JP3133829B2 - Ｅｌディスプレイ素子の製造方法 - Google Patents
Ｅｌディスプレイ素子の製造方法Info
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- JP3133829B2 JP3133829B2 JP04197590A JP19759092A JP3133829B2 JP 3133829 B2 JP3133829 B2 JP 3133829B2 JP 04197590 A JP04197590 A JP 04197590A JP 19759092 A JP19759092 A JP 19759092A JP 3133829 B2 JP3133829 B2 JP 3133829B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、計器類のバッ
クライト用の面発光源などに使用されるＥＬ(Electrolu
minescence）ディスプレイ素子の製造方法に関する。
クライト用の面発光源などに使用されるＥＬ(Electrolu
minescence）ディスプレイ素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】薄膜ＥＬディスプレイ素子の製造方法とし
て、有機亜鉛化合物とＨ2Ｓ 又は有機硫黄化合物などを
用いた有機金属気相成長(Metal Organic Chemical Vapo
r Deposition：以下、ＭＯＣＶＤという）法が、高品質
の薄膜が均一で且つ、大面積なものが安価に製造できる
として注目されつつある。
て、有機亜鉛化合物とＨ2Ｓ 又は有機硫黄化合物などを
用いた有機金属気相成長(Metal Organic Chemical Vapo
r Deposition：以下、ＭＯＣＶＤという）法が、高品質
の薄膜が均一で且つ、大面積なものが安価に製造できる
として注目されつつある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来方法において、発
光層の母体材料として硫化亜鉛(ＺnＳ）に発光中心物質
としてマンガン（Ｍn)を添加して黄橙色の発光が得られ
る薄膜ＥＬディスプレイ素子は比較的容易に高輝度なも
のを製造することができる。これは、発光中心物質であ
るＭn の価数が母体材料であるＺnＳ のＺn の価数と等
しく置換し易いことによる。ところが、発光層の母体材
料として例えば、母体材料ＺnＳ から成る薄膜中に他の
発光色が得られる発光中心物質を均質に添加することは
困難であった。この理由としては、発光中心物質Ｍn の
価数に比べ他の発光色が得られる発光中心物質の価数が
母体材料ＺnＳ のＺn の価数と異なることによる。つま
り、Ｍn 以外の発光中心物質は母体材料ＺnＳ のＺn と
置換し難く、母体材料中に格子欠陥が生じてしまってい
た。即ち、見かけ上、Ｍn 以外の発光中心物質を母体材
料ＺnＳ から成る薄膜中に添加することができても、そ
の発光中心物質は小さなかたまりの状態で添加されてい
るにすぎないのであった。このため、黄橙色以外の発光
色を呈する高輝度な薄膜ＥＬディスプレイ素子を製造す
ることはできなかった。
光層の母体材料として硫化亜鉛(ＺnＳ）に発光中心物質
としてマンガン（Ｍn)を添加して黄橙色の発光が得られ
る薄膜ＥＬディスプレイ素子は比較的容易に高輝度なも
のを製造することができる。これは、発光中心物質であ
るＭn の価数が母体材料であるＺnＳ のＺn の価数と等
しく置換し易いことによる。ところが、発光層の母体材
料として例えば、母体材料ＺnＳ から成る薄膜中に他の
発光色が得られる発光中心物質を均質に添加することは
困難であった。この理由としては、発光中心物質Ｍn の
価数に比べ他の発光色が得られる発光中心物質の価数が
母体材料ＺnＳ のＺn の価数と異なることによる。つま
り、Ｍn 以外の発光中心物質は母体材料ＺnＳ のＺn と
置換し難く、母体材料中に格子欠陥が生じてしまってい
た。即ち、見かけ上、Ｍn 以外の発光中心物質を母体材
料ＺnＳ から成る薄膜中に添加することができても、そ
の発光中心物質は小さなかたまりの状態で添加されてい
るにすぎないのであった。このため、黄橙色以外の発光
色を呈する高輝度な薄膜ＥＬディスプレイ素子を製造す
ることはできなかった。
【０００４】本発明は、上記の課題を解決するために成
されたものであり、その目的とするところは、発光層母
体材料中に発光中心元素が均一に分散されて高輝度な発
光色を呈するＥＬディスプレイ素子の製造方法を提供す
ることである。
されたものであり、その目的とするところは、発光層母
体材料中に発光中心元素が均一に分散されて高輝度な発
光色を呈するＥＬディスプレイ素子の製造方法を提供す
ることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の発明の第１の構成は、発光層母体材料となるII族元素
原料ガス、VI族元素原料ガス、及び発光中心元素原料ガ
スをそれぞれ反応炉内で反応させる気相成長法を用いて
発光層を形成するＥＬディスプレイ素子の製造方法であ
って、発光中心元素原料ガスとなる、より高い価数のハ
ロゲン化物ガスを、還元性を有するガスにて還元するこ
とにより、価数を制御された、より低い価数のハロゲン
化物ガスとして、反応炉内に導入することを特徴とす
る。また、第２の構成は、より高い価数のハロゲン化物
ガスは３価であり、より低い価数のハロゲン化物ガスは
２価であることを特徴とする。また、第３の構成は、還
元性を有するガスを、より高い価数のハロゲン化物ガス
のキャリアガスとして用いることを特徴とする。
の発明の第１の構成は、発光層母体材料となるII族元素
原料ガス、VI族元素原料ガス、及び発光中心元素原料ガ
スをそれぞれ反応炉内で反応させる気相成長法を用いて
発光層を形成するＥＬディスプレイ素子の製造方法であ
って、発光中心元素原料ガスとなる、より高い価数のハ
ロゲン化物ガスを、還元性を有するガスにて還元するこ
とにより、価数を制御された、より低い価数のハロゲン
化物ガスとして、反応炉内に導入することを特徴とす
る。また、第２の構成は、より高い価数のハロゲン化物
ガスは３価であり、より低い価数のハロゲン化物ガスは
２価であることを特徴とする。また、第３の構成は、還
元性を有するガスを、より高い価数のハロゲン化物ガス
のキャリアガスとして用いることを特徴とする。
【０００６】
【作用及び効果】上記の第１の手段によれば、還元性を
有するガスでより高い価数のハロゲン化物ガスから価数
を制御されたより低い価数のハロゲン化物ガスとされた
発光中心元素原料ガスが発光層の母体材料であるII族元
素原料ガス中に混合される。これにより、発光中心元素
が母体材料中で置換し易くなり、母体材料中の発光中心
元素が所定のドーピング濃度となるように制御性良く添
加される。即ち、本発明のＥＬディスプレイ素子の製造
方法を用いて形成されたＥＬディスプレイ素子は母体材
料中に発光中心元素が均一に分布された発光層を有した
ものとなる。従って、本発明のＥＬディスプレイ素子の
製造方法にて製造されたＥＬディスプレイ素子において
は、高輝度発光となり、高耐圧で耐久性に優れたものと
なる。
有するガスでより高い価数のハロゲン化物ガスから価数
を制御されたより低い価数のハロゲン化物ガスとされた
発光中心元素原料ガスが発光層の母体材料であるII族元
素原料ガス中に混合される。これにより、発光中心元素
が母体材料中で置換し易くなり、母体材料中の発光中心
元素が所定のドーピング濃度となるように制御性良く添
加される。即ち、本発明のＥＬディスプレイ素子の製造
方法を用いて形成されたＥＬディスプレイ素子は母体材
料中に発光中心元素が均一に分布された発光層を有した
ものとなる。従って、本発明のＥＬディスプレイ素子の
製造方法にて製造されたＥＬディスプレイ素子において
は、高輝度発光となり、高耐圧で耐久性に優れたものと
なる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。図２は本発明に係る薄膜ＥＬディスプレイ素子
の製造方法を用いて形成された薄膜ＥＬディスプレイ素
子の断面構造を示した模式図である。薄膜ＥＬディスプ
レイ素子１０は、絶縁性基板であるガラス基板１上に順
次、以下の薄膜が積層形成され構成されている。光学的
に透明な酸化亜鉛(ＺnＯ）から成る透明電極２が形成さ
れ、その上面には、光学的に透明な五酸化タンタル（Ｔ
a2Ｏ5)から成る第１絶縁層３、サマリウム（Ｓm)が添加
された硫化亜鉛(ＺnＳ）から成る発光層４、窒化シリコ
ン（Ｓi3Ｎ4)から成る第２絶縁層５、アルミニウム（Ａ
l)から成る背面電極６が形成されている。
明する。図２は本発明に係る薄膜ＥＬディスプレイ素子
の製造方法を用いて形成された薄膜ＥＬディスプレイ素
子の断面構造を示した模式図である。薄膜ＥＬディスプ
レイ素子１０は、絶縁性基板であるガラス基板１上に順
次、以下の薄膜が積層形成され構成されている。光学的
に透明な酸化亜鉛(ＺnＯ）から成る透明電極２が形成さ
れ、その上面には、光学的に透明な五酸化タンタル（Ｔ
a2Ｏ5)から成る第１絶縁層３、サマリウム（Ｓm)が添加
された硫化亜鉛(ＺnＳ）から成る発光層４、窒化シリコ
ン（Ｓi3Ｎ4)から成る第２絶縁層５、アルミニウム（Ａ
l)から成る背面電極６が形成されている。
【０００８】図１は、上述の薄膜ＥＬディスプレイ素子
１０の製造装置であるＭＯＣＶＤ装置を示した概略図で
ある。母体材料として硫化亜鉛(ＺnＳ）、塩化サマリウ
ム(ＳmＣl3）から成る発光中心物質１７を用いて薄膜Ｅ
Ｌディスプレイ素子の発光層を形成する場合について以
下に説明する。尚、塩化サマリウム(ＳmＣl3）から成る
発光中心物質１７を還元すると共に反応炉１１内へ輸送
するためのガスに水素（Ｈ2)を使用した。又、母体材料
を形成する主原料にはジエチルジンク（ＤＥＺ：有機亜
鉛化合物）及び硫化水素(Ｈ2Ｓ）を使用してＺnＳ：Ｓm
から成る薄膜（発光層）を製造した。ＭＯＣＶＤ装置１
００は、反応炉１１の下部よりＤＥＺを供給するための
ノズル１２とＨ2Ｓ を供給するノズル１３とを有してい
る。又、上部には回転可能なサセプタ１８が設けられて
おり、このサセプタ１８には薄膜が形成される基板１９
が配置されている。又、反応炉１１の側面には、発光中
心物質１７を供給するためのノズル１４が設けられてい
る。更に、ノズル１４の上流側には発光中心物質１７を
還元するための反応室１５が配置されている。そして、
上記ノズル１４及び反応室１５の周囲にはそれら内部雰
囲気温度を一定に保つことのできる加熱ヒータ１６が巻
装されている。更に、反応炉１１には図示しない真空ポ
ンプが接続されている。
１０の製造装置であるＭＯＣＶＤ装置を示した概略図で
ある。母体材料として硫化亜鉛(ＺnＳ）、塩化サマリウ
ム(ＳmＣl3）から成る発光中心物質１７を用いて薄膜Ｅ
Ｌディスプレイ素子の発光層を形成する場合について以
下に説明する。尚、塩化サマリウム(ＳmＣl3）から成る
発光中心物質１７を還元すると共に反応炉１１内へ輸送
するためのガスに水素（Ｈ2)を使用した。又、母体材料
を形成する主原料にはジエチルジンク（ＤＥＺ：有機亜
鉛化合物）及び硫化水素(Ｈ2Ｓ）を使用してＺnＳ：Ｓm
から成る薄膜（発光層）を製造した。ＭＯＣＶＤ装置１
００は、反応炉１１の下部よりＤＥＺを供給するための
ノズル１２とＨ2Ｓ を供給するノズル１３とを有してい
る。又、上部には回転可能なサセプタ１８が設けられて
おり、このサセプタ１８には薄膜が形成される基板１９
が配置されている。又、反応炉１１の側面には、発光中
心物質１７を供給するためのノズル１４が設けられてい
る。更に、ノズル１４の上流側には発光中心物質１７を
還元するための反応室１５が配置されている。そして、
上記ノズル１４及び反応室１５の周囲にはそれら内部雰
囲気温度を一定に保つことのできる加熱ヒータ１６が巻
装されている。更に、反応炉１１には図示しない真空ポ
ンプが接続されている。
【０００９】上述の構成から成るＭＯＣＶＤ装置１００
を用いて、基板１９上に前述の薄膜ＥＬディスプレイ素
子１０における発光層４となるＺnＳ：Ｓm膜を形成し
た。尚、ＺnＳ：Ｓm膜の成膜条件としては、基板温度35
0℃、ＳmＣl3加熱温度800℃、ＳmＣl3キャリヤガス流量
100sccm、反応室内圧力１Torr、ＤＥＺ導入速度１×10
-7mol/min、Ｈ2Ｓ導入速度6.2×10-6mol/minとした。上
記各条件に設定した後、気相反応させたところ基板１９
上にＺnＳ：Ｓm膜が形成された。又、同時に反応室４内
でＨ2ガスにより還元された発光中心物質ＳmＣlx(ｘ＜
３）は加熱蒸発し、その蒸発したＳmＣlxは上記Ｈ2ガス
により反応炉１１内に輸送される。この時、ＳmＣl3加
熱温度、キャリヤガス流量を調節することにより、母体
材料のＺnＳのＺnと同じ価数をもつＳmＣl2を生成する
ことができる。このように生成されたＳmＣl2蒸気はＺn
Ｓから成る気相中に取り込まれ、上記ＺnＳ膜中のＺnの
一部と容易に置換してＺnＳ：Ｓmから成る薄膜（発光
層）を形成することができた。つまり、還元しない状態
の発光中心物質ＳmＣl3にて母体材料ＺnＳから成る気相
中に取り込まれるのに比べ、所定のドーピング濃度とな
るように母体材料ＺnＳ中の格子内に取り込まれること
になる。
を用いて、基板１９上に前述の薄膜ＥＬディスプレイ素
子１０における発光層４となるＺnＳ：Ｓm膜を形成し
た。尚、ＺnＳ：Ｓm膜の成膜条件としては、基板温度35
0℃、ＳmＣl3加熱温度800℃、ＳmＣl3キャリヤガス流量
100sccm、反応室内圧力１Torr、ＤＥＺ導入速度１×10
-7mol/min、Ｈ2Ｓ導入速度6.2×10-6mol/minとした。上
記各条件に設定した後、気相反応させたところ基板１９
上にＺnＳ：Ｓm膜が形成された。又、同時に反応室４内
でＨ2ガスにより還元された発光中心物質ＳmＣlx(ｘ＜
３）は加熱蒸発し、その蒸発したＳmＣlxは上記Ｈ2ガス
により反応炉１１内に輸送される。この時、ＳmＣl3加
熱温度、キャリヤガス流量を調節することにより、母体
材料のＺnＳのＺnと同じ価数をもつＳmＣl2を生成する
ことができる。このように生成されたＳmＣl2蒸気はＺn
Ｓから成る気相中に取り込まれ、上記ＺnＳ膜中のＺnの
一部と容易に置換してＺnＳ：Ｓmから成る薄膜（発光
層）を形成することができた。つまり、還元しない状態
の発光中心物質ＳmＣl3にて母体材料ＺnＳから成る気相
中に取り込まれるのに比べ、所定のドーピング濃度とな
るように母体材料ＺnＳ中の格子内に取り込まれること
になる。
【００１０】図３は、このようにして得られた発光層を
用いた薄膜ＥＬディスプレイ素子１０の印加電圧と発光
輝度との関係を示した特性図である。尚、還元作用なし
の状態で母体材料ＺnＳ 膜中に発光中心物質を添加した
ものを発光層として用いた薄膜ＥＬディスプレイ素子を
従来品として示した。図から明らかなように、本発明の
薄膜ＥＬディスプレイ素子の製造方法を用いて形成され
た薄膜ＥＬディスプレイ素子（本発明品）の発光輝度は
従来品に比べ1.7倍に向上した。
用いた薄膜ＥＬディスプレイ素子１０の印加電圧と発光
輝度との関係を示した特性図である。尚、還元作用なし
の状態で母体材料ＺnＳ 膜中に発光中心物質を添加した
ものを発光層として用いた薄膜ＥＬディスプレイ素子を
従来品として示した。図から明らかなように、本発明の
薄膜ＥＬディスプレイ素子の製造方法を用いて形成され
た薄膜ＥＬディスプレイ素子（本発明品）の発光輝度は
従来品に比べ1.7倍に向上した。
【００１１】図４は、上述の薄膜ＥＬディスプレイ素子
１０の製造装置であるＭＯＣＶＤ装置の第２の実施例を
示した概略図である。尚、上述の実施例と同様の構成部
分については同じ符号を付してその説明を省略する。Ｍ
ＯＣＶＤ装置２００は、発光中心物質１７を配置する反
応室１５が反応炉１１内に入り込んだ構造であることの
みが上述のＭＯＣＶＤ装置１００と異なっている。本Ｍ
ＯＣＶＤ装置２００を使用した場合、反応室１５の圧力
は反応炉１１の圧力と同等となるため、発光中心物質１
７の必要な蒸気量を得るための加熱温度を常圧のときよ
り大幅に低下させることができる。このため、所定のド
ーピング濃度となるように制御性良く発光中心物質１７
の供給が行われることから母体材料中にその発光中心物
質１７が均一に分布された発光層を得ることができた。
このＭＯＣＶＤ装置２００を使用して製造された薄膜Ｅ
Ｌディスプレイ素子は黄橙色以外の発光色を呈する発光
層を有するものであっても高輝度を再現性良く得ること
ができた。
１０の製造装置であるＭＯＣＶＤ装置の第２の実施例を
示した概略図である。尚、上述の実施例と同様の構成部
分については同じ符号を付してその説明を省略する。Ｍ
ＯＣＶＤ装置２００は、発光中心物質１７を配置する反
応室１５が反応炉１１内に入り込んだ構造であることの
みが上述のＭＯＣＶＤ装置１００と異なっている。本Ｍ
ＯＣＶＤ装置２００を使用した場合、反応室１５の圧力
は反応炉１１の圧力と同等となるため、発光中心物質１
７の必要な蒸気量を得るための加熱温度を常圧のときよ
り大幅に低下させることができる。このため、所定のド
ーピング濃度となるように制御性良く発光中心物質１７
の供給が行われることから母体材料中にその発光中心物
質１７が均一に分布された発光層を得ることができた。
このＭＯＣＶＤ装置２００を使用して製造された薄膜Ｅ
Ｌディスプレイ素子は黄橙色以外の発光色を呈する発光
層を有するものであっても高輝度を再現性良く得ること
ができた。
【００１２】図５は、上述の薄膜ＥＬディスプレイ素子
１０の製造装置であるＭＯＣＶＤ装置の第３の実施例を
示した概略図である。尚、上述の実施例と同様の構成部
分については同じ符号を付してその説明を省略する。本
実施例のＭＯＣＶＤ装置３００は、反応炉１１内の気流
を乱すことがないように、基板１９に対して垂直方向
（下方）から発光中心物質１７を反応炉１１内に供給で
きるようにしたものである。その他の構成は図１と同等
である。このＭＯＣＶＤ装置３００を使用して製造され
た薄膜ＥＬディスプレイ素子においても、黄橙色以外の
発光色を呈する発光層を有するものであっても高輝度を
再現性良く得ることができた。
１０の製造装置であるＭＯＣＶＤ装置の第３の実施例を
示した概略図である。尚、上述の実施例と同様の構成部
分については同じ符号を付してその説明を省略する。本
実施例のＭＯＣＶＤ装置３００は、反応炉１１内の気流
を乱すことがないように、基板１９に対して垂直方向
（下方）から発光中心物質１７を反応炉１１内に供給で
きるようにしたものである。その他の構成は図１と同等
である。このＭＯＣＶＤ装置３００を使用して製造され
た薄膜ＥＬディスプレイ素子においても、黄橙色以外の
発光色を呈する発光層を有するものであっても高輝度を
再現性良く得ることができた。
【００１３】本発明は上記の実施例に限定されるもので
はなく、以下のような種々の変形が可能である。 (1) 発光層の母体材料として硫化亜鉛(ＺnＳ）を用いた
が、その他、セレン化亜鉛、硫化ストロンチウムとして
も良い。 (2) 発光中心物質として塩化サマリウム(ＳmＣl3）を用
いたが、発光色を考慮し、Ｔb,Ｓm,Ｔm,Ｃe の各フッ化
物、塩化物又は有機化合物としても良い。 (3) 還元性を有するガスとして水素（Ｈ2)を用いたが、
その他、ＳiＨ4，ＮＨ 3 ,ＰＨ3,Ｂ2Ｈ6としても良い。 (4) 上記実施例では、薄膜ＥＬディスプレイ素子の一方
向側より光を放出させたが、電極及び絶縁層の材質を適
宜変更することにより、両方向側からの光の放出も可能
である。
はなく、以下のような種々の変形が可能である。 (1) 発光層の母体材料として硫化亜鉛(ＺnＳ）を用いた
が、その他、セレン化亜鉛、硫化ストロンチウムとして
も良い。 (2) 発光中心物質として塩化サマリウム(ＳmＣl3）を用
いたが、発光色を考慮し、Ｔb,Ｓm,Ｔm,Ｃe の各フッ化
物、塩化物又は有機化合物としても良い。 (3) 還元性を有するガスとして水素（Ｈ2)を用いたが、
その他、ＳiＨ4，ＮＨ 3 ,ＰＨ3,Ｂ2Ｈ6としても良い。 (4) 上記実施例では、薄膜ＥＬディスプレイ素子の一方
向側より光を放出させたが、電極及び絶縁層の材質を適
宜変更することにより、両方向側からの光の放出も可能
である。
【図１】本発明の具体的な一実施例に係る薄膜ＥＬディ
スプレイ素子の製造方法を達成するための製造装置であ
るＭＯＣＶＤ装置を示した概略図である。
スプレイ素子の製造方法を達成するための製造装置であ
るＭＯＣＶＤ装置を示した概略図である。
【図２】同実施例装置により形成された薄膜ＥＬディス
プレイ素子の断面構造を示した模式図である。
プレイ素子の断面構造を示した模式図である。
【図３】本発明品と従来品との薄膜ＥＬディスプレイ素
子における印加電圧と発光輝度との関係を示した特性図
である。
子における印加電圧と発光輝度との関係を示した特性図
である。
【図４】本発明に係る薄膜ＥＬディスプレイ素子の製造
方法を達成するＭＯＣＶＤ装置の第２の実施例を示した
概略図である。
方法を達成するＭＯＣＶＤ装置の第２の実施例を示した
概略図である。
【図５】本発明に係る薄膜ＥＬディスプレイ素子の製造
方法を達成するＭＯＣＶＤ装置の第３の実施例を示した
概略図である。
方法を達成するＭＯＣＶＤ装置の第３の実施例を示した
概略図である。
１１…反応炉 １２，１３，１４…ノズル １５…反応室 １６…加熱ヒータ １７…発光中心物質 １８…サセプタ １９…基板 １００…ＭＯＣＶＤ装置（有機金属気相成長装置）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 服部 有 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本 電装株式会社内 (72)発明者 伊藤 信衛 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本 電装株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−152191（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−196643（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−34290（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−248092（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05B 33/00 - 33/28
Claims (3)
- 【請求項１】 発光層母体材料となるII族元素原料ガ
ス、VI族元素原料ガス、及び発光中心元素原料ガスをそ
れぞれ反応炉内で反応させる気相成長法を用いて発光層
を形成するＥＬディスプレイ素子の製造方法であって、 前記発光中心元素原料ガスとなる、より高い価数のハロ
ゲン化物ガスを、 還元性を有するガスにて還元すること
により、価数を制御された、より低い価数のハロゲン化
物ガスとして、前記反応炉内に導入することを特徴とす
るＥＬディスプレイ素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記より高い価数のハロゲン化物ガスは
３価であり、前記より低い価数のハロゲン化物ガスは２
価であることを特徴とする請求項１に記載のＥＬディス
プレイ素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記還元性を有するガスを、前記より高
い価数のハロゲン化物ガスのキャリアガスとして用いる
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のＥＬデ
ィスプレイ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04197590A JP3133829B2 (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | Ｅｌディスプレイ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04197590A JP3133829B2 (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | Ｅｌディスプレイ素子の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10081437A Division JP2928773B2 (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | Ｅｌディスプレイ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0620775A JPH0620775A (ja) | 1994-01-28 |
| JP3133829B2 true JP3133829B2 (ja) | 2001-02-13 |
Family
ID=16377021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04197590A Expired - Fee Related JP3133829B2 (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | Ｅｌディスプレイ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3133829B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2900814B2 (ja) * | 1994-04-26 | 1999-06-02 | 株式会社デンソー | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び製造装置 |
| US6004618A (en) * | 1994-04-26 | 1999-12-21 | Nippondenso., Ltd. | Method and apparatus for fabricating electroluminescent device |
-
1992
- 1992-06-30 JP JP04197590A patent/JP3133829B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0620775A (ja) | 1994-01-28 |
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