JP6128020B2 - 電子デバイス及び固体撮像装置、並びに、電子デバイスにおける電極形成方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 123
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 33
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 71
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 36
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 26
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 24
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 15
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 12
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 12
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 8
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 127
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 5
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 5
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 4
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 4
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 229910001428 transition metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 2
- 229920001795 coordination polymer Polymers 0.000 description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- DCYOBGZUOMKFPA-UHFFFAOYSA-N iron(2+);iron(3+);octadecacyanide Chemical compound [Fe+2].[Fe+2].[Fe+2].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-] DCYOBGZUOMKFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229960003351 prussian blue Drugs 0.000 description 2
- 239000013225 prussian blue Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 150000004819 silanols Chemical class 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFINAILKDBCXMX-PBHICJAKSA-N (2s,3r)-2-amino-3-hydroxy-n-(4-octylphenyl)butanamide Chemical compound CCCCCCCCC1=CC=C(NC(=O)[C@@H](N)[C@@H](C)O)C=C1 AFINAILKDBCXMX-PBHICJAKSA-N 0.000 description 1
- YIDSTEJLDQMWBR-UHFFFAOYSA-N 1-isocyanatododecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCN=C=O YIDSTEJLDQMWBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005555 GaZnO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000009918 complex formation Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- OAEGRYMCJYIXQT-UHFFFAOYSA-N dithiooxamide Chemical compound NC(=S)C(N)=S OAEGRYMCJYIXQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- QJAOYSPHSNGHNC-UHFFFAOYSA-N octadecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCS QJAOYSPHSNGHNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000090 poly(aryl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035209—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures
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- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0134—Quaternary Alloys
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
- H01L31/022475—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of indium tin oxide [ITO]
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
- H10K39/30—Devices controlled by radiation
- H10K39/32—Organic image sensors
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
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Description
第1電極は、インジウム(In)と、ガリウム(Ga)及び/又はアルミニウム(Al)と、亜鉛(Zn)と、酸素(O)との少なくとも四元系化合物から構成された非晶質酸化物から成り、
第2電極の仕事関数の値と第1電極の仕事関数の値との差は0.4eV以上である。
第1電極は、インジウム(In)と、ガリウム(Ga)及び/又はアルミニウム(Al)と、亜鉛(Zn)と、酸素(O)との少なくとも四元系化合物から構成された非晶質酸化物から成り、
第1電極は、光電変換層側から、第1B層及び第1A層の積層構造を有し、
第1電極の第1A層の仕事関数の値は、第1電極の第1B層の仕事関数の値よりも低い。
第1電極、第2電極、及び、第1電極と第2電極によって挟まれた光電変換層を備えており、
第1電極は、インジウム(In)と、ガリウム(Ga)及び/又はアルミニウム(Al)と、亜鉛(Zn)と、酸素(O)との少なくとも四元系化合物から構成された非晶質酸化物から成り、
第2電極の仕事関数の値と第1電極の仕事関数の値との差は0.4eV以上である電子デバイスにおける電極形成方法であって、
スパッタリング法に基づき形成する際の酸素ガス導入量(酸素ガス分圧)を制御することで、第1電極の仕事関数の値を制御する。
第1電極、第2電極、及び、第1電極と第2電極によって挟まれた光電変換層を備えており、
第1電極は、インジウム(In)と、ガリウム(Ga)及び/又はアルミニウム(Al)と、亜鉛(Zn)と、酸素(O)との少なくとも四元系化合物から構成された非晶質酸化物から成り、
第1電極は、光電変換層側から、第1B層及び第1A層の積層構造を有し、
第1電極の第1A層の仕事関数の値は、第1電極の第1B層の仕事関数の値よりも低い電子デバイスにおける電極形成方法であって、
スパッタリング法に基づき形成する際の酸素ガス導入量(酸素ガス分圧)を制御することで、第1電極の第1A層及び第1B層の仕事関数の値を制御する。
1.本開示の第1の態様〜第2の態様に係る電子デバイス及び固体撮像装置、並びに、本開示の第1の態様〜第2の態様に係る電子デバイスにおける電極形成方法、全般に関する説明
2.実施例1(本開示の第1の態様に係る電子デバイス、及び、本開示の第1の態様に係る電子デバイスにおける電極形成方法)
3.実施例2(本開示の第2の態様に係る電子デバイス、及び、本開示の第2の態様に係る電子デバイスにおける電極形成方法)
4.実施例3(本開示の第1の態様〜第2の態様に係る固体撮像装置)、その他
本開示の第1の態様に係る電子デバイス、本開示の第1の態様に係る固体撮像装置を構成する電子デバイス、本開示の第1の態様に係る電子デバイスにおける電極形成方法によって得られる電子デバイスを、以下、総称して、『本開示の第1の態様に係る電子デバイス等』と呼ぶ場合があるし、本開示の第2の態様に係る電子デバイス、本開示の第2の態様に係る固体撮像装置を構成する電子デバイス、本開示の第2の態様に係る電子デバイスにおける電極形成方法によって得られる電子デバイスを、以下、総称して、『本開示の第2の態様に係る電子デバイス等』と呼ぶ場合がある。また、本開示の第1の態様に係る電子デバイスにおける電極形成方法、及び、本開示の第2の態様に係る電子デバイスにおける電極形成方法を、以下、総称して、『本開示の電子デバイスにおける電極形成方法等』と呼ぶ場合がある。
シリコン半導体基板から成る基板10を準備する。ここで、基板10には、例えば、電子デバイスの駆動回路(図示せず)、配線11が設けられており、表面には絶縁層12が形成されている。絶縁層12には、底部に配線11が露出した開口部13が設けられている。そして、開口部13内を含む絶縁層12上に、スパッタリング法に基づき、ITOから成る第2電極22を形成(成膜)する(図1A参照)。
次いで、第2電極22のパターニングを行った後、全面に、真空蒸着法にて、キナクリドンから成る光電変換層23を形成(成膜)し、更に、光電変換層23上に、スパッタリング法に基づき、IGZOから成る第1電極21を形成(成膜)する。こうして、図1Bに示す構造を有する実施例1の電子デバイスを得ることができる。
ここで、
h:プランク定数
c:光速
q:電子の電荷
λ:入射光の波長(μm)
I:明電流であり、実施例1の測定にあっては、逆バイアス電圧1ボルトにおいて得られる電流値(アンペア/cm2)
P:入射光のパワー(アンペア/cm2)
である。
内部量子効率(%) オン/オフ比
実施例1 39 2.6
実施例2 55 3.4
比較例1 5.4 1.4
[A01]《電子デバイス:第1の態様》
第1電極、第2電極、及び、第1電極と第2電極によって挟まれた光電変換層を備えた電子デバイスであって、
第1電極は、インジウムと、ガリウム及び/又はアルミニウムと、亜鉛と、酸素との少なくとも四元系化合物から構成された非晶質酸化物から成り、
第2電極の仕事関数の値と第1電極の仕事関数の値との差は0.4eV以上である電子デバイス。
[A02]第2電極の仕事関数の値と第1電極の仕事関数の値との差を0.4eV以上とすることで、仕事関数の値の差に基づき光電変換層において内部電界を発生させ、内部量子効率の向上を図る[A01]に記載の電子デバイス。
[B01]《電子デバイス:第2の態様》
第1電極、第2電極、及び、第1電極と第2電極によって挟まれた光電変換層を備えた電子デバイスであって、
第1電極は、インジウムと、ガリウム及び/又はアルミニウムと、亜鉛と、酸素との少なくとも四元系化合物から構成された非晶質酸化物から成り、
第1電極は、光電変換層側から、第1B層及び第1A層の積層構造を有し、
第1電極の第1A層の仕事関数の値は、第1電極の第1B層の仕事関数の値よりも低い電子デバイス。
[B02]第1電極の第1A層の仕事関数の値と第1電極の第1B層の仕事関数の値との差は、0.1eV乃至0.2eVである[B01]に記載の電子デバイス。
[B03]第2電極の仕事関数の値と第1電極の第1A層の仕事関数の値との差は0.4eV以上である[B01]又は[B02]に記載の電子デバイス。
[B04]第1電極の厚さは1×10-8m乃至1×10-7mであり、
第1電極の第1A層の厚さと第1電極の第1B層の厚さの割合は9/1乃至1/9である[B01]乃至[B03]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[B05]第2電極の仕事関数の値と第1電極の第1A層の仕事関数の値との差を0.4eV以上とすることで、仕事関数の値の差に基づき光電変換層において内部電界を発生させ、内部量子効率の向上を図る[B01]乃至[B04]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[C01]第1電極の仕事関数の値は4.1eV乃至4.5eVである[A01]乃至[B05]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[C02]第1電極は、インジウム−ガリウム複合酸化物、インジウム・ドープのガリウム−亜鉛複合酸化物、酸化アルミニウム・ドープの酸化亜鉛、インジウム−亜鉛複合酸化物(IZO)、又は、ガリウム・ドープの酸化亜鉛から構成されている[A01]乃至[C01]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[C03]第2電極は、インジウム−スズ複合酸化物、インジウム−亜鉛複合酸化物、又は、酸化錫から構成されている[A01]乃至[C02]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[C04]第1電極の、波長400nm乃至660nmの光に対する光透過率は80%以上である[A01]乃至[C03]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[C05]第1電極のシート抵抗値は、3×10Ω/□乃至1×103Ω/□である[A01]乃至[C04]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[C06]第1電極をスパッタリング法に基づき形成する際の酸素ガス導入量を制御することで、第1電極の仕事関数の値が制御される[A01]乃至[C05]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[C07]酸素の含有率が化学量論組成の酸素含有率よりも少ない[A01]乃至[C06]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[C08]光電変換素子から成る[A01]乃至[C07]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[D01]《固体撮像装置》
[A01]乃至[C08]のいずれか1項に記載の電子デバイスを備えている固体撮像装置。
[E01]《電子デバイスにおける電極形成方法:第1の態様》
第1電極、第2電極、及び、第1電極と第2電極によって挟まれた光電変換層を備えており、
第1電極は、インジウムと、ガリウム及び/又はアルミニウムと、亜鉛と、酸素との少なくとも四元系化合物から構成された非晶質酸化物から成り、
第2電極の仕事関数の値と第1電極の仕事関数の値との差は0.4eV以上である電子デバイスにおける電極形成方法であって、
スパッタリング法に基づき形成する際の酸素ガス導入量を制御することで、第1電極の仕事関数の値を制御する、電子デバイスにおける電極形成方法。
[E02]第2電極の仕事関数の値と第1電極の仕事関数の値との差を0.4eV以上とすることで、仕事関数の値の差に基づき光電変換層において内部電界を発生させ、内部量子効率の向上を図る[E01]に記載の電子デバイスにおける電極形成方法。
[E03]《電子デバイスにおける電極形成方法:第2の態様》
第1電極、第2電極、及び、第1電極と第2電極によって挟まれた光電変換層を備えており、
第1電極は、インジウムと、ガリウム及び/又はアルミニウムと、亜鉛と、酸素との少なくとも四元系化合物から構成された非晶質酸化物から成り、
第1電極は、光電変換層側から、第1B層及び第1A層の積層構造を有し、
第1電極の第1A層の仕事関数の値は、第1電極の第1B層の仕事関数の値よりも低い電子デバイスにおける電極形成方法であって、
スパッタリング法に基づき形成する際の酸素ガス導入量を制御することで、第1電極の第1A層及び第1B層の仕事関数の値を制御する電子デバイスにおける電極形成方法。
[E04]第1電極の第1A層の仕事関数の値と第1電極の第1B層の仕事関数の値との差は、0.1eV乃至0.2eVである[E03]に記載の電子デバイスにおける電極形成方法。
[E05]第1電極の厚さは1×10-8m乃至1×10-7mであり、
第1電極の第1A層の厚さと第1電極の第1B層の厚さの割合は9/1乃至1/9である[E03]又は[E04]に記載の電子デバイスにおける電極形成方法。
[E06]第2電極の仕事関数の値と第1電極の第1A層の仕事関数の値との差を0.4eV以上とすることで、仕事関数の値の差に基づき光電変換層において内部電界を発生させ、内部量子効率の向上を図る[E03]乃至[E05]のいずれか1項に記載の電子デバイスにおける電極形成方法。
[E07]第1電極において、酸素の含有率は化学量論組成の酸素含有率よりも少ない[E01]乃至[E06]のいずれか1項に記載の電子デバイスにおける電極形成方法。
[E08]第1電極の仕事関数の値は4.1eV乃至4.5eVである[E01]乃至[E07]のいずれか1項に記載の電子デバイスにおける電極形成方法。
[E09]第1電極は、インジウム−ガリウム複合酸化物、インジウム・ドープのガリウム−亜鉛複合酸化物、酸化アルミニウム・ドープの酸化亜鉛、インジウム−亜鉛複合酸化物(IZO)、又は、ガリウム・ドープの酸化亜鉛から構成されている[E01]乃至[E08]のいずれか1項に記載の電子デバイスにおける電極形成方法。
[E10]第2電極は、インジウム−スズ複合酸化物、インジウム−亜鉛複合酸化物、又は、酸化錫から構成されている[E01]乃至[E09]のいずれか1項に記載の電子デバイスにおける電極形成方法。
[E11]第1電極の、波長400nm乃至660nmの光に対する光透過率は80%以上である[E01]乃至[E10]のいずれか1項に記載の電子デバイスにおける電極形成方法。
[E12]第1電極のシート抵抗値は、3×10Ω/□乃至1×103Ω/□である[E01]乃至[E11]のいずれか1項に記載の電子デバイスにおける電極形成方法。
[E13]光電変換素子用の電極である[E01]乃至[E12]のいずれか1項に記載の電子デバイスにおける電極形成方法。
Claims (16)
- 第1電極、第2電極、及び、第1電極と第2電極によって挟まれた光電変換層を備えた電子デバイスであって、
第1電極は、インジウムと、ガリウム及び/又はアルミニウムと、亜鉛と、酸素との少なくとも四元系化合物から構成された非晶質酸化物から成り、
第1電極は、光電変換層側から、第1B層及び第1A層の積層構造を有し、
第1電極の第1A層の仕事関数の値は、第1電極の第1B層の仕事関数の値よりも低い電子デバイス。 - 第1電極の第1A層の仕事関数の値と第1電極の第1B層の仕事関数の値との差は、0.1eV乃至0.2eVである請求項1に記載の電子デバイス。
- 第2電極の仕事関数の値と第1電極の第1A層の仕事関数の値との差は0.4eV以上である請求項1に記載の電子デバイス。
- 第1電極の厚さは1×10-8m乃至1×10-7mであり、
第1電極の第1A層の厚さと第1電極の第1B層の厚さの割合は9/1乃至1/9である請求項1に記載の電子デバイス。 - 第2電極の仕事関数の値と第1電極の第1A層の仕事関数の値との差を0.4eV以上とすることで、仕事関数の値の差に基づき光電変換層において内部電界を発生させ、内部量子効率の向上を図る請求項1に記載の電子デバイス。
- 第1電極の仕事関数の値は4.1eV乃至4.5eVである請求項1に記載の電子デバイス。
- 第1電極は、インジウム−ガリウム複合酸化物、インジウム・ドープのガリウム−亜鉛複合酸化物、酸化アルミニウム・ドープの酸化亜鉛、インジウム−亜鉛複合酸化物、又は、ガリウム・ドープの酸化亜鉛から構成されている請求項1に記載の電子デバイス。
- 第2電極は、インジウム−スズ複合酸化物、インジウム−亜鉛複合酸化物、又は、酸化錫から構成されている請求項1に記載の電子デバイス。
- 第1電極の、波長400nm乃至660nmの光に対する光透過率は80%以上である請求項1に記載の電子デバイス。
- 第1電極のシート抵抗値は、3×10Ω/□乃至1×103Ω/□である請求項1に記載の電子デバイス。
- 酸素の含有率が化学量論組成の酸素含有率よりも少ない請求項1に記載の電子デバイス。
- 光電変換素子から成る請求項1乃至請求項11のいずれか1項に記載の電子デバイス。
- 請求項1乃至請求項11のいずれか1項に記載の電子デバイスを備えている固体撮像装置。
- 第1電極、第2電極、及び、第1電極と第2電極によって挟まれた光電変換層を備えており、
第1電極は、インジウムと、ガリウム及び/又はアルミニウムと、亜鉛と、酸素との少なくとも四元系化合物から構成された非晶質酸化物から成り、
第1電極は、光電変換層側から、第1B層及び第1A層の積層構造を有し、
第1電極の第1A層の仕事関数の値は、第1電極の第1B層の仕事関数の値よりも低い電子デバイスにおける電極形成方法であって、
スパッタリング法に基づき形成する際の酸素ガス導入量を制御することで、第1電極の第1A層及び第1B層の仕事関数の値を制御する、電子デバイスにおける電極形成方法。 - 第1電極の第1A層の仕事関数の値と第1電極の第1B層の仕事関数の値との差は、0.1eV乃至0.2eVである請求項14に記載の電子デバイスにおける電極形成方法。
- 第1電極において、酸素の含有率は化学量論組成の酸素含有率よりも少ない請求項14に記載の電子デバイスにおける電極形成方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014043640A JP6128020B2 (ja) | 2013-04-10 | 2014-03-06 | 電子デバイス及び固体撮像装置、並びに、電子デバイスにおける電極形成方法 |
US14/249,054 US10236396B2 (en) | 2013-04-10 | 2014-04-09 | Electronic device, solid state imaging apparatus, and method of producing electrode for electronic device |
CN201410143904.XA CN104103760B (zh) | 2013-04-10 | 2014-04-10 | 电子设备、固态成像装置及制造用于该设备的电极的方法 |
US16/255,090 US11145835B2 (en) | 2013-04-10 | 2019-01-23 | Imaging device having a photoelectric conversion layer |
US17/467,987 US11943942B2 (en) | 2013-04-10 | 2021-09-07 | Electronic device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013081990 | 2013-04-10 | ||
JP2013081990 | 2013-04-10 | ||
JP2014043640A JP6128020B2 (ja) | 2013-04-10 | 2014-03-06 | 電子デバイス及び固体撮像装置、並びに、電子デバイスにおける電極形成方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017001697A Division JP6252696B2 (ja) | 2013-04-10 | 2017-01-10 | 電子デバイス及び固体撮像装置、並びに、電子デバイスにおける電極形成方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014220488A JP2014220488A (ja) | 2014-11-20 |
JP2014220488A5 JP2014220488A5 (ja) | 2016-03-31 |
JP6128020B2 true JP6128020B2 (ja) | 2017-05-17 |
Family
ID=51671731
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014043640A Active JP6128020B2 (ja) | 2013-04-10 | 2014-03-06 | 電子デバイス及び固体撮像装置、並びに、電子デバイスにおける電極形成方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10236396B2 (ja) |
JP (1) | JP6128020B2 (ja) |
CN (1) | CN104103760B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP6073530B2 (ja) * | 2015-01-28 | 2017-02-01 | 三菱電機株式会社 | 電磁波検出器および電磁波検出器アレイ |
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-
2014
- 2014-03-06 JP JP2014043640A patent/JP6128020B2/ja active Active
- 2014-04-09 US US14/249,054 patent/US10236396B2/en active Active
- 2014-04-10 CN CN201410143904.XA patent/CN104103760B/zh active Active
-
2019
- 2019-01-23 US US16/255,090 patent/US11145835B2/en active Active
-
2021
- 2021-09-07 US US17/467,987 patent/US11943942B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190172956A1 (en) | 2019-06-06 |
CN104103760B (zh) | 2018-04-06 |
US20210399247A1 (en) | 2021-12-23 |
CN104103760A (zh) | 2014-10-15 |
US11145835B2 (en) | 2021-10-12 |
US11943942B2 (en) | 2024-03-26 |
JP2014220488A (ja) | 2014-11-20 |
US20140306180A1 (en) | 2014-10-16 |
US10236396B2 (en) | 2019-03-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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