の印加により、それぞれ膜厚150Å、50
Åとして交互に15層ずつ形成した。そして最上層
にPH3ガスの供給系を利用してｐ型層形成と同様
の条件で150Åのｎ型ａ−SiC：Ｈ膜を形成して
発光層とした。この発光層表面にはAl電極を真
空蒸着により2μm形成した。
ITO膜をEB蒸着により3000Å形成した基板をチ
ヤンバ内にセツトする。シランとメタンの混合ガ
ス（シラン対メタン＝１対５）をシラン流量５
c.c.／分に設定してチヤンバ内に供給し、同時にド
ーパントガスB2H6を上記混合ガスに対して２モ
ル％の割合で供給する。そしてチヤンバ内圧力
2.0Torr、基板温度250℃、印加高周波電力0.05
Ｗ／cm2の条件で150Åのｐ型ａ−SiC：Ｈ膜を形成
した。この後、先の実施例と同様に、ａ−Si：Ｈ
膜とａ−SiC：Ｈ膜の積層構造を形成する。即
ち、ａ−SiC：Ｈ膜は上記したシランとメタンの
混合ガスを上記と同じ条件で供給して高周波電力
0.2W/cm2の印加により、又ａ−Si：Ｈ膜の形成に
はシランのみを２c.c.／分で供給し、高周波電力
0.2W/cm2の印加により、それぞれ膜厚150Å、50
Åとして交互に15層ずつ形成した。そして最上層
にPH3ガスの供給系を利用してｐ型層形成と同様
の条件で150Åのｎ型ａ−SiC：Ｈ膜を形成して
発光層とした。この発光層表面にはAl電極を真
空蒸着により2μm形成した。
こうして得られた発光素子に順方向直流バイア
スを印加したとき、エネルギーバンド図は第５図
に示すようになり、印加電圧5V、電流密度1A／
cm2で可視領域の発光が認められた。
スを印加したとき、エネルギーバンド図は第５図
に示すようになり、印加電圧5V、電流密度1A／
cm2で可視領域の発光が認められた。
尚、以上の実施例では非晶質炭化ケイ素及び非
晶質ケイ素は原料ガスの低圧グロー放電分解によ
り形成したが、その他熱分解、光分解等によつて
も製造可能である。
晶質ケイ素は原料ガスの低圧グロー放電分解によ
り形成したが、その他熱分解、光分解等によつて
も製造可能である。
第１図は本発明の一実施例の発光素子を示す断
面図、第２図ａ，ｂはその発光層の積層構造拡大
図とエネルギーバンド図、第３図はグロー放電分
解による膜形成装置を示す図、第４図は前記発光
層の電圧印加時のエネルギーバンド図、第５図は
別の実施例の発光層の電圧印加時のエネルギーバ
ンド図である。 １１…透明絶縁基板、１２…透明電極（第１の
電極）、１３，１５…絶縁膜、１４…発光層、１
４a1，１４a2，…１４ao…ａ−SiC：Ｈ膜（第１の
半導体薄膜）、１４b1，１４b2，…１４bo-1…ａ−
Si：Ｈ膜（第２の半導体薄膜）。
面図、第２図ａ，ｂはその発光層の積層構造拡大
図とエネルギーバンド図、第３図はグロー放電分
解による膜形成装置を示す図、第４図は前記発光
層の電圧印加時のエネルギーバンド図、第５図は
別の実施例の発光層の電圧印加時のエネルギーバ
ンド図である。 １１…透明絶縁基板、１２…透明電極（第１の
電極）、１３，１５…絶縁膜、１４…発光層、１
４a1，１４a2，…１４ao…ａ−SiC：Ｈ膜（第１の
半導体薄膜）、１４b1，１４b2，…１４bo-1…ａ−
Si：Ｈ膜（第２の半導体薄膜）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１の電極が形成された基板上に、禁制帯幅
E1なるケイ素を含む第１の非晶質半導体薄膜と
禁制帯幅E2（ただしE1＞E2）なるケイ素を含む第
２の非晶質半導体薄膜をこの順に交互に積層して
内部に少くとも一つの量子ウエルを形成した発光
層を構成し、この発光層表面に第２の電極を設け
てなることを特徴とする発光素子。 ２ 第１の非晶質半導体薄膜は水素を含む非晶質
炭化ケイ素であり、第２の非晶質半導体膜は水素
を含む非晶質ケイ素である特許請求の範囲第１項
記載の発光素子。 ３ 発光層の最上層および最下層を除く第１の非
晶質半導体薄膜の膜厚を100〜1000Åとし、量子
ウエル部となる第２の非晶質半導体薄膜の膜厚を
10〜100Åとした特許請求の範囲第１項記載の発
光素子。 ４ 第１および第２の非晶質半導体薄膜はケイ素
を含む原料ガスの分解により堆積したものである
特許請求の範囲第１項記載の発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58056171A JPS59181683A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58056171A JPS59181683A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59181683A JPS59181683A (ja) | 1984-10-16 |
| JPH0158839B2 true JPH0158839B2 (ja) | 1989-12-13 |
Family
ID=13019649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58056171A Granted JPS59181683A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59181683A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6050979A (ja) * | 1983-08-30 | 1985-03-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光半導体装置 |
| JPS6066880A (ja) * | 1983-09-24 | 1985-04-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光半導体装置 |
| JPS6066881A (ja) * | 1983-09-24 | 1985-04-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光半導体装置 |
| JPS61165993A (ja) * | 1985-01-17 | 1986-07-26 | 株式会社小糸製作所 | 超薄膜半導体光学装置 |
| JPH0750795B2 (ja) * | 1985-03-28 | 1995-05-31 | キヤノン株式会社 | 発光素子 |
| DE4345229C2 (de) * | 1993-09-30 | 1998-04-09 | Reinhard Dr Schwarz | Verfahren zum Herstellen von lumineszenten Elementstrukturen und Elementstrukturen |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP58056171A patent/JPS59181683A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59181683A (ja) | 1984-10-16 |
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