JPS61253794A - 発光素子の製造法 - Google Patents
発光素子の製造法Info
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- JPS61253794A JPS61253794A JP60094111A JP9411185A JPS61253794A JP S61253794 A JPS61253794 A JP S61253794A JP 60094111 A JP60094111 A JP 60094111A JP 9411185 A JP9411185 A JP 9411185A JP S61253794 A JPS61253794 A JP S61253794A
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- single crystal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
、（産業上の利用分野〕
本発明は、ＭＯ−ＣＶＤ法により単結晶基板上にＺｎＳ
：Ｘ薄膜を形成させる工程を含む発光素子の製造法であ
る。
：Ｘ薄膜を形成させる工程を含む発光素子の製造法であ
る。
本発明は単結晶基板上に発光素子を形成する際に、ＭＯ
−ＣＶＤ法全用いてｚｎＳ：Ｘ薄膜を形成することで、
高い生産性と高発光効率を実現するものである。また、
同素子をアレイ化又はマトリクス化することによりその
機能性は高まり、また製造工程は薄膜形成技術であるか
らその信頼性・微細加工性は高い。
−ＣＶＤ法全用いてｚｎＳ：Ｘ薄膜を形成することで、
高い生産性と高発光効率を実現するものである。また、
同素子をアレイ化又はマトリクス化することによりその
機能性は高まり、また製造工程は薄膜形成技術であるか
らその信頼性・微細加工性は高い。
また、本発明は、製造工程を変えることにより、多くの
半導体発光素子、ＭＩＳ型（Ｍｅｔａｌ −Ｉｎｓ −
ｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ）発光ダ
イオード、ＭＩＳ型ＥＬ素子、二重絶縁型ＥＬ素子など
に応用することができる。
半導体発光素子、ＭＩＳ型（Ｍｅｔａｌ −Ｉｎｓ −
ｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ）発光ダ
イオード、ＭＩＳ型ＥＬ素子、二重絶縁型ＥＬ素子など
に応用することができる。
１〔−従来の技術〕
単結晶基板上に発光素子を形成する技術とじては、真空
蒸着法（昭和５９年度秋季、第４５回応用物理学会学術
講演会講演予鴇集Ｐ、４９７ １４ｐ−Ｇ−８）、ＭＢ
Ｅ法（Ｍｏ１ｅｃｕｌａｒ −Ｂｅａｍ−Ｅｐｉ −ｔ
ａｘｙ ） （Ｊ、 ｏｆＡｐｐｌ Ｐｈｙｓ ５２
、９ （１９８１）５７９７−５７９９ ）等が従来
試みられているｏしかし、蒸着法によりエピタキシャル
成長させた結晶薄膜は、結晶性・配向性の優れたものを
得るのは難かしく、またＭＢＥ法の場合、かなり優れた
結晶薄膜を得ることが可能だが、ランニングコストがか
かるなどの理由で生産性は乏しい。
蒸着法（昭和５９年度秋季、第４５回応用物理学会学術
講演会講演予鴇集Ｐ、４９７ １４ｐ−Ｇ−８）、ＭＢ
Ｅ法（Ｍｏ１ｅｃｕｌａｒ −Ｂｅａｍ−Ｅｐｉ −ｔ
ａｘｙ ） （Ｊ、 ｏｆＡｐｐｌ Ｐｈｙｓ ５２
、９ （１９８１）５７９７−５７９９ ）等が従来
試みられているｏしかし、蒸着法によりエピタキシャル
成長させた結晶薄膜は、結晶性・配向性の優れたものを
得るのは難かしく、またＭＢＥ法の場合、かなり優れた
結晶薄膜を得ることが可能だが、ランニングコストがか
かるなどの理由で生産性は乏しい。
本発明は単結晶基板上に発光素子を形成する際呵、ＭＯ
−ＣＶＤ法を用いてＺｎｓ：Ｘ薄膜を形成することが特
徴である。更に表面に低抵抗層を有する半絶縁性単結晶
基板等を成長、の基台として用い、それをストライプ状
に分断したり、上側の電！Ｌｔ−ストライプ状に形成し
九すする事により、アレイ化ｉマトリクス化が可能であ
り、よシ機能性の高い発光素子の作製が可能であるのも
その特徴である。
−ＣＶＤ法を用いてＺｎｓ：Ｘ薄膜を形成することが特
徴である。更に表面に低抵抗層を有する半絶縁性単結晶
基板等を成長、の基台として用い、それをストライプ状
に分断したり、上側の電！Ｌｔ−ストライプ状に形成し
九すする事により、アレイ化ｉマトリクス化が可能であ
り、よシ機能性の高い発光素子の作製が可能であるのも
その特徴である。
ｚｎＳ等、 Ｘ−Ｍ族化合物半導体はバンドギャップが
大きく、従来得ることができなかった短波長発光素子を
実現しうる材料として期待されている。中でもＺｎＳは
室温において約３．６ｅｖと広いバンドギャップを持ち
、ドーパントを選ぶことによりかなり自由度の高いＥＬ
発光を得ることができる。また、Ｘ−Ｖ族化合物半導体
のエピタキシャル成長技術として、ＭＯ−ＣＶＤ法・Ｍ
ＢＥ法・ＡＬＥ法等が注目されており、中でもＭＯ−Ｃ
ＶＤ法は優れた膜質のエピタキシャル薄膜を得ることが
できること、ドーピングが容易に可能な、こと、量産性
に優れることなどから特に注目されている。ＺｎＳのエ
ピタキシャル成長において、原料に付加体を用いること
により膜質の優れた、膜厚・膜質均一性の優れたエピタ
キシャル薄膜を得ることができることから、実施例とし
てはこの原料系を用いた場合全示し九〇 また、化合物半導体、例えばガリウムヒ素・ガリウムリ
ン等は、わずかな不純物、ドープ＜／トを制御すること
で、その導電特性全変化させることが可能である。例え
ばガリウムヒ素の場合、シリコンをドープすることによ
りＮ型に、亜鉛をドープすることによりＰ型に、クロム
をドープすることにより半絶縁性になる０これらドーパ
ントはほんのわずかである為、どのような導電特性の基
板を用いても、その上に成長させるエピタキシャル薄膜
の膜質は変わりないｏしたがって本特許で用いた基板、
表面に低抵抗層を有する半絶縁性単結晶基板等をエピタ
キシャル成長の基台として用いても、通常のエピタキシ
ャル薄膜と同様な特性を持つ薄膜を得ることができる。
大きく、従来得ることができなかった短波長発光素子を
実現しうる材料として期待されている。中でもＺｎＳは
室温において約３．６ｅｖと広いバンドギャップを持ち
、ドーパントを選ぶことによりかなり自由度の高いＥＬ
発光を得ることができる。また、Ｘ−Ｖ族化合物半導体
のエピタキシャル成長技術として、ＭＯ−ＣＶＤ法・Ｍ
ＢＥ法・ＡＬＥ法等が注目されており、中でもＭＯ−Ｃ
ＶＤ法は優れた膜質のエピタキシャル薄膜を得ることが
できること、ドーピングが容易に可能な、こと、量産性
に優れることなどから特に注目されている。ＺｎＳのエ
ピタキシャル成長において、原料に付加体を用いること
により膜質の優れた、膜厚・膜質均一性の優れたエピタ
キシャル薄膜を得ることができることから、実施例とし
てはこの原料系を用いた場合全示し九〇 また、化合物半導体、例えばガリウムヒ素・ガリウムリ
ン等は、わずかな不純物、ドープ＜／トを制御すること
で、その導電特性全変化させることが可能である。例え
ばガリウムヒ素の場合、シリコンをドープすることによ
りＮ型に、亜鉛をドープすることによりＰ型に、クロム
をドープすることにより半絶縁性になる０これらドーパ
ントはほんのわずかである為、どのような導電特性の基
板を用いても、その上に成長させるエピタキシャル薄膜
の膜質は変わりないｏしたがって本特許で用いた基板、
表面に低抵抗層を有する半絶縁性単結晶基板等をエピタ
キシャル成長の基台として用いても、通常のエピタキシ
ャル薄膜と同様な特性を持つ薄膜を得ることができる。
本発明の一実施例としてはｓ Ｚ ｎ Ｓ ： ＸのＸ
がＭｎである場合を示す。その他、ＸとしてはＡＪ。
がＭｎである場合を示す。その他、ＸとしてはＡＪ。
Ｔｂ＋ Ｃｕ等様々な元素が使える。
ＭＯ−ＣＶＤ法でドーピングを行う際、その原料として
は有機金属化合物を用いるのだが、本実施例では、Ｍｎ
のドーピング原料として、ＴＣＭ（ＣＨｓ ・ＣｌＨ４
Ｍｎ （Ｃｏ）ｓ ）リカルボニルメチルシクロペ
ンタジエニルマンガン）ｋ用いた場合を示す。このＴＣ
Ｍは常温で液体の有機Ｍｎ化合物であり、有機金属化合
物の一種である。このＴＣＭは、還元雰囲気中、例えば
Ｈ２中や希ガス中、例えばＨｅ中で、加熱したり、紫外
線を照射したりすることにより分解してＭ ｎ ｔ−得
ることができる。この性質を利用して発光素子の活性層
であるＺｎｓ ：ＭｎｆｔＭＯ−ＣＶＤ法により作製す
ることができる。その方法は次の通りである。
は有機金属化合物を用いるのだが、本実施例では、Ｍｎ
のドーピング原料として、ＴＣＭ（ＣＨｓ ・ＣｌＨ４
Ｍｎ （Ｃｏ）ｓ ）リカルボニルメチルシクロペ
ンタジエニルマンガン）ｋ用いた場合を示す。このＴＣ
Ｍは常温で液体の有機Ｍｎ化合物であり、有機金属化合
物の一種である。このＴＣＭは、還元雰囲気中、例えば
Ｈ２中や希ガス中、例えばＨｅ中で、加熱したり、紫外
線を照射したりすることにより分解してＭ ｎ ｔ−得
ることができる。この性質を利用して発光素子の活性層
であるＺｎｓ ：ＭｎｆｔＭＯ−ＣＶＤ法により作製す
ることができる。その方法は次の通りである。
Ｚ ｎ Ｒ１（Ｒ−ＣＨｓ ｔ ＣｔＨｓ ） 又は
それらのＳ Ｒ’ｚ （Ｒ’−ＣＨｓ 、 ＣｔＨｓ
）との付加体とＴＣＭをそれぞれシリンダー中に入れ、
それ１ｈ又はＨｅでノ９ブリングしてそれらの蒸気を含
んだ原料ガス’ｋ Ｈを又はＨｅで希釈して反応管中へ
導入する。同時にＨ，Ｓも導入し、導入された原料ガス
は混合の後、充分な分解を行う為に赤外線である程度加
熱された後、サセプター上にのせられた基板上に到達し
、ＺｎＳ：Ｍｎを付着させる。
それらのＳ Ｒ’ｚ （Ｒ’−ＣＨｓ 、 ＣｔＨｓ
）との付加体とＴＣＭをそれぞれシリンダー中に入れ、
それ１ｈ又はＨｅでノ９ブリングしてそれらの蒸気を含
んだ原料ガス’ｋ Ｈを又はＨｅで希釈して反応管中へ
導入する。同時にＨ，Ｓも導入し、導入された原料ガス
は混合の後、充分な分解を行う為に赤外線である程度加
熱された後、サセプター上にのせられた基板上に到達し
、ＺｎＳ：Ｍｎを付着させる。
第１図はＭＯ−ＣＶＤ反応装置の配管系の一例を示す概
略図である。
略図である。
原料ガスの運搬に用いられるキャリアガス■は流量制御
装置■、■により流量を制御されてシリンダー■、■に
導入される。シリンダー■にはＤＭＺ−ＤＥＳ付加体（
（ＣＨｓ）ｔＺｎ （ＣｔＨｓ）ｔＳ）が、シリンダ
ー〇にはＴＣＭが封入されていて、それぞれが温度制御
装置■、■により温度制御されていて、一定温度に保た
れているＯシリンダに導入されたキャリアガスは、各々
の原料の蒸気圧に従い、一定量の原料を含んでシリンダ
ーより出る。シリンダーより出た原料を含むキャリアれ
たキャリアガスによりそれぞれ希釈される。同様に、原
料ガスＨｔ Ｓ［株］は、流量制御装置■で流量制御さ
れた後、流量制御装置０により流量制御されたキャリア
ガスにより希釈される。そして希釈された原料ガスは、
混合されて混合原料ガスＯを得る。
装置■、■により流量を制御されてシリンダー■、■に
導入される。シリンダー■にはＤＭＺ−ＤＥＳ付加体（
（ＣＨｓ）ｔＺｎ （ＣｔＨｓ）ｔＳ）が、シリンダ
ー〇にはＴＣＭが封入されていて、それぞれが温度制御
装置■、■により温度制御されていて、一定温度に保た
れているＯシリンダに導入されたキャリアガスは、各々
の原料の蒸気圧に従い、一定量の原料を含んでシリンダ
ーより出る。シリンダーより出た原料を含むキャリアれ
たキャリアガスによりそれぞれ希釈される。同様に、原
料ガスＨｔ Ｓ［株］は、流量制御装置■で流量制御さ
れた後、流量制御装置０により流量制御されたキャリア
ガスにより希釈される。そして希釈された原料ガスは、
混合されて混合原料ガスＯを得る。
第２図は本発明による、ＭＯ−ＣＶＤ法によりＺｎＳ：
Ｍｎ薄膜を製造する為の反応装置の概略を示す。
Ｍｎ薄膜を製造する為の反応装置の概略を示す。
第１図のフローシステムにより調製された混合原料ガス
０は石英ガラス製反応管■に導入される。
０は石英ガラス製反応管■に導入される。
加熱装置［相］により加熱されたサセプター上の基板０
上に到達して分解生成物、ＺｎＳ：Ｍｎのエピタキシャ
ル薄膜を基板上に形成する。分解後の未反応の原料ガス
を含む廃ガスは、廃ガス処理装置０により処理された後
、廃ガス［相］として排出される。なお、基板温度は、
熱電対Ｏによりモニターされている。
上に到達して分解生成物、ＺｎＳ：Ｍｎのエピタキシャ
ル薄膜を基板上に形成する。分解後の未反応の原料ガス
を含む廃ガスは、廃ガス処理装置０により処理された後
、廃ガス［相］として排出される。なお、基板温度は、
熱電対Ｏによりモニターされている。
本発明による装置及びＴＣＭ’に用いて我々が作制御−
／ｌ−藁口降（ｒｒ ？’４ Ｍｋ ｌＩのｈ魁冬社の
−伺就汀に示す。
／ｌ−藁口降（ｒｒ ？’４ Ｍｋ ｌＩのｈ魁冬社の
−伺就汀に示す。
キャリアガスとしてはＨｅｆ用いた。ＴＣＭは２５℃に
保たれ、４０ ｒｎｌ ／ｒｒｔｎでバブリングした後
、１、５１ ／ｍｉｎのＨｅで希釈した。ＤＥＺ−ＤＥ
Ｓ付加付加−１５℃に保之れ、３０ ｍｌ ／ｒｒｔｎ
でバブリングした後、１．５ ｌ ／ｍｔｎのＨｅで希
釈した。Ｈ，Ｓは２％のもの’ｅ １００ ｎｔｌ ／
ｍｉｎの割合で供給し、１、５１ ／ｍｉｎのＨｅで希
釈した。反応温度は４５０℃である。基板にはｎ−Ｇａ
Ａｓ’（用い喪。その他に、Ｓｔ、ＧａＰ等を用いる事
もできるｏｎ−ＧａＡｓ基板上にＺｎＳ：Ｍｎ薄膜を５
０００人エピタキシャル成長した後、スパッタリングに
よりＴａｔＯｓ ’ｔ” ５０００ Ａ形成させ絶縁膜
とした。
保たれ、４０ ｒｎｌ ／ｒｒｔｎでバブリングした後
、１、５１ ／ｍｉｎのＨｅで希釈した。ＤＥＺ−ＤＥ
Ｓ付加付加−１５℃に保之れ、３０ ｍｌ ／ｒｒｔｎ
でバブリングした後、１．５ ｌ ／ｍｔｎのＨｅで希
釈した。Ｈ，Ｓは２％のもの’ｅ １００ ｎｔｌ ／
ｍｉｎの割合で供給し、１、５１ ／ｍｉｎのＨｅで希
釈した。反応温度は４５０℃である。基板にはｎ−Ｇａ
Ａｓ’（用い喪。その他に、Ｓｔ、ＧａＰ等を用いる事
もできるｏｎ−ＧａＡｓ基板上にＺｎＳ：Ｍｎ薄膜を５
０００人エピタキシャル成長した後、スパッタリングに
よりＴａｔＯｓ ’ｔ” ５０００ Ａ形成させ絶縁膜
とした。
更にｘＴｏｗｌｏ ｏ ｏＡスパッタリングにより形成
し電極とした。ｎ−ＧａＡｓ基板の裏面にＡｕ−Ｇｅ合
金全蒸着し、４００℃で５分間、Ｈｅ中でアニールして
ｎ−ＧａＡｓとのオーミックコンタクトをとった。この
素子に１０Ｖ、ＩＫＨｚの正弦波を印加したところ、ｓ
ｓｓｎｍに発光ピークを持つ発光が観察された。最高輝
度は５０００ｃ ｄ ／ ｍ２であった。
し電極とした。ｎ−ＧａＡｓ基板の裏面にＡｕ−Ｇｅ合
金全蒸着し、４００℃で５分間、Ｈｅ中でアニールして
ｎ−ＧａＡｓとのオーミックコンタクトをとった。この
素子に１０Ｖ、ＩＫＨｚの正弦波を印加したところ、ｓ
ｓｓｎｍに発光ピークを持つ発光が観察された。最高輝
度は５０００ｃ ｄ ／ ｍ２であった。
第３図は、本発明に係る素子の
（ａ）断面構造
（ｂ）平面構造
の−例である。素子Ｖｉ３Ｘ ３のマ） ＩＪクス状の
構成となっており、第３図（ｂ）の右側及び下側より電
極を取り出す。
構成となっており、第３図（ｂ）の右側及び下側より電
極を取り出す。
表面に低抵抗層０含有する半絶縁性単結晶基板０上に、
活性層の及び絶縁層Ｏが形成されておシ、更に素子間の
電気的な絶縁全行う為、絶縁体Φが、発光素子構造の間
に形成されている。そして横方向の電極として、上側透
明電極Ｏが一番上層に形成されている。平面的には、低
抵抗層０が縦方向電極［相］として、上側透明電極＠が
横方向透明電極［相］として用いられている。また、縦
方向電極は、オーミックコンタクト部分Φを設ける事に
よシ、電気的な障壁全小さくしである〇 第４図には、本発明に係る素子の製造工程の一例を示し
た０この図では、断面構造のみを示した。
活性層の及び絶縁層Ｏが形成されておシ、更に素子間の
電気的な絶縁全行う為、絶縁体Φが、発光素子構造の間
に形成されている。そして横方向の電極として、上側透
明電極Ｏが一番上層に形成されている。平面的には、低
抵抗層０が縦方向電極［相］として、上側透明電極＠が
横方向透明電極［相］として用いられている。また、縦
方向電極は、オーミックコンタクト部分Φを設ける事に
よシ、電気的な障壁全小さくしである〇 第４図には、本発明に係る素子の製造工程の一例を示し
た０この図では、断面構造のみを示した。
表面に低抵抗層＠を有する半絶縁性単結晶基板・上に、
ＭＯ−ＣＶＤ法■で活性層Ｏｔ−エピタキシャル成長さ
せる。
ＭＯ−ＣＶＤ法■で活性層Ｏｔ−エピタキシャル成長さ
せる。
その後、スパッタリング等の手法により、絶縁層＠を作
製する。
製する。
エツチング工程［相］により、活性層０、絶縁層［株］
と低抵抗層０の全部と半絶縁性単結晶基板＠ｐ表面より
の一部をストライプ状に取り除く０次に、素子間の電気
的な絶縁を行う為、絶縁体・を発光素子構造の間に形成
する。この絶縁体は、低抵抗層＠のストライプ構造のす
きまに形成するだけでよいが、更に上側電極のストライ
プ構造のすきまにあたる部分に形成してもかまわない。
と低抵抗層０の全部と半絶縁性単結晶基板＠ｐ表面より
の一部をストライプ状に取り除く０次に、素子間の電気
的な絶縁を行う為、絶縁体・を発光素子構造の間に形成
する。この絶縁体は、低抵抗層＠のストライプ構造のす
きまに形成するだけでよいが、更に上側電極のストライ
プ構造のすきまにあたる部分に形成してもかまわない。
更に上側透明電極＠をストライプ状に、低抵抗層のスト
ライプ構造と直交する方向で形成し、本発明に係るマト
リクス発光素子を得ることができる。更に望ましくは、
低抵抗層［相］の電槙取り出し部分にはオーミックコン
タクトがとれる領域を設け、低抵抗層への電流注入に障
壁を与えないようにする。
ライプ構造と直交する方向で形成し、本発明に係るマト
リクス発光素子を得ることができる。更に望ましくは、
低抵抗層［相］の電槙取り出し部分にはオーミックコン
タクトがとれる領域を設け、低抵抗層への電流注入に障
壁を与えないようにする。
以上述べた様に本発明に係る製造工程、構造により、従
来得ることが困難な発光素子構造ることができる。具体
的には、 １、 ドーパントを選ぶことにょシ、様々な色の発光素
子を作製することができる。
来得ることが困難な発光素子構造ることができる。具体
的には、 １、 ドーパントを選ぶことにょシ、様々な色の発光素
子を作製することができる。
Ｚ 単結晶基板上に作表し九エピタキシャル薄膜を活性
層として用いる為、発光輝度・発光効率が高く、発光電
圧閾値が低い。
層として用いる為、発光輝度・発光効率が高く、発光電
圧閾値が低い。
５、ＭＯ−ＣＶＤ法ｆ：活性法の作製法として用いるの
で、エピタキシャル薄膜の結晶性が良く、また量産性も
高い。
で、エピタキシャル薄膜の結晶性が良く、また量産性も
高い。
４、薄膜形成技術でマトリクス化が行なえるので、信頼
性が高く、微細構造の作製も容易である。
性が高く、微細構造の作製も容易である。
以上のように、発光の多色化、信頼性、微細加工性等の
観点から、本発明は光半導体素子の処理技術に関し寄与
するところが極めて大きいといえる。
観点から、本発明は光半導体素子の処理技術に関し寄与
するところが極めて大きいといえる。
第１図はＭＯ−ＣＶＤ反応装置の配管系の一例金示す概
略図である。 １ｏ キャリアガス ２．．３． 流量制御装置
４、ＤＭＺ−ＤＢＳ付加体入りシリンター５、ＴＣＭ入
りシリンダー ６０．Ｚ 温度制御装置 ８．、？、 流量制御装
置１０、 Ｈ，Ｓ Ｎ、、１２． 流
量制御装置１３、混合原料ガス 第２図はＭＯ−ＣＶＤ反応装置の一例を示す概略図であ
る。 １４、混合原料ガス １５４ 石英ガラス製反応管
１６、加熱装置 １７．サセプター１８、基板
１９．廃ガス処理装置２０、廃ガス
２１．熱電対 第３図は本発明に係る素子の （ａ）は断面構造図 （ｂ）は平面構造図 である。 ２２）低抵抗層 ２５、半絶縁性単結晶基板２４
、活性層 ２５．絶縁層 ２６、絶縁体 ２７゜上側透明電極２８、縦方向
電極 ２９．横方向透明電極３０、 オーミックコ
ンタクト部分 第４図（ａ）〜（ｆ）には本発明に係る素子の製造工程
の一例を示した製造工程図。この図では、断面構造のみ
を示した。 ３１、低抵抗層 ３２．半絶縁性単結晶基板５３
− ＭＯ−ＣＶＤ法３４． 活性層３５、絶縁層
３６． エツチング工程３乙 絶縁体
３８．上側透明電極以上
略図である。 １ｏ キャリアガス ２．．３． 流量制御装置
４、ＤＭＺ−ＤＢＳ付加体入りシリンター５、ＴＣＭ入
りシリンダー ６０．Ｚ 温度制御装置 ８．、？、 流量制御装
置１０、 Ｈ，Ｓ Ｎ、、１２． 流
量制御装置１３、混合原料ガス 第２図はＭＯ−ＣＶＤ反応装置の一例を示す概略図であ
る。 １４、混合原料ガス １５４ 石英ガラス製反応管
１６、加熱装置 １７．サセプター１８、基板
１９．廃ガス処理装置２０、廃ガス
２１．熱電対 第３図は本発明に係る素子の （ａ）は断面構造図 （ｂ）は平面構造図 である。 ２２）低抵抗層 ２５、半絶縁性単結晶基板２４
、活性層 ２５．絶縁層 ２６、絶縁体 ２７゜上側透明電極２８、縦方向
電極 ２９．横方向透明電極３０、 オーミックコ
ンタクト部分 第４図（ａ）〜（ｆ）には本発明に係る素子の製造工程
の一例を示した製造工程図。この図では、断面構造のみ
を示した。 ３１、低抵抗層 ３２．半絶縁性単結晶基板５３
− ＭＯ−ＣＶＤ法３４． 活性層３５、絶縁層
３６． エツチング工程３乙 絶縁体
３８．上側透明電極以上
Claims (8)
- （１） ＭＩＳ構造（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏ
ｒ−Ｓｅｍｉｃ−ｏｎｄｕｃｔｏｒ）の発光素子の製造
法において、低抵抗単結晶基板上にＭＯ−ＣＶＤ法（有
機金属熱分解法）によりＺｎＳ：Ｘ（ＸはＥＬ発光中心
となる元素）薄膜を形成させる工程を含むことを特徴と
する発光素子の製造法。 - （２） 特許請求の範囲第１項において、表面に低抵
抗層を有する半絶縁性単結晶基板上に、ＭＯ−ＣＶＤ法
によりＺｎＳ：Ｘ薄膜を形成させる工程を含むことを特
徴とする発光素子の製造法。 - （３） 特許請求の範囲第２項において、表面に低抵
抗層を有する半絶縁性単結晶基板の低抵抗層の全部及び
半絶縁性単結晶基板の表面の一部をストライプ状に取り
去つた後、ＭＯ− ＣＶＤ法によりＺｎＳ：Ｘ薄膜を形成させ、更に絶縁層
を設け、ストライプ状に導電層を形成させる工程を含む
ことを特徴とする発光素子の製造法。 - （４） 特許請求の範囲第２項において、表面に低抵
抗層を有する半絶縁性単結晶基板上にＭＯ−ＣＶＤ法に
よりＺｎＳ：Ｘ薄膜を形成させ、ＺｎＳ：Ｘ薄膜と低抵
抗層の全部と半絶縁性単結晶基板の表面の一部をストラ
イプ状に取り去つた後、絶縁層を形成させ、ストライプ
状に導電層を形成させる工程を含むことを特徴とする発
光素子の製造法。 - （５） 特許請求の範囲第２項において、表面に低抵
抗層を有する半絶縁性単結晶基板上にＭＯ−ＣＶＤ法に
よりＺｎＳ：Ｘ薄膜を形成させ、更に絶縁層を形成させ
た後、絶縁層とＺｎＳ：Ｘ薄膜と低抵抗層の全部と半絶
縁性単結晶基板の表面の一部をストライプ状に取り去つ
た後、ストライプ状に導電層を形成させる工程を含むこ
とを特徴とする発光素子の製造法。 - （６）特許請求の範囲第２項において、表面に低抵抗層
を有する半絶縁性単結晶基板上にＭＯ−ＣＶＤ法により
ＺｎＳ：Ｘ薄膜を形成させ、更に絶縁層・導電層を形成
後、導電層・絶縁層・ＺｎＳ：Ｘ薄膜・低抵抗層の全部
と半絶縁性単結晶基板の表面の一部をストライプ状に取
り去る工程を含むことを特徴とする発光素子の製造法。 - （７）特許請求の範囲第２項から第６項に於いて、表面
に低抵抗層を有する半絶縁性単結晶基板の替わりに、表
面に近い側から、半絶縁性層・低抵抗層を有する半絶縁
性単結晶基板を用いることを特徴とする発光素子の製造
法。 - （８）特許請求の範囲第２項から第６項に於いて、表面
に低抵抗層を有する半絶縁性単結晶基板の替わりに、表
面に近い側から、半絶縁性層・低抵抗層を有する半絶縁
性単結晶基板を用い、かつ絶縁層を形成する工程を行な
わないことを特徴とする発光素子の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60094111A JPS61253794A (ja) | 1985-05-01 | 1985-05-01 | 発光素子の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60094111A JPS61253794A (ja) | 1985-05-01 | 1985-05-01 | 発光素子の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61253794A true JPS61253794A (ja) | 1986-11-11 |
Family
ID=14101320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60094111A Pending JPS61253794A (ja) | 1985-05-01 | 1985-05-01 | 発光素子の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61253794A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6231990A (ja) * | 1985-08-05 | 1987-02-10 | 日本電信電話株式会社 | Ｅｌ素子の製造方法 |
| JPH01294396A (ja) * | 1988-05-23 | 1989-11-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜ｅｌ素子の作製方法 |
-
1985
- 1985-05-01 JP JP60094111A patent/JPS61253794A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6231990A (ja) * | 1985-08-05 | 1987-02-10 | 日本電信電話株式会社 | Ｅｌ素子の製造方法 |
| JPH0377639B2 (ja) * | 1985-08-05 | 1991-12-11 | Nippon Telegraph & Telephone | |
| JPH01294396A (ja) * | 1988-05-23 | 1989-11-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜ｅｌ素子の作製方法 |
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