JPH1092583A - Ｅｌ素子とその製造方法 - Google Patents
Ｅｌ素子とその製造方法Info
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- JPH1092583A JPH1092583A JP8265561A JP26556196A JPH1092583A JP H1092583 A JPH1092583 A JP H1092583A JP 8265561 A JP8265561 A JP 8265561A JP 26556196 A JP26556196 A JP 26556196A JP H1092583 A JPH1092583 A JP H1092583A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/826—Multilayers, e.g. opaque multilayers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な構成で、発光効率が良く、寿命が長
く、ダークスポットのない均一な発光を可能にする。 【解決手段】 ガラス等の透明基板１０上にＩＴＯ等の
透明な電極材料による陽極１２が形成され、その透明電
極の陽極１２の上面にホール輸送材料１５及び電子輸送
材料１６のＥＬ材料が積層され、ＥＬ材料の表面に、相
対的に高純度の第一陰極層１８が薄く積層され、さらに
その表面に相対的に純度が低いが電子供与性の高い第二
陰極層２０が薄く積層される。第二陰極層２０の表面に
相対的に高純度の第三陰極層２４が第一陰極層１８より
も厚く形成され、この第三陰極層２４の表面に、第二陰
極層２２よりも厚く且つ第二陰極層２２よりも電子供与
性の高い第四陰極層２６を形成する。第四陰極層２６の
上に、この第四陰極層２６を外気と遮断する保護層が、
金属薄膜または樹脂により形成されている。層した。
く、ダークスポットのない均一な発光を可能にする。 【解決手段】 ガラス等の透明基板１０上にＩＴＯ等の
透明な電極材料による陽極１２が形成され、その透明電
極の陽極１２の上面にホール輸送材料１５及び電子輸送
材料１６のＥＬ材料が積層され、ＥＬ材料の表面に、相
対的に高純度の第一陰極層１８が薄く積層され、さらに
その表面に相対的に純度が低いが電子供与性の高い第二
陰極層２０が薄く積層される。第二陰極層２０の表面に
相対的に高純度の第三陰極層２４が第一陰極層１８より
も厚く形成され、この第三陰極層２４の表面に、第二陰
極層２２よりも厚く且つ第二陰極層２２よりも電子供与
性の高い第四陰極層２６を形成する。第四陰極層２６の
上に、この第四陰極層２６を外気と遮断する保護層が、
金属薄膜または樹脂により形成されている。層した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、平面光源やディ
スプレイに用いられるＥＬ素子とその製造方法に関す
る。
スプレイに用いられるＥＬ素子とその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミ
ネッセンス）素子は、図２に示すように、ガラス基板１
に透光性のＩＴＯ膜の陽極２を形成し、その上面にトリ
フェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）等のホール輸送材料３
を設け、その上にアルミキレート錯体（Ａｌｑ3）等の
電子輸送材料４を積層している。そしてその上面に、Ａ
ｌ，Ｌｉ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｉｎ等の陰極５を形成してい
る。この有機ＥＬ素子は、陽極２と陰極５間に所定の電
圧が印加され、発光を生じるものである。そして、この
有機ＥＬ素子の製造に際しては、ガラス基板１上に電極
材料及びＥＬ材料を真空蒸着により形成している。
ネッセンス）素子は、図２に示すように、ガラス基板１
に透光性のＩＴＯ膜の陽極２を形成し、その上面にトリ
フェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）等のホール輸送材料３
を設け、その上にアルミキレート錯体（Ａｌｑ3）等の
電子輸送材料４を積層している。そしてその上面に、Ａ
ｌ，Ｌｉ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｉｎ等の陰極５を形成してい
る。この有機ＥＬ素子は、陽極２と陰極５間に所定の電
圧が印加され、発光を生じるものである。そして、この
有機ＥＬ素子の製造に際しては、ガラス基板１上に電極
材料及びＥＬ材料を真空蒸着により形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ここで、陰極５は、電
子輸送材料４に電子を供給する電子供与性が高いことが
望まれ、その指標としてはその材料の仕事関数あり、こ
の仕事願数が低いことが要求される。この仕事関数の低
い材料としてはＮａ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｃａなどがあるが、
取り扱いの容易性からＥＬ素子に使用可能な材料は、Ｌ
ｉ，Ｍｇ等に限られている。
子輸送材料４に電子を供給する電子供与性が高いことが
望まれ、その指標としてはその材料の仕事関数あり、こ
の仕事願数が低いことが要求される。この仕事関数の低
い材料としてはＮａ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｃａなどがあるが、
取り扱いの容易性からＥＬ素子に使用可能な材料は、Ｌ
ｉ，Ｍｇ等に限られている。
【０００４】しかし、上記従来の技術の陰極５を構成す
る材料であるＬｉ，Ｍｇ等の電子供与性の高い材料、即
ち仕事関数の低い材料は、反応性が高く一般に高純度の
ものが得られにくく、またそれらの合金においても同様
であり、通常９９％程度の純度が限界であった。そし
て、不純物の存在は、ＥＬ素子のダークスポットの原因
となり、純度９９％程度では、ダークスポットの存在面
積が発光面の３０％に達する場合がり、実用上問題とな
っていた。一方、これら以外のＡｌ等の材料は高純度の
ものが得られるが、電子供与性が劣り、ＥＬ素子の発光
効率や寿命が落ちるという問題があった。
る材料であるＬｉ，Ｍｇ等の電子供与性の高い材料、即
ち仕事関数の低い材料は、反応性が高く一般に高純度の
ものが得られにくく、またそれらの合金においても同様
であり、通常９９％程度の純度が限界であった。そし
て、不純物の存在は、ＥＬ素子のダークスポットの原因
となり、純度９９％程度では、ダークスポットの存在面
積が発光面の３０％に達する場合がり、実用上問題とな
っていた。一方、これら以外のＡｌ等の材料は高純度の
ものが得られるが、電子供与性が劣り、ＥＬ素子の発光
効率や寿命が落ちるという問題があった。
【０００５】また、本願出願人により、上記問題点を解
決するために、ＥＬ材料の表面に、相対的に高純度のＡ
ｌ等の第一陰極層を積層し、さらにその表面に相対的に
純度が低いが電子供与性の高いＡｌ−Ｌｉ合金による第
二陰極層を積層したＥＬ素子も提案されている。しか
し、この構造によっても、高純度のＡｌ層を厚くする
と、Ｌｉの量が少なくなくなり、発光効率が落ちてしま
い、またＡｌ層を薄くすると不純物の影響が強くなり、
ダークスポットが発生しやすくなるという相反する問題
があった。
決するために、ＥＬ材料の表面に、相対的に高純度のＡ
ｌ等の第一陰極層を積層し、さらにその表面に相対的に
純度が低いが電子供与性の高いＡｌ−Ｌｉ合金による第
二陰極層を積層したＥＬ素子も提案されている。しか
し、この構造によっても、高純度のＡｌ層を厚くする
と、Ｌｉの量が少なくなくなり、発光効率が落ちてしま
い、またＡｌ層を薄くすると不純物の影響が強くなり、
ダークスポットが発生しやすくなるという相反する問題
があった。
【０００６】この発明は、上記従来の技術に鑑みてなさ
れたもので、簡単な構成で、発光効率が良く、寿命が長
く、ダークスポットのない均一な発光を可能にするＥＬ
素子とその製造方法を提供することを目的とする。
れたもので、簡単な構成で、発光効率が良く、寿命が長
く、ダークスポットのない均一な発光を可能にするＥＬ
素子とその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、ガラス等の
透明基板上にＩＴＯ等の透明な電極材料による陽極が形
成され、その透明電極の陽極の上面にホール輸送材料及
び電子輸送材料のＥＬ材料が積層され、さらに上記ＥＬ
材料の表面に、相対的に高純度の第一陰極層が薄く積層
され、さらにその表面に相対的に純度が低いが電子供与
性の高い第二陰極層が薄く積層され、この第二陰極層の
表面に相対的に高純度の第三陰極層が上記第一陰極層よ
りも厚く形成され、この第三陰極層の表面に、上記第二
陰極層よりも厚く且つ上記第二陰極層よりも電子供与性
の高い第四陰極層が形成されたＥＬ素子である。さら
に、上記第四陰極層の上に、この第四陰極層を外気と遮
断する保護層が、金属薄膜または樹脂により形成された
ものである。
透明基板上にＩＴＯ等の透明な電極材料による陽極が形
成され、その透明電極の陽極の上面にホール輸送材料及
び電子輸送材料のＥＬ材料が積層され、さらに上記ＥＬ
材料の表面に、相対的に高純度の第一陰極層が薄く積層
され、さらにその表面に相対的に純度が低いが電子供与
性の高い第二陰極層が薄く積層され、この第二陰極層の
表面に相対的に高純度の第三陰極層が上記第一陰極層よ
りも厚く形成され、この第三陰極層の表面に、上記第二
陰極層よりも厚く且つ上記第二陰極層よりも電子供与性
の高い第四陰極層が形成されたＥＬ素子である。さら
に、上記第四陰極層の上に、この第四陰極層を外気と遮
断する保護層が、金属薄膜または樹脂により形成された
ものである。
【０００８】またこの発明は、ガラス等の透明基板上
に、真空蒸着やスパッタリング、その他の真空薄膜形成
技術により、ＩＴＯ等の透明な電極材料の陽極を形成
し、その透明電極の陽極の上面に上記真空薄膜形成技術
によりホール輸送材料及び電子輸送材料のＥＬ材料を積
層し、さらに上記ＥＬ材料の表面に、相対的に高純度の
第一陰極層を上記真空薄膜形成技術により薄く積層し、
さらにその表面に相対的に純度が低いが電子供与性の高
い第二陰極層を上記真空薄膜形成技術により薄く積層
し、この第二陰極層の表面に相対的に高純度の第三陰極
層を上記第一陰極層よりも厚く上記真空薄膜形成技術に
より積層し、この第三陰極層の表面に、上記第二陰極層
よりも厚く且つ上記第二陰極層よりも電子供与性の高い
第四陰極層を上記真空薄膜形成技術により積層するＥＬ
素子の製造方法である。上記真空薄膜形成技術による各
層の形成は、一連の工程で行われる。さらに、上記第四
陰極層の上に、この第四陰極層を外気と遮断する保護層
を上記真空薄膜形成技術により形成し、その表面に樹脂
の保護層を塗布するものである。
に、真空蒸着やスパッタリング、その他の真空薄膜形成
技術により、ＩＴＯ等の透明な電極材料の陽極を形成
し、その透明電極の陽極の上面に上記真空薄膜形成技術
によりホール輸送材料及び電子輸送材料のＥＬ材料を積
層し、さらに上記ＥＬ材料の表面に、相対的に高純度の
第一陰極層を上記真空薄膜形成技術により薄く積層し、
さらにその表面に相対的に純度が低いが電子供与性の高
い第二陰極層を上記真空薄膜形成技術により薄く積層
し、この第二陰極層の表面に相対的に高純度の第三陰極
層を上記第一陰極層よりも厚く上記真空薄膜形成技術に
より積層し、この第三陰極層の表面に、上記第二陰極層
よりも厚く且つ上記第二陰極層よりも電子供与性の高い
第四陰極層を上記真空薄膜形成技術により積層するＥＬ
素子の製造方法である。上記真空薄膜形成技術による各
層の形成は、一連の工程で行われる。さらに、上記第四
陰極層の上に、この第四陰極層を外気と遮断する保護層
を上記真空薄膜形成技術により形成し、その表面に樹脂
の保護層を塗布するものである。
【０００９】この発明のＥＬ素子は、陰極として純度の
高い第一陰極層と、電子供与性の高い第二陰極層との薄
膜を形成し、これにより、ダークスポットがほとんどな
く、第二陰極層により発光効率も良くなるようにし、さ
らに、より発光効率を良くするために、高純度の第三陰
極層を介して電子供与性がより高い第四陰極層を設け
て、Ｌｉ等の電子供与性の高い金属原子が第三陰極層に
拡散し、さらにダークスポットがなく発光効率も良く、
寿命も長いものにすることができるものである。
高い第一陰極層と、電子供与性の高い第二陰極層との薄
膜を形成し、これにより、ダークスポットがほとんどな
く、第二陰極層により発光効率も良くなるようにし、さ
らに、より発光効率を良くするために、高純度の第三陰
極層を介して電子供与性がより高い第四陰極層を設け
て、Ｌｉ等の電子供与性の高い金属原子が第三陰極層に
拡散し、さらにダークスポットがなく発光効率も良く、
寿命も長いものにすることができるものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を基にして説明する。図１はこの発明のＥＬ素
子の一実施形態を示すもので、この実施形態のＥＬ素子
は、有機薄膜ＥＬ素子であり、図示するように、ガラ
ス、透明樹脂、石英等の透明基板１０の表面に、ＩＴＯ
等の透明な電極である陽極１２が形成されている。陽極
１２の表面には、ＥＬ材料による発光層１４が形成され
ている。そして、発光層１４の表面には、９９．９９９
％以上の純度のＡｌによる第一陰極層１８が５０Å程度
の厚さに形成され、その上面に、Ｌｉを０．０１％以下
の微量含むＡｌ−Ｌｉ合金の第二陰極２０が５０Å程度
の厚さに形成されている。第二陰極層２０のＬｉの割合
を０．０１％以下としたのは、Ｌｉを少なくすることに
より、不純物を少なくし、できるだけ純度の高い合金に
するためである。
いて図面を基にして説明する。図１はこの発明のＥＬ素
子の一実施形態を示すもので、この実施形態のＥＬ素子
は、有機薄膜ＥＬ素子であり、図示するように、ガラ
ス、透明樹脂、石英等の透明基板１０の表面に、ＩＴＯ
等の透明な電極である陽極１２が形成されている。陽極
１２の表面には、ＥＬ材料による発光層１４が形成され
ている。そして、発光層１４の表面には、９９．９９９
％以上の純度のＡｌによる第一陰極層１８が５０Å程度
の厚さに形成され、その上面に、Ｌｉを０．０１％以下
の微量含むＡｌ−Ｌｉ合金の第二陰極２０が５０Å程度
の厚さに形成されている。第二陰極層２０のＬｉの割合
を０．０１％以下としたのは、Ｌｉを少なくすることに
より、不純物を少なくし、できるだけ純度の高い合金に
するためである。
【００１１】第二陰極層２２の上には、９９．９９９％
以上の純度のＡｌによる第三陰極層２２が２００Å程度
の厚さに形成され、その上面に、Ｌｉを０．０５％程度
含むＡｌ−Ｌｉ合金の第四陰極２４が２００Å程度の厚
さに形成されている。第四陰極層２４のＬｉの割合を
０．０５％程度としたのは、Ｌｉを第二陰極層２０より
多くして、Ｌｉの第三陰極層２２への拡散量を多くし、
発光効率をより高くするためである。なお、第一、第二
陰極層１８，２０の厚さは、適宜設定可能であり、相対
的に第三、第四陰極層２２，２４より薄く、純度の高い
ものにすれば良い。そして、第三、第四陰極層２２，２
４は、各々厚さが１００Åから１０００Å程度の範囲て
適宜変更可能なものであり、より好ましくは、電子供与
性が良くダークスポットの発生しにくい範囲として、２
００Åから５００Å程度の厚さにすれば良い。
以上の純度のＡｌによる第三陰極層２２が２００Å程度
の厚さに形成され、その上面に、Ｌｉを０．０５％程度
含むＡｌ−Ｌｉ合金の第四陰極２４が２００Å程度の厚
さに形成されている。第四陰極層２４のＬｉの割合を
０．０５％程度としたのは、Ｌｉを第二陰極層２０より
多くして、Ｌｉの第三陰極層２２への拡散量を多くし、
発光効率をより高くするためである。なお、第一、第二
陰極層１８，２０の厚さは、適宜設定可能であり、相対
的に第三、第四陰極層２２，２４より薄く、純度の高い
ものにすれば良い。そして、第三、第四陰極層２２，２
４は、各々厚さが１００Åから１０００Å程度の範囲て
適宜変更可能なものであり、より好ましくは、電子供与
性が良くダークスポットの発生しにくい範囲として、２
００Åから５００Å程度の厚さにすれば良い。
【００１２】ＥＬ材料の発光層１４は、母体材料のうち
ホール輸送材料１５としては、トリフェニルアミン誘導
体（ＴＰＤ）、ヒドラゾン誘導体、アリールアミン誘導
体等がある。また、電子輸送材料１６としては、アルミ
キレート錯体（Ａｌｑ3）、ジスチリルビフェニル誘導
体（ＤＰＶＢｉ）、オキサジアゾール誘導体、ビスチリ
ルアントラセン誘導体、ベンゾオキサゾールチオフェン
誘導体、ペリレン類、チアゾール類等を用いる。上記ホ
ール輸送材料１５と電子輸送材料１６の比は、１０：９
０乃至９０：１０の範囲で適宜変更可能である。
ホール輸送材料１５としては、トリフェニルアミン誘導
体（ＴＰＤ）、ヒドラゾン誘導体、アリールアミン誘導
体等がある。また、電子輸送材料１６としては、アルミ
キレート錯体（Ａｌｑ3）、ジスチリルビフェニル誘導
体（ＤＰＶＢｉ）、オキサジアゾール誘導体、ビスチリ
ルアントラセン誘導体、ベンゾオキサゾールチオフェン
誘導体、ペリレン類、チアゾール類等を用いる。上記ホ
ール輸送材料１５と電子輸送材料１６の比は、１０：９
０乃至９０：１０の範囲で適宜変更可能である。
【００１３】第四陰極層２４の上面には、保護層２６が
積層されている。保護層２６は、Ａｇ、Ａｌ等の金属薄
膜により形成され、各陰極層１８，２０，２２，２４及
び発光層１４を外気から遮断するものである。そして、
フェノール、エポキシ等の樹脂や、導電性塗料により保
護層２８を形成する。
積層されている。保護層２６は、Ａｇ、Ａｌ等の金属薄
膜により形成され、各陰極層１８，２０，２２，２４及
び発光層１４を外気から遮断するものである。そして、
フェノール、エポキシ等の樹脂や、導電性塗料により保
護層２８を形成する。
【００１４】この実施形態の有機薄膜ＥＬ素子の製造方
法は、先ず基板１０上に一面にＩＴＯ等による陽極１２
を蒸着やフラッシュ蒸着、スパッタリングその他の真空
中の薄膜形成技術により形成する。次に、ＥＬ材料の発
光層１４を、ホール輸送材料１５、電子輸送材料１６の
順に、上記薄膜形成技術の任意の方法により順次形成す
る。ＥＬ材料１４の層の表面には導電性材料１５の層を
一面に、上記真空薄膜形成技術のうちの任意の方法によ
り形成する。この後、第一陰極層１８を蒸着等の上記真
空薄膜形成技術で所定の厚さに形成する。次に第二陰極
層２０を、同様に形成する。
法は、先ず基板１０上に一面にＩＴＯ等による陽極１２
を蒸着やフラッシュ蒸着、スパッタリングその他の真空
中の薄膜形成技術により形成する。次に、ＥＬ材料の発
光層１４を、ホール輸送材料１５、電子輸送材料１６の
順に、上記薄膜形成技術の任意の方法により順次形成す
る。ＥＬ材料１４の層の表面には導電性材料１５の層を
一面に、上記真空薄膜形成技術のうちの任意の方法によ
り形成する。この後、第一陰極層１８を蒸着等の上記真
空薄膜形成技術で所定の厚さに形成する。次に第二陰極
層２０を、同様に形成する。
【００１５】次に、第二陰極層２０の表面に、第三陰極
層２２を同様に形成し、さらに、第四陰極層２４を同様
に形成する。そして、保護層２６を形成する。保護層２
６は、ＡｌやＡｇを上記真空薄膜形成技術により同様に
形成する。この保護層２６の形成までを真空炉中で一連
に行なうものである。そして、さらに、電極の取出し部
を除いて、樹脂による保護層２８を塗布により形成して
も良い。なお、保護層２６はハンダ付け性を考慮する
と、Ａｇが好ましい。
層２２を同様に形成し、さらに、第四陰極層２４を同様
に形成する。そして、保護層２６を形成する。保護層２
６は、ＡｌやＡｇを上記真空薄膜形成技術により同様に
形成する。この保護層２６の形成までを真空炉中で一連
に行なうものである。そして、さらに、電極の取出し部
を除いて、樹脂による保護層２８を塗布により形成して
も良い。なお、保護層２６はハンダ付け性を考慮する
と、Ａｇが好ましい。
【００１６】ここで蒸着条件は、例えば、真空度が６×
１０-6Ｔｏｒｒで、ＥＬ材料の場合５０Å／ｓｅｃの蒸
着速度で成膜する。フラッシュ蒸着法は、予め所定の比
率で混合した有機ＥＬ材料を、３００〜６００℃好まし
くは、４００〜５００℃に加熱した蒸着源に落下させ、
有機ＥＬ材料を一気に蒸発させるものである。また、そ
の有機ＥＬ材料を容器中に収容し、急速にその容器を加
熱し、一気に蒸着させるものでも良い。
１０-6Ｔｏｒｒで、ＥＬ材料の場合５０Å／ｓｅｃの蒸
着速度で成膜する。フラッシュ蒸着法は、予め所定の比
率で混合した有機ＥＬ材料を、３００〜６００℃好まし
くは、４００〜５００℃に加熱した蒸着源に落下させ、
有機ＥＬ材料を一気に蒸発させるものである。また、そ
の有機ＥＬ材料を容器中に収容し、急速にその容器を加
熱し、一気に蒸着させるものでも良い。
【００１７】この実施形態のＥＬ素子は、陰極として純
度の高いＡｌの第一陰極層１８を形成し、純度が高く電
子供与性も高いＡＬ−Ｌｉ合金の第二陰極層２０を薄く
形成し、不純物がなく電子供与性もある程度高い陰極を
形成し、ダークスポットの発生を押えつつ、ある程度の
発光効率を確保している。そして、さらに、高純度の第
三陰極層１４を相対的に厚く形成し、不純物の影響を抑
え、電子供与性をより高めるために、Ｌｉの割合が第二
電極層よりも多いＡＬ−Ｌｉ合金の第四陰極層２６を形
成したものである。これにより、純度の高い第一陰極層
１８及び比較的純度の高い第二陰極層２０により発光時
のダークスポットがなく、発光効率もある程度良以上確
保し、さらに、純度の高い第三陰極層２２を介して、Ｌ
ｉの多い第四陰極層２６を形成することにより、Ｌｉが
第三陰極層に大量に拡散し、第三陰極層２４の電子供与
性が高められ、発光効率がより良くなるものである。
度の高いＡｌの第一陰極層１８を形成し、純度が高く電
子供与性も高いＡＬ−Ｌｉ合金の第二陰極層２０を薄く
形成し、不純物がなく電子供与性もある程度高い陰極を
形成し、ダークスポットの発生を押えつつ、ある程度の
発光効率を確保している。そして、さらに、高純度の第
三陰極層１４を相対的に厚く形成し、不純物の影響を抑
え、電子供与性をより高めるために、Ｌｉの割合が第二
電極層よりも多いＡＬ−Ｌｉ合金の第四陰極層２６を形
成したものである。これにより、純度の高い第一陰極層
１８及び比較的純度の高い第二陰極層２０により発光時
のダークスポットがなく、発光効率もある程度良以上確
保し、さらに、純度の高い第三陰極層２２を介して、Ｌ
ｉの多い第四陰極層２６を形成することにより、Ｌｉが
第三陰極層に大量に拡散し、第三陰極層２４の電子供与
性が高められ、発光効率がより良くなるものである。
【００１８】なお、この発明のＥＬ素子の第一、第三陰
極層は、高純度のＡｌ以外に、高純度が得られ発光層に
悪影響を与えないＡｇ，Ｉｎでも良い。また、第二、第
四陰極層は、Ａｉ−Ｌｉ合金の成分比率は適宜変更可能
であり、他のＭｇ等の合金や、その他電子供与性の高い
金属材料単体でも良い。さらに、第二、第四陰極層を形
成後、温度を１００℃程度に保って、拡散を促進するこ
とにより、さらに効率を上げることができる。また、Ｅ
Ｌ材料も、ホール輸送材料と電子輸送材料を積層したも
のの他、これらを混合して蒸着したもの等、適宜選択可
能なものであり、発光色も任意に選択可能である。
極層は、高純度のＡｌ以外に、高純度が得られ発光層に
悪影響を与えないＡｇ，Ｉｎでも良い。また、第二、第
四陰極層は、Ａｉ−Ｌｉ合金の成分比率は適宜変更可能
であり、他のＭｇ等の合金や、その他電子供与性の高い
金属材料単体でも良い。さらに、第二、第四陰極層を形
成後、温度を１００℃程度に保って、拡散を促進するこ
とにより、さらに効率を上げることができる。また、Ｅ
Ｌ材料も、ホール輸送材料と電子輸送材料を積層したも
のの他、これらを混合して蒸着したもの等、適宜選択可
能なものであり、発光色も任意に選択可能である。
【００１９】
【発明の効果】この発明のＥＬ素子とその製造方法は、
陰極として、発光層に純度の高い材料を薄く積層し、そ
の上に電子供与性の高い材料を薄く積層し、さらに、そ
の上に相対的に厚く高純度の陰極材料を積層し、その上
に、電子供与性の高い材料を相対的に厚く形成したので
ＥＬ素子を、ダークスポットがなく、しかも発光効率が
良く、寿命も長いものにすることができる。
陰極として、発光層に純度の高い材料を薄く積層し、そ
の上に電子供与性の高い材料を薄く積層し、さらに、そ
の上に相対的に厚く高純度の陰極材料を積層し、その上
に、電子供与性の高い材料を相対的に厚く形成したので
ＥＬ素子を、ダークスポットがなく、しかも発光効率が
良く、寿命も長いものにすることができる。
【図１】この発明の一実施形態のＥＬ素子の断面図であ
る。
る。
【図２】従来ののＥＬ素子の断面図である。
１０ 基板 １２ 陽極 １４ 発光層 １５ ホール輸送材料 １６ 電子輸送材料 １８ 第一陰極層 ２０ 第二陰極層 ２２ 第三陰極層 ２４ 第四陰極層 ２６，２８ 保護層
Claims (5)
- 【請求項１】 透明基板上に透明な電極材料により陽極
が形成され、その透明な陽極の上面にホール輸送材料及
び電子輸送材料のＥＬ材料が積層され、上記ＥＬ材料の
表面に、相対的に高純度の第一陰極層が薄く積層され、
さらにその表面に相対的に純度が低いが電子供与性の高
い第二陰極層が薄く積層され、この第二陰極層の表面に
相対的に高純度の第三陰極層が上記第一陰極層よりも厚
く形成され、この第三陰極層の表面に、上記第二陰極層
よりも厚く且つ上記第二陰極層よりも電子供与性の高い
第四陰極層が形成されたＥＬ素子。 - 【請求項２】 上記ＥＬ材料は、有機ＥＬ材料である請
求項１記載のＥＬ素子。 - 【請求項３】 上記第四陰極層の上に、この第四陰極層
を外気と遮断する保護層を形成した請求項１または２記
載のＥＬ素子。 - 【請求項４】 透明基板上に、真空薄膜形成技術により
透明な電極材料の陽極を形成し、その透明陽極の上面に
上記真空薄膜形成技術によりＥＬ材料を積層し、さらに
上記ＥＬ材料の表面に、相対的に高純度の第一陰極層を
上記真空薄膜形成技術により薄く積層し、さらにその表
面に相対的に純度が低いが電子供与性の高い第二陰極層
を上記真空薄膜形成技術により薄く積層し、この第二陰
極層の表面に相対的に高純度の第三陰極層を上記第一陰
極層よりも厚く上記真空薄膜形成技術により積層し、こ
の第三陰極層の表面に、上記第二陰極層よりも厚く且つ
上記第二陰極層よりも電子供与性の高い第四陰極層を上
記真空薄膜形成技術により積層するＥＬ素子の製造方
法。 - 【請求項５】 上記第四陰極層の上に、この第四陰極層
を外気と遮断する保護層を上記真空薄膜形成技術により
形成し、その表面に樹脂の保護層を塗布する請求項４記
載のＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8265561A JPH1092583A (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | Ｅｌ素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8265561A JPH1092583A (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | Ｅｌ素子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092583A true JPH1092583A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=17418828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8265561A Pending JPH1092583A (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | Ｅｌ素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1092583A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002102117A1 (en) * | 2001-06-08 | 2002-12-19 | Byoung Choo Park | Three-terminal organic electro-luminescent device |
| WO2003077606A1 (en) * | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Byoung-Choo Park | Active-matrix organic electroluminescent display |
| US7301277B2 (en) | 2001-11-02 | 2007-11-27 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical apparatus, manufacturing method thereof, and electronic instrument |
| CN104094437A (zh) * | 2012-02-02 | 2014-10-08 | 皇家飞利浦有限公司 | 用于生成光的照明装置 |
-
1996
- 1996-09-13 JP JP8265561A patent/JPH1092583A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002102117A1 (en) * | 2001-06-08 | 2002-12-19 | Byoung Choo Park | Three-terminal organic electro-luminescent device |
| US6897621B2 (en) | 2001-06-08 | 2005-05-24 | Byoung Choo Park | Three-terminal organic electro-luminescent device |
| CN100352080C (zh) * | 2001-06-08 | 2007-11-28 | 朴炳柱 | 三端有机电致发光装置 |
| US7301277B2 (en) | 2001-11-02 | 2007-11-27 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical apparatus, manufacturing method thereof, and electronic instrument |
| WO2003077606A1 (en) * | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Byoung-Choo Park | Active-matrix organic electroluminescent display |
| KR100460281B1 (ko) * | 2002-03-08 | 2004-12-04 | 박병주 | 액티브 매트릭스형 유기 발광 표시 장치 |
| US6987356B2 (en) | 2002-03-08 | 2006-01-17 | Byoung-Choo Park | Active-matrix organic electroluminescent display |
| CN104094437A (zh) * | 2012-02-02 | 2014-10-08 | 皇家飞利浦有限公司 | 用于生成光的照明装置 |
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