DE102011006287B4

DE102011006287B4 - Organische lichtemittierende Vorrichtung.

Info

Publication number: DE102011006287B4
Application number: DE102011006287.4A
Authority: DE
Inventors: Hee-Joo Ko; Chang-Ho Lee; Se-Jin Cho; Hyung-Jun Song; Jin-Young Yun; Jong-hyuk Lee; II-Soo Oh
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2010-03-29
Filing date: 2011-03-29
Publication date: 2017-06-08
Anticipated expiration: 2031-03-30
Also published as: CN102208430B; TW201212323A; TWI473315B; DE102011006287A1; CN102208430A; JP2011210703A; JP2012238613A; KR101647134B1; KR20110108720A; US9159947B2; US20110233531A1

Abstract

Organische lichtemittierende Vorrichtung, aufweisend: eine erste Elektrode, umfassend eine Indiumzinnoxid aufweisende Schicht und eine Metallschicht, die auf der Indiumzinnoxid aufweisenden Schicht angeordnet ist, wobei ein Metall der Metallschicht einen Absolutwert des Austrittsarbeitsenergieniveaus aufweist, der kleiner als der Absolutwert des Austrittsarbeitsenergieniveaus von ITO ist; eine zweite Elektrode, die der ersten Elektrode zugewandt ist; und eine organische Schicht zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode, wobei die organische Schicht eine Lochinjektionsschicht aufweist, und ein Abschnitt der ersten Elektrode, der mit der Lochinjektionsschicht in Kontakt steht, sich in einem oxidfreien Zustand befindet, und die Lochinjektionsschicht 1,4,5,8,9,12-Hexaazatriphenylen-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitril, Hexadeca-fluoro-phthalocyanin-Kupfer oder eine Mischung derselben aufweist, und die Dicke der Lochinjektionsschicht etwa 5 nm bis etwa 10 nm beträgt oder wobei die Lochinjektionsschicht MoOx (wobei x im Bereich von 2 bis 6 liegt), WxOy (wobei x im Bereich von 1 bis 18 und y im Bereich von 2 bis 49 liegt) oder eine Mischung derselben aufweist und die Dicke der Lochinjektionsschicht etwa 10 nm bis etwa 80 nm beträgt; wobei die Lochinjektionsschicht mit der ersten Elektrode in Kontakt steht.

Description

1. Gebiet
Ausführungsformen der nachfolgend beschriebenen Erfindung betreffen eine organische lichtemittierende Vorrichtung.
2. Beschreibung des Standes der Technik
Kathodenstrahlröhrenanzeigen (CRT-Anzeigen) wurden verstärkt durch Flachanzeigen wie Informationsanzeigen ersetzt, da sich mit ihnen Informationen immer und überall übertragen und erhalten lassen. In der Gruppe der Flachanzeigen ist eine Flüssigkristallanzeige (LCD) leicht und zeichnet sich durch geringen Energieverbrauch aus, weshalb sie in jüngerer Zeit vielfach eingesetzt wurde. Da eine Flüssigkristallanzeige indes eine Vorrichtung des passiven Emissionstyps und keine selbst emittierende Vorrichtung ist, weist die Flüssigkristallanzeige Beschränkungen im Hinblick auf die Helligkeit, das Kontrastverhältnis, den Blickwinkel, eine große Fläche oder Ähnliches auf. Zur Lösung dieser Probleme wandte sich die Forschung umfassend und aktiv neuen Flachanzeigen zu. Unter diesen ist eine organische lichtemittierende Dioden(OLED)-Vorrichtung eine selbstemittierende Vorrichtung, lässt sich mit einer niedrigen Spannung ansteuern, lässt sich leicht derart herstellen, dass sie dünn ist, und weist Vorteile wie einen großen Blickwinkel und eine hohe Ansprechgeschwindigkeit auf. So werden in der JP 2009-283787 A , der US 2009/0015150 A1 und der US 2004/0113547 A1 OLEDs beschrieben, die eine erste und eine zweite Elektode aufweisen, zwischen denen eine organische Schicht angeordnet ist, wobei die erste Elektrode einen Absolutwert des Austrittsarbeitsenergieniveaus aufweist, der kleiner als der Absolutwert des Austrittsarbeitsenergieniveaus von ITO ist. Zudem werden in V. Shrotriya et al., „Transition metal oxides as the buffer layer for polymer photovoltaic cells", Appl. Phys. Lett. 88 (2006), S. 073508-1–073508-3 polymerbasierte photovoltaische Zellen beschrieben, die eine Schicht aus dem Oxid eines Übergangsmetalles zwischen einer Anode aus Indium-Zinnoxid und der Polymerschicht aufweisen.
ZUSAMMENFASSUNG
Ein Merkmal einer Ausführungsform ist die Bereitstellung einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung, die eine lange Lebensdauer aufweist.
Zumindest eines der oben genannten und weitere Merkmale und Vorteile sind realisierbar durch die Bereitstellung einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung, die Folgendes aufweist: eine erste Elektrode, wobei die erste Elektrode einen Absolutwert des Energieniveaus der Austrittsarbeit aufweist, der kleiner ist als der Absolutwert des Energieniveaus der Austrittsarbeit von ITO (Indiumzinnoxid), eine zweite Elektrode, die der ersten Elektrode zugewandt ist, und eine organische Schicht zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode.
Vorzugsweise kann ein Metall der ersten Elektrode Silber, Aluminium oder eine Legierung von Silber und Aluminium aufweisen.
Erfindungsgemäßweist die organische Schicht eine Lochinjektionsschicht auf, wobei die Lochinjektionsschicht einen Absolutwert des Energieniveaus eines niedrigsten unbesetzten Orbitals eines Moleküls aufweisen kann, der größer ist als der Absolutwert des Austrittsarbeitsenergieniveaus eines Metalls der ersten Elektrode.
Die Lochinjektionsschicht kann vorzugsweise ein Nicht-Oxid aufweisen, das einen Absolutwert des Energieniveaus des niedrigsten unbesetzten Orbitals eines Moleküls aufweist, der größer ist als der Absolutwert des Austrittsarbeitsenergieniveaus eines Metalls der ersten Elektrode, oder
die Lochinjektionsschicht kann welche ein Oxidmaterial aufweisen, das einen Absolutwert des Energieniveaus des niedrigsten unbesetzten Orbitals eines Moleküls aufweist, der größer ist als der Absolutwert des Austrittsarbeitsenergieniveaus eines Metalls der ersten Elektrode.
Alternativ kann die organische Schicht eine Lochinjektionsschicht aufweisen, die ein Nicht-Oxid-Material aufweist, das einen Absolutwert des Energieniveaus des niedrigsten unbesetzten Orbitals eines Moleküls aufweist, der größer ist als der Absolutwert des Austrittsarbeitsenergieniveaus eines Metalls der ersten Elektrode, und wobei die Dicke der Lochinjektionsschicht etwa 5 nm bis etwa 10 nm betragen kann, oder
die organische Schicht kann eine Lochinjektionsschicht aufweisen, die ein Oxidmaterial aufweist, das einen Absolutwert des Energieniveaus des niedrigsten unbesetzten Orbitals eines Moleküls aufweist, der größer ist als der Absolutwert des Austrittsarbeitsenergieniveaus eines Metalls der ersten Elektrode, und wobei die Dicke der Lochinjektionsschicht etwa 10 nm bis etwa 80 nm beträgt.
Erfindungsgemäß weist die Lochinjektionsschicht 1,4,5,8,9,12-Hexaaza-triphenylen-2,3,6,7,10,11-Hexacarbonitril, Hexadeca-fluoro-phthalocyanin-Kupfer oder eine Mischung derselben aufoder eine Mischung aus 1,4,5,8,9,12-Hexaaza-triphenylen-2,3,6,7,10,11-Hexacarbonitril und Hexadeca fluoro-phthalocyanin-Kupfer.
Ferner weist die Lochinjektionsschicht MoO_x (wobei X im Bereich von 2 bis 6 liegt), W_xO_y (wobei x im Bereich von 1 bis 18 und y im Bereich von 2 bis 49 liegt) oder eine Mischung derselben auf.
Die Lochinjektionsschicht steht mit der ersten Elektrode in Kontakt.
Besonders bevorzugt kann die organische Schicht eine Lochinjektionsschicht aufweisen und kann sich ein Abschnitt der ersten Elektrode, der mit der Lochinjektionsschicht in Kontakt steht, in einem oxidfreien Zustand befinden.
Vorzugsweise kann die organische Schicht eine Dicke von etwa 80 nm bis etwa 150 nm aufweisen.
Vorzugsweise kann die erste Elektrode eine positive Elektrode sein, während die zweite Elektrode eine negative Elektrode sein kann.
Vorzugsweise kann die erste Elektrode eine Dicke von etwa 20 nm bis etwa 500 nm aufweisen.
Eine bevorzugte Ausführungsform der organischen lichtemittierenden Vorrichtung weist eine organische lichtemittierende Diodenanzeige auf. Die organische lichtemittierende Diodenanzeige weist Folgendes auf: eine positive Elektrode, umfassend eine Indiumzinnoxid aufweisende Schicht und eine Metallschicht, die auf der Indiumzinnoxid aufweisenden Schicht angeordnet ist, wobei die Metallschicht Silber und/oder Aluminium aufweist und wobei das Metall der Metallschicht einen Absolutwert des Austrittsarbeitsenergieniveaus aufweist, der kleiner als der Absolutwert des Austrittsarbeitsenergieniveaus von ITO ist, eine organische Schicht, wobei die organische Schicht eine Lochinjektionsschicht aufweist, die benachbart zur Metalloberfläche der positiven Elektrode angeordnet ist, wobei die Lochinjektionsschicht zum Erhalt von Löchern von der positiven Elektrode ausgebildet ist, wobei die Lochinjektionsschicht 1,4,5,8,9,12-Hexaazatriphenylen-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitril, Hexadeca-fluoro-phthalocyanin-Kupfer oder eine Mischung derselben aufweist, und die Dicke der Lochinjektionsschicht etwa 5 nm bis etwa 10 nm beträgt oder wobei die Lochinjektionsschicht MoO_x (wobei x im Bereich von 2 bis 6 liegt), W_xO_y (wobei x im Bereich von 1 bis 18 und y im Bereich von 2 bis 49 liegt) oder eine Mischung derselben aufweist und die Dicke der Lochinjektionsschicht etwa 10 nm bis etwa 80 nm beträgt, und eine negative Elektrode, die der positiven Elektrode zugewandt ist, wobei sich die organische Schicht zwischen der positiven Elektrode und der negativen Elektrode befindet.
KURZBESCHREIBUNG DER FIGUREN
Ein besseres Verständnis der oben genannten und weiterer Merkmale und Vorteile ergibt sich für den Fachmann aus der ausführlichen Beschreibung von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den beigefügten Figuren, wobei:
1 ein Diagramm von Energieniveaus niedrigster unbesetzter Molekülorbitale (LUMOs) und höchster besetzter Molekülorbitale (HOMOs) von Elektroden und organischen Schichten einer allgemeinen organischen lichtemittierenden Vorrichtung sowie eines Funktionsprinzips und eines Verschlechterungsprinzips der organischen lichtemittierenden Vorrichtung darstellt;
2 ein Diagramm relativer Energieniveaus von Elementen einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform darstellt; und
3 eine organische lichtemittierende Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform darstellt.
AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
Nachfolgend sollen Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme auf die beigefügten Figuren eingehender beschrieben werden, wobei diese Beispiele jedoch in verschiedenen Formen ausgeführt werden können und nicht als auf die hier dargelegten Ausführungsformen beschränkt ausgelegt werden sollten. Diese Ausführungsformen werden vielmehr bereitgestellt, damit diese Offenbarung gründlich und vollständig ist und dem Fachmann den Schutzbereich der Erfindung vollständig vermittelt.
Die Maße von Schichten und Regionen können in den Figuren um der Klarheit der Darstellung willen übertrieben dargestellt sein. Wird eine Schicht oder ein Element als „auf“ einer anderen Schicht oder einem Substrat befindlich bezeichnet, so kann es sich unmittelbar auf der anderen Schicht oder dem Substrat befinden oder es kann auch dazwischen befindliche Schichten geben. Wird weiterhin eine Schicht als „unter“ einer anderen Schicht befindlich bezeichnet, so kann sie sich unmittelbar darunter befinden oder es kann eine oder mehrere dazwischen befindliche Schichten geben. Wird eine Schicht als „zwischen“ zwei Schichten befindlich bezeichnet, so kann sie die einzige Schicht zwischen den zwei Schichten sein oder es kann eine oder mehrere dazwischen befindliche Schichten geben. Gleiche Bezugszeichen beziehen sich immer auf gleiche Elemente.
1 stellt ein Diagramm von Energieniveaus niedrigster unbesetzter Molekülorbitale (LUMOs) und höchster besetzter Molekülorbitale (HOMOs) von Elektroden und organischen Schichten einer allgemeinen organischen lichtemittierenden Vorrichtung sowie eines Funktionsprinzips und eines Verschlechterungsprinzips der organischen lichtemittierenden Vorrichtung dar.
Allgemein kann eine nach oben emittierende Aktivmatrix-OLED(AMOLED)-Vorrichtung durch thermisches Verdampfen eines organischen Materials auf Indiumzinnoxid (ITO), das eine positive Elektrode ist, die eine hohe Austrittsarbeit aufweist, und durch die anschließende Ausbildung eines Metalls, das eine niedrige Austrittsarbeit aufweist, als negative Elektrode durch ein geeignetes Verfahren, wie ein Abscheidungsverfahren, ausgebildet werden.
Gemäß 1 können, wenn eine Spannung an die organische lichtemittierende Vorrichtung angelegt wird, von einer negativen Elektrode injizierte Elektronen auf einer Grenzfläche zwischen einer Lochtransportschicht (HTL) und einer Emissionsschicht (EML) akkumulieren, wodurch sich die organischen Moleküle verschlechtern, so dass sich die Lebensdauer der organischen lichtemittierenden Vorrichtung verringert.
Weiterhin kann in der positiven Elektrode das Indium (In) des Indiumzinnoxids (ITO) zu einer Lochinjektionsschicht (HIL) oder zur Lochtransportschicht (HTL) wandern, wodurch sich organische Moleküle verschlechtern können, so dass sich die Lebensdauer der organischen lichtemittierenden Vorrichtung verringert. Zudem kann sich die Lebensdauer der organischen lichtemittierenden Vorrichtung auch dann verringern, wenn aufgrund der Rauheit auf einer unteren Silber(AG)-Schicht zur Regelung des Widerstands dunkle Punkte entstehen. Wenn Verfahren zur Ausbildung einer positiven Elektrode und einer organischen Schicht getrennt durchgeführt werden, kann es weiterhin zur unbeabsichtigten Ausbildung einer Oxidschicht auf der Anode kommen. Eine solche Oxidschicht kann von Nachteil sein, so dass sich die Lebensdauer der organischen lichtemittierenden Vorrichtung verringert.
Zur Bereitstellung einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung für verschiedene Produkte, wie tragbare Produkte und Fernseh(TV)-orientierte Lösungen, ist eine Halbwertzeit von 500 Stunden oder mehr bei 50 mA/cm² wünschenswert. Daher besteht Bedarf an einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung, die eine lange Lebensdauer aufweist, gegen eine Verschlechterung durch Elektronen resistent ist und keine Wanderung von Indium (In) aufweist. Zum Erhalt einer solchen organischen lichtemittierenden Vorrichtung kann eine positive Elektrode, durch die sich die Lebensdauer verkürzt, durch ein Metall ersetzt werden. Konkreter kann, wie weiter oben ausgeführt, allgemein eine Anode aus ITO verwendet werden, wobei eine solche Anode ein Austrittsarbeitsenergieniveau bereitstellt, das hoch genug ist, dass es nicht zu einem Austritt mit einer Lochinjektion kommt. Wird stattdessen zur Steigerung der Lebensdauer ein Metall mit einer niedrigen Austrittsarbeit verwendet, so werden die Löcher eventuell nicht problemlos in eine Grenzfläche zwischen dem Metall und einem organischen Material injiziert. In diesem Fall ist eine Lochinjektionsschicht (HIL) wünschenswert, die gegen das Anströmen von Elektronen während der Senkung einer Lochinjektionsbarriere resistent ist.
2 stellt ein Diagramm relativer Energieniveaus von Elementen einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform dar, während 3 eine organische lichtemittierende Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform darstellt.
Gemäß 2 und 3 kann eine organische lichtemittierende Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode, die der ersten Elektrode zugewandt ist, und eine organische Schicht aufweisen, die zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode angeordnet ist. In Bezug auf ein Austrittsarbeitsenergieniveau von damit verglichenem ITO kann die erste Elektrode ein Metall sein, das einen kleineren Absolutwert des Austrittsarbeitsenergieniveaus als ITO aufweist. Beispiele eines solchen Metalls unterliegen keinen besonderen Einschränkungen.
Gemäß einer Ausführungsform kann das Metall der ersten Elektrode ein Metall sein, das Reflektivität aufweist, wie z.B. Silber (Ag), Aluminium (Al) oder eine Legierung aus Ag und Al. Dadurch lässt sich die Wanderung von Indium (In) in eine organische Schicht verhindern.
Die erste Elektrode kann eine positive Elektrode sein, während die zweite Elektrode eine negative Elektrode sein kann. Die vorliegende Ausführungsform ist jedoch nicht auf diesen Fall beschränkt.
Die zweite Elektrode kann ein Metall, das ein niedrigeres Austrittsarbeitsenergieniveau von beispielsweise 4,3 eV oder weniger aufweist, oder eine Kombination solcher Metalle sein und kann semitransparent sein.
Gemäß 3 kann die organische Schicht der organischen lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform eine Lochinjektionsschicht (HIL), eine Lochtransportschicht (HTL), eine Emissionsschicht (EML), eine Elektronentransportschicht (ETL) und eine Elektroneninjektionsschicht (EIL) aufweisen oder sie kann auch nur eine Kombination aus einigen dieser Schichten aufweisen.
Gemäß einer Realisierung weist die organische Schicht der organischen lichtemittierenden Vorrichtung die Lochinjektionsschicht (HIL) auf, und der Absolutwert des Energieniveaus des niedrigsten unbesetzten Orbitals eines Moleküls (LUMO) der Lochinjektionsschicht (HIL) kann größer als derjenige des Metalls der ersten Elektrode sein.
Allgemein kann ein Verbindung auf der Basis von Tetradecanoylphorbolacetat (TPA), die als Lochinjektionsschicht (HIL) verwendbar ist, für die Lochinjektion von ITO vorteilhaft sein, ist jedoch schwach gegenüber dem Anströmen von Elektronen, wodurch sich die Lebensdauer verringert. Gemäß 2 ist bei der organischen lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung der Absolutwert des Energieniveaus des LUMO der Lochinjektionsschicht (HIL) größer als der Absolutwert des Energieniveaus des Metalls der ersten Elektrode. Die Lochinjektionsschicht (HIL), die relativ gesehen ein höheres Energieniveau des LUMO aufweist, fängt Elektronen ein, die entlang der Lochtransportschicht (HTL) transportiert werden, was eine Verschlechterung der Lochinjektionsschicht (HIL) verhindert. Aufgrund der Dipoleigenschaften der Lochinjektionsschicht (HIL) werden zudem Löcher von der positiven Elektrode mit einem geringen Austrittsarbeitsenergieniveau leicht injiziert.
Ausführlicher heißt das, dass aufgrund der Dipoleigenschaft der Lochinjektionsschicht (HIL) eine positive Elektrode der Lochinjektionsschicht (HIL) positiv geladen wird und eine negative Elektrode der Lochinjektionsschicht (HIL) negativ geladen wird, wenn ein elektrisches Feld angelegt wird. Elektronen, die von einer negativen Elektrode injiziert werden, fallen auf das LUMO der Lochinjektionsschicht (HIL), da das LUMO der Lochinjektionsschicht (HIL) niedrig ist. Zudem werden die Elektronen von positiven elektrischen Ladungen der Lochinjektionsschicht (HIL) angezogen, weshalb die Elektronen leicht in die Lochinjektionsschicht (HIL) injiziert werden. Dementsprechend wandern Elektronen, die sich in der Lochtransportschicht (HTL) aufhalten, leicht zu einer positiven Elektrode, wodurch die Verschlechterung der Lochtransportschicht verhindert wird.
Gemäß einer Ausführungsform weist die organische Schicht der organischen lichtemittierenden Vorrichtung die Lochinjektionsschicht (HIL) auf, und die Lochinjektionsschicht (HIL) kann ein Oxid- oder Nicht-Oxidmaterial aufweisen, das einen Absolutwert des Austrittsarbeitsenergieniveaus des LUMO aufweisen kann, der größer ist als der Absolutwert des Austrittsarbeitsenergieniveaus des Metalls der ersten Elektrode.
Wird die Lochinjektionsschicht (HIL) aus dem Nicht-Oxidmaterial ausgebildet, so können Beispiele des Nicht-Oxidmaterials 1,4,5,8,9,12-Hexaaza-triphenylen-2,3,6,7,10,11-Hexacarbonitril (HATCN), Hexadeca-fluoro-phthalocyanin-Kupfer oder eine Mischung derselben aufweisen.
Wird die Lochinjektionsschicht (HIL) aus dem Nicht-Oxidmaterial ausgebildet, kann die Dicke der Lochinjektionsschicht (HIL) etwa 5 nm bis etwa 10 nm betragen. Befindet sich die Dicke der Lochinjektionsschicht (HIL) in diesem Bereich, kann die Vorrichtung hervorragende Ansteuer- und Lebensdauereigenschaften aufweisen.
Wird die Lochinjektionsschicht (HIL) aus dem Oxidmaterial ausgebildet, können Beispiele des Oxidmaterials MoO_x (wobei x im Bereich von 2 bis 6 liegt), W_xO_y (wobei x im Bereich von 1 bis 18 und y im Bereich von 2 bis 49 liegt) oder eine Mischung derselben aufweisen.
Wird die Lochinjektionsschicht (HIL) aus dem Oxidmaterial ausgebildet, kann die Dicke der Lochinjektionsschicht (HIL) etwa 10 nm bis etwa 80 nm betragen. Befindet sich die Dicke der Lochinjektionsschicht (HIL) in diesem Bereich, kann die Vorrichtung hervorragende Ansteuer- und Lebensdauereigenschaften aufweisen.
Gemäß einer Ausführungsform weist die organische Schicht der organischen lichtemittierenden Vorrichtung eine Lochinjektionsschicht (HIL) auf, wobei die Lochinjektionsschicht (HIL) mit der ersten Elektrode in Kontakt steht.
Gemäß einer Realisierung kann eine organische lichtemittierende Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform unter anaeroben Bedingungen, z. B. unter Vakuumbedingungen, hergestellt werden. Daher kann sich ein Abschnitt der ersten Elektrode, der mit der Lochinjektionsschicht (HIL) in Kontakt steht, in einem oxidfreien Zustand befinden.
Gemäß einer Ausführungsform kann bei der organischen lichtemittierenden Vorrichtung die Dicke der organischen lichtemittierenden Vorrichtung etwa 80 nm bis etwa 150 nm betragen, während die Dicke der ersten Elektrode etwa 20 nm bis etwa 500 nm betragen kann. Befinden sich die Dicke der organischen Schicht und die Dicke der ersten Elektrode in diesem Bereich, kann die Vorrichtung hervorragende Ansteuer- und Lebensdauereigenschaften aufweisen.
Nachfolgend soll ein Verfahren zur Herstellung einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform unter Bezugnahme auf 3 beschrieben werden, die eine organische lichtemittierende Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform darstellt. Gemäß 3 weist die organische lichtemittierende Vorrichtung ein Substrat, eine erste Elektrode (positive Elektrode), eine HIL, eine HTL, eine EML, eine ETL, eine EIL und eine zweite Elektrode (negative Elektrode) auf.
Zuerst kann, z. B. durch ein Abscheidungs- oder Sputterverfahren, ein erstes Elektrodenmaterial als Metall, das einen kleineren Absolutwert des Austrittsarbeitsenergieniveaus aufweist als ITO, auf einem Substrat ausgebildet werden, so dass eine erste Elektrode ausgebildet wird.
Die nachfolgenden Schichten werden nacheinander unter anaeroben Bedingungen, z. B. unter Vakuum oder unter einer Ar- oder N₂-Atmosphäre, ausgebildet.
Die erste Elektrode kann eine Anode oder eine Kathode bilden. Das Substrat kann ein für organische lichtemittierende Vorrichtungen üblicherweise verwendetes Substrat sein und kann zum Beispiel ein Glassubstrat oder ein transparentes Kunststoffsubstrat aufweisen, das über eine hervorragende mechanische Festigkeit, Wärmebeständigkeit, Transparenz, Oberflächenebenheit, bequeme Handhabung und Wasserbeständigkeit verfügt. Das erste Elektrodenmaterial kann ein Metall sein, das einen größeren Absolutwert des Austrittsarbeitsenergieniveaus aufweist als ITO, wie z. B. Ag, Al oder eine Legierung derselben, wobei die erste Elektrode eine transparente oder reflektierende Elektrode sein kann.
Dann kann die HIL durch z. B. Vakuumabscheidung auf der ersten Elektrode ausgebildet werden. Gemäß weiteren Realisierungen kann die HIL durch Spin-Coating, Gießen, Langmuir-Blodgett(LB)-Abscheidung oder Ähnliches auf der ersten Elektrode ausgebildet werden.
Wird die HIL durch Vakuumabscheidung ausgebildet, können die Abscheidungsbedingungen entsprechend einer Verbindung, die zur Ausbildung der HIL verwendet wird, und der Struktur und den thermischen Eigenschaften der auszubildenden HIL variieren. Zum Beispiel können die Abscheidungsbedingungen eine Abscheidungstemperatur von 100 °C bis 500 °C, einen Vakuumdruck von 1,3332 10^–5 bis 1,3332Pa und eine Abscheidungsrate von 0,001 nm/sec bis 10 nm/sec aufweisen.
Wird die HIL durch Spin-Coating ausgebildet, können die Beschichtungsbedingungen entsprechend einer Verbindung, die zur Ausbildung der HIL verwendet wird, und der Struktur und den thermischen Eigenschaften der auszubildenden HIL variieren. Zum Beispiel können die Beschichtungsbedingungen eine Beschichtungsgeschwindigkeit von etwa 2000 rpm bis etwa 5000 rpm und eine Wärmebehandlungstemperatur von etwa 80 °C bis etwa 200 °C aufweisen, wobei die Wärmebehandlung dem Entfernen eines Lösungsmittels nach der Beschichtung dient.
Beispiele eines Materials zur Ausbildung der Lochinjektionsschicht (HIL) können 1,4,5,8,9,12-Hexaaza-triphenylen-2,3,6,7,10,11-Hexacarbonitril, Hexadeca-fluoro-phthalocyanin-Kupfer, MoO_x (wobei X im Bereich von 2 bis 6 liegt), W_xO_y (wobei x im Bereich von 1 bis 18 und y im Bereich von 2 bis 49 liegt) oder eine Mischung derselben aufweisen.
Wenn die Lochinjektionsschicht (HIL) das Nicht-Oxidmaterial (zum Beispiel 1,4,5,8,9,12-Hexaaza-triphenylen-2,3,6,7,10,11-Hexacarbonitril, Hexadeca-fluoro-phthalocyanin-Kupfer oder eine Kombination derselben) ist, kann die Dicke der Lochinjektionsschicht (HIL) etwa 5 nm bis etwa 10 nm betragen. Wenn die Lochinjektionsschicht (HIL) das Oxidmaterial (z. B. MoO_x (wobei X im Bereich von etwa 2 bis etwa 6 liegt), W_xO_y (wobei x im Bereich von 1 bis etwa 18 und y im Bereich von 2 bis 49 liegt) oder eine Mischung derselben) ist, kann die Dicke der Lochinjektionsschicht (HIL) etwa 10 nm bis etwa 80 nm betragen. Liegt die Dicke der HIL im oben genannten Bereich, kann die Vorrichtung hervorragende Ansteuer- und Lebensdauereigenschaften aufweisen.
Danach kann die HTL durch verschiedene Verfahren, zum Beispiel durch Vakuumabscheidung, Spin-Coating, Gießen, LB-Abscheidung oder Ähnliches, auf der HIL ausgebildet werden. Wenn die HTL durch Vakuumabscheidung oder Spin-Coating ausgebildet wird, können die Abscheidungs- oder Beschichtungsbedingungen denjenigen gleichen, die zur Ausbildung der HIL verwendet werden, obwohl die Abscheidungs- oder Beschichtungsbedingungen entsprechend dem Material, das zur Ausbildung der HTL verwendet wird, variieren können.
Beispiele für verwendbare HTL-Materialien können Carbazolderivate, wie N-Phenylcarbazol oder Polyvinylcarbazol, und Aminderivate, die einen kondensierten aromatischen Ring aufweisen, wie NPB, N,N’-bis(3-methylphenyl)-N,N’-diphenyl-[1-1-biphenyl]-4,4’-diamin (TPD) oder N,N’-di(naphthalin-1-yl)-N,N’-diphenylbenzidin (α-NPD), aufweisen.
Die HTL kann eine Dicke von etwa 5 nm bis etwa 100 nm, zum Beispiel eine Dicke von 10 nm bis etwa 100 nm, aufweisen. Liegt die Dicke der HTL im oben genannten Bereich, kann die HTL hervorragende Lochtransporteigenschaften ohne einen wesentlichen Anstieg der Ansteuerspannung aufweisen.
Dann kann die EML durch verschiedene Verfahren, z. B. durch Vakuumabscheidung, Spin-Coating, Gießen, LB-Abscheidung oder Ähnliches, auf der HTL ausgebildet werden. Wenn die EML durch Vakuumabscheidung oder Spin-Coating ausgebildet wird, können die Abscheidungs- oder Beschichtungsbedingungen denjenigen gleichen, die zur Ausbildung der HIL verwendet werden, obwohl die Abscheidungs- und Beschichtungsbedingungen entsprechend dem Material, das zur Ausbildung der EML verwendet wird, variieren können.
Die EML kann unter Verwendung verschiedener lichtemittierender Materialien, wie Wirten und Dotanden, ausgebildet werden. Dotanden, die zur Ausbildung der EML verwendet werden, können z. B. einen fluoreszierenden Dotanden oder einen phosphoreszierenden Dotanden aufweisen.
Beispiele des Wirts können Alq₃, 4,4’-N,N’-Dicarbazol-biphenyl (CPB), 9,10-di(naphthalin-2-yl)anthracen (ADN) und Distyrylarylen (DAS) sein, sind jedoch nicht darauf beschränkt.
Beispiele roter Dotanden sind Platin(II)octaethylporphyrin (PtOEP), Ir(piq)₃, Btp₂Ir(acac) und DCJTB, sind jedoch nicht darauf beschränkt.
Beispiele grüner Dotanden sind Ir(ppy)₃ (wobei „ppy“ die Bezeichnung für Phenylpyridin ist), Ir(ppy)₂(acac), Ir(mpyp)₃ und C545T, sind jedoch nicht darauf beschränkt.
Beispiele blauer Dotanden sind F₂Irpic (F₂ppy)₂(Ir(tmd), Ir(dfppz)₃, ter-Fluor, 4,4’-bis(diphenylaminostyryl)biphenyl (DPAVBi) und 2,5,8,11-tetra-t-butylpherylen (TBP).
Die Menge des Dotanden kann etwa 0,1 bis etwa 20 Gewichtsteile oder etwa 0,5 bis etwa 12 Gewichtsteile, bezogen auf 100 Gewichtsteile des EML-Materials, betragen, was dem Gesamtgewicht des Wirts und des Dotanden entspricht. Liegt die Menge des Dotanden im oben genannten Bereich, lässt sich eine Konzentrationslöschung im Wesentlichen verhindern.
Die EML kann eine Dicke von etwa 10 nm bis etwa 100 nm, zum Beispiel etwa 20 nm bis etwa 60 nm, aufweisen. Wenn die Dicke der EML im oben genannten Bereich liegt, kann die EML hervorragende Lichtemissionseigenschaften ohne einen wesentlichen Anstieg der Ansteuerspannung aufweisen.
Wenn die EML einen phosphoreszierenden Dotanden aufweist, kann zum Verhindern der Diffusion von Triplett-Exzitonen oder Löchern in die ETL eine Lochblockierschicht (HBL, in 3 nicht gezeigt) auf der EML ausgebildet werden. In diesem Fall kann die HBL aus einem allgemeinen HBL-Material ausgebildet werden; Beispiele für dieses Material können Oxadiazolderivate, Triazolderivate, Phenanthrolinderivate, Balq und BCP sein, sind jedoch nicht darauf beschränkt.
Die HBL kann eine Dicke von etwa 5 nm bis etwa 100 nm, zum Beispiel etwa 5 nm bis etwa 10 nm, aufweisen. Die Bereitstellung einer Dicke von etwa 5 nm oder mehr kann zur Verhinderung einer Verschlechterung der Lochblockiereigenschaften beitragen. Die Bereitstellung einer Dicke von etwa 100 nm oder weniger kann zur Verhinderung des Anstiegs der Ansteuerspannung der organischen lichtemittierenden Vorrichtung beitragen.
Anschließend kann die ETL durch verschiedene Verfahren, z. B. durch Vakuumabscheidung, Spin-Coating, Gießen oder Ähnliches, auf der EML (oder HBL) ausgebildet werden. Wenn die ETL durch Vakuumabscheidung oder Spin-Coating ausgebildet wird, können die Abscheidungs- oder Beschichtungsbedingungen denjenigen gleichen, die zur Ausbildung der HIL verwendet werden, obwohl die Abscheidungs- oder Beschichtungsbedingungen entsprechend dem Material, das zur Ausbildung der ETL verwendet wird, variieren können.
Die ETL kann aus einem allgemeinen ETL-Material ausgebildet werden; Beispiele für dieses Material sind Quinolinderivate, wie Tris(8-Quinolinolat)-Aluminium (Alq₃), TAZ und Balq, sind jedoch nicht darauf beschränkt.
Die ETL kann eine Dicke von etwa 10 nm bis etwa 100 nm, zum Beispiel etwa 10 nm bis etwa 50 nm, aufweisen. Weist die ETL eine Dicke im oben genannten Bereich auf, kann die ETL hervorragende Elektronentransporteigenschaften ohne einen wesentlichen Anstieg der Ansteuerspannung aufweisen. Zudem kann die EIL, die die Injektion von Elektronen von der negativen Elektrode erleichtert, auf der ETL ausgebildet werden. Die EIl kann aus z. B. LiF, NaCl, CsF, Li₂O, BaO oder Ähnlichem ausgebildet werden. Die Abscheidungs- oder Beschichtungsbedingungen zur Ausbildung der EIL können denjenigen gleichen, die zur Ausbildung der HIL verwendet werden, obwohl die Abscheidungs- und Beschichtungsbedingungen entsprechend dem Material, das zur Ausbildung der EIL verwendet wird, variieren können.
Die EIL kann eine Dicke von etwa 0,1 nm bis etwa 10 nm, zum Beispiel etwa 0,5 nm bis etwa 9 nm, aufweisen. Wenn die EIL eine Dicke im oben genannten Bereich aufweist, kann die EIL hervorragende Elektroneninjektionseigenschaften ohne einen wesentlichen Anstieg der Ansteuerspannung aufweisen.
Zuletzt kann die zweite Elektrode durch zum Beispiel Vakuumabscheidung, Sputtern oder Ähnliches auf der EIL ausgebildet werden. Die zweite Elektrode kann eine Kathode oder eine Anode bilden. Das Material zur Ausbildung der zweiten Elektrode kann ein Metall, eine Legierung oder eine elektrisch leitende Verbindung, die eine niedrige Austrittsarbeit aufweist, oder eine Mischung derselben sein. Beispiele solcher Materialien können Lithium (Li), Magnesium (Mg), Aluminium (Al), Aluminium-Lithium (Al-Li), Calcium (Ca), Magnesium-Indium (Mg-In) und Magnesium-Silber (Mg-Ag) aufweisen, sind jedoch nicht darauf beschränkt. Zur Herstellung einer nach oben emittierenden organischen lichtemittierenden Vorrichtung kann zudem eine transparente Kathode, die aus einem transparenten Material wie ITO oder IZO ausgebildet ist, als zweite Elektrode verwendet werden.
Die organische lichtemittierende Vorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann in verschiedenen Typen von Flachtafelanzeigevorrichtungen enthalten sein, wie in einer organischen lichtemittierenden Passivmatrix-Anzeigevorrichtung oder in einer organischen lichtemittierenden Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung. Insbesondere kann, wenn die organische lichtemittierende Vorrichtung in einer organischen lichtemittierenden Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung enthalten ist, die einen Dünnfilmtransistor aufweist, die erste Elektrode auf dem Substrat als Pixelelektrode fungieren, die mit einer Source-Elektrode oder einer Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors elektrisch verbunden ist.
Nachfolgend sollen eine oder mehrere Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die folgenden Beispiele ausführlich beschrieben werden. Diese Beispiele sollen den Zweck und den Schutzbereich der einen oder der mehreren Ausführungsformen nicht einschränken.
Beispiel 1
Eine Anode wurde durch Schneiden eines Corning 15 Ωcm² (120 nm) ITO-Glassubstrats auf eine Größe von 50 mm × 50 mm × 0,7 mm, eine Ultraschallreinigung unter Verwendung von Isopropylalkohol und reinem Wasser jeweils 5 Minuten lang und eine anschließende Wärmebehandlung von 4 Stunden hergestellt. Dann wurde die Anode in einer Vakuumabscheidungsvorrichtung angebracht. Die nachfolgenden Schichten wurden alle durch thermische Verdampfung unter Aufrechterhaltung eines Vakuums kontinuierlich ausgebildet.
Al, das eine niedrige Austrittsarbeit aufweist, wurde durch thermische Verdampfung als positive Elektrode in einer Dicke von 150 nm auf dem Substrat ausgebildet.
1,4,5,8,9,12-Hexaaza-triphenylen-2,3,6,7,10,11-Hexacarbonitril und Hexadeca-fluoro-phthalocyanin-Kupfer wurden mit einer Abscheidungsrate von 7:3 in einer Dicke von 5 nm als Lochinjektionsschicht (HIL) auf der positiven Elektrode abgeschieden, und N,N’-di(1-naphthyl)-N,N’-diphenylbenzidin (NPB) wurde in einer Dicke von 45 nm als Lochtransportschicht (HTL) auf der Lochinjektionsschicht (HIL) abgeschieden.
Eine Emissionsschicht (EML) wurde auf der Lochtransportschicht (HTL) ausgebildet, wobei die Emissionsschicht (EML) durch Dotierung eines Wirts 9,10-di(naphthalin-2-yl)anthracen (ADN) mit 4,4’-(Bis(9-ethyl-3-carbazovinylen)-1,1’biphenyl (BCzVBi) als Dotand mit einer Abscheidungsrate von 4% in einer Dicke von 15 nm ausgebildet wurde.
Dann wurde Bis(10-hydroxyben-zo[h]quinolinat)beryllium (Bebq2) in einer Dicke von 20 nm als Elektronentransportschicht (ETL) abgeschieden, LiF wurde in einer Dicke von 1 nm als Elektroneninjektionsschicht (EIL) auf der Elektronentransportschicht (HTL) abgeschieden, und danach wurde MgAg mit einer Abscheidungsrate von 10:1 in einer Dicke von 14 nm als negative Elektrode auf der Elektroneninjektionsschicht (EIL) ausgebildet.
Eine Dicke einer organischen Schicht betrug 86 nm.
Vergleichsbeispiel 1
ITO wurde als positive Elektrode in einer Dicke von 7 nm ausgebildet. Ein Verfahren zur Ausbildung einer positiven Elektrode und die verbleibenden Verfahren wurden getrennt durchgeführt, wobei eine Sauerstoffatmosphäre zwischen dem Verfahren zur Ausbildung einer positiven Elektrode und den verbleibenden Verfahren bestand. Insbesondere wurde unabhängig vom Verfahren zur Ausbildung der positiven Elektrode N,N’-diphenyl-N,N’-bis[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4’-diamin (DNTPD) in einem Vakuum als Lochinjektionsschicht (HIL) in einer Dicke von 65 nm ausgebildet, eine aus dem gleichen Material wie in Beispiel 1 ausgebildete Lochtransportschicht (HTL) wurde in einer Dicke von 65 nm ausgebildet, eine aus dem gleichen Material wie in Beispiel 1 ausgebildete Emissionsschicht (EML) wurde in einer Dicke von 20 nm ausgebildet, eine aus dem gleichen Material wie in Beispiel 1 ausgebildete Elektronentransportschicht (ETL) wurde in einer Dicke von 30 nm ausgebildet, eine aus dem gleichen Material wie in Beispiel 1 ausgebildete Elektroneninjektionsschicht (EIL) wurde in einer Dicke von 1 nm ausgebildet und eine aus dem gleichen Material wie in Beispiel 1 ausgebildete negative Elektrode wurde danach in einer Dicke von 20 nm ausgebildet, so dass eine organische lichtemittierende Vorrichtung hergestellt wurde.
Eine Dicke einer organischen Schicht betrug 181 nm.
Auswertungsbeispiel
Die Strom-Spannungseigenschaften, die Lichtausbeute und die Lebensdauer wurden jeweils mit Bezug zu den in Beispiel 1 und Vergleichsbeispiel 1 hergestellten organischen lichtemittierenden Vorrichtungen gemessen.
Die Ergebnisse sind in der nachfolgenden Tabelle 1 dargestellt. Tabelle 1

Ansteuerspannung (V) Stromdichte (mA/cm²) Lichtausbeute (cd/A) Halbwertzeit (hr @50 mA/cm²)

Beispiel 1 3,3 10 3,7 6000

Vergleichsbeispiel 1 4 10 2,8 700
Gemäß 1 war die Ansteuerspannung der in Beispiel 1 hergestellten organischen lichtemittierenden Vorrichtung niedriger als die Ansteuerspannung der in Vergleichsbeispiel 1 hergestellten organischen lichtemittierenden Vorrichtung. Im Hinblick auf die Lichtausbeute und die Lebensdauer war die in Beispiel 1 hergestellte organische lichtemittierende Vorrichtung im Vergleich zur im Vergleichsbeispiel 1 hergestellten organischen lichtemittierenden Vorrichtung hervorragend.
Für eine organische lichtemittierende Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform kann ein Metall als positive Elektrode verwendet werden. Dadurch wandert Indium (In) nicht, und die organische lichtemittierende Vorrichtung kann gegen das Anströmen von Elektronen resistent sein, so dass eine hohe Lebensdauer erzielt wird. Die organische lichtemittierende Vorrichtung kann als erste Elektrode ein Metall aufweisen, das einen Absolutwert des Austrittsarbeitsenergieniveaus aufweist, der kleiner ist als der Absolutwert des Austrittsarbeitsenergieniveaus von Indiumzinnoxid (ITO).
Für eine organische lichtemittierende Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform kann eine Lochinjektionsschicht (HIL) verwendet werden. Dadurch können Löcher problemlos injiziert werden, und die organische lichtemittierende Vorrichtung kann gegen das Anströmen von Elektronen resistent sein, so dass eine hohe Lebensdauer erzielt wird.
Die organische lichtemittierende Vorrichtung, die das Metall als positive Elektrode und die Lochinjektionsschicht (HIL) aufweist, kann zur Ausbildung einer Dünnfilmvorrichtung, die eine hohe Lebensdauer und keine dunklen Punkte aufweist, verwendet werden.
Die organische lichtemittierende Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform kann mittels eines in-situ-Verfahrens hergestellt werden, so dass ein oberer Abschnitt der positiven Elektrode nicht oxidiert, so dass eine hohe Lebensdauer erzielt wird.
Hier wurden Ausführungsbeispiele offenbart; obwohl dabei spezifische Begriffe verwendet werden, sind sie nur allgemein und zur Beschreibung und nicht zum Zweck der Einschränkung auszulegen. Dementsprechend können in dem Fachmann geläufiger Weise verschiedene Änderungen in der Form und den Details vorgenommen werden.

Claims

Organische lichtemittierende Vorrichtung, aufweisend: eine erste Elektrode, umfassend eine Indiumzinnoxid aufweisende Schicht und eine Metallschicht, die auf der Indiumzinnoxid aufweisenden Schicht angeordnet ist, wobei ein Metall der Metallschicht einen Absolutwert des Austrittsarbeitsenergieniveaus aufweist, der kleiner als der Absolutwert des Austrittsarbeitsenergieniveaus von ITO ist; eine zweite Elektrode, die der ersten Elektrode zugewandt ist; und eine organische Schicht zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode, wobei die organische Schicht eine Lochinjektionsschicht aufweist, und ein Abschnitt der ersten Elektrode, der mit der Lochinjektionsschicht in Kontakt steht, sich in einem oxidfreien Zustand befindet, und die Lochinjektionsschicht 1,4,5,8,9,12-Hexaazatriphenylen-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitril, Hexadeca-fluoro-phthalocyanin-Kupfer oder eine Mischung derselben aufweist, und die Dicke der Lochinjektionsschicht etwa 5 nm bis etwa 10 nm beträgt oder wobei die Lochinjektionsschicht MoO_x (wobei x im Bereich von 2 bis 6 liegt), W_xO_y (wobei x im Bereich von 1 bis 18 und y im Bereich von 2 bis 49 liegt) oder eine Mischung derselben aufweist und die Dicke der Lochinjektionsschicht etwa 10 nm bis etwa 80 nm beträgt; wobei die Lochinjektionsschicht mit der ersten Elektrode in Kontakt steht.
Organische lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die erste Elektrode aus einem Metall besteht, das Silber, Aluminium oder eine Legierung von Silber und Aluminium aufweist.
Organische lichtemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die organische Schicht eine Lochinjektionsschicht aufweist, wobei die Lochinjektionsschicht einen Absolutwert des Energieniveaus des niedrigsten unbesetzten Orbitals eines Moleküls aufweist, der größer ist als der Absolutwert des Austrittsarbeitsenergieniveaus des Metalls der ersten Elektrode.
Organische lichtemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die organische Schicht eine Lochinjektionsschicht aufweist, welche ein Nicht-Oxid oder ein Oxid aufweist, das einen Absolutwert des Energieniveaus des niedrigsten unbesetzten Orbitals eines Moleküls aufweist, der größer ist als der Absolutwert des Austrittsarbeitsenergieniveaus eines Metalls der ersten Elektrode.
Organische lichtemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die organische Schicht eine Dicke von etwa 80 nm bis etwa 150 nm aufweist.
Organische lichtemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei: die erste Elektrode eine positive Elektrode ist, und die zweite Elektrode eine negative Elektrode ist.
Organische lichtemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Elektrode eine Dicke von etwa 20 nm bis etwa 500 nm aufweist.
Organische lichtemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die organische lichtemittierende Vorrichtung eine organische lichtemittierende Diodenanzeige ist, die Folgendes aufweist: eine positive Elektrode, die eine Metalloberfläche aufweist, welche mindestens eins der Metalle Silber und Aluminium aufweist; eine organische Schicht, wobei die organische Schicht eine Lochinjektionsschicht aufweist, die benachbart zur Metalloberfläche der positiven Elektrode angeordnet ist, wobei die Lochinjektionsschicht zum Erhalt von Löchern von der positiven Elektrode ausgebildet ist, wobei die Lochinjektionsschicht mindestens eine der Verbindungen 1,4,5,8,9,12-Hexaazatriphenylen-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitril, Hexadecafluorophthalocyanin-Kupfer, Molybdänoxid und Wolframoxid aufweist; und eine negative Elektrode, wobei sich die organische Schicht zwischen der positiven Elektrode und der negativen Elektrode befindet.