JP2933452B2

JP2933452B2 - 太陽電池

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Publication number: JP2933452B2
Application number: JP4274614A
Authority: JP
Inventors: 勉村上
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1992-10-13
Filing date: 1992-10-13
Publication date: 1999-08-16
Anticipated expiration: 2014-08-16
Also published as: JPH06125102A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、太陽電池に関し、特
に、基板上に順次積層された酸化物半導体層，光起電力
発生層，上部電極および金属電極を含む太陽電池に関す
る。

【０００２】

【従来技術の説明】太陽光の光エネルギーを電気エネル
ギーに変換する光電変換素子である太陽電池は、石油エ
ネルギーに代わる発電手段として注目されている。特
に、アモルファスシリコン太陽電池は、大面積でかつ低
コストな太陽電池が作成できるものとして期待されてい
る。アモルファスシリコン太陽電池の素子構造のうちで
は、ｐｉｎ型の素子構造が最も実用化されている。

【０００３】図５は、ｐｉｎ型の素子構造を有するアモ
ルファスシリコン太陽電池の一従来例を示す模式的断面
図である。

【０００４】図５に示したアモルファスシリコン太陽電
池５０は、米国特許出願第４，４１９，５３３号明細書
に開示されているものであり、基板５１と、基板５１上
に積層された下部電極５２と、下部電極５２上に積層さ
れた酸化物半導体層５３と、酸化物半導体層５３上に積
層されたｎ層５４と、ｎ層５４上に積層されたｉ層５５
と、ｉ層５５上に積層されたｐ層５６と、ｐ層５６上に
積層された上部電極５７と、上部電極５７上に積層され
た金属電極５８とからなる。ここで、ｎ層５４とｉ層５
５とｐ層５６とは光起電力発生層を形成する。

【０００５】アモルファスシリコン太陽電池５０におい
ては、金属電極５８側から入射される入射光はｉ層５５
で吸収されるが、その一部はｉ層５５で吸収されずに基
板５１まで到達する。このため、基板５１に到達した入
射光の一部を再び基板５１で反射してｉ層５５で吸収さ
せることが必要になる。そこで、ｉ層５５を透過した入
射光の一部を下部電極５２の表面（酸化物半導体層５３
側の面）に設けた凹凸で乱反射させて、該入射光の一部
をｉ層５５に再入射させることにより、ｉ層５５で入射
光を効率よく吸収できるようにしている。なお、下部電
極５２とｎ層５４とのコンタクトをよくするため、表面
（ｎ層５４側の面）と裏面（下部電極５２側の面）とに
凹凸が形成された酸化物半導体層５３が下部電極５２上
に設けられている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のアモルファスシリコン太陽電池５０では、スパ
ッタ法などにより下部電極５２を作成するため、以下に
示す理由により、生産性が低下するという問題がある。（１）下部電極５２の表面に凹凸を形成するには、作成
条件として高温で成膜を行う必要がある。（２）表面を荒らすには、表面荒さに応じて下部電極５
２の厚みを厚くする必要がある。

【０００７】本発明の目的は、入射光を効率よく吸収で
きるとともに、生産性の向上も図れる太陽電池を提供す
ることにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の太陽電池は、上
記課題を解決するため、基板上に順次積層された酸化物
半導体層、光起電力発生層、上部電極を含む太陽電池に
おいて、前記酸化物半導体層の表面に山と谷との高低差
が１０００〜５０００オングストロームの凹凸が形成さ
れており、前記凹凸は対応する大きさの微粒子からな
り、また前記酸化物半導体層は、マイクロ波プラズマＣ
ＶＤ法もしくは微粒子を含むバインダーを塗布する方法
によって形成されている。

【０００９】ここで、前記酸化物半導体層が酸化亜鉛か
らなっていてもよい。

【００１０】また、前記酸化物半導体層が、塗布法また
はプラズマＣＶＤ法により形成されたものであってもよ
い。

【００１１】

【作用】本発明の太陽電池は、山と谷との高低差が１０
００Åから５０００Åである凹凸を酸化物半導体層の表
面に形成することにより、下部電極の表面に凹凸を形成
しなくても光を有効に閉じ込めることができる。

【００１２】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。

【００１３】図１は、本発明の太陽電池の一実施例を示
すアモルファスシリコン太陽電池の模式的断面図であ
る。

【００１４】本実施例のアモルファスシリコン太陽電池
１０は、酸化物半導体層１３の表面（ｎ層１４側の面）
に凹凸が形成されている点および該凹凸の山と谷との高
低差が１０００Åから５０００Åである点で、図５に示
した従来のアモルファスシリコン太陽電池５０と異な
る。すなわち、従来のアモルファスシリコン太陽電池５
０においては、下部電極５２の表面に形成された凹凸で
入射光を乱反射することによって光閉じ込めが行われる
のに対して、本実施例のアモルファスシリコン太陽電池
１０においては、下部電極１２の表面は平滑であり、酸
化物半導体層１３の表面に凹凸を形成することによって
光閉じ込めが行われる。なお、光の閉じ込めが最も有効
に行われるためには、酸化物半導体層１３の表面の凹凸
の山と谷との高低差（以下、「高さ」と称する。）は１
０００Åから５０００Åまでが好適である。

【００１５】次に、アモルファスシリコン太陽電池１０
の各構成要素についてそれぞれ説明する。

【００１６】（１）基板１１基板１１は導電性でも絶縁性でもよいが、金属を用いる
場合には、たとえばステンレスやアルミニウムなどの工
業的に安定して供給され、かつ、安価で加工し易い材質
のものが好ましい。また、基板１１の大きさとしては、
３０ｃｍ角位の大きさでよい。しかし、ロールツーロー
ルのように連続的に太陽電池を生産する場合には、長尺
の連続した基板の方が望ましく、また、基板をロール状
に巻き取ることができる必要があるために充分に柔軟で
あることが望ましく、基板の厚みとしては１００μｍか
ら１ｍｍ程度が好適である。さらに、絶縁性の基板を用
いる場合には、耐熱性や加工性の点からガラスやセラミ
ックスが好適である。

【００１７】ｉ層１５において吸収しきれない、主に長
波長の入射光を基板１１の表面において効率よく反射す
るためには、基板１１の表面の反射率を高くしておく必
要がある。このため、基板１１が金属性の場合には、所
望に応じて機械的な研磨や電解研磨などの処理をするこ
とで、基板１１の表面を平滑な面にする。また、反射率
の良いＡｇやＡｌなどのような金属を蒸着のような方法
で基板１１の表面上に堆積してもよく、この場合には、
前記蒸着層は下部電極１２としても用いることができ
る。一方、基板１１が絶縁性の場合には、反射層および
下部電極１２として金属電極が必要となるが、該金属電
極としては、上述したような金属が好適に用いられる。

【００１８】（２）下部電極１２基板１１が金属性の場合には、特に必要はない。

【００１９】（３）酸化物半導体層１３酸化物半導体層１３の機能としては、以下に示す３つが
ある。（ａ）ｉ層１５で吸収しきれなかった入射光を基板１１
の表面まで透過させて、基板１１の表面で反射させたの
ち、この反射光をｉ層１５でもう一度吸収させることに
より、光電変換効率を上昇させる機能。（ｂ）光起電力発生層にピンホールが生じた場合に起こ
る電流のリークを防止するバリヤー層の機能。（ｃ）下部電極１２として用いられるＡｇやＡｌのよう
な金属が非晶質半導体層（ｎ層１４）に直接接している
場合に生じる、公知の界面における下部電極１２の材料
である金属の非晶質材料へのマイグレーションによる太
陽電池の特性の低下を防ぐ機能。

【００２０】酸化物半導体層１３の望ましい電気特性と
しては、バリヤー層としての機能を果たすため、高い抵
抗をもつことが望ましいが、光電変換によって発生した
電流に対しては直列抵抗成分とならない程度の抵抗値で
あることが必要であり、具体的には、抵抗率ρが１０²
Ωｃｍから１０^-4Ωｃｍ程度であることが望ましい。ま
た、酸化物半導体層１３は、長波長光を基板１１の表面
まで到達させる必要があるため、光に対する透過性が充
分にあることが望ましく、具体的には、禁制帯幅（Ｅ
ｇ）が３ｅＶ以上であることが望ましい。このような特
性を有する材料としては、酸化スズ（ＳｎＯ₂ ），イン
ジュウムとスズの酸化物の合金であるＩＴＯ、および酸
化亜鉛（ＺｎＯ）が好適なものである。なお、これらの
材料の電気抵抗が大きい場合には、ドーピングを行うこ
とで抵抗を下げることが可能である。前記材料のうちＺ
ｎＯは、適度な電気伝導性を有し、安価であり、光透過
性も良好であるため、至適な材料として研究が進められ
ている。

【００２１】酸化物半導体層１３は、通常、スパッタ
法，スプレー法，蒸着法，イオンプレーティング法など
により作成されるが、これらの方法で作成した場合に
は、表面形状は一般的に平滑なものとなる。酸化物半導
体層１３の表面に所望の凹凸を形成するためには、たと
えば所望の凹凸の大きさに対応した粒径の酸化物半導体
微粒子をプラズマＣＶＤ法によって作成して基板１１上
に堆積する方法を用いることができる。または、前記酸
化物半導体微粒子を基板１１上に直接堆積せずに、バイ
ンダーなどを添加することにより、ペースト状としてス
クリーン印刷してもよい。

【００２２】（４）光起電力発生層（ｎ層１４，ｉ層１
５およびｐ層１６）ｎ層１４は、ＳｉＨ₄ ガスとドーピング剤用のＰＨ₃ ガ
スとをプラズマで分解して作成することができる。ｉ層
１５は、光吸収を行って、入射光によって励起されたキ
ャリアを発生させる非晶質半導体層であり、また、通
常、ＳｉＨ₄ ガスをプラズマで分解して作成することが
できる。ｐ層１６は、一般的には、ＳｉＨ ₄ ガスとドー
ピング用のＢ₂Ｈ₆ガスとをプラズマで分解して作成する
ことができる。

【００２３】図１に示した光起電力発生層は、ｐｉｎ構
造のシングルセルであるが、シングルセルを二層積層し
たタンデムセル、三層積層したトリプルセルなどであっ
てもよい。また、ｎ層１４，ｉ層１５およびｐ層１６の
積層の順序は逆であってもよい。さらに、光起電力発生
層は、図１に示したように平坦ではなく、酸化物半導体
層１３の表面の凹凸をなぞるように形成されていてもよ
い。

【００２４】（５）上部電極１７および金属電極１８上部電極１７は、入射光を透過させかつ導電性を有する
透明導電膜であり、一般には、ＩＴＯやＳｎＯ₂ をター
ゲットとしてスパッタリングで作成することができる。
金属電極１８（グリッド）は、一般的には、ＡｇやＡｌ
などのような低抵抗の金属を抵抗加熱法，エレクトロン
ビーム法，スパッタ法およびスクリーン印刷法などを用
いて堆積して作成することができる。また、金属電極１
８は、入射光の透過性を妨げないように、面積を極力小
さくするように設計されるのが望ましく、通常、櫛形に
形成される。

【００２５】次に、図１に示したアモルファスシリコン
太陽電池１０を試作した一例について説明する。

【００２６】基板１１として、１０ｃｍ×１０ｃｍの寸
法に切断した厚さ５００μｍのステンレススチール基板
を用い、その表面をアルミナの研磨剤で研磨して、表面
の平均粗さ（Ｒａ）を５００Åとした。その後、スパッ
タ装置（不図示）を用いてＡｌからなる下部電極１２を
厚さ５０００Åほど基板１１上に堆積したのち、基板１
１を図２に示す酸化物半導体堆積装置200 に投入した。

【００２７】酸化物半導体堆積装置200 は、マイクロ波
発振器201 と、マイクロ波発振器201 で発振されたマイ
クロ波を伝送するための導波管202 と、導波管202 に設
けられた、マイクロ波の入射パワーおよび反射パワーを
測定するためのパワーモニター203 と、導波管202 に設
けられた整合回路204 と、チャンバ208 と、導波管202
により伝送されてきたマイクロ波をチャンバ208 内に投
入するためのマイクロ波投入窓205 と、チャンバ208 内
に設けられた空洞共振器206 と、空洞共振器206 に設け
られた、直径８ｍｍの穴が開孔率４０％となるように開
いている開孔板207 と、チャンバ208 内の気体を排気す
るための排気ポンプ210 と、チャンバ208 と排気ポンプ
210 とを連通する排気管209 とを含む。ここで、チャン
バ208 は、酸素ガス導入管223 により酸素ガスボンベ21
2 と連通されており、酸素ガス導入管223 には、圧力調
整器215 ，バルブ219 ，マスフローコントローラー220
およびバルブ221 が設けられている。また、キャリヤガ
スであるＮ₂ ガス用のＮ₂ガスボンベ213 と原料ガスで
あるジエチル亜鉛（（ＣＨ₃）₂Ｚｎ）のバブリング装置
211 とを連通する配管には、圧力調整器214 ，バルブ21
6 ，マスフローコントローラー217 およびバルブ218 が
設けられており、バブリング装置211 とチャンバ208 と
は原料ガス導入管222 により連通されている。基板ホル
ダー225 がチャンバ208 内の開孔板207 と互いに対向す
る位置に設けられており、基板ホルダー225 内には、基
板加熱ヒーター226 が設けられている。なお、下部電極
１２が堆積された基板１１は、開孔板207 と互いに対向
するように基板ホルダー225 上に設置される。

【００２８】排気ポンプ210 を運転して、１０^-6Ｔｏｒ
ｒ以下の真空度にチャンバ208 内を真空排気したのち、
基板加熱ヒーター226 を用いて基板１１を３００℃に加
熱した。その後、Ｎ₂ ガスボンベ213 に充填されている
キャリヤガスであるＮ₂ ガスをマスフローコントローラ
ー217 で１０ｓｃｃｍの流量に制御してバブリング装置
211 内に導入した。原料ガスはキャリヤガスに所定の蒸
気圧で含有され、空洞共振器206 内に導入される。酸素
ガスをマスフローコントローラー220 で２０ｓｃｃｍの
流量に制御して空洞共振器206 内に導入した。圧力コン
トローラー（不図示）によりチャンバ208 内の圧力を１
５ｍＴｏｒｒに調整した。チャンバ208内の圧力が安定
したところで、マイクロ波発振器201 の電源を入れて、
１２０Ｗのパワーのマイクロ波を発生させた。パワーモ
ニター203 に示される反射パワーが極力小さくなるよう
に、整合回路204 を調整した。空洞共振器206 にプラズ
マを発生させ、気相反応により生成したＺｎＯの微粒子
を開孔板207 を介してチャンバ208 内に引き出すことに
より、基板１１上にＺｎＯ膜を堆積した。成膜後の基板
１１を取り出し、表面の凹凸の高さを測定したところ５
００Åであった。

【００２９】次に、図３に示すプラズマＣＶＤ装置を用
いて、以下に示すようにして光起電力層を堆積した。

【００３０】プラズマＣＶＤ装置300 は、ｎ層１４堆積
用のｎ層成膜室301 と、ｉ層１５堆積用のｉ層成膜室31
1 と、ｐ層１６堆積用のｐ層成膜室321 とを含む。ｎ層
成膜室301 ，ｉ層成膜室311 およびｐ層成膜室321 はそ
れぞれ、第１乃至第４のゲートバルブ309,319,329,339
により独立に真空状態が保てるようになっている。ｎ層
成膜室301 内には、基板加熱ヒーター304 が内部に設け
られた、アノード電極として作用する基板ホルダー303
と、マッチングボックス305 を介して高周波電源306 と
接続されたカソード電極302 とが設けられている。ま
た、ｎ層成膜室301 は、排気管307 を介して排気ポンプ
308 と連通されている。なお、ｉ層成膜室311 およびｐ
層成膜室321 についても同様である。ｎ層成膜室301 ，
ｉ層成膜室311 およびｐ層成膜室321 内への原料ガスの
導入は、各原料ガスボンベ331,341,351,361 から原料ガ
ス導入管370 を介してそれぞれ行われる。ここで、各原
料ガスボンベ331,341,351,361 と原料ガス導入管370 と
の間には、各圧力調整器332,342,352,362 と各バルブ33
4,344,354,364 と各マスフローコントローラー335,345,
355,365 と各バルブ336,346,356,366 とがそれぞれ設け
られている。

【００３１】酸化物半導体層１３が形成された基板１１
をｎ層成膜室301 内の基板ホルダー303 上に設置した。
真空ポンプ308 により真空度１０^-7Ｔｏｒｒまでｎ層成
膜室301 内を真空排気したのち、基板加熱ヒーター304
により基板ホルダー303 を２５０℃に加熱した。その
後、図示左端の原料ガスボンベ331 に充填されているＳ
ｉＨ₄ ガスをマスフローコントローラー335 により２ｓ
ｃｃｍの流量に制御し、また、図示左端から２番目の原
料ガスボンベ341 に充填されている、Ｈ₂ ガスで１％に
希釈されたＰＨ₃ ガスをマスフローコントローラ345 に
より２ｓｃｃｍの流量に制御して、原料ガス導入管370
を介してｎ層成膜室301 内にそれぞれ導入した。その
後、ｎ層成膜室301 内の圧力を０．７Ｔｏｒｒに保ち、
前記各原料ガスの流れとｎ層成膜室301 内の圧力とが安
定したのち、マッチングボックス305により反射パワー
を極力小さくして高周波電源306 から２Ｗのパワーをｎ
層成膜室301 内へ投入した。この状態で成膜を３分間行
うことにより、ｎ層１４を形成した。

【００３２】ｎ層１４の形成が終了すると、ｎ層成膜室
301 内の放電を止めるとともに前記各原料ガスのｎ層成
膜室301 内への供給も止めたのち、真空度１０^-7Ｔｏｒ
ｒまでｎ層成膜室301 内を真空排気した。その後、第２
のゲートバルブ319 を開けたのち、基板１１を搬送手段
（不図示）を用いてｉ層成膜室311 内の基板ホルダー31
3 に移動した。基板加熱ヒーター314 により基板１１の
温度を２５０℃としたのち、図示左端の原料ガスボンベ
331 に充填されているＳｉＨ₄ ガスをマスフローコント
ローラー335により３ｓｃｃｍの流量に制御し、また、
図示左端から３番目の原料ガスボンベ351 に充填されて
いるＨ₂ ガスをマスフローコントローラー355 により３
０ｓｃｃｍの流量に制御して、原料ガス導入管370 を介
してｉ層成膜室311 内にそれぞれ導入した。その後、ｉ
層成膜室311 内の圧力を０．４Ｔｏｒｒに保ち、前記各
原料ガスの流れとｉ層成膜室311 内の圧力とが安定した
のち、マッチングボックス315 により反射パワーを極力
小さくして、高周波電源316 から５Ｗのパワーをｉ層成
膜室311 内へ投入した。この状態で成膜を６０分間行う
ことにより、ｉ層１５を形成した。

【００３３】ｉ層１５の形成が終了すると、ｉ層成膜室
311 内の放電を止めるとともに前記各原料ガスのｉ層成
膜室311 内への供給も止めたのち、真空度１０^-7Ｔｏｒ
ｒまでｉ層成膜室311 内を真空排気した。その後、第３
のゲートバルブ329 を開けたのち、基板１１を搬送手段
（不図示）を用いてｐ層成膜室321 内の基板ホルダー32
3 に移動した。基板加熱ヒーター324 により基板１１の
温度を２５０℃としたのち、図示左端の原料ガスボンベ
331 に充填されているＳｉＨ₄ ガスをマスフローコント
ローラー335 により２ｓｃｃｍの流量に制御し、また、
図示右端の原料ガスボンベ361 に充填されている、Ｈ₂
ガスで２％に希釈されたＢ₂Ｈ₆ガスをマスフローコント
ローラー365 により３ｓｃｃｍの流量に制御して、原料
ガス導入管370 を介してｐ層成膜室321 内に導入した。
その後、ｐ層成膜室321 内の圧力を０．５Ｔｏｒｒに保
ち、前記各原料ガスの流れとｐ層成膜室321 内の圧力と
が安定したのち、マッチングボックス325 により反射パ
ワーを極力小さくして高周波電源326 から５Ｗのパワー
をｐ層成膜室321 内に投入した。この状態で成膜を１分
間行うことにより、ｐ層１６を形成した。

【００３４】ｐ層１６の形成が終了すると、ｐ層成膜室
321 内の放電を止めるとともに前記各原料ガスのｐ層成
膜室321 内への供給も止めたのち、真空度１０^-7Ｔｏｒ
ｒまでｐ層成膜室321 内を真空排気した。その後、基板
１１の温度が室温になるまで放置したのち、ｐ層成膜室
321 から基板１１を取り出した。

【００３５】続いて、スパッタリング装置（不図示）内
に基板１１をセットし、中心間の距離が１ｃｍで、格子
状に配置される、有効面積が１ｃｍ² の円形の各サブセ
ルを形成するためのマスクを、基板１１のｐ層１６上に
設置したのち、真空度１０^-7Ｔｏｒｒまでスパッタリン
グ装置内を真空排気した。その後、スパッタリング装置
内の圧力が２×１０^-4ＴｏｒｒとなるようにＡｒガスを
流し、ＩＴＯのターゲットを用いて、５０Ｗのパワーで
ＤＣスパッタリングを行うことにより、ＩＴＯの上部電
極１７を形成した。さらに、ＥＢ蒸着装置（不図示）を
用いて、基板１１の上部電極１７上に、厚さ５００Åの
Ｃｒと厚さ１０００ÅのＡｇとを積層することにより、
金属電極１８を形成した。

【００３６】次に、ＺｎＯの堆積条件を変えて、酸化物
半導体層１３の表面の凹凸の高さが５００Å，１０００
Å，２０００Å，４０００Å，６０００Åおよび１００
００Åのアモルファスシリコン太陽電池１０を同様にし
て作成した。

【００３７】以上のようにして作成したアモルファスシ
リコン太陽電池１０の上部電極１７側を受光面にしてＡ
Ｍ−１光（１００ｍＷ／ｃｍ² ）を照射しながら、基板
１１と金属電極１８との間に印加する電圧を−０．５Ｖ
〜＋１．０Ｖの範囲で掃引することにより、電圧電流特
性を測定して各サンプルの光電変換効率を測定した。ま
た、図５に示した従来のアモルファスシリコン太陽電池
５０も同様にして作成して、光電変換効率を同様にして
測定した。図４に、酸化物半導体層１３の表面の凹凸の
高さと各サンプルについて測定した光電変換効率（規格
化したもの）との関係を調べた一実験結果を示す。この
結果より、酸化物半導体１３の表面の凹凸の高さが１０
００Åから５０００Åのときに、光電変換効率が高くな
ることがわかった。

【００３８】

【発明の効果】本発明は、上述のとおりに構成されてい
るので、次に示す効果を奏する。

【００３９】山と谷との高低差が１０００Åから５００
０Åである凹凸を酸化物半導体層の表面に形成すること
により、下部電極の表面に凹凸を形成しなくても光を有
効に閉じ込めることができるため、入射光を効率よく吸
収できるとともに生産性の向上も図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の太陽電池の一実施例を示すアモルファ
スシリコン太陽電池の模式的断面図である。

【図２】図１に示したアモルファスシリコン太陽電池の
試作に用いた酸化物半導体堆積装置の概略構成図であ
る。

【図３】図１に示したアモルファスシリコン太陽電池の
試作に用いたプラズマＣＶＤ装置の概略構成図である。

【図４】アモルファスシリコン太陽電池の各サンプルに
おける酸化物半導体層の表面の凹凸の高さと光電変換効
率との関係を調べた一実験結果を示すグラフである。

【図５】ｐｉｎ型の素子構造を有するアモルファスシリ
コン太陽電池の一従来例を示す模式的断面図である。

【符号の説明】

１０アモルファスシリコン太陽電池１１基板１２下部電極１３酸化物半導体層１４ｎ層１５ｉ層１６ｐ層１７上部電極１８金属電極 200 酸化物半導体堆積装置 201 マイクロ波発振器 202 導波管 203 パワーモニター 204 整合器 205 マイクロ波投入窓 206 空洞共振器 207 開孔板 208 チャンバ 209,307,317,327 排気管 210,308,318,328 排気ポンプ 211 バブリング装置 212 酸素ガスボンベ 213 Ｎ₂ ガスボンベ 214,215,332,342,352,362 圧力調整器 216,218,219,221,334,344,354,364,336,346,356,366
バルブ 217,220,335,345,355,365 マスフローコントローラ
ー 222,370 原料ガス導入管 223 酸素ガス導入管 225,303,313,323 基板ホルダー 226,304,314,324 基板加熱ヒーター 300 プラズマＣＶＤ装置 301 ｎ層成膜室 302,312,322 カソード電極 305,315,325 マッチングボックス 306,316,317 高周波電源 309,319,329,339 ゲートバルブ 311 ｉ層成膜室 321 ｐ層成膜室 331,341,351,361 原料ガスボンベ

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に順次積層された酸化物半導体
層、光起電力発生層、上部電極を含む太陽電池におい
て、前記酸化物半導体層の表面に山と谷との高低差が１
０００〜５０００オングストロームの凹凸が形成されて
おり、前記凹凸は対応する大きさの微粒子からなり、ま
た前記酸化物半導体層は、マイクロ波プラズマＣＶＤ法
もしくは微粒子を含むバインダーを塗布する方法によっ
て形成されたことを特徴とする太陽電池。
【請求項２】前記酸化物半導体層が、酸化亜鉛からな
ることを特徴とする請求項１記載の太陽電池。