JPH01294396A - 薄膜ｅｌ素子の作製方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子の作製方法Info
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- JPH01294396A JPH01294396A JP63123900A JP12390088A JPH01294396A JP H01294396 A JPH01294396 A JP H01294396A JP 63123900 A JP63123900 A JP 63123900A JP 12390088 A JP12390088 A JP 12390088A JP H01294396 A JPH01294396 A JP H01294396A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜ＥＬ素子の作製方法に係り、特に、有機金
属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を用いて高輝度、高効率の
薄膜ＥＬ素子を得ることのできる薄膜ＥＬ素子の作製方
法に関する。
属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を用いて高輝度、高効率の
薄膜ＥＬ素子を得ることのできる薄膜ＥＬ素子の作製方
法に関する。
薄膜ＥＬ素子はＭｎ、 ＴｂＦ、、 ＳｍＦ３． ＴＩ
ＩＩＦ。
ＩＩＦ。
などの発光センタを含むＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ等の薄膜を発
光層とし、その片側または両側に絶縁層を配置し、これ
らの層を、さらに、Ａｆｌ電極と透明電極とによっては
さんだ構造を有するものであり、これらの素子は印加電
圧数十〜２００ｖ程度で発光し、平面表示素子として注
目されている。
光層とし、その片側または両側に絶縁層を配置し、これ
らの層を、さらに、Ａｆｌ電極と透明電極とによっては
さんだ構造を有するものであり、これらの素子は印加電
圧数十〜２００ｖ程度で発光し、平面表示素子として注
目されている。
薄膜ＥＬ素子の発光層の作製については、これまで、蒸
着法やスパッタ法が用いられてきたが、最近、さらに高
輝度、高効率のＥＬ素子の作製方法としてアトミックレ
イヤエピタキシ法（ＡＬＥ）、分子線エピタキシ法（Ｍ
ＢＥ）または有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）が用い
られるようになってきた。この中で、ＭＯＣＶＤは大面
積で均一な、かつ、結晶性の良い膜を安価に作製できる
という点で大きな利点を有する方法である。
着法やスパッタ法が用いられてきたが、最近、さらに高
輝度、高効率のＥＬ素子の作製方法としてアトミックレ
イヤエピタキシ法（ＡＬＥ）、分子線エピタキシ法（Ｍ
ＢＥ）または有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）が用い
られるようになってきた。この中で、ＭＯＣＶＤは大面
積で均一な、かつ、結晶性の良い膜を安価に作製できる
という点で大きな利点を有する方法である。
アラン・フランク・キャナル（Ａ 、 Ｆ 、Ｃａｔｔ
ｅｌ）は特公昭筒５８−１７６８９７号において、トリ
カルボニルメチルシクロペンタジェニルマンガン（ＴＣ
Ｍ）、ジメチルジンク（ＤＭＺ）およびＨ２Ｓを原料と
するＭＯＣＶＤによりＺｎＳ：Ｍｎ膜を形成し、高輝度
（３０００ｃｄ／ ｍ” 、 ５Ｋ Ｈｚ）のＥＬ素子
が実現できたことを述べている。しかしながら、ピー・
ジェー・ディージ（Ｐ、Ｊ、Ｄｅａｎ）は、フィジカ・
スティタス・ソリッズ（ａ）第８１巻（１９８４年）第
６２５頁（Ｐｈｙｓｉｃａ、 ５ｔａｔｕｓ、 ５ｏｌ
ｉｄｓ （ａ） ｖｏｌ。
ｅｌ）は特公昭筒５８−１７６８９７号において、トリ
カルボニルメチルシクロペンタジェニルマンガン（ＴＣ
Ｍ）、ジメチルジンク（ＤＭＺ）およびＨ２Ｓを原料と
するＭＯＣＶＤによりＺｎＳ：Ｍｎ膜を形成し、高輝度
（３０００ｃｄ／ ｍ” 、 ５Ｋ Ｈｚ）のＥＬ素子
が実現できたことを述べている。しかしながら、ピー・
ジェー・ディージ（Ｐ、Ｊ、Ｄｅａｎ）は、フィジカ・
スティタス・ソリッズ（ａ）第８１巻（１９８４年）第
６２５頁（Ｐｈｙｓｉｃａ、 ５ｔａｔｕｓ、 ５ｏｌ
ｉｄｓ （ａ） ｖｏｌ。
８１、 ｐ、 ６２５ （１９８４） ）において、上
記ＴＣＭを熱分解するためには基板を４００℃以上に加
熱する必要があり、その結果、ＭＯＣＶＤ最適基板温度
（３００℃）からはずれてしまうため、ＺｎＳ膜の結晶
性の低下を招くと述べている。この結晶性の低下は輝度
および発光効率低下の原因となる。
記ＴＣＭを熱分解するためには基板を４００℃以上に加
熱する必要があり、その結果、ＭＯＣＶＤ最適基板温度
（３００℃）からはずれてしまうため、ＺｎＳ膜の結晶
性の低下を招くと述べている。この結晶性の低下は輝度
および発光効率低下の原因となる。
これを解決する方法として基板温度を３００℃前後の低
温におさえた状態でＴＣＭを分解する方法が種々検討さ
れており、例えば、本発明者等は、先に、ＴＣＭを反応
炉内に導入する際に導入口に設けたヒータによって４５
０℃以上で加熱分解する方法を用いることによって高輝
度のＥＬ素子が実現できることを報告した（特願昭第６
０−１７１０１３号）。
温におさえた状態でＴＣＭを分解する方法が種々検討さ
れており、例えば、本発明者等は、先に、ＴＣＭを反応
炉内に導入する際に導入口に設けたヒータによって４５
０℃以上で加熱分解する方法を用いることによって高輝
度のＥＬ素子が実現できることを報告した（特願昭第６
０−１７１０１３号）。
また、安田らは、まだ素子化するには至っていないが、
ＴＣＭをプラズマによって分解する方法を用いてＺｎＳ
膜にＭｎをドーピングすることについて述べている（Ｔ
、Ｙａｓｕｄａ ｅｔ ａｌ、 ： １６ｔｈ Ｃｏｎ
ｆ。
ＴＣＭをプラズマによって分解する方法を用いてＺｎＳ
膜にＭｎをドーピングすることについて述べている（Ｔ
、Ｙａｓｕｄａ ｅｔ ａｌ、 ： １６ｔｈ Ｃｏｎ
ｆ。
５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍ
ａｔｅｒｉａｌ ｐ、 ６ ）。
ａｔｅｒｉａｌ ｐ、 ６ ）。
しかしながら、上記方法による場合、ＴＣＭをヒータ加
熱によって分解する場合には加熱ヒータからの汚染が問
題となり、また、プラズマによる分解の場合にはジメチ
ルジンクやＨ２Ｓも同時に分解されるため生成ＺｎＳ膜
質が悪くなるという問題点があった。
熱によって分解する場合には加熱ヒータからの汚染が問
題となり、また、プラズマによる分解の場合にはジメチ
ルジンクやＨ２Ｓも同時に分解されるため生成ＺｎＳ膜
質が悪くなるという問題点があった。
本発明の目的は、ＭＯＣＶＤによってＺｎＳ。
Ｚｎ５ｅ等のカルコゲン化亜鉛からなるＥＬ蛍光体膜の
作製に際して１発光中心となるマンガン（Ｍｎ）をカル
コゲン化亜鉛膜に低温で、かつ、有効に添加することが
できるようにすることによって、上記従来技術の有して
いた課題を解決して、高輝度、高効率のＥＬ薄膜素子を
得ることのできる薄膜ＥＬ素子の作製方法を提供するこ
とにある。
作製に際して１発光中心となるマンガン（Ｍｎ）をカル
コゲン化亜鉛膜に低温で、かつ、有効に添加することが
できるようにすることによって、上記従来技術の有して
いた課題を解決して、高輝度、高効率のＥＬ薄膜素子を
得ることのできる薄膜ＥＬ素子の作製方法を提供するこ
とにある。
上記目的は、反応炉内で、ＴＣＭを代表とするマンガン
を含む有機化合物に紫外線を照射して該有機化合物を分
解することによって達成することができる。
を含む有機化合物に紫外線を照射して該有機化合物を分
解することによって達成することができる。
すなわち、反応炉内において、マンガンを含む有機化合
物をドーピング剤として用い、アルキル亜鉛ガスと硫化
水素またはセレン化水素のいずれか一方とを反応させる
ことによりマンガンをドープしたカルコゲン化亜鉛から
なるＥＬ蛍光体層を基板上に成長させてＥＬ素子を作製
する際に、紫外線を照射することによって、上記ＴＣＭ
を代表とするマンガンを含む有機化合物は紫外線分解性
であるため、該有機化合物が分解して遊離のマンガンを
残留させることができる。
物をドーピング剤として用い、アルキル亜鉛ガスと硫化
水素またはセレン化水素のいずれか一方とを反応させる
ことによりマンガンをドープしたカルコゲン化亜鉛から
なるＥＬ蛍光体層を基板上に成長させてＥＬ素子を作製
する際に、紫外線を照射することによって、上記ＴＣＭ
を代表とするマンガンを含む有機化合物は紫外線分解性
であるため、該有機化合物が分解して遊離のマンガンを
残留させることができる。
ここで、紫外線の照射強度は１ｍＷ／ａｎ２以上、波長
は２５０〜３５０ｎ ｍが望ましく、また、基板温度は
２５０〜３５０℃の範囲が望ましい。
は２５０〜３５０ｎ ｍが望ましく、また、基板温度は
２５０〜３５０℃の範囲が望ましい。
また、マンガンを含む有機化合物としては、トリカルボ
ニルアルキルシクロペンタジェニルマンガンあるいはジ
シクロペンタジェニルマンガンが望ましい。
ニルアルキルシクロペンタジェニルマンガンあるいはジ
シクロペンタジェニルマンガンが望ましい。
以下１本発明の方法の内容について実施例によって具体
的に説明する。
的に説明する。
実施例１
本実施例においては、ドーピング剤であるマンガンを含
む有機化合物としてＴＣＭを用い、亜鉛の原料、イオウ
の原料として、それぞれ、ＤＭＺ。
む有機化合物としてＴＣＭを用い、亜鉛の原料、イオウ
の原料として、それぞれ、ＤＭＺ。
Ｈ，Ｓを用いてＺｎＳ：Ｍｎからなる蛍光体層を形成す
る場合の例について説明する。
る場合の例について説明する。
第１図は本実施例に使用したＭＯＣＶＤ装置反応炉の概
略の構造を示す構成図で、ＤＭＺ用ノズル１、Ｈ２Ｓ用
ノズル２、ＴＣＭ用ノズル３、紫外線導入用の石英窓４
、ＳｉＣをコートしたグラファイトサセプタ５、石英反
応炉７．高周波加熱用コイル８からなることを示す。
略の構造を示す構成図で、ＤＭＺ用ノズル１、Ｈ２Ｓ用
ノズル２、ＴＣＭ用ノズル３、紫外線導入用の石英窓４
、ＳｉＣをコートしたグラファイトサセプタ５、石英反
応炉７．高周波加熱用コイル８からなることを示す。
ここで、上記装置を用いて行うＺｎＳ：Ｍｎ膜の形成手
順は下記の通りである。すなわち、まず、ＺｎＳ：Ｍｎ
を形成すべき基板６をサセプタ５上に載置し、石英反応
炉７内真空度を６０Ｔｏｒｒとした後、基板６の温度を
約３００℃まで加熱し、ＤＭＺとＨ２Ｓの流速比を３．
３５． ＤＭＺの流速を ２×１０−５ｍｏｌ／ｍｉｎ
として導入し、同時にＴＣＭをバブラ（図示せず）に充
填し約８０℃に保った状態で１００〜５００ｓｅｃｍの
水素をバブリングして導入、また、同時に、強度４ｍＷ
／■２の紫外線９を照射することによって、基板６上に
ＺｎＳ：Ｍｎ膜を形成する。なお、照射紫外線９のスペ
クトルは第２図に示す如きものである。また、上記した
諸条件は、本発明方法による紫外線照射以外、ＺｎＳ：
Ｍｎ膜形成の代表的条件であり、特に、反応時の基板温
度を約３００℃（望ましくは２５０°〜３５０℃の範囲
）とすることは、結晶性の良いＺｎＳ：Ｍｎ膜を得る上
で重要な条件である。
順は下記の通りである。すなわち、まず、ＺｎＳ：Ｍｎ
を形成すべき基板６をサセプタ５上に載置し、石英反応
炉７内真空度を６０Ｔｏｒｒとした後、基板６の温度を
約３００℃まで加熱し、ＤＭＺとＨ２Ｓの流速比を３．
３５． ＤＭＺの流速を ２×１０−５ｍｏｌ／ｍｉｎ
として導入し、同時にＴＣＭをバブラ（図示せず）に充
填し約８０℃に保った状態で１００〜５００ｓｅｃｍの
水素をバブリングして導入、また、同時に、強度４ｍＷ
／■２の紫外線９を照射することによって、基板６上に
ＺｎＳ：Ｍｎ膜を形成する。なお、照射紫外線９のスペ
クトルは第２図に示す如きものである。また、上記した
諸条件は、本発明方法による紫外線照射以外、ＺｎＳ：
Ｍｎ膜形成の代表的条件であり、特に、反応時の基板温
度を約３００℃（望ましくは２５０°〜３５０℃の範囲
）とすることは、結晶性の良いＺｎＳ：Ｍｎ膜を得る上
で重要な条件である。
以上のようにして作製したＺｎＳ：Ｍｎ膜内に取り込ま
れたＭｎの濃度とＴＣＭ流量との関係を第３図曲線１０
を以って示し、また紫外線照射を行わない以外同一条件
で作製したＺｎＳ：Ｍｎ膜についての結果を同図曲線１
１を以って示した。この結果から、紫外線を照射しない
場合にはＴＣＭがほとんど分解されず、ＺｎＳ膜内にＭ
ｎがドーピングされないのに対し、紫外線照射を行った
場合にはＥＬ素子としての最適濃度である０、３〜０．
５重量パーセントのＭｎがドーピングされていることが
判る。
れたＭｎの濃度とＴＣＭ流量との関係を第３図曲線１０
を以って示し、また紫外線照射を行わない以外同一条件
で作製したＺｎＳ：Ｍｎ膜についての結果を同図曲線１
１を以って示した。この結果から、紫外線を照射しない
場合にはＴＣＭがほとんど分解されず、ＺｎＳ膜内にＭ
ｎがドーピングされないのに対し、紫外線照射を行った
場合にはＥＬ素子としての最適濃度である０、３〜０．
５重量パーセントのＭｎがドーピングされていることが
判る。
次に、このようにして作製したＺｎＳ：Ｍｎ膜について
ＥＬ素子化を行った。素子の構成は次の通りである。Ａ
Ｑ／Ｓｍ、○、（３，５０ｎｍ）／ＺｎＳ ： Ｍｎ（
６００ｎ ｍ ） ／ Ｔ ａ、○、（３５０ｎｍ）／
ｒＴｏ、ＴＣＭ流量３００ｓｅｃｍで作製したＺｎＳ：
Ｍｎ膜を用いて作製したＥＬ素子の輝度−印加電圧特性
を第４図に示した。曲ｆｉ１２は紫外線を照射して作製
した場合のＥＬ素子についての結果、曲線１３は紫外線
を照射しないで作製した場合のＥＬ素子についての結果
で、この結果から、前者についてＭｎがｎＭ濃度ドーピ
ングされているため１０００ｃｄ／ ｍ２以上の輝度が
得られるのに対し、後者についてはＭ、 ｎが十分にド
ーピングされていないため数＋ｃｄ／ｍ２程度の輝度し
か得られないことがわかる。
ＥＬ素子化を行った。素子の構成は次の通りである。Ａ
Ｑ／Ｓｍ、○、（３，５０ｎｍ）／ＺｎＳ ： Ｍｎ（
６００ｎ ｍ ） ／ Ｔ ａ、○、（３５０ｎｍ）／
ｒＴｏ、ＴＣＭ流量３００ｓｅｃｍで作製したＺｎＳ：
Ｍｎ膜を用いて作製したＥＬ素子の輝度−印加電圧特性
を第４図に示した。曲ｆｉ１２は紫外線を照射して作製
した場合のＥＬ素子についての結果、曲線１３は紫外線
を照射しないで作製した場合のＥＬ素子についての結果
で、この結果から、前者についてＭｎがｎＭ濃度ドーピ
ングされているため１０００ｃｄ／ ｍ２以上の輝度が
得られるのに対し、後者についてはＭ、 ｎが十分にド
ーピングされていないため数＋ｃｄ／ｍ２程度の輝度し
か得られないことがわかる。
なお、上記実施例においては、紫外線は２５０〜６００
ｎ ｍの範囲に主たる波長分布を有するものを用いたが
、ＴＣＭの分解に有効な波長は２５０〜３５０ｎｍの範
囲の波長である。また、上記実施例において、紫外線照
射強度は４ｍＷ／σ２としたが、照射強度は１ｍＷ／ｃ
＋＋”以上から効果があり、強度を上げるに従ってＴＣ
Ｍの分解効率が高くなることを示した。例えば、照射強
度を４ｍＷ／ａｎ２から１２ｍＷ／ａｎ２に上げた場合
、ＺｎＳ：Ｍｎ膜中のＭｎ濃度が約２倍高くなるという
結果が得られている。
ｎ ｍの範囲に主たる波長分布を有するものを用いたが
、ＴＣＭの分解に有効な波長は２５０〜３５０ｎｍの範
囲の波長である。また、上記実施例において、紫外線照
射強度は４ｍＷ／σ２としたが、照射強度は１ｍＷ／ｃ
＋＋”以上から効果があり、強度を上げるに従ってＴＣ
Ｍの分解効率が高くなることを示した。例えば、照射強
度を４ｍＷ／ａｎ２から１２ｍＷ／ａｎ２に上げた場合
、ＺｎＳ：Ｍｎ膜中のＭｎ濃度が約２倍高くなるという
結果が得られている。
なお、本発明はカルコゲン亜鉛膜に発光中心となるＭｎ
を低温で、かつ、有効に添加する方法を提供するもので
あり、カルコゲン亜鉛の材料として上記ＺｎＳ以外にＺ
ｎ５ｅについても同様の効果が得られ、また、カルコゲ
ン亜鉛膜を形成するための原料ガス種に依存するもので
もない。例えば、ＺｎＳ膜を形成する際に、上記実施例
のＤＭＺとＨ２Ｓとの組合せ以外に、ジエチル亜鉛（Ｄ
ＥＺ）とＨ２Ｓとの組合せでもよく、また、Ｚｎ５ｅｌ
ｐＪを形成する際に、ＤＭＺとＤＥＺの何れかとＨ２Ｓ
ｅとの組合せを用いても、上記実施例の場合と同様の効
果を得ることができる。
を低温で、かつ、有効に添加する方法を提供するもので
あり、カルコゲン亜鉛の材料として上記ＺｎＳ以外にＺ
ｎ５ｅについても同様の効果が得られ、また、カルコゲ
ン亜鉛膜を形成するための原料ガス種に依存するもので
もない。例えば、ＺｎＳ膜を形成する際に、上記実施例
のＤＭＺとＨ２Ｓとの組合せ以外に、ジエチル亜鉛（Ｄ
ＥＺ）とＨ２Ｓとの組合せでもよく、また、Ｚｎ５ｅｌ
ｐＪを形成する際に、ＤＭＺとＤＥＺの何れかとＨ２Ｓ
ｅとの組合せを用いても、上記実施例の場合と同様の効
果を得ることができる。
以上述べてきたように、ＭＯＣＶＤによるカルコゲン亜
鉛からなるＥＬ蛍光体膜の作製工程において、本発明の
方法、すなわち、Ｔ ＣＭを代表とするＭｎを含む有機
化合物の導入と同時に紫外線の照射を行う方法、を適用
することによって、従来技術の有していた課題を解決し
て、高輝度、高効率の薄膜ＥＬ素子を容易に得ることが
できるようになった。
鉛からなるＥＬ蛍光体膜の作製工程において、本発明の
方法、すなわち、Ｔ ＣＭを代表とするＭｎを含む有機
化合物の導入と同時に紫外線の照射を行う方法、を適用
することによって、従来技術の有していた課題を解決し
て、高輝度、高効率の薄膜ＥＬ素子を容易に得ることが
できるようになった。
第１図は本発明の実施に用いたＭＯＣＶＤ装置反応炉の
構造を示す概略構成図、第２図は照射紫外線のスペクト
ル図、第３図はＴＣＭ流量とＺｎＳ膜内に取り込まれた
Ｍｎの含有量との関係を示す図、第４図はＥＬ素子の輝
度−印加電圧特性である。 １・・・ＤＭＺ用ノズル ２・・・Ｈ２Ｓ用ノズル ３・・・ＴＣＭ用ノズル ４・・・紫外線導入用窓 ５・・・グラファイトサセプタ ６・・・基板 ７・・・石英製反応炉 ８・・・高周波加熱用コイル ９・・・照射紫外線 １０、１２・・・紫外線照射を行った場合の曲線１１、
１３・・・紫外線照射を行わなかった場合の曲線特許出
願人 口本電信電話株式会社 代理人弁理士 中 村 純之助 第１図 第２図 第３図
構造を示す概略構成図、第２図は照射紫外線のスペクト
ル図、第３図はＴＣＭ流量とＺｎＳ膜内に取り込まれた
Ｍｎの含有量との関係を示す図、第４図はＥＬ素子の輝
度−印加電圧特性である。 １・・・ＤＭＺ用ノズル ２・・・Ｈ２Ｓ用ノズル ３・・・ＴＣＭ用ノズル ４・・・紫外線導入用窓 ５・・・グラファイトサセプタ ６・・・基板 ７・・・石英製反応炉 ８・・・高周波加熱用コイル ９・・・照射紫外線 １０、１２・・・紫外線照射を行った場合の曲線１１、
１３・・・紫外線照射を行わなかった場合の曲線特許出
願人 口本電信電話株式会社 代理人弁理士 中 村 純之助 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- １． 反応炉内において、マンガンを含む有機化合物を
ドーピング剤とし、アルキル亜鉛ガスと硫化水素または
セレン化水素のいずれか一方とを反応させることにより
マンガンをドープしたカルコゲン化亜鉛からなるＥＬ蛍
光体層を基板上に成長させてＥＬ素子を作製する方法に
おいて、マンガンを含む有機化合物に紫外線を照射する
ことによって該有機化合物を分解することを特徴とする
薄膜ＥＬ素子の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63123900A JPH01294396A (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | 薄膜ｅｌ素子の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63123900A JPH01294396A (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | 薄膜ｅｌ素子の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01294396A true JPH01294396A (ja) | 1989-11-28 |
Family
ID=14872120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63123900A Pending JPH01294396A (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | 薄膜ｅｌ素子の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01294396A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61253794A (ja) * | 1985-05-01 | 1986-11-11 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子の製造法 |
| JPS6231990A (ja) * | 1985-08-05 | 1987-02-10 | 日本電信電話株式会社 | Ｅｌ素子の製造方法 |
-
1988
- 1988-05-23 JP JP63123900A patent/JPH01294396A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61253794A (ja) * | 1985-05-01 | 1986-11-11 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子の製造法 |
| JPS6231990A (ja) * | 1985-08-05 | 1987-02-10 | 日本電信電話株式会社 | Ｅｌ素子の製造方法 |
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