JP3394443B2 - 紫外線レーザ素子及びその製造方法 - Google Patents
紫外線レーザ素子及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は３００ｎｍ以下の短
波長のレーザ光を得ることができる紫外線レーザ素子及
びその製造方法に関する。
波長のレーザ光を得ることができる紫外線レーザ素子及
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ダイヤモンドは、バンドギャップが５．
４ｅＶと大きいことが特徴である。また、アンドープの
ダイヤモンドは絶縁体であるが、不純物元素をドーピン
グすることにより、半導体化することができるという特
徴も有している。従って、このような特徴により、ダイ
ヤモンドは新規のデバイス材料として期待されている。
４ｅＶと大きいことが特徴である。また、アンドープの
ダイヤモンドは絶縁体であるが、不純物元素をドーピン
グすることにより、半導体化することができるという特
徴も有している。従って、このような特徴により、ダイ
ヤモンドは新規のデバイス材料として期待されている。
【０００３】ダイヤモンド膜の気相合成法としては、例
えば、マイクロ波化学気相蒸着（マイクロ波ＣＶＤ）法
がある（特公昭５９−２７７５４号公報、特公昭６１−
３３２０号公報等）。また、他にも、高周波プラズマＣ
ＶＤ法、熱フィラメントＣＶＤ法、直流プラズマＣＶＤ
法、プラズマジェット法、燃焼法及び熱ＣＶＤ法等によ
りダイヤモンド膜を合成することができる。これらの気
相合成法によると、天然ダイヤモンド又は高温高圧合成
による単結晶ダイヤモンドの場合と比較して、膜状のダ
イヤモンドを大面積及び低コストで得ることができる。
また、ボロン（Ｂ）原子をダイヤモンド膜中にドーピン
グすることにより、ｐ型半導体ダイヤモンド膜を合成す
る技術も公知である（特開昭５９−１３７３９６号公
報）。
えば、マイクロ波化学気相蒸着（マイクロ波ＣＶＤ）法
がある（特公昭５９−２７７５４号公報、特公昭６１−
３３２０号公報等）。また、他にも、高周波プラズマＣ
ＶＤ法、熱フィラメントＣＶＤ法、直流プラズマＣＶＤ
法、プラズマジェット法、燃焼法及び熱ＣＶＤ法等によ
りダイヤモンド膜を合成することができる。これらの気
相合成法によると、天然ダイヤモンド又は高温高圧合成
による単結晶ダイヤモンドの場合と比較して、膜状のダ
イヤモンドを大面積及び低コストで得ることができる。
また、ボロン（Ｂ）原子をダイヤモンド膜中にドーピン
グすることにより、ｐ型半導体ダイヤモンド膜を合成す
る技術も公知である（特開昭５９−１３７３９６号公
報）。
【０００４】通常の気相合成により得られたダイヤモン
ド膜は、その粒子がランダムに配向した多結晶膜であ
る。しかし、合成条件を調整することにより、ダイヤモ
ンド膜の表面の殆どが、ダイヤモンド結晶の（１１１）
面又は（１００）面により構成されたダイヤモンド膜を
得ることができる（M.Rosler, et al., 2nd Internatio
nal Conference on the Applications of Diamond Film
s and Related Materials, Ed. M. Yoshikawa, et al.,
MYU, Tokyo, 1993, pp.691-696）。また、基板とし
て、シリコン結晶の（１００）面が基板の表面に平行な
方向に配向した単結晶シリコン基板を使用して、この基
板にバイアス核発生と呼ばれる前処理を施すと、基板上
にダイヤモンド結晶の（１００）面が基板表面に平行な
方向に配向した高配向ダイヤモンド膜を得ることができ
る。
ド膜は、その粒子がランダムに配向した多結晶膜であ
る。しかし、合成条件を調整することにより、ダイヤモ
ンド膜の表面の殆どが、ダイヤモンド結晶の（１１１）
面又は（１００）面により構成されたダイヤモンド膜を
得ることができる（M.Rosler, et al., 2nd Internatio
nal Conference on the Applications of Diamond Film
s and Related Materials, Ed. M. Yoshikawa, et al.,
MYU, Tokyo, 1993, pp.691-696）。また、基板とし
て、シリコン結晶の（１００）面が基板の表面に平行な
方向に配向した単結晶シリコン基板を使用して、この基
板にバイアス核発生と呼ばれる前処理を施すと、基板上
にダイヤモンド結晶の（１００）面が基板表面に平行な
方向に配向した高配向ダイヤモンド膜を得ることができ
る。
【０００５】更に、基板として白金基板を使用すると、
この白金基板上に結晶欠陥が少ないダイヤモンド膜を合
成することができる。更にまた、白金結晶の（１１１）
面が基板表面に現れた単結晶白金基板を使用して、ダイ
ヤモンド膜を気相合成すると、この基板上にダイヤモン
ド結晶の（１１１）面が融合した単結晶ダイヤモンドに
近い高品質のダイヤモンド膜を合成することができる。
以下、このようなダイヤモンド膜をダイヤモンド融合膜
という。
この白金基板上に結晶欠陥が少ないダイヤモンド膜を合
成することができる。更にまた、白金結晶の（１１１）
面が基板表面に現れた単結晶白金基板を使用して、ダイ
ヤモンド膜を気相合成すると、この基板上にダイヤモン
ド結晶の（１１１）面が融合した単結晶ダイヤモンドに
近い高品質のダイヤモンド膜を合成することができる。
以下、このようなダイヤモンド膜をダイヤモンド融合膜
という。
【０００６】更にまた、単結晶ダイヤモンド基板上に
は、単結晶ダイヤモンド薄膜を気相合成することができ
ることも開示されている（「ダイヤモンドに関する研
究」無機材質研究所研究報告書第３９号，科学技術庁，
1984，pp.39-43 及び特開平２−２３３５９０号公報
等）。
は、単結晶ダイヤモンド薄膜を気相合成することができ
ることも開示されている（「ダイヤモンドに関する研
究」無機材質研究所研究報告書第３９号，科学技術庁，
1984，pp.39-43 及び特開平２−２３３５９０号公報
等）。
【０００７】ところで、半導体ダイヤモンド膜を発光層
として使用した発光素子が、特開平１−１０２８９３号
公報に開示されている。以下、これを第１の従来例とい
う。第１の従来例においては、２枚の電極と、この２枚
の電極間に設けられた絶縁層と、この絶縁層の膜厚中央
部に埋め込まれたダイヤモンド層と、を有するエレクト
ロルミネッセンス型の発光素子が開示されている。ま
た、２枚の電極間に半導体ダイヤモンド薄膜が配置され
たＭＳ（Metal Semiconductor）構造の発光素子、及び
２枚の電極間に半導体ダイヤモンド薄膜及びノンドープ
ダイヤモンド薄膜が配置されたＭＩＳ（Metal Insulato
r Semiconductor）構造の発光素子等も開示されてい
る。
として使用した発光素子が、特開平１−１０２８９３号
公報に開示されている。以下、これを第１の従来例とい
う。第１の従来例においては、２枚の電極と、この２枚
の電極間に設けられた絶縁層と、この絶縁層の膜厚中央
部に埋め込まれたダイヤモンド層と、を有するエレクト
ロルミネッセンス型の発光素子が開示されている。ま
た、２枚の電極間に半導体ダイヤモンド薄膜が配置され
たＭＳ（Metal Semiconductor）構造の発光素子、及び
２枚の電極間に半導体ダイヤモンド薄膜及びノンドープ
ダイヤモンド薄膜が配置されたＭＩＳ（Metal Insulato
r Semiconductor）構造の発光素子等も開示されてい
る。
【０００８】また、赤色発光層、青色発光層及び緑色発
光層を有し、これらの全ての発光層がダイヤモンド層か
らなる発光素子も提案されている（特開平３−１２２０
９３号公報）。更に、導電性の基板上にｐ型又はｎ型の
ダイヤモンド層からなる発光層が形成され、この発光層
の上にアンドープダイヤモンド層が形成された構造を有
する発光素子が開示されている（特開平３−２２２３７
６号公報）。以下、これらの従来例を夫々、第２及び第
３の従来例という。
光層を有し、これらの全ての発光層がダイヤモンド層か
らなる発光素子も提案されている（特開平３−１２２０
９３号公報）。更に、導電性の基板上にｐ型又はｎ型の
ダイヤモンド層からなる発光層が形成され、この発光層
の上にアンドープダイヤモンド層が形成された構造を有
する発光素子が開示されている（特開平３−２２２３７
６号公報）。以下、これらの従来例を夫々、第２及び第
３の従来例という。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】発光層として、ダイヤ
モンド層を使用した発光素子においては、ダイヤモンド
層のバンドギャップ間で直接的な遷移が発生すれば、ダ
イヤモンドのバンドギャップエネルギーである５．４ｅ
Ｖに相当する波長、即ち、約２２０ｎｍの波長を有する
紫外線光が得られるはずである。
モンド層を使用した発光素子においては、ダイヤモンド
層のバンドギャップ間で直接的な遷移が発生すれば、ダ
イヤモンドのバンドギャップエネルギーである５．４ｅ
Ｖに相当する波長、即ち、約２２０ｎｍの波長を有する
紫外線光が得られるはずである。
【００１０】しかしながら、第１の従来例では、約４５
０ｎｍの波長領域で発光バンド強度のピークが現れ、第
２の従来例では、３５０乃至７５０ｎｍの波長領域で発
光バンド強度のピークが現れており、いずれの従来例に
おいても、可視光領域の光しか得られない。このような
波長領域の光を発する発光素子としては、ＳｉＣ及びＧ
ａＮを使用したものが公知であり、発光素子の材料とし
てダイヤモンドを使用する利点はない。
０ｎｍの波長領域で発光バンド強度のピークが現れ、第
２の従来例では、３５０乃至７５０ｎｍの波長領域で発
光バンド強度のピークが現れており、いずれの従来例に
おいても、可視光領域の光しか得られない。このような
波長領域の光を発する発光素子としては、ＳｉＣ及びＧ
ａＮを使用したものが公知であり、発光素子の材料とし
てダイヤモンドを使用する利点はない。
【００１１】また、第３の従来例においても、第２の従
来例と同様に、可視光領域で発光バンド強度のピークが
強く現れており、３００ｎｍ以下の波長領域で発光バン
ド強度のピークが現れた場合であっても、その強度は極
めて弱いものである。
来例と同様に、可視光領域で発光バンド強度のピークが
強く現れており、３００ｎｍ以下の波長領域で発光バン
ド強度のピークが現れた場合であっても、その強度は極
めて弱いものである。
【００１２】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、３００ｎｍ以下の短波長のレーザ光を得る
ことができる紫外線レーザ素子及びその製造方法を提供
することを目的とする。
のであって、３００ｎｍ以下の短波長のレーザ光を得る
ことができる紫外線レーザ素子及びその製造方法を提供
することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明に係る紫外線レー
ザ素子は、第１電極と、前記第１電極上に形成された第
１ダイヤモンド層と、前記第１ダイヤモンド層上に形成
されたボロンドープダイヤモンドからなる発光層と、前
記発光層上に形成された第２ダイヤモンド層と、前記第
２ダイヤモンド層上に形成された第２電極と、前記第１
電極及び第２電極に接続された電源と、を有し、前記第
１ダイヤモンド層及び前記第２ダイヤモンド層は前記発
光層よりも高い抵抗値を有することを特徴とする。
ザ素子は、第１電極と、前記第１電極上に形成された第
１ダイヤモンド層と、前記第１ダイヤモンド層上に形成
されたボロンドープダイヤモンドからなる発光層と、前
記発光層上に形成された第２ダイヤモンド層と、前記第
２ダイヤモンド層上に形成された第２電極と、前記第１
電極及び第２電極に接続された電源と、を有し、前記第
１ダイヤモンド層及び前記第２ダイヤモンド層は前記発
光層よりも高い抵抗値を有することを特徴とする。
【００１４】本発明に係る他の紫外線レーザ素子は、第
１電極と、前記第１電極上に形成された第１ダイヤモン
ド層と、前記第１ダイヤモンド層上に形成されボロンド
ープダイヤモンドからなる発光層と前記発光層上に形成
された第２ダイヤモンド層とからなる複数の積層膜と、
前記積層膜上に形成された第２電極と、前記第１電極及
び第２電極に接続された電源と、を有し、前記第１ダイ
ヤモンド層及び前記第２ダイヤモンド層は前記発光層よ
りも高い抵抗値を有することを特徴とする。
１電極と、前記第１電極上に形成された第１ダイヤモン
ド層と、前記第１ダイヤモンド層上に形成されボロンド
ープダイヤモンドからなる発光層と前記発光層上に形成
された第２ダイヤモンド層とからなる複数の積層膜と、
前記積層膜上に形成された第２電極と、前記第１電極及
び第２電極に接続された電源と、を有し、前記第１ダイ
ヤモンド層及び前記第２ダイヤモンド層は前記発光層よ
りも高い抵抗値を有することを特徴とする。
【００１５】前記第１電極は基板上に形成されていても
よい。
よい。
【００１６】本発明に係る更に他の紫外線レーザ素子
は、基板と、前記基板上に選択的に形成された第１電極
と、前記基板及び第１電極上に選択的に形成された第１
ダイヤモンド層と、前記第１ダイヤモンド層上に形成さ
れたボロンドープダイヤモンドからなる発光層と、前記
発光層上に形成された第２ダイヤモンド層と、前記基板
及び第２ダイヤモンド層上に選択的に形成された第２電
極と、前記第１電極及び第２電極に接続された電源と、
を有することを特徴とする。
は、基板と、前記基板上に選択的に形成された第１電極
と、前記基板及び第１電極上に選択的に形成された第１
ダイヤモンド層と、前記第１ダイヤモンド層上に形成さ
れたボロンドープダイヤモンドからなる発光層と、前記
発光層上に形成された第２ダイヤモンド層と、前記基板
及び第２ダイヤモンド層上に選択的に形成された第２電
極と、前記第１電極及び第２電極に接続された電源と、
を有することを特徴とする。
【００１７】また、前記第１電極、第１ダイヤモンド
層、発光層、第２ダイヤモンド層及び第２電極を有する
複数組の素子が、前記発光層から発するレーザ光の経路
が一致するように前記基板上に形成されていてもよい。
層、発光層、第２ダイヤモンド層及び第２電極を有する
複数組の素子が、前記発光層から発するレーザ光の経路
が一致するように前記基板上に形成されていてもよい。
【００１８】更に、前記第１及び第２ダイヤモンド層
は、アンドープダイヤモンド、窒素ドープダイヤモンド
及び前記発光層中のボロン濃度よりも低い濃度でボロン
がドープされた低濃度ボロンドープダイヤモンドからな
る群から選択された少なくとも１種からなるものとする
ことができ、前記発光層は１ｎｍ乃至１μｍの膜厚を有
することが好ましい。更にまた、前記ボロンドープダイ
ヤモンドからなる発光層の欠陥密度は１×１０8／ｃｍ2
以下であることが好ましい。
は、アンドープダイヤモンド、窒素ドープダイヤモンド
及び前記発光層中のボロン濃度よりも低い濃度でボロン
がドープされた低濃度ボロンドープダイヤモンドからな
る群から選択された少なくとも１種からなるものとする
ことができ、前記発光層は１ｎｍ乃至１μｍの膜厚を有
することが好ましい。更にまた、前記ボロンドープダイ
ヤモンドからなる発光層の欠陥密度は１×１０8／ｃｍ2
以下であることが好ましい。
【００１９】本発明に係る紫外線レーザ素子は、第１電
極上に第１ダイヤモンド層を気相合成する工程と、前記
第１ダイヤモンド層の上に前記第１ダイヤモンド層より
も低い抵抗値を有するボロンドープダイヤモンドからな
る発光層を気相合成する工程と、前記発光層の上に前記
発光層よりも高い抵抗値を有する第２ダイヤモンド層を
気相合成する工程と、前記第２ダイヤモンド層の上に第
２電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
極上に第１ダイヤモンド層を気相合成する工程と、前記
第１ダイヤモンド層の上に前記第１ダイヤモンド層より
も低い抵抗値を有するボロンドープダイヤモンドからな
る発光層を気相合成する工程と、前記発光層の上に前記
発光層よりも高い抵抗値を有する第２ダイヤモンド層を
気相合成する工程と、前記第２ダイヤモンド層の上に第
２電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００２０】本発明においては、第１電極及び第２電極
のいずれか一方に正の電圧を印加し、他方に負の電圧を
印加すると、正の電圧が印加された電極からホールが発
光層に輸送されると共に、負の電圧が印加された電極か
ら電子が発光層に輸送される。そして、これらのホール
と電子とが発光層内において再結合して、レーザ光が放
射される。このとき、本発明においては、発光層が、第
１ダイヤモンド層の上にホモエピタキシャル成長により
形成されているので、発光層中の非発光再結合中心及び
可視光発光再結合中心の原因となる不純物及び結晶欠陥
を低減することができる。また、第２ダイヤモンド層も
ホモエピタキシャル成長により形成されているので、第
２ダイヤモンド層中の再結合中心の原因となる不純物及
び結晶欠陥を低減することができる。従って、ホールと
電子とが第２ダイヤモンド層中で再結合することを防止
することができ、選択的に発光層で再結合させることに
より、発光層から高効率で３００ｎｍ以下の紫外線領域
に発光強度のピークを有するレーザ光を発振することが
できる。なお、これらの原理及び効果は、発光層と第２
ダイヤモンド層とからなる複数の積層膜を形成した場合
であっても同様である。
のいずれか一方に正の電圧を印加し、他方に負の電圧を
印加すると、正の電圧が印加された電極からホールが発
光層に輸送されると共に、負の電圧が印加された電極か
ら電子が発光層に輸送される。そして、これらのホール
と電子とが発光層内において再結合して、レーザ光が放
射される。このとき、本発明においては、発光層が、第
１ダイヤモンド層の上にホモエピタキシャル成長により
形成されているので、発光層中の非発光再結合中心及び
可視光発光再結合中心の原因となる不純物及び結晶欠陥
を低減することができる。また、第２ダイヤモンド層も
ホモエピタキシャル成長により形成されているので、第
２ダイヤモンド層中の再結合中心の原因となる不純物及
び結晶欠陥を低減することができる。従って、ホールと
電子とが第２ダイヤモンド層中で再結合することを防止
することができ、選択的に発光層で再結合させることに
より、発光層から高効率で３００ｎｍ以下の紫外線領域
に発光強度のピークを有するレーザ光を発振することが
できる。なお、これらの原理及び効果は、発光層と第２
ダイヤモンド層とからなる複数の積層膜を形成した場合
であっても同様である。
【００２１】
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施例に係
る紫外線レーザ素子を示す断面図である。図１に示すよ
うに、基板１上にホール注入用電極（第１電極）２が形
成されており、その上に、アンドープダイヤモンド層
（第１ダイヤモンド層）３及びボロンドープダイヤモン
ド層（発光層）４が順次積層されている。また、ボロン
ドープダイヤモンド層４の上にはアンドープダイヤモン
ド層（第２ダイヤモンド層）５及び電子注入用電極（第
２電極）６が順次積層されている。なお、ホール注入用
電極２には正の電圧が印加されると共に、電子注入用電
極６には負の電圧が印加されるように、電極２及び電極
６に電源７が接続されている。
る紫外線レーザ素子を示す断面図である。図１に示すよ
うに、基板１上にホール注入用電極（第１電極）２が形
成されており、その上に、アンドープダイヤモンド層
（第１ダイヤモンド層）３及びボロンドープダイヤモン
ド層（発光層）４が順次積層されている。また、ボロン
ドープダイヤモンド層４の上にはアンドープダイヤモン
ド層（第２ダイヤモンド層）５及び電子注入用電極（第
２電極）６が順次積層されている。なお、ホール注入用
電極２には正の電圧が印加されると共に、電子注入用電
極６には負の電圧が印加されるように、電極２及び電極
６に電源７が接続されている。
【００２２】このように構成された紫外線レーザ素子に
おいては、ホール注入用電極２からホールが注入される
と、このホールはアンドープダイヤモンド層３を介して
ボロンドープダイヤモンド層４に輸送される。また、電
子注入用電極６から電子が注入されると、この電子はア
ンドープダイヤモンド層５を介してボロンドープダイヤ
モンド層４に輸送される。そして、これらのホールと電
子とがボロンドープダイヤモンド層４内において再結合
することにより、ボロンドープダイヤモンド層４の端面
から、３００ｎｍ以下の波長領域に発光強度のピークを
有するレーザ光９が放射される。
おいては、ホール注入用電極２からホールが注入される
と、このホールはアンドープダイヤモンド層３を介して
ボロンドープダイヤモンド層４に輸送される。また、電
子注入用電極６から電子が注入されると、この電子はア
ンドープダイヤモンド層５を介してボロンドープダイヤ
モンド層４に輸送される。そして、これらのホールと電
子とがボロンドープダイヤモンド層４内において再結合
することにより、ボロンドープダイヤモンド層４の端面
から、３００ｎｍ以下の波長領域に発光強度のピークを
有するレーザ光９が放射される。
【００２３】本願発明者等は、再結合のプロセスが自由
励起子の準位を介するときには、２３５ｎｍの波長領域
に発光強度のピークを有する光を発し、再結合のプロセ
スがボロン（Ｂ）に関する中性アクセプタ束縛励起子の
準位を介するときには、２３８ｎｍの波長領域に発光強
度のピークを有する光を発することを見い出した。但
し、発光強度はダイヤモンド層の品質に大きく影響さ
れ、特に、非発光再結合中心及び可視光発光再結合中心
の原因となる不純物又は結晶欠陥がダイヤモンド層中に
存在すると、３００ｎｍ以下の波長領域にピークを有す
る発光は阻害される。
励起子の準位を介するときには、２３５ｎｍの波長領域
に発光強度のピークを有する光を発し、再結合のプロセ
スがボロン（Ｂ）に関する中性アクセプタ束縛励起子の
準位を介するときには、２３８ｎｍの波長領域に発光強
度のピークを有する光を発することを見い出した。但
し、発光強度はダイヤモンド層の品質に大きく影響さ
れ、特に、非発光再結合中心及び可視光発光再結合中心
の原因となる不純物又は結晶欠陥がダイヤモンド層中に
存在すると、３００ｎｍ以下の波長領域にピークを有す
る発光は阻害される。
【００２４】例えば、シリコン等のダイヤモンドと異な
る物質の上にダイヤモンド層を成長させると、このダイ
ヤモンド層には結晶欠陥が入りやすくなると共に、下地
層中の元素（シリコン）が不純物として混入しやすくな
る。第１乃至第３の従来例においては、いずれも発光層
を異種物質からなる基板上に形成した構造であるので、
発光層中の非発光再結合中心及び可視光発光再結合中心
の原因となる不純物及び結晶欠陥を低減することができ
ない。
る物質の上にダイヤモンド層を成長させると、このダイ
ヤモンド層には結晶欠陥が入りやすくなると共に、下地
層中の元素（シリコン）が不純物として混入しやすくな
る。第１乃至第３の従来例においては、いずれも発光層
を異種物質からなる基板上に形成した構造であるので、
発光層中の非発光再結合中心及び可視光発光再結合中心
の原因となる不純物及び結晶欠陥を低減することができ
ない。
【００２５】しかし、本実施例においては、発光層とな
るボロンドープダイヤモンド層４が、アンドープダイヤ
モンド層３の上にホモエピタキシャル成長により形成さ
れているので、結晶欠陥及び不純物等の問題点は発生せ
ず、発光層中の非発光再結合中心及び可視光発光再結合
中心の原因となる不純物及び結晶欠陥を低減することが
できる。また、本実施例においては、アンドープダイヤ
モンド層５もボロンドープダイヤモンド層４の上にホモ
エピタキシャル成長により形成されているので、再結合
中心の原因となる不純物及び結晶欠陥を低減することが
できる。従って、ホールと電子とがアンドープダイヤモ
ンド層５中で再結合することを防止することができ、ホ
ールと電子とを選択的に発光層で再結合させることがで
きる。
るボロンドープダイヤモンド層４が、アンドープダイヤ
モンド層３の上にホモエピタキシャル成長により形成さ
れているので、結晶欠陥及び不純物等の問題点は発生せ
ず、発光層中の非発光再結合中心及び可視光発光再結合
中心の原因となる不純物及び結晶欠陥を低減することが
できる。また、本実施例においては、アンドープダイヤ
モンド層５もボロンドープダイヤモンド層４の上にホモ
エピタキシャル成長により形成されているので、再結合
中心の原因となる不純物及び結晶欠陥を低減することが
できる。従って、ホールと電子とがアンドープダイヤモ
ンド層５中で再結合することを防止することができ、ホ
ールと電子とを選択的に発光層で再結合させることがで
きる。
【００２６】図２は本発明の第２の実施例に係る紫外線
レーザ素子を示す断面図である。但し、図２に示す第２
の実施例において、第１の実施例と異なる点は、アンド
ープダイヤモンド層５と電子注入用電極６との間に、ボ
ロンドープダイヤモンド層１４及びアンドープダイヤモ
ンド層１５が積層されている点のみであるので、図２に
おいて図１と同一物には同一符号を付して、その詳細な
説明は省略する。
レーザ素子を示す断面図である。但し、図２に示す第２
の実施例において、第１の実施例と異なる点は、アンド
ープダイヤモンド層５と電子注入用電極６との間に、ボ
ロンドープダイヤモンド層１４及びアンドープダイヤモ
ンド層１５が積層されている点のみであるので、図２に
おいて図１と同一物には同一符号を付して、その詳細な
説明は省略する。
【００２７】図２に示すように、第２の実施例において
も、ホール注入用電極２に正の電圧を印加すると共に、
電子注入用電極６に負の電圧を印加するために、ホール
注入用電極２及び電子注入用電極６に電源７が接続され
ている。
も、ホール注入用電極２に正の電圧を印加すると共に、
電子注入用電極６に負の電圧を印加するために、ホール
注入用電極２及び電子注入用電極６に電源７が接続され
ている。
【００２８】このように構成された第２の実施例に係る
紫外線レーザ素子においては、ホール注入用電極２から
ホールが注入されると共に、電子注入用電極６から電子
が注入されると、このホール及び電子はボロンドープダ
イヤモンド層４及び１４に輸送される。そして、これら
のホールと電子とがボロンドープダイヤモンド層４及び
１４内において再結合することにより、ボロンドープダ
イヤモンド層４及び１４の端面から、夫々、３００ｎｍ
以下の波長領域に発光強度のピークを有する複数のレー
ザ光９及び１９が放射される。
紫外線レーザ素子においては、ホール注入用電極２から
ホールが注入されると共に、電子注入用電極６から電子
が注入されると、このホール及び電子はボロンドープダ
イヤモンド層４及び１４に輸送される。そして、これら
のホールと電子とがボロンドープダイヤモンド層４及び
１４内において再結合することにより、ボロンドープダ
イヤモンド層４及び１４の端面から、夫々、３００ｎｍ
以下の波長領域に発光強度のピークを有する複数のレー
ザ光９及び１９が放射される。
【００２９】このように、ホール注入用電極２と電子注
入用電極６との間に、ボロンドープダイヤモンド層及び
アンドープダイヤモンド層を積層したものを複数層形成
することにより、複数の発光が得られる紫外線レーザ素
子を得ることができる。
入用電極６との間に、ボロンドープダイヤモンド層及び
アンドープダイヤモンド層を積層したものを複数層形成
することにより、複数の発光が得られる紫外線レーザ素
子を得ることができる。
【００３０】なお、図１及び図２に示す実施例におい
て、ホール注入用電極２は金属膜のみからなる電極であ
っても、金属膜上に低抵抗のダイヤモンド層が形成され
た構造の電極であってもよい。後者の電極を使用する
と、ホール注入用電極２から安定してホールを注入する
ことができる。また、本実施例においては、ホール注入
用電極２と電子注入用電極６とが互いに入れ替わった構
造であっても、同様の効果を得ることができる。
て、ホール注入用電極２は金属膜のみからなる電極であ
っても、金属膜上に低抵抗のダイヤモンド層が形成され
た構造の電極であってもよい。後者の電極を使用する
と、ホール注入用電極２から安定してホールを注入する
ことができる。また、本実施例においては、ホール注入
用電極２と電子注入用電極６とが互いに入れ替わった構
造であっても、同様の効果を得ることができる。
【００３１】更に、本実施例においては、レーザ光を放
射するボロンドープダイヤモンド層４及び１４の両面上
に形成するダイヤモンド層として、アンドープダイヤモ
ンド層３、５及び１５を形成したが、これらのアンドー
プダイヤモンド層は所定の値以上の抵抗値を有する高抵
抗ダイヤモンド層であればよく、例えば、窒素（Ｎ）ド
ープダイヤモンド層を使用することができる。また、ボ
ロンがドープされたダイヤモンド層であっても、そのド
ーピング濃度がボロンドープダイヤモンド層４及び１４
等と比較して、極めて低いものであると、そのダイヤモ
ンド層は所定の値以上の抵抗値を有するものとなるの
で、アンドープダイヤモンド層３、５及び１５の代わり
に使用することができる。更にまた、これらの所定の値
以上の抵抗値を有するダイヤモンド層が積層された膜
を、アンドープダイヤモンド層３、５及び１５の代わり
に使用することもできる。
射するボロンドープダイヤモンド層４及び１４の両面上
に形成するダイヤモンド層として、アンドープダイヤモ
ンド層３、５及び１５を形成したが、これらのアンドー
プダイヤモンド層は所定の値以上の抵抗値を有する高抵
抗ダイヤモンド層であればよく、例えば、窒素（Ｎ）ド
ープダイヤモンド層を使用することができる。また、ボ
ロンがドープされたダイヤモンド層であっても、そのド
ーピング濃度がボロンドープダイヤモンド層４及び１４
等と比較して、極めて低いものであると、そのダイヤモ
ンド層は所定の値以上の抵抗値を有するものとなるの
で、アンドープダイヤモンド層３、５及び１５の代わり
に使用することができる。更にまた、これらの所定の値
以上の抵抗値を有するダイヤモンド層が積層された膜
を、アンドープダイヤモンド層３、５及び１５の代わり
に使用することもできる。
【００３２】更にまた、本発明において、ダイヤモンド
層にボロンをドープする場合に、このドーピング後のボ
ロン層の形状及び濃度が均一でなく、分布があっても、
本発明の効果を得ることができるように、ボロンがドー
ピングされていればよい。
層にボロンをドープする場合に、このドーピング後のボ
ロン層の形状及び濃度が均一でなく、分布があっても、
本発明の効果を得ることができるように、ボロンがドー
ピングされていればよい。
【００３３】なお、第１及び第２の実施例において、発
光層として働くボロンドープダイヤモンド層４及び１４
の膜厚は、レーザ光９及び１９の放射に大きく影響す
る。ボロンドープダイヤモンド層の最適な膜厚は、紫外
線レーザ素子の寸法、Ｂのドーピング濃度分布、電極材
料、ダイヤモンド層の膜質及び電源７による印加電圧等
に依存するが、一般的には、ボロンドープダイヤモンド
層からなる発光層の膜厚が１ｎｍ未満であるか、又は１
μｍを超えると、紫外線領域のレーザ光を得ることがで
きないことがある。従って、本発明においては、発光層
の膜厚は１ｎｍ乃至１μｍとすることが好ましい。
光層として働くボロンドープダイヤモンド層４及び１４
の膜厚は、レーザ光９及び１９の放射に大きく影響す
る。ボロンドープダイヤモンド層の最適な膜厚は、紫外
線レーザ素子の寸法、Ｂのドーピング濃度分布、電極材
料、ダイヤモンド層の膜質及び電源７による印加電圧等
に依存するが、一般的には、ボロンドープダイヤモンド
層からなる発光層の膜厚が１ｎｍ未満であるか、又は１
μｍを超えると、紫外線領域のレーザ光を得ることがで
きないことがある。従って、本発明においては、発光層
の膜厚は１ｎｍ乃至１μｍとすることが好ましい。
【００３４】また、本発明においては、ダイヤモンド層
の結晶性を高くすると、キャリアの非発光再結合を防止
して、紫外線の発光を促進することができる。そこで、
発光層を構成するボロンドープダイヤモンド層の欠陥密
度は、１×１０8／ｃｍ2以下にすることが好ましい。こ
のような高品質のダイヤモンド層は、例えば、以下に示
す方法により得ることができる。
の結晶性を高くすると、キャリアの非発光再結合を防止
して、紫外線の発光を促進することができる。そこで、
発光層を構成するボロンドープダイヤモンド層の欠陥密
度は、１×１０8／ｃｍ2以下にすることが好ましい。こ
のような高品質のダイヤモンド層は、例えば、以下に示
す方法により得ることができる。
【００３５】先ず、単結晶白金若しくは白金合金板、又
は単結晶白金若しくは白金合金膜からなる基体を使用し
て、この基体上に、気相合成により、高配向ダイヤモン
ド膜、ダイヤモンド融合膜若しくは単結晶ダイヤモンド
膜、又は表面がダイヤモンド結晶の（１００）面又は
（１１１）面により構成されたダイヤモンド膜（第３ダ
イヤモンド層）を形成することにより、基体及びダイヤ
モンド層（第３ダイヤモンド層）からなる電極を得る。
その後、この電極上に気相合成によりアンドープダイヤ
モンド層（第１ダイヤモンド層）、ボロンドープダイヤ
モンド層（発光層）及びアンドープダイヤモンド層（第
２ダイヤモンド層）を形成する。このようにして、欠陥
密度が１×１０8／ｃｍ2以下である高品質のダイヤモン
ド層からなる発光層を得ることができる。
は単結晶白金若しくは白金合金膜からなる基体を使用し
て、この基体上に、気相合成により、高配向ダイヤモン
ド膜、ダイヤモンド融合膜若しくは単結晶ダイヤモンド
膜、又は表面がダイヤモンド結晶の（１００）面又は
（１１１）面により構成されたダイヤモンド膜（第３ダ
イヤモンド層）を形成することにより、基体及びダイヤ
モンド層（第３ダイヤモンド層）からなる電極を得る。
その後、この電極上に気相合成によりアンドープダイヤ
モンド層（第１ダイヤモンド層）、ボロンドープダイヤ
モンド層（発光層）及びアンドープダイヤモンド層（第
２ダイヤモンド層）を形成する。このようにして、欠陥
密度が１×１０8／ｃｍ2以下である高品質のダイヤモン
ド層からなる発光層を得ることができる。
【００３６】本発明において、ボロンドープダイヤモン
ド層及びアンドープダイヤモンド層と、電極との配置関
係は、図１及び２に示す構造に限定するものではない。
例えば、図３に示すように、基板１上にホール注入用電
極２が選択的に形成され、基板１及びホール注入用電極
２上に、アンドープダイヤモンド層、ボロンドープダイ
ヤモンド層及びアンドープダイヤモンド層の積層膜８が
選択的に形成されており、基板１及び積層膜８の上に電
子注入用電極６が選択的に形成されていてもよい。
ド層及びアンドープダイヤモンド層と、電極との配置関
係は、図１及び２に示す構造に限定するものではない。
例えば、図３に示すように、基板１上にホール注入用電
極２が選択的に形成され、基板１及びホール注入用電極
２上に、アンドープダイヤモンド層、ボロンドープダイ
ヤモンド層及びアンドープダイヤモンド層の積層膜８が
選択的に形成されており、基板１及び積層膜８の上に電
子注入用電極６が選択的に形成されていてもよい。
【００３７】なお、絶縁性の物質を基板として使用した
場合には、ホール注入用電極２は基板と第１ダイヤモン
ド層との間に形成する必要があるが、基板が金属又は低
抵抗シリコンからなるものである場合は、基板自身をホ
ール注入用電極２又は電子注入用電極６とみなすことも
できる。この場合には、基板が金属からなる場合を除い
て、基板と導線との間の接触抵抗を低減するために、基
板に金属の電極を挟むようにすればよい。従って、本発
明においては、図１及び２に示す基板１がホール注入用
電極２とアンドープダイヤモンド層３との間に形成され
ていてもよい。
場合には、ホール注入用電極２は基板と第１ダイヤモン
ド層との間に形成する必要があるが、基板が金属又は低
抵抗シリコンからなるものである場合は、基板自身をホ
ール注入用電極２又は電子注入用電極６とみなすことも
できる。この場合には、基板が金属からなる場合を除い
て、基板と導線との間の接触抵抗を低減するために、基
板に金属の電極を挟むようにすればよい。従って、本発
明においては、図１及び２に示す基板１がホール注入用
電極２とアンドープダイヤモンド層３との間に形成され
ていてもよい。
【００３８】このような構造の紫外線レーザ素子におい
ても、ホール注入用電極２及び電子注入用電極６に接続
された電源７により、ホール注入用電極２に正の電圧を
印加すると共に、電子注入用電極６に負の電圧を印加す
ると、積層膜８の端面からレーザ光９が放射される。
ても、ホール注入用電極２及び電子注入用電極６に接続
された電源７により、ホール注入用電極２に正の電圧を
印加すると共に、電子注入用電極６に負の電圧を印加す
ると、積層膜８の端面からレーザ光９が放射される。
【００３９】更に、図４に示すように、電源が接続され
た２枚の電極間にアンドープダイヤモンド層、ボロンド
ープダイヤモンド層及びアンドープダイヤモンド層の積
層膜が配置された素子２０が、基板１上の同一直線上に
複数個配列されていてもよい。このように、複数個の素
子２０を、放射されるレーザ光の方向が完全に一致する
ように基板１上に配置すると、各素子２０が発するレー
ザ光の強度を互いに高め合って、強い強度のレーザ光２
９を得ることができる。
た２枚の電極間にアンドープダイヤモンド層、ボロンド
ープダイヤモンド層及びアンドープダイヤモンド層の積
層膜が配置された素子２０が、基板１上の同一直線上に
複数個配列されていてもよい。このように、複数個の素
子２０を、放射されるレーザ光の方向が完全に一致する
ように基板１上に配置すると、各素子２０が発するレー
ザ光の強度を互いに高め合って、強い強度のレーザ光２
９を得ることができる。
【００４０】
【実施例】以下、本発明の実施例に係る紫外線レーザ素
子を形成した結果について説明する。
子を形成した結果について説明する。
【００４１】先ず、表面に（１１１）結晶面が現れた単
結晶チタン酸ストロンチウム板からなる基板を準備し
た。次に、この基板上に、スパッタリング法により単結
晶白金膜を蒸着した後、マイクロ波ＣＶＤ法を使用し
て、単結晶白金膜上に１×１０19 乃至１×１０20／ｃｍ
3の濃度でボロン（Ｂ）がドープされたダイヤモンド層
を２０μｍの膜厚で形成した。これにより、ダイヤモン
ドの（１１１）結晶面が配向したダイヤモンド融合膜が
得られ、基板上に白金膜及びダイヤモンド層からなる電
極が形成された。
結晶チタン酸ストロンチウム板からなる基板を準備し
た。次に、この基板上に、スパッタリング法により単結
晶白金膜を蒸着した後、マイクロ波ＣＶＤ法を使用し
て、単結晶白金膜上に１×１０19 乃至１×１０20／ｃｍ
3の濃度でボロン（Ｂ）がドープされたダイヤモンド層
を２０μｍの膜厚で形成した。これにより、ダイヤモン
ドの（１１１）結晶面が配向したダイヤモンド融合膜が
得られ、基板上に白金膜及びダイヤモンド層からなる電
極が形成された。
【００４２】次いで、電極の表面を約５μｍの厚さで研
磨して平坦化した後、マイクロ波ＣＶＤ法を使用して、
電極上にアンドープダイヤモンド層を１μｍの厚さで形
成した。その後、アンドープダイヤモンド層の上に約１
×１０20／ｃｍ3の濃度でボロン（Ｂ）がドープされた
ボロンドープダイヤモンド層（発光層）を０．１μｍの
膜厚で形成し、更にその上に、アンドープダイヤモンド
層を０．５μｍの厚さで形成した。その後、フォトリソ
グラフィ技術により、アンドープダイヤモンド層の上に
矩形のアルミニウム電極を形成し、ＥＣＲ（電子サイク
ロトロン共鳴；Electron Cyclotron Resonance）プラズ
マエッチングにより、アンドープダイヤモンド層、ボロ
ンドープダイヤモンド層及びアンドープダイヤモンド層
の積層膜を基板に垂直の方向にエッチングして、メサ構
造の紫外線レーザ素子を形成した。
磨して平坦化した後、マイクロ波ＣＶＤ法を使用して、
電極上にアンドープダイヤモンド層を１μｍの厚さで形
成した。その後、アンドープダイヤモンド層の上に約１
×１０20／ｃｍ3の濃度でボロン（Ｂ）がドープされた
ボロンドープダイヤモンド層（発光層）を０．１μｍの
膜厚で形成し、更にその上に、アンドープダイヤモンド
層を０．５μｍの厚さで形成した。その後、フォトリソ
グラフィ技術により、アンドープダイヤモンド層の上に
矩形のアルミニウム電極を形成し、ＥＣＲ（電子サイク
ロトロン共鳴；Electron Cyclotron Resonance）プラズ
マエッチングにより、アンドープダイヤモンド層、ボロ
ンドープダイヤモンド層及びアンドープダイヤモンド層
の積層膜を基板に垂直の方向にエッチングして、メサ構
造の紫外線レーザ素子を形成した。
【００４３】このように形成された紫外線レーザ素子に
おいて、単結晶白金膜とアルミニウム電極との間に８０
Ｖの電圧を印加した。図５は縦軸に発光強度をとり、横
軸に波長をとって、本実施例に係る紫外線レーザ素子に
より得られたレーザ光の発光強度と波長との関係を示す
グラフ図である。図５に示すように、本実施例において
は、約２５０ｎｍの波長領域に発光強度のピークを有す
るレーザ光を得ることができた。
おいて、単結晶白金膜とアルミニウム電極との間に８０
Ｖの電圧を印加した。図５は縦軸に発光強度をとり、横
軸に波長をとって、本実施例に係る紫外線レーザ素子に
より得られたレーザ光の発光強度と波長との関係を示す
グラフ図である。図５に示すように、本実施例において
は、約２５０ｎｍの波長領域に発光強度のピークを有す
るレーザ光を得ることができた。
【００４４】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
ボロンドープダイヤモンドからなる発光層と第１電極及
び第２電極との間に、夫々、発光層よりも高い抵抗値を
有するダイヤモンド層が形成されているので、発光層中
の不純物及び結晶欠陥を低減することができ、３００ｎ
ｍ以下の紫外線領域に発光強度のピークを有するレーザ
光を発する紫外線レーザ素子を得ることができる。
ボロンドープダイヤモンドからなる発光層と第１電極及
び第２電極との間に、夫々、発光層よりも高い抵抗値を
有するダイヤモンド層が形成されているので、発光層中
の不純物及び結晶欠陥を低減することができ、３００ｎ
ｍ以下の紫外線領域に発光強度のピークを有するレーザ
光を発する紫外線レーザ素子を得ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例に係る紫外線レーザ素子
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例に係る紫外線レーザ素子
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】本発明の第３の実施例に係る紫外線レーザ素子
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４】本発明の第４の実施例に係る紫外線レーザ素子
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図５】縦軸に発光強度をとり、横軸に波長をとって、
本実施例に係る紫外線レーザ素子により得られたレーザ
光の発光強度と波長との関係を示すグラフ図である。
本実施例に係る紫外線レーザ素子により得られたレーザ
光の発光強度と波長との関係を示すグラフ図である。
１；基板
２；ホール注入用電極
３，５，１５；アンドープダイヤモンド層
４，１４；ボロンドープダイヤモンド層
６；電子注入用電極
７；電源
８；積層膜
９，１９，２９；レーザ光
２０；素子
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 小橋 宏司
兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号
株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究
所内
(56)参考文献 特開 平８−255946（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−333291（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−102893（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−122093（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−222376（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−255924（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−330624（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−144570（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−307487（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−283434（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−326355（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−140550（ＪＰ，Ａ)
国際公開99／34646（ＷＯ，Ａ１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01S 3/16
H01L 33/00
H05B 33/14
Claims (13)
- 【請求項１】 第１電極と、前記第１電極上に形成され
た第１ダイヤモンド層と、前記第１ダイヤモンド層上に
形成されたボロンドープダイヤモンドからなる発光層
と、前記発光層上に形成された第２ダイヤモンド層と、
前記第２ダイヤモンド層上に形成された第２電極と、前
記第１電極及び第２電極に接続された電源と、を有し、
前記第１ダイヤモンド層及び前記第２ダイヤモンド層は
前記発光層よりも高い抵抗値を有することを特徴とする
紫外線レーザ素子。 - 【請求項２】 第１電極と、前記第１電極上に形成され
た第１ダイヤモンド層と、前記第１ダイヤモンド層上に
形成されボロンドープダイヤモンドからなる発光層と前
記発光層上に形成された第２ダイヤモンド層とからなる
複数の積層膜と、前記積層膜上に形成された第２電極
と、前記第１電極及び第２電極に接続された電源と、を
有し、前記第１ダイヤモンド層及び前記第２ダイヤモン
ド層は前記発光層よりも高い抵抗値を有することを特徴
とする紫外線レーザ素子。 - 【請求項３】 前記第１電極は基板上に形成されている
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の紫外線レーザ
素子。 - 【請求項４】 基板と、前記基板上に選択的に形成され
た第１電極と、前記基板及び第１電極上に選択的に形成
された第１ダイヤモンド層と、前記第１ダイヤモンド層
上に形成されたボロンドープダイヤモンドからなる発光
層と、前記発光層上に形成された第２ダイヤモンド層
と、前記基板及び第２ダイヤモンド層上に選択的に形成
された第２電極と、前記第１電極及び第２電極に接続さ
れた電源と、を有することを特徴とする紫外線レーザ素
子。 - 【請求項５】 前記第１電極、第１ダイヤモンド層、発
光層、第２ダイヤモンド層及び第２電極を有する複数組
の素子が、前記発光層から発するレーザ光の経路が一致
するように前記基板上に形成されていることを特徴とす
る請求項３又は４に記載の紫外線レーザ素子。 - 【請求項６】 前記第１電極は、基体と、前記基体上に
形成され前記第１及び第２ダイヤモンド層よりも低い抵
抗値を有する第３ダイヤモンド層と、を有することを特
徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の紫外線
レーザ素子。 - 【請求項７】 前記基体は単結晶白金又は単結晶白金合
金からなり、前記第３ダイヤモンド層は、高配向ダイヤ
モンド膜、ダイヤモンド融合膜及び単結晶ダイヤモンド
膜からなる群から選択された１種の膜からなることを特
徴とする請求項６に記載の紫外線レーザ素子。 - 【請求項８】 前記第３ダイヤモンド層は、表面にダイ
ヤモンド結晶の（１００）面又は（１１１）面が現れた
ものであることを特徴とする請求項６又は７に記載の紫
外線レーザ素子。 - 【請求項９】 前記第１及び第２ダイヤモンド層は、ア
ンドープダイヤモンド、窒素ドープダイヤモンド及び前
記発光層中のボロン濃度よりも低い濃度でボロンがドー
プされた低濃度ボロンドープダイヤモンドからなる群か
ら選択された少なくとも１種からなることを特徴とする
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の紫外線レーザ素
子。 - 【請求項１０】 前記発光層は１ｎｍ乃至１μｍの膜厚
を有することを特徴とする請求項１乃至９に記載の紫外
線レーザ素子。 - 【請求項１１】 前記ボロンドープダイヤモンドからな
る発光層の欠陥密度は１×１０8／ｃｍ2以下であること
を特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の
紫外線レーザ素子。 - 【請求項１２】 前記第１電極と前記第１ダイヤモンド
層との間に基板を有することを特徴とする１、２及び６
乃至１１のいずれか１項に記載の紫外線レーザ素子。 - 【請求項１３】 第１電極上に第１ダイヤモンド層を気
相合成する工程と、前記第１ダイヤモンド層の上に前記
第１ダイヤモンド層よりも低い抵抗値を有するボロンド
ープダイヤモンドからなる発光層を気相合成する工程
と、前記発光層の上に前記発光層よりも高い抵抗値を有
する第２ダイヤモンド層を気相合成する工程と、前記第
２ダイヤモンド層の上に第２電極を形成する工程と、を
有することを特徴とする紫外線レーザ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10523598A JP3394443B2 (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | 紫外線レーザ素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10523598A JP3394443B2 (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | 紫外線レーザ素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11298085A JPH11298085A (ja) | 1999-10-29 |
| JP3394443B2 true JP3394443B2 (ja) | 2003-04-07 |
Family
ID=14402000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10523598A Expired - Fee Related JP3394443B2 (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | 紫外線レーザ素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3394443B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20130108027A (ko) * | 2012-03-23 | 2013-10-02 | 주식회사 엘지화학 | 유기전자소자용 기판의 제조방법 |
-
1998
- 1998-04-15 JP JP10523598A patent/JP3394443B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11298085A (ja) | 1999-10-29 |
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