JPH10162957A - 薄膜エレクトロルミネッセンス要素用のＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体層の成長方法 - Google Patents
薄膜エレクトロルミネッセンス要素用のＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体層の成長方法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 69
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 31
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 68
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title abstract description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 48
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 12
- 150000003752 zinc compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 150000002898 organic sulfur compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 108
- 238000003877 atomic layer epitaxy Methods 0.000 claims description 39
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 31
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 26
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 19
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 12
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 11
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- -1 alkyl compound Chemical class 0.000 claims description 7
- 150000002697 manganese compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QZWPOKCFDVWLSU-UHFFFAOYSA-N CC1(C=CC=C1)[Mn]C1(C=CC=C1)C Chemical compound CC1(C=CC=C1)[Mn]C1(C=CC=C1)C QZWPOKCFDVWLSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CNRZQDQNVUKEJG-UHFFFAOYSA-N oxo-bis(oxoalumanyloxy)titanium Chemical compound O=[Al]O[Ti](=O)O[Al]=O CNRZQDQNVUKEJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- IYSGJCJSRBFZSZ-UHFFFAOYSA-N carbon monoxide;manganese;5-methylcyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Mn].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].C[C-]1C=CC=C1 IYSGJCJSRBFZSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000000058 cyclopentadienyl group Chemical group C1(=CC=CC1)* 0.000 claims 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 abstract description 10
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 7
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 6
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract description 3
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 100
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 56
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 32
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 18
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 17
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 16
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 15
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 13
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021380 Manganese Chloride Inorganic materials 0.000 description 6
- GLFNIEUTAYBVOC-UHFFFAOYSA-L Manganese chloride Chemical compound Cl[Mn]Cl GLFNIEUTAYBVOC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000002131 composite material Chemical group 0.000 description 6
- 239000011565 manganese chloride Substances 0.000 description 6
- 235000002867 manganese chloride Nutrition 0.000 description 6
- 229940099607 manganese chloride Drugs 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- WMXCDAVJEZZYLT-UHFFFAOYSA-N tert-butylthiol Chemical compound CC(C)(C)S WMXCDAVJEZZYLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGJOPFRUJISHPQ-UHFFFAOYSA-N Carbon disulfide Chemical compound S=C=S QGJOPFRUJISHPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N Methanethiol Chemical compound SC LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- IMSPRWXXRYFLEJ-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene;manganese(2+) Chemical compound [Mn+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 IMSPRWXXRYFLEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N selane Chemical compound [SeH2] SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- NYZGMENMNUBUFC-UHFFFAOYSA-N P.[S-2].[Zn+2] Chemical compound P.[S-2].[Zn+2] NYZGMENMNUBUFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- RBORURQQJIQWBS-QVRNUERCSA-N (4ar,6r,7r,7as)-6-(6-amino-8-bromopurin-9-yl)-2-hydroxy-2-sulfanylidene-4a,6,7,7a-tetrahydro-4h-furo[3,2-d][1,3,2]dioxaphosphinin-7-ol Chemical compound C([C@H]1O2)OP(O)(=S)O[C@H]1[C@@H](O)[C@@H]2N1C(N=CN=C2N)=C2N=C1Br RBORURQQJIQWBS-QVRNUERCSA-N 0.000 description 1
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNNDVNZCGCCIPA-FDGPNNRMSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;manganese Chemical compound [Mn].C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O VNNDVNZCGCCIPA-FDGPNNRMSA-N 0.000 description 1
- GVNVAWHJIKLAGL-UHFFFAOYSA-N 2-(cyclohexen-1-yl)cyclohexan-1-one Chemical compound O=C1CCCCC1C1=CCCCC1 GVNVAWHJIKLAGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBNVSWHUJDDZRH-UHFFFAOYSA-N 2-methylthiirane Chemical compound CC1CS1 MBNVSWHUJDDZRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XRRZSWUSROTZDY-UHFFFAOYSA-N CC1(C=CC=C1)[Mn] Chemical compound CC1(C=CC=C1)[Mn] XRRZSWUSROTZDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 101150065749 Churc1 gene Proteins 0.000 description 1
- BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen disulfide Chemical compound SS BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMMFVYPAHWMCMS-UHFFFAOYSA-N Dimethyl sulfide Chemical compound CSC QMMFVYPAHWMCMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSYBGEADHLUXCS-UHFFFAOYSA-N Isocil Chemical compound CC(C)N1C(=O)NC(C)=C(Br)C1=O PSYBGEADHLUXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJIRMDLRMXTQLN-UHFFFAOYSA-N O1CCOCC1.C[Zn]C Chemical compound O1CCOCC1.C[Zn]C GJIRMDLRMXTQLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100038239 Protein Churchill Human genes 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBXNLBMOIVUEMJ-UHFFFAOYSA-N [Mn]C Chemical compound [Mn]C IBXNLBMOIVUEMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 230000004397 blinking Effects 0.000 description 1
- 150000004657 carbamic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001728 carbonyl compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010961 commercial manufacture process Methods 0.000 description 1
- 238000012733 comparative method Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- LJSQFQKUNVCTIA-UHFFFAOYSA-N diethyl sulfide Chemical compound CCSCC LJSQFQKUNVCTIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRLYMSHUDNORBC-UHFFFAOYSA-N diisopropylzinc Chemical compound [Zn+2].C[CH-]C.C[CH-]C FRLYMSHUDNORBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKRVHLWAVKJBFN-UHFFFAOYSA-N diphenylzinc Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Zn]C1=CC=CC=C1 MKRVHLWAVKJBFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- ZOOODBUHSVUZEM-UHFFFAOYSA-N ethoxymethanedithioic acid Chemical compound CCOC(S)=S ZOOODBUHSVUZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- MMIPFLVOWGHZQD-UHFFFAOYSA-N manganese(3+) Chemical compound [Mn+3] MMIPFLVOWGHZQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALEXWXWETMUIKL-UHFFFAOYSA-N manganese;1,2,3,4,5-pentamethylcyclopentane Chemical compound [Mn].C[C]1[C](C)[C](C)[C](C)[C]1C.C[C]1[C](C)[C](C)[C](C)[C]1C ALEXWXWETMUIKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001741 metal-organic molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- QXDQSQFLCULCEC-UHFFFAOYSA-L n,n-dibutylcarbamodithioate;manganese(2+) Chemical compound [Mn+2].CCCCN(C([S-])=S)CCCC.CCCCN(C([S-])=S)CCCC QXDQSQFLCULCEC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- YCWSUKQGVSGXJO-NTUHNPAUSA-N nifuroxazide Chemical group C1=CC(O)=CC=C1C(=O)N\N=C\C1=CC=C([N+]([O-])=O)O1 YCWSUKQGVSGXJO-NTUHNPAUSA-N 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000010349 pulsation Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBMBVTRWEAAZEY-UHFFFAOYSA-N trisulfane Chemical compound SSS KBMBVTRWEAAZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIZCIEIDIFGZSS-UHFFFAOYSA-L trithiocarbonate Chemical compound [S-]C([S-])=S HIZCIEIDIFGZSS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000012989 trithiocarbonate Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012991 xanthate Substances 0.000 description 1
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 description 1
- XMDFGRGFVRKBKS-UHFFFAOYSA-N zinc;pentane Chemical compound [Zn+2].CCCC[CH2-].CCCC[CH2-] XMDFGRGFVRKBKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/57—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing manganese or rhenium
- C09K11/572—Chalcogenides
- C09K11/574—Chalcogenides with zinc or cadmium
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は従来技術の欠点を克服し、原子層エ
ピタキシー法により製造されるエレクトロルミネッセン
スＺｎＳ：Ｍｎ薄膜の性能を改良し、該膜の製造方法を
簡素化することを目的とする。 【解決手段】 本発明は、薄膜エレクトロルミネッセン
ス要素の使用に適するＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体層を成長させ
る方法において、前駆物質として揮発性の亜鉛化合物、
硫黄化合物およびマンガン化合物を使用する原子層エピ
タキシー法により、該ＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体層を基板上に
成長させることからなり、亜鉛の前駆物質として有機亜
鉛化合物を使用し、硫黄の前駆物質として硫化水素また
は有機硫黄化合物を使用し、および、マンガンの前駆物
質として有機マンガン化合物または有機マンガン錯化合
物を使用することからなることを特徴とする方法であ
る。
ピタキシー法により製造されるエレクトロルミネッセン
スＺｎＳ：Ｍｎ薄膜の性能を改良し、該膜の製造方法を
簡素化することを目的とする。 【解決手段】 本発明は、薄膜エレクトロルミネッセン
ス要素の使用に適するＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体層を成長させ
る方法において、前駆物質として揮発性の亜鉛化合物、
硫黄化合物およびマンガン化合物を使用する原子層エピ
タキシー法により、該ＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体層を基板上に
成長させることからなり、亜鉛の前駆物質として有機亜
鉛化合物を使用し、硫黄の前駆物質として硫化水素また
は有機硫黄化合物を使用し、および、マンガンの前駆物
質として有機マンガン化合物または有機マンガン錯化合
物を使用することからなることを特徴とする方法であ
る。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】本発明は、無機薄膜エレクトロルミネッセ
ンス要素の使用に適するＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体層を成長さ
せるための、請求項１の前文に従う方法に関する。
ンス要素の使用に適するＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体層を成長さ
せるための、請求項１の前文に従う方法に関する。
【０００２】この方法に従えば、揮発性（すなわちガス
状または気化できる）亜鉛、硫黄およびマンガンの化合
物を、堆積させようとする層を製造させるための前駆物
質として使用する、原子層エピタキシー（ＡＬＥ）技術
を使用して、ＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体層を基板上に成長させ
る。
状または気化できる）亜鉛、硫黄およびマンガンの化合
物を、堆積させようとする層を製造させるための前駆物
質として使用する、原子層エピタキシー（ＡＬＥ）技術
を使用して、ＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体層を基板上に成長させ
る。
【０００３】
【従来技術】平らなエレクトロルミネッセンス表示装置
は、広い視角、広い温度範囲、振動耐久性を必要とする
用途に使用される。最も重要なエレクトロルミネッセン
ス蛍光体材料は、黄色光を発する全ての単色エレクトロ
ルミネッセンス表示装置で従来使用されているマンガン
をドープした硫化亜鉛（ＺｎＳ：Ｍｎ）である。赤およ
び緑を発光する多色エレクトロルミネッセンス表示装置
も、同じ蛍光体材料に基づくものであるが、赤色および
緑色はＺｎＳ：Ｍｎの発光スペクトルからフィルターに
より得られる。
は、広い視角、広い温度範囲、振動耐久性を必要とする
用途に使用される。最も重要なエレクトロルミネッセン
ス蛍光体材料は、黄色光を発する全ての単色エレクトロ
ルミネッセンス表示装置で従来使用されているマンガン
をドープした硫化亜鉛（ＺｎＳ：Ｍｎ）である。赤およ
び緑を発光する多色エレクトロルミネッセンス表示装置
も、同じ蛍光体材料に基づくものであるが、赤色および
緑色はＺｎＳ：Ｍｎの発光スペクトルからフィルターに
より得られる。
【０００４】ＺｎＳ：Ｍｎの薄膜エレクトロルミネッセ
ンス（ＴＦＥＬ）層は、異なる方法、すなわち蒸発、ス
パッタリング、有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）、ＡＬ
Ｅにより、当該技術では作られてきた。これらの方法の
うち、蒸発およびＡＬＥがＴＦＥＬ表示装置の商業的製
造で使用される。工業的プロセスでは、方法の経済的効
率および得られるエレクトロルミネッセンスＺｎＳ：Ｍ
ｎ薄膜の性能の両者が極めて重要である。
ンス（ＴＦＥＬ）層は、異なる方法、すなわち蒸発、ス
パッタリング、有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）、ＡＬ
Ｅにより、当該技術では作られてきた。これらの方法の
うち、蒸発およびＡＬＥがＴＦＥＬ表示装置の商業的製
造で使用される。工業的プロセスでは、方法の経済的効
率および得られるエレクトロルミネッセンスＺｎＳ：Ｍ
ｎ薄膜の性能の両者が極めて重要である。
【０００５】気相堆積法のうち、最も広く使用されるも
のは、ＭＯＣＶＤおよびＡＬＥである。ＭＯＣＶＤ法で
は、前駆物質を同時に反応器に導入する。膜成長機構
は、主として基板表面上の前駆物質の熱分解に基づき、
前駆物質の質量流量を調節して膜成長速度を本質的に制
御できる。ＡＬＥ法では、前駆物質は順次に反応器に律
動的に送られる。この場合、その成長機構は熱分解に基
づくものではなくて、基板表面での交換反応に基づくも
のである。従って、自己制御的成長速度が得られ、すな
わち成長速度は前駆物質の質量流量に対して独立であ
る。従って、堆積膜の良好な均一性を達成することは、
ＭＯＣＶＤでは一層困難であり、これがこの方法がエレ
クトロルミネッセンスＺｎＳ：Ｍｎ薄膜要素の多量生産
に使用されない理由である。これに対比し、ＡＬＥ法は
明らかに異なる解決法を使用し、この方法で製造された
薄膜はエレクトロルミネッセンス表示装置の商業的製造
用の十分に均一な厚さと組成を示す。
のは、ＭＯＣＶＤおよびＡＬＥである。ＭＯＣＶＤ法で
は、前駆物質を同時に反応器に導入する。膜成長機構
は、主として基板表面上の前駆物質の熱分解に基づき、
前駆物質の質量流量を調節して膜成長速度を本質的に制
御できる。ＡＬＥ法では、前駆物質は順次に反応器に律
動的に送られる。この場合、その成長機構は熱分解に基
づくものではなくて、基板表面での交換反応に基づくも
のである。従って、自己制御的成長速度が得られ、すな
わち成長速度は前駆物質の質量流量に対して独立であ
る。従って、堆積膜の良好な均一性を達成することは、
ＭＯＣＶＤでは一層困難であり、これがこの方法がエレ
クトロルミネッセンスＺｎＳ：Ｍｎ薄膜要素の多量生産
に使用されない理由である。これに対比し、ＡＬＥ法は
明らかに異なる解決法を使用し、この方法で製造された
薄膜はエレクトロルミネッセンス表示装置の商業的製造
用の十分に均一な厚さと組成を示す。
【０００６】従来、ＡＬＥ法を使用して製造された最良
のエレクトロルミネッセンスＺｎＳ：Ｍｎ薄膜は、前駆
物質として塩化亜鉛、塩化マンガン、硫化水素を使用し
製造されてきており、この際の基板表面温度は５００乃
至５２０℃の範囲であった（フィンランド特許明細書第
８６９９５号参照）。同じ方法が、エレクトロルミネッ
センス表示装置の工業的製造にも使用される。この場
合、基板表面は交互に塩化亜鉛および硫化水素との反応
にかけられ、その表面に吸着された分子塩化亜鉛層は硫
化水素と反応し、硫化亜鉛を形成する〔Ｊ．Ｈｙｖａｒ
ｉｎｅｎ、Ｍ．Ｓｏｎｎｉｎｅｎ および Ｒ．Ｔｏｒ
ｎｑｖｉｓｔ：Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔ．Ｇ
ｔｏｗｔｈ，Ｖｏｌ．８６（１９８８），ｐ．６９
５〕。
のエレクトロルミネッセンスＺｎＳ：Ｍｎ薄膜は、前駆
物質として塩化亜鉛、塩化マンガン、硫化水素を使用し
製造されてきており、この際の基板表面温度は５００乃
至５２０℃の範囲であった（フィンランド特許明細書第
８６９９５号参照）。同じ方法が、エレクトロルミネッ
センス表示装置の工業的製造にも使用される。この場
合、基板表面は交互に塩化亜鉛および硫化水素との反応
にかけられ、その表面に吸着された分子塩化亜鉛層は硫
化水素と反応し、硫化亜鉛を形成する〔Ｊ．Ｈｙｖａｒ
ｉｎｅｎ、Ｍ．Ｓｏｎｎｉｎｅｎ および Ｒ．Ｔｏｒ
ｎｑｖｉｓｔ：Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔ．Ｇ
ｔｏｗｔｈ，Ｖｏｌ．８６（１９８８），ｐ．６９
５〕。
【０００７】今日まで、ＺｎＳ：Ｍｎを堆積するための
前駆物質として塩化物を使用するＡＬＥ法を使用して、
無数の薄膜エレクトロルミネッセンスＺｎＳ：Ｍｎ表示
装置が成功して製造されてきた。しかし、この従来の技
術は少数の明らかな欠点を含む。それらの一つは、エレ
クトロルミネッセンスＺｎＳ：Ｍｎ構造の非対称発光で
ある。この現象は、添付した図１ａで明らかである。こ
の図から明らかなように、画素駆動電圧の一つの極性は
他の極性よりも一層高い発光を生じる。実際上、これは
エレクトロルミネッセンス表示装置上で異なる灰色水準
の発生において周波数変調の使用に制限を課する。非対
称発光により、低い駆動周波数で発光の目にみえる明滅
が起こるからである。
前駆物質として塩化物を使用するＡＬＥ法を使用して、
無数の薄膜エレクトロルミネッセンスＺｎＳ：Ｍｎ表示
装置が成功して製造されてきた。しかし、この従来の技
術は少数の明らかな欠点を含む。それらの一つは、エレ
クトロルミネッセンスＺｎＳ：Ｍｎ構造の非対称発光で
ある。この現象は、添付した図１ａで明らかである。こ
の図から明らかなように、画素駆動電圧の一つの極性は
他の極性よりも一層高い発光を生じる。実際上、これは
エレクトロルミネッセンス表示装置上で異なる灰色水準
の発生において周波数変調の使用に制限を課する。非対
称発光により、低い駆動周波数で発光の目にみえる明滅
が起こるからである。
【０００８】主として塩化マグネシウムの低蒸気圧のた
めに、塩化物プロセスは少なくとも５００℃の基板温度
を前提とする。この温度は、すでにソーダ石灰ガラスの
軟化点に非常に近い。ソーダ石灰ガラス基板は経済的理
由で好ましいから、プロセス温度を５００℃付近（５０
０乃至５２０℃の範囲）に保つ必要があるが、改良され
た性能の層は一層高温で得られる。ソーダ石灰ガラス
は、従来使用された温度範囲で既に軟化を受けるから、
この現象はエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置
の製造プロセスにおいて余分の費用を招く。
めに、塩化物プロセスは少なくとも５００℃の基板温度
を前提とする。この温度は、すでにソーダ石灰ガラスの
軟化点に非常に近い。ソーダ石灰ガラス基板は経済的理
由で好ましいから、プロセス温度を５００℃付近（５０
０乃至５２０℃の範囲）に保つ必要があるが、改良され
た性能の層は一層高温で得られる。ソーダ石灰ガラス
は、従来使用された温度範囲で既に軟化を受けるから、
この現象はエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置
の製造プロセスにおいて余分の費用を招く。
【０００９】塩化亜鉛と塩化マンガンの両方の取扱のた
めに、ＡＬＥ堆積装置は、取扱いにくくかつ制御困難な
昇華源を備える必要がある。更に、薄膜化合物のマトリ
ックスを形成する塩化亜鉛は２つの前駆物質のうち一層
速い速度で消費されるから、塩化亜鉛はあきらかに一層
多くの問題を引き起こすものである。
めに、ＡＬＥ堆積装置は、取扱いにくくかつ制御困難な
昇華源を備える必要がある。更に、薄膜化合物のマトリ
ックスを形成する塩化亜鉛は２つの前駆物質のうち一層
速い速度で消費されるから、塩化亜鉛はあきらかに一層
多くの問題を引き起こすものである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
技術の欠点を克服し、エレクトロルミネッセンス表示要
素で使用するマンガンドープした硫化亜鉛蛍光体層の成
長に対する全く新規な解決法を提供することである。本
発明の特別の目的は、ＡＬＥにより製造されるエレクト
ロルミネッセンスＺｎＳ：Ｍｎ薄膜の性能を改良し、か
つこのような薄膜の製造方法を簡素化するにある。
技術の欠点を克服し、エレクトロルミネッセンス表示要
素で使用するマンガンドープした硫化亜鉛蛍光体層の成
長に対する全く新規な解決法を提供することである。本
発明の特別の目的は、ＡＬＥにより製造されるエレクト
ロルミネッセンスＺｎＳ：Ｍｎ薄膜の性能を改良し、か
つこのような薄膜の製造方法を簡素化するにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、その方
法において、揮発性亜鉛化合物として有機亜鉛化合物
を、マンガン化合物として有機マンガン化合物または有
機マンガン錯化合物を使用することにより達成される。
法において、揮発性亜鉛化合物として有機亜鉛化合物
を、マンガン化合物として有機マンガン化合物または有
機マンガン錯化合物を使用することにより達成される。
【００１２】ＡＬＥにより前駆物質として使用する有機
マンガン錯化合物からのＺｎＳ：Ｍｎ薄膜の堆積は技術
で既知である。たとえば、実験室条件で、オキシ酢酸亜
鉛、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−
ヘプタンジオナト）マンガン(III）〔Ｍｎ（ｔｈｄ）3
と略す〕および硫化水素を使用して、ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜
を成長させてきた（Ｍ．Ｔａｍｍｅｎｍａａ、Ｔ．Ｋｏ
ｓｋｉｎｅｎ、Ｌ．Ｈｉｌｔｕｎｅｎ、Ｍ．Ｌｅｓｋｅ
ｌａおよびＬ．Ｎｉｉｎｉｓｔｏ：亜鉛源として酢酸亜
鉛を、活性化剤源としてランタノイドβ−ジケトナート
を使用するＺｎＳ膜の成長、原子層エピタキシーに関す
る第１シンポジウム、ｐ．１８，ＶＴＴ，Ｅｓｐｏｏ，
フィンランド、１９８４）。引用した刊行物に記載の方
法を使用して薄膜が製造されてきたが、刊行物では実際
のＥＬ薄膜構造は議論されていない。Ｔａｍｍｅｎｍａ
ａらによる刊行物に従って作られた薄膜の光出力はかな
り低いままで、更に駆動電圧の異なる極性での発光は非
対称であることが判明した。
マンガン錯化合物からのＺｎＳ：Ｍｎ薄膜の堆積は技術
で既知である。たとえば、実験室条件で、オキシ酢酸亜
鉛、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−
ヘプタンジオナト）マンガン(III）〔Ｍｎ（ｔｈｄ）3
と略す〕および硫化水素を使用して、ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜
を成長させてきた（Ｍ．Ｔａｍｍｅｎｍａａ、Ｔ．Ｋｏ
ｓｋｉｎｅｎ、Ｌ．Ｈｉｌｔｕｎｅｎ、Ｍ．Ｌｅｓｋｅ
ｌａおよびＬ．Ｎｉｉｎｉｓｔｏ：亜鉛源として酢酸亜
鉛を、活性化剤源としてランタノイドβ−ジケトナート
を使用するＺｎＳ膜の成長、原子層エピタキシーに関す
る第１シンポジウム、ｐ．１８，ＶＴＴ，Ｅｓｐｏｏ，
フィンランド、１９８４）。引用した刊行物に記載の方
法を使用して薄膜が製造されてきたが、刊行物では実際
のＥＬ薄膜構造は議論されていない。Ｔａｍｍｅｎｍａ
ａらによる刊行物に従って作られた薄膜の光出力はかな
り低いままで、更に駆動電圧の異なる極性での発光は非
対称であることが判明した。
【００１３】ＡＬＥ法を使用する、ジメチル亜鉛または
ジエチル亜鉛および硫化水素（セレン化水素）からドー
プしない硫化亜鉛（およびセレン化亜鉛）層の成長は、
多数の刊行物で議論されている〔たとえば、Ａ．Ｙｏｓ
ｈｉｋａｗａ、Ｔ．Ｏｋａｍｏｔｏ、Ｈ．Ｙａｓｕｄ
ａ、Ｓ．ＹａｍａｇａおよびＨ．Ｋａｎｓａｉ：ＭＯＭ
ＢＥ系におけるＺｎＳｅの“ＭＢＥ様”および“ＣＶＤ
様”原子層エピタキシー、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒ
ｙｓｔ．Ｇｒｏｗｔｈ，Ｖｏ．１０１（１９９０），
ｐ．８６；Ｙ．Ｗｕ、Ｔ．Ｔｏｙｏｄａ、Ｙ．Ｋａｗａ
ｋａｍｉ、Ｓｚ．ＦｕｊｉｔａおよびＳｇ．Ｆｕｊｉｔ
ａ：有機金属分子線エピタキシーによるＧａＡｓ基板上
のＺｎＳの原子層エピタキシー、Ｊａｐａｎ．Ｊｏｕｒ
ｎａｌ ｏｆＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．２９（１９
９０），ｐ．Ｌ７２９；Ｎ．ＳｈｉｂａｔａおよびＡ．
Ｋａｔｓｕｉ：ジエチル亜鉛およびセレン化水素の交互
吸着によりＧａＡｓ基板上のＺｎＳｅの単層エピタキシ
ー、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＣｒｙｓｔ．Ｇｒｏｗｔｈ，
Ｖｏｌ．１０１（１９９０），ｐ．９１；Ｉ．Ｂｈａｔ
およびＳ．Ａｋｒａｍ：ジメチル亜鉛およびセレン化水
素を使用するＺｎＳｅの原子層エピタキシヤル成長、Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔ．Ｇｒｏｗｔｈ，Ｖ
ｏ．１３８，ｐ．１２７（１９９４）参照〕。これらの
技術は、ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜の製造には使用されず、Ｚｎ
Ｓ：Ｍｎ系ＥＬ薄膜構造については述べられていない。
ジエチル亜鉛および硫化水素（セレン化水素）からドー
プしない硫化亜鉛（およびセレン化亜鉛）層の成長は、
多数の刊行物で議論されている〔たとえば、Ａ．Ｙｏｓ
ｈｉｋａｗａ、Ｔ．Ｏｋａｍｏｔｏ、Ｈ．Ｙａｓｕｄ
ａ、Ｓ．ＹａｍａｇａおよびＨ．Ｋａｎｓａｉ：ＭＯＭ
ＢＥ系におけるＺｎＳｅの“ＭＢＥ様”および“ＣＶＤ
様”原子層エピタキシー、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒ
ｙｓｔ．Ｇｒｏｗｔｈ，Ｖｏ．１０１（１９９０），
ｐ．８６；Ｙ．Ｗｕ、Ｔ．Ｔｏｙｏｄａ、Ｙ．Ｋａｗａ
ｋａｍｉ、Ｓｚ．ＦｕｊｉｔａおよびＳｇ．Ｆｕｊｉｔ
ａ：有機金属分子線エピタキシーによるＧａＡｓ基板上
のＺｎＳの原子層エピタキシー、Ｊａｐａｎ．Ｊｏｕｒ
ｎａｌ ｏｆＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．２９（１９
９０），ｐ．Ｌ７２９；Ｎ．ＳｈｉｂａｔａおよびＡ．
Ｋａｔｓｕｉ：ジエチル亜鉛およびセレン化水素の交互
吸着によりＧａＡｓ基板上のＺｎＳｅの単層エピタキシ
ー、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＣｒｙｓｔ．Ｇｒｏｗｔｈ，
Ｖｏｌ．１０１（１９９０），ｐ．９１；Ｉ．Ｂｈａｔ
およびＳ．Ａｋｒａｍ：ジメチル亜鉛およびセレン化水
素を使用するＺｎＳｅの原子層エピタキシヤル成長、Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔ．Ｇｒｏｗｔｈ，Ｖ
ｏ．１３８，ｐ．１２７（１９９４）参照〕。これらの
技術は、ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜の製造には使用されず、Ｚｎ
Ｓ：Ｍｎ系ＥＬ薄膜構造については述べられていない。
【００１４】予想外にも、マンガンをドープした硫化亜
鉛蛍光体層を薄膜エレクトロルミネッセンス要素のため
にＡＬＥにより成長させるときに、亜鉛の前駆物質とし
て従来使用されているＴａｍｍｅｎｍａａらによる刊行
物に述べられている塩化亜鉛またはオキシ酢酸亜鉛を有
機亜鉛化合物で置き換えると、特に有利な構造が得られ
ることが見い出された。最も有利には、亜鉛の前駆物質
は、単純なアルキル亜鉛化合物である。従来技術におい
て、ジエチル亜鉛が良好な結晶性を有するＺｎＳ膜の製
造のためのＭＯＣＶＤに使用されてきた〔Ｍｉｇａｔ
ａ，Ｍ．、Ｋａｎｅｈｉｓａ，Ｏ．、Ｓｈｉｉｋｉ．
Ｍ．およびＹａｍａｍｏｔｏ，Ｈ．：新しいマンガン源
を使用するＭＯＣＶＤによるＺｎＳ：Ｍｎエレクトロル
ミネッセンス層の製造、Ｊ．Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗ
ｔｈ，９３（１９８８），ｐｐ．６８６−６９１）参
照〕。本発明に関連して、有機亜鉛化合物を、極度に有
利なエージング性および駆動電圧対称発光の薄膜構造の
製造のために、ＡＬＥ法に使用できることが、予想外に
も見い出された。前駆物質としてジエチル亜鉛を使用す
ることにより上記特性がＭＯＣＶＤ法において得られる
ことについては、Ｍｉｇａｔａらによる上記刊行物には
全く述べられていない。
鉛蛍光体層を薄膜エレクトロルミネッセンス要素のため
にＡＬＥにより成長させるときに、亜鉛の前駆物質とし
て従来使用されているＴａｍｍｅｎｍａａらによる刊行
物に述べられている塩化亜鉛またはオキシ酢酸亜鉛を有
機亜鉛化合物で置き換えると、特に有利な構造が得られ
ることが見い出された。最も有利には、亜鉛の前駆物質
は、単純なアルキル亜鉛化合物である。従来技術におい
て、ジエチル亜鉛が良好な結晶性を有するＺｎＳ膜の製
造のためのＭＯＣＶＤに使用されてきた〔Ｍｉｇａｔ
ａ，Ｍ．、Ｋａｎｅｈｉｓａ，Ｏ．、Ｓｈｉｉｋｉ．
Ｍ．およびＹａｍａｍｏｔｏ，Ｈ．：新しいマンガン源
を使用するＭＯＣＶＤによるＺｎＳ：Ｍｎエレクトロル
ミネッセンス層の製造、Ｊ．Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗ
ｔｈ，９３（１９８８），ｐｐ．６８６−６９１）参
照〕。本発明に関連して、有機亜鉛化合物を、極度に有
利なエージング性および駆動電圧対称発光の薄膜構造の
製造のために、ＡＬＥ法に使用できることが、予想外に
も見い出された。前駆物質としてジエチル亜鉛を使用す
ることにより上記特性がＭＯＣＶＤ法において得られる
ことについては、Ｍｉｇａｔａらによる上記刊行物には
全く述べられていない。
【００１５】硫黄の前駆物質として、硫化水素または有
機硫黄化合物を使用し、マンガンの前駆物質として、有
機マンガン化合物または有機マンガン錯化合物を使用す
る。
機硫黄化合物を使用し、マンガンの前駆物質として、有
機マンガン化合物または有機マンガン錯化合物を使用す
る。
【００１６】更に詳しくは、薄膜エレクトロルミネッセ
ンス要素の使用に適するＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体層成長のた
めの本発明の方法は、請求項１に述べられていることを
主として特徴としている。
ンス要素の使用に適するＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体層成長のた
めの本発明の方法は、請求項１に述べられていることを
主として特徴としている。
【００１７】本発明は、エレクトロルミネッセンスＺｎ
Ｓ：Ｍｎ薄膜を成長させる方法を開示する。この新規方
法の細目を次に略述する。
Ｓ：Ｍｎ薄膜を成長させる方法を開示する。この新規方
法の細目を次に略述する。
【００１８】１．ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜の成長は、ＡＬＥ法
を使用し、すなわち反応空間に位置した基板表面が両前
駆物質に同時にさらされるのを防ぐように、交互の順で
陰イオン前駆物質および陽イオン前駆物質のパルス供給
を使用して、実行される。この薄膜成長方法は、硫化亜
鉛層の成長工程、続くマンガンドーピング工程からな
り、望む層厚さが得られるまで、両工程を交互に繰り返
す。ＡＬＥ法の詳細については、米国特許明細書第４，
０５８，４３０号および第４，３８９，９７３号が参考
となる。
を使用し、すなわち反応空間に位置した基板表面が両前
駆物質に同時にさらされるのを防ぐように、交互の順で
陰イオン前駆物質および陽イオン前駆物質のパルス供給
を使用して、実行される。この薄膜成長方法は、硫化亜
鉛層の成長工程、続くマンガンドーピング工程からな
り、望む層厚さが得られるまで、両工程を交互に繰り返
す。ＡＬＥ法の詳細については、米国特許明細書第４，
０５８，４３０号および第４，３８９，９７３号が参考
となる。
【００１９】２．成長プロセスの温度は、前駆物質の基
板表面への凝縮を防ぐように高く、しかも基板表面での
試薬の本質的量の熱分解を避けるのに十分低い温度を保
持するに制御される。前駆物質に依存するが、基板表面
温度は一般的には３００℃乃至４００℃である。
板表面への凝縮を防ぐように高く、しかも基板表面での
試薬の本質的量の熱分解を避けるのに十分低い温度を保
持するに制御される。前駆物質に依存するが、基板表面
温度は一般的には３００℃乃至４００℃である。
【００２０】３．ジメチル亜鉛またはジエチル亜鉛のよ
うな有機亜鉛化合物を、亜鉛の前駆物質として使用し、
硫化水素またはメルカプタンのような有機硫黄化合物
を、硫黄の前駆物質として使用する。
うな有機亜鉛化合物を、亜鉛の前駆物質として使用し、
硫化水素またはメルカプタンのような有機硫黄化合物
を、硫黄の前駆物質として使用する。
【００２１】４．マンガンの前駆物質は、基板表面で凝
縮しないか、または本質的に熱分解をせずに、しかも基
板表面上に一般的に分子層より厚くない層を形成できる
有機マンガン化合物または有機マンガン錯化合物の群か
ら選ばれる。硫黄の前駆物質を次の工程で導入すると、
吸着した分子は硫黄の前駆物質と反応し、基板表面にマ
ンガン原子および硫黄原子のみを残すが、不純原子を残
さない（少なくとも有意な量の不純物原子を残さな
い）。適切な前駆物質は、たとえばＭｎ（ｔｈｄ）3お
よびビス（シクロペンタジエニル）マンガン〔Ｍｎ（ｃ
ｐｄ）2 と略す〕である。
縮しないか、または本質的に熱分解をせずに、しかも基
板表面上に一般的に分子層より厚くない層を形成できる
有機マンガン化合物または有機マンガン錯化合物の群か
ら選ばれる。硫黄の前駆物質を次の工程で導入すると、
吸着した分子は硫黄の前駆物質と反応し、基板表面にマ
ンガン原子および硫黄原子のみを残すが、不純原子を残
さない（少なくとも有意な量の不純物原子を残さな
い）。適切な前駆物質は、たとえばＭｎ（ｔｈｄ）3お
よびビス（シクロペンタジエニル）マンガン〔Ｍｎ（ｃ
ｐｄ）2 と略す〕である。
【００２２】本発明に関連し、“有機元素”または“有
機元素化合物”または“有機の元素化合物”の用語は、
少なくとも一つの有機基が一つのまたは多数の炭素また
は炭素環を介して上記元素（Ｚｎ、ＭｎまたはＳ）に結
合している化合物を指す。“有機マンガン錯化合物”の
用語は、少なくとも一つの有機基が酸素、硫黄または窒
素を介してマンガンに結合している化合物を指す。上記
有機基は、炭化水素基（アルキル、アシル、アリール＋
ハロゲン化物および類似の誘導体のような少なくとも１
個の炭素と１個の水素からなるもの）を有し、更にそれ
に結合したハロゲン化物、カルコゲニドまたは窒素のよ
うな他の元素を有する。これに関連し、硫黄に結合した
水素または炭素は有機基を形成すると考えられる。
機元素化合物”または“有機の元素化合物”の用語は、
少なくとも一つの有機基が一つのまたは多数の炭素また
は炭素環を介して上記元素（Ｚｎ、ＭｎまたはＳ）に結
合している化合物を指す。“有機マンガン錯化合物”の
用語は、少なくとも一つの有機基が酸素、硫黄または窒
素を介してマンガンに結合している化合物を指す。上記
有機基は、炭化水素基（アルキル、アシル、アリール＋
ハロゲン化物および類似の誘導体のような少なくとも１
個の炭素と１個の水素からなるもの）を有し、更にそれ
に結合したハロゲン化物、カルコゲニドまたは窒素のよ
うな他の元素を有する。これに関連し、硫黄に結合した
水素または炭素は有機基を形成すると考えられる。
【００２３】亜鉛前駆物質として使用するのに適する有
機亜鉛化合物は、ジアルキル化合物、たとえばジペンチ
ル亜鉛〔（Ｃ5 Ｈ11）2 Ｚｎ〕、ジイソプロピル亜鉛
〔（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）2 Ｚｎ〕、ｔｅｒｔ−ジブチル亜鉛
〔（ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｚｎ〕およびアルキル炭素鎖に１
〜６個の炭素を有する他のジアルキル化合物、ジアリー
ル化合物たとえばジフェニル亜鉛〔（Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｚ
ｎ〕を含む。特に適するものは、ジメチル亜鉛〔（ＣＨ
3 ）2 Ｚｎ〕、ジエチル亜鉛〔（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｚｎ〕の
ような最も単純なジアルキル化合物である。更に可能な
化合物は、他の元素（ハロゲン、酸素、硫黄、窒素）に
結合する官能基を有する有機亜鉛化合物、たとえばジ−
３−メルカプトプロピル亜鉛〔（Ｃ3 Ｈ7 ＳＨ）2 Ｚ
ｎ〕およびジ−４−メトキシブチル亜鉛〔（Ｃ4 Ｈ9 Ｃ
ＨＯ）2 Ｚｎ〕、またはエーテルまたはアミンと錯化合
物を形成するジアルキル化合物、たとえばジメチル亜鉛
−１，４−ジオキサン〔（ＣＨ3 ）2 Ｚｎ・Ｃ4 Ｈ8 Ｏ
2 〕により与えられる。
機亜鉛化合物は、ジアルキル化合物、たとえばジペンチ
ル亜鉛〔（Ｃ5 Ｈ11）2 Ｚｎ〕、ジイソプロピル亜鉛
〔（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）2 Ｚｎ〕、ｔｅｒｔ−ジブチル亜鉛
〔（ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｚｎ〕およびアルキル炭素鎖に１
〜６個の炭素を有する他のジアルキル化合物、ジアリー
ル化合物たとえばジフェニル亜鉛〔（Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｚ
ｎ〕を含む。特に適するものは、ジメチル亜鉛〔（ＣＨ
3 ）2 Ｚｎ〕、ジエチル亜鉛〔（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｚｎ〕の
ような最も単純なジアルキル化合物である。更に可能な
化合物は、他の元素（ハロゲン、酸素、硫黄、窒素）に
結合する官能基を有する有機亜鉛化合物、たとえばジ−
３−メルカプトプロピル亜鉛〔（Ｃ3 Ｈ7 ＳＨ）2 Ｚ
ｎ〕およびジ−４−メトキシブチル亜鉛〔（Ｃ4 Ｈ9 Ｃ
ＨＯ）2 Ｚｎ〕、またはエーテルまたはアミンと錯化合
物を形成するジアルキル化合物、たとえばジメチル亜鉛
−１，４−ジオキサン〔（ＣＨ3 ）2 Ｚｎ・Ｃ4 Ｈ8 Ｏ
2 〕により与えられる。
【００２４】本方法における硫黄前駆物質としての硫化
水素を、たとえば二硫化炭素（ＣＳ2 ）、またはジメチ
ル硫黄〔Ｓ（ＣＨ3 ）2 〕およびジエチル硫黄〔Ｓ（Ｃ
2 Ｈ5 ）2 〕のようなジアルキル硫黄化合物、またはメ
チルメルカプタン（ＨＳＣＨ3 ）およびｔ−ブチルメル
カプタン〔ＨＳＣ（ＣＨ3 ）3 〕のようなメルカプタ
ン、またはチオフェン（Ｃ4 Ｈ4 Ｓ）およびプロピレン
スルフィド（ＣＨ2 ＣＨＣＨ3 Ｓ）のような環構造を有
する硫黄化合物、またはスルファンＨ2 Ｓx たとえば二
硫化二水素（Ｈ2 Ｓ2 ）および三硫化二水素（Ｈ
2 Ｓ3 ）およびそれらの前駆物質たとえばトリチオ炭酸
のエーテル錯体〔Ｈ2 ＣＳ3 ・２（Ｃ2 Ｈ5 ）2Ｏ〕で
置き換えることができる。
水素を、たとえば二硫化炭素（ＣＳ2 ）、またはジメチ
ル硫黄〔Ｓ（ＣＨ3 ）2 〕およびジエチル硫黄〔Ｓ（Ｃ
2 Ｈ5 ）2 〕のようなジアルキル硫黄化合物、またはメ
チルメルカプタン（ＨＳＣＨ3 ）およびｔ−ブチルメル
カプタン〔ＨＳＣ（ＣＨ3 ）3 〕のようなメルカプタ
ン、またはチオフェン（Ｃ4 Ｈ4 Ｓ）およびプロピレン
スルフィド（ＣＨ2 ＣＨＣＨ3 Ｓ）のような環構造を有
する硫黄化合物、またはスルファンＨ2 Ｓx たとえば二
硫化二水素（Ｈ2 Ｓ2 ）および三硫化二水素（Ｈ
2 Ｓ3 ）およびそれらの前駆物質たとえばトリチオ炭酸
のエーテル錯体〔Ｈ2 ＣＳ3 ・２（Ｃ2 Ｈ5 ）2Ｏ〕で
置き換えることができる。
【００２５】マンガン前駆物質として、マンガンの有機
金属化合物、たとえばビス（シクロペンタジエニル）マ
ンガン〔Ｍｎ（Ｃ5 Ｈ5 ）2 、Ｍｎ（ｃｐｄ）2 と略
す〕のような炭化水素錯体、またはビス（メチルシクロ
ペンタジエニル）マンガン〔Ｍｎ（Ｃ5 Ｈ4 Ｃ
Ｈ3 ）2 、ＢＣＭＰと略す〕のようなアルキル、アリー
ル、アシルまたはカルボニル置換誘導体、またはトリカ
ルボニルメチルマンガン〔（ＣＯ）3 Ｍｎ（ＣＨ3 ）〕
のようなアルキル、アリール、アシルおよびカルボニル
化合物、またはその複合形およびハロゲン化物誘導体た
とえばトリカルボニル（メチルシクロペンタジエニル）
マンガン〔（ＣＨ3 Ｃ5 Ｈ4 ）Ｍｎ（ＣＯ）3 、ＴＣＭ
と略す〕、ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）
マンガン〔（（ＣＨ3 ）5 Ｃ5 ）2 Ｍｎ〕およびマンガ
ンペンタカルボニルブロミド〔Ｍｎ（ＣＯ）5 Ｂｒ〕を
使用できる。酸素結合で形成される化合物のうち有用な
ものは、β−ジケトナートおよびその誘導体、たとえば
ビス（ペンタン−２，４−ジチオナト）マンガン〔Ｍｎ
（ａｃａｃ）2 と略す〕、トリス（２，２，６，６−テ
トラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）マンガン〔Ｍ
ｎ（ｔｈｄ）3 と略す〕および硫黄結合で形成される硫
黄化合物のうち有用なものは、カルバミン酸塩たとえば
ジブチルジチオカルバミン酸マンガン〔Ｍｎ（Ｃ
4 Ｈ11）2 ＮＣＳ2 〕またはキサントゲン酸塩たとえば
Ｎ−ブチルキサントゲン酸マンガン〔Ｍｎ（Ｃ4 Ｈ9 Ｏ
ＣＳ2 ）2 〕である。
金属化合物、たとえばビス（シクロペンタジエニル）マ
ンガン〔Ｍｎ（Ｃ5 Ｈ5 ）2 、Ｍｎ（ｃｐｄ）2 と略
す〕のような炭化水素錯体、またはビス（メチルシクロ
ペンタジエニル）マンガン〔Ｍｎ（Ｃ5 Ｈ4 Ｃ
Ｈ3 ）2 、ＢＣＭＰと略す〕のようなアルキル、アリー
ル、アシルまたはカルボニル置換誘導体、またはトリカ
ルボニルメチルマンガン〔（ＣＯ）3 Ｍｎ（ＣＨ3 ）〕
のようなアルキル、アリール、アシルおよびカルボニル
化合物、またはその複合形およびハロゲン化物誘導体た
とえばトリカルボニル（メチルシクロペンタジエニル）
マンガン〔（ＣＨ3 Ｃ5 Ｈ4 ）Ｍｎ（ＣＯ）3 、ＴＣＭ
と略す〕、ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）
マンガン〔（（ＣＨ3 ）5 Ｃ5 ）2 Ｍｎ〕およびマンガ
ンペンタカルボニルブロミド〔Ｍｎ（ＣＯ）5 Ｂｒ〕を
使用できる。酸素結合で形成される化合物のうち有用な
ものは、β−ジケトナートおよびその誘導体、たとえば
ビス（ペンタン−２，４−ジチオナト）マンガン〔Ｍｎ
（ａｃａｃ）2 と略す〕、トリス（２，２，６，６−テ
トラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）マンガン〔Ｍ
ｎ（ｔｈｄ）3 と略す〕および硫黄結合で形成される硫
黄化合物のうち有用なものは、カルバミン酸塩たとえば
ジブチルジチオカルバミン酸マンガン〔Ｍｎ（Ｃ
4 Ｈ11）2 ＮＣＳ2 〕またはキサントゲン酸塩たとえば
Ｎ−ブチルキサントゲン酸マンガン〔Ｍｎ（Ｃ4 Ｈ9 Ｏ
ＣＳ2 ）2 〕である。
【００２６】上記から明らかなように、本発明の好まし
い実施態様に従えば、前駆物質として有機亜鉛化合物、
硫化水素または有機硫黄化合物および有機マンガン化合
物またはマンガン錯化合物を使用して、反応空間に置か
れた基板上にＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体層を成長させる。
い実施態様に従えば、前駆物質として有機亜鉛化合物、
硫化水素または有機硫黄化合物および有機マンガン化合
物またはマンガン錯化合物を使用して、反応空間に置か
れた基板上にＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体層を成長させる。
【００２７】本発明の基づき、基板、該基板上に多分形
成されるイオン拡散障壁層、その上に形成される第１電
極のパターン化される１組、該電極パターン上に形成さ
れる第１絶縁層、該絶縁層上に成長されるＺｎＳ：Ｍｎ
蛍光体層、該蛍光体上に堆積される第２絶縁層、該第２
絶縁層上に形成される第２電極のパターン化される組か
らなる薄膜エレクトロルミネッセンス要素を製造でき
る。
成されるイオン拡散障壁層、その上に形成される第１電
極のパターン化される１組、該電極パターン上に形成さ
れる第１絶縁層、該絶縁層上に成長されるＺｎＳ：Ｍｎ
蛍光体層、該蛍光体上に堆積される第２絶縁層、該第２
絶縁層上に形成される第２電極のパターン化される組か
らなる薄膜エレクトロルミネッセンス要素を製造でき
る。
【００２８】最も適切には、薄膜エレクトロルミネッセ
ンス要素の基板は、ガラス、Ａｌ2Ｏ3 またはケイ素か
らなる。イオン拡散障壁層は、たとえばＡｌ2 Ｏ3 また
はケイ素酸化物から作ることができる。更に、基板上に
形成される電極の第１および第２の整列した組は、導電
性材料から作られ、特に有利なものはたとえばインジウ
ム−スズの酸化物、適切にドープした酸化亜鉛、Ａｌ、
ＷまたはＭｏである。電極は、従来の技術を使用し、基
板上に適切な層を堆積および／またはパターンニングす
ることにより作られる。上記電極上に形成される第１絶
縁層は、金属酸化物または金属酸化物の複合構造、たと
えば酸化アルミニウム−酸化チタン多層構造から作るこ
とができる。第１絶縁層上に、上記技術を使用し、実際
の蛍光体層、すなわちＺｎＳ：Ｍｎ層を成長させる。蛍
光体層の他の側には、上記蛍光体層上に形成される第２
絶縁層が形成され、これはたとえば酸化アルミニウム−
酸化チタン多層構造からなることができ、その上には第
２電極の組が形成され、パターンニングされる。
ンス要素の基板は、ガラス、Ａｌ2Ｏ3 またはケイ素か
らなる。イオン拡散障壁層は、たとえばＡｌ2 Ｏ3 また
はケイ素酸化物から作ることができる。更に、基板上に
形成される電極の第１および第２の整列した組は、導電
性材料から作られ、特に有利なものはたとえばインジウ
ム−スズの酸化物、適切にドープした酸化亜鉛、Ａｌ、
ＷまたはＭｏである。電極は、従来の技術を使用し、基
板上に適切な層を堆積および／またはパターンニングす
ることにより作られる。上記電極上に形成される第１絶
縁層は、金属酸化物または金属酸化物の複合構造、たと
えば酸化アルミニウム−酸化チタン多層構造から作るこ
とができる。第１絶縁層上に、上記技術を使用し、実際
の蛍光体層、すなわちＺｎＳ：Ｍｎ層を成長させる。蛍
光体層の他の側には、上記蛍光体層上に形成される第２
絶縁層が形成され、これはたとえば酸化アルミニウム−
酸化チタン多層構造からなることができ、その上には第
２電極の組が形成され、パターンニングされる。
【００２９】本発明の別の実施態様によれば、上記Ｚｎ
Ｓ：Ｍｎ蛍光体層と上記蛍光体層の下または上に堆積さ
れた絶縁層との間に第２蛍光体層を成長させることによ
り、上記の基本構造を変形できる。この第２蛍光体層
は、ＳｒＳ：ＣｅまたはＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体層により有
利に形成される。上記ＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体層と上記第１
蛍光体層の下または上に成長させた第２蛍光体層との間
に、望むときは第２絶縁層を堆積できる。
Ｓ：Ｍｎ蛍光体層と上記蛍光体層の下または上に堆積さ
れた絶縁層との間に第２蛍光体層を成長させることによ
り、上記の基本構造を変形できる。この第２蛍光体層
は、ＳｒＳ：ＣｅまたはＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体層により有
利に形成される。上記ＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体層と上記第１
蛍光体層の下または上に成長させた第２蛍光体層との間
に、望むときは第２絶縁層を堆積できる。
【００３０】本発明は、エレクトロルミネッセンスＺｎ
Ｓ：Ｍｎ層を形成するための従来のＡＬＥ法（塩化物
法）およびオキシ酢酸亜鉛の使用の両方に比べ、著しい
利点を与える。
Ｓ：Ｍｎ層を形成するための従来のＡＬＥ法（塩化物
法）およびオキシ酢酸亜鉛の使用の両方に比べ、著しい
利点を与える。
【００３１】本発明に従うエレクトロルミネッセンスＺ
ｎＳ：Ｍｎ構造は、グレースケール表示装置の制御に極
めて重要である駆動電圧対称発光性を与える。実施例１
で製造した本発明に従うＥＬ薄膜構造に関してプロット
した特性と実施例１および４で例示した従来技術に従い
製造した構造の特性との比較は、本発明が非常に改善さ
れかつ一層対称的な発光を与えることを明瞭にする。
ｎＳ：Ｍｎ構造は、グレースケール表示装置の制御に極
めて重要である駆動電圧対称発光性を与える。実施例１
で製造した本発明に従うＥＬ薄膜構造に関してプロット
した特性と実施例１および４で例示した従来技術に従い
製造した構造の特性との比較は、本発明が非常に改善さ
れかつ一層対称的な発光を与えることを明瞭にする。
【００３２】本発明に従うエレクトロルミネッセンスＺ
ｎＳ：Ｍｎ構造を使用する表示装置の輝度は、一層低い
速度で劣化し、該表示装置は長時間使用中の個々の画素
の輝度劣化の一層小さい速度によるパターン変色の一層
小さい度合いを示す。
ｎＳ：Ｍｎ構造を使用する表示装置の輝度は、一層低い
速度で劣化し、該表示装置は長時間使用中の個々の画素
の輝度劣化の一層小さい速度によるパターン変色の一層
小さい度合いを示す。
【００３３】エレクトロルミネッセンスＺｎＳ：Ｍｎ構
造を形成するための本発明に従うＡＬＥ法において、有
機前駆物質の使用は、基板温度を明らかにソーダ石灰ガ
ラスの軟化点以下に保つことを可能にし、それによりガ
ラス基板の反りによる経済的損失を除去する。
造を形成するための本発明に従うＡＬＥ法において、有
機前駆物質の使用は、基板温度を明らかにソーダ石灰ガ
ラスの軟化点以下に保つことを可能にし、それによりガ
ラス基板の反りによる経済的損失を除去する。
【００３４】複数の有機亜鉛化合物は室温で液体であ
り、その高い蒸気圧は、追加の冷却、加熱または泡立て
の装置を系に備える必要なしに、パルス弁により反応器
に直接供給することを容易にする。塩化亜鉛の使用によ
り必要とする高温パルス弁供給系に比較して、この特徴
は著しく有利である。更に、液体前駆物質は、ＺｎＣｌ
2のような固体の吸湿性前駆物質よりも取扱が容易であ
る。
り、その高い蒸気圧は、追加の冷却、加熱または泡立て
の装置を系に備える必要なしに、パルス弁により反応器
に直接供給することを容易にする。塩化亜鉛の使用によ
り必要とする高温パルス弁供給系に比較して、この特徴
は著しく有利である。更に、液体前駆物質は、ＺｎＣｌ
2のような固体の吸湿性前駆物質よりも取扱が容易であ
る。
【００３５】Ｍｎ（ｔｈｄ）3 のような多数の上記有機
マンガン化合物または錯化合物は固体である。ＡＬＥ法
を使用する場合、これらは高温パルス弁供給系を備えた
系を必要とするが、塩化マンガンの使用に比べ、低温で
明らかに一層高い蒸気圧を与える。ＴＣＭのような若干
の化合物は、室温で液体であり、パルス弁による直接の
脈動を容易にする。
マンガン化合物または錯化合物は固体である。ＡＬＥ法
を使用する場合、これらは高温パルス弁供給系を備えた
系を必要とするが、塩化マンガンの使用に比べ、低温で
明らかに一層高い蒸気圧を与える。ＴＣＭのような若干
の化合物は、室温で液体であり、パルス弁による直接の
脈動を容易にする。
【００３６】次に、添付図面に示した少しの実施態様の
助けにより、本発明を一層詳細に説明する。
助けにより、本発明を一層詳細に説明する。
【００３７】
【実施例】実施例１ 前駆物質として硫化水素、ジエチル亜鉛およ
びＭｎ（ｔｈｄ）3 を使用しての、および比較方法にお
ける前駆物質として硫化水素および塩化物を使用して
の、ＡＬＥによるＴＦＥＬ要素用のＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体
の成長
びＭｎ（ｔｈｄ）3 を使用しての、および比較方法にお
ける前駆物質として硫化水素および塩化物を使用して
の、ＡＬＥによるＴＦＥＬ要素用のＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体
の成長
【００３８】この実施例で製造したＴＦＥＬ要素の薄膜
構造を図２に示す。この図を参照すると、ＴＦＥＬ要素
の蛍光体層がソーダ石灰ガラス基板１上に成長される。
基板の表面上には先ずＡｌ2 Ｏ3 イオン拡散障壁層２お
よびＩＴＯ導体パターン３が作られる。ＡＬＥにより、
試薬として塩化アルミニウム、塩化チタンおよび水を使
用し、ＩＴＯ導体層上にＡｌx Ｔｉy Ｏz 複合酸化物絶
縁層４を成長させる。次に、二つの異なる方法、Ａ）５
１０℃の成長プロセス温度で試薬として硫化水素、微粉
塩化亜鉛およびＭｎＣｌ2 を使用し、Ｂ）３５０℃の成
長プロセス温度で試薬として硫化水素、液体ジエチル亜
鉛およびＭｎ（ｔｈｄ）3 を使用し、ＺｎＳ：Ｍｎ蛍光
体層５を成長させる。硫化亜鉛を先ずＮサイクルで堆積
させ、その際ガラス基板表面を一連の試薬パルスＮ×
（亜鉛前駆物質＋硫化水素）にかけ、その後ガラス基板
表面を別の一連の試薬パルスＭ×（マンガン前駆物質＋
硫化水素）にかける。望む厚さの蛍光体層が得られるま
で、パルス連続をＬ回繰り返す。反応室圧力を１．５ｔ
ｏｒｒに制御する。次に、蛍光体層上に、ＡＬＥにより
Ａｌx Ｔｉy Ｏz 絶縁層６を堆積させる。この絶縁層上
に、Ａｌ導体パターン７を形成する。
構造を図２に示す。この図を参照すると、ＴＦＥＬ要素
の蛍光体層がソーダ石灰ガラス基板１上に成長される。
基板の表面上には先ずＡｌ2 Ｏ3 イオン拡散障壁層２お
よびＩＴＯ導体パターン３が作られる。ＡＬＥにより、
試薬として塩化アルミニウム、塩化チタンおよび水を使
用し、ＩＴＯ導体層上にＡｌx Ｔｉy Ｏz 複合酸化物絶
縁層４を成長させる。次に、二つの異なる方法、Ａ）５
１０℃の成長プロセス温度で試薬として硫化水素、微粉
塩化亜鉛およびＭｎＣｌ2 を使用し、Ｂ）３５０℃の成
長プロセス温度で試薬として硫化水素、液体ジエチル亜
鉛およびＭｎ（ｔｈｄ）3 を使用し、ＺｎＳ：Ｍｎ蛍光
体層５を成長させる。硫化亜鉛を先ずＮサイクルで堆積
させ、その際ガラス基板表面を一連の試薬パルスＮ×
（亜鉛前駆物質＋硫化水素）にかけ、その後ガラス基板
表面を別の一連の試薬パルスＭ×（マンガン前駆物質＋
硫化水素）にかける。望む厚さの蛍光体層が得られるま
で、パルス連続をＬ回繰り返す。反応室圧力を１．５ｔ
ｏｒｒに制御する。次に、蛍光体層上に、ＡＬＥにより
Ａｌx Ｔｉy Ｏz 絶縁層６を堆積させる。この絶縁層上
に、Ａｌ導体パターン７を形成する。
【００３９】塩化物前駆物質に基づくＡ法を使用し、プ
ロセスパラメータをＮ＝１２０、Ｍ＝１およびＬ＝５０
にするとき、厚さ７３０ｎｍおよび主波長５８２ｎｍを
有する蛍光体層が得られる。６０Ｈｚ ＡＣ電圧で駆動
される幾つかの要素の試験装置で、測定された平均輝度
はＬ40＝４４０ｃｄ／ｍ2 および輝度効率はη40＝２．
９ｌｍ／Ｗであった。輝度および輝度効率は一定駆動電
圧を使用して記録され、この値は、６００Ｈｚ駆動電圧
で２３時間の初期ならしエージングサイクル後に、該要
素のターンオン電圧を４０Ｖ（＝Ｖ40）だけ越えるよう
に決められた。要素ターンオン電圧は、蛍光体輝度が１
ｃｄ／ｍ2 における駆動電圧と定義される。
ロセスパラメータをＮ＝１２０、Ｍ＝１およびＬ＝５０
にするとき、厚さ７３０ｎｍおよび主波長５８２ｎｍを
有する蛍光体層が得られる。６０Ｈｚ ＡＣ電圧で駆動
される幾つかの要素の試験装置で、測定された平均輝度
はＬ40＝４４０ｃｄ／ｍ2 および輝度効率はη40＝２．
９ｌｍ／Ｗであった。輝度および輝度効率は一定駆動電
圧を使用して記録され、この値は、６００Ｈｚ駆動電圧
で２３時間の初期ならしエージングサイクル後に、該要
素のターンオン電圧を４０Ｖ（＝Ｖ40）だけ越えるよう
に決められた。要素ターンオン電圧は、蛍光体輝度が１
ｃｄ／ｍ2 における駆動電圧と定義される。
【００４０】図１ａは該要素の発光の駆動電圧依存対称
性を示し、図３ａはエージング中のターンオン電圧ドリ
フトのプロットであり、図４ａはエージング中の輝度水
準Ｌ40の劣化を示す。エージングは、６００Ｈｚ駆動電
圧を使用して実施され、輝度水準Ｌ40は第１のエージン
グサイクル中に決められた一定駆動電圧Ｖ40で測定され
た（上記参照）。
性を示し、図３ａはエージング中のターンオン電圧ドリ
フトのプロットであり、図４ａはエージング中の輝度水
準Ｌ40の劣化を示す。エージングは、６００Ｈｚ駆動電
圧を使用して実施され、輝度水準Ｌ40は第１のエージン
グサイクル中に決められた一定駆動電圧Ｖ40で測定され
た（上記参照）。
【００４１】本発明のＢ法を使用して、プロセスパラメ
ータをＮ＝１００、Ｍ＝１およびＬ＝１７７にすると
き、厚さ７７０ｎｍおよび主波長５８４ｎｍを有する蛍
光体層が得られる。上記のように類似のエージングおよ
び測定にかけると、該要素は平均輝度はＬ40＝４３０ｃ
ｄ／ｍ2 、輝度効率はη40＝２．９ｌｍ／Ｗを示した。
図１ｂは該要素の発光の駆動電圧依存対称性を示し、図
３ｂはエージング中のターンオン電圧ドリフトのプロッ
トであり、図４ｂはエージング中の輝度水準Ｌ40の劣化
を示す。
ータをＮ＝１００、Ｍ＝１およびＬ＝１７７にすると
き、厚さ７７０ｎｍおよび主波長５８４ｎｍを有する蛍
光体層が得られる。上記のように類似のエージングおよ
び測定にかけると、該要素は平均輝度はＬ40＝４３０ｃ
ｄ／ｍ2 、輝度効率はη40＝２．９ｌｍ／Ｗを示した。
図１ｂは該要素の発光の駆動電圧依存対称性を示し、図
３ｂはエージング中のターンオン電圧ドリフトのプロッ
トであり、図４ｂはエージング中の輝度水準Ｌ40の劣化
を示す。
【００４２】この実施例は、本発明の１つの実施態様に
従うＺｎＳ：Ｍｎ法は、塩化物前駆物質に基づく従来法
の使用から得られるものよりも改良された要素性能を与
え、光出力は駆動電圧の極性に関し対称であり、要素の
輝度水準およびターンオン電圧は一層高い安定性を示す
ことを証明する。
従うＺｎＳ：Ｍｎ法は、塩化物前駆物質に基づく従来法
の使用から得られるものよりも改良された要素性能を与
え、光出力は駆動電圧の極性に関し対称であり、要素の
輝度水準およびターンオン電圧は一層高い安定性を示す
ことを証明する。
【００４３】実施例２ 前駆物質として硫化水素、ジエ
チル亜鉛およびビス（シクロペンタジエニル）マンガン
〔Ｍｎ（ｃｐｄ）2 〕を使用するＡＬＥによるＴＦＥＬ
要素用のＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体の成長
チル亜鉛およびビス（シクロペンタジエニル）マンガン
〔Ｍｎ（ｃｐｄ）2 〕を使用するＡＬＥによるＴＦＥＬ
要素用のＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体の成長
【００４４】この方法では、ＴＦＥＬ要素の蛍光体層
を、Ａｌ2 Ｏ3 イオン拡散障壁層およびＩＴＯ導体パタ
ーンで被覆された表面を有するソーダ石灰ガラス基板上
に成長させる。ＩＴＯ導体パターン上に、試薬として塩
化アルミニウム、塩化チタンおよび水を使用して、上記
実施例１に記載したのと同一な方式によりＡＬＥによ
り、Ａｌx Ｔｉy Ｏz 複合酸化物絶縁層を成長させる。
前駆物質として液体ジエチル亜鉛および硫化水素を使用
して、３５０℃の基板表面温度で蛍光体層の硫化亜鉛マ
トリクスを成長させる。Ｍｎ（ｃｐｄ）2 および硫化水
素の連続パルス供給により、マンガンのドーピングを遂
行する。硫化亜鉛を１００サイクルで堆積させ、その際
ガラス基板表面を一連の試薬パルス１００×（ジエチル
亜鉛＋硫化水素）にかけ、その後ガラス基板表面を別の
一連の試薬パルス１×〔Ｍｎ（ｃｐｄ）2 ＋硫化水素〕
にかける。望む厚さの蛍光体層が得られるまで、パルス
連続を１２２回繰り返す。次に、蛍光体層上に、実施例
１のようにＡＬＥにより類似のＡｌx Ｔｉy Ｏz 絶縁層
を堆積させる。この絶縁層上に、Ａｌ導体パターンを形
成する。こうして得られたＴＦＥＬ要素を図２に示す。
を、Ａｌ2 Ｏ3 イオン拡散障壁層およびＩＴＯ導体パタ
ーンで被覆された表面を有するソーダ石灰ガラス基板上
に成長させる。ＩＴＯ導体パターン上に、試薬として塩
化アルミニウム、塩化チタンおよび水を使用して、上記
実施例１に記載したのと同一な方式によりＡＬＥによ
り、Ａｌx Ｔｉy Ｏz 複合酸化物絶縁層を成長させる。
前駆物質として液体ジエチル亜鉛および硫化水素を使用
して、３５０℃の基板表面温度で蛍光体層の硫化亜鉛マ
トリクスを成長させる。Ｍｎ（ｃｐｄ）2 および硫化水
素の連続パルス供給により、マンガンのドーピングを遂
行する。硫化亜鉛を１００サイクルで堆積させ、その際
ガラス基板表面を一連の試薬パルス１００×（ジエチル
亜鉛＋硫化水素）にかけ、その後ガラス基板表面を別の
一連の試薬パルス１×〔Ｍｎ（ｃｐｄ）2 ＋硫化水素〕
にかける。望む厚さの蛍光体層が得られるまで、パルス
連続を１２２回繰り返す。次に、蛍光体層上に、実施例
１のようにＡＬＥにより類似のＡｌx Ｔｉy Ｏz 絶縁層
を堆積させる。この絶縁層上に、Ａｌ導体パターンを形
成する。こうして得られたＴＦＥＬ要素を図２に示す。
【００４５】上記方法を使用するとき、厚さ５３０ｎｍ
および主波長５８０ｎｍを有する蛍光体層が得られる。
製造した要素を６０Ｈｚ ＡＣ電圧で駆動する試験装置
において、測定した輝度はＬ40＝２５０ｃｄ／ｍ2 およ
び輝度効率はη40＝２．３ｌｍ／Ｗであった。輝度およ
び輝度効率は、一定の駆動電圧を使用して記録し、この
値（Ｖ40）を、１ｋＨｚの駆動電圧で７時間の初期なら
しエージングサイクル後に測定した要素のターンオン電
圧より４０Ｖ上にした。要素ターンオン電圧は、蛍光体
輝度が１ｃｄ／ｍ2 における駆動電圧として定義され
る。該要素を実施例１と同様エージングしたとき、ター
ンオン電圧は、初期７時間エージングサイクルの終わり
に測定した水準から２５０時間エージングサイクルの終
わりまでに、２Ｖ未満に変化し、そして測定した輝度Ｌ
40は１３％減少した。光出力は、図１に示すように対称
のままであった。
および主波長５８０ｎｍを有する蛍光体層が得られる。
製造した要素を６０Ｈｚ ＡＣ電圧で駆動する試験装置
において、測定した輝度はＬ40＝２５０ｃｄ／ｍ2 およ
び輝度効率はη40＝２．３ｌｍ／Ｗであった。輝度およ
び輝度効率は、一定の駆動電圧を使用して記録し、この
値（Ｖ40）を、１ｋＨｚの駆動電圧で７時間の初期なら
しエージングサイクル後に測定した要素のターンオン電
圧より４０Ｖ上にした。要素ターンオン電圧は、蛍光体
輝度が１ｃｄ／ｍ2 における駆動電圧として定義され
る。該要素を実施例１と同様エージングしたとき、ター
ンオン電圧は、初期７時間エージングサイクルの終わり
に測定した水準から２５０時間エージングサイクルの終
わりまでに、２Ｖ未満に変化し、そして測定した輝度Ｌ
40は１３％減少した。光出力は、図１に示すように対称
のままであった。
【００４６】試験結果を、それぞれ本実施例と同一厚さ
で作った絶縁層と蛍光体層を有する同等のＥＬ要素と比
較すると、本実施例に記載の方法は、実現可能な測定変
位の限度で、実施例１のＡおよびＢ法と同一のＬ40およ
びη40値を達成する。エージング中、ターンオン電圧に
おいて、本実施例の方法で作った要素では、実施例１の
方法で作った要素より に低く（約１０Ｖ）変化した。
輝度は、本実施例および実施例１のＢ法で作った要素で
は、同一量（１３％）劣化したが、一方実施例１のＡ法
で作った要素は一層速い劣化（２３％）を示した。
で作った絶縁層と蛍光体層を有する同等のＥＬ要素と比
較すると、本実施例に記載の方法は、実現可能な測定変
位の限度で、実施例１のＡおよびＢ法と同一のＬ40およ
びη40値を達成する。エージング中、ターンオン電圧に
おいて、本実施例の方法で作った要素では、実施例１の
方法で作った要素より に低く（約１０Ｖ）変化した。
輝度は、本実施例および実施例１のＢ法で作った要素で
は、同一量（１３％）劣化したが、一方実施例１のＡ法
で作った要素は一層速い劣化（２３％）を示した。
【００４７】この実施例は、本発明の別の実施態様に従
うＺｎＳ：Ｍｎ法は、塩化物前駆物質に基づく方法の使
用から得られるものより改良された要素性能を与え、光
出力は駆動電圧極性に関し対称であり、表示要素の輝度
水準は一層高い安定性を示すことを証明している。
うＺｎＳ：Ｍｎ法は、塩化物前駆物質に基づく方法の使
用から得られるものより改良された要素性能を与え、光
出力は駆動電圧極性に関し対称であり、表示要素の輝度
水準は一層高い安定性を示すことを証明している。
【００４８】実施例３ 前駆物質としてｔ−ブチルメル
カプタン、ジメチル亜鉛およびビス（メチルシクロペン
タジエニル）マンガン（ＢＣＰＭ）を使用するＡＬＥに
よるＴＦＥＬ要素用のＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体の成長
カプタン、ジメチル亜鉛およびビス（メチルシクロペン
タジエニル）マンガン（ＢＣＰＭ）を使用するＡＬＥに
よるＴＦＥＬ要素用のＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体の成長
【００４９】この方法では、ＴＦＥＬ要素の蛍光体層
を、Ａｌ2 Ｏ3 イオン拡散障壁層およびＩＴＯ導体パタ
ーンで被覆された表面を有するソーダ石灰ガラス基板上
に成長させる。ＩＴＯ導体パターン上に、試薬として塩
化アルミニウム、塩化チタンおよび水を使用して、実施
例１および２に記載したのと同一な方式でＡＬＥによ
り、Ａｌx Ｔｉy Ｏz 複合酸化物絶縁層を成長させる。
前駆物質として液体ジメチル亜鉛およびｔ−ブチルメル
カプタンを使用して、３００℃の基板温度で蛍光体層の
硫化亜鉛マトリックスを成長させる。ビス（メチルシク
ロペンタジエニル）マンガンおよび硫化水素の連続パル
ス供給により、マンガンのドーピングを達成する。硫化
亜鉛を１００サイクルで堆積させ、その際ガラス基板表
面を一連の試薬パルス１００×（ジメチル亜鉛＋ｔ−ブ
チルメルカプタン）にかけ、その後ガラス基板表面を別
の一連の試薬パルス２×（ＢＣＰＭ＋ｔ−ブチルメルカ
プタンまたは硫化水素）にかける。望む厚さの蛍光体層
が得られるまで、パルス連続を１５０回繰り返す。次い
で蛍光体層上に、実施例１および２と同様に、ＡＬＥに
よりＡｌx Ｔｉy Ｏz 絶縁層を堆積させる。この絶縁層
上に、Ａｌ導体パターンを形成する。こうして得られた
ＴＦＥＬ要素の多層構造を図２に示す。
を、Ａｌ2 Ｏ3 イオン拡散障壁層およびＩＴＯ導体パタ
ーンで被覆された表面を有するソーダ石灰ガラス基板上
に成長させる。ＩＴＯ導体パターン上に、試薬として塩
化アルミニウム、塩化チタンおよび水を使用して、実施
例１および２に記載したのと同一な方式でＡＬＥによ
り、Ａｌx Ｔｉy Ｏz 複合酸化物絶縁層を成長させる。
前駆物質として液体ジメチル亜鉛およびｔ−ブチルメル
カプタンを使用して、３００℃の基板温度で蛍光体層の
硫化亜鉛マトリックスを成長させる。ビス（メチルシク
ロペンタジエニル）マンガンおよび硫化水素の連続パル
ス供給により、マンガンのドーピングを達成する。硫化
亜鉛を１００サイクルで堆積させ、その際ガラス基板表
面を一連の試薬パルス１００×（ジメチル亜鉛＋ｔ−ブ
チルメルカプタン）にかけ、その後ガラス基板表面を別
の一連の試薬パルス２×（ＢＣＰＭ＋ｔ−ブチルメルカ
プタンまたは硫化水素）にかける。望む厚さの蛍光体層
が得られるまで、パルス連続を１５０回繰り返す。次い
で蛍光体層上に、実施例１および２と同様に、ＡＬＥに
よりＡｌx Ｔｉy Ｏz 絶縁層を堆積させる。この絶縁層
上に、Ａｌ導体パターンを形成する。こうして得られた
ＴＦＥＬ要素の多層構造を図２に示す。
【００５０】実施例４ 前駆物質として硫化水素、オキ
シ酢酸亜鉛、Ｍｎ（ｔｈｄ）3 を使いＡＬＥによるＴＦ
ＥＬ成分用のＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体の成長
シ酢酸亜鉛、Ｍｎ（ｔｈｄ）3 を使いＡＬＥによるＴＦ
ＥＬ成分用のＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体の成長
【００５１】この方法では、Ａｌ2 Ｏ3 イオン拡散障壁
層およびＩＴＯの導体パターンで被覆された表面を有す
るソーダ石灰ガラス基板上に、ＴＦＥＬ要素の蛍光体層
を成長させる。ＩＴＯ導体パターン上に、試薬として塩
化アルミニウム、塩化チタンおよび水を使用して、実施
例１〜３に記載したのと同一な方式でＡＬＥにより、Ａ
ｌx Ｔｉy Ｏz 複合酸化物絶縁層を成長させる。前駆物
質として微粉結晶性オキシ酢酸亜鉛（Ｚｎ4 ＯＡｃ6 ）
および硫化水素を使用して、蛍光体層の硫化亜鉛マトリ
ックスを成長させる。Ｍｎ（ｔｈｄ）3 および硫化水素
の連続のパルス供給により、マンガンのドーピングを達
成する。硫化亜鉛をＮサイクルで堆積させ、その際ガラ
ス基板表面を一連の試薬パルスＮ×（オキシ酢酸亜鉛＋
硫化水素）にかけ、その後ガラス基板表面を別の一連の
試薬パルスＭ×〔Ｍｎ（ｔｈｄ）3 ＋硫化水素）にかけ
る。望む厚さの蛍光体層が得られるまで、連続のパルス
をＬ回繰り返す。次に、蛍光体層上に、実施例１〜３の
ようにＡＬＥにより、類似のＡｌx Ｔｉy Ｏz 絶縁層を
堆積させる。この絶縁層上に、Ａｌ導体パターンを形成
する。こうして得られたＴＦＥＬ要素の多層構造を図２
に示す。
層およびＩＴＯの導体パターンで被覆された表面を有す
るソーダ石灰ガラス基板上に、ＴＦＥＬ要素の蛍光体層
を成長させる。ＩＴＯ導体パターン上に、試薬として塩
化アルミニウム、塩化チタンおよび水を使用して、実施
例１〜３に記載したのと同一な方式でＡＬＥにより、Ａ
ｌx Ｔｉy Ｏz 複合酸化物絶縁層を成長させる。前駆物
質として微粉結晶性オキシ酢酸亜鉛（Ｚｎ4 ＯＡｃ6 ）
および硫化水素を使用して、蛍光体層の硫化亜鉛マトリ
ックスを成長させる。Ｍｎ（ｔｈｄ）3 および硫化水素
の連続のパルス供給により、マンガンのドーピングを達
成する。硫化亜鉛をＮサイクルで堆積させ、その際ガラ
ス基板表面を一連の試薬パルスＮ×（オキシ酢酸亜鉛＋
硫化水素）にかけ、その後ガラス基板表面を別の一連の
試薬パルスＭ×〔Ｍｎ（ｔｈｄ）3 ＋硫化水素）にかけ
る。望む厚さの蛍光体層が得られるまで、連続のパルス
をＬ回繰り返す。次に、蛍光体層上に、実施例１〜３の
ようにＡＬＥにより、類似のＡｌx Ｔｉy Ｏz 絶縁層を
堆積させる。この絶縁層上に、Ａｌ導体パターンを形成
する。こうして得られたＴＦＥＬ要素の多層構造を図２
に示す。
【００５２】１．５ｔｏｒｒの反応室圧力下、３５０℃
の基板温度で上記方法を使用して、プロセスパラメータ
をＮ＝１５、Ｍ＝１およびＬ＝１００にしたとき、厚さ
４８０ｎｍおよび主波長５８０ｎｍを有する蛍光体層が
得られる。該層の輝度は、実施例１および２の堆積法を
使用して製造された要素の輝度より明らかに劣る。実施
例１および２と類似の試験装置を使用したとき、測定さ
れた最高輝度Ｌ40＝１００ｃｄ／ｍ2 および輝度効率は
η40＝０．８ｌｍ／Ｗであった。光出力パルスは、本発
明に従う前駆物質を使用した実施例１Ｂおよび２で得ら
れた結果に比較し、実質上非対称（Ａｌ＋で３５乃至４
５％、Ａｌ−で５５乃至６５％）であった。
の基板温度で上記方法を使用して、プロセスパラメータ
をＮ＝１５、Ｍ＝１およびＬ＝１００にしたとき、厚さ
４８０ｎｍおよび主波長５８０ｎｍを有する蛍光体層が
得られる。該層の輝度は、実施例１および２の堆積法を
使用して製造された要素の輝度より明らかに劣る。実施
例１および２と類似の試験装置を使用したとき、測定さ
れた最高輝度Ｌ40＝１００ｃｄ／ｍ2 および輝度効率は
η40＝０．８ｌｍ／Ｗであった。光出力パルスは、本発
明に従う前駆物質を使用した実施例１Ｂおよび２で得ら
れた結果に比較し、実質上非対称（Ａｌ＋で３５乃至４
５％、Ａｌ−で５５乃至６５％）であった。
【００５３】この実施例は、本発明に従う蛍光体層の別
格の有利な特性は、前駆物質として硫化水素、オキシ酢
酸亜鉛およびＭｎ（ｔｈｄ）3 を使用する従来のＺｎ
Ｓ：Ｍｎ成長法によっては達成できないことを証明して
いる。
格の有利な特性は、前駆物質として硫化水素、オキシ酢
酸亜鉛およびＭｎ（ｔｈｄ）3 を使用する従来のＺｎ
Ｓ：Ｍｎ成長法によっては達成できないことを証明して
いる。
【００５４】実施例５ 前駆物質として硫化水素、塩化
亜鉛およびＭｎ（ｔｈｄ）3 を使用するＡＬＥによるＴ
ＦＥＬ要素用のＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体の成長
亜鉛およびＭｎ（ｔｈｄ）3 を使用するＡＬＥによるＴ
ＦＥＬ要素用のＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体の成長
【００５５】この方法では、Ａｌ2 Ｏ3 イオン拡散障壁
層およびＩＴＯ導体パターンで被覆された表面を有する
ソーダ石灰ガラス基板上に、ＴＦＥＬ要素の蛍光体層を
成長させる。ＩＴＯ導体パターン上に、試薬として塩化
アルミニウム、塩化チタンおよび水を使用して、実施例
１〜４に記載したのと同一な方式でＡＬＥにより、Ａｌ
x Ｔｉy Ｏz 複合酸化物絶縁層を成長させる。前駆物質
として微粉結晶性塩化亜鉛および硫化水素を使用して、
実施例１と同一方式で蛍光体層の硫化亜鉛マトリックス
を成長させる。Ｍｎ（ｔｈｄ）3 および硫化水素の連続
パルス供給により、マンガンによるドーピングを達成す
る。硫化亜鉛をＮサイクルで堆積させ、その際ガラス基
板表面を一連の試薬パルスＮ×（塩化亜鉛＋硫化水素）
にかけ、その後ガラス基板表面を別の一連の試薬パルス
Ｍ×〔Ｍｎ（ｔｈｄ）3 ＋硫化水素〕にかける。望む厚
さの蛍光体層が得られるまで、パルス連続をＬ回繰り返
す。次に蛍光体層上に、実施例１〜４のようにＡＬＥに
より、類似のＡｌx ＴｉyＯz 絶縁層を堆積させる。こ
の絶縁層上に、Ａｌ導体パターンを形成する。こうして
得られたＴＦＥＬ要素の多層構造を図２に示す。
層およびＩＴＯ導体パターンで被覆された表面を有する
ソーダ石灰ガラス基板上に、ＴＦＥＬ要素の蛍光体層を
成長させる。ＩＴＯ導体パターン上に、試薬として塩化
アルミニウム、塩化チタンおよび水を使用して、実施例
１〜４に記載したのと同一な方式でＡＬＥにより、Ａｌ
x Ｔｉy Ｏz 複合酸化物絶縁層を成長させる。前駆物質
として微粉結晶性塩化亜鉛および硫化水素を使用して、
実施例１と同一方式で蛍光体層の硫化亜鉛マトリックス
を成長させる。Ｍｎ（ｔｈｄ）3 および硫化水素の連続
パルス供給により、マンガンによるドーピングを達成す
る。硫化亜鉛をＮサイクルで堆積させ、その際ガラス基
板表面を一連の試薬パルスＮ×（塩化亜鉛＋硫化水素）
にかけ、その後ガラス基板表面を別の一連の試薬パルス
Ｍ×〔Ｍｎ（ｔｈｄ）3 ＋硫化水素〕にかける。望む厚
さの蛍光体層が得られるまで、パルス連続をＬ回繰り返
す。次に蛍光体層上に、実施例１〜４のようにＡＬＥに
より、類似のＡｌx ＴｉyＯz 絶縁層を堆積させる。こ
の絶縁層上に、Ａｌ導体パターンを形成する。こうして
得られたＴＦＥＬ要素の多層構造を図２に示す。
【００５６】１．５ｔｏｒｒの反応室圧力下、４５０℃
の基板表面温度で上記方法を使用して、プロセスパラメ
ータをＮ＝１２０、Ｍ＝１０およびＬ＝２０にすると
き、厚さ４５０ｎｍおよび主波長５８０ｎｍを有する蛍
光体層が得られる。該層の輝度は、実施例１および２の
堆積法を使用して製造された要素よりも明らかに劣って
いる。類似の試験装置を使用したとき、測定された最高
輝度はＬ40＝７５ｃｄ／ｍ2 であった。
の基板表面温度で上記方法を使用して、プロセスパラメ
ータをＮ＝１２０、Ｍ＝１０およびＬ＝２０にすると
き、厚さ４５０ｎｍおよび主波長５８０ｎｍを有する蛍
光体層が得られる。該層の輝度は、実施例１および２の
堆積法を使用して製造された要素よりも明らかに劣って
いる。類似の試験装置を使用したとき、測定された最高
輝度はＬ40＝７５ｃｄ／ｍ2 であった。
【００５７】この実施例は、本発明に従う蛍光体層の別
格の有利な特性は、前駆物質としてＭｎＣｌ2 の代わり
にＭｎ（ｔｈｄ）3 を使用する従来の塩化亜鉛型ＺｎＳ
層成長方法によって達成出来ないことを証明している。
格の有利な特性は、前駆物質としてＭｎＣｌ2 の代わり
にＭｎ（ｔｈｄ）3 を使用する従来の塩化亜鉛型ＺｎＳ
層成長方法によって達成出来ないことを証明している。
【図１ａ】図１ａは、前駆物質として硫化水素、塩化亜
鉛および塩化マンガンを使用して従来の技術に従い成長
させたＺｎＳ：Ｍｎ多層構造の両駆動電圧極性に対す
る、輝度対時間のプロットを示し、上の輝度曲線はＡ１
電極の正の駆動電圧極性に相当し、下の曲線はＡ１電極
の負の駆動電圧極性に相当する。
鉛および塩化マンガンを使用して従来の技術に従い成長
させたＺｎＳ：Ｍｎ多層構造の両駆動電圧極性に対す
る、輝度対時間のプロットを示し、上の輝度曲線はＡ１
電極の正の駆動電圧極性に相当し、下の曲線はＡ１電極
の負の駆動電圧極性に相当する。
【図１ｂ】図１ｂは、前駆物質として硫化水素、ジエチ
ル亜鉛およびＭｎ（ｔｈｄ）3を使用して成長させたＺ
ｎＳ：Ｍｎ多層構造の両駆動電圧極性に対する、輝度対
時間のプロットを示し、一つの輝度曲線はＡ１電極の正
の駆動電極極性に相当し、他の曲線はＡ１電極の負の駆
動電圧極性に相当し、両曲線は互いに全く一致してい
る。
ル亜鉛およびＭｎ（ｔｈｄ）3を使用して成長させたＺ
ｎＳ：Ｍｎ多層構造の両駆動電圧極性に対する、輝度対
時間のプロットを示し、一つの輝度曲線はＡ１電極の正
の駆動電極極性に相当し、他の曲線はＡ１電極の負の駆
動電圧極性に相当し、両曲線は互いに全く一致してい
る。
【図２】図２は、底から上部へとガラス／イオン拡散障
壁／ＩＴＯ／Ａ１XＴｉyＯz／ＺｎＳ：Ｍｎ／Ａ１xＴｉ
yＯz／Ａ１の重ねた層からなるＥＬ要素の断面図を示
す。
壁／ＩＴＯ／Ａ１XＴｉyＯz／ＺｎＳ：Ｍｎ／Ａ１xＴｉ
yＯz／Ａ１の重ねた層からなるＥＬ要素の断面図を示
す。
【図３ａ】図３ａは、ＺｎＳ：Ｍｎ多層構造を、前駆物
質として硫化水素、塩化亜鉛および塩化マンガンを使用
して従来技術にしたがい成長させた場合の、要素エージ
ング中のターンオン駆動電圧ドリフトのプロットを示
す。
質として硫化水素、塩化亜鉛および塩化マンガンを使用
して従来技術にしたがい成長させた場合の、要素エージ
ング中のターンオン駆動電圧ドリフトのプロットを示
す。
【図３ｂ】図３ｂは、ＺｎＳ：Ｍｎ構造を、前駆物質と
して硫化水素、ジエチル亜鉛およびＭｎ（ｔｈｄ）3を
使用して成長させた場合の、要素エージング中のターン
オン駆動電圧ドリフトのプロットを示す。
して硫化水素、ジエチル亜鉛およびＭｎ（ｔｈｄ）3を
使用して成長させた場合の、要素エージング中のターン
オン駆動電圧ドリフトのプロットを示す。
【図４ａ】図４ａは、前駆物質として硫化水素、塩化亜
鉛および塩化マンガンを使用して従来技術にしたがい、
ＺｎＳ：Ｍｎ多層構造を成長させた場合の、要素エージ
ング中の輝度劣化のプロットを示す。
鉛および塩化マンガンを使用して従来技術にしたがい、
ＺｎＳ：Ｍｎ多層構造を成長させた場合の、要素エージ
ング中の輝度劣化のプロットを示す。
【図４ｂ】図４ｂは、前駆物質としての、ジエチル亜鉛
およびＭｎ（ｔｈｄ）3を使用してＺｎＳ：Ｍｎ構造を
成長させた場合の、要素エージング中の輝度劣化のプロ
ットを示す。
およびＭｎ（ｔｈｄ）3を使用してＺｎＳ：Ｍｎ構造を
成長させた場合の、要素エージング中の輝度劣化のプロ
ットを示す。
１ 基板 ２ イオン拡散障壁層 ３ 第１電極 ４ 第１絶縁層 ５ ＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体層 ６ 第２絶縁層 ７ 第２電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マルヤ ラホネン フィンランド国．02760 エスポー，ヨウ ピンメエンシュルイェ 13 イー (72)発明者 ルナール トョルンクヴィスト フィンランド国．02700 カウニアイネン, キルッコティエ 17 ビー (72)発明者 ユハ ヴィルヤネン フィンランド国．02320 エスポー，マイ ニンキティエ 16 デー 55
Claims (7)
- 【請求項１】 薄膜エレクトロルミネッセンス要素の使
用に適するＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体層を成長させる方法にお
いて、 前駆物質として揮発性の亜鉛化合物、硫黄化合物および
マンガン化合物を使用する原子層エピタキシー法によ
り、該ＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体層を基板上に成長させること
からなり、 亜鉛の前駆物質として有機亜鉛化合物を使用し、 硫黄の前駆物質として硫化水素または有機硫黄化合物を
使用し、および、 マンガンの前駆物質として有機マンガン化合物または有
機マンガン錯化合物を使用する、ことからなることを特
徴とする方法。 - 【請求項２】 亜鉛の前駆物質として、ジエチル亜鉛ま
たはジメチル亜鉛のような単純なアルキル化合物を使用
する請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 マンガンの前駆物質として、トリス
（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジ
オナト）マンガン、トリカルボニル（メチルシクロペン
タジエニル）マンガン、ビス（シクロペンタジエニル）
マンガンまたはビス（メチルシクロペンタジエニル）マ
ンガンを使用する請求項１に記載の方法。 - 【請求項４】 ガラス、Ａｌ2 Ｏ3 またはケイ素のよう
な基板（１）、 該基板上に多分形成されるイオン拡散障壁層（２）、 該イオン拡散障壁層または該基板上に形成されかつパタ
ーンニングされる、たとえばインジウム−スズの酸化
物、ドープした酸化亜鉛、Ａｌ、ＷまたはＭｏからなる
第１電極の組（３）、 たとえば酸化アルミニウム−酸化チタン多層構造により
該電極上に形成される第１絶縁層（４）、 該第１絶縁層上に成長されるＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体層
（５）、 たとえば酸化アルミニウム−酸化チタン多層構造により
該蛍光体層上に形成される第２絶縁層（６）、および該
第２絶縁層上に形成されかつパターンニングされる、た
とえばインジウム−スズの酸化物、適切にドープした酸
化亜鉛またはＡｌからなる第２電極の組（７）からなる
薄膜エレクトロルミネッセンス要素を製造できる請求項
１乃至３のいずれか一項に記載の方法。 - 【請求項５】 該ＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体層（５）と該蛍光
体層の下または上に堆積させた絶縁層（４；６）との間
に第２蛍光体層を成長させる請求項４に記載の方法。 - 【請求項６】 該ＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体層（５）と該第１
蛍光体層の下または上に成長させた第２蛍光体層との間
に第２絶縁層を堆積させる請求項５に記載の方法。 - 【請求項７】 該第２蛍光体層がＳｒＳ：ＣｅまたはＺ
ｎＳ：Ｍｎ層である請求項５または６に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI963587A FI100758B (fi) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | Menetelmä ZnS:Mn-loisteainekerroksen kasvattamiseksi ohutkalvoelektrol uminenssikomponentteja varten |
| FI963587 | 1996-09-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10162957A true JPH10162957A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=8546642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9244900A Pending JPH10162957A (ja) | 1996-09-11 | 1997-09-10 | 薄膜エレクトロルミネッセンス要素用のＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体層の成長方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6113977A (ja) |
| JP (1) | JPH10162957A (ja) |
| DE (1) | DE19738843B4 (ja) |
| FI (1) | FI100758B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100327105B1 (ko) * | 1998-08-14 | 2002-03-09 | 오길록 | 고휘도 형광체 및 그 제조방법 |
| KR100842376B1 (ko) | 2007-03-07 | 2008-07-01 | 한빔 주식회사 | 망간 도핑된 황화아연 나노입자의 제조방법 |
Families Citing this family (64)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6511539B1 (en) * | 1999-09-08 | 2003-01-28 | Asm America, Inc. | Apparatus and method for growth of a thin film |
| DE19953924A1 (de) * | 1999-11-10 | 2001-06-07 | Bundesdruckerei Gmbh | Zinksulfidische Elektroluminophore sowie Verfahren zu ihrer Herstellung |
| US6620723B1 (en) | 2000-06-27 | 2003-09-16 | Applied Materials, Inc. | Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques |
| US7405158B2 (en) | 2000-06-28 | 2008-07-29 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques |
| US7964505B2 (en) | 2005-01-19 | 2011-06-21 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of tungsten materials |
| US7732327B2 (en) | 2000-06-28 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Vapor deposition of tungsten materials |
| US6551929B1 (en) | 2000-06-28 | 2003-04-22 | Applied Materials, Inc. | Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques |
| US6825447B2 (en) * | 2000-12-29 | 2004-11-30 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection |
| US6765178B2 (en) | 2000-12-29 | 2004-07-20 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform substrate heating |
| US20020127336A1 (en) * | 2001-01-16 | 2002-09-12 | Applied Materials, Inc. | Method for growing thin films by catalytic enhancement |
| US6811814B2 (en) | 2001-01-16 | 2004-11-02 | Applied Materials, Inc. | Method for growing thin films by catalytic enhancement |
| US6951804B2 (en) | 2001-02-02 | 2005-10-04 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US6660126B2 (en) | 2001-03-02 | 2003-12-09 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US6878206B2 (en) | 2001-07-16 | 2005-04-12 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US6734020B2 (en) | 2001-03-07 | 2004-05-11 | Applied Materials, Inc. | Valve control system for atomic layer deposition chamber |
| KR100417079B1 (ko) * | 2001-05-08 | 2004-02-05 | 주식회사 엘지화학 | 형광체용 단결정 황화아연 분말의 제조방법 |
| US6849545B2 (en) | 2001-06-20 | 2005-02-01 | Applied Materials, Inc. | System and method to form a composite film stack utilizing sequential deposition techniques |
| US7211144B2 (en) | 2001-07-13 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Pulsed nucleation deposition of tungsten layers |
| EP1421606A4 (en) * | 2001-08-06 | 2008-03-05 | Genitech Co Ltd | PLASMA ACTIVE ATOMIC LAYER (PEALD) DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF FORMING THIN FILM USING SAID APPARATUS |
| US6916398B2 (en) | 2001-10-26 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition |
| KR100760291B1 (ko) * | 2001-11-08 | 2007-09-19 | 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 | 박막 형성 방법 |
| US6729824B2 (en) | 2001-12-14 | 2004-05-04 | Applied Materials, Inc. | Dual robot processing system |
| US6911391B2 (en) | 2002-01-26 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
| US6998014B2 (en) | 2002-01-26 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for plasma assisted deposition |
| US6827978B2 (en) | 2002-02-11 | 2004-12-07 | Applied Materials, Inc. | Deposition of tungsten films |
| US6833161B2 (en) | 2002-02-26 | 2004-12-21 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode |
| US6720027B2 (en) | 2002-04-08 | 2004-04-13 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of a variable content titanium silicon nitride layer |
| US7279432B2 (en) | 2002-04-16 | 2007-10-09 | Applied Materials, Inc. | System and method for forming an integrated barrier layer |
| US6821563B2 (en) | 2002-10-02 | 2004-11-23 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution system for cyclical layer deposition |
| US7812522B2 (en) * | 2004-07-22 | 2010-10-12 | Ifire Ip Corporation | Aluminum oxide and aluminum oxynitride layers for use with phosphors for electroluminescent displays |
| CN100595974C (zh) * | 2005-03-30 | 2010-03-24 | 松下电器产业株式会社 | 传输线 |
| US8993055B2 (en) | 2005-10-27 | 2015-03-31 | Asm International N.V. | Enhanced thin film deposition |
| US7582161B2 (en) | 2006-04-07 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited titanium-doped indium oxide films |
| US8268409B2 (en) * | 2006-10-25 | 2012-09-18 | Asm America, Inc. | Plasma-enhanced deposition of metal carbide films |
| US7611751B2 (en) | 2006-11-01 | 2009-11-03 | Asm America, Inc. | Vapor deposition of metal carbide films |
| US7595270B2 (en) * | 2007-01-26 | 2009-09-29 | Asm America, Inc. | Passivated stoichiometric metal nitride films |
| US7598170B2 (en) * | 2007-01-26 | 2009-10-06 | Asm America, Inc. | Plasma-enhanced ALD of tantalum nitride films |
| JP2010525530A (ja) * | 2007-04-30 | 2010-07-22 | アイファイアー・アイピー・コーポレーション | 厚膜誘電性エレクトロルミネセントディスプレイ用の積層厚膜誘電体構造 |
| US7713874B2 (en) * | 2007-05-02 | 2010-05-11 | Asm America, Inc. | Periodic plasma annealing in an ALD-type process |
| JP4978327B2 (ja) * | 2007-06-19 | 2012-07-18 | 富士通株式会社 | 再送制御方法及びその装置 |
| KR20090018290A (ko) * | 2007-08-17 | 2009-02-20 | 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 | 증착 장치 |
| WO2009108792A2 (en) * | 2008-02-26 | 2009-09-03 | Global Tungsten & Powders Corp. | Electroluminescent phosphor and method of making |
| US8557143B2 (en) * | 2008-03-13 | 2013-10-15 | Global Tungsten And Powders Corp. | Electroluminescent ZnS:Mn phosphor and method of making |
| JP5551681B2 (ja) | 2008-04-16 | 2014-07-16 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | アルミニウム炭化水素化合物を使用する金属炭化物膜の原子層堆積 |
| US8383525B2 (en) | 2008-04-25 | 2013-02-26 | Asm America, Inc. | Plasma-enhanced deposition process for forming a metal oxide thin film and related structures |
| US7666474B2 (en) | 2008-05-07 | 2010-02-23 | Asm America, Inc. | Plasma-enhanced pulsed deposition of metal carbide films |
| US9412602B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of smooth metal nitride films |
| US8841182B1 (en) | 2013-03-14 | 2014-09-23 | Asm Ip Holding B.V. | Silane and borane treatments for titanium carbide films |
| US8846550B1 (en) | 2013-03-14 | 2014-09-30 | Asm Ip Holding B.V. | Silane or borane treatment of metal thin films |
| US9245742B2 (en) | 2013-12-18 | 2016-01-26 | Asm Ip Holding B.V. | Sulfur-containing thin films |
| US9394609B2 (en) | 2014-02-13 | 2016-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of aluminum fluoride thin films |
| US10643925B2 (en) | 2014-04-17 | 2020-05-05 | Asm Ip Holding B.V. | Fluorine-containing conductive films |
| US10002936B2 (en) | 2014-10-23 | 2018-06-19 | Asm Ip Holding B.V. | Titanium aluminum and tantalum aluminum thin films |
| US9941425B2 (en) | 2015-10-16 | 2018-04-10 | Asm Ip Holdings B.V. | Photoactive devices and materials |
| US9786492B2 (en) | 2015-11-12 | 2017-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOCN thin films |
| US9786491B2 (en) | 2015-11-12 | 2017-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOCN thin films |
| KR102378021B1 (ko) | 2016-05-06 | 2022-03-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 박막의 형성 |
| US11464087B2 (en) * | 2016-09-02 | 2022-10-04 | Lumineq Oy | Inorganic TFEL display element and manufacturing |
| US10186420B2 (en) | 2016-11-29 | 2019-01-22 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of silicon-containing thin films |
| US10847529B2 (en) | 2017-04-13 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by the same |
| US10504901B2 (en) | 2017-04-26 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured using the same |
| US11158500B2 (en) | 2017-05-05 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma enhanced deposition processes for controlled formation of oxygen containing thin films |
| US10991573B2 (en) | 2017-12-04 | 2021-04-27 | Asm Ip Holding B.V. | Uniform deposition of SiOC on dielectric and metal surfaces |
| WO2023025986A1 (en) | 2021-08-24 | 2023-03-02 | Lumineq Oy | Inorganic tfel display element and manufacturing method |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE393967B (sv) * | 1974-11-29 | 1977-05-31 | Sateko Oy | Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket |
| US4389973A (en) * | 1980-03-18 | 1983-06-28 | Oy Lohja Ab | Apparatus for performing growth of compound thin films |
| US4442136A (en) * | 1982-03-02 | 1984-04-10 | Texas Instruments Incorporated | Electroluminescent display with laser annealed phosphor |
| EP0090535B1 (en) * | 1982-03-25 | 1986-07-02 | The Secretary of State for Defence in Her Britannic Majesty's Government of the United Kingdom of Great Britain and | Electroluminescent panels and method of manufacture |
| EP0267377B1 (en) * | 1986-09-16 | 1993-02-03 | Hitachi, Ltd. | Electroluminescent display apparatus and process for producing the same |
| FI86995C (fi) * | 1990-12-04 | 1992-11-10 | Planar Int Oy | Foerfarande foer framstaellning av manganhaltiga zinksulfidtunnfilmer |
| DE4139852A1 (de) * | 1991-12-03 | 1993-06-09 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften Ev, 3400 Goettingen, De | Optische einrichtung mit einem lumineszenten material und verfahren zu ihrer herstellung |
| DE4435016A1 (de) * | 1994-09-23 | 1996-03-28 | Hertz Inst Heinrich | Elektrolumineszenzdisplay mit einem Blau/Grün-Strahler, Verfahren zu dessen Herstellung und Vorrichtungen zur Verfahrensdurchführung |
| US5695809A (en) * | 1995-11-14 | 1997-12-09 | Micron Display Technology, Inc. | Sol-gel phosphors |
-
1996
- 1996-09-11 FI FI963587A patent/FI100758B/fi not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-09-05 DE DE19738843A patent/DE19738843B4/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-09-10 JP JP9244900A patent/JPH10162957A/ja active Pending
- 1997-09-11 US US08/927,523 patent/US6113977A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100327105B1 (ko) * | 1998-08-14 | 2002-03-09 | 오길록 | 고휘도 형광체 및 그 제조방법 |
| KR100842376B1 (ko) | 2007-03-07 | 2008-07-01 | 한빔 주식회사 | 망간 도핑된 황화아연 나노입자의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6113977A (en) | 2000-09-05 |
| DE19738843B4 (de) | 2010-05-06 |
| FI963587A0 (fi) | 1996-09-11 |
| FI100758B (fi) | 1998-02-13 |
| DE19738843A1 (de) | 1998-03-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040205 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A601 | Written request for extension of time |
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|
| A602 | Written permission of extension of time |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050817 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
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|
| A602 | Written permission of extension of time |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060217 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071203 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080520 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20081128 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
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|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090818 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090911 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090916 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100914 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100921 |