JPH02218179A - 発光素子及びそのアモルファス材料層の製造方法 - Google Patents
発光素子及びそのアモルファス材料層の製造方法Info
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- JPH02218179A JPH02218179A JP1038042A JP3804289A JPH02218179A JP H02218179 A JPH02218179 A JP H02218179A JP 1038042 A JP1038042 A JP 1038042A JP 3804289 A JP3804289 A JP 3804289A JP H02218179 A JPH02218179 A JP H02218179A
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Landscapes
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
Ａ、産業上の利用分野
本発明は、アモルファス材料層を用いて構成された発光
素子とそのアモルファス材料層の製造方法に関するもの
である。
素子とそのアモルファス材料層の製造方法に関するもの
である。
Ｂ０発明の概要
本発明は、正孔注入層と発光層と電子注入層とを順次積
層して成る発光素子において、アンモニアガス又は窒素
ガスと、水素化ケイ素ガスとｐ型不純物ガスとを含む低
圧の反応ガスを真空容器内でグロー放電させて分解ガス
を重合させるプラズマＣＶＤ法を行い、これにより生成
されたｐ型のアモルファス窒化ケイ素膜よりなる正孔注
入層と、 低圧の水素ガスを導入した真空容器内に電圧を印加して
固体炭素系物質よりなるターゲットに水素ガスのエネル
ギー粒子を衝突させるスパッタ法を行い、これにより生
成されたアモルファス炭素系膜よりなる発光層と、 アンモニアガス又は窒素ガスと水素化ケイ素ガスとｎ型
不純物ガスとを含む低圧の反応ガスを真空容器内でグロ
ー放電させて分解ガスを重合させるプラズマＣＶＤ法を
行い、これにより生成されたｎ型のアモルファス窒化ケ
イ素膜よりなる電子注入層とを順次積層したことにより
、 大きな光学的エネルギーギャップを有し、また、発光特
性の選択を可能とするものである。
層して成る発光素子において、アンモニアガス又は窒素
ガスと、水素化ケイ素ガスとｐ型不純物ガスとを含む低
圧の反応ガスを真空容器内でグロー放電させて分解ガス
を重合させるプラズマＣＶＤ法を行い、これにより生成
されたｐ型のアモルファス窒化ケイ素膜よりなる正孔注
入層と、 低圧の水素ガスを導入した真空容器内に電圧を印加して
固体炭素系物質よりなるターゲットに水素ガスのエネル
ギー粒子を衝突させるスパッタ法を行い、これにより生
成されたアモルファス炭素系膜よりなる発光層と、 アンモニアガス又は窒素ガスと水素化ケイ素ガスとｎ型
不純物ガスとを含む低圧の反応ガスを真空容器内でグロ
ー放電させて分解ガスを重合させるプラズマＣＶＤ法を
行い、これにより生成されたｎ型のアモルファス窒化ケ
イ素膜よりなる電子注入層とを順次積層したことにより
、 大きな光学的エネルギーギャップを有し、また、発光特
性の選択を可能とするものである。
Ｃ３従来の技術
従来、発光材料としては、発光ダイオードの材料である
ＧａＡｓ 、ＧａＡｇＰ、ＧａＰ、ＧａＡＱＡｓ 。
ＧａＡｓ 、ＧａＡｇＰ、ＧａＰ、ＧａＡＱＡｓ 。
Ｚｎ５ｅｘＴｅ＋−ｘ 、Ｚｎｘ−Ｃｄ＋−ｘＴｅ 、
ＣｄＴｅなどがある。
ＣｄＴｅなどがある。
Ｄ８発吋が解決しようとする課題
しかしながら、このような従来の発光材料にあっては、
例えば、ＧａＰではビーク波長（発光エネルギーがピー
クとなる波長）が６９８ｎｍ、光学的エネルギーギャッ
プが１．７６ｅＶというように、ピーク波長、光学的エ
ネルギーギャップは、その発光材料に固有のものである
。このため発光素材としての発光特性を変えたいときは
、所要の特性を有する発光材料を選択することが必要と
なり、ともすると所要のピーク波長、光学的エネルギー
ギャップに由来する特性を得られない場合が生ずる問題
点があった。
例えば、ＧａＰではビーク波長（発光エネルギーがピー
クとなる波長）が６９８ｎｍ、光学的エネルギーギャッ
プが１．７６ｅＶというように、ピーク波長、光学的エ
ネルギーギャップは、その発光材料に固有のものである
。このため発光素材としての発光特性を変えたいときは
、所要の特性を有する発光材料を選択することが必要と
なり、ともすると所要のピーク波長、光学的エネルギー
ギャップに由来する特性を得られない場合が生ずる問題
点があった。
こうしたことからスパッタ法を利用してアモルファス炭
素系物質を生成し、これを発光材料に適用することが検
討されている。具体的にはこのアモルファス炭素系物質
は、真空容器内で、基板温度を例えば２５０℃以下に保
ち、且つグラファイトをターゲットとして用いると共に
、例えば１３３．３ｍＰａ〜５Ｘ１３３．３Ｐａの水素
ガス存在下で高周波電圧または直流電圧を印加してスパ
ヅ夕を行うことにより生成される。
素系物質を生成し、これを発光材料に適用することが検
討されている。具体的にはこのアモルファス炭素系物質
は、真空容器内で、基板温度を例えば２５０℃以下に保
ち、且つグラファイトをターゲットとして用いると共に
、例えば１３３．３ｍＰａ〜５Ｘ１３３．３Ｐａの水素
ガス存在下で高周波電圧または直流電圧を印加してスパ
ヅ夕を行うことにより生成される。
このような物質よりなる発光材料は、大きな光学的エネ
ルギーギャップを有する（耐熱的には２５０℃までその
ギャップはほとんど変化しない）と共に任意の光学的エ
ネルギーギャップ及び発光特性を、スパッタ条件のコン
トロールにより得られるため、要望に応じた材料が容易
に得られるという利点がある。この発光材料よりなる膜
は光学的エネルギーギャップ（Ｅｇｏ）の大小により強
力なフォトルミネッセンス（ＰＬ）が観察される。
ルギーギャップを有する（耐熱的には２５０℃までその
ギャップはほとんど変化しない）と共に任意の光学的エ
ネルギーギャップ及び発光特性を、スパッタ条件のコン
トロールにより得られるため、要望に応じた材料が容易
に得られるという利点がある。この発光材料よりなる膜
は光学的エネルギーギャップ（Ｅｇｏ）の大小により強
力なフォトルミネッセンス（ＰＬ）が観察される。
第４図にＥｇｏとＰＬのピーク値との関係を示す。
特にＥｇｏが３ｅＶ程度の膜は青色発光することからア
モルファスの特性を生かした大面積の青色発光パネルを
実現させる可能性がある。更に種々のＥｇｏを選択する
ことにより赤から青までの色をチューナプルに出す発光
素子を作ることもできる。またＥｇｏの大小によるＰＬ
強度についてし室温観察で非常に強い発光を示し、大画
面を有するフラットパネルデイスプレィへと応用を広げ
ることのできる発光素子材料（Ｒ，Ｇ、Ｂ三元色を作る
もの）として有望なものである。
モルファスの特性を生かした大面積の青色発光パネルを
実現させる可能性がある。更に種々のＥｇｏを選択する
ことにより赤から青までの色をチューナプルに出す発光
素子を作ることもできる。またＥｇｏの大小によるＰＬ
強度についてし室温観察で非常に強い発光を示し、大画
面を有するフラットパネルデイスプレィへと応用を広げ
ることのできる発光素子材料（Ｒ，Ｇ、Ｂ三元色を作る
もの）として有望なものである。
ところでこのような物質よりなる膜を発光層としたＬ
Ｅ Ｄ （Ｌ ｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄ １ｏ
ｄｅ）を作る場合、電子と正孔を発光層に注入する注入
層か必要であり、この注入層としては、半導体化したｐ
型、ｎ型の上記のアモルファス炭素系物質を用いること
が最良である。しかしながらこの物質を注入層として用
いる場合、目標特性であるＥｏ＞２ｅＶ、ρ（抵抗率）
＜１０’Ω・ＯＲを有するｐ型。
Ｅ Ｄ （Ｌ ｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄ １ｏ
ｄｅ）を作る場合、電子と正孔を発光層に注入する注入
層か必要であり、この注入層としては、半導体化したｐ
型、ｎ型の上記のアモルファス炭素系物質を用いること
が最良である。しかしながらこの物質を注入層として用
いる場合、目標特性であるＥｏ＞２ｅＶ、ρ（抵抗率）
＜１０’Ω・ＯＲを有するｐ型。
ｎ型膜を作ることが非常に難しく、この問題点が上記の
アモルファス炭素系物質の発光素子への適用を妨げてい
る。
アモルファス炭素系物質の発光素子への適用を妨げてい
る。
本発明の目的は、スパッタ法を利用して得たアモルファ
ス炭素系物質の特性を十分に引き出すことのできる発光
素子を提供することにある。
ス炭素系物質の特性を十分に引き出すことのできる発光
素子を提供することにある。
８３課題を解決するための手段
本発明にかかる発光素子は、アンモニアガス又は窒素ガ
スと水素化ケイ素ガスとｐ型不純物ガスとを含む低圧の
反応ガスを第２図に示す真空容器内でグロー放電させて
分解ガスを重合させるプラズマ化学的蒸着法を行い、こ
れにより生成されたｐ型のアモルファス窒化ケイ素膜よ
りなる正孔注入層と、 低圧の水素ガスを導入した第２図に示すＣＶＤ。
スと水素化ケイ素ガスとｐ型不純物ガスとを含む低圧の
反応ガスを第２図に示す真空容器内でグロー放電させて
分解ガスを重合させるプラズマ化学的蒸着法を行い、こ
れにより生成されたｐ型のアモルファス窒化ケイ素膜よ
りなる正孔注入層と、 低圧の水素ガスを導入した第２図に示すＣＶＤ。
スパッタ両用の真空容器内に電圧を印加して固体炭素系
物質よりなるターゲットに水素ガスのエネルギー粒子を
衝突させるスパッタ法を行い、これにより生成されたア
モルファス炭素系膜よりなる発光層と、 アンモニアガス又は窒素ガスと水素化ケイ素ガスとｎ型
不純物ガスとを含む低圧の反応ガスを第２図に示す真空
容器内でグロー放電させて分解ガスを重合させるプラズ
マ化学的蒸着法を行い、これにより生成されたｎ型アモ
ルファス窒化ケイ素膜よりなる電子注入層とを順に積層
してなる。
物質よりなるターゲットに水素ガスのエネルギー粒子を
衝突させるスパッタ法を行い、これにより生成されたア
モルファス炭素系膜よりなる発光層と、 アンモニアガス又は窒素ガスと水素化ケイ素ガスとｎ型
不純物ガスとを含む低圧の反応ガスを第２図に示す真空
容器内でグロー放電させて分解ガスを重合させるプラズ
マ化学的蒸着法を行い、これにより生成されたｎ型アモ
ルファス窒化ケイ素膜よりなる電子注入層とを順に積層
してなる。
Ｆ、実施例
第１図は本発明発光素子の実施例を示す構成図である。
第１図中１は例えば６３ｃｍ’程度の面積をもつガラス
基板、２は酸化錫よりなる透明電極、３はＢ３°をドー
パントした３０ｎｍ程度の厚さのｐ型のアモルファス窒
化ケイ素膜（以下「＆−８ｉＮ膜」という）よりなる正
孔注入層、４は３００ｎｍの厚さのアモルファス炭素系
膜（以下「ａ−Ｃ：Ｈ膜」という）よりなる発光層、５
はｐ５＋をドーパントした５０ｎｍ程度の厚さのｎ型の
ａ−ＳｉＮ膜よりなる電子注入層、６はアルミニウム電
極である。
基板、２は酸化錫よりなる透明電極、３はＢ３°をドー
パントした３０ｎｍ程度の厚さのｐ型のアモルファス窒
化ケイ素膜（以下「＆−８ｉＮ膜」という）よりなる正
孔注入層、４は３００ｎｍの厚さのアモルファス炭素系
膜（以下「ａ−Ｃ：Ｈ膜」という）よりなる発光層、５
はｐ５＋をドーパントした５０ｎｍ程度の厚さのｎ型の
ａ−ＳｉＮ膜よりなる電子注入層、６はアルミニウム電
極である。
次に上記の発光素子の製造方法について第２図を参照し
ながら説明する。同図中７は真空容器であり、独立して
電力印加出来る２組の非対象平行電極８，１１を外部に
プラズマ閉じ込め制御用ソレノイド１３を備えている。
ながら説明する。同図中７は真空容器であり、独立して
電力印加出来る２組の非対象平行電極８，１１を外部に
プラズマ閉じ込め制御用ソレノイド１３を備えている。
先ずアンモニアガス。
ＳｉＨ，及びＢ、Ｈ，の混合ガスをＨ，ガスにより約１
０倍に希釈した反応ガスを真空室７ に導入すると共に
１３．１４のソレノイドに交流電流（商用周波）を流し
、１１．１２のガスに高周波電源１５．１６ により
高周波電圧を印加し、グロー放電によって生成する分解
ガスを電極が形成された基板１７上にて重合させ、以て
ｐ型のａ−ＳｉＮ膜を得る。即ち、このａ−ＳｉＮ膜は
プラズマＣＶ Ｄ （Ｃｈｅａ＋１ｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により生成されたものであ
る。続いて真空室７を高真空にした後、この中にＨ，ガ
スを導入すると共にソレノイドに交流電流（商用周波）
を流し１５．１６の高周波電源により高周波電圧を独立
に印加して、カソード上に置かれた固体炭素系物質例え
ばグラファイトよりなるターゲット１８．１９に水素ガ
スのエネルギー粒子を衝突させるスパッタ法を行い、こ
れによりａ−Ｃ：Ｈ膜を前記ａ−５ｉＮ膜上に積層生成
する。しかる後に真空室を再び高真空にし、Ｂ ｔ Ｈ
ｅガスの代わりにＰ Ｈｓガスを用いた他は第１の成膜
に適用した方法と同様にしてｎ型のａ−ＳｉＮ膜を得、
その後このａ−９ｉＮｔｌｉ上に電極膜を形成すること
によってｐ−１−ｎ型の発光素子が得られる。なお第２
図中２０は磁気ソールにより回転可能に設けられたヒー
タ付サスセプタ、９，１２はアノード、２１はプラズマ
整流板である。
０倍に希釈した反応ガスを真空室７ に導入すると共に
１３．１４のソレノイドに交流電流（商用周波）を流し
、１１．１２のガスに高周波電源１５．１６ により
高周波電圧を印加し、グロー放電によって生成する分解
ガスを電極が形成された基板１７上にて重合させ、以て
ｐ型のａ−ＳｉＮ膜を得る。即ち、このａ−ＳｉＮ膜は
プラズマＣＶ Ｄ （Ｃｈｅａ＋１ｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により生成されたものであ
る。続いて真空室７を高真空にした後、この中にＨ，ガ
スを導入すると共にソレノイドに交流電流（商用周波）
を流し１５．１６の高周波電源により高周波電圧を独立
に印加して、カソード上に置かれた固体炭素系物質例え
ばグラファイトよりなるターゲット１８．１９に水素ガ
スのエネルギー粒子を衝突させるスパッタ法を行い、こ
れによりａ−Ｃ：Ｈ膜を前記ａ−５ｉＮ膜上に積層生成
する。しかる後に真空室を再び高真空にし、Ｂ ｔ Ｈ
ｅガスの代わりにＰ Ｈｓガスを用いた他は第１の成膜
に適用した方法と同様にしてｎ型のａ−ＳｉＮ膜を得、
その後このａ−９ｉＮｔｌｉ上に電極膜を形成すること
によってｐ−１−ｎ型の発光素子が得られる。なお第２
図中２０は磁気ソールにより回転可能に設けられたヒー
タ付サスセプタ、９，１２はアノード、２１はプラズマ
整流板である。
ここで第２図に示す装置を用いて発光素子を製造する場
合の製造条件の３つの例（試料１〜３）を以下に挙げる
。
合の製造条件の３つの例（試料１〜３）を以下に挙げる
。
（＋）試料１について
ユ 正孔注入層
真空容器内ガス圧力 ４０Ｐａ（０，３Ｔ
ｏｒｒ）基板温度 ２００℃ア
ンモニアガス＋ Ｓ ｉ Ｈ４ガス ソレノイド交流電流 す 発光層 真空容器内Ｈ，ガス圧力 基板温度 ソレノイド交流電流 高周波電源電力 ターゲットの径 電子注入層 真空容器内ガス圧力 基板温度 アンモニアガス：ＳｉＨ４ガス ＰＨ，ガス。
ｏｒｒ）基板温度 ２００℃ア
ンモニアガス＋ Ｓ ｉ Ｈ４ガス ソレノイド交流電流 す 発光層 真空容器内Ｈ，ガス圧力 基板温度 ソレノイド交流電流 高周波電源電力 ターゲットの径 電子注入層 真空容器内ガス圧力 基板温度 アンモニアガス：ＳｉＨ４ガス ＰＨ，ガス。
ｌ：ｌ
＋５Ａ
６６．７Ｐａ（０，５Ｔｏｒｒ）
１００°Ｃ
５Ａ
００Ｗ
５ｘｉ
４０Ｐａ（０，３Ｔｏｒｒ）
２００℃
１：１
（ＣＨ４ガス＋ＳｉＨ，ガス）
５．８：１０００
ソレノイド交流電流 １５Ａ（２）試料２
について １ 正孔注入層及び電子注入層 試料ｌと同じ条件で製造した ｂ 発光層 真空容器内Ｈ，ガス圧力を４０ Ｐ ａ（０、３Ｔｏｒ
ｒ）とした他は試料Ｉと同じ条件で製造した（３）試料
３について ａ 正孔注入層及び電子注入層 試料ｌと同じ条件で製造した ｂ 発光層 真空容器内ガス圧力を１３．３Ｐａ（０，ＩＴｏｒｒ）
とした他は試料Ｉと同じ条件で製造した以上の各試料１
〜３について波長とＥＬ強度との関係を調べたところ第
３図に示す関係が得られた。第３図実線■〜■のグラフ
は夫々試料１〜３に対応する。いずれの試料１〜３も目
視で十分観察できる発光を示し、十分な発光特性を有し
ていることが判った。試験に用いた順方向バイアス電圧
は５■であり、電流密度は２００ｍＡ／ｃｘ’であった
。以上の実施例では、ａ−ＳｉＮ膜としてＥｇｏが２．
ＯｅＶ、ρが１０３Ω−ａｍのものを用いたが、Ｅｇｏ
が２．２ｅＶよりも大きく、ρが１０３Ω・ｃｊＩより
も小さいものを用いれば発光特性は更に良くなる。また
基板温度についてはａ −Ｃ：Ｈ膜の耐熱性により制限
されるが、＆−Ｃ：Ｈ膜は３００℃以上に加熱されると
Ｅｇｏが低下し、かっ膜圧が小さくなるため、３００℃
程度が限界である。
について １ 正孔注入層及び電子注入層 試料ｌと同じ条件で製造した ｂ 発光層 真空容器内Ｈ，ガス圧力を４０ Ｐ ａ（０、３Ｔｏｒ
ｒ）とした他は試料Ｉと同じ条件で製造した（３）試料
３について ａ 正孔注入層及び電子注入層 試料ｌと同じ条件で製造した ｂ 発光層 真空容器内ガス圧力を１３．３Ｐａ（０，ＩＴｏｒｒ）
とした他は試料Ｉと同じ条件で製造した以上の各試料１
〜３について波長とＥＬ強度との関係を調べたところ第
３図に示す関係が得られた。第３図実線■〜■のグラフ
は夫々試料１〜３に対応する。いずれの試料１〜３も目
視で十分観察できる発光を示し、十分な発光特性を有し
ていることが判った。試験に用いた順方向バイアス電圧
は５■であり、電流密度は２００ｍＡ／ｃｘ’であった
。以上の実施例では、ａ−ＳｉＮ膜としてＥｇｏが２．
ＯｅＶ、ρが１０３Ω−ａｍのものを用いたが、Ｅｇｏ
が２．２ｅＶよりも大きく、ρが１０３Ω・ｃｊＩより
も小さいものを用いれば発光特性は更に良くなる。また
基板温度についてはａ −Ｃ：Ｈ膜の耐熱性により制限
されるが、＆−Ｃ：Ｈ膜は３００℃以上に加熱されると
Ｅｇｏが低下し、かっ膜圧が小さくなるため、３００℃
程度が限界である。
ところでｐ型のａ−ＳｉＮ膜、ａ−Ｃ，：Ｈ膜及びｎ型
のλ−８ｉＮ膜を積層したｐ−４−ｎ型セルを作った場
合、ａ−Ｃ：Ｈ膜とａ−ＳｉＮ膜（ｐ型またはｎ型）と
の接合はへテロ接合となるから、その接合が良好になさ
れるか否か、即ち注入層から発光層に正孔（７１子）が
うまく注入されるか否かが問題であったが、試料１〜３
についてダイオード特性を調べてみると、良好な特性を
示し、接合が良好になされていることが判った。
のλ−８ｉＮ膜を積層したｐ−４−ｎ型セルを作った場
合、ａ−Ｃ：Ｈ膜とａ−ＳｉＮ膜（ｐ型またはｎ型）と
の接合はへテロ接合となるから、その接合が良好になさ
れるか否か、即ち注入層から発光層に正孔（７１子）が
うまく注入されるか否かが問題であったが、試料１〜３
についてダイオード特性を調べてみると、良好な特性を
示し、接合が良好になされていることが判った。
以上、実施例について説明したが、この他各種の設計変
更が可能であり、例えば、上記正孔、注入層１３及び電
子注入層５を形成する際にターゲットにシリコンを用い
てプラズマＣＶＤ法を行なうことら可能である。
更が可能であり、例えば、上記正孔、注入層１３及び電
子注入層５を形成する際にターゲットにシリコンを用い
てプラズマＣＶＤ法を行なうことら可能である。
また、正孔注入層を形成するプラズマＣＶＤ法において
アンモニアガスに代えて窒素ガスを用いても良い。
アンモニアガスに代えて窒素ガスを用いても良い。
Ｇ１発明の効果
本発明によれば、スパッタ法により得られた＆Ｃ：Ｈ膜
を発光層として用いているため、大きな光学的エネルギ
ーギャップを有すると共に発光特性をスパッタ条件を変
えることによりフントロールできるから要望に応じた発
光層が容易に得られる。そしてプラズマＣＶＤ法により
得られたよ一９ｉＮ膜を正孔及び電子の注入層として用
いているため、発光層と注入層とがペテロ接合により結
合されていても電子及び正孔がうまく発光層に注入され
ると共に、光学的エネルギーギャップ及び抵抗率につい
て目標特性を満足する注入層を容易に作り出することが
できるから、これによりλ−Ｃ：Ｈ＠即ち発光層の特性
を十分に引き出すことができ、実用価値の高い発光素子
を得ることができる。
を発光層として用いているため、大きな光学的エネルギ
ーギャップを有すると共に発光特性をスパッタ条件を変
えることによりフントロールできるから要望に応じた発
光層が容易に得られる。そしてプラズマＣＶＤ法により
得られたよ一９ｉＮ膜を正孔及び電子の注入層として用
いているため、発光層と注入層とがペテロ接合により結
合されていても電子及び正孔がうまく発光層に注入され
ると共に、光学的エネルギーギャップ及び抵抗率につい
て目標特性を満足する注入層を容易に作り出することが
できるから、これによりλ−Ｃ：Ｈ＠即ち発光層の特性
を十分に引き出すことができ、実用価値の高い発光素子
を得ることができる。
第１図は本発明の実施例に係る発光素子を示す構成図、
第２図は発光素子の製造装置を示す構成図、第３図はダ
イオードの発光特性を示す特性図、第４図はアモルファ
ス炭素系膜のＥＯとＰＬとの関係を示す特性図である。 ３・・・正孔注入層、４・・・発光層、５・・・電子注
入層、１８．１９・・・ターゲット（グラファイト）。 ９Ｐ″方１にイクリｔＪｌ＋Ｉう々（茎〕コ５二嘱タト
ｊ璽こ第２図 ｙあ士≧イ列ｎｉｉ’図 第１図 夕”イオーＦ′ｎ発ｔｙＴ−１生図 第３図
第２図は発光素子の製造装置を示す構成図、第３図はダ
イオードの発光特性を示す特性図、第４図はアモルファ
ス炭素系膜のＥＯとＰＬとの関係を示す特性図である。 ３・・・正孔注入層、４・・・発光層、５・・・電子注
入層、１８．１９・・・ターゲット（グラファイト）。 ９Ｐ″方１にイクリｔＪｌ＋Ｉう々（茎〕コ５二嘱タト
ｊ璽こ第２図 ｙあ士≧イ列ｎｉｉ’図 第１図 夕”イオーＦ′ｎ発ｔｙＴ−１生図 第３図
Claims (3)
- （１）アンモニアガス又は窒素ガスと、水素化ケイ素ガ
スとｐ型不純物ガスとを含む低圧の反応ガスを真空容器
内でグロー放電させて分解ガスを重合させるプラズマＣ
ＶＤ法を行い、これにより生成されたｐ型のアモルファ
ス窒化ケイ素膜よりなる正孔注入層と、 低圧の水素ガスを導入した真空容器内に電圧を印加して
固体炭素系物質よりなるターゲットに水素ガスのエネル
ギー粒子を衝突させるスパッタ法を行い、これにより生
成されたアモルファス炭素系膜よりなる発光層と、 アンモニアガス又は窒素ガスと水素化ケイ素ガスとｎ型
不純物ガスとを含む低圧の反応ガスを真空容器内でグロ
ー放電させて分解ガスを重合させるプラズマＣＶＤ法を
行い、これにより生成されたｎ型のアモルファス窒化ケ
イ素膜よりなる電子注入層とを順次積層したことを特徴
とする発光素子。 - （２）アンモニアガス又は窒素ガスと水素化ケイ素ガス
と、ｐ型不純物ガス又はｎ型不純物ガスを真空容器内で
グロー放電させて分解ガスを重合させるプラズマＣＶＤ
装置のターゲット部にシリコン板を載置してカソード電
極となし、該シリコン板上にｐ型又はｎ型のアモルファ
ス窒化ケイ素膜を堆積させることを特徴とする発光素子
のアモルファス材料層の製造方法。 - （３）低圧の水素ガスを導入した真空容器内に電圧を印
加して固体炭素系物質よりなるターゲットに水素ガスの
エネルギー粒子を衝突させる反応性スパッタ法を行い、
これにより前記固体炭素系物質にアモルファス炭素系膜
を堆積させることを特徴とする発光素子のアモルファス
材料層の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1038042A JPH02218179A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 発光素子及びそのアモルファス材料層の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1038042A JPH02218179A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 発光素子及びそのアモルファス材料層の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02218179A true JPH02218179A (ja) | 1990-08-30 |
Family
ID=12514478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1038042A Pending JPH02218179A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 発光素子及びそのアモルファス材料層の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02218179A (ja) |
-
1989
- 1989-02-17 JP JP1038042A patent/JPH02218179A/ja active Pending
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