JPH0753952A - 有機電界発光素子 - Google Patents
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Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【構成】 基板1上に、少なくとも陽極及び陰極により
挟持された有機発光層4を有する有機電界発光素子であ
って、有機発光層4が、8−ヒドロキシキノリンを配位
子とするアルミニウム錯体と、8−ヒドロキシキノリン
を配位子としてアルミニウムとは異なる金属を中心金属
とする金属錯体とを含むことを特徴とする有機電界発光
素子。 【効果】 耐熱性のある、長期の駆動に対しても安定し
た発光特性を示す有機電界発光素子を得ることができ
る。
挟持された有機発光層4を有する有機電界発光素子であ
って、有機発光層4が、8−ヒドロキシキノリンを配位
子とするアルミニウム錯体と、8−ヒドロキシキノリン
を配位子としてアルミニウムとは異なる金属を中心金属
とする金属錯体とを含むことを特徴とする有機電界発光
素子。 【効果】 耐熱性のある、長期の駆動に対しても安定し
た発光特性を示す有機電界発光素子を得ることができ
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、有機電界発光素子に関
するものであり、詳しくは、有機化合物から成る発光層
に電界をかけて光を放出する薄膜型デバイスに関するも
のである。
するものであり、詳しくは、有機化合物から成る発光層
に電界をかけて光を放出する薄膜型デバイスに関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】従来、薄膜型の電界発光(EL)素子と
しては、無機材料のII−VI族化合物半導体であるZn
S、CaS、SrS等に、発光中心であるMnや希土類
元素(Eu、Ce、Tb、Sm等)をドープしたものが
一般的であるが、上記の無機材料から作製したEL素子
は、 1)交流駆動が必要(50〜1000Hz)、 2)駆動電圧が高い(〜200V)、 3)フルカラー化が困難(特に青色が問題)、 4)周辺駆動回路のコストが高い、 という問題点を有している。
しては、無機材料のII−VI族化合物半導体であるZn
S、CaS、SrS等に、発光中心であるMnや希土類
元素(Eu、Ce、Tb、Sm等)をドープしたものが
一般的であるが、上記の無機材料から作製したEL素子
は、 1)交流駆動が必要(50〜1000Hz)、 2)駆動電圧が高い(〜200V)、 3)フルカラー化が困難(特に青色が問題)、 4)周辺駆動回路のコストが高い、 という問題点を有している。
【0003】しかし、近年、上記問題点の改良のため、
有機薄膜を用いたEL素子の開発が行われるようになっ
た。特に、発光効率を高めるために電極からのキャリア
ー注入の効率向上を目的とした電極種類の最適化を行
い、芳香族ジアミンから成る有機正孔輸送層と8−ヒド
ロキシキノリンのアルミニウム錯体から成る有機発光層
を設けた有機電界発光素子の開発(Appl.Phy
s.Lett.,51巻,913頁,1987年)によ
り、従来のアントラセン等の単結晶を用いた電界発光素
子と比較して発光効率の大幅な改善がなされ、実用特性
に近づいている。
有機薄膜を用いたEL素子の開発が行われるようになっ
た。特に、発光効率を高めるために電極からのキャリア
ー注入の効率向上を目的とした電極種類の最適化を行
い、芳香族ジアミンから成る有機正孔輸送層と8−ヒド
ロキシキノリンのアルミニウム錯体から成る有機発光層
を設けた有機電界発光素子の開発(Appl.Phy
s.Lett.,51巻,913頁,1987年)によ
り、従来のアントラセン等の単結晶を用いた電界発光素
子と比較して発光効率の大幅な改善がなされ、実用特性
に近づいている。
【0004】上記の材料の他にも、有機発光層の材料と
して、ポリ(p−フェニレンビニレン)(Natur
e,347巻,539頁,1990年;Appl.Ph
ys.Lett.,61巻,2793頁,1992
年)、ポリ[2−メトキシ,5−(2’−エチルヘキソ
キシ)−1,4−フェニレンビニレン](Appl.P
hys.Lett.,58巻,1982頁,1991
年;Thin Solid Films,216巻,9
6頁,1992年;Nature,357巻,477
頁,1992年)、ポリ(3−アルキルチオフェン)
(Jpn.J.Appl.Phys,30巻,L193
8頁,1991年;J.Appl.Phys.,72
巻,564頁,1992年)等の高分子材料の開発や、
ポリビニルカルバゾール等の高分子に発光材料と電子移
動材料を混合した素子(応用物理,61巻,1044
頁,1992年)の開発も行われている。
して、ポリ(p−フェニレンビニレン)(Natur
e,347巻,539頁,1990年;Appl.Ph
ys.Lett.,61巻,2793頁,1992
年)、ポリ[2−メトキシ,5−(2’−エチルヘキソ
キシ)−1,4−フェニレンビニレン](Appl.P
hys.Lett.,58巻,1982頁,1991
年;Thin Solid Films,216巻,9
6頁,1992年;Nature,357巻,477
頁,1992年)、ポリ(3−アルキルチオフェン)
(Jpn.J.Appl.Phys,30巻,L193
8頁,1991年;J.Appl.Phys.,72
巻,564頁,1992年)等の高分子材料の開発や、
ポリビニルカルバゾール等の高分子に発光材料と電子移
動材料を混合した素子(応用物理,61巻,1044
頁,1992年)の開発も行われている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】有機電界発光素子の最
大の問題点は、駆動時の寿命である。素子の寿命を短く
している要因はいくつか存在するが、支配的なのは有機
発光層の薄膜形状の劣化である。この薄膜形状の劣化
は、素子駆動時の発熱による有機非晶質膜の結晶化(又
は凝集)等によると考えられている。低分子量(分子量
が400から600程度)の分子から形成される有機薄
膜は、薄膜形成時又は形成後にファン・デア・ワールス
力を介して結晶化を起こし、結果として島状の凝集構造
を示すものが多い。また、この結晶化または凝集による
劣化は、発熱時の温度上昇によってさらに加速される。
この結晶化が起こると、有機発光層の薄膜の一様性が失
われ、電極とコンタクトがわるくなり、素子駆動時にダ
ークスポットと呼ばれる非発光部分が発生したり、駆動
電圧が上昇して素子の破壊を招いたり、輝度の低下が速
くなるという結果に至る。
大の問題点は、駆動時の寿命である。素子の寿命を短く
している要因はいくつか存在するが、支配的なのは有機
発光層の薄膜形状の劣化である。この薄膜形状の劣化
は、素子駆動時の発熱による有機非晶質膜の結晶化(又
は凝集)等によると考えられている。低分子量(分子量
が400から600程度)の分子から形成される有機薄
膜は、薄膜形成時又は形成後にファン・デア・ワールス
力を介して結晶化を起こし、結果として島状の凝集構造
を示すものが多い。また、この結晶化または凝集による
劣化は、発熱時の温度上昇によってさらに加速される。
この結晶化が起こると、有機発光層の薄膜の一様性が失
われ、電極とコンタクトがわるくなり、素子駆動時にダ
ークスポットと呼ばれる非発光部分が発生したり、駆動
電圧が上昇して素子の破壊を招いたり、輝度の低下が速
くなるという結果に至る。
【0006】また、低分子材料の代わりに高分子材料を
有機電界発光素子の発光層として用いる試みも前述の様
に行われているが、塗布という湿式法で薄膜形成がなさ
れるために、不純物の制御が困難で、現状では発光効率
が不十分である。上述の理由から、有機電界発光素子の
実用化においは、素子の駆動寿命に大きな問題を抱えて
いるのが実状である。
有機電界発光素子の発光層として用いる試みも前述の様
に行われているが、塗布という湿式法で薄膜形成がなさ
れるために、不純物の制御が困難で、現状では発光効率
が不十分である。上述の理由から、有機電界発光素子の
実用化においは、素子の駆動寿命に大きな問題を抱えて
いるのが実状である。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者等は上記実状に
鑑み、長期間に渡って安定な発光特性を示す有機電界発
光素子を提供することを目的として鋭意検討した結果、
有機発光層が、8−ヒドロキシキノリンを配位子とする
アルミニウム錯体と、8−ヒドロキシキノリンを配位子
としてアルミニウムとは異なる金属を中心金属とする金
属錯体の混合物とを含むことが好適であることを見い出
し、本発明を完成するに至った。
鑑み、長期間に渡って安定な発光特性を示す有機電界発
光素子を提供することを目的として鋭意検討した結果、
有機発光層が、8−ヒドロキシキノリンを配位子とする
アルミニウム錯体と、8−ヒドロキシキノリンを配位子
としてアルミニウムとは異なる金属を中心金属とする金
属錯体の混合物とを含むことが好適であることを見い出
し、本発明を完成するに至った。
【0008】即ち、本発明の要旨は、基板上に、少なく
とも陽極及び陰極により挟持された有機発光層を有する
有機電界発光素子であって、有機発光層が、8−ヒドロ
キシキノリンを配位子とするアルミニウム錯体と、8−
ヒドロキシキノリンを配位子としてアルミニウムとは異
なる金属を中心金属とする金属錯体とを含むことを特徴
とする有機電界発光素子に存する。
とも陽極及び陰極により挟持された有機発光層を有する
有機電界発光素子であって、有機発光層が、8−ヒドロ
キシキノリンを配位子とするアルミニウム錯体と、8−
ヒドロキシキノリンを配位子としてアルミニウムとは異
なる金属を中心金属とする金属錯体とを含むことを特徴
とする有機電界発光素子に存する。
【0009】以下、本発明の有機電界発光素子について
添付図面に従い説明する。図1は、本発明における有機
電界発光素子の構造例を模式的に示す断面図であり、1
は基板、2a、2bは導電層、3は正孔輸送層、4は有
機発光層を各々表わす。基板1は、本発明の有機電界発
光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、
金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが
用いられるが、ガラス板や、ポリエステル、ポリメタア
クリレート、ポリカーボネート、ポリサルホンなどの透
明な合成樹脂基板が好ましい。
添付図面に従い説明する。図1は、本発明における有機
電界発光素子の構造例を模式的に示す断面図であり、1
は基板、2a、2bは導電層、3は正孔輸送層、4は有
機発光層を各々表わす。基板1は、本発明の有機電界発
光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、
金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが
用いられるが、ガラス板や、ポリエステル、ポリメタア
クリレート、ポリカーボネート、ポリサルホンなどの透
明な合成樹脂基板が好ましい。
【0010】基板1上には導電層2aが設けられるが、
この導電層2aとしては、通常、アルミニウム、金、
銀、ニッケル、パラジウム、テルル等の金属、インジウ
ム及び/又はスズの酸化物などの金属酸化物やヨウ化
銅、カーボンブラック、あるいは、ポリ(3−メチルチ
オフェン)等の導電性高分子などにより構成される。導
電層の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法など
により行われることが多いが、銀などの金属微粒子ある
いはヨウ化銅、カーボンブラック、導電性の金属酸化物
微粒子、導電性高分子微粉末などの場合には、適当なバ
インダー樹脂溶液に分散し、基板上に塗布することによ
り形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合
は電解重合により直接基板上に薄膜を形成したり、基板
上に塗布して形成することもできる(Appl.Phy
s.Lett.,60巻,2711頁,1992年)。
上記の導電層は異なる物質を積層することも可能であ
る。導電層2aの厚みは、必要とする透明性により異な
るが、透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率が
60%以上、好ましくは80%以上透過することが望ま
しく、この場合、厚みは、通常、5〜1000nm、好
ましくは10〜500nm程度である。
この導電層2aとしては、通常、アルミニウム、金、
銀、ニッケル、パラジウム、テルル等の金属、インジウ
ム及び/又はスズの酸化物などの金属酸化物やヨウ化
銅、カーボンブラック、あるいは、ポリ(3−メチルチ
オフェン)等の導電性高分子などにより構成される。導
電層の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法など
により行われることが多いが、銀などの金属微粒子ある
いはヨウ化銅、カーボンブラック、導電性の金属酸化物
微粒子、導電性高分子微粉末などの場合には、適当なバ
インダー樹脂溶液に分散し、基板上に塗布することによ
り形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合
は電解重合により直接基板上に薄膜を形成したり、基板
上に塗布して形成することもできる(Appl.Phy
s.Lett.,60巻,2711頁,1992年)。
上記の導電層は異なる物質を積層することも可能であ
る。導電層2aの厚みは、必要とする透明性により異な
るが、透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率が
60%以上、好ましくは80%以上透過することが望ま
しく、この場合、厚みは、通常、5〜1000nm、好
ましくは10〜500nm程度である。
【0011】不透明でよい場合は導電層2aは基板1と
同一でもよい。また、さらには上記の導電層を異なる物
質で積層することも可能である。図1の例では、導電層
2aは陽極(アノード)として正孔注入の役割を果たす
ものである。一方、導電層2bは、陰極(カソード)と
して、有機発光層4に電子を注入する役割を果たす。導
電層2bとして用いられる材料は、前記導電層2a用の
材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を
行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マ
グネシウム、インジウム、アルミニウム、銀等の適当な
金属又はそれらの合金が用いられる。導電層2bの膜厚
は通常、導電層2aと同様である。また、図1には示し
てはいないが、導電層2bの上にさらに基板1と同様の
基板を設けることもできる。但し、導電層2aと2bの
少なくとも一方は透明性の良いことがEL素子としては
必要である。このことから、導電層2aと2bの一方
は、10〜500nmの膜厚であることが好ましく、透
明性の良いことが望まれる。
同一でもよい。また、さらには上記の導電層を異なる物
質で積層することも可能である。図1の例では、導電層
2aは陽極(アノード)として正孔注入の役割を果たす
ものである。一方、導電層2bは、陰極(カソード)と
して、有機発光層4に電子を注入する役割を果たす。導
電層2bとして用いられる材料は、前記導電層2a用の
材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を
行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マ
グネシウム、インジウム、アルミニウム、銀等の適当な
金属又はそれらの合金が用いられる。導電層2bの膜厚
は通常、導電層2aと同様である。また、図1には示し
てはいないが、導電層2bの上にさらに基板1と同様の
基板を設けることもできる。但し、導電層2aと2bの
少なくとも一方は透明性の良いことがEL素子としては
必要である。このことから、導電層2aと2bの一方
は、10〜500nmの膜厚であることが好ましく、透
明性の良いことが望まれる。
【0012】導電層2aの上には正孔輸送層3が設けら
れるが、、正孔輸送材料としては、導電層2aからの正
孔注入効率が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸
送することができる材料であることが必要である。その
ためには、イオン化ポテンシャルが小さく、しかも正孔
移動度が大きく、さらに安定性にすぐれ、トラップとな
る不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが要求さ
れる。
れるが、、正孔輸送材料としては、導電層2aからの正
孔注入効率が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸
送することができる材料であることが必要である。その
ためには、イオン化ポテンシャルが小さく、しかも正孔
移動度が大きく、さらに安定性にすぐれ、トラップとな
る不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが要求さ
れる。
【0013】このような正孔輸送化合物としては、例え
ば、特開昭59−194393号公報、米国特許第4,
175,960号、米国特許第4,923,774号及
び米国特許第5,047,687号に解説される、N,
N’−ジフェニル−N,N’−(3−メチルフェニル)
−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン:1,
1’−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シク
ロヘキサン:4,4’−ビス(ジフェニルアミノ)クワ
ドロフェニルなどの芳香族アミン系化合物、特開平2−
311591号公報に示されるヒドラゾン化合物、米国
特許第4,950,950号公報に示されるシラザン化
合物、キナクリドン化合物等が挙げられる。これらの化
合物は、単独で用いるか、必要に応じて、各々、混合し
て用いてもよい。上記の化合物以外に、ポリビニルカル
バゾールやポリシラン(Appl.Phys.Let
t.,59巻,2760頁,1991年)等の高分子材
料が挙げられる。
ば、特開昭59−194393号公報、米国特許第4,
175,960号、米国特許第4,923,774号及
び米国特許第5,047,687号に解説される、N,
N’−ジフェニル−N,N’−(3−メチルフェニル)
−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン:1,
1’−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シク
ロヘキサン:4,4’−ビス(ジフェニルアミノ)クワ
ドロフェニルなどの芳香族アミン系化合物、特開平2−
311591号公報に示されるヒドラゾン化合物、米国
特許第4,950,950号公報に示されるシラザン化
合物、キナクリドン化合物等が挙げられる。これらの化
合物は、単独で用いるか、必要に応じて、各々、混合し
て用いてもよい。上記の化合物以外に、ポリビニルカル
バゾールやポリシラン(Appl.Phys.Let
t.,59巻,2760頁,1991年)等の高分子材
料が挙げられる。
【0014】上記の有機正孔輸送材料を塗布法あるいは
真空蒸着法により前記導電層2a上に積層することによ
り正孔輸送層3を形成する。塗布の場合は、有機正孔輸
送化合物を1種又は2種以上と必要により正孔のトラッ
プにならないバインダー樹脂や、レベリング剤等の塗布
性改良剤などの添加剤を添加し溶解した塗布溶液を調整
し、スピンコート法などの方法により導電層2a上に塗
布し、乾燥して有機正孔輸送層3を形成する。バインダ
ー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、
ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量
が多いと正孔移動度を低下させるので、少ない方が望ま
しく、50重量%以下が好ましい。
真空蒸着法により前記導電層2a上に積層することによ
り正孔輸送層3を形成する。塗布の場合は、有機正孔輸
送化合物を1種又は2種以上と必要により正孔のトラッ
プにならないバインダー樹脂や、レベリング剤等の塗布
性改良剤などの添加剤を添加し溶解した塗布溶液を調整
し、スピンコート法などの方法により導電層2a上に塗
布し、乾燥して有機正孔輸送層3を形成する。バインダ
ー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、
ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量
が多いと正孔移動度を低下させるので、少ない方が望ま
しく、50重量%以下が好ましい。
【0015】真空蒸着法の場合には、有機正孔輸送材料
を真空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を
適当な真空ポンプで10-6Torrにまで排気した後、
ルツボを加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、ルツボと
向き合って置かれた基板上に層を形成する。正孔輸送層
3の膜厚は、通常、10〜300nm、好ましくは30
〜100nmである。この様に薄い膜を一様に形成する
ためには、真空蒸着法がよく用いられる。
を真空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を
適当な真空ポンプで10-6Torrにまで排気した後、
ルツボを加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、ルツボと
向き合って置かれた基板上に層を形成する。正孔輸送層
3の膜厚は、通常、10〜300nm、好ましくは30
〜100nmである。この様に薄い膜を一様に形成する
ためには、真空蒸着法がよく用いられる。
【0016】正孔輸送層3の材料としては有機化合物の
代わりに無機材料を使用することも可能である。無機材
料に要求される条件は、有機正孔輸送化合物と同じであ
る。正孔輸送層3に用いられる無機材料としては、p型
水素化非晶質シリコン、p型水素化非晶質炭化シリコ
ン、p型水素化微結晶性炭化シリコン、あるいは、p型
硫化亜鉛、p型セレン化亜鉛等が挙げられる。これらの
無機正孔輸送層はCVD法、プラズマCVD法、真空蒸
着法、スパッタ法等により形成される。
代わりに無機材料を使用することも可能である。無機材
料に要求される条件は、有機正孔輸送化合物と同じであ
る。正孔輸送層3に用いられる無機材料としては、p型
水素化非晶質シリコン、p型水素化非晶質炭化シリコ
ン、p型水素化微結晶性炭化シリコン、あるいは、p型
硫化亜鉛、p型セレン化亜鉛等が挙げられる。これらの
無機正孔輸送層はCVD法、プラズマCVD法、真空蒸
着法、スパッタ法等により形成される。
【0017】無機正孔輸送層の膜厚も有機正孔輸送層と
同様に、通常、10〜300nm、好ましくは30〜1
00nmである。正孔輸送層3の上には有機発光層4が
設けられるが、有機発光層4は、電界を与えられた電極
間において陰極からの電子を効率よく正孔輸送層の方向
に輸送することができる化合物より形成される。
同様に、通常、10〜300nm、好ましくは30〜1
00nmである。正孔輸送層3の上には有機発光層4が
設けられるが、有機発光層4は、電界を与えられた電極
間において陰極からの電子を効率よく正孔輸送層の方向
に輸送することができる化合物より形成される。
【0018】有機発光層4に用いられる化合物として
は、導電層2bからの電子注入効率が高く、かつ、注入
された電子を効率よく輸送することができる化合物であ
ることが必要である。そのためには、電子親和力が大き
く、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性にすぐれ
トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくい
化合物であることが要求される。また、正孔と電子の再
結合の際に発光をもたらす役割も求られる。さらに、均
一な薄膜形状を与えることも素子の安定性の点で重要で
ある。
は、導電層2bからの電子注入効率が高く、かつ、注入
された電子を効率よく輸送することができる化合物であ
ることが必要である。そのためには、電子親和力が大き
く、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性にすぐれ
トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくい
化合物であることが要求される。また、正孔と電子の再
結合の際に発光をもたらす役割も求られる。さらに、均
一な薄膜形状を与えることも素子の安定性の点で重要で
ある。
【0019】本発明においては、有機発光層4の主成分
は8−ヒドロキシキノリンを配位子とするアルミニウム
錯体であり、混合する成分は8−ヒドロキシキノリンを
配位子してアルミニウムとは異なる金属を中心金属とす
る金属錯体である。ここで、本発明における8−ヒドロ
キシキノリンとはその誘導体も含んでいる。本発明で用
いる8−ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体の
構造式を以下の一般式(I)に示す。
は8−ヒドロキシキノリンを配位子とするアルミニウム
錯体であり、混合する成分は8−ヒドロキシキノリンを
配位子してアルミニウムとは異なる金属を中心金属とす
る金属錯体である。ここで、本発明における8−ヒドロ
キシキノリンとはその誘導体も含んでいる。本発明で用
いる8−ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体の
構造式を以下の一般式(I)に示す。
【0020】
【化1】
【0021】上記一般式(I)において、R1 ないしR
6 は、好ましくは、水素原子;塩素原子、臭素原子、ヨ
ウ素原子等のハロゲン原子;メチル基、エチル基等の炭
素数1〜6のアルキル基;α−ハロアルキル基;ベンジ
ル基、フェネチル基等のアラルキル基;シアノ基;スル
フォニル基;アミノ基、ジメチルアミノ基;メトキシカ
ルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数1〜6の
アルコキシカルボニル基;カルボキシル基;メトキシ
基、エトキシ基等の炭素数1〜6のアルコキシ基;α−
ハロアルコキシ基;フェニル基、ナフチル基、アセナフ
チル基、アントリル基等の芳香族炭化水素基;ピリジル
基、チエニル基、フリル基等の芳香族複素環基等を示
す;これらの芳香族炭化水素基または芳香族複素環基に
置換する置換基としてはメチル基、エチル基等の炭素数
1〜6のアルキル基;メトキシ基等の低級アルコキシ
基;フェノキシ基、トリオキシ基等のアリールオキシ
基;ベンジルオキシ基等のアリールアルコキシ基;フェ
ニル基、ナフチル基等のアリール基;ジメチルアミノ基
等の置換アミノ基等が挙げられる。特に好ましくは、水
素原子、塩素原子等のハロゲン原子、炭素数1〜6のア
ルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基が選ばれる。
6 は、好ましくは、水素原子;塩素原子、臭素原子、ヨ
ウ素原子等のハロゲン原子;メチル基、エチル基等の炭
素数1〜6のアルキル基;α−ハロアルキル基;ベンジ
ル基、フェネチル基等のアラルキル基;シアノ基;スル
フォニル基;アミノ基、ジメチルアミノ基;メトキシカ
ルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数1〜6の
アルコキシカルボニル基;カルボキシル基;メトキシ
基、エトキシ基等の炭素数1〜6のアルコキシ基;α−
ハロアルコキシ基;フェニル基、ナフチル基、アセナフ
チル基、アントリル基等の芳香族炭化水素基;ピリジル
基、チエニル基、フリル基等の芳香族複素環基等を示
す;これらの芳香族炭化水素基または芳香族複素環基に
置換する置換基としてはメチル基、エチル基等の炭素数
1〜6のアルキル基;メトキシ基等の低級アルコキシ
基;フェノキシ基、トリオキシ基等のアリールオキシ
基;ベンジルオキシ基等のアリールアルコキシ基;フェ
ニル基、ナフチル基等のアリール基;ジメチルアミノ基
等の置換アミノ基等が挙げられる。特に好ましくは、水
素原子、塩素原子等のハロゲン原子、炭素数1〜6のア
ルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基が選ばれる。
【0022】さらに好ましくは、R1 は水素原子、メチ
ル基等のアルキル基、R2 は水素原子、R3 は水素原
子;メチル基、エチル基等のアルキル基;メトキシ基等
のアルコキシ基、R4 およびR5 は水素原子;塩素原
子、臭素原子等のハロゲン原子;シアノ基;スルフォニ
ル基、R6 は水素原子、メチル基等のアルキル基から各
々選ばれる。
ル基等のアルキル基、R2 は水素原子、R3 は水素原
子;メチル基、エチル基等のアルキル基;メトキシ基等
のアルコキシ基、R4 およびR5 は水素原子;塩素原
子、臭素原子等のハロゲン原子;シアノ基;スルフォニ
ル基、R6 は水素原子、メチル基等のアルキル基から各
々選ばれる。
【0023】上記一般式(I)において、Mは金属原子
を表し、好ましくは亜鉛、ベリリウム、マグネシウム、
カルシウム、ストロンチウム、カドミウム、アルミニウ
ム、ガリウム、インジウム、イットリウム、スカンジウ
ム等が挙げられる。nは金属原子の価数により決定する
数であり、2価の金属の場合は2、3価の金属の場合は
3である。
を表し、好ましくは亜鉛、ベリリウム、マグネシウム、
カルシウム、ストロンチウム、カドミウム、アルミニウ
ム、ガリウム、インジウム、イットリウム、スカンジウ
ム等が挙げられる。nは金属原子の価数により決定する
数であり、2価の金属の場合は2、3価の金属の場合は
3である。
【0024】本発明において、有機発光層4の主成分
は、8−ヒドロキシキノリンを配位子とするアルミニウ
ム錯体である。混合する成分としては、特に8−ヒドロ
キシキノリンが2配位となる金属錯体が均一な非晶質膜
を形成するために好ましく、この様な中心金属として
は、亜鉛、ベリリウム、マグネシウム、カルシウムが挙
げられる。
は、8−ヒドロキシキノリンを配位子とするアルミニウ
ム錯体である。混合する成分としては、特に8−ヒドロ
キシキノリンが2配位となる金属錯体が均一な非晶質膜
を形成するために好ましく、この様な中心金属として
は、亜鉛、ベリリウム、マグネシウム、カルシウムが挙
げられる。
【0025】主成分であるアルミニウム錯体の好ましい
具体例を以下に示すが、これらに限定するものではな
い。トリス(8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウ
ム、トリス(3,4−ジメチル−8−ヒドロキシキノリ
ノラト)アルミニウム、トリス(4−メチル−8−ヒド
ロキシキノリノラト)アルミニウム、トリス(4−メト
キシ−8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム、ト
リス(4,5−ジメチル−8−ヒドロキシキノリノラ
ト)アルミニウム、トリス(4,6−ジメチル−8−ヒ
ドロキシキノリノラト)アルミニウム、トリス(5−ク
ロロ−8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム、ト
リス(5−ブロモ−8−ヒドロキシキノリノラト)アル
ミニウム、トリス(5,7−ジクロロ−8−ヒドロキシ
キノリノラト)アルミニウム、トリス(5−シアノ−8
−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム、トリス(5
−スルフォニル−8−ヒドロキシキノリノラト)アルミ
ニウム、トリス(7−n−プロピル−8−ヒドロキシキ
ノリノラト)アルミニウム
具体例を以下に示すが、これらに限定するものではな
い。トリス(8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウ
ム、トリス(3,4−ジメチル−8−ヒドロキシキノリ
ノラト)アルミニウム、トリス(4−メチル−8−ヒド
ロキシキノリノラト)アルミニウム、トリス(4−メト
キシ−8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム、ト
リス(4,5−ジメチル−8−ヒドロキシキノリノラ
ト)アルミニウム、トリス(4,6−ジメチル−8−ヒ
ドロキシキノリノラト)アルミニウム、トリス(5−ク
ロロ−8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム、ト
リス(5−ブロモ−8−ヒドロキシキノリノラト)アル
ミニウム、トリス(5,7−ジクロロ−8−ヒドロキシ
キノリノラト)アルミニウム、トリス(5−シアノ−8
−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム、トリス(5
−スルフォニル−8−ヒドロキシキノリノラト)アルミ
ニウム、トリス(7−n−プロピル−8−ヒドロキシキ
ノリノラト)アルミニウム
【0026】混合成分であるアルミニウムと異なる金属
を中心金属とする金属錯体の具体例を以下に示すが、こ
れらに限定するものではない。ビス(8−ヒドロキシキ
ノリノラト)亜鉛、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシ
キノリノラト)亜鉛、ビス(2,4−ジメチル−8−ヒ
ドロキシキノリノラト)亜鉛、ビス(2−メチル−5−
クロロ−8−ヒドロキシキノリノラト)亜鉛、ビス(2
−メチル−5−シアノ−8−ヒドロキシキノリノラト)
亜鉛、ビス(3,4−ジメチル−8−ヒドロキシキノリ
ノラト)亜鉛、ビス(4,6−ジメチル−8−ヒドロキ
シキノリノラト)亜鉛、ビス(5−クロロ−8−ヒドロ
キシキノリノラト)亜鉛、ビス(5,7−ジクロロ−8
−ヒドロキシキノリノラト)亜鉛;ビス(8−ヒドロキ
シキノリノラト)ベリリウム、ビス(2−メチル−8−
ヒドロキシキノリノラト)ベリリウム、ビス(2,4−
ジメチル−8−ヒドロキシキノリノラト)ベリリウム、
ビス(2−メチル−5−クロロ−8−ヒドロキシキノリ
ノラト)ベリリウム、ビス(2−メチル−5−シアノ−
8−ヒドロキシキノリノラト)ベリリウム、ビス(3,
4−ジメチル−8−ヒドロキシキノリノラト)ベリリウ
ム、ビス(4,6−ジメチル−8−ヒドロキシキノリノ
ラト)ベリリウム、ビス(5−クロロ−8−ヒドロキシ
キノリノラト)ベリリウム、ビス(5,7−ジクロロ−
8−ヒドロキシキノリノラト)ベリリウム;ビス(8−
ヒドロキシキノリノラト)マグネシウム、ビス(2−メ
チル−8−ヒドロキシキノリノラト)マグネシウム、ビ
ス(2,4−ジメチル−8−ヒドロキシキノリノラト)
マグネシウム、ビス(2−メチル−5−クロロ−8−ヒ
ドロキシキノリノラト)マグネシウム、ビス(2−メチ
ル−5−シアノ−8−ヒドロキシキノリノラト)マグネ
シウム、ビス(3,4−ジメチル−8−ヒドロキシキノ
リノラト)マグネシウム、ビス(4,6−ジメチル−8
−ヒドロキシキノリノラト)マグネシウム、ビス(5−
クロロ−8−ヒドロキシキノリノラト)マグネシウム、
ビス(5,7−ジクロロ−8−ヒドロキシキノリノラ
ト)マグネシウム尚、主成分であるアルミニウム錯体と
混合成分である金属錯体の配位子となる8−ヒドロキシ
キノリンは、同じであっても、異なっていてもよい。
を中心金属とする金属錯体の具体例を以下に示すが、こ
れらに限定するものではない。ビス(8−ヒドロキシキ
ノリノラト)亜鉛、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシ
キノリノラト)亜鉛、ビス(2,4−ジメチル−8−ヒ
ドロキシキノリノラト)亜鉛、ビス(2−メチル−5−
クロロ−8−ヒドロキシキノリノラト)亜鉛、ビス(2
−メチル−5−シアノ−8−ヒドロキシキノリノラト)
亜鉛、ビス(3,4−ジメチル−8−ヒドロキシキノリ
ノラト)亜鉛、ビス(4,6−ジメチル−8−ヒドロキ
シキノリノラト)亜鉛、ビス(5−クロロ−8−ヒドロ
キシキノリノラト)亜鉛、ビス(5,7−ジクロロ−8
−ヒドロキシキノリノラト)亜鉛;ビス(8−ヒドロキ
シキノリノラト)ベリリウム、ビス(2−メチル−8−
ヒドロキシキノリノラト)ベリリウム、ビス(2,4−
ジメチル−8−ヒドロキシキノリノラト)ベリリウム、
ビス(2−メチル−5−クロロ−8−ヒドロキシキノリ
ノラト)ベリリウム、ビス(2−メチル−5−シアノ−
8−ヒドロキシキノリノラト)ベリリウム、ビス(3,
4−ジメチル−8−ヒドロキシキノリノラト)ベリリウ
ム、ビス(4,6−ジメチル−8−ヒドロキシキノリノ
ラト)ベリリウム、ビス(5−クロロ−8−ヒドロキシ
キノリノラト)ベリリウム、ビス(5,7−ジクロロ−
8−ヒドロキシキノリノラト)ベリリウム;ビス(8−
ヒドロキシキノリノラト)マグネシウム、ビス(2−メ
チル−8−ヒドロキシキノリノラト)マグネシウム、ビ
ス(2,4−ジメチル−8−ヒドロキシキノリノラト)
マグネシウム、ビス(2−メチル−5−クロロ−8−ヒ
ドロキシキノリノラト)マグネシウム、ビス(2−メチ
ル−5−シアノ−8−ヒドロキシキノリノラト)マグネ
シウム、ビス(3,4−ジメチル−8−ヒドロキシキノ
リノラト)マグネシウム、ビス(4,6−ジメチル−8
−ヒドロキシキノリノラト)マグネシウム、ビス(5−
クロロ−8−ヒドロキシキノリノラト)マグネシウム、
ビス(5,7−ジクロロ−8−ヒドロキシキノリノラ
ト)マグネシウム尚、主成分であるアルミニウム錯体と
混合成分である金属錯体の配位子となる8−ヒドロキシ
キノリンは、同じであっても、異なっていてもよい。
【0027】混合成分が有機発光層に混合される濃度と
しては、1〜80モル%の範囲が好ましく、特に、10
から50モル%が好ましい。有機発光層4の膜厚は、通
常、10〜200nm、好ましくは30〜100nmで
ある。本発明においては、有機発光層が8−ヒドロキシ
キノリンのアルミニウム錯体と、8−ヒドロキシキノリ
ンを配位子とするアルミニウムとは異なる金属を中心金
属とする金属錯体とを含有することにより、耐熱性のあ
る、長期の駆動に対しても安定した発光特性を示す素子
を得ることができる。
しては、1〜80モル%の範囲が好ましく、特に、10
から50モル%が好ましい。有機発光層4の膜厚は、通
常、10〜200nm、好ましくは30〜100nmで
ある。本発明においては、有機発光層が8−ヒドロキシ
キノリンのアルミニウム錯体と、8−ヒドロキシキノリ
ンを配位子とするアルミニウムとは異なる金属を中心金
属とする金属錯体とを含有することにより、耐熱性のあ
る、長期の駆動に対しても安定した発光特性を示す素子
を得ることができる。
【0028】素子の発光効率を向上させるとともに発光
色を変える目的で、例えば、8−ヒドロキシキノリンの
アルミニウム錯体をホスト材料として、クマリン等のレ
ーザ用蛍光色素をドープすること(J.Appl.Ph
ys.,65巻,3610頁,1989年)も行われて
いる。本発明においても、上記の有機発光層にレーザ色
素等の有機蛍光体を10-3〜10モル%ドープすること
により、素子の発光特性をさらに向上させることができ
る。
色を変える目的で、例えば、8−ヒドロキシキノリンの
アルミニウム錯体をホスト材料として、クマリン等のレ
ーザ用蛍光色素をドープすること(J.Appl.Ph
ys.,65巻,3610頁,1989年)も行われて
いる。本発明においても、上記の有機発光層にレーザ色
素等の有機蛍光体を10-3〜10モル%ドープすること
により、素子の発光特性をさらに向上させることができ
る。
【0029】本発明における有機電界発光素子の構造と
しては、以下に示すような層構成のものが挙げられる。
しては、以下に示すような層構成のものが挙げられる。
【0030】
【表1】 陽極/有機正孔輸送層/有機発光層/陰極 陽極/高分子正孔輸送層/有機発光層/陰極 陽極/無機正孔輸送層/有機発光層/陰極 陽極/有機発光層/電子輸送層/陰極 陽極/有機正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/陰極 陽極/有機正孔輸送層/有機発光層/界面層/陰極 陽極/有機正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/界面
層/陰極 上記の層構成において、電子輸送層は素子の効率をさら
に向上するためのものであり、有機発光層の上に積層さ
れる。この電子輸送層に用いられる化合物には、陰極か
らの電子注入が容易で、電子の輸送能力がさらに大きい
ことが要求される。この様な電子輸送材料としては、
層/陰極 上記の層構成において、電子輸送層は素子の効率をさら
に向上するためのものであり、有機発光層の上に積層さ
れる。この電子輸送層に用いられる化合物には、陰極か
らの電子注入が容易で、電子の輸送能力がさらに大きい
ことが要求される。この様な電子輸送材料としては、
【0031】
【化2】
【0032】
【化3】
【0033】などのオキサジアゾール誘導体(App
l.Phys.Lett.,55巻,1489頁,19
89年;Jpn.J.Appl.Phys.,31巻,
1812頁,1992年)やそれらをポリメチルチタク
リレート等の樹脂に分散した系(Appl.Phys.
Lett.,61巻,2793頁,1992年)、又
は、n型水素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n
型セレン化亜鉛等が挙げられる。電子輸送層の膜厚は、
通常、5〜200nm、好ましくは10〜100nmで
ある。
l.Phys.Lett.,55巻,1489頁,19
89年;Jpn.J.Appl.Phys.,31巻,
1812頁,1992年)やそれらをポリメチルチタク
リレート等の樹脂に分散した系(Appl.Phys.
Lett.,61巻,2793頁,1992年)、又
は、n型水素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n
型セレン化亜鉛等が挙げられる。電子輸送層の膜厚は、
通常、5〜200nm、好ましくは10〜100nmで
ある。
【0034】また、上記の層構成において、界面層は陰
極と有機層とのコンタクトを向上させるためのもので、
芳香族ジアミン化合物(特願平5−48075号)、キ
ナクリドン化合物(特願平5−116204号)、ナフ
タセン誘導体(特願平5−116205号)、有機シリ
コン化合物(特願平5−116206号)、有機リン化
合物(特願平5−116207号)等が挙げられる。前
記界面層の膜厚は、通常、2〜100nm、好ましくは
5〜30nmである。界面層を設ける代わりに、有機発
光層及び電子輸送層の陰極界面近傍に上記界面層材料を
50モル%以上含む領域を設けてもよい。
極と有機層とのコンタクトを向上させるためのもので、
芳香族ジアミン化合物(特願平5−48075号)、キ
ナクリドン化合物(特願平5−116204号)、ナフ
タセン誘導体(特願平5−116205号)、有機シリ
コン化合物(特願平5−116206号)、有機リン化
合物(特願平5−116207号)等が挙げられる。前
記界面層の膜厚は、通常、2〜100nm、好ましくは
5〜30nmである。界面層を設ける代わりに、有機発
光層及び電子輸送層の陰極界面近傍に上記界面層材料を
50モル%以上含む領域を設けてもよい。
【0035】上記の層構成において、真空蒸着により連
続して形成される層については、有機発光層以外の層に
対しても有機発光層と同じ基板温度を採用することが、
プロセス上は好ましい。例えば、陽極/有機正孔輸送層
/有機発光層/陰極、という層構成においては、有機正
孔輸送層と有機発光層は連続して同一基板温度で形成す
る。陽極/高分子正孔輸送/有機発光層/陰極や陽極/
無機正孔輸送層/有機発光層/陰極といった層構成で
は、有機発光層のみ基板を加熱して真空蒸着で形成す
る。
続して形成される層については、有機発光層以外の層に
対しても有機発光層と同じ基板温度を採用することが、
プロセス上は好ましい。例えば、陽極/有機正孔輸送層
/有機発光層/陰極、という層構成においては、有機正
孔輸送層と有機発光層は連続して同一基板温度で形成す
る。陽極/高分子正孔輸送/有機発光層/陰極や陽極/
無機正孔輸送層/有機発光層/陰極といった層構成で
は、有機発光層のみ基板を加熱して真空蒸着で形成す
る。
【0036】尚、図1とは逆の構造、即ち、基板上に導
電層2b、有機発光層4、正孔輸送層3、導電層2aの
順に積層することも可能であり、前述した様に少なくと
も一方が透明性の高い2枚の基板の間に本発明の有機電
界発光素子を設けることも可能である。同様に、前記各
層構成とは逆の構造に積層することも可能である。
電層2b、有機発光層4、正孔輸送層3、導電層2aの
順に積層することも可能であり、前述した様に少なくと
も一方が透明性の高い2枚の基板の間に本発明の有機電
界発光素子を設けることも可能である。同様に、前記各
層構成とは逆の構造に積層することも可能である。
【0037】
【実施例】次に、本発明を実施例によって更に具体的に
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の
実施例の記載に限定されるものではない。 実施例1 有機正孔輸送層と有機発光層の積層膜を以下の方法で作
製した。
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の
実施例の記載に限定されるものではない。 実施例1 有機正孔輸送層と有機発光層の積層膜を以下の方法で作
製した。
【0038】ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物
(ITO)透明導電膜を120nm堆積したものをアセ
トンで超音波洗浄、純水で水洗、イソプロピルアルコー
ルで超音波洗浄、乾燥窒素で乾燥、UV/オゾン洗浄を
行った後、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度
が2×10-6Torr以下になるまで液体窒素トラップ
を備えた油拡散ポンプを用いて排気した。
(ITO)透明導電膜を120nm堆積したものをアセ
トンで超音波洗浄、純水で水洗、イソプロピルアルコー
ルで超音波洗浄、乾燥窒素で乾燥、UV/オゾン洗浄を
行った後、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度
が2×10-6Torr以下になるまで液体窒素トラップ
を備えた油拡散ポンプを用いて排気した。
【0039】有機正孔輸送層材料として、下記構造式
(H1)で示されるN,N’−ジフェニル−N,N’−
(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,
4’−ジアミン
(H1)で示されるN,N’−ジフェニル−N,N’−
(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,
4’−ジアミン
【0040】
【化4】
【0041】をセラミックるつぼに入れ、るつぼの周囲
のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。この時
のるつぼの温度は、160〜170℃の範囲で制御し
た。蒸着時の真空度は2×10-6Torrで、蒸着時間
3分で膜厚60nmの有機正孔輸送層を得た。次に、有
機発光層の材料として、下記構造式(E1)および(E
2)で示される8−ヒドロキシキノリンの金属錯体
のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。この時
のるつぼの温度は、160〜170℃の範囲で制御し
た。蒸着時の真空度は2×10-6Torrで、蒸着時間
3分で膜厚60nmの有機正孔輸送層を得た。次に、有
機発光層の材料として、下記構造式(E1)および(E
2)で示される8−ヒドロキシキノリンの金属錯体
【0042】
【化5】
【0043】
【化6】
【0044】を、各々、セラミックるつぼに入れ、るつ
ぼの周囲のタンタル線ヒーターで加熱して2元同時蒸着
を行った。この時のるつぼの温度は、アルミニウム錯体
(E1)に対しては220〜230℃の範囲で、亜鉛錯
体(E2)に対しては230〜240℃の範囲で制御し
た。蒸着時の真空度は2×10-6Torrで、蒸着時間
3分で、(E2)の混合濃度が15モル%で、膜厚75
nmの有機発光層を得た。この積層膜を蒸着後、真空蒸
着装置から取り出して、電子顕微鏡(SEM)による観
察(2万倍)を行ったところ、均一性にすぐれた欠陥の
ない膜であった。
ぼの周囲のタンタル線ヒーターで加熱して2元同時蒸着
を行った。この時のるつぼの温度は、アルミニウム錯体
(E1)に対しては220〜230℃の範囲で、亜鉛錯
体(E2)に対しては230〜240℃の範囲で制御し
た。蒸着時の真空度は2×10-6Torrで、蒸着時間
3分で、(E2)の混合濃度が15モル%で、膜厚75
nmの有機発光層を得た。この積層膜を蒸着後、真空蒸
着装置から取り出して、電子顕微鏡(SEM)による観
察(2万倍)を行ったところ、均一性にすぐれた欠陥の
ない膜であった。
【0045】比較例1 有機発光層に亜鉛錯体(E2)を混合しないで、アルミ
ニウム錯体(E1)のみを用いて膜厚75nmの有機発
光層としたこと以外は、実施例1と同様にしてITOガ
ラス基板上に積層膜を形成した。この積層膜のSEM観
察(2万倍)を行ったところ、100nm程度の大きさ
を有するボイド状の欠陥が84μm2 当りに15個の数
密度で観測された。次いで、同様に亜鉛錯体(E2)の
みで有機発光層を形成したが、上記と同程度の膜欠陥が
観測された。
ニウム錯体(E1)のみを用いて膜厚75nmの有機発
光層としたこと以外は、実施例1と同様にしてITOガ
ラス基板上に積層膜を形成した。この積層膜のSEM観
察(2万倍)を行ったところ、100nm程度の大きさ
を有するボイド状の欠陥が84μm2 当りに15個の数
密度で観測された。次いで、同様に亜鉛錯体(E2)の
みで有機発光層を形成したが、上記と同程度の膜欠陥が
観測された。
【0046】実施例2 図1に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法
で作製した。ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物
(ITO)透明導電膜を120nm堆積したものをアセ
トンで超音波洗浄、純水で水洗、イソプロピルアルコー
ルで超音波洗浄、乾燥窒素で乾燥、UV/オゾン洗浄を
行った後、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度
が2×10-6Torr以下になるまで液体窒素トラップ
を備えた油拡散ポンプを用いて排気した。
で作製した。ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物
(ITO)透明導電膜を120nm堆積したものをアセ
トンで超音波洗浄、純水で水洗、イソプロピルアルコー
ルで超音波洗浄、乾燥窒素で乾燥、UV/オゾン洗浄を
行った後、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度
が2×10-6Torr以下になるまで液体窒素トラップ
を備えた油拡散ポンプを用いて排気した。
【0047】実施例1と同様にして、芳香族ジアミン
(H1)から成る有機正孔輸送層(膜厚60nm)を形
成後、アルミニウム錯体(E1)と亜鉛錯体(E2)の
混合物から成る有機発光層(実施例1と同一条件)を積
層した。最後に、陰極として、マグネシウムと銀の合金
電極を2元同時蒸着法によって膜厚150nmで蒸着し
た。蒸着はモリブデンボートを用いて、真空度は4×1
0-6Torr、蒸着時間は4分20秒で光沢のある膜が
得られた。マグネシウムと銀の原子比は10:1.5で
あった。
(H1)から成る有機正孔輸送層(膜厚60nm)を形
成後、アルミニウム錯体(E1)と亜鉛錯体(E2)の
混合物から成る有機発光層(実施例1と同一条件)を積
層した。最後に、陰極として、マグネシウムと銀の合金
電極を2元同時蒸着法によって膜厚150nmで蒸着し
た。蒸着はモリブデンボートを用いて、真空度は4×1
0-6Torr、蒸着時間は4分20秒で光沢のある膜が
得られた。マグネシウムと銀の原子比は10:1.5で
あった。
【0048】この様にして作製した有機電界発光素子の
ITO電極(陽極)にプラス、マグネシウム・銀合金電
極(陰極)にマイナスの直流電圧を印加してすると、こ
の素子は一様な黄色の発光を示し、発光のピーク波長は
570nmであった。素子の発光特性を表−1に示す。
ITO電極(陽極)にプラス、マグネシウム・銀合金電
極(陰極)にマイナスの直流電圧を印加してすると、こ
の素子は一様な黄色の発光を示し、発光のピーク波長は
570nmであった。素子の発光特性を表−1に示す。
【0049】比較例2 有機発光層をアルミニウム錯体(E1)のみで形成した
他は、実施例2と同様にして有機電界発光素子を作製し
た。この素子は緑色の発光を示し、発光のピーク波長は
530nmであった。素子の発光特性を表1に示す。 比較例3 有機発光層を亜鉛錯体(E1)のみを用いて形成したこ
と以外は、実施例2と同様にして有機電界発光素子を作
製した。この素子は緑色の発光を示し、発光のピーク波
長は570nmであった。素子の発光特性を表−1に示
す。
他は、実施例2と同様にして有機電界発光素子を作製し
た。この素子は緑色の発光を示し、発光のピーク波長は
530nmであった。素子の発光特性を表1に示す。 比較例3 有機発光層を亜鉛錯体(E1)のみを用いて形成したこ
と以外は、実施例2と同様にして有機電界発光素子を作
製した。この素子は緑色の発光を示し、発光のピーク波
長は570nmであった。素子の発光特性を表−1に示
す。
【0050】
【表2】
【0051】実施例3 図1に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法
で作製した。ITOガラス基板を実施例2と同様にして
洗浄して、真空蒸着装置内に設置して排気した。有機正
孔輸送層材料として、先に示した芳香族ジアミン(H
1)と下記構造式(H2)で示される芳香族ジアミン
で作製した。ITOガラス基板を実施例2と同様にして
洗浄して、真空蒸着装置内に設置して排気した。有機正
孔輸送層材料として、先に示した芳香族ジアミン(H
1)と下記構造式(H2)で示される芳香族ジアミン
【0052】
【化7】
【0053】を、各々セミックるつぼに入れ、るつぼの
周囲のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。こ
の時のるつぼの温度は、(H1)に対しては160〜1
70℃の範囲で、(H2)に対しては180〜200℃
の範囲で制御した。蒸着時の真空度は2×10-6Tor
rで、蒸着時間3分秒で、(H2)が50モル%混合さ
れた膜厚60nmの有機正孔輸送層3を得た。
周囲のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。こ
の時のるつぼの温度は、(H1)に対しては160〜1
70℃の範囲で、(H2)に対しては180〜200℃
の範囲で制御した。蒸着時の真空度は2×10-6Tor
rで、蒸着時間3分秒で、(H2)が50モル%混合さ
れた膜厚60nmの有機正孔輸送層3を得た。
【0054】次に、有機正孔輸送層3の上に、実施例1
と同様にして、アルミニウム錯体(E1)と亜鉛錯体
(E2)とから有機発光層4を形成した。この時の亜鉛
錯体(E2)の混合濃度は28モル%、膜厚は75nm
であった。最後に、陰極として、マグネシウムと銀の合
金電極を2元同時蒸着法によって膜厚150nmで蒸着
した。蒸着はモリブデンボートを用いて、真空度は4×
10-6Torr、蒸着時間は4分20秒で光沢のある膜
が得られた。マグネシウムと銀の原子比は10:1.5
であった。
と同様にして、アルミニウム錯体(E1)と亜鉛錯体
(E2)とから有機発光層4を形成した。この時の亜鉛
錯体(E2)の混合濃度は28モル%、膜厚は75nm
であった。最後に、陰極として、マグネシウムと銀の合
金電極を2元同時蒸着法によって膜厚150nmで蒸着
した。蒸着はモリブデンボートを用いて、真空度は4×
10-6Torr、蒸着時間は4分20秒で光沢のある膜
が得られた。マグネシウムと銀の原子比は10:1.5
であった。
【0055】上記の素子を窒素雰囲気中で15mA/c
m2 の電流密度で24時間エージングした後、定電流連
続駆動した時の発光輝度と駆動電圧の変化を表−2に示
す。輝度が初期輝度の50%に低下する時間は307時
間であった。
m2 の電流密度で24時間エージングした後、定電流連
続駆動した時の発光輝度と駆動電圧の変化を表−2に示
す。輝度が初期輝度の50%に低下する時間は307時
間であった。
【0056】
【表3】
【0057】比較例4 有機発光層4をアルミニウム錯体のみを用いて形成した
こと以外は、実施例3と同様にして有機電界発光素子を
作製した。上記の素子を窒素雰囲気中で15mA/cm
2 の電流密度で24時間エージングした後、定電流連続
駆動した時の発光輝度と駆動電圧の変化を表−3に示
す。この素子は168時間駆動後に短絡して破壊した。
こと以外は、実施例3と同様にして有機電界発光素子を
作製した。上記の素子を窒素雰囲気中で15mA/cm
2 の電流密度で24時間エージングした後、定電流連続
駆動した時の発光輝度と駆動電圧の変化を表−3に示
す。この素子は168時間駆動後に短絡して破壊した。
【0058】
【表4】
【0059】
【発明の効果】本発明によれば、耐熱性のある、長期の
駆動に対しても安定した発光特性を示す素子を得ること
ができる。従って、本発明の有機電界発光素子はフラッ
トパネル・ディスプレイ(例えばOAコンピュータ用や
壁掛けテレビ)や面発光体としての特徴を生かした光源
(例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類の
バックライト光源)、表示板、標識灯への応用が考えら
れ、その技術的価値は大きい。
駆動に対しても安定した発光特性を示す素子を得ること
ができる。従って、本発明の有機電界発光素子はフラッ
トパネル・ディスプレイ(例えばOAコンピュータ用や
壁掛けテレビ)や面発光体としての特徴を生かした光源
(例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類の
バックライト光源)、表示板、標識灯への応用が考えら
れ、その技術的価値は大きい。
【図1】本発明における有機電界発光素子の一例を示し
た模式断面図。
た模式断面図。
1 基板 2a、2b 導電層 3 正孔輸送層 4 有機発光層
Claims (2)
- 【請求項1】 基板上に、少なくとも陽極及び陰極によ
り挟持された有機発光層を有する有機電界発光素子であ
って、有機発光層が、8−ヒドロキシキノリンを配位子
とするアルミニウム錯体と、8−ヒドロキシキノリンを
配位子としてアルミニウムとは異なる金属を中心金属と
する金属錯体とを含むことを特徴とする有機電界発光素
子。 - 【請求項2】 有機発光層が、8−ヒドロキシキノリン
を配位子とするアルミニウム錯体と、8−ヒドロキシキ
ノリンを配位子として亜鉛、ベリリウム又はマグネシウ
ムを中心金属とする金属錯体とを含むものである請求項
1記載の有機電界発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5205376A JPH0753952A (ja) | 1993-08-19 | 1993-08-19 | 有機電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5205376A JPH0753952A (ja) | 1993-08-19 | 1993-08-19 | 有機電界発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0753952A true JPH0753952A (ja) | 1995-02-28 |
Family
ID=16505809
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5205376A Pending JPH0753952A (ja) | 1993-08-19 | 1993-08-19 | 有機電界発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0753952A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10302965A (ja) * | 1997-05-01 | 1998-11-13 | Minolta Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
JP2002198171A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機電界発光素子の製造方法 |
-
1993
- 1993-08-19 JP JP5205376A patent/JPH0753952A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10302965A (ja) * | 1997-05-01 | 1998-11-13 | Minolta Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
JP2002198171A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機電界発光素子の製造方法 |
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