JPH04133285A - 緑色発光薄膜ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
緑色発光薄膜ｅｌ素子の製造方法Info
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- JPH04133285A JPH04133285A JP2255899A JP25589990A JPH04133285A JP H04133285 A JPH04133285 A JP H04133285A JP 2255899 A JP2255899 A JP 2255899A JP 25589990 A JP25589990 A JP 25589990A JP H04133285 A JPH04133285 A JP H04133285A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産Ｘｌ−のｍ走塁−
本発明は緑色発光の薄膜ＥＬ素子の製造方法に関する。
従３４料結１
薄膜ＥＬ素子はその構造と、電圧印加方式から種々のも
のがあるが、現在実用化されている二重絶縁構造の交流
駆動タイプのものを例にとり説明する。第３図にその断
面構造を示す。この構造は周知のように、ガラス基板１
上に透明電極（例えばＩＴＯ）２．第１絶縁層（例えば
Ｓｉ３Ｎ４ 、 Ｔａ２０３）３２発光層４．第２絶縁
層５及び背面電極（例えばＡＩ）６を順次積層したもの
となっている。
のがあるが、現在実用化されている二重絶縁構造の交流
駆動タイプのものを例にとり説明する。第３図にその断
面構造を示す。この構造は周知のように、ガラス基板１
上に透明電極（例えばＩＴＯ）２．第１絶縁層（例えば
Ｓｉ３Ｎ４ 、 Ｔａ２０３）３２発光層４．第２絶縁
層５及び背面電極（例えばＡＩ）６を順次積層したもの
となっている。
この透明電極２と背面電極６との間に外部から交流電圧
を印加すると発光層４が発光する。
を印加すると発光層４が発光する。
従来、緑色発光薄膜ＥＬ素子を作製する場合、上記発光
層４はＺｎＳ発光母材とＴｂＦ３発光中心を別々の抵抗
線加熱蒸発源から蒸着する二元蒸着法により形成したＺ
ｎＳ：ＴｂＦ３を用いて、いた（特開昭５６−１０８３
９０号公報、特開昭５８−１５７８８Ｅｉ号公報）。
層４はＺｎＳ発光母材とＴｂＦ３発光中心を別々の抵抗
線加熱蒸発源から蒸着する二元蒸着法により形成したＺ
ｎＳ：ＴｂＦ３を用いて、いた（特開昭５６−１０８３
９０号公報、特開昭５８−１５７８８Ｅｉ号公報）。
よ”
ところが、前記手段による緑色発光薄膜ＥＬ素子では、
実用上十分な輝度が得られていないという問題があった
。
実用上十分な輝度が得られていないという問題があった
。
；、 るこめの
本発明は緑色発光薄膜ＥＬ素子の輝度を改善するために
提案されたもので、発光層形成において、発光母材と発
光中心を同時に蒸着する二元蒸着法を用い、その際発光
母材としてＺｎＳを抵抗線加熱蒸着法により蒸着し、発
光中心としてＴｂＦ３ペレットを用いた電子ビーム蒸着
法に酸素ガスを導入した化成蒸着法により蒸着すること
を特徴とする。
提案されたもので、発光層形成において、発光母材と発
光中心を同時に蒸着する二元蒸着法を用い、その際発光
母材としてＺｎＳを抵抗線加熱蒸着法により蒸着し、発
光中心としてＴｂＦ３ペレットを用いた電子ビーム蒸着
法に酸素ガスを導入した化成蒸着法により蒸着すること
を特徴とする。
昨月−
本発明に係わる緑色発光薄膜ＥＬ素子によれば、２基の
抵抗線加熱蒸発源を用いた従来の二元蒸着法の利点であ
るクラスタが無（、発光中心の均一なドーピングができ
るといった点を保持しつつ、発光中心としてＴｂ０Ｆを
用いることで高輝度を実現できる。
抵抗線加熱蒸発源を用いた従来の二元蒸着法の利点であ
るクラスタが無（、発光中心の均一なドーピングができ
るといった点を保持しつつ、発光中心としてＴｂ０Ｆを
用いることで高輝度を実現できる。
実ｌ玉し−
以下本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す二重絶縁構造交流駆動
タイプの緑色発光薄膜ＥＬ素子の構造断面図である。尚
、従来例と同一のものについては同一参照番号を付して
説明する。ガラス基板１上に酸化インジウム、酸化錫か
らなる透明電極（ＩＴＯ）２を形成し、次に第１絶縁層
３として蒸着、スパッタ、ＣＶＤ法等で５ｊ３０４ 、
Ｔａ２Ｏ，、。
タイプの緑色発光薄膜ＥＬ素子の構造断面図である。尚
、従来例と同一のものについては同一参照番号を付して
説明する。ガラス基板１上に酸化インジウム、酸化錫か
らなる透明電極（ＩＴＯ）２を形成し、次に第１絶縁層
３として蒸着、スパッタ、ＣＶＤ法等で５ｊ３０４ 、
Ｔａ２Ｏ，、。
に代表される金属酸化物・窒化物を単層又は積層して形
成する。この第１絶縁層３上に、発光母材としてＺｎＳ
を抵抗線加熱蒸着法により蒸着し、同時に発光中心とし
てＴｂＦ３ペレットを用いた電子ビーム蒸着法に酸素ガ
スを導入した化成蒸着法で蒸着する二元蒸着法を用いて
形成したＺｎＳ：Ｔｂ０Ｆを緑色発光層７として形成す
る。次に第２絶縁層５を第１絶縁層３と同様の方法で緑
色発光層７上に形成する。更に背面電極６を上記第２絶
縁層５上にＡ１等を電子ビーム蒸着法等により積層形成
することで緑色発光薄膜ＥＬ素子は作製される。
成する。この第１絶縁層３上に、発光母材としてＺｎＳ
を抵抗線加熱蒸着法により蒸着し、同時に発光中心とし
てＴｂＦ３ペレットを用いた電子ビーム蒸着法に酸素ガ
スを導入した化成蒸着法で蒸着する二元蒸着法を用いて
形成したＺｎＳ：Ｔｂ０Ｆを緑色発光層７として形成す
る。次に第２絶縁層５を第１絶縁層３と同様の方法で緑
色発光層７上に形成する。更に背面電極６を上記第２絶
縁層５上にＡ１等を電子ビーム蒸着法等により積層形成
することで緑色発光薄膜ＥＬ素子は作製される。
尖凰健２
本発明は実施例１に示した二重絶縁構造交流駆動タイプ
のものだけでなく、第１絶縁層を形成しない片組縁構造
のものや、第２図に示した半導体基板（例えばｎ−Ｇａ
Ａｓ） ８上に緑色発光層７を形成し、薄膜層として半
導体層（例えばＺｎ５ｅ：Ｇａ ） ９＋透明電極（例
えばＡｕ半透明膜）１０を積層形成した直流駆動タイプ
のものに適用してもよい。
のものだけでなく、第１絶縁層を形成しない片組縁構造
のものや、第２図に示した半導体基板（例えばｎ−Ｇａ
Ａｓ） ８上に緑色発光層７を形成し、薄膜層として半
導体層（例えばＺｎ５ｅ：Ｇａ ） ９＋透明電極（例
えばＡｕ半透明膜）１０を積層形成した直流駆動タイプ
のものに適用してもよい。
発四ＦΣ苅呈−
以上説明したように緑色発光薄膜ＥＬ素子の発光層形成
において、発光母材としてＺｎＳを抵抗線加熱蒸着法に
より蒸着し、同時に発光中心としてＴｂＦ３ペレットを
用いた電子ビーム蒸着法に酸素ガスを導入した化成蒸着
法により蒸着する二元蒸着法により形成したＺｎＳ ＋
Ｔｂ０Ｆを用いることで、実用上十分な高輝度を得るこ
とができる。
において、発光母材としてＺｎＳを抵抗線加熱蒸着法に
より蒸着し、同時に発光中心としてＴｂＦ３ペレットを
用いた電子ビーム蒸着法に酸素ガスを導入した化成蒸着
法により蒸着する二元蒸着法により形成したＺｎＳ ＋
Ｔｂ０Ｆを用いることで、実用上十分な高輝度を得るこ
とができる。
第１図は、本発明の実施例を示す緑色発光薄膜ＥＬ素子
の構造断面図である。第２図は実施例２を示す直流駆動
タイプの緑色発光薄膜ＥＬ素子の構造断面図である。第
３図は従来例を説明するための二重絶縁構造交流駆動タ
イプの薄膜ＥＬ素子の構造断面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３・・・第１
絶縁層、４・・・発光層、５・・・第２絶縁層、６・・
・背面電極、７・・・緑色発光層、８・・・半導体基板
、９・・・半導体層、１０・・・透明電極。
の構造断面図である。第２図は実施例２を示す直流駆動
タイプの緑色発光薄膜ＥＬ素子の構造断面図である。第
３図は従来例を説明するための二重絶縁構造交流駆動タ
イプの薄膜ＥＬ素子の構造断面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３・・・第１
絶縁層、４・・・発光層、５・・・第２絶縁層、６・・
・背面電極、７・・・緑色発光層、８・・・半導体基板
、９・・・半導体層、１０・・・透明電極。
Claims (1)
- （１）透光性基板上に、発光層と少なくとも１層の絶縁
層を一対の電極によって挟持してなる薄膜ＥＬ素子の発
光層形成において、 発光母材と発光中心を同時に蒸着する二元蒸着法を用い
、その際発光母材としてＺｎＳを抵抗線加熱蒸着法によ
り蒸着し、発光中心としてＴｂＦ＿３ペレットを用いた
電子ビーム蒸着法に酸素ガスを導入した化成蒸着法を用
いることを特徴とする緑色発光薄膜ＥＬ素子の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2255899A JPH04133285A (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 緑色発光薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2255899A JPH04133285A (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 緑色発光薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04133285A true JPH04133285A (ja) | 1992-05-07 |
Family
ID=17285119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2255899A Pending JPH04133285A (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 緑色発光薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04133285A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100373320B1 (ko) * | 1999-12-23 | 2003-02-25 | 한국전자통신연구원 | 탄탈륨산화막을 이용한 교류 구동형 전계 발광소자 제조방법 |
| KR20030063974A (ko) * | 2002-01-25 | 2003-07-31 | 주식회사 컴텍스 | 유기 전계발광 디스플레이용 투명전극의 제조방법 |
-
1990
- 1990-09-25 JP JP2255899A patent/JPH04133285A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100373320B1 (ko) * | 1999-12-23 | 2003-02-25 | 한국전자통신연구원 | 탄탈륨산화막을 이용한 교류 구동형 전계 발광소자 제조방법 |
| KR20030063974A (ko) * | 2002-01-25 | 2003-07-31 | 주식회사 컴텍스 | 유기 전계발광 디스플레이용 투명전극의 제조방법 |
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