TW201301503A - 包含金屬氧化物的陽極及具有該陽極之有機發光裝置 - Google Patents

Abstract

一種用於有機發光裝置之陽極，其引進金屬氧化物以改善電荷的流動，以及一種使用此陽極之有機發光裝置。此用於有機發光裝置之陽極具有優良的電荷注入特性，因而改善有機發光裝置的功率消耗。

Description

包含金屬氧化物的陽極及具有該陽極之有機發光裝置

本發明關於一種包含金屬氧化物的陽極及具有該陽極之有機發光裝置，特別是一種適合改善電洞注入特性及功率消耗的陽極以及使用該陽極之有機發光裝置。

近幾年，顯示設備正被薄且輕的可攜式平面顯示設備所取代。平面顯示設備的發光裝置是發射顯示裝置，其由於它們寬廣的視角、優良的對比及快速反應而漸成焦點。特別地，其發光層是由有機材料製成之有機發光裝置由於它們優良的光照度、驅動電壓與反應速度以及各種顏色的體現而逐漸得到注意。

因此，本發明已製作以解決上述發生在先前技術中的問題，且本發明一方面提供一種用於有機發光反射特性及優越的電洞注入特性之陽極。

本發明另一方面提供一種有機發光裝置，其利用上述的陽極。

特別地，本發明提供一種用於有機發光裝置的陽極，其藉由提高有機發光裝置的功函數而改善電洞注入特性，以及一種具有該陽極的有機發光裝置。

根據本發明之一例示性實施例，提供了一種包含金屬氧化物之用於有機發光裝置的陽極。

用於有機發光裝置的陽極可包含金屬層以及形成在金屬層上之透明導電層。這裡，透明導電層包含透明導電氧化物(TCO)以及金屬氧化物。在本發明中，透明導電氧化物被簡稱為”TCO”。

根據本發明之另一例子，金屬層包含銀(Ag)。銀(Ag)具有優良的導電性以及優良的反射特性，所以其可應用於反射電極。

根據本發明之另一例子，金屬層的厚度設定為大約500埃(A)至大約3000埃，且較佳為大約500埃至大約1500埃。當金屬層的厚度變厚時，傳導特性、電荷注入特性以及反射特性變得優良。然而，為了使裝置輕薄，最好讓金屬層的厚度薄。因此，考量裝置的傳導與反射特性以及輕薄度，金屬層的厚度設定為大約500埃至大約3000埃，且較佳為大約500埃至大約1500埃。

根據本發明之另一實施例，透明導電層的厚度設定為大約50埃至大約150埃。

透明導電層用於補充金屬層的功函數。考量裝置的輕薄度以及功函數補充功能(complementing function)，透明導電層的厚度設定為大約50埃至大約150埃。

透明導電氧化物的例子包含ITO、AZO、IGO、GIZO、IZO及ZnO_x。它們可為一個或二物質的混合物。除了上述的材料之外，任何透明且可導電的氧化物還可不受任何限制而應用於透明導電氧化物。

金屬氧化物為包含選自於由鎳(Ni)、鈷(Co)、釩(V)、鎢(W)及鐿(Yb)組成的群組中的至少之一之氧化物，且特別是包含氧化鎳(NiO)、三氧化二鈷(Co₂O₃)與氧化鐿(YbO)。它們可為一個或二物質的混合物。

舉例來說，透明導電氧化物，即ITO可與例如是NiO與Co₂O₃之金屬氧化物混合。然後，透明導電層可藉由濺鍍ITO與NiO-Co₂O₃而形成。除了上述材料之外，還可應用其它具有高功函數的材料。

根據本發明之另一實施例，透明導電層的功函數可設定為大約4.8 eV至大約6.5 eV。

根據本發明之另一例子，透明導電層中含有之金屬氧化物的含量是透明導電層總重量的大約3 wt%至大約15 wt%，且金屬氧化物的功函數是大約5.0 eV至大約6.5 eV。這裡，金屬氧化物的含量被設定使得透明導電層的功函數是大約4.8 eV至大約6.5 eV。同時，若摻雜的金屬氧化物的量是小的，它的效果無法被預期。另一方面，若摻雜的金屬氧化物的量是大的，則光學特性下降。

根據本發明之另一實施例，在透明導電層中，透明導電氧化物可形成基質，且金屬氧化物可摻雜至由透明導電氧化物形成的基質中。

根據本發明之另一實施例，透明導電層可透過濺鍍或沉積而形成，其中透明導電氧化物及金屬氧化物使用作為原料。

根據本發明之另一實施例，透明導電層可具有一結構，其中由金屬氧化物形成的薄膜設置在由透明導電氧化物形成的薄膜上。根據本發明之另一實施例，由金屬氧化物形成之薄膜的厚度是大約5埃至大約50埃。由透明導電氧化物形成之薄膜的厚度是大約45埃至大約100埃。

根據本發明之另一實施例，陽極是有機發光裝置的反射電極。

本發明也提供一種製造用於有機發光裝置之陽極的方法。

此方法包含在基板上形成金屬層以及在金屬層上形成透明導電層的步驟。這裡，形成透明導電層之步驟是透過濺鍍或沉積而執行，其中透明導電氧化物及金屬氧化物使用作為原料。

根據本發明之另一實施例，形成透明導電層之步驟包含使用透明導電氧化物在金屬層上形成由透明導電氧化物形成的薄膜，以及在由透明導電氧化物形成的薄膜上形成由金屬氧化物形成的薄膜之步驟。

根據本發明之另一實施例，在形成透明導電層之步驟中，透明導電氧化物及金屬氧化物同時被濺鍍或沉積，使得透明導電氧化物形成基質，且金屬氧化物摻雜至藉由透明導電氧化物所形成的基質中。

本發明提供一種包含上述陽極之有機發光裝置。

此有機發光裝置包含基板、形成在基板上的第一電極、形成在第一電極上的有機層以及形成在有機層上的第二電極。這裡，有機層包含至少一層係含有一發光層。第一電極與第二電極的其中之一包含金屬層以及形成在金屬層上之透明導電層。透明導電層包含透明導電氧化物及金屬氧化物。

在根據本發明之有機發光裝置中，包含金屬層與形成在金屬層上之透明導電層的陽極如上所述。

根據本發明之另一例子，包含金屬層及形成在金屬層上之透明導電層的陽極是第一電極。

根據本發明之另一範例，包含金屬層及形成在金屬層上之透明導電層的陽極可為形成在基板上的第一電極，其可作為一反射電極。

根據本發明之用於有機發光裝置的陽極能使電荷被極好地注入，且有機發光裝置的發光效率可藉由利用陽極而提高。進一步地，當用於有機發光裝置的陽極是以反射的方式被使用，反射特性可變得更優良。此外，有機發光裝置的功函數可藉由引入上述陽極於有機發光裝置中而提高，從而有可能改善電洞注入特性及減少功率消耗。

以下，本發明的例示性實施例將參照附圖來描述。然而，應當注意的是本發明之範疇不限於以下描述的實施例與圖式。

同時，雖然在圖式中的元件與其形狀被簡化或誇大以幫助本發明的理解，使用相同的參考數字來指定相同或相似的組件。

並且，當描述一層是位在另一層或基板上時，代表該層可設置以直接接觸另一層或基板，或第三層可插入在它們之間。

發光裝置是使用電子耦合至電洞而引起輻射衰變時產生的光之裝置。

發光裝置基本上包含用於電洞注入的電極(陽極)、用於電子注入的另一電極(陰極)以及堆疊在用於電洞注入之電極與用於電子注入之電極之間的發光層。電子是在發光裝置的陰極注入以及電洞是在其陽極注入，使得電荷在外部電場的影響之下以相反方向移動之後，其可在發光層中耦合，而引起輻射衰變及發光。具有由單一分子有機材料或高分子形成的發光層之發光裝置特別被稱作有機發光裝置。

典型地，陽極，即用於電洞注入的電極，是由像是功函數大的金(Au)或氧化銦錫(ITO)的電極材料所製成，以及陰極，即用於電子注入的電極，是由像是功函數小的鎂(Mg)或鋰(Li)的電極材料所製成。

同時，在發光裝置中，電洞傳輸層可被引進至陽極與發光層之間以加強電洞的傳輸，以及電子傳輸層可被引進至陰極與發光層之間以加強電子的傳輸。有機材料主要是用於在有機發光裝置中的電洞傳輸層、發光層以及電子傳輸層。尤其是，具有p型半導體性質的材料被用作電洞傳輸層，以及具有n型半導體性質的材料被用作電子傳輸層。

第1圖係為描繪有機發光裝置的一般結構之示意圖。

參照第1圖，有機發光裝置基本上具有一結構，其中第一電極20形成在基板10上、有機層30設置在第一電極20上，以及第二電極40設置在有機層30上，且有機層30設置在第一電極20與第二電極40之間。有機層30包含發光層，其中電洞與電子彼此耦合以引起輻射衰變。第一電極20與第二電極40其中之一是用於電洞注入的陽極而另一是用於電子注入的陰極。

第2圖係描繪包含具有多層堆疊的有機層30之有機發光裝置。當第一電極20是陽極時，有機層30自第一電極20依序地包含電洞注入層31、電洞傳輸層32、發光層33、電子傳輸層34以及電子注入層35。另一方面，當第二電極40是陽極時，有機層30自第二電極40依序地包含電洞注入層35、電洞傳輸層34、發光層33、電子傳輸層32以及電子注入層31。

供作參考，因為電子注入層通常由金屬元素而非有機材料或其複合物製成，其被排除在有機層之外且可被分類為一獨立層或可被包含在陰極中。

這樣的有機發光裝置之效率通常是藉由其發光效率而決定。因此，各種努力和嘗試已被建議以提高有機發光裝置的發光效率。

有機發光裝置的發光效率是受到電子及電洞注入的流暢度、單重態激子的生成、發光位置以及三重態激子的使用而影響。因此，為了增加有機發光裝置的發光效率，電子注入層與電洞注入層是插入在電極與發光層之間以輕易地注入電荷。電極的功函數被產生以適合於發光層的最高佔據分子軌域(HOMO)能階與最低未佔據分子軌域(LUMO)能階以輕易地注入電荷。另外，含有重元素的有機材料被添加至發光層以將引起非輻射衰變的三重態激子轉換為引起輻射衰變的單重態激子。然而，這些方法在裝置穩定度方面有限制。

同時，有機發光裝置的發光效率可藉由增加在有機發光裝置之發光表面對面之電極的反射因子而提高。更詳細地，在有機發光裝置之發光表面上的電極可由透明電極所構成，而位於發光表面的對側之另一電極是由反射電極所構成，使得反射電極可反射及發射在發光層產生且輻射至發光表面之對側的光以提高發光效率。

這種反射電極的例子包含藉由金屬層實現的反射電極。同時，若金屬層實際上使用作為電極，電荷偶爾不容易被注入。尤其是，當由金屬層構成的反射電極使用作為陽極，電洞注入效率可能降低。

為了改善使用僅由金屬層構成之電極作為陽極的缺點，透明導電氧化物(TCO)材料或其他無機材料一起被設置在金屬層上之堆疊結構已被研究。像是ITO之TCO材料具有高透明度以及高加工性質且其功函數可例如透過電漿加工而輕易地調整，所以其廣泛地被使用。第3圖係描繪具有由像是ITO之透明導電氧化物材料形成之薄膜(TCO層)220形成在由銀製成之金屬層210上之結構的陽極200的例子。

同時，因為在電荷由陽極注入至有機材料時存在一能量障壁，若陽極的功函數提高是有利的。近年來，因為廣泛被使用作為陽極反射電極之銀(Ag)的功函數僅僅是4.0至4.3 eV，具有4.8 eV功函數的ITO被使用以促進電荷注入以及金屬層的保護。若功函數提高至5.0 eV以上，電洞注入特性被改善而使其能夠降低驅動電壓及功率消耗。然而，目前廣泛使用之ITO的功函數是低於5.0 eV。

第4圖係概略性描繪根據本發明原則所建構之實施例之包含金屬氧化物之用於有機發光裝置的陽極200a。這裡，用於有機發光裝置的陽極200a包含金屬層210及形成在金屬層210上的透明導電層230a。透明導電層230a包含透明導電氧化物231及金屬氧化物232。

在第4圖之用於有機發光裝置的陽極200a的透明導電層230a中，金屬氧化物232是摻雜至由透明導電氧化物231形成的基質中。

第5圖係描繪根據本發明原則所建構之另一實施例之用於有機發光裝置的陽極200b。用於有機發光裝置的陽極200b包含金屬層210及形成在金屬層210上的透明導電層230b。在第5圖之透明導電層230b的結構中，由金屬氧化物形成的薄膜240形成在由透明導電氧化物形成之薄膜220的上表面上。

參照第4圖及第5圖，透明導電層可透過濺鍍或沉積而形成，其中透明導電氧化物231及金屬氧化物232使用作為原料。

更詳細地，根據本發明之用於有機發光裝置的陽極200a或200b可藉由形成金屬層210在基板上以及形成透明導電層230a或230b在金屬層210上而製造。這裡，基板可為有機發光裝置的基質或可被獨立準備以製造電極。同時，濺鍍或沉積可被應用以形成透明導電層。

根據第4圖的例子，透明導電氧化物與金屬氧化物可同時被濺鍍或沉積以形成透明導電層。更詳細地，當共沉積藉由同時使用透明導電氧化物與金屬氧化物而執行時，透明導電氧化物與金屬氧化物混合於其中之沉積層被形成。同樣地，濺鍍是藉由同時使用透明導電氧化物與金屬氧化物而執行，透明導電氧化物與金屬氧化物混合於其中之濺鍍層被形成。在共沉積與濺鍍之後，基質是由透明導電氧化物231形成，且形成其中金屬氧化物232摻雜至由透明導電氧化物231形成之基質中之一結構230a。以此方法形成之陽極200a具有第4圖的結構。

根據第5圖的例子，在形成透明導電層230b的步驟中，由透明導電氧化物形成之薄膜220可使用透明導電氧化物231先形成在金屬層210上，接著由金屬氧化物形成之薄膜240可形成在由透明導電氧化物形成之薄膜220的表面上。以此方式形成的陽極200b具有第5圖的結構。濺鍍或沉積可被應用以形成由透明導電氧化物形成之薄膜220及由金屬氧化物形成之薄膜240。

根據第5圖的例子，由金屬氧化物形成之薄膜240的厚度可為大約5埃至大約50埃，而由透明導電氧化物形成之薄膜220的厚度可為大約45埃至大約100埃。

現有之用作有機發光裝置的反射膜的陽極由於金屬的低穩定性而不可被獨立使用，所以其主要是與由TCO材料或其他無機材料形成之薄膜一起被使用在堆疊結構中。其中，ITO因為其具有相對高的透明性、優良的加工性質及可輕易地透過電漿加工設定功函數而被廣泛使用。其是因為當陽極的功函數變高時，電荷可流暢地被注入而使其能夠增加驅動特性。

然而，如第6圖中可看出的，第3圖中利用由包含純ITO的透明電極氧化物形成之薄膜220的傳統陽極200具有低的功函數(4.7 eV)。即使在ITO表面執行紫外光臭氧加工與電漿加工，功函數提高至一定程度，但無法獲得5.0 eV以上的功函數。

相反地，由第7圖可看出，在根據本發明之用於有機發光裝置的陽極中，如第4圖的例子所示，在其中的NiO是摻雜至由透明導電氧化物形成的薄膜230a中，功函數可提高至5.5 eV (20% NiO摻雜)。

雖然沒有描繪在圖中，可以看出在根據本發明之用於有機發光裝置的陽極中，在其中的Co₂O₃是摻雜至由透明導電氧化物形成的薄膜230a中，功函數可提高至5.9 eV (30% Co₂O₃摻雜)。

也就是，在根據本發明之用於有機發光裝置的陽極中，具有高功函數的金屬氧化物可被引進至由透明導電氧化物形成的薄膜中以允許電荷流暢地注入發光層，因此降低驅動電壓與功率消耗。

根據本發明之另一例子，金屬層210含有銀(Ag)。銀(Ag)具有高傳導性及優良的反射特性。因此，具有含有銀(Ag)之金屬層的陽極可應用至反射電極。

根據本發明之另一例子，金屬層210的厚度可被設定為大約500埃至大約3000埃，且較佳為大約500埃至1500埃。當金屬層的厚度變厚時，電荷注入特性及反射特性由於其良好的傳導特性而變得更優良。然而，金屬層的厚度應該是薄的以使裝置輕薄。因此，金屬層的厚度是設定至大約500埃至大約3000埃，且較佳為大約500埃至大約1500埃。

根據本發明之另一例子，透明導電層230a或230b的厚度是設定在大約50埃至大約150埃。透明導電層230a或230b用於補償金屬層210的功函數。因此，考量裝置的輕薄及功函數的補償，透明導電層230a或230b的厚度是設定在大約50埃至大約150埃。

包含在透明導電層230a或230b之透明導電氧化物包含例如是ITO、AZO、IGO、GIZO、IZO及ZnO_x。這裡，透明導電氧化物可選自於那些使用在傳統的透明電極中，但可被那些熟知技藝者購買得。其可獨立使用或可混合其中至少兩個來使用。除了上述的材料之外，任何透明且導電之氧化物還可不受任何限制而應用於透明導電氧化物。

包含在透明導電層230a或230b之金屬氧化物包含例如是Ni、Co、V、W及Yb。尤其是，NiO、Co₂O₃及YbO可使用作為金屬氧化物。這裡，任何功函數是5.0 eV至6.5 eV的金屬氧化物可使用作為金屬氧化物。其可獨立使用或可混合其中至少兩個來使用。

舉例來說，NiO與Co₂O₃(即金屬氧化物)可與ITO(即透明導電氧化物)混合來使用。透明導電層可藉由濺鍍ITO與NiO-Co₂O₃而形成。很明顯地任何具有高功函數的材料而非上述材料可被應用。

根據本發明之另一例子，透明導電層230a或230b的功函數可設定為大約4.8 eV至大約6.5 eV。

根據本發明之另一例子，包含在透明導電層中之金屬氧化物的含量是透明導電層總重量的大約3 wt%至大約15 wt%，以及金屬氧化物的功函數是大約5.0 eV至大約6.5 ev。這裡，金屬氧化物的含量可被設定使得透明導電層的功函數是4.8 eV至6.5 ev。

根據本發明之另一例子，上述的陽極具有優良的反射特性。因此，陽極可被應用作為有機發光裝置的反射電極。

根據本發明之製造用於有機發光裝置之方法正如以上所討論。

本發明提供包含陽極的有機發光裝置。

根據本發明之另一例子之有機發光裝置係包含基板10、形成在基板10上的第一電極20、形成在第一電極20上的有機層30以及形成在有機層30上的第二電極(看第1圖)。

這裡，有機層30包含至少一層係包含有發光層33(參照第2圖)。根據本發明之另一實施例，有機層30自陽極依序地包含電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層以及電子注入層。當看第2圖時，若第一電極是陽極，那麼有機層30自第一電極依序地包含電洞注入層31、電洞傳輸層32、發光層33、電子傳輸層34以及電子注入層35。另一方面，當第二電極是陽極時，有機層30自第二電極依序地包含電洞注入層35、電洞傳輸層34、發光層33、電子傳輸層32以及電子注入層31。

在根據本發明之一例子的有機發光裝置中，第一電極與第二電極其中之一是包含金屬層210及形成在金屬層210上的透明導電層230a(參照第4圖)的陽極200a。這裡，透明導電層230a包含透明導電氧化物231與金屬氧化物232，其如上所述。

根據本發明之另一例子，包含金屬層210以及形成在金屬層210上的透明導電層230b之陽極200b可jo6第一電極20(參照第4圖)。在這種情況下，包含金屬層210以及形成在金屬層210上的透明導電層230b之陽極200b可具有作為形成在基板上的第一電極20之反射電極的功能。

更詳細地，如本發明的第一實施例，透明導電層230a是藉由使用銀(Ag)以在玻璃基板10上形成金屬層210以及形成摻雜少量NiO (摻雜重量比例 NiO：ITO＝10：90)且在金屬層210上具有70埃的厚度之ITO膜230a而形成。包含金屬層210與透明導電層230a的電極是使用作為陽極200a。

在本發明的第一實施例中，在電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層以及電子注入層依序地形成在陽極200a上之後，MgAg層被形成作為陰極以製造綠色OLED裝置。

本發明的第二實施例除了透明導電層230a是藉由形成摻雜少量NiO (摻雜重量比例 NiO：ITO＝15：85)且具有70埃的厚度之ITO膜230a而形成之外，是與本發明的第一實施例相同。

除了綠色OLED裝置是使用藉由在由銀(Ag)形成之金屬層210上形成不含有金屬氧化物之純ITO所獲得之具有70埃的厚度的薄膜220作為陽極200而製造的之外，比較例是與本發明的第一實施例相同。

藉由依照在根據實施例及比較例製造之綠色OLED裝置中的電壓來測量電流密度所獲得的測量結果係如第8圖所示。在第8圖中，紅色實線係指第一實施例，綠色實線係指第二實施例，而黑色實線係指比較例。

第8圖顯示電流密度已被增加。其顯示當陽極的功函數增加時，注入特性被改善且電荷流動更優良。也就是，可以看出裝置的效率已改善。

雖然本發明之較佳實施例已為了說明目地而被描述，那些熟知技藝者將明白在未脫離如申請專利範圍所揭示之本發明的範疇與精神下，各種修改、增加及取代是可能的。

10．．．基板

20．．．第一電極

30．．．有機層

31．．．電洞注入層/電子注入層

32．．．電洞傳輸層/電子傳輸層

33．．．發光層

34．．．電子傳輸層/電洞傳輸層

35．．．電子注入層/電洞注入層

40．．．第二電極

200、200a、200b．．．陽極

210．．．金屬層

220．．．由透明導電氧化物(ITO)形成之薄膜

230a、230b．．．透明導電層

231．．．透明導電氧化物

232．．．金屬氧化物

以及

240．．．由金屬氧化物形成之薄膜

參照下述詳細說明並考慮到結合附圖，將使本發明的更完整評估及其許多伴隨的優點是顯而易見的，且同時變得更佳理解，其中類似參考符號係指相同或相似組件，其中：
第1圖係為描繪有機發光裝置的一般結構之示意圖；
第2圖係為更詳細地描繪第1圖之有機發光裝置之有機層的結構之示意圖；
第3圖係為描繪用於有機發光裝置的陽極的結構的例子之示意圖；
第4圖係為描繪根據依循本發明原則之實施例之用於有機發光裝置的陽極的結構之示意圖；
第5圖係為描繪根據依循本發明原則之另一實施例之用於有機發光裝置的陽極的結構之示意圖；
第6圖係為描繪當其表面被處理時所獲得之ITO陽極的功函數之圖表；
第7圖係為描繪ITO陽極及藉由金屬氧化物摻雜於ITO陽極所獲得之本發明的陽極的功函數之圖表；以及
第8圖係為描繪根據在透過本發明及比較例的實施例所製造之有機發光裝置中的電壓，藉由測量電流密度所獲得的結果之圖表。

200a．．．陽極

210．．．金屬層

230a．．．透明導電層

231．．．透明導電氧化物

以及

232．．．金屬氧化物

Claims (34)

1. 一種用於有機發光裝置之陽極，其包括：
   一金屬層；以及
   一透明導電層，形成在該金屬層上；
   該透明導電層包括一透明導電氧化物(TCO)及一金屬氧化物。
2. 如申請專利範圍第1項所述之陽極，其中該金屬層包含銀(Ag)。
3. 如申請專利範圍第1項所述之陽極，其中該金屬層具有大約500埃至大約3000埃的厚度。
4. 如申請專利範圍第1項所述之陽極，其中該透明導電層具有大約50埃至大約150埃的厚度。
5. 如申請專利範圍第1項所述之陽極，其中該透明導電氧化物包括選自於由ITO、AZO、IGO、GIZO、IZO及ZnO_x組成的群組中的至少之一。
6. 如申請專利範圍第1項所述之陽極，其中該金屬氧化物為選自於由Ni、Co、V、W及Yb組成的群組中的至少一金屬之一氧化物。
7. 如申請專利範圍第1項所述之陽極，其中包含在該透明導電層中的該金屬氧化物具有該透明導電層總重量的大約3 wt%至大約15 wt%的含量。
8. 如申請專利範圍第1項所述之陽極，其中該金屬氧化物具有大約5.0 eV至大約6.5 eV的功函數。
9. 如申請專利範圍第1項所述之陽極，其中該透明導電層具有大約4.8 eV至大約6.5 eV的功函數。
10. 如申請專利範圍第1項所述之陽極，其中在該透明導電層中，該透明導電氧化物形成一基質，且該金屬氧化物摻雜至由該透明導電氧化物形成的該基質中。
11. 如申請專利範圍第10項所述之陽極，其中該透明導電層透過濺鍍或沉積而形成，其中該透明導電氧化物及該金屬氧化物被使用作為原料。
12. 如申請專利範圍第1項所述之陽極，其中該透明導電層包括由該金屬氧化物形成的薄膜，係設置在由該透明導電氧化物形成的薄膜上。
13. 如申請專利範圍第12項所述之陽極，其中由該金屬氧化物形成的薄膜具有大約5埃至大約50埃的厚度。
14. 如申請專利範圍第12項所述之陽極，其中由該透明導電氧化物形成的薄膜具有大約45埃至大約100埃的厚度。
15. 如申請專利範圍第1項所述之陽極，其中該陽極包括一反射電極。
16. 一種製造用於有機發光裝置之陽極的方法，其包括下述步驟：
    形成一金屬層在一基板上；以及
    形成一透明導電層在該金屬層上；
    其中形成該透明導電層之步驟包括一濺鍍或沉積步驟，其中一透明導電氧化物及一金屬氧化物被使用作為原料。
17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中形成該透明導電層之步驟包括下述步驟：
    使用該透明導電氧化物，在該金屬層上形成由該透明導電氧化物形成的薄膜；以及
    在由該透明導電氧化物形成的薄膜上形成由該金屬氧化物形成的薄膜。
18. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中在形成該透明導電層之步驟中，該透明導電氧化物及該金屬氧化物同時被濺鍍或沉積，使得該透明導電氧化物形成一基質，且該金屬氧化物摻雜至藉由該透明導電氧化物所形成的該基質中。
19. 一種有機發光裝置，其包括：
    一基板；
    一第一電極，形成在該基板上；
    一有機層，形成在該第一電極上；以及
    一第二電極，形成在該有機層上；
    其中該有機層包含至少一層係含有一發光層；
    該第一電極與該第二電極的其中之一包括一陽極，係包含一金屬層以及形成在該金屬層上之一透明導電層；以及
    該透明導電層包含一透明導電氧化物及一金屬氧化物。
20. 如申請專利範圍第19項所述之有機發光裝置，其中該金屬層包含銀(Ag)。
21. 如申請專利範圍第19項所述之有機發光裝置，其中該金屬層具有大約500埃至大約3000埃的厚度。
22. 如申請專利範圍第19項所述之有機發光裝置，其中該透明導電層具有大約50埃至大約150埃的厚度。
23. 如申請專利範圍第19項所述之有機發光裝置，其中該透明導電氧化物包括選自於由ITO、AZO、IGO、GIZO、IZO及ZnO_x組成的群組中的至少之一。
24. 如申請專利範圍第19項所述之有機發光裝置，其中該金屬氧化物為選自於由Ni、Co、V、W及Yb組成的群組中的至少一金屬之一氧化物。
25. 如申請專利範圍第19項所述之有機發光裝置，其中包含在該透明導電層中的該金屬氧化物具有該透明導電層總重量的大約3 wt%至大約15 wt%的含量。
26. 如申請專利範圍第19項所述之有機發光裝置，其中該金屬氧化物具有大約5.0 eV至大約6.5 eV的功函數。
27. 如申請專利範圍第19項所述之有機發光裝置，其中該透明導電層具有大約4.8 eV至大約6.5 eV的功函數。
28. 如申請專利範圍第19項所述之有機發光裝置，其中在該透明導電層中，該透明導電氧化物形成一基質，且該金屬氧化物摻雜至由該透明導電氧化物形成的該基質中。
29. 如申請專利範圍第28項所述之有機發光裝置，其中該透明導電層透過濺鍍或沉積而形成，其中該透明導電氧化物及該金屬氧化物被使用作為原料。
30. 如申請專利範圍第19項所述之有機發光裝置，其中該透明導電層包括由該金屬氧化物形成的薄膜，係設置在由該透明導電氧化物形成的薄膜上。
31. 如申請專利範圍第30項所述之有機發光裝置，其中由該金屬氧化物形成的薄膜具有大約5埃至大約50埃的厚度。
32. 如申請專利範圍第30項所述之有機發光裝置，其中由該透明導電氧化物形成的薄膜具有大約45埃至大約100埃的厚度。
33. 如申請專利範圍第19項所述之有機發光裝置，其中包含該金屬層及形成在該金屬層上之該透明導電層之該陽極係為一反射電極。
34. 如申請專利範圍第19項所述之有機發光裝置，其中包含該金屬層及形成在該金屬層上之該透明導電層之該陽極係為該第一電極。