JP2555395Y2 - 薄膜ｅｌ素子の構造 - Google Patents

薄膜ｅｌ素子の構造

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JP2555395Y2
JP2555395Y2 JP1990054643U JP5464390U JP2555395Y2 JP 2555395 Y2 JP2555395 Y2 JP 2555395Y2 JP 1990054643 U JP1990054643 U JP 1990054643U JP 5464390 U JP5464390 U JP 5464390U JP 2555395 Y2 JP2555395 Y2 JP 2555395Y2
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thin film
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light emitting
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和人 河田
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Description

【考案の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 この考案は薄膜EL素子の構造に係り、特に、発光輝度
や発光効率を向上させた薄膜EL素子の構造に関する。
（ロ）従来技術・考案が解決しようとする問題点 従来の薄膜EL素子の構造としては、例えば、第３図に
示すように構成したものが知られている。
この第３図の薄膜EL素子は、ガラス基板１の上に透明
電極２をスパッタ等で膜形成して電極パターンを構成
し、次いで、第１の絶縁層３を形成している。更に、こ
の第１の絶縁層３の上にZnSとSmF3とからなる発光層４
を蒸着またはスパッタ等で形成した後、真空中熱処理を
施し、第２の絶縁層５をスパッタ等で形成する。そし
て、この第２の絶縁層５の上に背面電極６を形成したも
のである。
しかし、上記した従来のものにおいては、発光の立ち
上がり特性や発光輝度、更に、発光効率が悪いという欠
点があった。
この考案は上記した点に鑑みてなされたものであり、
その目的とするところは、従来の欠点を解消するととも
に、特に、発光特性を改善した薄膜EL素子の構造を提供
することにある。
（ハ）問題を解決するための手段 この考案の薄膜EL素子の構造は、ガラス基板の上に、
透明電極と、第１の絶縁層と、ZnSとSmとＦとの混合物
で形成した発光層と、第２の絶縁層と、背面電極とを順
次積層した薄膜EL素子において、発光層と第１の絶縁層
との間には、前記ガラス基板温度270℃乃至300℃で1000
乃至1500Åの膜厚に形成した後、600℃乃至700℃で真空
熱処理を施したZnSからなる電子加速層を設けたもので
ある。
（ニ）作用 この考案によれば、ガラス基板の上に、透明電極と、
第１の絶縁層と、ZnSとSmとＦとの混合物で形成した発
光層と、第２の絶縁層と、背面電極とを順次積層した薄
膜EL素子において、発光層と第１の絶縁層との間には、
前記ガラス基板温度270℃乃至300℃で1000乃至1500Åの
膜厚に形成した後、600℃乃至700℃で真空熱処理を施し
たZnSからなる電子加速層を設けたので、電子加速層は
発光層内のホットエレクトロンを加速させる。
このため、発光中心であるSmイオンの(4f)5電子は励
起しやすい状態となるから、発光の立ち上がり特性、発
光輝度特性、発光効率が向上する。
（ホ）実施例 この考案に係る薄膜EL素子の構造の実施例を第１図及
び第２図に基づいて説明する。
なお、従来例と同一部分には同一符号を付してその説
明を省略する。
図中、７は第１の絶縁層３上に電子ビーム蒸着法で形
成したZnSからなる電子加速層であり、この電子加速層
７は基板温度270℃乃至300℃で1000乃至1500Åの膜厚に
形成した後、600℃乃至700℃で真空熱処理を施したもの
である。
８はZnSとSmとＦとの混合物からなる発光層であり、
この発光層８はZnSとSmとＦとの混合物ターゲットを用
いスパッタ法で成膜したものである。
このように構成した薄膜EL素子においては、電子加速
層７は発光層８内のホットエレクトロンを加速させる。
したがって、発光中心であるSmイオンの(4f)5電子は
励起しやすい状態となるから、発光の立ち上がり特性、
発光輝度特性、発光効率が向上する。
第２図はこの考案の薄膜EL素子の発光スペクトルを示
す図である。
Ａは波長が565nmのスペクトル,Bは波長が600nmのスペ
クトル,Cは波長が650nmのスペクトルであり、これらの
スペクトルはZnS,Sm,Fのエネルギー準位間の電子遷移、
特に、4 G5/2→6H5/2 4 G5/2→6H7/2 4 G5/2→6H9/2 の電子遷移によるものである。
（ヘ）考案の効果 この考案に係る薄膜EL素子の構造によれば上述のよう
に構成したので、発光の立ち上がり特性、発光輝度特
性、発光効率が向上する。
しかも、構造が簡単であって、また、安価に構成する
ことができるため実施も容易であるなどの優れた特長を
有している。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図はこの考案に係る薄膜EL素子の構造の
実施例を示し、第１図は断面図、第２図は発光スペクト
ルを示す図、第３図は従来の実施例の断面図である。 主要部分の符号の説明 1:ガラス基板 2:透明電極 3:第１の絶縁層 5:第２の絶縁層 6:背面電極 7:電子加速層 8:発光層

Claims (1)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】ガラス基板の上に、透明電極と、第１の絶
    縁層と、ZnSとSmとＦとの混合物で形成した発光層と、
    第２の絶縁層と、背面電極とを順次積層した薄膜EL素子
    において、 発光層と第１の絶縁層との間には、前記ガラス基板温度
    270℃乃至300℃で1000乃至1500Åの膜厚に形成した後、
    600℃乃至700℃で真空熱処理を施したZnSからなる電子
    加速層を設けたことを特徴とする薄膜EL素子。
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