JP3168897B2 - ナフチル基を有するジアミン誘導体及び該誘導体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
ナフチル基を有するジアミン誘導体及び該誘導体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子Info
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ネッセンス素子(以下、有機EL素子と略称する)及び
これに適するジアミン誘導体に関し、さらに詳しくは、
精製が容易で、各種溶媒に対し極めて良好な溶解性を示
す特定のジアミン化合物及び、これを含有する、極めて
長寿命の有機EL素子に関するものである。
光のため視認性が高く、かつ完全固体素子であるため、
耐衝撃性に優れるなどの特徴を有することから、各種表
示装置における発光素子としての利用が注目されてい
る。このEL素子には、発光材料に無機化合物を用いて
なる無機EL素子と有機化合物を用いてなる有機EL素
子とがあり、このうち、有機EL素子は、印加電圧を大
幅に低くしうる小型化が容易であるために、次世代の表
示素子としてその実用化研究が積極的になされている。
この有機EL素子の構成については、陽極/有機発光層
/陰極の構成を基本とし、これに正孔輸送層や電子注入
層を適宜設けたもの、例えば陽極/正孔輸送層/有機発
光層/陰極や、陽極/正孔輸送層/有機発光層/電子注
入層/陰極などの構成のものが知られている。該正孔輸
送層は、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機
能を有し、また、電子注入層は陰極より注入された電子
を有機発光層に伝達する機能を有している。そして、該
正孔輸送層を有機発光層と陽極との間に介在させること
によって、より低い電界で多くの正孔が有機発光層に注
入され、さらに、有機発光層に陰極又は電子注入層より
注入された電子は、正孔輸送層が電子を輸送しないの
で、正孔輸送層と有機発光層との界面に蓄積され発光効
率が上がることが知られている。このような有機EL素
子の正孔輸送材料として、ナフチル基を有するジアミン
誘導体が優れていることが米国特許第5,061,569号
明細書に開示されている。また、電子写真感光体の分野
においては電荷輸送材料として、ナフチル基を有するジ
アミン誘導体を使用することが特開平1−142657
号公報に開示されている。
のナフチル基を有するジアミン誘導体はいずれも各種溶
媒に対する溶解度が低いものであり、このため精製が極
めて困難なものであった。更に、このような化合物を正
孔輸送層などに用いた有機EL素子においては、長時間
連続駆動させると発光輝度が低下する等の問題があり、
実用化の大きな障害となっていた。本発明はこのような
状況下でなされたものである。すなわち、本発明は、各
種溶媒に対して極めて溶解性が高く、精製が容易であ
り、有機EL素子あるいは電子写真感光体に用いた場
合、安定性に優れた長寿命の素子あるいは感光体を与え
る新規なジアミン誘導体を提供すること、及び該ジアミ
ン誘導体を用いることにより長時間連続駆動においても
優れた発光安定性を示す長寿命な有機EL素子を提供す
ることを目的とするものである。
を解決するため鋭意研究を重ねた結果、特定の構造を有
するナフチル基を有するジアミン誘導体が、各種溶媒に
対して極めて高い溶解性を示し、精製が容易であり、こ
れを、特に、正孔輸送層材料あるいは電荷輸送材料など
として用いることにより、長寿命な有機EL素子あるい
は電子写真感光体が得られ、前記目的を達成しうること
を見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成した
ものである。すなわち、本発明は、下記一般式(I)で
表されるジアミン誘導体、及び該ジアミン誘導体を用い
ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子
を提供するものである。
ルキル基,炭素数2〜6のアルコキシ基又はフェニル基
であり、X1 〜X5 の少なくともひとつ及びX6〜X10
の少なくともひとつは炭素数2〜6のアルキル基,炭素
数2〜6のアルコキシ基又はフェニル基である。また、
X1 〜X10はそれぞれ互いに同一でも異なっていてもよ
い。)
発明のジアミン誘導体は、上記一般式(I)で表される
もの(以下、「本発明のジアミン誘導体」ということが
ある)である。一般式(I)において、X1 〜X10のそ
れぞれで表される炭素数2〜6のアルキル基としては、
例えば、エチル基,n−プロピル基,イソプロピル基,
n−ブチル基,sec−ブチル基,tert−ブチル
基,n−ペンチル基,n−ヘキシル基,シクロプロピル
基,シクロブチル基,シクロペンチル基,シクロヘキシ
ル基等が挙げられる。また、X1 〜X10のそれぞれで表
される炭素数2〜6のアルコキシ基の例としては、エト
キシ基,n−プロポキシ基,イソプロポキシ基,n−ブ
トキシ基,sec−ブトキシ基,tert−ブトキシ
基,n−ペントキシ基,n−ヘキソキシ基,シクロプロ
ポキシ基,シクロブトキシ基,シクロペントキシ基,シ
クロヘキソキシ基等が挙げられる。
素数が2より少ない場合は溶媒に対する溶解度が小さく
精製が困難であり、また6を超える場合は昇華性が悪く
なり、蒸着による薄膜形成が困難となり好ましくない。
従って、本発明においては上記アルキル基あるいはアル
コキシ基の炭素数は2〜4であることが更に好ましい。
本発明においては、上記X1 〜X10のそれぞれで表され
る基として、EL素子などに用いた場合、初期性能に優
れること,長寿命であること等の点から好ましくは、エ
チル基,イソプロピル基,tert−ブチル基,エトキ
シ基,フェニル基を挙げることができる。
X1 〜X5 の少なくとも一つ及びX 6 〜X10の少なくと
も一つ、好ましくはX1 〜X5 の一つ及びX6 〜X10の
一つが上記炭素数2〜6のアルキル基,炭素数2〜6の
アルコキシ基又はフェニル基である。上記置換基を有す
ることにより、本発明の化合物は各種溶媒に対し高い溶
解度を示すことができ、また精製が容易なものとなる。
本発明のジアミン誘導体としては、具体的には下記の化
合物が挙げられる。
11−,n−C6 H13−の各基は各々n−プロピル基,n
−ブチル基,n−ペンチル基,n−ヘキシルを示し、i
−C3 H7 −はイソプロピル基を、s−C4 H9 −はs
ec−ブチル基を、t−C4 H9 −はtert−ブチル
基を示す。また、−OC3 H7 (n),−OC4 H
9 (n),−OC5 H11(n),−OC6 H13(n)の
各基は各々n−プロポキシ基,n−ブトキシ基,n−ペ
ントキシ基,n−ヘキソキシ基を示し、−OC3 H
7 (i)はイソプロポキシ基を、−OC4 H9 (s)は
sec−ブトキシ基を、−OC4 H9 (t)はtert
−ブトキシ基を示す。これらは一種用いてもよく、二種
以上を組み合わせて用いてもよい。
機発光層/陰極、陽極/正孔輸送層/有機発光層/陰
極、陽極/有機発光層/電子注入層/陰極、陽極/
正孔輸送層/有機発光層/電子注入層/陰極などがある
が、本発明の有機EL素子は、一対の電極(陽極と陰
極)により挾持された化合物層(上記の構成の素子に
おいては有機発光層、の構成の素子においては正孔輸
送層及び有機発光層、の構成の素子においては有機発
光層及び電子注入層、の構成の素子においては正孔輸
送層,有機発光層及び電子注入層)の少なくとも一層
が、上記一般式(I)で表されるジアミン誘導体を含ん
でいれば、上記〜のいずれの構成であってもよい。
なお、これらの構成の有機EL素子は、いずれも基板に
より支持されることが好ましい。この基板については特
に制限はなく、従来の有機EL素子に慣用されているも
の、例えばガラス,透明プラスチック,石英などからな
るものを用いることができる。
発明のジアミン誘導体を含む層は、正孔輸送層又は有機
発光層であることが望ましく、特に正孔輸送層であるこ
とが好ましい。上記ジアミン誘導体を含む正孔輸送層
は、該ジアミン誘導体のみからなる単層構造でもよい
し、該ジアミン誘導体と、有機EL素子の正孔輸送層材
料として従来より使用されている物質の層との複層構造
であってもよい。さらには、該ジアミン誘導体と有機E
L素子の正孔輸送層材料として従来より使用されている
物質との混合物からなる層を含む単層構造又は複層構造
であってもよい。
は、該ジアミン誘導体と、必要に応じて他の正孔輸送層
材料とを用いて、真空蒸着法,キャスト法,塗布法,ス
ピンコート法などにより形成することができる。さらに
は、ポリカーボネート,ポリウレタン,ポリスチレン,
ポリアリレート,ポリエステルなどの透明ポリマーに、
該ジアミン誘導体を分散させた溶液を用いたキャスト
法、塗布法あるいはスピンコート法などや、透明ポリマ
ーとの同時蒸着などによっても形成することができる。
また、本発明のジアミン誘導体を含む有機発光層は、該
ジアミン誘導体のみからなる単層構造であってもよい
し、該ジアミン誘導体と、有機EL素子の有機発光層材
料として従来より使用されている物質の層との複層構造
であっもよい。さらには、該ジアミン誘導体と有機EL
素子の有機発光層材料として従来より使用されている物
質との混合物からなる層を含む単層構造又は複層構造で
あってもよい。該ジアミン誘導体を含む有機発光層は、
該ジアミン誘導体と、必要に応じて他の有機発光層材料
とを用いて、真空蒸着法,キャスト法,塗布法,スピン
コート法などにより形成することができる。
ジアミン誘導体を含む層以外は、従来の有機EL素子と
同様の材料を用いて形成するこができる。例えば、陽極
の材料としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金
属,合金,電気伝導性化合物又はこれらの混合物が好ま
しく用いられる。具体例としては、Auなどの金属,C
uI,ITO,SnO2 ,ZnOなどの誘電性透明材料
が挙げられる。この陽極は、例えば蒸着法やスパッタリ
ング法などの方法で、上記材料の薄膜を形成することに
より作製することができる。有機発光層からの発光を陽
極より取り出す場合、該陽極の透過率は10%より大き
いことが望ましい。また、陽極のシート抵抗は数百Ω/
□以下が好ましい。この陽極の膜厚は材料にもよるが、
通常10nm〜1μm、好ましくは10〜200nmの
範囲で選択される。
さい(4eV以下)金属,合金,電気伝導性化合物又は
これらの混合物が好ましく用いられる。該陰極材料の具
体例としては、ナトリウム,リチウム,マグネシウム/
銅混合物,Al/Al2 O3,インジウムなどが挙げら
れる。この陰極は、蒸着法やスパッタリング法などの方
法で、上記材料の薄膜を形成することにより作製するこ
とができる。有機発光層からの発光を陰極より取り出す
場合、該陰極の透過率は10%より大きいことが望まし
い。また、この陰極のシート抵抗は数百Ω/□以下が好
ましい。該陰極の膜厚は材料にもよるが、通常10nm
〜1μm、好ましくは50〜200nmの範囲で選択さ
れる。なお、有機発光層からの発光を効率よく取り出す
観点からは、上記陽極及び陰極の少なくとも一方を透明
又は半透明物質により形成するのが好ましい。
発光層を、本発明のジアミン誘導体と他の物質とにより
形成する場合、ジアミン誘導体以外の他の有機発光層材
料としては、例えば多環縮合芳香族化合物や、ベンゾオ
キサゾール系,ベンジチアゾール系,ベンゾイミダゾー
ル系などの蛍光増白剤,金属キレート化オキサノイド化
合物、ジスチリルベンゼン系化合物などの薄膜形成性の
良い化合物を用いることができる。ここで、上記多環縮
合芳香族化合物の具体例としては、アセトラセン,ナフ
タレン,フェナントレン,ピレン,クリセン,ペリレン
骨格などを含む縮合環発光物質や、8〜20個、好まし
くは8個の縮合環を含む他の縮合環発光物質などが挙げ
られる。
チアゾール系,ベンゾイミダゾール系などの蛍光増白剤
としては、例えば、特開昭59−194393号公報に
開示されているものが挙げられる。その代表例として
は、2,5−ビス(5,7−ジ−t−ペンチル−2−ベ
ンゾオキサゾリル)−1,3,4−チアジアゾール;
4,4’−ビス(5,7−t−ペンチル−2−ベンゾオ
キサゾリル)スチルベン;4,4’−ビス(5,7−ジ
−(2−メチル−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリ
ル)スチルベン;2,5−ビス(5,7−ジ−t−ペン
チル−2−ベンゾオキサゾリル)チオフェン;2,5−
ビス(5−(α,α−ジメチルベンジル)−2−ベンゾ
オキサゾリル)チオフェン;2,5−ビス(5,7−ジ
−(2−メチル−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリ
ル)−3,4−ジフェニルチオフェン;2,5−ビス
(5−メチル−2−ベンゾオキサゾリル)チオフェン;
4,4’−ビス(2−ベンゾオキサゾリル)ビフェニ
ル;5−メチル−2−(2−(4−(5−メチル−2−
ベンゾオキサゾリル)フェニル)ビニル)ベンゾオキサ
ゾール;2−(2−(4−クロロフェニル)ビニル)ナ
フト(1,2−d)オキサゾールなどのベンゾオキサゾ
ール系、2,2’−(p−フェニレンジビニレン)−ビ
スベンゾチアゾールなどのベンゾチアゾール系、2−
(2−(4−カルボキシフェニル)ビニル)ベンゾイミ
ダゾールなどのベンゾイミダゾール系などの蛍光増白剤
が挙げられる。
しては、例えば特開昭63−295695号公報に開示
されているものを用いることができる。その代表例とし
ては、トリス(8−キノリノール)アルミニウム,ビス
(8−キノリノール)マグネシウム,ビス(ベンゾ
(f)−8−キノリノール)亜鉛,ビス(2−メチル−
8−キノリノラート)アルミニウムオキシド,トリス
(8−キノリノール)インジウム,トリス(5−メチル
−8−キノリノール)アルミニウム,8−キノリノール
リチウム,トリス(5−クロロ−8−キノリノール)ガ
リウム,ビス(5−クロロ−8−キノリノール)カルシ
ウム,ポリ(亜鉛(II) −ビス(8−ヒドロキシ−5−
キノリノニル)メタン)などの8−ヒドロキシキノリン
系金属錯体やジリチウムエピンドリジオンなどが挙げら
れる。また、上記ジスチリルベンゼン系化合物として
は、例えば欧州特許第0373582号明細書に開示さ
れているものを用いることができる。その代表例として
は、1,4−ビス(2−メチルスチリル)ベンゼン;
1,4−ビス(3−メチルスチリル)ベンゼン;1,4
−ビス(4−メチルスチリル)ベンゼン;ジスチリルベ
ンゼン;1,4−ビス(2−エチルスチリル)ベンゼ
ン;1,4−ビス(3−エチルスチリル)ベンゼン;
1,4−ビス(2−メチルスチリル)−2−メチルベン
ゼン;1,4−ビス(2−メチルスチリル)−2−エチ
ルベンゼンなどが挙げられる。
示されているジスチリルピラジン誘導体も有機発光層の
材料として用いることができる。その代表例としては、
2,5−ビス(4−メチルスチリル)ピラジン;2,5
−ビス(4−エチルスチリル)ピラジン;2,5−ビス
〔2−(1−ナフチル)ビニル〕ピラジン;2,5−ビ
ス(4−メトキシスチリル)ピラジン;2,5−ビス
〔2−(4−ビフェニル)ビニル〕ピラジン;2,5−
ビス〔2−(1−ピレニル)ビニル〕ピラジンなどが挙
げられる。その他、欧州特許第0388768号明細書
や特開平3−231970号公報に開示されているジメ
チリデン誘導体を有機発光層の材料として用いることも
できる。その代表例としては、1,4−フェニレンジメ
チリディン;4,4’−ビフェニレンジメチリディン;
2,5−キシリレンジメチリディン;2,6−ナフチレ
ンジメチリディン;1,4−ビフェニレンジメチリディ
ン;1,4−p−テレフェニレンジメチリディン;9,
10−アントラセンジイルジメチリディン;4,4’−
(2,2−ジ−t−ブチルフェニルビニル)ビフェニ
ル;4,4’−(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニ
ルなど、及びこれらの誘導体が挙げられる。
に開示されているクマリン誘導体、特開平2−1968
85号公報に開示されているペリレン誘導体、特開平2
−255789公報に開示されているナフタレン誘導
体、特開平2−289676号公報及び同2−8868
9号公報に開示されているフタロペリノン誘導体、特開
平2−250292号公報に開示されているスチリルア
ミン誘導体も、有機発光層の材料として用いることがで
きる。これらの有機発光層材料は、所望の発光色や性能
などに応じて適宜選ばれる。なお、本発明の有機EL素
子における有機発光層は、米国特許第4,769,29
2号明細書に開示されているように、蛍光物質を加えて
形成してもよい。この場合のベースとなる物質は、該ジ
アミン誘導体であってもよいし、該ジアミン誘導体以外
の有機発光層材料であってもよい。さらには、該ジアミ
ン誘導体と有機発光層材料との混合物であってもよい。
蛍光物質を加えて有機発光層を形成する場合、蛍光物質
の添加量は数モル%以下が好ましい。該蛍光物質は電子
と正孔との再結合に応答して発光するため、発光機能の
一部を担うことになる。
性を有していない化合物を用いることもできる。具体例
としては、1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
1,1,4,4−テトラフェニル−1,3−ブタジエ
ン;テトラフェニルシクロペンタジエンなどが挙げられ
る。しかし、薄膜形成性を有しないこれらの材料を用い
た有機EL素子は、素子の寿命が短いという欠点を有す
る。本発明の有機EL素子における正孔輸送層は、有機
発光層が本発明のジアミン誘導体を含んでいれば、該ジ
アミン誘導体を含む層であってもよいし、該ジアミン誘
導体を含まない層であってもよい。本発明のジアミン誘
導体以外の正孔輸送層材料としては、有機EL素子の正
孔輸送層材料として従来より使用されている種々の物質
を用いることができる。
ン誘導体を含む層を設ける場合、この正孔輸送層は、前
記したように該ジアミン誘導体のみからなる単層構造、
該ジアミン誘導体と有機EL素子の正孔輸送層材料とし
て従来より使用されている物質の層との複層構造、ある
いは該ジアミン誘導体と有機EL素子の正孔輸送層材料
として従来より使用されている物質との混合物からなる
層を含む単層構造又は複層構造のいずれであってもよ
い。この場合の好ましい層構造は、該ジアミン誘導体の
みからなる単層構造又は該ジアミン誘導体層と、ポルフ
ィリン化合物(特開昭63−295695号公報などに
開示されているもの)の層又は有機半導体性オリゴマー
の層との複層構造である。
は、ポリフィン,5,10,15,20−テトラフェニ
ル−21H−,23H−ポルフィン銅(II) ;5,1
0,15,20−テトラフェニル−21H−,23H−
ポルフィン亜鉛(II) ;5,10,15,20−テトラ
キス(ペルフルオロフェニル)−21H−,23H−ポ
ルフィン;シリコンフタロシアニンオキシド;アルミニ
ウムフタロシアニンクロリド;フタロシアニン(無金
属);ジリチウムフタロシアニン;銅テトラメチルフタ
ロシアニン;銅フタロシアニン;クロムフタロシアニ
ン;亜鉛フタロシアニン;鉛フタロシアニン;チタニウ
ムフタロシアニンオキシド;マグネシウムフタロシアニ
ン;銅オクタメチルフタロシアニンンなどが挙げられ
る。また、上記有機半導体性オリゴマーとしては、特に
一般式(II)
6のアルキル基,炭素数1〜6のアルコキシ基又はフェ
ニル基であり、それらはたがいに同一でも異なっていて
もよい。)で表される化合物が好適である。本発明の有
機EL素子において必要に応じて設けられる電子注入層
(電子注入輸送層)は、陰極より注入された電子を有機
発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料と
しては、従来公知の電子伝達化合物の中から任意のもの
を選択して用いることができる。この電子伝達化合物の
好ましいものとしては、例えば
子注入層は電子の注入性,輸送性,障害性のいずれかを
有する層であり、上記の化合物の他に、Si系,SiC
系,CdS系などの結晶性ないし非結晶性材料を用いる
こともできる。本発明の有機EL素子は、前記の陽極,
陰極,有機発光層,必要に応じて設けられる正孔輸送層
及び電子注入層以外に、層間の付着性を改善するための
層を有していてもよい。このような層、例えば有機発光
層と陰極との付着性を改善するための層の材料の具体例
としては、トリス(8−キノリノール)アルミニウム,
トリス(8−キノリノール)インジウムなどのキノリノ
ール金属錯体系化合物を挙げることができる。
の構成に応じて、例えば以下のようにして製造すること
ができる。 (a)陽極/有機発光層(本発明のジアミン誘導体を含
む)/陰極の構成を有する有機EL素子の製造−1− まず、適当な基板上に、所望の電極物質、例えば陽極物
質からなる薄膜を、1μm以下、好ましくは10〜20
0nmの範囲の膜厚になるように、蒸着やスパッタリン
グなどの方法により形成して陽極を作製する。次に、こ
の陽極上に本発明のジアミン誘導体の薄膜を形成するこ
とにより、有機発光層を設ける。このジアミン誘導体の
薄膜化は真空蒸着法,スピンコート法,キャスト法など
の方法により行うことができるが、均質な膜が得られや
すく、かつピンホールが生成しにくいなどの点から、真
空蒸着法が好ましい。該ジアミン誘導体を薄膜化するに
当たって真空蒸着法を適用する場合、その蒸着条件は、
使用するジアミン誘導体の種類、目的とする有機発光層
の結晶構造や会合構造などにより異なるが、一般にボー
ト加熱温度50〜400℃、真空度10-6〜10-3P
a、蒸着速度0.01〜50nm/sec、基板温度−5
0〜+300℃、膜厚5nm〜5μmの範囲で適宜選択
することが好ましい。
ち、この有機発光層上に陰極物質からなる薄膜を1μm
以下、好ましくは10〜200nmの範囲の膜厚になる
ように、蒸着やスパッタリングなどの方法により形成し
て陰極を作製する。これにより目的とする有機EL素子
が得られる。なお、この有機EL素子の製造において
は、製造順を逆にして、基板上に陰極/有機発光層/陽
極の順に作製することも可能である。 (b)陽極/有機発光層(本発明のジアミン誘導体を含
む)/陰極の構成を有する有機EL素子の製造−2− まず、適当な基板上に、上記(a)の場合と同様にして
陽極を作製する。次いで、この陽極上に正孔輸送層材
料,有機発光層材料,電子注入層材料,結着剤(ポリビ
ニルカルバゾールなど)などを含む溶液を塗布すること
により、有機発光層を設ける。
(a)の場合と同様にして有機発光層上に形成して陰極
を作製する。これにより目的とする有機EL素子が得ら
れる。なお、有機発光層は、上記のようにして形成した
層の上に、所望の有機発光層材料の薄膜を真空蒸着法な
どにより形成して複層構造としてもよい。あるいは、正
孔輸送層材料や電子注入層材料と共に、有機発光層材料
を同時蒸着させることにより、有機発光層を形成しても
よい。 (c)陽極/正孔輸送層(本発明のジアミン誘導体を含
む)/有機発光層/陰極の構成を有する有機EL素子の
製造 まず、適当な基板上に、上記(a)の場合と同様にして
陽極を作製する。次いで、この陽極上に本発明のジアミ
ン誘導体の薄膜を形成することにより正孔輸送層を設け
る。この正孔輸送層の形成は、上記(a)における有機
発光層(本発明のジアミン誘導体を含む)の形成と同様
にして行うことができる。
材料を用いて有機発光層を設ける。有機発光層は、真空
蒸着法,スピンコート法,キャスト法などの方法により
有機発光層材料を薄膜化することにより形成することが
できるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが
生成しにくいなどの点から、真空蒸着法が好ましい。こ
の後、陰極物質からなる薄膜を上記(a)の場合と同様
にして有機発光層上に形成して陰極を作製する。これに
より目的とする有機EL素子が得られる。なお、この有
機EL素子の製造においても、製造順を逆にして、基板
上に陰極/有機発光層/正孔輸送層/陰極の順に作製す
ることが可能である。
ン誘導体を含む)/有機発光層/電子注入層/陰極の構
成を有する有機EL素子の製造 まず、適当な基板上に、上記(c)の場合と同様にして
陽極,正孔輸送層(本発明のジアミン誘導体を含む)及
び有機発光層を形成する。有機発光層の形成後、この有
機発光層上に電子伝達化合物からなる薄膜を、1μm以
下、好ましくは5〜100nmの範囲の膜厚になるよう
に、蒸着やスパッタリングなどの方法により形成して、
電子注入層を形成する。この後、陰極物質からなる薄膜
を上記(c)の場合と同様にして電子注入層上に形成し
て、陰極を作成する。これにより目的とする有機EL素
子が得られる。なお、この有機EL素子の製造において
も、製造順を逆にして、基極上に陰極/電子注入層/有
機発光層/正孔輸送層/陽極の順に作成することが可能
である。このようにして製造することができる本発明の
有機EL素子は、陽極を+、陰極を−の極性にして5〜
40Vの直流電圧を印加することにより、発光を生じ
る。逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず、発光は
全く生じない。また、交流電圧を印加した場合には、陽
極が+、陰極が−の極性になったときにのみ発光が生じ
る。なお、交流電圧を印加する場合、交流の波形は任意
でよい。
説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定さ
れるものではない。 参考例1 N,N’−ジ−(1−ナフチル)−4,
4’−ベンジジンの合成 10gのN,N−ジアセチル−4,4’−ベンジジン
(東京化成社製),10gの1−ヨードナフタレン(東
京化成社製),10gの無水炭酸カリウム,1gの銅粉
および300ミリリットルのジメチルスホキシド(DM
SO)を500ミリリットルのナスフラスコに入れ、2
00℃で48時間加熱攪拌した。無機物を濾別し、母液
を減圧下で溶媒留去し、得られた残渣を1リットルのテ
トラヒドロフラン(THF)に溶解し、50ミリリット
ルのメタノールに溶解させた10gの水酸化カリウム溶
液を加え、80℃で24時間加熱攪拌した。反応溶液を
10リットルの水に注ぎ、生成した沈殿を濾過して集
め、6.7gの茶白色粉末を得た。これを原料Aとして以
下の実施例に用いた。
スター社製),5gの無水炭酸カリウム,1gの銅粉お
よび200ミリリットルのDMSOを300ミリリット
ルのナスフラスコに入れ、200℃で30時間加熱攪拌
した。無機物を濾別し、母液を減圧下で溶媒留去し、得
られた残渣をワコーゲルC−200(広島和光社製)を
担持したカラムを用い、トルエンを溶媒にして精製した
ところ0.91gの淡黄色粉末を得た(収率48%,融点
198℃)。この化合物の 1H−NMRを図1に示す。
て4−i−プロピル−ヨードベンゼン(ランカスター社
製)5gを用いた以外は同様に反応を行ったところ0.6
6gの淡黄色粉末を得た(収率54%,融点144
℃)。この化合物の 1H−NMRを図2に示す。
4−t−ブチル−ヨードベンゼン(ランカスター社製)
5gを用いた以外は同様に反応を行ったところ、0.58
gの淡黄色粉末を得た(収率36%,融点173℃)。
この化合物の 1H−NMRを図3に示す。
4−ブロモフェネトン(アルドリッチ社製)5gを用い
た以外は同様に反応を行ったところ、0.70gの淡黄色
粉末を得た(収率47%,融点188℃)。この化合物
の 1H−NMRを測定した結果、δ 7.96〜7.92
(d,2H),7.88〜7.84(d,2H),7.74〜
7.70(d,2H),7.47〜7.42(t,2H),7.
44〜7.40(t,2H),7.37〜7.27(m,8
H),7.08〜7.03(m,4H),6.85〜6.76
(m,8H),4.08〜3.70(q,4H),1.48〜
1.20(t,6H)ppmであった。
ヨードビフェニル(アルドリッチ社製)5gを用いた以
外は同様に反応を行ったところ、0.43gの淡黄色粉末
を得た(収率25%,融点172℃)。この化合物の 1
H−NMRを図4に示す。
にして有機EL素子を作製した。25mm×75mm×
1.1mmのサイズのガラス基板上にITO電極を100
nmの厚さで成膜したものを透明支持基板とした。これ
をイソプロピルアルコールで5分間超音波洗浄した後、
純水で5分間洗浄し最後に再びイソプロピルアルコール
で5分間超音波洗浄した。この透明支持基板を真空蒸着
装置(日本真空技術(株)製)の基板ホルダーに固定
し、モリブデン製の抵抗加熱ボート5つを用意してそれ
ぞれに4,4’,4" −トリス(3−メチルフェニルフ
ェニルアミノ)トリフェニルアミン(MTDATA)を
500mg、DA−1を200mg、4,4’−ビス
(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニル(DPVB
i)を200mg、4,4’−ビス〔2−(4−(N,
N−ジフェニルアミノ)フェニル)ビニル〕ビフェニル
(DPAVBi)を200mg、最後にトリス(8−ヒ
ドロキシキノリン)アルミニウム(Alq)を100m
g入れ、真空チャンバー内を1×10-4Paまで減圧し
た。
加熱してMTDATAを基板上に堆積させ、膜厚60n
mの正孔注入層を成膜した。次にDA−1入りの前記ボ
ートを加熱しDA−1を蒸発させて、膜厚20nmの正
孔輸送層を成膜した。続いて、DPVBi入りのボート
とDPAVBi入りのボートを同時に加熱蒸発させ正孔
輸送層の上に、混合発光層として40nm積層蒸着した
(混合比は重量比でDPVBi:DPAVBi=40:
1)。さらに最後のボートからAlq(電子注入層)を
20nm堆積させた。最後に、これを真空槽から取り出
して、上記発光層の上にステンレススチール製マスクを
設置し、再び基板ホルダーに固定した。さらに、タング
ステン製バスケットにAgワイヤー0.5g入れ、また別
のモリブリテン製ボートにMgリボン1gを入れた。真
空槽内を1×10-4Paまで減圧して、Mgを1.8nm
/s,同時にAgを0.1nm/sの蒸発速度で蒸着して
陰電極を作製した。得られた素子に、ITOを陽極、M
g:Agを陰極として8Vの電圧を印加すると、青色に
均一発光した。初期性能は8Vで電流密度4.0mA/c
m2 、輝度163cd/m2 、効率1.61ルーメン/W
であった。初期100cd/m2 で乾燥窒素中で定電流
連続駆動すると半減寿命(輝度が半分になる時間)が1
500時間であった。
DA−3を用いた以外は同様にして有機EL素子を作製
し評価した。 実施例8 実施例6においてDA−1に代えて実施例3で合成した
DA−6を用いた以外は同様にして有機EL素子を作製
し評価した。 実施例9 実施例6においてDA−1に代えて実施例4で合成した
DA−13を用いた以外は同様にして有機EL素子を作
製し評価した。
DA−25を用いた以外は同様にして有機EL素子を作
製し評価した。
ル−N,N’−ジフェニル−4,4’−ジアミノビフェ
ニル(NPD)を用いた以外は実施例6と同様にして有
機EL素子を作製した。得られた素子にITOを陽極、
Mg:Agを陰極として8Vの電圧を印加すると、青色
に均一発光した。初期性能は8Vで電流密度4.0mA/
cm2 、輝度140cd/m2 、効率1.37ルーメン/
wであった。初期100cd/m3 で乾燥窒素中で定電
流連続駆動すると半減寿命は950時間であり、明らか
に実施例6のものより劣っていた。 比較例2 実施例6においてDA−1に代えて、特開平1−142
657号公報明細書の第12頁に記載の化合物No.1
81と同一の化合物である下記DA−0を用いた以外は
同様にして有機EL素子を作製し評価した。
657号公報明細書の第14頁に記載の化合物No.2
40と同一の化合物である下記構造を有するDA−00
を用いた以外は同様にしてEL素子を作製し評価した。
す。
溶媒に対して極めて溶解性が高く、精製が容易であり、
有機EL素子あるいは電子写真感光体に用いた場合、安
定性に優れ極めて長寿命の素子あるいは感光体を得るこ
とができる。また、本発明のジアミン誘導体を用いるこ
とにより長時間連続駆動においても優れた発光安定性を
示す長寿命な有機EL素子を提供するができる。
の 1H−NMRを示す図である。
の 1H−NMRを示す図である。
の 1H−NMRを示す図である。
の 1H−NMRを示す図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 下記一般式(I)で表されるジアミン誘
導体。 【化1】 式中、X1 〜X10はそれぞれ水素,炭素数2〜6のアル
キル基,炭素数2〜6のアルコキシ基又はフェニル基で
あり、X1 〜X5 の少なくともひとつ及びX6 〜X10の
少なくともひとつは炭素数2〜6のアルキル基,炭素数
2〜6のアルコキシ基又はフェニル基である。 - 【請求項2】 請求項1記載のジアミン誘導体を用いる
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項3】 請求項1記載のジアミン誘導体を正孔輸
送層として用いることを特徴とする有機エレクトロルミ
ネッセンス素子。
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