JPH10219241A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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-
- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電界発光素子である有機薄膜エレクトロルミ
ネッセンス(有機EL)素子の連続駆動寿命の長寿命化
を図ることを目的とする。 【解決手段】 本発明の有機エレクトロルミネッセンス
素子は、基板上に正孔を注入する陽極と正孔を輸送する
正孔輸送層と発光領域を有する発光層と電子を注入する
陰極を備え、正孔輸送層が一般式(化4)乃至(化6)
のいずれか1で表される芳香族三級アミン化合物を主と
して形成された構成を有している。
ネッセンス(有機EL)素子の連続駆動寿命の長寿命化
を図ることを目的とする。 【解決手段】 本発明の有機エレクトロルミネッセンス
素子は、基板上に正孔を注入する陽極と正孔を輸送する
正孔輸送層と発光領域を有する発光層と電子を注入する
陰極を備え、正孔輸送層が一般式(化4)乃至(化6)
のいずれか1で表される芳香族三級アミン化合物を主と
して形成された構成を有している。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、種々の表示装置や
表示装置の光源又はバックライト、若しくは光通信機器
に使用される発光素子等に用いられる有機エレクトロル
ミネッセンス素子に関するものである。
表示装置の光源又はバックライト、若しくは光通信機器
に使用される発光素子等に用いられる有機エレクトロル
ミネッセンス素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】エレクトロルミネッセン素子とは、固体
蛍光性物質の電界発光を利用した発光デバイスであり、
現在無機系材料を発光体として用いた無機エレクトロル
ミネッセンス素子が実用化され、液晶ディスプレイのバ
ックライトやフラットディスプレイ等への応用展開が一
部で図られている。しかし、無機エレクトロルミネッセ
ン素子は発光させるために必要な電圧が100V以上と
高く、しかも青色発光が難しいため、RGBの三原色に
よるフルカラー化が困難である。
蛍光性物質の電界発光を利用した発光デバイスであり、
現在無機系材料を発光体として用いた無機エレクトロル
ミネッセンス素子が実用化され、液晶ディスプレイのバ
ックライトやフラットディスプレイ等への応用展開が一
部で図られている。しかし、無機エレクトロルミネッセ
ン素子は発光させるために必要な電圧が100V以上と
高く、しかも青色発光が難しいため、RGBの三原色に
よるフルカラー化が困難である。
【0003】一方、有機材料を用いたエレクトロルミネ
ッセン素子に関する研究も古くから注目され、様々な検
討が行われてきたが、発光効率が非常に悪いことから本
格的な実用化研究へは進展しなかった。
ッセン素子に関する研究も古くから注目され、様々な検
討が行われてきたが、発光効率が非常に悪いことから本
格的な実用化研究へは進展しなかった。
【0004】しかし、1987年にコダック社のC.
W.Tangらにより、有機材料を正孔輸送層と発光層
の2層に分けた機能分離型の積層構造を有する有機エレ
クトロルミネッセンス素子が提案され、10V以下の低
電圧にもかかわらず1000cd/m2以上の高い発光
輝度が得られることが明らかとなった〔C.W.Tan
g and S.A.Vanslyke:Appl.P
hys.Lett,51(1987)913等参照〕。
これ以降、有機エレクトロルミネッセンス素子が俄然注
目され始め、現在も同様な機能分離型の積層構造を有す
る有機エレクトロルミネッセンス素子についての研究が
盛んに行われている。
W.Tangらにより、有機材料を正孔輸送層と発光層
の2層に分けた機能分離型の積層構造を有する有機エレ
クトロルミネッセンス素子が提案され、10V以下の低
電圧にもかかわらず1000cd/m2以上の高い発光
輝度が得られることが明らかとなった〔C.W.Tan
g and S.A.Vanslyke:Appl.P
hys.Lett,51(1987)913等参照〕。
これ以降、有機エレクトロルミネッセンス素子が俄然注
目され始め、現在も同様な機能分離型の積層構造を有す
る有機エレクトロルミネッセンス素子についての研究が
盛んに行われている。
【0005】ここで、従来の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子について図1を用いて説明する。
ンス素子について図1を用いて説明する。
【0006】図1は従来の有機エレクトロルミネッセン
ス素子の構成図である。図1において、1は基板、2は
陽極、3は正孔輸送層、4は発光層、5は陰極である。
ス素子の構成図である。図1において、1は基板、2は
陽極、3は正孔輸送層、4は発光層、5は陰極である。
【0007】図1に示したように従来の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子は、ガラス等の透明又は半透明な基
板1と、基板1上にスパッタリング法や抵抗加熱蒸着法
等により形成されたITO等の透明な導電性膜からなる
陽極2と、陽極2上に抵抗加熱蒸着法等により形成され
たN,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチル
フェニル)−1,1’−ジフェニル−4,4’−ジアミ
ン(以下、TPDと略称する。)等からなる正孔輸送層
3と、正孔輸送層3上に抵抗加熱蒸着法等により形成さ
れた8−Hydroxyquinoline Alum
inum(以下、Alpと略称する。)等からなる発光
層4と、発光層4上に抵抗加熱蒸着法等により形成され
た100nm〜300nmの膜厚の金属膜からなる陰極
5と、を備えている。
ルミネッセンス素子は、ガラス等の透明又は半透明な基
板1と、基板1上にスパッタリング法や抵抗加熱蒸着法
等により形成されたITO等の透明な導電性膜からなる
陽極2と、陽極2上に抵抗加熱蒸着法等により形成され
たN,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチル
フェニル)−1,1’−ジフェニル−4,4’−ジアミ
ン(以下、TPDと略称する。)等からなる正孔輸送層
3と、正孔輸送層3上に抵抗加熱蒸着法等により形成さ
れた8−Hydroxyquinoline Alum
inum(以下、Alpと略称する。)等からなる発光
層4と、発光層4上に抵抗加熱蒸着法等により形成され
た100nm〜300nmの膜厚の金属膜からなる陰極
5と、を備えている。
【0008】上記構成を有する有機エレクトロルミネッ
センス素子の陽極2をプラス極として、また陰極5をマ
イナス極として直流電圧又は直流電流を印加すると、陽
極2から正孔輸送層3を介して発光層4に正孔が注入さ
れ、陰極5から発光層4に電子が注入される。発光層4
では正孔と電子の再結合が生じ、これに伴って生成され
る励起子が励起状態から基底状態へ移行する際に発光現
象が起こる。
センス素子の陽極2をプラス極として、また陰極5をマ
イナス極として直流電圧又は直流電流を印加すると、陽
極2から正孔輸送層3を介して発光層4に正孔が注入さ
れ、陰極5から発光層4に電子が注入される。発光層4
では正孔と電子の再結合が生じ、これに伴って生成され
る励起子が励起状態から基底状態へ移行する際に発光現
象が起こる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の有機エレクトロルミネッセンス素子では、定電圧又
は定電流を印加して連続的に発光させると発光輝度が経
時的に減衰し、連続発光時間が短いという課題を有して
いた。
来の有機エレクトロルミネッセンス素子では、定電圧又
は定電流を印加して連続的に発光させると発光輝度が経
時的に減衰し、連続発光時間が短いという課題を有して
いた。
【0010】本発明は上記従来の課題を解決するもので
あり、高い発光輝度で長時間安定して連続発光が可能な
有機エレクトロルミネッセンス素子の提供を目的とす
る。
あり、高い発光輝度で長時間安定して連続発光が可能な
有機エレクトロルミネッセンス素子の提供を目的とす
る。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、基
板上に正孔を注入する陽極と正孔を輸送する正孔輸送層
と発光領域を有する発光層と電子を注入する陰極を備
え、正孔輸送層が一般式(化4)乃至(化6)
に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、基
板上に正孔を注入する陽極と正孔を輸送する正孔輸送層
と発光領域を有する発光層と電子を注入する陰極を備
え、正孔輸送層が一般式(化4)乃至(化6)
【0012】
【化4】
【0013】
【化5】
【0014】
【化6】
【0015】のいずれか1で表される芳香族三級アミン
化合物を主として形成された構成を有している。
化合物を主として形成された構成を有している。
【0016】この構成により、有機エレクトロルミネッ
センス素子を高い発光輝度で長時間安定して連続発光が
可能になるという作用を有する。
センス素子を高い発光輝度で長時間安定して連続発光が
可能になるという作用を有する。
【0017】
【発明の実施の形態】請求項1に記載の発明は、基板上
に少なくとも正孔を注入する陽極と、正孔を輸送する正
孔輸送層と、発光領域を有する発光層と電子を注入する
陰極を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であっ
て、正孔輸送層が一般式(化4)乃至(化6)で表され
る芳香族三級アミン化合物のいずれか1以上を主として
形成された構成を有している。
に少なくとも正孔を注入する陽極と、正孔を輸送する正
孔輸送層と、発光領域を有する発光層と電子を注入する
陰極を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であっ
て、正孔輸送層が一般式(化4)乃至(化6)で表され
る芳香族三級アミン化合物のいずれか1以上を主として
形成された構成を有している。
【0018】この構成により、有機エレクトロルミネッ
センス素子を高い発光輝度で長時間安定して連続発光が
可能になるという作用を有する。
センス素子を高い発光輝度で長時間安定して連続発光が
可能になるという作用を有する。
【0019】ここで、一般式(化4)乃至(化6)にお
ける(A)、(B)、(C)、(B′)および(B″)
は置換もしくは無置換のo−アリ−レン、ビニレン又は
エチレン基が挙げられる。無置換の基について具体例を
示せば、例えば下記の基が挙げられる。
ける(A)、(B)、(C)、(B′)および(B″)
は置換もしくは無置換のo−アリ−レン、ビニレン又は
エチレン基が挙げられる。無置換の基について具体例を
示せば、例えば下記の基が挙げられる。
【0020】
【化7】
【0021】好ましくは(A)および(C)は置換もし
くは無置換のo−アリ−レン基が挙げられ、(B),
(B′)および(B″)は置換もしくは無置換のo−ア
リ−レン,ビニレン又はエチレン基が挙げられる。より
好ましくは(A)および(C)は置換もしくは無置換の
o−フェニレン基が挙げられ、(B),(B′)および
(B″)は置換もしくは無置換のo−アリ−レン又はビ
ニレン基が挙げられる。特に好ましくは、(A)および
(C)は無置換のo−フェニレン基で、(B)、
(B′)および(B″)は置換もしくは無置換のo−ア
リ−レン基が挙げられる。
くは無置換のo−アリ−レン基が挙げられ、(B),
(B′)および(B″)は置換もしくは無置換のo−ア
リ−レン,ビニレン又はエチレン基が挙げられる。より
好ましくは(A)および(C)は置換もしくは無置換の
o−フェニレン基が挙げられ、(B),(B′)および
(B″)は置換もしくは無置換のo−アリ−レン又はビ
ニレン基が挙げられる。特に好ましくは、(A)および
(C)は無置換のo−フェニレン基で、(B)、
(B′)および(B″)は置換もしくは無置換のo−ア
リ−レン基が挙げられる。
【0022】一般式(化4)および(化5)における
[D]は少なくとも1つの芳香族基を含む化合物から誘
導される基であるが「少なくとも1つの芳香族基を含む
化合物」について詳しく述べれば、例えば置換もしくは
無置換のベンゼン、縮合多環炭化水素(ナフタレン、ア
ントラセン、フェナントレン、フルオランテン、トリフ
ェニレン、ピレンクリセン、ナフタセン、ピセン、ペリ
レン、ペンタフェン、ペンタセン、フルオレンなど)、
芳香族炭化水素環集合(ビフェニル、テルフェニル、ク
ァテルフェニル、キンクフェニル、セキシフェニル、セ
プチフェニル、2,2′−ビナフチル、1,3,5−ト
リフェニルベンゼン、9,10−ジフェニルアントラセ
ンなど)芳香族基置換不飽和炭化素1、2−ジフェニル
エチン、ジフェニンアセチレンなど)、芳香族複素環
(ピリジン、フラン、チオフェン、ピロール、2,2′
−ビフラン、2,2′ビチオフェン、2,2′−ビピロ
ール、2,2′−ビピリジルなど)芳香族エーテルおよ
びアミン(トリフェニルアミン、ジフェニルエーテルな
ど)等が挙げられる。[D]はこれから誘導された基で
あり、価数はn又はpの基である。
[D]は少なくとも1つの芳香族基を含む化合物から誘
導される基であるが「少なくとも1つの芳香族基を含む
化合物」について詳しく述べれば、例えば置換もしくは
無置換のベンゼン、縮合多環炭化水素(ナフタレン、ア
ントラセン、フェナントレン、フルオランテン、トリフ
ェニレン、ピレンクリセン、ナフタセン、ピセン、ペリ
レン、ペンタフェン、ペンタセン、フルオレンなど)、
芳香族炭化水素環集合(ビフェニル、テルフェニル、ク
ァテルフェニル、キンクフェニル、セキシフェニル、セ
プチフェニル、2,2′−ビナフチル、1,3,5−ト
リフェニルベンゼン、9,10−ジフェニルアントラセ
ンなど)芳香族基置換不飽和炭化素1、2−ジフェニル
エチン、ジフェニンアセチレンなど)、芳香族複素環
(ピリジン、フラン、チオフェン、ピロール、2,2′
−ビフラン、2,2′ビチオフェン、2,2′−ビピロ
ール、2,2′−ビピリジルなど)芳香族エーテルおよ
びアミン(トリフェニルアミン、ジフェニルエーテルな
ど)等が挙げられる。[D]はこれから誘導された基で
あり、価数はn又はpの基である。
【0023】好ましい[D]は置換もしくは無置換のベ
ンゼン、又は芳香族炭化水素環集合、芳香族エーテル、
及び芳香族アミンから誘導される基であり、特に好まし
くは無置換の芳香族炭化水素環集合から誘導される2価
の基である。
ンゼン、又は芳香族炭化水素環集合、芳香族エーテル、
及び芳香族アミンから誘導される基であり、特に好まし
くは無置換の芳香族炭化水素環集合から誘導される2価
の基である。
【0024】上記(A),(B),(C),(B′),
(B″)及び[D]が有してもよい置換基と一般式(I
I)及び(II)における置換基(R1〜R5)を具体的
に示せば、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキ
ル、アリール、アルコキシ、アリールオキシ、ジアルキ
ルアミノ、N−アルキル−N−アリールアミノ、又はジ
アリールアミノ基を表すが、詳しくは、フッ素、塩素、
臭素もしくはヨウ素のハロゲン原子、無置換の基につい
て言えば炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜36
のアリール基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数
6〜36のアリールオキシ基、炭素数2〜20のジアル
キルアミノ基、炭素数7〜42のN−アルキル−N−ア
リールアミノ基又は炭素数12〜48のジアリールアミ
ノ基である。
(B″)及び[D]が有してもよい置換基と一般式(I
I)及び(II)における置換基(R1〜R5)を具体的
に示せば、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキ
ル、アリール、アルコキシ、アリールオキシ、ジアルキ
ルアミノ、N−アルキル−N−アリールアミノ、又はジ
アリールアミノ基を表すが、詳しくは、フッ素、塩素、
臭素もしくはヨウ素のハロゲン原子、無置換の基につい
て言えば炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜36
のアリール基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数
6〜36のアリールオキシ基、炭素数2〜20のジアル
キルアミノ基、炭素数7〜42のN−アルキル−N−ア
リールアミノ基又は炭素数12〜48のジアリールアミ
ノ基である。
【0025】ハロゲン原子以外をより具体的に示せば、
メチル、エチル、イソプロピル、n−ブチル、t−ブチ
ル、n−ドデシル、もしくはシクロヘキシル、などのア
ルキル基、フェニル、ナフチル、アントラセニル、フェ
ナントレニル、ピレニル、ナフタセニル、ペンタセニル
もしくはペンタフェニルなどのアリール基、メトキシ、
エトキシ、イソプロポキシ、n−ヘキシルオキシ、シク
ロヘキシルオキシ、オクチルオキシ、もしくはドデシル
オキシなどのアルコキシル基、フェノキシ、ナフトキ
シ、アントラセノキシ、もしくはペンタセノキシなどの
アリールオキシ基、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、
ジプチルアミノ、ジオクチルアミノもしくはN−エチル
−N−ブチルアミノなどのジアルキルアミノ基、N−メ
チル−N−フェニルアミノ、N−エチル−N−フェニル
アミノ、N−イソプロピル−N−(3−メチルフェニ
ル)アミノ、N−メチル−N−(1−ナフチル)アミ
ノ、もしくはN−ブチル−N−(1−ナフタセニル)ア
ミノなどのN−アルキル−N−アリールアミノ基、又
は、ジフェニルアミノ、N−フェニル−N−(1−ナフ
チル)アミノ、N−(1−ナフチル)−N−(1−ナフ
チル)アミノ、N−フェニル−N−(1−アントラセニ
ル)アミノ、もしくはN−(1−アントラセニル)−N
−(1−フェナントレニル)アミノなどのジアリールア
ミノ基である。
メチル、エチル、イソプロピル、n−ブチル、t−ブチ
ル、n−ドデシル、もしくはシクロヘキシル、などのア
ルキル基、フェニル、ナフチル、アントラセニル、フェ
ナントレニル、ピレニル、ナフタセニル、ペンタセニル
もしくはペンタフェニルなどのアリール基、メトキシ、
エトキシ、イソプロポキシ、n−ヘキシルオキシ、シク
ロヘキシルオキシ、オクチルオキシ、もしくはドデシル
オキシなどのアルコキシル基、フェノキシ、ナフトキ
シ、アントラセノキシ、もしくはペンタセノキシなどの
アリールオキシ基、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、
ジプチルアミノ、ジオクチルアミノもしくはN−エチル
−N−ブチルアミノなどのジアルキルアミノ基、N−メ
チル−N−フェニルアミノ、N−エチル−N−フェニル
アミノ、N−イソプロピル−N−(3−メチルフェニ
ル)アミノ、N−メチル−N−(1−ナフチル)アミ
ノ、もしくはN−ブチル−N−(1−ナフタセニル)ア
ミノなどのN−アルキル−N−アリールアミノ基、又
は、ジフェニルアミノ、N−フェニル−N−(1−ナフ
チル)アミノ、N−(1−ナフチル)−N−(1−ナフ
チル)アミノ、N−フェニル−N−(1−アントラセニ
ル)アミノ、もしくはN−(1−アントラセニル)−N
−(1−フェナントレニル)アミノなどのジアリールア
ミノ基である。
【0026】これらの基が置換基を有する場合、その置
換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アリール
基、ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、
カルボキシ基、スルホ基、アミノ基、アルコキシ基、ア
リールオキシ基、アシルアミノ基、アルキルアミノ基、
アニリノ基、ウレイド基、スルファモイルアミノ基、ア
ルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル
アミノ基、スルホンアミド基、カルバモイル基、スルフ
ァモイル基、スルホニル基、アルコキシカルボニル基、
ヘテロ環オキシ基、アゾ基、アシルオキシ基、カルバモ
イルオキシ基、シリルオキシ基、アリールオキシカルボ
ニルアミノ基、イミド基、ヘテロ環チオ基、スルフィニ
ル基、ホスホニル基、アリールオキシカルボニル基、ア
シル基、シリル基又はアゾリル基があげられる。
換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アリール
基、ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、
カルボキシ基、スルホ基、アミノ基、アルコキシ基、ア
リールオキシ基、アシルアミノ基、アルキルアミノ基、
アニリノ基、ウレイド基、スルファモイルアミノ基、ア
ルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル
アミノ基、スルホンアミド基、カルバモイル基、スルフ
ァモイル基、スルホニル基、アルコキシカルボニル基、
ヘテロ環オキシ基、アゾ基、アシルオキシ基、カルバモ
イルオキシ基、シリルオキシ基、アリールオキシカルボ
ニルアミノ基、イミド基、ヘテロ環チオ基、スルフィニ
ル基、ホスホニル基、アリールオキシカルボニル基、ア
シル基、シリル基又はアゾリル基があげられる。
【0027】(A),(B),(C),(B′),
(B″)および[D]が有しても良い置換基とR1〜R4
の好ましい基は、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキ
シ基、ジアルキルアミノ基又はジアリールアミノ基であ
り、特に好ましくはアルキル基又はジアルキルアミノ基
である。
(B″)および[D]が有しても良い置換基とR1〜R4
の好ましい基は、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキ
シ基、ジアルキルアミノ基又はジアリールアミノ基であ
り、特に好ましくはアルキル基又はジアルキルアミノ基
である。
【0028】R5について好ましい基は、ハロゲン原
子、アルキル基、アルコキシ基又はジアルキルアミノ基
であり、特に好ましくはハロゲン原子、アルキル基又は
アルコキシ基である。
子、アルキル基、アルコキシ基又はジアルキルアミノ基
であり、特に好ましくはハロゲン原子、アルキル基又は
アルコキシ基である。
【0029】次にh〜nおよびpで表される数について
説明する。h,i,j,k,lは0乃至4の整数を表す
が好ましくは0〜2の整数であり、より好ましくは0又
は1である。nは1乃至6の整数を表すが、好ましくは
2乃至4の整数であり、特に好ましくは2である。nお
よびpは1以上の整数を表すが、(B)及び(B′)が
ビニレン又はエチレン基の場合は2以上の整数を表す。
n及びpは好ましくは2以上の整数であり、特に好まし
くは2である。
説明する。h,i,j,k,lは0乃至4の整数を表す
が好ましくは0〜2の整数であり、より好ましくは0又
は1である。nは1乃至6の整数を表すが、好ましくは
2乃至4の整数であり、特に好ましくは2である。nお
よびpは1以上の整数を表すが、(B)及び(B′)が
ビニレン又はエチレン基の場合は2以上の整数を表す。
n及びpは好ましくは2以上の整数であり、特に好まし
くは2である。
【0030】次に本発明の一般式(化4)乃至(化6)
で表される化合物の具体例を以下に示すが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。
で表される化合物の具体例を以下に示すが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。
【0031】
【化8】
【0032】
【化9】
【0033】
【化10】
【0034】
【化11】
【0035】
【化12】
【0036】
【化13】
【0037】
【化14】
【0038】
【化15】
【0039】
【化16】
【0040】
【化17】
【0041】なお、本実施の形態で用いられる一般式
(化4)〜(化6)で表される芳香族三級アミン化合物
は単独で正孔輸送層を形成する事に限定されず、他の正
孔輸送能を有す有機材料との積層構造や混合層、または
高分子中に分散された構成でも使用することができる。
すなわち特開平4−129191号公報、特開平4−2
55692号公報、特開平4−132189号公報に記
載されているような、ポルヒィン、テトラフェニルポル
ヒィン銅、フタロシアニン、銅フタロシアニン、チタニ
ウムフタロシアニンオキサイド等のポルフィリン化合
物、1、1−ビス{4−(ジ−P−トリルアミノ)フェ
ニル}シクロヘキサン、4、4’、4’’−トリメチル
トリフェニルアミン、N、N、N’N’−テトラキス
(P−トリル)−P−フェニレンジアミン、1−(N、
N−ジ−P−トリルアミノ)ナフタレン、4、4’−ビ
ス(ジメチルアミノ)−2−2’−ジメチルトリフェニ
ルメタン、N、N、N’、N’−テトラフェニル−4、
4’−ジアミノビフェニル、N、N’、ジフェニル−
N、N’−ジ−m−トリル−4、N、N’、ジフェニル
−N、N’−ビス(3−メチルフェニル)−1、1’−
4、4’−ジアミン、4’−ジアミノビフェニル、N−
フェニルカルバゾール等の芳香族三級アミン、4−ジ−
P−トリルアミノスチルベン、4−(ジ−P−トリルア
ミノ)−4’−[4−ジ−P−トリルアミノ)スチリ
ル]スチルベン等のスチルベン化合物、トリアゾール誘
導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、
ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラ
ゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アニールア
ミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール
誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘
導体、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、ポリシラン
系アニリン系共重合体、高分子オリゴマー、スチリルア
ミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポリ3−
メチルチオフェン等の正孔輸送材である。またポリカー
ボネート等の高分子中に分散させた、高分子分散系とし
ても用いられる。また従来の技術では発光層として、A
lqを用いたが、発光層としては可視領域に蛍光を有
し、成膜性がよい蛍光体からなるものであれば他に用い
ることも可能である。用いられる物質としては以下の材
料があげられる。すなわち特開平4−255692号公
報に記載されているような、ベンゾチアゾール系、ベン
ゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白
剤、金属キレート化オキシノイド化合物、スチリルベン
ゼン系化合物等を挙げることができる。その代表例とし
ては、2、5−ビス(5、7−ジ−t−ペンチル−2−
ベンゾオキサゾリル)−1、3、4−チアジアゾール、
4、4’−ビス(5、7−ベンチル−2−ベンゾオキサ
ゾリル)スチルベン、4、4’ビス[5、7−ジ−(2
−メチル−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリル]ス
チルベン、2、5−ビス(5、7、ジ−t−ベンチル−
2−ベンゾオキサゾリル)チオフィン、2、5−ビス
([5−α、α−ジメチルベンジル]−2−ベンゾオキ
サゾリル)チオフェン、2、5−ビス[5、7−ジ−
(2−メチル−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリ
ル]−3、4−ジヒェニルチオフェン、2、5、−ビス
(5−メチル−2−ベンゾオキサゾリル)チオフェン、
4、4’−ビス(2−ベンゾオキサイゾリル)ビフェニ
ル、5−メチル−2−[2−[4−(5−メチル−2−
ベンゾオキサイゾリル)フェニル]ビニル]ベンゾオキ
サイゾリル、2−[2−(4−クロロフェニル)ビニ
ル]ナフト[1、2−d]オキサゾールなどのベンゾオ
キサゾール系、2、2’−(P−フェニレンジビニレ
ン)−ビスベンゾチアゾールなどのベンゾチアゾールな
どのベンゾチアゾール系、2−[2−[4−(2−ベン
ゾイミダゾリル)フェニル]ビニル]ベンゾイミダゾー
ル、2−[2−(4−カルボキシフェニル)ビニル]ベ
ンゾイミダゾールなどのベンゾイミダゾール系などの蛍
光増白剤が挙げられる。前期金属キレート化オキシノイ
ドの例としては、トリス(8−キノリノール)アルミニ
ウム、ビス(8−キノリノール)マグネシウム、ビス
(ベンゾ[f]−8−キノリノール)亜鉛、ビス(2−
メチル−8−キノリノラート)アルミニウムオキシド、
トリス(8−キノリノール)インジウム、トリス(5−
メチル−8−キノリノール)アルミニウム、8−キノリ
ノールリチウム、トリス(5−クロロ−8−キノリノー
ル)ガリウム、ビス(5−クロロ−8−キノリノール)
カルシウム、ポリ[亜鉛(II)−ビス(8−ヒドロキ
シ−5−キノリノニル)メタン]などの8−ヒドロキシ
キノリン系金属錯体やジリチウムエピンドリジオン等が
挙げられる。スチリルベンゼン系化合物としては、1、
4−ビス(2−メチルスチリル)ベンゼン、1、4−
(3−メチルスチリル)ベンゼン、1、4−ビス−(2
−メチルスチリル)ベンゼン、1、4−(3−メチルス
チリル)ベンゼン、1、4−ビス(4−メチルスチリ
ル)ベンゼン、ジスチリルベンゼン、1、4−ビス(2
−エチルスチリル)ベンゼン、1、4−ビス(3−エチ
ルスチリル)ベンゼン、1、4−ビス(2−メチルスチ
リル)−2−メチルベンゼン等が挙げられる。また、ジ
スチルピラジン誘導体も発光層に用いられ、その代表例
としては、2、5−ビス(4−メチルスチリル)ピラジ
ン、2、5−ビス(4−エチルスチリル)ピラジン、
2、5−ビス[2−(1−ナフチル)ビニル]ピラジ
ン、2、5−ビス(4−メトキシスチリル)ピラジン、
2、5−ビス[2−(4−ビフェニル)ビニル]ピラジ
ン、2、5−ビス[2−(1−ピレニル)ビニル]ピラ
ジン等が挙げられる。さらに、ナフタルイミド誘導体、
ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン
誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘
導体、あるいはクマリン系誘導体、芳香族ジメチリディ
ン誘導体、さらに特開平4−132189号公報に記載
されているような、発光層としてアントラセン、サリチ
ル酸塩、ピレン、コロネン等も挙げられる。さらに陰極
としては仕事関数の低い金属もしくは合金が用いられ、
Al、In、Mg、Ti、Mg/Ag合金、Al−Li
合金等が用いられる。さらに陰極の上に蒸着やスパッタ
リング等もしくは塗布法により大気中の酸素や水分の影
響を遮断するための封止膜を設ける場合もある。その材
料として、SiO、SiO.2、Al2O3等の無機酸化
物、熱硬化性、光硬化性の樹脂や封止効果のあるシラン
系の高分子材料等が挙げられる。
(化4)〜(化6)で表される芳香族三級アミン化合物
は単独で正孔輸送層を形成する事に限定されず、他の正
孔輸送能を有す有機材料との積層構造や混合層、または
高分子中に分散された構成でも使用することができる。
すなわち特開平4−129191号公報、特開平4−2
55692号公報、特開平4−132189号公報に記
載されているような、ポルヒィン、テトラフェニルポル
ヒィン銅、フタロシアニン、銅フタロシアニン、チタニ
ウムフタロシアニンオキサイド等のポルフィリン化合
物、1、1−ビス{4−(ジ−P−トリルアミノ)フェ
ニル}シクロヘキサン、4、4’、4’’−トリメチル
トリフェニルアミン、N、N、N’N’−テトラキス
(P−トリル)−P−フェニレンジアミン、1−(N、
N−ジ−P−トリルアミノ)ナフタレン、4、4’−ビ
ス(ジメチルアミノ)−2−2’−ジメチルトリフェニ
ルメタン、N、N、N’、N’−テトラフェニル−4、
4’−ジアミノビフェニル、N、N’、ジフェニル−
N、N’−ジ−m−トリル−4、N、N’、ジフェニル
−N、N’−ビス(3−メチルフェニル)−1、1’−
4、4’−ジアミン、4’−ジアミノビフェニル、N−
フェニルカルバゾール等の芳香族三級アミン、4−ジ−
P−トリルアミノスチルベン、4−(ジ−P−トリルア
ミノ)−4’−[4−ジ−P−トリルアミノ)スチリ
ル]スチルベン等のスチルベン化合物、トリアゾール誘
導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、
ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラ
ゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アニールア
ミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール
誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘
導体、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、ポリシラン
系アニリン系共重合体、高分子オリゴマー、スチリルア
ミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポリ3−
メチルチオフェン等の正孔輸送材である。またポリカー
ボネート等の高分子中に分散させた、高分子分散系とし
ても用いられる。また従来の技術では発光層として、A
lqを用いたが、発光層としては可視領域に蛍光を有
し、成膜性がよい蛍光体からなるものであれば他に用い
ることも可能である。用いられる物質としては以下の材
料があげられる。すなわち特開平4−255692号公
報に記載されているような、ベンゾチアゾール系、ベン
ゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白
剤、金属キレート化オキシノイド化合物、スチリルベン
ゼン系化合物等を挙げることができる。その代表例とし
ては、2、5−ビス(5、7−ジ−t−ペンチル−2−
ベンゾオキサゾリル)−1、3、4−チアジアゾール、
4、4’−ビス(5、7−ベンチル−2−ベンゾオキサ
ゾリル)スチルベン、4、4’ビス[5、7−ジ−(2
−メチル−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリル]ス
チルベン、2、5−ビス(5、7、ジ−t−ベンチル−
2−ベンゾオキサゾリル)チオフィン、2、5−ビス
([5−α、α−ジメチルベンジル]−2−ベンゾオキ
サゾリル)チオフェン、2、5−ビス[5、7−ジ−
(2−メチル−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリ
ル]−3、4−ジヒェニルチオフェン、2、5、−ビス
(5−メチル−2−ベンゾオキサゾリル)チオフェン、
4、4’−ビス(2−ベンゾオキサイゾリル)ビフェニ
ル、5−メチル−2−[2−[4−(5−メチル−2−
ベンゾオキサイゾリル)フェニル]ビニル]ベンゾオキ
サイゾリル、2−[2−(4−クロロフェニル)ビニ
ル]ナフト[1、2−d]オキサゾールなどのベンゾオ
キサゾール系、2、2’−(P−フェニレンジビニレ
ン)−ビスベンゾチアゾールなどのベンゾチアゾールな
どのベンゾチアゾール系、2−[2−[4−(2−ベン
ゾイミダゾリル)フェニル]ビニル]ベンゾイミダゾー
ル、2−[2−(4−カルボキシフェニル)ビニル]ベ
ンゾイミダゾールなどのベンゾイミダゾール系などの蛍
光増白剤が挙げられる。前期金属キレート化オキシノイ
ドの例としては、トリス(8−キノリノール)アルミニ
ウム、ビス(8−キノリノール)マグネシウム、ビス
(ベンゾ[f]−8−キノリノール)亜鉛、ビス(2−
メチル−8−キノリノラート)アルミニウムオキシド、
トリス(8−キノリノール)インジウム、トリス(5−
メチル−8−キノリノール)アルミニウム、8−キノリ
ノールリチウム、トリス(5−クロロ−8−キノリノー
ル)ガリウム、ビス(5−クロロ−8−キノリノール)
カルシウム、ポリ[亜鉛(II)−ビス(8−ヒドロキ
シ−5−キノリノニル)メタン]などの8−ヒドロキシ
キノリン系金属錯体やジリチウムエピンドリジオン等が
挙げられる。スチリルベンゼン系化合物としては、1、
4−ビス(2−メチルスチリル)ベンゼン、1、4−
(3−メチルスチリル)ベンゼン、1、4−ビス−(2
−メチルスチリル)ベンゼン、1、4−(3−メチルス
チリル)ベンゼン、1、4−ビス(4−メチルスチリ
ル)ベンゼン、ジスチリルベンゼン、1、4−ビス(2
−エチルスチリル)ベンゼン、1、4−ビス(3−エチ
ルスチリル)ベンゼン、1、4−ビス(2−メチルスチ
リル)−2−メチルベンゼン等が挙げられる。また、ジ
スチルピラジン誘導体も発光層に用いられ、その代表例
としては、2、5−ビス(4−メチルスチリル)ピラジ
ン、2、5−ビス(4−エチルスチリル)ピラジン、
2、5−ビス[2−(1−ナフチル)ビニル]ピラジ
ン、2、5−ビス(4−メトキシスチリル)ピラジン、
2、5−ビス[2−(4−ビフェニル)ビニル]ピラジ
ン、2、5−ビス[2−(1−ピレニル)ビニル]ピラ
ジン等が挙げられる。さらに、ナフタルイミド誘導体、
ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン
誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘
導体、あるいはクマリン系誘導体、芳香族ジメチリディ
ン誘導体、さらに特開平4−132189号公報に記載
されているような、発光層としてアントラセン、サリチ
ル酸塩、ピレン、コロネン等も挙げられる。さらに陰極
としては仕事関数の低い金属もしくは合金が用いられ、
Al、In、Mg、Ti、Mg/Ag合金、Al−Li
合金等が用いられる。さらに陰極の上に蒸着やスパッタ
リング等もしくは塗布法により大気中の酸素や水分の影
響を遮断するための封止膜を設ける場合もある。その材
料として、SiO、SiO.2、Al2O3等の無機酸化
物、熱硬化性、光硬化性の樹脂や封止効果のあるシラン
系の高分子材料等が挙げられる。
【0042】
【合成例】次に、本発明の具体例を説明する。
【0043】〈合成例1〉(例示化合物(1)の合成) 5Hジベンズ〔b、f〕アゼビン(イミノスチルベ
ン)、17.4g(90mmol)、4,4’−ジヨー
ドビフェニル、12.2g(30mmol)、水酸化カ
リウム、13.5g(240mmol)、および銅粉
9.5g(150mmol)をデカリン18mlと混合
し、窒素気流下、外温200℃で28時間加熱撹拌し
た。反応液を室温近くに戻した後、クロロホルムを加え
不溶物を除くためセライトろ過し、ろ液を濃縮した。デ
カリンを除くため残渣にn−ヘキサンを加え、固形物を
ろ過し、得られた固形物のメタノール晶析により例示化
合物(1)を含む結晶を8g得た。この結晶をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィ(溶出液:クロロホルム+n
−hexane)で精製し、更にメタノール再結晶する
ことにより、純粋な例示化合物(1)を2.5g(収率
15.5%)得た。融点は288〜290℃であった。
ン)、17.4g(90mmol)、4,4’−ジヨー
ドビフェニル、12.2g(30mmol)、水酸化カ
リウム、13.5g(240mmol)、および銅粉
9.5g(150mmol)をデカリン18mlと混合
し、窒素気流下、外温200℃で28時間加熱撹拌し
た。反応液を室温近くに戻した後、クロロホルムを加え
不溶物を除くためセライトろ過し、ろ液を濃縮した。デ
カリンを除くため残渣にn−ヘキサンを加え、固形物を
ろ過し、得られた固形物のメタノール晶析により例示化
合物(1)を含む結晶を8g得た。この結晶をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィ(溶出液:クロロホルム+n
−hexane)で精製し、更にメタノール再結晶する
ことにより、純粋な例示化合物(1)を2.5g(収率
15.5%)得た。融点は288〜290℃であった。
【0044】〈合成例2〉(例示化合物(2)の合成) 9Hトリベンズ〔b、d、f〕アゼピン(J.Org.
Chem.,56、3906(1991)に基づき合
成)、18.2g(75mmol)、4,4’−ジョー
ドビフェニル、10.2g(25mmol)、水酸化カ
リウム11.2g(200mmol)および銅粉3.2
g(50mmol)とデカリン15mlを混合し、窒素
気流下、外温200℃で18時間加熱撹拌した。室温近
くに冷却した後クロロホルムを加え、不溶物を除くため
セライトろ過を行った。ろ液を濃縮し、残渣にメタノー
ルを加え加熱し、得られた結晶性化合物をろ過した。こ
の結晶性化合物(21g)を例示化合物(2)を含むが
不純物の存在が薄層シリカゲルクロマトグラフィにより
確認できた。シリカゲルカラムクロマトグラフィ(溶出
液:クロロホルム+n−ヘキサン)で精製し、クロロホ
ルム/n−ヘキサン溶液で再結晶を行うことにより2.
4gの結晶を得たが、純度が不十分であったため、更に
もう1回カラムクロマトグラフィと再結晶を行った。こ
の操作により純粋な例示化合物(2)を1.6g(収率
10%)得ることができた。融点は、329〜331℃
であった。
Chem.,56、3906(1991)に基づき合
成)、18.2g(75mmol)、4,4’−ジョー
ドビフェニル、10.2g(25mmol)、水酸化カ
リウム11.2g(200mmol)および銅粉3.2
g(50mmol)とデカリン15mlを混合し、窒素
気流下、外温200℃で18時間加熱撹拌した。室温近
くに冷却した後クロロホルムを加え、不溶物を除くため
セライトろ過を行った。ろ液を濃縮し、残渣にメタノー
ルを加え加熱し、得られた結晶性化合物をろ過した。こ
の結晶性化合物(21g)を例示化合物(2)を含むが
不純物の存在が薄層シリカゲルクロマトグラフィにより
確認できた。シリカゲルカラムクロマトグラフィ(溶出
液:クロロホルム+n−ヘキサン)で精製し、クロロホ
ルム/n−ヘキサン溶液で再結晶を行うことにより2.
4gの結晶を得たが、純度が不十分であったため、更に
もう1回カラムクロマトグラフィと再結晶を行った。こ
の操作により純粋な例示化合物(2)を1.6g(収率
10%)得ることができた。融点は、329〜331℃
であった。
【0045】〈合成例3〉(例示化合物(37)の合
成) 10、11−ジヒドロ−5H−ジベンズ〔b,f〕アゼ
ピン〔2,2’−イミノジベンジル〕14.4g(7
3.8mmol)、4、4’−ジヨードビフェニル10
g(24.6mmol)、水酸化カリウム11g(1
9.7mmol)、および銅粉7.8g(12.3mm
ol)をデカリン15mlと混合し、窒素気流下、外温
170℃で12時間加熱撹拌した。室温近くに冷却した
後クロロホルムを加え、不溶物を除くためセライトろ過
を行った。ろ液を濃縮し、残渣にメタノールを加え、加
熱し、晶析することにより、目的化合物を含む結晶を8
g得た。この結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
(溶出液:クロロホルム+n−ヘキサン)で精製し、さ
らにメタノール晶析することにより純粋な例示化合物
(37)を1.2g(収率9%)得ることができた。融
点は329〜331℃であった。
成) 10、11−ジヒドロ−5H−ジベンズ〔b,f〕アゼ
ピン〔2,2’−イミノジベンジル〕14.4g(7
3.8mmol)、4、4’−ジヨードビフェニル10
g(24.6mmol)、水酸化カリウム11g(1
9.7mmol)、および銅粉7.8g(12.3mm
ol)をデカリン15mlと混合し、窒素気流下、外温
170℃で12時間加熱撹拌した。室温近くに冷却した
後クロロホルムを加え、不溶物を除くためセライトろ過
を行った。ろ液を濃縮し、残渣にメタノールを加え、加
熱し、晶析することにより、目的化合物を含む結晶を8
g得た。この結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
(溶出液:クロロホルム+n−ヘキサン)で精製し、さ
らにメタノール晶析することにより純粋な例示化合物
(37)を1.2g(収率9%)得ることができた。融
点は329〜331℃であった。
【0046】次に本発明の有機エレクトロルミネッセン
ス素子について、実施例を用いて、具体的に説明する。
ス素子について、実施例を用いて、具体的に説明する。
【0047】
(実施例1)本発明の実施例1としてITOの上に例示
化合物(37)を0.1〜0.2nm/secの蒸着速
度で50nm蒸着し、以後Alq,Al−Liの順に真
空中で連続して蒸着し素子を作製した。比較例と同様
に、Alqは0.1〜0.2nm/secの蒸着速度に
よりタンタル製の蒸着ボードより蒸着し75nmの膜厚
を、Al−LiはLiの濃度15at%のAl−Li合
金をタングステン製のボードより0.5nm/secの
蒸着速度により200nmの膜厚で形成し有機エクトロ
ルミネッセンス素を完成した。完成した有機エクトロル
ミネッセンス素子は乾燥窒素中定電流駆動を行い、素子
の連続駆動試験を行った。駆動条件は11.5mA/c
m2の定電流駆動で初期輝度500cd/m2、駆動電圧
10.2Vであった。輝度の測定はトプコン社製のBM
−8ルミネセントメーターにより測定した。素子は95
時間連続駆動後に半減した。
化合物(37)を0.1〜0.2nm/secの蒸着速
度で50nm蒸着し、以後Alq,Al−Liの順に真
空中で連続して蒸着し素子を作製した。比較例と同様
に、Alqは0.1〜0.2nm/secの蒸着速度に
よりタンタル製の蒸着ボードより蒸着し75nmの膜厚
を、Al−LiはLiの濃度15at%のAl−Li合
金をタングステン製のボードより0.5nm/secの
蒸着速度により200nmの膜厚で形成し有機エクトロ
ルミネッセンス素を完成した。完成した有機エクトロル
ミネッセンス素子は乾燥窒素中定電流駆動を行い、素子
の連続駆動試験を行った。駆動条件は11.5mA/c
m2の定電流駆動で初期輝度500cd/m2、駆動電圧
10.2Vであった。輝度の測定はトプコン社製のBM
−8ルミネセントメーターにより測定した。素子は95
時間連続駆動後に半減した。
【0048】(実施例2)本発明の実施例1としてIT
Oの上に例示化合物(1)を0.1〜0.2nm/se
cの蒸着速度で50nm蒸着し、以後Alq,Al−L
iの順に真空中で連続して蒸着し素子を作製した。比較
例と同様に、Alqは0.1〜0.2nm/secの蒸
着速度によりタンタル製の蒸着ボードより蒸着し75n
mの膜厚を、Al−LiはLiの濃度15at%のAl
−Li合金をタングステン製のボードより0.5nm/
secの蒸着速度により200nmの膜厚で形成し有機
エクトロルミネッセンス素を完成した。完成した有機エ
クトロルミネッセンス素子は乾燥窒素中定電流駆動を行
い、素子の連続駆動試験を行った。駆動条件は11.2
mA/cm2の定電流駆動で初期輝度500cd/m2、
初期駆動電圧は10.2Vであった。輝度の測定はトプ
コン社製のBM−8ルミネセントメーターにより測定し
た。素子は234時間連続駆動後に半減した。
Oの上に例示化合物(1)を0.1〜0.2nm/se
cの蒸着速度で50nm蒸着し、以後Alq,Al−L
iの順に真空中で連続して蒸着し素子を作製した。比較
例と同様に、Alqは0.1〜0.2nm/secの蒸
着速度によりタンタル製の蒸着ボードより蒸着し75n
mの膜厚を、Al−LiはLiの濃度15at%のAl
−Li合金をタングステン製のボードより0.5nm/
secの蒸着速度により200nmの膜厚で形成し有機
エクトロルミネッセンス素を完成した。完成した有機エ
クトロルミネッセンス素子は乾燥窒素中定電流駆動を行
い、素子の連続駆動試験を行った。駆動条件は11.2
mA/cm2の定電流駆動で初期輝度500cd/m2、
初期駆動電圧は10.2Vであった。輝度の測定はトプ
コン社製のBM−8ルミネセントメーターにより測定し
た。素子は234時間連続駆動後に半減した。
【0049】(実施例3)本発明の実施例1としてIT
Oの上に例示化合物(2)を0.1〜0.2nm/se
cの蒸着速度で50nm蒸着し、以後Alq,Al−L
iの順に真空中で連続して蒸着し素子を作製した。比較
例と同様に、Alqは0.1〜0.2nm/secの蒸
着速度によりタンタル製の蒸着ボードより蒸着し75n
mの膜厚を、Al−LiはLiの濃度15at%のAl
−Li合金をタングステン製のボードより0.5nm/
secの蒸着速度により200nmの膜厚で形成し有機
エクトロルミネッセンス素を完成した。完成した有機エ
クトロルミネッセンス素子は定電流駆動を行い、素子の
連続駆動試験を行った。駆動条件は15.5mA/cm
2の定電流駆動で初期輝度500cd/m2、初期駆動電
圧は10.6Vであった。輝度の測定はトプコン社製の
BM−8ルミネセントメーターにより測定した。素子は
354時間連続駆動後に半減した。
Oの上に例示化合物(2)を0.1〜0.2nm/se
cの蒸着速度で50nm蒸着し、以後Alq,Al−L
iの順に真空中で連続して蒸着し素子を作製した。比較
例と同様に、Alqは0.1〜0.2nm/secの蒸
着速度によりタンタル製の蒸着ボードより蒸着し75n
mの膜厚を、Al−LiはLiの濃度15at%のAl
−Li合金をタングステン製のボードより0.5nm/
secの蒸着速度により200nmの膜厚で形成し有機
エクトロルミネッセンス素を完成した。完成した有機エ
クトロルミネッセンス素子は定電流駆動を行い、素子の
連続駆動試験を行った。駆動条件は15.5mA/cm
2の定電流駆動で初期輝度500cd/m2、初期駆動電
圧は10.6Vであった。輝度の測定はトプコン社製の
BM−8ルミネセントメーターにより測定した。素子は
354時間連続駆動後に半減した。
【0050】(比較例)十分洗浄されたITOの上にT
PD,Alq,Al−Liの順に真空中で連続して素子
を作製した。ITOは旭硝子(株)社製のITOガラス
(抵抗値=10Ω/sq,膜厚220nm)を使用し
た。TPD,Alqはトリケミカル研究所より購入した
ものを使用した。TPD,Alqは0.1〜0.2nm
/secの蒸着速度によりタンタル製の蒸着ボードより
蒸着し、それぞれ50nm,75nmの膜厚を順に積層
した。Al−LiはLiの濃度15at%のAl−Li
合金をタングステン製のボードより0.5nm/sec
の蒸着速度により200nmの膜厚で形成し有機エクト
ロルミネッセンス素を完成した。完成した有機エクトロ
ルミネッセンス素子は定電流駆動を行い、素子の連続駆
動試験を行った。駆動条件は10.5mA/cm2の定
電流駆動で初期輝度500cd/m2、初期駆動電圧は
10.3Vであった。輝度の測定はトプコン社製のBM
−8ルミネセントメーターにより測定した。連続駆動試
験を行うと、素子は90時間連続駆動後に半減した。
PD,Alq,Al−Liの順に真空中で連続して素子
を作製した。ITOは旭硝子(株)社製のITOガラス
(抵抗値=10Ω/sq,膜厚220nm)を使用し
た。TPD,Alqはトリケミカル研究所より購入した
ものを使用した。TPD,Alqは0.1〜0.2nm
/secの蒸着速度によりタンタル製の蒸着ボードより
蒸着し、それぞれ50nm,75nmの膜厚を順に積層
した。Al−LiはLiの濃度15at%のAl−Li
合金をタングステン製のボードより0.5nm/sec
の蒸着速度により200nmの膜厚で形成し有機エクト
ロルミネッセンス素を完成した。完成した有機エクトロ
ルミネッセンス素子は定電流駆動を行い、素子の連続駆
動試験を行った。駆動条件は10.5mA/cm2の定
電流駆動で初期輝度500cd/m2、初期駆動電圧は
10.3Vであった。輝度の測定はトプコン社製のBM
−8ルミネセントメーターにより測定した。連続駆動試
験を行うと、素子は90時間連続駆動後に半減した。
【0051】
【発明の効果】以上のように本発明によれば有機エクト
ロルミネッセンス素の連続駆動安定性が大幅に向上し、
初期輝度の減衰が長時間にわたって緩和されるという有
利な効果が得られる。
ロルミネッセンス素の連続駆動安定性が大幅に向上し、
初期輝度の減衰が長時間にわたって緩和されるという有
利な効果が得られる。
【図1】有機エクトロルミネッセンス素子の構成図
1 基板 2 陽極 3 正孔輸送層 4 発光層 5 陰極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩永 秀明 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 小松 隆宏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 佐藤 忠久 神奈川県南足柄市中沼210番地 富士写真 フイルム株式会社内
Claims (4)
- 【請求項1】基板上に少なくとも正孔を注入する陽極
と、正孔を輸送する正孔輸送層と、発光領域を有する発
光層と電子を注入する陰極を備えた有機エレクトロルミ
ネッセンス素子であって、前記正孔輸送層が次の一般式
(化1)〜(化3) 【化1】 【化2】 【化3】 で表される芳香族三級アミン化合物のいずれか1以上を
主として形成されていることを特徴とする有機エレクト
ロルミネッセンス素子。 - 【請求項2】前記正孔輸送層が、前記芳香族三級アミン
化合物の単層で形成されていることを特徴とする請求項
1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項3】前記正孔輸送層が、前記芳香族三級アミン
化合物層と、他の正孔輸送能を有する有機材料層との積
層物もしくは混合層で形成されていることを特徴とする
請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項4】前記正孔輸送層が、前記芳香族三級アミン
化合物を高分子化合物中に分散した分散層で形成されて
いることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9026254A JPH10219241A (ja) | 1997-02-10 | 1997-02-10 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9026254A JPH10219241A (ja) | 1997-02-10 | 1997-02-10 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10219241A true JPH10219241A (ja) | 1998-08-18 |
Family
ID=12188135
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9026254A Pending JPH10219241A (ja) | 1997-02-10 | 1997-02-10 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10219241A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH113049A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-06 | Toray Ind Inc | 発光素子 |
US6150043A (en) * | 1998-04-10 | 2000-11-21 | The Trustees Of Princeton University | OLEDs containing thermally stable glassy organic hole transporting materials |
EP1202358A2 (en) * | 2000-10-31 | 2002-05-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Organic electroluminescence element |
US6451455B1 (en) * | 1998-04-01 | 2002-09-17 | The Trustees Of Princeton University | Metal complexes bearing both electron transporting and hole transporting moieties |
JP2007059517A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Fujifilm Corp | 光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法 |
US9793496B2 (en) | 2014-12-10 | 2017-10-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Condensed-cyclic compound and organic light-emitting device including the same |
US10181562B2 (en) | 2015-04-28 | 2019-01-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Compound and organic light-emitting device comprising the same |
US11114622B2 (en) | 2015-10-22 | 2021-09-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Compound and organic light-emitting device including the same |
-
1997
- 1997-02-10 JP JP9026254A patent/JPH10219241A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH113049A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-06 | Toray Ind Inc | 発光素子 |
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EP1202358A2 (en) * | 2000-10-31 | 2002-05-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Organic electroluminescence element |
EP1202358A3 (en) * | 2000-10-31 | 2004-09-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Organic electroluminescence element |
US7201974B2 (en) | 2000-10-31 | 2007-04-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Organic electroluminescence element |
JP2007059517A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Fujifilm Corp | 光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法 |
US9793496B2 (en) | 2014-12-10 | 2017-10-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Condensed-cyclic compound and organic light-emitting device including the same |
US10181562B2 (en) | 2015-04-28 | 2019-01-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Compound and organic light-emitting device comprising the same |
US11114622B2 (en) | 2015-10-22 | 2021-09-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Compound and organic light-emitting device including the same |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040203 |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050222 |