JPS60111480A - 薄膜発光素子 - Google Patents
薄膜発光素子Info
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- JPS60111480A JPS60111480A JP58218587A JP21858783A JPS60111480A JP S60111480 A JPS60111480 A JP S60111480A JP 58218587 A JP58218587 A JP 58218587A JP 21858783 A JP21858783 A JP 21858783A JP S60111480 A JPS60111480 A JP S60111480A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/34—Materials of the light emitting region containing only elements of group IV of the periodic system
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/04—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、ケイ素を含む非晶質半導体薄膜を用いたｔ場
発光型の発光素子に関する。
発光型の発光素子に関する。
禁制帯幅の異なるケイ素を含む非晶質半導体薄膜を交互
に積層して量子井戸を形成した発光層を有する、電場印
加によって発光を呈する発光素子は、従来の薄膜発光素
子に比べて、低電圧、駆動が可能であり。高輝度特性を
有するといった特徴を有していることが当発明者らによ
り示された特願昭５８−５６１７１゜ 低電圧駆動、高輝度特性を有する理由としては、禁制帯
幅の異なる非晶質半導体層界面において、非常に強い電
界領域が生じ、キャリアが強く加速され、電子なだれ増
倍効果が強調されるだめと考えられる。しかし、禁制帯
幅の広い非晶質半導体薄膜を炭素、ケイ素、幹よび水素
含む非質晶炭化ケイ素膜で形成し、禁制帯幅の狭い非晶
質半導体薄膜として、水素を含む非晶質ケイ素膜で形成
した場合は、輝度が比較的小さかった事、また、可視領
域全体にわたった白色発光が得られないといった問題が
あった。この原因としては、発光層の発光効率が不十分
であること、および禁制帯幅の狭い非晶質半導体層の禁
制帯幅が可視領域にないだめと考えられる。
に積層して量子井戸を形成した発光層を有する、電場印
加によって発光を呈する発光素子は、従来の薄膜発光素
子に比べて、低電圧、駆動が可能であり。高輝度特性を
有するといった特徴を有していることが当発明者らによ
り示された特願昭５８−５６１７１゜ 低電圧駆動、高輝度特性を有する理由としては、禁制帯
幅の異なる非晶質半導体層界面において、非常に強い電
界領域が生じ、キャリアが強く加速され、電子なだれ増
倍効果が強調されるだめと考えられる。しかし、禁制帯
幅の広い非晶質半導体薄膜を炭素、ケイ素、幹よび水素
含む非質晶炭化ケイ素膜で形成し、禁制帯幅の狭い非晶
質半導体薄膜として、水素を含む非晶質ケイ素膜で形成
した場合は、輝度が比較的小さかった事、また、可視領
域全体にわたった白色発光が得られないといった問題が
あった。この原因としては、発光層の発光効率が不十分
であること、および禁制帯幅の狭い非晶質半導体層の禁
制帯幅が可視領域にないだめと考えられる。
本発明は上記の点に鑑みなされたもので、炭素、ケイ素
、酸素、水素を含む非晶質半導体薄膜を用いて、高輝度
で可傾領域全域にスペクトルを有する発光が得られる構
造とした発光素子を提供することを目的とする。
、酸素、水素を含む非晶質半導体薄膜を用いて、高輝度
で可傾領域全域にスペクトルを有する発光が得られる構
造とした発光素子を提供することを目的とする。
本発明は、禁制帯幅の異なる２種の非晶質半導体薄膜を
交互に積層して量子井戸を形成した発光層を用いた発光
素子の改良に関するものである。
交互に積層して量子井戸を形成した発光層を用いた発光
素子の改良に関するものである。
即ち第１の電極が形成された基板上に禁制帯幅Ｆ１なる
炭素、ケイ素、酸素、および水素を含む第１の非晶質炭
化ケイ素膜で禁制帯幅Ｅ’２ （ただしＥｌ〉Ｅ２）な
る炭素、ケイ素、水素を含む第２の非晶質炭化ケイ素膜
をはさんだ構造を単位発光層としてこれを一層以上積層
し、この発光層表面に第２の電極を設けて発光素子を構
成する。
炭素、ケイ素、酸素、および水素を含む第１の非晶質炭
化ケイ素膜で禁制帯幅Ｅ’２ （ただしＥｌ〉Ｅ２）な
る炭素、ケイ素、水素を含む第２の非晶質炭化ケイ素膜
をはさんだ構造を単位発光層としてこれを一層以上積層
し、この発光層表面に第２の電極を設けて発光素子を構
成する。
本発明によれば、室温において司視光領域全域にスペク
トルを持つ高輝度白色発生を呈する、発光素子が得られ
る。量子井戸となる第２の非晶質半導体薄膜として、炭
素、ケイ素、水素を含む非晶質炭化ケイ素膜（ａ−３１
Ｃ４（） 、バリア部となる。
トルを持つ高輝度白色発生を呈する、発光素子が得られ
る。量子井戸となる第２の非晶質半導体薄膜として、炭
素、ケイ素、水素を含む非晶質炭化ケイ素膜（ａ−３１
Ｃ４（） 、バリア部となる。
第１の非晶質半導体薄膜として、炭素、ケイ素、酸素、
水素を含む非晶質炭化ケイ素膜（ａ−８ｉｃ−Ｏ−Ｈ）
を用い、これらをブロー放電分解法により交互に積層し
て発光層を形成する。この際量子井戸部となるａ−８１
ｃ＝ＨＩＩｌ（ｆ ｔｏ〜１ｏｏＸ 、バリア部となる
ａ −８ｉＣ（）＝Ｈ膜を１００〜ｔｏｏｏＸ程度堆積
すると優れた量子効果が得られる。即ち量子井戸部の禁
制帯幅はＥ ２ ＝ ２．８ ｅ Ｖ、バリア部の禁制
帯幅は５ｅＶ以上であり、量子井戸部とバリア部の遷移
領域を１０Ｘとすると遷移領域での電界強度は１．１刈
０７Ｖ／ｒｎ以上にも達する。この値は、量子井戸部に
ａ−８ｉ ＝Ｈ膜を用いた場合に比べ倍以上大きく、伝
導帯、低電子帯を走行するキャリアは強く加速さえ、電
子なだれ増倍効果がさらに強調され、発光に必要な電圧
をさらに低減する事が可能となる。
水素を含む非晶質炭化ケイ素膜（ａ−８ｉｃ−Ｏ−Ｈ）
を用い、これらをブロー放電分解法により交互に積層し
て発光層を形成する。この際量子井戸部となるａ−８１
ｃ＝ＨＩＩｌ（ｆ ｔｏ〜１ｏｏＸ 、バリア部となる
ａ −８ｉＣ（）＝Ｈ膜を１００〜ｔｏｏｏＸ程度堆積
すると優れた量子効果が得られる。即ち量子井戸部の禁
制帯幅はＥ ２ ＝ ２．８ ｅ Ｖ、バリア部の禁制
帯幅は５ｅＶ以上であり、量子井戸部とバリア部の遷移
領域を１０Ｘとすると遷移領域での電界強度は１．１刈
０７Ｖ／ｒｎ以上にも達する。この値は、量子井戸部に
ａ−８ｉ ＝Ｈ膜を用いた場合に比べ倍以上大きく、伝
導帯、低電子帯を走行するキャリアは強く加速さえ、電
子なだれ増倍効果がさらに強調され、発光に必要な電圧
をさらに低減する事が可能となる。
また、量子井戸となる非晶質半導体層の禁制帯幅が、２
ＢｅＶと可視光エネルギー領域にあり、そのフォトルミ
ネッセンス効率がａ−８ｆ＝Ｈに比べ１ケタ以上高いた
めに、量子井戸部にａ−８＋＝Ｈを用いた場合よシもさ
らに発光輝度が高くなり、しかも可視領域全域にスペク
トルを持つ白色発光が得られる。
ＢｅＶと可視光エネルギー領域にあり、そのフォトルミ
ネッセンス効率がａ−８ｆ＝Ｈに比べ１ケタ以上高いた
めに、量子井戸部にａ−８＋＝Ｈを用いた場合よシもさ
らに発光輝度が高くなり、しかも可視領域全域にスペク
トルを持つ白色発光が得られる。
以下本発明の詳細な説明する。第１図は、１実施例の発
光素子の断面構造を示す、１１は、ガラス基板であり、
この上に第１の電極として透明導電膜（Ｓｎ０２． Ｉ
ｎ２Ｏ３，Ｉｎ２０ａ−８ｎ０２等）を用いた透明電極
１２が形成されて、この上にＹ２Ｏ３等の強誘電体膜１
３を介して量子井戸構造を形成する。炭素、酸素、ケイ
素、水素を含む非晶質半導体膜の積層構造からなる発光
層１４が形成されている。発光層１４の表面にはＹ２Ｏ
３等の強誘電体膜１５を介して第２の電極である金属電
極１６が形成されている。
光素子の断面構造を示す、１１は、ガラス基板であり、
この上に第１の電極として透明導電膜（Ｓｎ０２． Ｉ
ｎ２Ｏ３，Ｉｎ２０ａ−８ｎ０２等）を用いた透明電極
１２が形成されて、この上にＹ２Ｏ３等の強誘電体膜１
３を介して量子井戸構造を形成する。炭素、酸素、ケイ
素、水素を含む非晶質半導体膜の積層構造からなる発光
層１４が形成されている。発光層１４の表面にはＹ２Ｏ
３等の強誘電体膜１５を介して第２の電極である金属電
極１６が形成されている。
なお、この構造は基板側を光の出射側とする場合である
。基板に不透明な金属等を用いた場合には、上面の第２
の電極および強誘電体膜を透明材料で形成すれば良い。
。基板に不透明な金属等を用いた場合には、上面の第２
の電極および強誘電体膜を透明材料で形成すれば良い。
発光層１４は、第１の非晶質半導体膜として、ａ−８ｊ
Ｃ＝Ｏ＝Ｈ，第２の非晶質半導体膜としてａ −８ｉ
Ｃ＝Ｈを用いた積層構造であって、第２図（ａｌに示
すとおシである。即ち、まず基板側にａ−８ｉＣ＝Ｏ＝
Ｈ膜１４ａ１を５００〜２０００Ｘ形成し、この上に、
ａ ５ＩＣ＝Ｈ膜１４ｂｌをｄ１＝１０〜１００Ｘの厚
さに、続いてａ Ｓ ｔｃ＝ｏ＝ＨＭ１４．ｚをｄ２＝
１００〜１０００Ｘの厚さに形成し、以下同様の繰返し
でａ −８１ｃ＝Ｈ（１４Ｂ ａ、 １４ａ ４．−）
／ａ −８１ｃ＝Ｈ（１４ｂ２：１４ｂａ、 ”’１４
ｂｎ−１）の積層構造を得る、最上層のａ−Ｓ＋Ｃ＝０
＝Ｈ膜１４ ａ ｎ ｉｉ： ｔｊｌ 下Ｍｌ （！：
同様Ｋ ５０Ｏ−２０００Ｘ （！： ｆ ル。
Ｃ＝Ｏ＝Ｈ，第２の非晶質半導体膜としてａ −８ｉ
Ｃ＝Ｈを用いた積層構造であって、第２図（ａｌに示
すとおシである。即ち、まず基板側にａ−８ｉＣ＝Ｏ＝
Ｈ膜１４ａ１を５００〜２０００Ｘ形成し、この上に、
ａ ５ＩＣ＝Ｈ膜１４ｂｌをｄ１＝１０〜１００Ｘの厚
さに、続いてａ Ｓ ｔｃ＝ｏ＝ＨＭ１４．ｚをｄ２＝
１００〜１０００Ｘの厚さに形成し、以下同様の繰返し
でａ −８１ｃ＝Ｈ（１４Ｂ ａ、 １４ａ ４．−）
／ａ −８１ｃ＝Ｈ（１４ｂ２：１４ｂａ、 ”’１４
ｂｎ−１）の積層構造を得る、最上層のａ−Ｓ＋Ｃ＝０
＝Ｈ膜１４ ａ ｎ ｉｉ： ｔｊｌ 下Ｍｌ （！：
同様Ｋ ５０Ｏ−２０００Ｘ （！： ｆ ル。
こうして得られる発光層１４のエネルギーバンド図は第
２図ｆｂｌに示すようになる。
２図ｆｂｌに示すようになる。
このような発光層１４のグロー放電分解による形成方法
を第３図を参照して説明する。原料ガスＡは、ａ −８
ｉ Ｃ＝Ｏ＝Ｈ膜形成用のＲｅをキャリアガスとすると
テトラメチルシランと酸素ガスの混合ガスであり、原料
ガスＢはａ−８ｉＣ＝Ｈ膜形成用のＨｅをキャリアガス
とするテトラメチルシランである。それぞれ質量流量計
によって供給量が制御され、パルプ２１の操作により交
互に切換えられて反応チャンバ２２に供給される様にな
っている。まず反応チャンバ２２内の基板ホルダ２３に
、ガラス基板上にＩＴＯ膜とＹ２Ｏ３膜をＥＢ熱蒸着よ
り）それぞれ３００’０λ形成した基板２４をセットす
る。この後排気系２５を用いてチャンバ２２内を１ｘｔ
ｏ−ａ Ｔｏｒｒ以下の真空まで排気し、基板２４をヒ
ーター２６により所定温度に加熱し、原料ガスＡをチャ
ンバ内２２に流す。この時本実施例ではチャンバ内圧力
をＩＴｏ ｒ ｒ基板温度を３５０℃に、また原料ガス
Ａの流入量をテトラメチルシランの量として４ＳＣＣＭ
、酸素ガスの量として２ ＳＣＣＭとしだ。
を第３図を参照して説明する。原料ガスＡは、ａ −８
ｉ Ｃ＝Ｏ＝Ｈ膜形成用のＲｅをキャリアガスとすると
テトラメチルシランと酸素ガスの混合ガスであり、原料
ガスＢはａ−８ｉＣ＝Ｈ膜形成用のＨｅをキャリアガス
とするテトラメチルシランである。それぞれ質量流量計
によって供給量が制御され、パルプ２１の操作により交
互に切換えられて反応チャンバ２２に供給される様にな
っている。まず反応チャンバ２２内の基板ホルダ２３に
、ガラス基板上にＩＴＯ膜とＹ２Ｏ３膜をＥＢ熱蒸着よ
り）それぞれ３００’０λ形成した基板２４をセットす
る。この後排気系２５を用いてチャンバ２２内を１ｘｔ
ｏ−ａ Ｔｏｒｒ以下の真空まで排気し、基板２４をヒ
ーター２６により所定温度に加熱し、原料ガスＡをチャ
ンバ内２２に流す。この時本実施例ではチャンバ内圧力
をＩＴｏ ｒ ｒ基板温度を３５０℃に、また原料ガス
Ａの流入量をテトラメチルシランの量として４ＳＣＣＭ
、酸素ガスの量として２ ＳＣＣＭとしだ。
チャンバ２泊が定常状態になった後、高周波電漱７から
電力を印加すると、テトラメチルシラン＋酸素ガスがグ
ロー放電により分解し基板２４士にａ−８ｉＣ＝０＝Ｈ
膜が堆積される。この時の高周波電力の密度は本実施例
では、０．３Ｗ／ｄとし、第１層のｆｉ’−４ｓｉｃ＝
０＝Ｈ膜をｔｏｏｏＸ形成した。
電力を印加すると、テトラメチルシラン＋酸素ガスがグ
ロー放電により分解し基板２４士にａ−８ｉＣ＝０＝Ｈ
膜が堆積される。この時の高周波電力の密度は本実施例
では、０．３Ｗ／ｄとし、第１層のｆｉ’−４ｓｉｃ＝
０＝Ｈ膜をｔｏｏｏＸ形成した。
この後、放電を停止し、原料ガスへの供給も停止して、
再びチャンバ２２内を十分に排気する。そして原料ガス
Ｂをチャンバ２２内に供給し、チャンバ内圧力１．ＯＴ
ｏ ｒ ｒ 、テトラメチルシランに′ｊｉｔ４ｓｃＩ
ＣＭ、となる様に調整し、この後放電を起こして、量子
井戸部となるａ−８ｉＣ＝Ｈ膜を１０〜１ｏｏＸ堆積す
る。
再びチャンバ２２内を十分に排気する。そして原料ガス
Ｂをチャンバ２２内に供給し、チャンバ内圧力１．ＯＴ
ｏ ｒ ｒ 、テトラメチルシランに′ｊｉｔ４ｓｃＩ
ＣＭ、となる様に調整し、この後放電を起こして、量子
井戸部となるａ−８ｉＣ＝Ｈ膜を１０〜１ｏｏＸ堆積す
る。
この際の基板温度は３５０℃、印加電力は０．３Ｗ／ｍ
である。
である。
また本実施例ではａ−８ｉＣ−Ｈ膜ｆ：３０Ｘの厚さと
した。
した。
次に再び放電を停止し、パルプ操作を行なった後、原料
ガスＡを用いて、前記と同様の条件でａ −Ｓ ｉ Ｃ
＝Ｏ＝Ｈ膜を１００〜１０００Ｘ堆積する。本実施例で
は１００筋した。
ガスＡを用いて、前記と同様の条件でａ −Ｓ ｉ Ｃ
＝Ｏ＝Ｈ膜を１００〜１０００Ｘ堆積する。本実施例で
は１００筋した。
以下同様の操作を繰繰返して、１０層のａ−８ｉＣ＝Ｈ
膜（厚さ３０Ｘ）と１１層のａ −Ｓ ｉ Ｃ＝Ｏ＝Ｈ
）ｉＮ （最下層、及び最上層が１０００人それ以外は
１ｏｏＸ）を交互に積層した発光層を得た。
膜（厚さ３０Ｘ）と１１層のａ −Ｓ ｉ Ｃ＝Ｏ＝Ｈ
）ｉＮ （最下層、及び最上層が１０００人それ以外は
１ｏｏＸ）を交互に積層した発光層を得た。
発光層最上部の絶縁膜１５、第２の電極１６として本実
施例ではＥＢ熱蒸着よる３ ０００ＸのＹ２Ｏ３ＦＩＬ
２μｍのＡＩ！膜をそれぞれ形成した。
施例ではＥＢ熱蒸着よる３ ０００ＸのＹ２Ｏ３ＦＩＬ
２μｍのＡＩ！膜をそれぞれ形成した。
こうして得られた発光素子は、交流電界の印加により、
高輝度で、可視光領域全域にわたるスペクトルを有する
白色発光特性を示す。即ち、発光層には素子に印加した
交流電圧による外部電界の他に第４図に示すエネルギー
バンド図から明らかな様に、ａ −８ｉ Ｃ＝０；Ｈ膜
とａ−８ｉＣ＝Ｈ膜の遷移領域（〜ｌ０Ｘ）のバンドエ
ツジの差により局所的かつ周期的に約１×１０７ｖ／ｃ
ｒｎの強電界が形成される。
高輝度で、可視光領域全域にわたるスペクトルを有する
白色発光特性を示す。即ち、発光層には素子に印加した
交流電圧による外部電界の他に第４図に示すエネルギー
バンド図から明らかな様に、ａ −８ｉ Ｃ＝０；Ｈ膜
とａ−８ｉＣ＝Ｈ膜の遷移領域（〜ｌ０Ｘ）のバンドエ
ツジの差により局所的かつ周期的に約１×１０７ｖ／ｃ
ｒｎの強電界が形成される。
この結果、電子なだれ増倍効果が強調され、高輝度な発
光特性が得られる。また、本実施例に示した素子は、量
子井戸となる非晶質半導体層が禁制帯が２．８ｅＶと可
視光エネルギー領域にあり、また発光効率がａ−８ｌ＝
Ｉ［りも１ケタ以上大きい、テトラメチルシランのグロ
ー放電分解により形成されるａ−８ｉＣ＝Ｈ膜を用いて
いるだめに、量子井戸部にａ−８ｉ＝Ｈ層を用いた発光
素子に比べ、その発光スペクトルは、可視領域全域にわ
たり、しかも高輝度であった。
光特性が得られる。また、本実施例に示した素子は、量
子井戸となる非晶質半導体層が禁制帯が２．８ｅＶと可
視光エネルギー領域にあり、また発光効率がａ−８ｌ＝
Ｉ［りも１ケタ以上大きい、テトラメチルシランのグロ
ー放電分解により形成されるａ−８ｉＣ＝Ｈ膜を用いて
いるだめに、量子井戸部にａ−８ｉ＝Ｈ層を用いた発光
素子に比べ、その発光スペクトルは、可視領域全域にわ
たり、しかも高輝度であった。
上記実施例においては、バリアとなる層を形成する際テ
トラメチルシラン流量を４８ＣＣＭ酸ガス流量を２８Ｃ
ＣＭとして膜中の酸素濃度０／Ｓ ｉ ＋Ｃ＋Ｏ＝０．
３なるａ −Ｓ ｉ Ｃ＝Ｏ＝Ｈ膜を形成した場合を示
したが、バリア層となるａ −８Ｉ Ｃ＝０＝Ｈ膜中の
酸素膜度は、０．２＜Ｏ／Ｓ ｉ ＋Ｃ＋Ｏ＜Ｏ１６の
範囲内にあれば良い。膜中の酸素濃度を変える場合には
、原料ガス膜中のテトラメチルシランと酸素ガスの流量
比を変えれば良い。
トラメチルシラン流量を４８ＣＣＭ酸ガス流量を２８Ｃ
ＣＭとして膜中の酸素濃度０／Ｓ ｉ ＋Ｃ＋Ｏ＝０．
３なるａ −Ｓ ｉ Ｃ＝Ｏ＝Ｈ膜を形成した場合を示
したが、バリア層となるａ −８Ｉ Ｃ＝０＝Ｈ膜中の
酸素膜度は、０．２＜Ｏ／Ｓ ｉ ＋Ｃ＋Ｏ＜Ｏ１６の
範囲内にあれば良い。膜中の酸素濃度を変える場合には
、原料ガス膜中のテトラメチルシランと酸素ガスの流量
比を変えれば良い。
また量子井戸となる層を本実施例においては、テトラメ
チルシランのみで形成し九ａ−８ｉＣ＝Ｈ膜を用いてい
るが、膜中の酸素濃度ｏ、、’ｓｉ＋Ｃ＋Ｑ値がＯ＜０
／Ｓ ｉ ＋Ｃ＋Ｏｓ：０．ｚ ｔ・ノ範囲にあっても
、本実施例と様な効果が期待できる。その場合は、本実
施例で示したバリア部となるａ −８ｉ Ｃ＝０＝Ｈ層
の形成方法と同様に、テトラメチルに酸素ガスの混合ガ
スを原料ガスＢとして用いれば良い。だだ本実施例に示
したのと同様な効果を得るためには、量子井戸を形成す
る非晶質半導体層と、バリア部を形成する非晶質半導体
層の禁制帯幅のエネルギー差を０．８ｅＶ以上としなけ
ればならない。
チルシランのみで形成し九ａ−８ｉＣ＝Ｈ膜を用いてい
るが、膜中の酸素濃度ｏ、、’ｓｉ＋Ｃ＋Ｑ値がＯ＜０
／Ｓ ｉ ＋Ｃ＋Ｏｓ：０．ｚ ｔ・ノ範囲にあっても
、本実施例と様な効果が期待できる。その場合は、本実
施例で示したバリア部となるａ −８ｉ Ｃ＝０＝Ｈ層
の形成方法と同様に、テトラメチルに酸素ガスの混合ガ
スを原料ガスＢとして用いれば良い。だだ本実施例に示
したのと同様な効果を得るためには、量子井戸を形成す
る非晶質半導体層と、バリア部を形成する非晶質半導体
層の禁制帯幅のエネルギー差を０．８ｅＶ以上としなけ
ればならない。
本実施例においては、非晶質半導体層を形成する際の印
加電力、ガス圧力、基板温度を、それぞれ０．３Ｗ／ｍ
、１．０Ｔｏｒｒ、 ３５０℃としたが、それらは、０
．１〜０．５Ｗ／ｃｄ０．ＩＴｏｒｒ〜５Ｔｏｒｒ、
ＲＴ （室温）〜５００℃の範囲にあれば良い。
加電力、ガス圧力、基板温度を、それぞれ０．３Ｗ／ｍ
、１．０Ｔｏｒｒ、 ３５０℃としたが、それらは、０
．１〜０．５Ｗ／ｃｄ０．ＩＴｏｒｒ〜５Ｔｏｒｒ、
ＲＴ （室温）〜５００℃の範囲にあれば良い。
第１図は、本発明の１実施例の発光素子を示す断面図、
第２図＋ａ＋、（ｂｌはその発光層の積層構造拡大図と
エネルギーバンド図、第３図はグロー放電分解による膜
形成装置を示す図、第４図は前記発光層の電圧印加時の
エネルギーバンド図である。 図において、 １１・・・透明基板、１２・・・透明電極、１３．１４
・・・強誘電体膜、１４・・・発光層、１４ａ＋、 １
４ａ２−−１４ａｎ−−ａ−８１ｃ＝ｏ＝Ｈ（第１の非
晶質半導体膜） Ｎ １４ｂ＋、 ｂ２−１４ｂｎ−１
・・−ａ−８ｉＣ＝＝Ｈ（第２の非晶質半導体膜）。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （その他１名） （ム ＬＪＪ ＬｔＪ
第２図＋ａ＋、（ｂｌはその発光層の積層構造拡大図と
エネルギーバンド図、第３図はグロー放電分解による膜
形成装置を示す図、第４図は前記発光層の電圧印加時の
エネルギーバンド図である。 図において、 １１・・・透明基板、１２・・・透明電極、１３．１４
・・・強誘電体膜、１４・・・発光層、１４ａ＋、 １
４ａ２−−１４ａｎ−−ａ−８１ｃ＝ｏ＝Ｈ（第１の非
晶質半導体膜） Ｎ １４ｂ＋、 ｂ２−１４ｂｎ−１
・・−ａ−８ｉＣ＝＝Ｈ（第２の非晶質半導体膜）。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （その他１名） （ム ＬＪＪ ＬｔＪ
Claims (3)
- （１）電場を印加して発光を呈する薄膜発光素子に於い
て、禁制帯幅Ｅ１なる第１の非晶質半導体薄膜と禁制帯
幅Ｅ、±（ただしＥｌ ＞Ｅ２ ）なる第２の非晶質半
導体薄膜を積層して内部に少くとも一つの量子ウールを
形成した発光層を用い、かつ前記第１の薄膜がケイ素、
水素、酸素、炭素を含む非晶質半導体薄膜から構成され
、前記第２の薄膜はケイ素、炭素、水素を含む非晶質半
導体薄膜から構成されたことを特徴とする薄膜発光素子
。 - （２）第１の非晶質半導体薄膜は、テトラメチルシラン
と酸素の混合ガスのグロー放電分解により堆積したもの
であり、第２の非晶質半導体薄膜はテトラメチルシラン
、あるいはテトラメチルシランとシランのグロー放電分
解により堆積したものである前記特許請求の範囲第１項
記載の薄膜発光素子。 - （３）第１の非晶質半導体薄膜は、テトラメチルシラン
と酸素の混合ガスの光ＣＶＤ法により堆積したものであ
シ、第２の非晶質半導体薄膜はテトラメチルシラン、あ
るいはテトラメチルシランとシランの光ＣＶＤ法によシ
堆積したものである〜ぜ右記特許請求の範囲第１項記載
の薄膜発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58218587A JPS60111480A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 薄膜発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58218587A JPS60111480A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 薄膜発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60111480A true JPS60111480A (ja) | 1985-06-17 |
Family
ID=16722286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58218587A Pending JPS60111480A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 薄膜発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60111480A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6054379A (en) * | 1998-02-11 | 2000-04-25 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a low k dielectric with organo silane |
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| US6287990B1 (en) | 1998-02-11 | 2001-09-11 | Applied Materials, Inc. | CVD plasma assisted low dielectric constant films |
| US6303523B2 (en) | 1998-02-11 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma processes for depositing low dielectric constant films |
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-
1983
- 1983-11-22 JP JP58218587A patent/JPS60111480A/ja active Pending
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