JPH06267658A - 有機el素子 - Google Patents

有機el素子

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JPH06267658A
JPH06267658A JP5048075A JP4807593A JPH06267658A JP H06267658 A JPH06267658 A JP H06267658A JP 5048075 A JP5048075 A JP 5048075A JP 4807593 A JP4807593 A JP 4807593A JP H06267658 A JPH06267658 A JP H06267658A
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JP
Japan
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organic
layer
cathode
light emitting
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JP5048075A
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English (en)
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Hiroyuki Kanai
浩之 金井
Yoshiharu Sato
佳晴 佐藤
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Mitsubishi Kasei Corp
Original Assignee
Mitsubishi Kasei Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17Carrier injection layers
    • H10K50/171Electron injection layers

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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 長期にわたって安定に駆動させることができ
る有機EL素子を提供する。 【構成】 陽極、有機発光層、陰極を順次積層した有機
EL素子であって、前記有機発光層と前記陰極の間に芳
香族アミン化合物から成る界面層を設けたことを特徴と
する有機EL素子。 【効果】 低い駆動電圧で実用上十分な輝度の発光を得
ることができ、長期間安定した発光性能を示す。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は有機EL素子に関するも
のであり、詳しくは、有機化合物から成る発光層に電界
をかけて光を放出する薄膜型デバイスに関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来、薄膜型の電界発光(EL)素子と
しては、無機材料のII−VI族化合物半導体であるZn
S、CaS、SrS等に、発光中心であるMnや希土類
元素(Eu、Ce、Tb、Sm等)をドープしたものが
一般的であるが、上記の無機材料から作製したEL素子
は、 1)交流駆動が必要(50〜1000Hz)、 2)駆動電圧が高い(〜200V)、 3)フルカラー化が困難(特に青色が問題)、 4)周辺駆動回路のコストが高い、 という問題点を有している。
【0003】しかし、近年、上記問題点の改良のため、
有機薄膜を用いたEL素子の開発が行われるようになっ
た。特に、発光効率を高めるために電極からのキャリア
ー注入の効率向上を目的とした電極種類の最適化を行
い、芳香族ジアミンから成る有機正孔輸送層と8−ヒド
ロキシキノリンのアルミニウム錯体から成る発光層を設
けた有機EL素子の開発(Appl.Phys.Let
t.,51巻,913頁,1987年)により、従来の
アントラセン等の単結晶を用いたEL素子と比較して発
光効率の大幅な改善がなされている。
【0004】また、有機発光層としては、ポリ(p−フ
ェニレンビニレン)(Nature,347巻,539
頁,1990年;Appl.Phys.Lett.,6
1巻,2793頁,1992年)、ポリ[2−メトキ
シ,5−(2’−エチルヘキソキシ)−1,4−フェニ
レンビニレン](Appl.Phys.Lett.,5
8巻,1982頁,1991年;Thin Solid
Films,216巻,96頁,1992年;Nat
ure,357巻,477頁,1992年)、ポリ(3
−アルキルチオフェン)(Jpn.J.Appl.Ph
ys,30巻,L1938頁,1991年;J.App
l.Phys.,72巻,564頁,1992年)等の
高分子材料の開発や、ポリビニルカルバゾール等の高分
子に発光材料と電子移動材料を混合した素子(応用物
理,61巻,1044頁,1992年)も開発されてい
る。
【0005】以上に示した様な有機EL素子において
は、通常、陽極としてはインジウム錫酸化物(ITO)
のような透明電極が用いられるが、陰極に関しては電子
注入を効率よく行うために仕事関数の低い金属電極が用
いられ、マグネシウム合金やカルシウム等が使われてい
る。有機EL素子の最大の問題点は素子の寿命であり、
寿命を制限する一つの要因が陰極材料に由来するダーク
スポット(素子の発光部で発光しない部分をさす)の発
生である。このために、長期間保存する場合に、有機E
L素子内のダークスポットの数・大きさが増加して、結
果として素子の寿命が短いものとなっている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】これまでに開示されて
いる有機EL素子では、EL発光は陽極から注入された
正孔と陰極から注入された電子との再結合によりもたら
される。一般に、キャリアの注入は、電子の場合、陰極
と有機発光層との界面における注入障壁を乗り越えて行
われなければならない。この電子注入障壁を低くして注
入効率を向上させるために、マグネシウム合金やカルシ
ウム等の低仕事関数の金属電極が陰極として使用されて
いる。しかしながら、これらの金属材料は有機発光層と
の密着性が悪いために有機発光層から剥離したり、陰極
を有機発光層上に蒸着する際や蒸着後にも、陰極材料と
有機発光層材料との間で反応がおき、長期間の保存中に
素子の発光特性の劣化やダークスポットの発生をもたら
す。
【0007】本発明者等は上記実状に鑑み、長期間にワ
タって安定な発光特性を維持でき、ダークスポットの発
生を抑制することができる有機EL素子を提供すること
を目的として鋭意検討した結果、有機発光層と陰極の間
に芳香族アミン化合物から成る界面層を設けることが好
適であることを見い出し、本発明を完成するに至った。
【0008】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の要旨
は、陽極、有機発光層、陰極を順次積層した有機EL素
子であって、前記有機発光層と前記陰極の間に芳香族ア
ミン化合物から成る界面層を設けたことを特徴とする有
機EL素子に存する。以下、本発明の有機EL素子につ
いて添付図面に従い説明する。
【0009】図1は本発明の有機EL素子の構造例を模
式的に示す断面図であり、1は基板、2a、2bは導電
層、3は有機発光層、4は界面層を各々表わす。基板1
は本発明の有機EL素子の支持体となるものであり、石
英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィル
ムやシートなどが用いられるが、ガラス板や、ポリエス
テル、ポリメタアクリレート、ポリカーボネート、ポリ
サルホンなどの透明な合成樹脂基板が好ましい。
【0010】基板1上には導電層2aが設けられるが、
この導電層2aとしては通常、アルミニウム、金、銀、
ニッケル、パラジウム、テルル等の金属、インジウム及
び/またはスズの酸化物などの金属酸化物やヨウ化銅、
カーボンブラック、あるいは、ポリ(3−メチルチオフ
ェン)等の導電性高分子などにより構成される。導電層
の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などによ
り行われることが多いが、銀などの金属微粒子あるいは
ヨウ化銅、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒
子、導電性高分子微粉末などの場合には、適当なバイン
ダー樹脂溶液に分散し、基板上に塗布することにより形
成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は電
界重合により直接基板上に薄膜を形成したり、基板上に
塗布して形成することもできる(Appl.Phys.
Lett.,60巻,2711頁,1992年)。上記
の導電層は異なる物質で積層することも可能である。導
電層2aの厚みは、必要とする透明性により異なるが、
透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率が60%
以上、好ましくは80%以上透過することが望ましく、
この場合、厚みは、通常、50〜10000Å、好まし
くは100〜5000Å程度である。
【0011】不透明でよい場合は導電層2aは基板1と
同一でもよい。また、さらには上記の導電層を異なる物
質で積層することも可能である。図1の例では、導電層
2aは陽極(アノード)として正孔注入の役割を果たす
ものである。一方、導電層2bは陰極(カソード)とし
て、界面層4を通して有機発光層3に電子を注入する役
割を果たす。導電層2bとして用いられる材料は、前記
導電層2a用の材料を用いることが可能であるが、効率
よく電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ま
しく、スズ、マグネシウム、インジウム、アルミニウ
ム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられ
る。導電層2bの膜厚は通常、導電層2aと同様であ
る。また、図1には示してはいないが、導電層2bの上
にさらに基板1と同様の基板を設けることもできる。但
し、導電層2aと2bの少なくとも一方は透明性の良い
ことがEL素子としては必要である。このことから、導
電層2aと2bの一方は、100〜5000Åの膜厚で
あることが好ましく、透明性の良いことが望まれる。
【0012】導電層2aの上には有機発光層3が設けら
れるが、有機発光層3は、電界を与えられた電極間にお
いて、陽極から注入された正孔と陰極から注入された電
子がを効率よく輸送して再結合させ、かつ、再結合によ
り効率よく発光する材料から形成される。通常、この有
機発光層3は発光効率の向上のために、図2に示すよう
に、正孔輸送層3aと電子輸送層3bに分割して機能分
離型にすることが行われる(Appl.Phys.Le
tt.,51巻,913頁,1987年)。
【0013】上記の機能分離型素子において、正孔輸送
材料としては、導電層2aからの正孔注入効率が高く、
かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる
材料であることが必要である。そのためには、イオン化
ポテンシャルが小さく、しかも正孔移動度が大きく、さ
らに安定性にすぐれ、トラップとなる不純物が製造時や
使用時に発生しにくいことが要求される。
【0014】このような正孔輸送化合物としては、例え
ば、特開昭59−194393号公報及び米国特許第
4,175,960号の第13〜14欄に解説される、
N,N’−ジフェニル−N,N’−(3−メチルフェニ
ル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン:
1,1’−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)
シクロヘキサン:4,4’−ビス(ジフェニルアミノ)
クワドロフェニルなどの芳香族アミン系化合物、特開平
2−311591号公報に示されるヒドラゾン化合物、
米国特許第4,950,950号公報に示されるシラザ
ン化合物等が挙げられる。これらの化合物は、単独で用
いるか、必要に応じて、各々、混合して用いてもよい。
上記の化合物以外に、ポリビニルカルバゾールやポリシ
ラン(Appl.Phys.Lett.,59巻,27
60頁,1991年)等の高分子材料が挙げられる。
【0015】上記の有機正孔輸送材料は塗布法あるいは
真空蒸着法により前記導電層2a上に積層することによ
り正孔輸送層3aを形成する。塗布の場合は、有機正孔
輸送化合物を1種または2種以上と必要により正孔のト
ラップにならないバインダー樹脂や、レベリング剤等の
塗布性改良剤などの添加剤を添加し溶解した塗布溶液を
調整し、スピンコート法などの方法により導電層2a上
に塗布し、乾燥して有機正孔輸送層3を形成する。バイ
ンダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレー
ト、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添
加量が多いと正孔移動度を低下させるので、少ない方が
望ましく、50重量%以下が好ましい。
【0016】真空蒸着法の場合には、有機正孔輸送材料
を真空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を
適当な真空ポンプで10-6Torrにまで排気した後、
ルツボを加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、ルツボと
向き合って置かれた基板上に層を形成する。正孔輸送層
3aの膜厚は、通常、100〜3000Å、好ましくは
300〜1000Åである。この様に薄い膜を一様に形
成するためには、真空蒸着法がよく用いられる。
【0017】正孔輸送層3aの材料としては有機化合物
の代わりに無機材料を使用することも可能である。無機
材料に要求される条件は、有機正孔輸送化合物と同じで
ある。正孔輸送層3に用いられる無機材料としては、p
型水素化非晶質シリコン、p型水素化非晶質炭化シリコ
ン、p型水素化微結晶性炭化シリコン、あるいは、p型
硫化亜鉛、p型セレン化亜鉛等が挙げられる。これらの
無機正孔輸送層はCVD法、プラズマCVD法、真空蒸
着法、スパッタ法等により形成される。
【0018】無機正孔輸送層の膜厚も有機正孔輸送層と
同様に、通常、100〜3000Å、好ましくは300
〜1000Åである。正孔輸送層3aの上には電子輸送
層3bが設けられるが、電子輸送層3bは、電界を与え
られた電極間において陰極からの電子を効率よく正孔輸
送層の方向に輸送することができる化合物より形成され
る。
【0019】有機電子輸送化合物としては、導電層2b
からの電子注入効率が高く、かつ、注入された電子を効
率よく輸送することができる化合物であることが必要で
ある。そのためには、電子親和力が大きく、しかも電子
移動度が大きく、さらに安定性にすぐれトラップとなる
不純物が製造時や使用時に発生しにくい化合物であるこ
とが要求される。
【0020】このような条件を満たす材料としては、テ
トラフェニルブタジエンなどの芳香族化合物(特開昭5
7−51781号公報)、8−ヒドロキシキノリンのア
ルミニウム錯体などの金属錯体(特開昭59−1943
93号公報)、シクロペンタジエン誘導体(特開平2−
289675号公報)、ペリノン誘導体(特開平2−2
89676号公報)、オキサジアゾール誘導体(特開平
2−216791号公報)、ビススチリルベンゼン誘導
体(特開平1−245087号公報、同2−22248
4号公報)、ペリレン誘導体(特開平2−189890
号公報、同3−791号公報)、クマリン化合物(特開
平2−191694号公報、同3−792号公報)、希
土類錯体(特開平1−256584号公報)、ジスチリ
ルピラジン誘導体(特開平2−252793号公報)、
p−フェニレン化合物(特開平3−33183号公
報)、チアジアゾロピリジン誘導体(特開平3−372
92号公報)、ピロロピリジン誘導体(特開平3−37
293号公報)、ナフチリジン誘導体(特開平3−20
3982号公報)などが挙げられる。
【0021】これらの化合物を用いた有機電子輸送層
は、電子を輸送する役割と、正孔と電子の再結合の際に
発光をもたらす役割を同時に果しており、発光層を兼ね
ている。有機正孔輸送化合物が発光機能を有する場合
は、有機電子輸送層は電子を輸送する役割だけを果た
す。
【0022】素子の発光効率を向上させるとともに発光
色を変える目的で、例えば、8−ヒドロキシキノリンの
アルミニウム錯体をホスト材料として、クマリン等のレ
ーザ用蛍光色素をドープすること(J.Appl.Ph
ys.,65巻,3610頁,1989年)も行われて
いる。本発明においても上記の有機電子輸送材料をホス
ト材料として各種の蛍光色素を10-3〜10モル%ドー
プすることにより、素子の発光特性をさらに向上させる
ことができる。電子輸送層3bの膜厚は、通常、100
〜2000Å、好ましくは300〜1000Åである。
【0023】有機電子輸送層も有機正孔輸送層と同様の
方法で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用
いられる。有機EL素子の発光効率をさらに向上させる
方法として、電子輸送層3bの上にさらに他の電子輸送
層3cを積層することが考えられる(図3参照)。この
電子輸送層3cに用いられる化合物には、陰極からの電
子注入が容易で、電子の輸送能力がさらに大きいことが
要求される。この様な電子輸送材料としては、
【0024】
【化1】
【0025】などのオキサジアゾール誘導体(App
l.Phys.Lett.,55巻,1489頁,19
89年)やそれらをPMMA等の樹脂に分散した系(A
ppl.Phys.Lett.,61巻,2793頁,
1992年)、または、n型水素化非晶質炭化シリコ
ン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛等が挙げられる。
電子輸送層3cの膜厚は、通常、50〜2000Å、好
ましくは100〜1000Åである。
【0026】また、機能分離を行わない単層型の有機発
光層3としては、先に挙げたポリ(p−フェニレンビニ
レン)(Nature,347巻,539頁,1990
年;Appl.Phys.Lett.,61巻,279
3頁,1992年)、ポリ[2−メトキシ,5−(2’
−エチルヘキソキシ)−1,4−フェニレンビニレン]
(Appl.Phys.Lett.,58巻,1982
頁,1991年;Thin Solid Films,
216巻,96頁,1992年;Nature,357
巻,477頁,1992年)、ポリ(3−アルキルチオ
フェン)(Jpn.J.Appl.Phys,30巻,
L1938頁,1991年;J.Appl.Phy
s.,72巻,564頁,1992年)等の高分子材料
や、ポリビニルカルバゾール等の高分子に発光材料と電
子移動材料を混合した系(応用物理,61巻,1044
頁,1992年)がある。
【0027】有機発光層の上に界面層4が設けられる。
界面層の役割としては、有機発光層との親和性があると
同時に陰極との密着性がよく、かつ、化学的に安定で陰
極形成時及び/または形成後の有機発光層と陰極の反応
を抑制する効果を有することが挙げられる。また、均一
な薄膜形状を与えることも陰極との密着性の点で重要で
ある。このような役割を果たす材料として、芳香族アミ
ン化合物が好適であることを本発明者は見い出した。
【0028】芳香族アミン化合物から成る界面層は、前
述の有機正孔輸送材料と同様に、塗布法あるいは真空蒸
着法により形成される。本発明においては、以上の様
に、有機EL素子における有機発光層/陰極間の界面層
材料として、芳香族アミン化合物を用いることにより、
優れた素子の安定性が達成される。
【0029】芳香族アミン化合物として、好適なものと
しては下記一般式(I)〜(V)のものが挙げられる。
【0030】
【化2】
【0031】(式中、Aは置換基を有していてもよい2
価の炭化水素残基または直接結合を示し、R1 、R2
3 およびR4 はそれぞれ置換もしくは未置換の、アル
キル基、シクロアルキル基、アルケニル基、置換もしく
は未置換のアリール基、またはアラルキル基を表し、こ
れらは同一でも異なっていてもよく、R5 およびR6
それぞれ水素原子、ハロゲン原子、水酸基、置換もしく
は未置換の、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニ
ル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、ジア
ルキルアミノ基、またはジアリールアミノ基を表す。)
【0032】
【化3】
【0033】(式中、R7 、R8 、R9 およびR10はそ
れぞれ置換もしくは未置換の、アルキル基、シクロアル
キル基、アルケニル基、置換もしくは未置換のアリール
基、またはアラルキル基を表し、これらは同一でも異な
っていてもよく、R11およびR 12は、各々、水素原子、
ハロゲン原子、もしくは、水酸基、または、各々置換基
を有していてもよい、飽和あるいは不飽和の脂肪族炭化
水素基、芳香族炭化水素基、アルコキシ基、アリールオ
キシ基、ジアルキルアミノ基、もしくは、ジアリールア
ミノ基を表し、Xは置換基を有していてもよい2価の炭
化水素残基を表す。)
【0034】
【化4】
【0035】(式中、R13、R14、R15およびR16はそ
れぞれ置換もしくは未置換の、アルキル基、シクロアル
キル基、アルケニル基、置換もしくは未置換のアリール
基、またはアラルキル基を表し、これらは同一でも異な
っていてもよく、R17およびR 18は、各々、水素原子、
ハロゲン原子、もしくは、水酸基、または、各々置換基
を有していてもよい、飽和あるいは不飽和の脂肪族炭化
水素基、芳香族炭化水素基、アルコキシ基、アリールオ
キシ基、ジアルキルアミノ基、もしくは、ジアリールア
ミノ基を表し、YおよびZは置換基を有していてもよい
2価の炭化水素残基または直接結合を表し、これらは同
一でも異なっていてもよい。)
【0036】
【化5】
【0037】(式中、Bは置換基を有していてもよい3
価の炭化水素残基または窒素原子を示し、R19は置換も
しくは未置換の、アルキル基、シクロアルキル基、アル
ケニル基、置換もしくは未置換のアリール基、またはア
ラルキル基を表し、これらは同一でも異なっていてもよ
く、R20は水素原子、ハロゲン原子、水酸基、置換もし
くは未置換の、アルキル基、シクロアルキル基、アルケ
ニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、ジ
アルキルアミノ基、またはジアリールアミノ基を表
す。)
【0038】
【化6】
【0039】(式中、Dは置換基を有していてもよい3
価の炭化水素残基または窒素原子を示し、R21は置換も
しくは未置換の、アルキル基、シクロアルキル基、アル
ケニル基、置換もしくは未置換のアリール基、またはア
ラルキル基を表し、これらは同一でも異なっていてもよ
く、R22は水素原子、ハロゲン原子、水酸基、置換もし
くは未置換の、アルキル基、シクロアルキル基、アルケ
ニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、ジ
アルキルアミノ基、またはジアリールアミノ基を表
す。)前記一般式(I)において、好ましくは、Aは−
CH2−、−CH2−CH2−、−CH2CH2CH2− 等
の置換基を有していてもよいアルキレン基;シクロヘキ
シレン基等のシクロアルキレン基;−CH=CH−、−
C(CH3)=CH−、−CH2−CH=CH−CH
2−、−CH=CH−CH=CH−等の置換基を有して
いてもよいアルケニレン基;置換基を有していてもよい
フェニレン基、ナフチレン基、フェナンスレン基等のア
リーレン基または直接結合を示し、R1 、R 2 、R3
よびR4 はそれぞれ置換基を有していてもよいメチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基等の
アルキル基;シクロヘキシル基等のシクロアルキル基;
ビニル基等のアルケニル基;アルキル基、アルコキシ
基、ハロゲン原子、アミノ基、アリール基等の置換基を
有していてもよいフェニル基、ナフチル基等のアリール
基;ベンジル基、ナフチルメチル基、フェネチル基等の
アラルキル基を表し、これらは同一でも異なっていても
よく、R5 およびR6 はそれぞれ水素原子、ハロゲン原
子、水酸基、置換基を有していてもよいメチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基等のアルキル
基;シクロヘキシル基等のシクロアルキル基;ビニル基
等のアルケニル基;アルキル基、アルコキシ基、ハロゲ
ン原子、アミノ基、アリール基等の置換基を有していて
もよいフェニル基、ナフチル基等のアリール基;ベンジ
ル基、ナフチルメチル基、フェネチル基等のアラルキル
基;メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基等のアルコキ
シ基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアル
キルアミノ基;ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ
基等のジアリールアミノ基を表し、これらは同一でも異
なっていてもよい。
【0040】次に前記一般式(I)で示される化合物の
主な具体例を以下の表−1および表−2に示すが、これ
らに限定するものではない。
【0041】
【表1】
【0042】
【表2】
【0043】前記一般式(II)において、好ましくは、
7 、R8 、R9 およびR10はそれぞれ置換基を有して
いてもよいメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ヘキシル基等のアルキル基;シクロヘキシル基等の
シクロアルキル基;アリル基等のアルケニル基;アルキ
ル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、アリー
ル基等の置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチ
ル基等のアリール基;ベンジル基、ナフチルメチル基、
フェネチル基等のアラルキル基を表し、これらは同一で
も異なっていてもよく、R11およびR12はそれぞれ水素
原子、ハロゲン原子、水酸基、置換基を有していてもよ
いメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシ
ル基等のアルキル基;シクロヘキシル基等のシクロアル
キル基;ビニル基等のアルケニル基;アルキル基、アル
コキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、アリール基等の置
換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基等のア
リール基;ベンジル基、ナフチルメチル基、フェネチル
基等のアラルキル基;メトキシ基、エトキシ基、ブトキ
シ基等のアルコキシ基;ジメチルアミノ基、ジエチルア
ミノ基等のジアルキルアミノ基;ジベンジルアミノ基、
ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基を表し、こ
れらは同一でも異なっていてもよい。Xはメチレン基、
プロピレン基、キシリレン基、シクロヘキシレン基、ビ
ニレン基、フェニレン基、−CO−などの2価の炭化水
素残基を表し、これらは、ハロゲン原子、水酸基、飽和
あるいは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アリール
オキシ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基な
どの置換基を有していてもよい。
【0044】次に前記一般式(II)で示される化合物の
主な具体例を以下の表−3および表−4に示すが、これ
らに限定するものではない。
【0045】
【表3】
【0046】
【表4】
【0047】前記一般式(III)において、好ましく
は、R13、R14、R15およびR16はそれぞれ置換基を有
していてもよいメチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基、ヘキシル基等のアルキル基;シクロヘキシル基等
のシクロアルキル基;アリル基等のアルケニル基;アル
キル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、アリ
ール基等の置換基を有していてもよいフェニル基、ナフ
チル基等のアリール基;ベンジル基、ナフチルメチル
基、フェネチル基等のアラルキル基を表し、これらは同
一でも異なっていてもよく、R17およびR18はそれぞれ
水素原子、ハロゲン原子、水酸基、置換基を有していて
もよいメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘ
キシル基等のアルキル基;シクロヘキシル基等のシクロ
アルキル基;ビニル基等のアルケニル基;アルキル基、
アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、アリール基等
の置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基等
のアリール基;ベンジル基、ナフチルメチル基、フェネ
チル基等のアラルキル基;メトキシ基、エトキシ基、ブ
トキシ基等のアルコキシ基;ジメチルアミノ基、ジエチ
ルアミノ基等のジアルキルアミノ基;ジベンジルアミノ
基、ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基を表
し、これらは同一でも異なっていてもよい。YおよびZ
はメチレン基、プロピレン基、キシリレン基、シクロヘ
キシレン基、ビニレン基、フェニレン基などの2価の炭
化水素残基または直接結合を表し、これらはハロゲン原
子、水酸基、飽和あるいは不飽和の炭化水素基、アルコ
キシ基、アリールオキシ基、ジアルキルアミノ基、ジア
リールアミノ基などの置換基を有していてもよい。
【0048】次に前記一般式(III)で示される化合物
の主な具体例を以下の表−5に示すが、これらに限定す
るものではない。
【0049】
【表5】
【0050】前記一般式(IV)において、好ましくは、
Bは−CH=;1,3,5の位置の水素原子を除いたベ
ンゼン残基;1,3,5の位置の水素原子を除いたシク
ロヘキサン残基;窒素原子を示し、R19は、置換基を有
していてもよいメチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基、ヘキシル基等のアルキル基;シクロヘキシル基等
のシクロアルキル基;ビニル基等のアルケニル基;アル
キル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、アリ
ール基等の置換基を有していてもよいフェニル基、ナフ
チル基等のアリール基;ベンジル基、ナフチルメチル
基、フェネチル基等のアラルキル基を表し、R20は、水
素原子、ハロゲン原子、水酸基、置換基を有していても
よいメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキ
シル基等のアルキル基;シクロヘキシル基等のシクロア
ルキル基;ビニル基等のアルケニル基;アルキル基、ア
ルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、アリール基等の
置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基等の
アリール基;ベンジル基、ナフチルメチル基、フェネチ
ル基等のアラルキル基;メトキシ基、エトキシ基、ブト
キシ基等のアルコキシ基;ジメチルアミノ基、ジエチル
アミノ基等のジアルキルアミノ基;ジベンジルアミノ
基、ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基を表
す。
【0051】次に前記一般式(IV)で示される化合物の
主な具体例を以下の表−6に示すが、これらに限定する
ものではない。
【0052】
【表6】
【0053】前記一般式(V)において、好ましくは、
Dは−CH=;1,3,5の位置の水素原子を除いたベ
ンゼン残基;1,3,5の位置の水素原子を除いたシク
ロヘキサン残基;窒素原子を示し、R21は、置換基を有
していてもよいメチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基、ヘキシル基等のアルキル基;シクロヘキシル基等
のシクロアルキル基;ビニル基等のアルケニル基;アル
キル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、アリ
ール基等の置換基を有していてもよいフェニル基、ナフ
チル基等のアリール基;ベンジル基、ナフチルメチル
基、フェネチル基等のアラルキル基を表し、R22は、水
素原子、ハロゲン原子、水酸基、置換基を有していても
よいメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキ
シル基等のアルキル基;シクロヘキシル基等のシクロア
ルキル基;ビニル基等のアルケニル基;アルキル基、ア
ルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、アリール基等の
置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基等の
アリール基;ベンジル基、ナフチルメチル基、フェネチ
ル基等のアラルキル基;メトキシ基、エトキシ基、ブト
キシ基等のアルコキシ基;ジメチルアミノ基、ジエチル
アミノ基等のジアルキルアミノ基;ジベンジルアミノ
基、ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基を表
す。
【0054】次に前記一般式(V)で示される化合物の
主な具体例を以下の表−7に示すが、これらに限定する
ものではない。
【0055】
【表7】
【0056】上記に示した芳香族アミン化合物を界面層
として形成する場合、これらの化合物をさらに混合して
用いてもよい。芳香族アミン化合物から成る界面層を有
する本発明における有機EL素子は、以下に示すような
層構成のものが挙げられる;
【0057】
【表8】 陽極/有機発光層/界面層/陰極 陽極/高分子から成る有機発光層/界面層/陰極 陽極/高分子に分散させた有機発光層/界面層/陰極 陽極/正孔輸送層/有機電子輸送性発光層/界面層/陰
極 陽極/有機正孔輸送性発光層/有機電子輸送層/界面層
/陰極 陽極/正孔輸送層/有機電子輸送性発光層/界面層/陰
極 陽極/正孔輸送層/有機電子輸送性発光層/電子輸送層
/界面層/陰極 界面層4の膜厚は、通常、20〜1000Å、好ましく
は50〜300Åである。
【0058】本発明においては、以上のように、有機E
L素子における有機発光層/陰極間の界面層材料とし
て、芳香族ジアミン化合物を用いることにより、優れた
素子の安定性が達成される。尚、図1とは逆の構造、す
なわち、基板上に導電層2b、界面層4、有機発光層
3、導電層2aの順に積層することも可能であり、既述
した様に少なくとも一方が透明性の高い2枚の基板の間
に本発明の有機EL素子を設けることも可能である。同
様に、図2及び図3とは逆の構造に積層することも可能
である。
【0059】
【実施例】次に、本発明を実施例によって更に具体的に
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の
実施例の記載に限定されるものではない。 実施例1 図2に示す構造を有する有機EL素子を以下の方法で作
製した。
【0060】ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物
(ITO)透明導電膜を1200Å堆積したものをアセ
トンで超音波洗浄、純水で水洗、イソプロピルアルコー
ルで超音波洗浄、乾燥窒素で乾燥、UV/オゾン洗浄を
行った後、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度
が2×10-6Torr以下になるまで油拡散ポンプを用いて
排気した。
【0061】有機正孔輸送層材料として、前記表−1に
示した芳香族アミン化合物(2)
【0062】
【化7】
【0063】をセラミックるつぼに入れ、るつぼの周囲
のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。この時
のるつぼの温度は、160〜170℃の範囲で制御し
た。蒸着時の真空度は2×10-6Torrで、蒸着時間
3分20秒で膜厚600Åの有機正孔輸送層3aを得
た。次に、有機電子輸送層3bの材料として、アルミニ
ウムの8−ヒドロキシキノリン錯体、Al(C96NO)3
(E1)を上記有機正孔輸送層3aの上に同様にして蒸
着を行なった。この時のるつぼの温度は230〜270
℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度は2×10-6To
rr、蒸着時間は3分30秒、膜厚は750Åであっ
た。この層は発光層としての役割を果たす。
【0064】次に、界面層4として、上記芳香族アミン
化合物(2)を有機電子輸送性発光層3bの上に、有機
正孔輸送層3aと同様にして蒸着を行った。蒸着時の真
空度は2×10-6Torr、蒸着時間は1分、膜厚は1
50Åであった。最後に陰極として、マグネシウムと銀
の合金電極を2元同時蒸着法によって膜厚1500Åで
蒸着した。蒸着はモリブデンボートを用いて、真空度は
3×10 -6Torr、蒸着時間は4分30秒で光沢のあ
る膜が得られた。マグネシウムと銀の原子比は10:
1.5であった。
【0065】この様にして作製した有機EL素子のIT
O電極(陽極)にプラス、マグネシウム・銀合金電極
(陰極)にマイナスの直流電圧を印加して測定した発光
特性の結果を表−8に示す。この素子は一様な黄緑色の
発光を示し、発光のピーク波長は560nmであった。
この素子を真空中に保存後、発光特性を測定した結果を
表−8に示す。ダークスポットの面積は、素子からの発
光をCCDカメラを用いて撮影した後、画像解析により
定量化した値を示す。
【0066】比較例1 界面層4を設けない他は実施例1と同様にして、図2に
示す構造の有機EL素子を作製した。この素子の作製後
と真空中保存後の発光特性の測定結果を表−8に示す。
ダークスポットの発生は明かであった。
【0067】
【表9】
【0068】実施例2 界面層4として、前記表−4に示した下記芳香族アミン
化合物(24)を芳香族アミン化合物(2)の代わりに
用いてその膜厚を100Åとした他は、実施例1と同様
にして素子を作製した。この素子の発光特性を表−9に
示す。
【0069】
【化8】
【0070】
【表10】
【0071】
【発明の効果】本発明の有機EL素子によれば、陽極
(アノード)、有機発光層、界面層、陰極(カソー
ド)、が基板上に順次設けられ、しかも、界面層に特定
の化合物を使用しているため、両導電層を電極として電
圧を印加した場合、長期に渡り、安定した発光特性を得
ることができる。
【0072】従って、本発明のEL素子はフラットパネ
ル・ディスプレイ(例えばOAコンピュータ用や壁掛け
テレビ)の分野や面発光体としての特徴を生かした光源
(例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類の
バックライト光源)、表示板、標識灯への応用が考えら
れ、その技術的価値は大きいものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の有機EL素子の一例を示した模式断面
図。
【図2】本発明の有機EL素子の別の例を示した模式断
面図。
【図3】本発明の有機EL素子の別の例を示した模式断
面図。
【符号の説明】
1 基板 2a、2b 導電層 3 有機発光層 3a 正孔輸送層 3b 有機電子輸送層 3c 3bとは異なる化合物で構成される有機電子輸送
層 4は界面層を表わす。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 陽極、有機発光層、陰極を順次積層した
    有機EL素子であって、前記有機発光層と前記陰極の間
    に芳香族アミン化合物から成る界面層を設けたことを特
    徴とする有機EL素子。
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Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6376694B1 (en) 1998-07-09 2002-04-23 Chisso Corporation Silole derivatives and organic electroluminescent element containing the same
US6617053B2 (en) 2000-08-04 2003-09-09 Chisso Corporation Organic electroluminescent device containing dithiafulvene derivative
US6696182B2 (en) 2000-09-07 2004-02-24 Chisso Corporation Organic electroluminescent device comprising dipyridylthiophene derivative
US6902832B2 (en) 2000-07-07 2005-06-07 Chisso Corporation Charge-transporting material containing diazapentacene derivative, luminescent material, and organic electroluminescent element employing these
WO2005064995A1 (en) * 2003-12-26 2005-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element
JP2005209643A (ja) * 2003-12-26 2005-08-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子
US6942916B2 (en) 2001-01-11 2005-09-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Inkjet printable electroluminescent media
EP1624502A2 (en) * 2004-08-04 2006-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, and electronic appliance
US7387904B2 (en) 2003-10-03 2008-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and manufacturing method thereof, and light emitting device using the light emitting element
US7732808B2 (en) 2003-09-26 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Light-emitting device and method for manufacturing the same
US7737626B2 (en) 2004-09-30 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element
US7745989B2 (en) 2005-06-30 2010-06-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Light emitting element, light emitting device, and electronic apparatus
US7790296B2 (en) 2005-05-20 2010-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
US7851989B2 (en) 2005-03-25 2010-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7893427B2 (en) 2004-07-23 2011-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device using the same
US8017252B2 (en) 2005-06-22 2011-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic appliance using the same
JP2012104492A (ja) * 1996-08-12 2012-05-31 Trustees Of Princeton Univ 非ポリマー可撓性有機発光デバイス
US8207555B2 (en) 2004-11-05 2012-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and light emitting device using the same
US8334057B2 (en) 2005-06-08 2012-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US8404500B2 (en) 2009-11-02 2013-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting element, light-emitting element, light-emitting device, lighting device, and electronic appliance
US8420227B2 (en) 2005-03-23 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material, light emitting element and light emitting device
US9224976B2 (en) 2008-11-19 2015-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
US9564609B2 (en) 2011-02-11 2017-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element including electrode of three layers
US10134996B2 (en) 2004-10-29 2018-11-20 Semicondcutor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material, light-emitting element, light-emitting device, and manufacturing method thereof

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02267887A (ja) * 1989-04-07 1990-11-01 Furukawa Electric Co Ltd:The 有機エレクトロルミネセンス表示素子
JPH04126790A (ja) * 1990-09-19 1992-04-27 Mitsui Toatsu Chem Inc 発光素子
JPH04178487A (ja) * 1990-11-13 1992-06-25 Nec Corp 有機薄膜el素子

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02267887A (ja) * 1989-04-07 1990-11-01 Furukawa Electric Co Ltd:The 有機エレクトロルミネセンス表示素子
JPH04126790A (ja) * 1990-09-19 1992-04-27 Mitsui Toatsu Chem Inc 発光素子
JPH04178487A (ja) * 1990-11-13 1992-06-25 Nec Corp 有機薄膜el素子

Cited By (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012104492A (ja) * 1996-08-12 2012-05-31 Trustees Of Princeton Univ 非ポリマー可撓性有機発光デバイス
US6376694B1 (en) 1998-07-09 2002-04-23 Chisso Corporation Silole derivatives and organic electroluminescent element containing the same
US6902832B2 (en) 2000-07-07 2005-06-07 Chisso Corporation Charge-transporting material containing diazapentacene derivative, luminescent material, and organic electroluminescent element employing these
US6617053B2 (en) 2000-08-04 2003-09-09 Chisso Corporation Organic electroluminescent device containing dithiafulvene derivative
US6696182B2 (en) 2000-09-07 2004-02-24 Chisso Corporation Organic electroluminescent device comprising dipyridylthiophene derivative
US6942916B2 (en) 2001-01-11 2005-09-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Inkjet printable electroluminescent media
US8507903B2 (en) 2003-09-26 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
US8216875B2 (en) 2003-09-26 2012-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
US8178869B2 (en) 2003-09-26 2012-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
US7732808B2 (en) 2003-09-26 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Light-emitting device and method for manufacturing the same
US7387904B2 (en) 2003-10-03 2008-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and manufacturing method thereof, and light emitting device using the light emitting element
US7994496B2 (en) 2003-10-03 2011-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and manufacturing method thereof, and light emitting device using the light emitting element
US9461271B2 (en) 2003-10-03 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and manufacturing method thereof, and light emitting device using the light emitting element
US8994007B2 (en) 2003-10-03 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and manufacturing method thereof, and light emitting device using the light emitting element
JP2005209643A (ja) * 2003-12-26 2005-08-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子
US10886497B2 (en) 2003-12-26 2021-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element
JP2011146749A (ja) * 2003-12-26 2011-07-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子
JP2012178596A (ja) * 2003-12-26 2012-09-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置および電気器具
US9570697B2 (en) 2003-12-26 2017-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element
WO2005064995A1 (en) * 2003-12-26 2005-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element
JP2012178597A (ja) * 2003-12-26 2012-09-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子
TWI447981B (zh) * 2004-07-23 2014-08-01 Semiconductor Energy Lab 發光元件及使用該元件的發光裝置
US7893427B2 (en) 2004-07-23 2011-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device using the same
US8872169B2 (en) 2004-07-23 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device using the same
US8368059B2 (en) 2004-07-23 2013-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device using the same
US9520532B2 (en) 2004-07-23 2016-12-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device using the same
US8368060B2 (en) 2004-07-23 2013-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device using the same
US8618574B2 (en) 2004-08-04 2013-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, and electronic appliance
EP1624502A3 (en) * 2004-08-04 2011-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, and electronic appliance
EP1624502A2 (en) * 2004-08-04 2006-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, and electronic appliance
US7462883B2 (en) 2004-08-04 2008-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element having hole generating layer
US7964891B2 (en) 2004-08-04 2011-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, and electronic appliance
US7737626B2 (en) 2004-09-30 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element
US10134996B2 (en) 2004-10-29 2018-11-20 Semicondcutor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material, light-emitting element, light-emitting device, and manufacturing method thereof
US8207555B2 (en) 2004-11-05 2012-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and light emitting device using the same
US8338196B2 (en) 2004-11-05 2012-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and light emitting device using the same
US8420227B2 (en) 2005-03-23 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material, light emitting element and light emitting device
US8916276B2 (en) 2005-03-23 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material, light emitting element and light emitting device
US8362688B2 (en) 2005-03-25 2013-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7851989B2 (en) 2005-03-25 2010-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US9246056B2 (en) 2005-03-25 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US8048543B2 (en) 2005-05-20 2011-11-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
US8445121B2 (en) 2005-05-20 2013-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
US7790296B2 (en) 2005-05-20 2010-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
US8227097B2 (en) 2005-05-20 2012-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
US7883788B2 (en) 2005-05-20 2011-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
US9263645B2 (en) 2005-06-08 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US8334057B2 (en) 2005-06-08 2012-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US8252434B2 (en) 2005-06-22 2012-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic appliance using the same
US8541114B2 (en) 2005-06-22 2013-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic appliance using the same
US8815419B2 (en) 2005-06-22 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic appliance using the same
US8017252B2 (en) 2005-06-22 2011-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic appliance using the same
US8519617B2 (en) 2005-06-30 2013-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element having a metal oxide composite layer, and light emitting device, and electronic apparatus
US7948169B2 (en) 2005-06-30 2011-05-24 Semiconductor Energy Larboratory Co., Ltd. Light emitting element with composite layers of varying concentration, light emitting device, and electronic apparatus
US7745989B2 (en) 2005-06-30 2010-06-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Light emitting element, light emitting device, and electronic apparatus
US8378570B2 (en) 2005-06-30 2013-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic apparatus having first and second composite layers with different metal concentrations
US9224976B2 (en) 2008-11-19 2015-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
US8404500B2 (en) 2009-11-02 2013-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting element, light-emitting element, light-emitting device, lighting device, and electronic appliance
US8803188B2 (en) 2009-11-02 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting element, light-emitting element, Light-emitting device, lighting device, and electronic appliance
US9564609B2 (en) 2011-02-11 2017-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element including electrode of three layers

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