JP2547340B2 - 薄膜el素子 - Google Patents
薄膜el素子Info
- Publication number
- JP2547340B2 JP2547340B2 JP63065880A JP6588088A JP2547340B2 JP 2547340 B2 JP2547340 B2 JP 2547340B2 JP 63065880 A JP63065880 A JP 63065880A JP 6588088 A JP6588088 A JP 6588088A JP 2547340 B2 JP2547340 B2 JP 2547340B2
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- JP
- Japan
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- light emitting
- emitting layer
- thin film
- light
- base material
- Prior art date
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、薄膜EL(エレクトロ・ルミネッセンス)素
子に関するものである。
子に関するものである。
薄膜EL素子の一般的な構成は図面に示すようになって
いて、透明基板1上に透明導電膜2、第1の絶縁膜3、
発光層4、第2の絶縁膜5が順次積層され、さらに透明
導電膜2と第2の絶縁膜5にそれぞれ固着した電極6a,6
bとからなっており、両電極6a,6bに強電界を印加するこ
とにより発光層4が発光し、その光を透明基板1側より
取り出すようになっている。
いて、透明基板1上に透明導電膜2、第1の絶縁膜3、
発光層4、第2の絶縁膜5が順次積層され、さらに透明
導電膜2と第2の絶縁膜5にそれぞれ固着した電極6a,6
bとからなっており、両電極6a,6bに強電界を印加するこ
とにより発光層4が発光し、その光を透明基板1側より
取り出すようになっている。
従来の薄膜EL素子の発光層4は多結晶であり、その構
成はZnSにMnをドープしたZnS:Mnであった。
成はZnSにMnをドープしたZnS:Mnであった。
上記従来の薄膜EL素子の効率は0.1%程度と非常に低
かった。
かった。
発光層4の発光には励起子(exiton:エキシトン)が
関与していると考えられているが、従来の素子における
EL発光は発光中心不純物内あるいはこれの近傍の励起子
が関与していると考えられる。発光効率が低い原因の1
つには上記励起子が少なかったためである。
関与していると考えられているが、従来の素子における
EL発光は発光中心不純物内あるいはこれの近傍の励起子
が関与していると考えられる。発光効率が低い原因の1
つには上記励起子が少なかったためである。
本発明は上記のことにかんがみなされたもので、多結
晶の発光層でありながら、発光層での励起子が多数生成
されて発光効率の向上を図ることができる薄膜EL素子を
提供することを目的とするものである。
晶の発光層でありながら、発光層での励起子が多数生成
されて発光効率の向上を図ることができる薄膜EL素子を
提供することを目的とするものである。
上記目的を達成するために、本発明に係る薄膜EL素子
は、透明基板上に電極、誘電体、発光層、誘電体、電極
を積層してなる薄膜EL素子において、発光層を、発光母
材/発光中心不純物をドープした発光母材からなり、か
つ超格子構造となるようにした単位発光層を周期的に多
数層積層した多層構造とした。
は、透明基板上に電極、誘電体、発光層、誘電体、電極
を積層してなる薄膜EL素子において、発光層を、発光母
材/発光中心不純物をドープした発光母材からなり、か
つ超格子構造となるようにした単位発光層を周期的に多
数層積層した多層構造とした。
単位発光層を多数層積層してなる発光層において、発
光層は多結晶材料であり、発光母材と発光中心不純物を
ドープした発光母材間のの界面で励起子が多数生成し、
それが発光中心不純物の発光に寄与し、発光層は高効率
で発光する。
光層は多結晶材料であり、発光母材と発光中心不純物を
ドープした発光母材間のの界面で励起子が多数生成し、
それが発光中心不純物の発光に寄与し、発光層は高効率
で発光する。
本発明の実施例を以下に説明する。
図面に示される薄膜EL素子の発光層4は多結晶材料で
あると共に、ZnSからなる第1発光母材と、Zns(1−
x)Sexに発光中心不純物であるMnをドープした第2発
光母材とからなり、かつ超格子構造となるような構成、
すなわち、 ZnS/ZnS(1−x)Sex:Mn、ただし0<x≦1という
超格子構造になっていて、このように構成された単位発
光層を規則正しく、かつ周期的に、多数層、例えば100
〜1000層にわたって積層することにより発光層4が構成
されている。
あると共に、ZnSからなる第1発光母材と、Zns(1−
x)Sexに発光中心不純物であるMnをドープした第2発
光母材とからなり、かつ超格子構造となるような構成、
すなわち、 ZnS/ZnS(1−x)Sex:Mn、ただし0<x≦1という
超格子構造になっていて、このように構成された単位発
光層を規則正しく、かつ周期的に、多数層、例えば100
〜1000層にわたって積層することにより発光層4が構成
されている。
なお、多数層は、これに限定するものではないが、10
0〜1000層が好条件の発光層であることはいうまでもな
い。
0〜1000層が好条件の発光層であることはいうまでもな
い。
上記構成の発光層4はそれぞれの構成元素をそれぞれ
別々の蒸発源から蒸発させて基板上に析出させる、いわ
ゆる多元蒸着法(MSD法)にて作製する。
別々の蒸発源から蒸発させて基板上に析出させる、いわ
ゆる多元蒸着法(MSD法)にて作製する。
上記構成において、発光層4に両絶縁膜3,5を介して
強電界が印加されて、これがEL発光する際に、各単位発
光層の第1の発光母材であるZnSと、第2の発光母材で
あるZnS(1−x)Sexとの各界面で励起子が多数生成
し、この励起子を介して発光中心不純物であるMnの内か
く電子を励起すると共に、各界面で発生する励起子が上
記多数層の第2発光母材に寄与することで、発光層は高
効率で発光することになる。
強電界が印加されて、これがEL発光する際に、各単位発
光層の第1の発光母材であるZnSと、第2の発光母材で
あるZnS(1−x)Sexとの各界面で励起子が多数生成
し、この励起子を介して発光中心不純物であるMnの内か
く電子を励起すると共に、各界面で発生する励起子が上
記多数層の第2発光母材に寄与することで、発光層は高
効率で発光することになる。
本発明によれば、発光層4を構成する各単位発光層を
第1の発光母材と発光中心不純物をドープした第2の発
光母材とからなり、かつ超格子構造にすることにより、
各単位発光層内での両発光母材の各界面に励起子が多数
生成することができ、各界面で発生する励起子が多数層
の第2発光母材中の発光中心不純物の内かく電子を励起
し、こうした現象が発光層4全体で発生することによ
り、発光層4の発光効率の向上を図ることができる。
第1の発光母材と発光中心不純物をドープした第2の発
光母材とからなり、かつ超格子構造にすることにより、
各単位発光層内での両発光母材の各界面に励起子が多数
生成することができ、各界面で発生する励起子が多数層
の第2発光母材中の発光中心不純物の内かく電子を励起
し、こうした現象が発光層4全体で発生することによ
り、発光層4の発光効率の向上を図ることができる。
図面は薄膜EL素子の構成の一例を示す断面図である。 1は透明基板、2は透明導電膜、3,5は絶縁膜、4は発
光層、6a,6bは電極。
光層、6a,6bは電極。
Claims (1)
- 【請求項1】透明基板上に電極、誘電体、発光層、誘電
体、電極を積層してなる薄膜EL素子において、発光層
を、発光母材/発光中心不純物をドープした発光母材か
らなり、かつ超格子構造となるようにした単位発光層を
周期的に多数層積層した多層構造としたことを特徴とす
る薄膜EL素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63065880A JP2547340B2 (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 薄膜el素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63065880A JP2547340B2 (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 薄膜el素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01239796A JPH01239796A (ja) | 1989-09-25 |
JP2547340B2 true JP2547340B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=13299733
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63065880A Expired - Lifetime JP2547340B2 (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 薄膜el素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2547340B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR970002016B1 (ko) * | 1989-09-04 | 1997-02-20 | 가부시기가이샤 고마쯔 세이샤쿠쇼 | 박막 el 소자 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59181485A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-15 | 柊元 宏 | 発光素子 |
JPS59181682A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-16 | Hiroshi Kukimoto | 発光素子 |
JPS60134278A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-17 | 横河電機株式会社 | El表示装置 |
-
1988
- 1988-03-22 JP JP63065880A patent/JP2547340B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH01239796A (ja) | 1989-09-25 |
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